JPH11176795A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
基板処理方法および基板処理装置Info
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- JPH11176795A JPH11176795A JP33858997A JP33858997A JPH11176795A JP H11176795 A JPH11176795 A JP H11176795A JP 33858997 A JP33858997 A JP 33858997A JP 33858997 A JP33858997 A JP 33858997A JP H11176795 A JPH11176795 A JP H11176795A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薬液処理、洗浄処理、および乾燥処理を含む
一連の基板処理過程で、基板の周囲の雰囲気を清浄に維
持するために必要な不活性ガスの消費量を少なくする。 【解決手段】 基板Ｗに、遮断部材としてのベース部材
５および遮断部材２２を近接させて、基板Ｗの上下に空
間Ｓ1 、Ｓ2 を生成し、この状態で基板Ｗを回転させな
がら、上下のノズル７、２６から薬液と洗浄液とを順に
供給し、続いて、基板Ｗを高速回転させて基板Ｗを乾燥
させる。上記の処理の間、空間Ｓ1 、Ｓ2に開口１７、
３６から不活性ガスを導入することにより、基板Ｗの周
囲を清浄に維持する。不活性ガスで雰囲気置換される空
間Ｓ1 、Ｓ2 は限られた空間であるので、不活性ガスの
消費量を抑えることができる。
一連の基板処理過程で、基板の周囲の雰囲気を清浄に維
持するために必要な不活性ガスの消費量を少なくする。 【解決手段】 基板Ｗに、遮断部材としてのベース部材
５および遮断部材２２を近接させて、基板Ｗの上下に空
間Ｓ1 、Ｓ2 を生成し、この状態で基板Ｗを回転させな
がら、上下のノズル７、２６から薬液と洗浄液とを順に
供給し、続いて、基板Ｗを高速回転させて基板Ｗを乾燥
させる。上記の処理の間、空間Ｓ1 、Ｓ2に開口１７、
３６から不活性ガスを導入することにより、基板Ｗの周
囲を清浄に維持する。不活性ガスで雰囲気置換される空
間Ｓ1 、Ｓ2 は限られた空間であるので、不活性ガスの
消費量を抑えることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶表示器用のガラス基板、フォトマスク、光ディスク用
の基板などの各種の基板に、薬液処理、洗浄処理、およ
び乾燥処理を含む一連の処理を同一の処理チャンバ内で
行う基板処理方法および基板処理装置に関する。
晶表示器用のガラス基板、フォトマスク、光ディスク用
の基板などの各種の基板に、薬液処理、洗浄処理、およ
び乾燥処理を含む一連の処理を同一の処理チャンバ内で
行う基板処理方法および基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体ウエハなどの基板を基板
単位で処理する、いわゆる枚葉式の基板処理装置では、
薬液処理のときに生じた薬液雰囲気によって乾燥処理中
の基板が汚染されないようにするために、薬液処理を行
う処理チャンバと、乾燥処理を行う処理チャンバとが個
別に設けられている。前者の処理チャンバ内で薬液処理
および純水リンス（洗浄処理）が行われた基板は、搬送
ロボットで後者の処理チャンバに搬送され、この処理チ
ャンバ内で再び純水リンスされた後にスピンドライによ
って乾燥処理される。
単位で処理する、いわゆる枚葉式の基板処理装置では、
薬液処理のときに生じた薬液雰囲気によって乾燥処理中
の基板が汚染されないようにするために、薬液処理を行
う処理チャンバと、乾燥処理を行う処理チャンバとが個
別に設けられている。前者の処理チャンバ内で薬液処理
および純水リンス（洗浄処理）が行われた基板は、搬送
ロボットで後者の処理チャンバに搬送され、この処理チ
ャンバ内で再び純水リンスされた後にスピンドライによ
って乾燥処理される。
【０００３】しかし、上記のように個別の処理チャンバ
を備えた基板処理装置では、次のような種々の不都合が
ある。 （ａ）基板処理装置が大型化する。 （ｂ）洗浄処理後の濡れた基板を乾燥用の処理チャンバ
に搬送するので、搬送ロボットに防滴機能や耐腐食機能
を備える必要があり、それだけ装置のコストアップにつ
ながる。 （ｃ）搬送中に基板が汚染されるおそれがある。 （ｄ）基板の薬液処理から乾燥処理までの一連の処理時
間（タクトタイム）が、基板搬送に要する時間だけ延び
る。
を備えた基板処理装置では、次のような種々の不都合が
ある。 （ａ）基板処理装置が大型化する。 （ｂ）洗浄処理後の濡れた基板を乾燥用の処理チャンバ
に搬送するので、搬送ロボットに防滴機能や耐腐食機能
を備える必要があり、それだけ装置のコストアップにつ
ながる。 （ｃ）搬送中に基板が汚染されるおそれがある。 （ｄ）基板の薬液処理から乾燥処理までの一連の処理時
間（タクトタイム）が、基板搬送に要する時間だけ延び
る。
【０００４】ところで、薬液処理から乾燥処理までの一
連の処理を単一の処理チャンバで行うようにした基板処
理装置として、例えば特開平７−１４８１７号に開示さ
れたものがある。この基板処理装置は、基板を水平姿勢
に保持するチャックと、このチャックに保持された基板
上に薬液や洗浄液を供給するノズルとを、密閉された洗
浄槽内に配置して構成されている。基板処理の際には、
基板を回転させながら、基板上に薬液を供給して薬液処
理を行い、続いて、薬液処理された基板上に純水を供給
して洗浄処理を行い、その後、基板を回転させることに
より洗浄液を振り切って基板の乾燥処理を行っている。
このような一連の処理の間、洗浄槽の上部から洗浄槽内
へ不活性ガスを導入するとともに、この不活性ガスのダ
ウンフローを洗浄槽の下部から排気することによって、
洗浄槽内の雰囲気を清浄に保とうとしている。
連の処理を単一の処理チャンバで行うようにした基板処
理装置として、例えば特開平７−１４８１７号に開示さ
れたものがある。この基板処理装置は、基板を水平姿勢
に保持するチャックと、このチャックに保持された基板
上に薬液や洗浄液を供給するノズルとを、密閉された洗
浄槽内に配置して構成されている。基板処理の際には、
基板を回転させながら、基板上に薬液を供給して薬液処
理を行い、続いて、薬液処理された基板上に純水を供給
して洗浄処理を行い、その後、基板を回転させることに
より洗浄液を振り切って基板の乾燥処理を行っている。
このような一連の処理の間、洗浄槽の上部から洗浄槽内
へ不活性ガスを導入するとともに、この不活性ガスのダ
ウンフローを洗浄槽の下部から排気することによって、
洗浄槽内の雰囲気を清浄に保とうとしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
特開平７−１４８１７号で提案された基板処理装置に
は、次のような問題がある。この基板処理装置は、不活
性ガスのダウンフローによって洗浄槽内の雰囲気を清浄
に保とうとしているが、基板の周囲に漂っている薬液や
洗浄液のミストを迅速に排気して基板に再付着させない
ようにするためには、不活性ガスのダウンフローを強め
なくてはならず、そうすると不活性ガスの消費量が増大
して、基板処理のコストが嵩むという問題が生じる。
特開平７−１４８１７号で提案された基板処理装置に
は、次のような問題がある。この基板処理装置は、不活
性ガスのダウンフローによって洗浄槽内の雰囲気を清浄
に保とうとしているが、基板の周囲に漂っている薬液や
洗浄液のミストを迅速に排気して基板に再付着させない
ようにするためには、不活性ガスのダウンフローを強め
なくてはならず、そうすると不活性ガスの消費量が増大
して、基板処理のコストが嵩むという問題が生じる。
【０００６】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、薬液処理、洗浄処理、および乾燥処理
を含む一連の基板処理過程で、基板の周囲の雰囲気を清
浄に維持するために必要な不活性ガスの消費量を少なく
することができる基板処理方法および基板処理装置を提
供することを主たる目的としている。
たものであって、薬液処理、洗浄処理、および乾燥処理
を含む一連の基板処理過程で、基板の周囲の雰囲気を清
浄に維持するために必要な不活性ガスの消費量を少なく
することができる基板処理方法および基板処理装置を提
供することを主たる目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、薬液処理、洗浄処理、お
よび乾燥処理を含み、基板単位で行われる一連の処理
を、同一の処理チャンバ内で連続的に行う基板処理方法
であって、前記処理チャンバ内で基板の上面および下面
の少なくとも一方の面に遮断部材を近接して、基板と前
記遮断部材との間に空間を形成し、この状態で以下の各
過程、すなわち、基板を回転させながら基板に薬液を供
給して基板に薬液処理を行う薬液処理過程と、前記薬液
処理された基板を回転させながら基板に洗浄液を供給し
て基板に洗浄処理を行う洗浄処理過程と、前記洗浄処理
された基板を回転させることによって基板から洗浄液を
振り切って基板を乾燥させる乾燥処理過程とを行い、か
つ、前記薬液処理過程から前記乾燥処理過程までの各過
程において、前記空間内に不活性ガスを導入しながら、
各々の処理を行うことを特徴とする。
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、薬液処理、洗浄処理、お
よび乾燥処理を含み、基板単位で行われる一連の処理
を、同一の処理チャンバ内で連続的に行う基板処理方法
であって、前記処理チャンバ内で基板の上面および下面
の少なくとも一方の面に遮断部材を近接して、基板と前
記遮断部材との間に空間を形成し、この状態で以下の各
過程、すなわち、基板を回転させながら基板に薬液を供
給して基板に薬液処理を行う薬液処理過程と、前記薬液
処理された基板を回転させながら基板に洗浄液を供給し
て基板に洗浄処理を行う洗浄処理過程と、前記洗浄処理
された基板を回転させることによって基板から洗浄液を
振り切って基板を乾燥させる乾燥処理過程とを行い、か
つ、前記薬液処理過程から前記乾燥処理過程までの各過
程において、前記空間内に不活性ガスを導入しながら、
各々の処理を行うことを特徴とする。
【０００８】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の基板処理方法において、前記処理チャンバ内で基板の
上面および下面のそれぞれに遮断部材を近接して、基板
の上面側および下面側にそれぞれ空間を形成するもので
ある。
の基板処理方法において、前記処理チャンバ内で基板の
上面および下面のそれぞれに遮断部材を近接して、基板
の上面側および下面側にそれぞれ空間を形成するもので
ある。
【０００９】請求項３に記載の発明は、請求項１または
２に記載の基板処理方法において、前記遮断部材の中央
部から前記空間内に不活性ガスを導入するとともに、前
記処理チャンバの上方から清浄気体のダウンフローを処
理チャンバ内に取り込み、前記空間の周囲から流出する
不活性ガスを、前記処理チャンバ内に取り込んだ清浄気
体のダウンフローとともに前記処理チャンバの下方から
排気するものである。
２に記載の基板処理方法において、前記遮断部材の中央
部から前記空間内に不活性ガスを導入するとともに、前
記処理チャンバの上方から清浄気体のダウンフローを処
理チャンバ内に取り込み、前記空間の周囲から流出する
不活性ガスを、前記処理チャンバ内に取り込んだ清浄気
体のダウンフローとともに前記処理チャンバの下方から
排気するものである。
【００１０】請求項４に記載の発明は、請求項１ないし
３のいずれかに記載の基板処理方法において、前記薬液
処理過程では、前記空間内に比較的少量の不活性ガスを
導入し、前記洗浄処理過程から前記乾燥処理過程まで
は、前記空間内に比較的多量の不活性ガスを導入するも
のである。
３のいずれかに記載の基板処理方法において、前記薬液
処理過程では、前記空間内に比較的少量の不活性ガスを
導入し、前記洗浄処理過程から前記乾燥処理過程まで
は、前記空間内に比較的多量の不活性ガスを導入するも
のである。
【００１１】請求項５に記載の発明は、請求項１ないし
３のいずれかに記載の基板処理方法において、前記薬液
処理過程から前記洗浄処理過程の途中までは、前記空間
内に比較的少量の不活性ガスを導入し、前記洗浄処理過
程の途中から前記乾燥処理過程までは、前記空間内に比
較的多量の不活性ガスを導入するものである。
３のいずれかに記載の基板処理方法において、前記薬液
処理過程から前記洗浄処理過程の途中までは、前記空間
内に比較的少量の不活性ガスを導入し、前記洗浄処理過
程の途中から前記乾燥処理過程までは、前記空間内に比
較的多量の不活性ガスを導入するものである。
【００１２】請求項６に記載の発明は、請求項１ないし
３のいずれかに記載の基板処理方法において、前記薬液
処理過程から前記洗浄処理過程までは、前記空間内に比
較的少量の不活性ガスを導入し、前記乾燥処理過程で
は、前記空間内に比較的多量の不活性ガスを導入するも
のである。
３のいずれかに記載の基板処理方法において、前記薬液
処理過程から前記洗浄処理過程までは、前記空間内に比
較的少量の不活性ガスを導入し、前記乾燥処理過程で
は、前記空間内に比較的多量の不活性ガスを導入するも
のである。
【００１３】請求項７に記載の発明は、基板を回転させ
ながら基板に薬液を供給して行う薬液処理と、薬液処理
された基板を回転させながら基板に洗浄液を供給して行
う洗浄処理と、洗浄処理された基板を回転させることに
よって基板から洗浄液を振り切って行う乾燥処理とを含
み、基板単位で行われる一連の処理を、同一の処理チャ
ンバ内で連続的に行う基板処理装置であって、前記処理
チャンバ内で基板を保持する基板保持手段と、前記基板
保持手段に保持された基板を回転させる回転手段と、前
記基板保持手段に保持された基板の上面および下面の少
なくとも一方の面に近接配置されて、基板との間に空間
を形成する遮断部材と、前記基板保持手段に保持された
基板に薬液を供給する薬液供給手段と、前記基板保持手
段に保持された基板に洗浄液を供給する洗浄液供給手段
と、前記空間内に不活性ガスを導入する不活性ガス導入
手段と、前記薬液処理、洗浄処理、および乾燥処理の各
処理に応じて、前記空間内に導入される不活性ガスの導
入量を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。
ながら基板に薬液を供給して行う薬液処理と、薬液処理
された基板を回転させながら基板に洗浄液を供給して行
う洗浄処理と、洗浄処理された基板を回転させることに
よって基板から洗浄液を振り切って行う乾燥処理とを含
み、基板単位で行われる一連の処理を、同一の処理チャ
ンバ内で連続的に行う基板処理装置であって、前記処理
チャンバ内で基板を保持する基板保持手段と、前記基板
保持手段に保持された基板を回転させる回転手段と、前
記基板保持手段に保持された基板の上面および下面の少
なくとも一方の面に近接配置されて、基板との間に空間
を形成する遮断部材と、前記基板保持手段に保持された
基板に薬液を供給する薬液供給手段と、前記基板保持手
段に保持された基板に洗浄液を供給する洗浄液供給手段
と、前記空間内に不活性ガスを導入する不活性ガス導入
手段と、前記薬液処理、洗浄処理、および乾燥処理の各
処理に応じて、前記空間内に導入される不活性ガスの導
入量を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。
【００１４】請求項８に記載の発明は、請求項７に記載
の基板処理装置において、前記遮断部材は、前記基板保
持手段に保持された基板の上面および下面のそれぞれに
近接配置されて、基板の上面側および下面側にそれぞれ
空間を形成するものである。
の基板処理装置において、前記遮断部材は、前記基板保
持手段に保持された基板の上面および下面のそれぞれに
近接配置されて、基板の上面側および下面側にそれぞれ
空間を形成するものである。
【００１５】
【作用】請求項１に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。薬液処理過程、洗浄処理過程、および乾燥処理過程
を含む一連の処理過程で、基板の上面および下面の少な
くとも一方の面に遮断部材が近接して、基板と遮断部材
との間に空間が形成される。この状態で基板を回転させ
ながら、基板に薬液や洗浄液が順に供給される。基板上
に供給された薬液や洗浄液は、基板の回転に伴う遠心力
によって基板の周囲に向かって拡がり、基板の周縁から
飛散する。基板の洗浄処理が終わると、基板を回転させ
ることによって、基板上の洗浄液を振り切って基板を乾
燥させる。上記の各処理過程で、基板と遮断部材との間
に形成された空間内に不活性ガスが導入される。空間内
に導入された不活性ガスは、狭い空間内を速い速度で流
通するので、空間内の薬液や洗浄液の雰囲気が不活性ガ
スで迅速に置換される。また、各処理過程で基板の周縁
から飛散した薬液や洗浄液のミストが基板と遮断部材と
の隙間から空間内に侵入しようとしても、これらのミス
トは空間の周囲から流出する不活性ガスの流れによって
押し戻され、空間内に薬液や洗浄液のミストが侵入する
こともない。しかも、この空間は空間的に限られている
ので、比較的に少量の不活性ガスでもって、空間内を清
浄に維持することができる。
る。薬液処理過程、洗浄処理過程、および乾燥処理過程
を含む一連の処理過程で、基板の上面および下面の少な
くとも一方の面に遮断部材が近接して、基板と遮断部材
との間に空間が形成される。この状態で基板を回転させ
ながら、基板に薬液や洗浄液が順に供給される。基板上
に供給された薬液や洗浄液は、基板の回転に伴う遠心力
によって基板の周囲に向かって拡がり、基板の周縁から
飛散する。基板の洗浄処理が終わると、基板を回転させ
ることによって、基板上の洗浄液を振り切って基板を乾
燥させる。上記の各処理過程で、基板と遮断部材との間
に形成された空間内に不活性ガスが導入される。空間内
に導入された不活性ガスは、狭い空間内を速い速度で流
通するので、空間内の薬液や洗浄液の雰囲気が不活性ガ
スで迅速に置換される。また、各処理過程で基板の周縁
から飛散した薬液や洗浄液のミストが基板と遮断部材と
の隙間から空間内に侵入しようとしても、これらのミス
トは空間の周囲から流出する不活性ガスの流れによって
押し戻され、空間内に薬液や洗浄液のミストが侵入する
こともない。しかも、この空間は空間的に限られている
ので、比較的に少量の不活性ガスでもって、空間内を清
浄に維持することができる。
【００１６】請求項２に記載の発明によれば、基板の上
面と下面のそれぞれに遮断部材を近接して、基板の上面
側および下面側にそれぞれ空間を形成し、これらの空間
に不活性ガスを導入しながら、薬液処理、洗浄処理、お
よび乾燥処理を行うので、基板の上面側および下面側の
各雰囲気を比較的に少量の不活性ガスでもって清浄に維
持することができる。
面と下面のそれぞれに遮断部材を近接して、基板の上面
側および下面側にそれぞれ空間を形成し、これらの空間
に不活性ガスを導入しながら、薬液処理、洗浄処理、お
よび乾燥処理を行うので、基板の上面側および下面側の
各雰囲気を比較的に少量の不活性ガスでもって清浄に維
持することができる。
【００１７】請求項３に記載の発明によれば、薬液処理
過程、洗浄処理過程、および乾燥処理過程を含む一連の
処理過程で、遮断部材の中央部から空間内に導入された
不活性ガスは、空間の中央部から外に向かって放射状に
流通し、空間の周囲から処理チャンバ内に流出する。こ
の流出した不活性ガスは、処理チャンバの上方から取り
込んだ清浄気体のダウンフローとともに、処理チャンバ
の下方から排気されるので、空間および処理チャンバ内
の各雰囲気が清浄に維持される。
過程、洗浄処理過程、および乾燥処理過程を含む一連の
処理過程で、遮断部材の中央部から空間内に導入された
不活性ガスは、空間の中央部から外に向かって放射状に
流通し、空間の周囲から処理チャンバ内に流出する。こ
の流出した不活性ガスは、処理チャンバの上方から取り
込んだ清浄気体のダウンフローとともに、処理チャンバ
の下方から排気されるので、空間および処理チャンバ内
の各雰囲気が清浄に維持される。
【００１８】請求項４〜請求項６に記載の発明によれ
ば、薬液処理過程を含む前半の過程では、空間への不活
性ガスの導入量を比較的に少なくし、薬液や洗浄液のミ
ストの影響が大きい乾燥処理過程を含む後半の過程で
は、空間への不活性ガスの導入量を比較的に多くするこ
とにより、空間を清浄に維持するために必要な不活性ガ
スの消費量を一層少なくしている。
ば、薬液処理過程を含む前半の過程では、空間への不活
性ガスの導入量を比較的に少なくし、薬液や洗浄液のミ
ストの影響が大きい乾燥処理過程を含む後半の過程で
は、空間への不活性ガスの導入量を比較的に多くするこ
とにより、空間を清浄に維持するために必要な不活性ガ
スの消費量を一層少なくしている。
【００１９】請求項７に記載の発明の作用は次のとおり
である。基板保持手段は、処理チャンバ内で基板を保持
する。この基板保持手段に保持された基板の上面および
下面の少なくとも一方の面に遮断部材が近接配置され
て、基板との間に空間を形成する。この状態で回転手段
が基板を回転させながら、薬液供給手段から基板に薬液
が供給され、続いて、洗浄液供給手段から基板に洗浄液
が供給される。洗浄処理が終わると、回転手段が基板を
回転させることにより、基板に付着していた洗浄液を振
り切って基板を乾燥させる。このような薬液処理過程、
洗浄処理過程、および乾燥処理過程を含む一連の処理過
程において、不活性ガス導入手段が、基板と遮断部材と
の間の空間に不活性ガスを導入することにより、空間へ
の薬液や洗浄液のミストの侵入を阻止する。また、制御
手段は、空間に導入される不活性ガスの導入量を各処理
に応じて制御することにより、比較的に少量の不活性ガ
スでもって空間を清浄に維持する。
である。基板保持手段は、処理チャンバ内で基板を保持
する。この基板保持手段に保持された基板の上面および
下面の少なくとも一方の面に遮断部材が近接配置され
て、基板との間に空間を形成する。この状態で回転手段
が基板を回転させながら、薬液供給手段から基板に薬液
が供給され、続いて、洗浄液供給手段から基板に洗浄液
が供給される。洗浄処理が終わると、回転手段が基板を
回転させることにより、基板に付着していた洗浄液を振
り切って基板を乾燥させる。このような薬液処理過程、
洗浄処理過程、および乾燥処理過程を含む一連の処理過
程において、不活性ガス導入手段が、基板と遮断部材と
の間の空間に不活性ガスを導入することにより、空間へ
の薬液や洗浄液のミストの侵入を阻止する。また、制御
手段は、空間に導入される不活性ガスの導入量を各処理
に応じて制御することにより、比較的に少量の不活性ガ
スでもって空間を清浄に維持する。
【００２０】請求項８に記載の発明によれば、基板保持
手段に保持された基板の上面および下面のそれぞれに遮
断部材が近接配置され、これらの遮断部材と基板との間
に形成された上下の空間に、不活性ガス導入手段が不活
性ガスをそれぞれ導入するので、基板の上面側および下
面側の各雰囲気を比較的に少量の不活性ガスでもって清
浄に維持することができる。
手段に保持された基板の上面および下面のそれぞれに遮
断部材が近接配置され、これらの遮断部材と基板との間
に形成された上下の空間に、不活性ガス導入手段が不活
性ガスをそれぞれ導入するので、基板の上面側および下
面側の各雰囲気を比較的に少量の不活性ガスでもって清
浄に維持することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施例を説明する。図１は、本発明の一実施例に係る基
板処理装置全体の概略構成を示す縦断面図であり、図２
は、遮断部材及びスピンチャックの概略構成を示す斜視
図である。
実施例を説明する。図１は、本発明の一実施例に係る基
板処理装置全体の概略構成を示す縦断面図であり、図２
は、遮断部材及びスピンチャックの概略構成を示す斜視
図である。
【００２２】この実施例装置は、半導体ウエハなどの基
板Ｗに対して、薬液処理、洗浄処理、および乾燥処理を
含む一連の処理を、同一の処理チャンバ１内で連続的に
行うように構成されている。
板Ｗに対して、薬液処理、洗浄処理、および乾燥処理を
含む一連の処理を、同一の処理チャンバ１内で連続的に
行うように構成されている。
【００２３】処理チャンバ１内に基板Ｗを水平姿勢に保
持するスピンチャック２が設けられている。このスピン
チャック２は、図示しないモーターが内設された回転ブ
ロック３により回転自在に支持された回転軸４の上端に
遮断部材を兼ねた円盤状のベース部材５が連結され、基
板Ｗの外周端部の少なくとも３箇所以上を保持する、３
個以上の保持部材６をベース部材５の外周端部付近に設
けて構成されている。この実施例では、基板Ｗの表面を
上側にして基板Ｗがスピンチャック２に保持される。そ
して、回転ブロック３内のモーターを駆動することで、
スピンチャック２に保持された基板Ｗは、基板Ｗの中心
周りに回転されるようになっている。なお、通常、スピ
ンチャック２は、図に示す処理位置と、処理チャンバ１
の上方の基板搬入出位置との間で昇降自在に構成され、
この昇降動作は、図示しないエアシリンダのロッドの伸
縮によって回転ブロック３を昇降させることで実現され
る。
持するスピンチャック２が設けられている。このスピン
チャック２は、図示しないモーターが内設された回転ブ
ロック３により回転自在に支持された回転軸４の上端に
遮断部材を兼ねた円盤状のベース部材５が連結され、基
板Ｗの外周端部の少なくとも３箇所以上を保持する、３
個以上の保持部材６をベース部材５の外周端部付近に設
けて構成されている。この実施例では、基板Ｗの表面を
上側にして基板Ｗがスピンチャック２に保持される。そ
して、回転ブロック３内のモーターを駆動することで、
スピンチャック２に保持された基板Ｗは、基板Ｗの中心
周りに回転されるようになっている。なお、通常、スピ
ンチャック２は、図に示す処理位置と、処理チャンバ１
の上方の基板搬入出位置との間で昇降自在に構成され、
この昇降動作は、図示しないエアシリンダのロッドの伸
縮によって回転ブロック３を昇降させることで実現され
る。
【００２４】保持部材６は、基板Ｗの外周端部を下方か
ら載置支持する支持部６ａと、基板Ｗの外周端縁の位置
を規制する規制部６ｂとを備えている。そして、規制部
６ｂは、基板Ｗの外周端縁に接触して基板Ｗを保持する
作用状態と、基板Ｗの外周端縁から離れて基板Ｗの保持
を解除する非作用状態とを採り得るように構成されてい
る。なお、この保持部材６（規制部６ｂ）の動作は、例
えば、特開昭63-153839 号公報に開示されているリンク
機構などで実現することができる。
ら載置支持する支持部６ａと、基板Ｗの外周端縁の位置
を規制する規制部６ｂとを備えている。そして、規制部
６ｂは、基板Ｗの外周端縁に接触して基板Ｗを保持する
作用状態と、基板Ｗの外周端縁から離れて基板Ｗの保持
を解除する非作用状態とを採り得るように構成されてい
る。なお、この保持部材６（規制部６ｂ）の動作は、例
えば、特開昭63-153839 号公報に開示されているリンク
機構などで実現することができる。
【００２５】ベース部材５の中央部にはノズル７が設け
られている。ノズル７は、中空の回転軸４の中心軸に沿
って内設された管８や、管９を介して三方弁１０のコモ
ンポートＣＰに連通接続されている。三方弁１０の第１
の切り替えポートＰ１には、開閉弁１１を介装した管１
２を介して薬液供給部１３が連通接続されている。ま
た、三方弁１０の第２の切り替えポートＰ２には、開閉
弁１４を介装した管１５を介して洗浄液供給部１６が連
通接続されている。開閉弁１１、１４の開閉、および三
方弁１０の切り替えにより、ノズル７から基板Ｗの下面
の中心に向けて薬液と洗浄液（例えば、純水）とが切り
替え供給できるようになっている。
られている。ノズル７は、中空の回転軸４の中心軸に沿
って内設された管８や、管９を介して三方弁１０のコモ
ンポートＣＰに連通接続されている。三方弁１０の第１
の切り替えポートＰ１には、開閉弁１１を介装した管１
２を介して薬液供給部１３が連通接続されている。ま
た、三方弁１０の第２の切り替えポートＰ２には、開閉
弁１４を介装した管１５を介して洗浄液供給部１６が連
通接続されている。開閉弁１１、１４の開閉、および三
方弁１０の切り替えにより、ノズル７から基板Ｗの下面
の中心に向けて薬液と洗浄液（例えば、純水）とが切り
替え供給できるようになっている。
【００２６】また、ベース部材５の中央部にはノズル７
と同軸に開口１７が設けられている。この開口１７は、
管８と同軸に回転軸４内に設けられた中空部１８や、流
量調整弁１９を介装した管２０を介して不活性ガス供給
部２１に連通接続されている。流量調整弁１８を操作に
することにより、遮断部材としてのベース部材５と基板
Ｗの下面との間の空間Ｓ1 に導入される不活性ガス（例
えば、窒素ガス）の流量を調整できるようになってい
る。
と同軸に開口１７が設けられている。この開口１７は、
管８と同軸に回転軸４内に設けられた中空部１８や、流
量調整弁１９を介装した管２０を介して不活性ガス供給
部２１に連通接続されている。流量調整弁１８を操作に
することにより、遮断部材としてのベース部材５と基板
Ｗの下面との間の空間Ｓ1 に導入される不活性ガス（例
えば、窒素ガス）の流量を調整できるようになってい
る。
【００２７】スピンチャック２の上方には遮断部材２２
が近接して設けられている。この遮断部材２２は、鉛直
方向に配設された懸垂アーム２３の下端部に取り付け
ら、懸垂アーム２３は、水平方向に配設された支持アー
ム２４の先端部に回動自在に支持されている。支持アー
ム２４の先端部にはモーター２５が設けられ、モーター
２５を駆動することにより、懸垂アーム２３を介して遮
断部材２２が鉛直軸周りに回転されるようになってい
る。なお、スピンチャック２の回転軸４の回転軸芯と懸
垂アーム２３の回転軸芯とは一致されていて、遮断部材
としてのベース部材５、スピンチャック２に保持された
基板Ｗ、遮断部材２２は同軸周りに回転されるようにな
っている。また、モーター２５は、スピンチャック２と
同じ回転方向で、かつ略同じ回転速度で遮断部材２２を
回転させるように構成されている。
が近接して設けられている。この遮断部材２２は、鉛直
方向に配設された懸垂アーム２３の下端部に取り付け
ら、懸垂アーム２３は、水平方向に配設された支持アー
ム２４の先端部に回動自在に支持されている。支持アー
ム２４の先端部にはモーター２５が設けられ、モーター
２５を駆動することにより、懸垂アーム２３を介して遮
断部材２２が鉛直軸周りに回転されるようになってい
る。なお、スピンチャック２の回転軸４の回転軸芯と懸
垂アーム２３の回転軸芯とは一致されていて、遮断部材
としてのベース部材５、スピンチャック２に保持された
基板Ｗ、遮断部材２２は同軸周りに回転されるようにな
っている。また、モーター２５は、スピンチャック２と
同じ回転方向で、かつ略同じ回転速度で遮断部材２２を
回転させるように構成されている。
【００２８】支持アーム２４は、図示しない昇降機構
（例えば、エアシリンダのロッドの伸縮）により昇降さ
れるように構成されている。支持アーム２４が下降して
遮断部材２２がスピンチャック２に保持された基板Ｗの
上面に近接した状態で（図１の状態）、基板Ｗの上面と
遮断部材２２との間に空間Ｓ2 が形成されるようになっ
ている。すなわち、スピンチャック２に保持された基板
Ｗは、遮断部材としてのベース部材５と遮断部材２２と
の間に挟まれた状態となり、この状態で、後述する薬液
処理、洗浄処理、乾燥処理が行われる。
（例えば、エアシリンダのロッドの伸縮）により昇降さ
れるように構成されている。支持アーム２４が下降して
遮断部材２２がスピンチャック２に保持された基板Ｗの
上面に近接した状態で（図１の状態）、基板Ｗの上面と
遮断部材２２との間に空間Ｓ2 が形成されるようになっ
ている。すなわち、スピンチャック２に保持された基板
Ｗは、遮断部材としてのベース部材５と遮断部材２２と
の間に挟まれた状態となり、この状態で、後述する薬液
処理、洗浄処理、乾燥処理が行われる。
【００２９】遮断部材２２の中央部にはノズル２６が設
けられている。ノズル２６は、中空の懸垂アーム２３の
中心軸に沿って内設された管２７や、管２８を介して三
方弁２９のコモンポートＣＰに連通接続されている。三
方弁２９の第１の切り替えポートＰ１には、開閉弁３０
を介装した管３１を介して薬液供給部３２が連通接続さ
れている。また、三方弁２９の第２の切り替えポートＰ
２には、開閉弁３３を介装した管３４を介して洗浄液供
給部３５が連通接続されている。スピンチャック２に保
持された基板Ｗの上面に遮断部材２２が近接した状態
で、開閉弁３０、３３の開閉、および三方弁２９の切り
替えにより、ノズル２６から、基板Ｗの上面の中心に向
けて薬液と洗浄液（例えば、純水）とが切り替え供給で
きるようになっている。
けられている。ノズル２６は、中空の懸垂アーム２３の
中心軸に沿って内設された管２７や、管２８を介して三
方弁２９のコモンポートＣＰに連通接続されている。三
方弁２９の第１の切り替えポートＰ１には、開閉弁３０
を介装した管３１を介して薬液供給部３２が連通接続さ
れている。また、三方弁２９の第２の切り替えポートＰ
２には、開閉弁３３を介装した管３４を介して洗浄液供
給部３５が連通接続されている。スピンチャック２に保
持された基板Ｗの上面に遮断部材２２が近接した状態
で、開閉弁３０、３３の開閉、および三方弁２９の切り
替えにより、ノズル２６から、基板Ｗの上面の中心に向
けて薬液と洗浄液（例えば、純水）とが切り替え供給で
きるようになっている。
【００３０】また、遮断部材２２の中央部にはノズル２
６と同軸に開口３６が設けられている。この開口３６
は、管２７と同軸に懸垂アーム２３内に設けられた中空
部３７や、流量調整弁３８を介装した管３９を介して不
活性ガス供給部４０に連通接続されている。スピンチャ
ック２に保持された基板Ｗの上面に遮断部材２２が近接
された状態で、流量調整弁３８を操作することにより、
遮断部材２２と基板Ｗの上面との間の空間Ｓ2 に導入さ
れる不活性ガス（例えば、窒素ガス）の流量を調整でき
るようになっている。
６と同軸に開口３６が設けられている。この開口３６
は、管２７と同軸に懸垂アーム２３内に設けられた中空
部３７や、流量調整弁３８を介装した管３９を介して不
活性ガス供給部４０に連通接続されている。スピンチャ
ック２に保持された基板Ｗの上面に遮断部材２２が近接
された状態で、流量調整弁３８を操作することにより、
遮断部材２２と基板Ｗの上面との間の空間Ｓ2 に導入さ
れる不活性ガス（例えば、窒素ガス）の流量を調整でき
るようになっている。
【００３１】上述したスピンチャック２が配設されてい
る処理チャンバ１は、スピンチャック２の周囲に配設さ
れて薬液や洗浄液の飛散を防止するカップ４１を備え、
このカップ４１の底部に、カップ４１で回収された薬液
や洗浄液を装置外へ回収するとともに、カップ４１内の
排気を行うための排液・排気管４２が連通接続されてい
る。処理チャンバ１の上部からは清浄気体（例えば、清
浄空気、あるいは窒素ガス）のダウンフローＤＦが取り
込まれ、上述した空間Ｓ1 、Ｓ2 の周囲から流出する不
活性ガスを、処理チャンバ１に取り込んだダウンフロー
ＤＦとともに排液・排気管４２を介して装置外へ排出す
るようになっている。
る処理チャンバ１は、スピンチャック２の周囲に配設さ
れて薬液や洗浄液の飛散を防止するカップ４１を備え、
このカップ４１の底部に、カップ４１で回収された薬液
や洗浄液を装置外へ回収するとともに、カップ４１内の
排気を行うための排液・排気管４２が連通接続されてい
る。処理チャンバ１の上部からは清浄気体（例えば、清
浄空気、あるいは窒素ガス）のダウンフローＤＦが取り
込まれ、上述した空間Ｓ1 、Ｓ2 の周囲から流出する不
活性ガスを、処理チャンバ１に取り込んだダウンフロー
ＤＦとともに排液・排気管４２を介して装置外へ排出す
るようになっている。
【００３２】コンピュータ機器などで構成された制御部
４３は、ベース部材５や遮断部材２２の回転を制御する
とともに、三方弁１０、２９および開閉弁１１、１４、
３０、３３を操作して薬液や洗浄液をノズル７，２６へ
選択的に送液する。また、制御部４３は、流量調整弁１
９、３８を操作して、空間Ｓ1 、Ｓ2 への不活性ガスの
導入量を薬液処理、洗浄処理、および乾燥処理に応じて
変える。不活性ガスの導入量の変化パタンーは後述する
動作説明において詳しく説明する。
４３は、ベース部材５や遮断部材２２の回転を制御する
とともに、三方弁１０、２９および開閉弁１１、１４、
３０、３３を操作して薬液や洗浄液をノズル７，２６へ
選択的に送液する。また、制御部４３は、流量調整弁１
９、３８を操作して、空間Ｓ1 、Ｓ2 への不活性ガスの
導入量を薬液処理、洗浄処理、および乾燥処理に応じて
変える。不活性ガスの導入量の変化パタンーは後述する
動作説明において詳しく説明する。
【００３３】次に、上述した実施例装置の動作を、薬液
処理過程、洗浄処理過程、および乾燥処理過程の順に説
明する。 （Ａ）薬液処理過程 まず、遮断部材２２をスピンチャック２に保持された基
板Ｗの上面に近接させて基板Ｗをベース部材５と遮断部
材２２とで挟むことにより、基板Ｗの上下に空間Ｓ1 、
Ｓ2 を形成する。この状態で、回転ブロック３内のモー
ターを駆動してスピンチャック２と一体に基板Ｗを回転
させるとともに、モータ２５を駆動して遮断部材２２を
スピンチャック２と略同じ回転数で回転させる。開閉弁
１１を開放するとともに、三方弁１０を第１の切替えポ
ートＰ１側に切り換えて、薬液供給部１３からノズル７
へ薬液を送る。同様に、開放弁３０および三方弁２９を
操作して、薬液供給部３２からノズル２６へ薬液を送
る。ノズル７およびノズル２６のそれぞれから吐出され
た薬液は基板Ｗの下面および上面の中心に供給される。
処理過程、洗浄処理過程、および乾燥処理過程の順に説
明する。 （Ａ）薬液処理過程 まず、遮断部材２２をスピンチャック２に保持された基
板Ｗの上面に近接させて基板Ｗをベース部材５と遮断部
材２２とで挟むことにより、基板Ｗの上下に空間Ｓ1 、
Ｓ2 を形成する。この状態で、回転ブロック３内のモー
ターを駆動してスピンチャック２と一体に基板Ｗを回転
させるとともに、モータ２５を駆動して遮断部材２２を
スピンチャック２と略同じ回転数で回転させる。開閉弁
１１を開放するとともに、三方弁１０を第１の切替えポ
ートＰ１側に切り換えて、薬液供給部１３からノズル７
へ薬液を送る。同様に、開放弁３０および三方弁２９を
操作して、薬液供給部３２からノズル２６へ薬液を送
る。ノズル７およびノズル２６のそれぞれから吐出され
た薬液は基板Ｗの下面および上面の中心に供給される。
【００３４】薬液処理中、基板Ｗの上下面の中心に供給
される薬液は、基板Ｗの回転によって基板Ｗの上下面に
拡がり、基板Ｗの上下面全面に対する薬液処理が行われ
る。そして、薬液は基板Ｗの端縁から振り切られ、遮断
部材としてのベース部材５と遮断部材２２との隙間から
カップ４１方向に飛散していく。この薬液がカップ４１
で跳ね返ってきても、遮断部材としてのベース部材５お
よび遮断部材２２に遮断されるので、その跳ね返ってき
た薬液の液滴が基板Ｗに再付着するのが防止される。
される薬液は、基板Ｗの回転によって基板Ｗの上下面に
拡がり、基板Ｗの上下面全面に対する薬液処理が行われ
る。そして、薬液は基板Ｗの端縁から振り切られ、遮断
部材としてのベース部材５と遮断部材２２との隙間から
カップ４１方向に飛散していく。この薬液がカップ４１
で跳ね返ってきても、遮断部材としてのベース部材５お
よび遮断部材２２に遮断されるので、その跳ね返ってき
た薬液の液滴が基板Ｗに再付着するのが防止される。
【００３５】上述した薬液処理中、不活性ガス供給部２
１から所定流量の不活性ガス（例えば、窒素ガス）が管
２０および中空部１８を介して送られ、ベース部材５の
開口１７から基板Ｗの下側の空間Ｓ1 に導入される。同
様に、不活性ガス供給部４０から所定流量の不活性ガス
が送られて、遮断部材２２の開口３６から基板Ｗの上側
の空間Ｓ2 に導入される。空間Ｓ1 、Ｓ2 に導入された
不活性ガスは、空間Ｓ 1 、Ｓ2 の中心部から外側に向か
って放射状に流れて、空間Ｓ1 、Ｓ2 の周囲からカップ
４１内へ流出する。その結果、薬液処理中、基板Ｗを取
り囲む空間Ｓ1、Ｓ2 は不活性ガス雰囲気に維持され
る。また、薬液のミストがカップ４１内に浮遊していて
も、空間Ｓ1 、Ｓ2 から絶えず不活性ガスが流出してい
るので、薬液のミストがベース部材５と遮断部材２２と
の隙間から空間Ｓ1 、Ｓ2 に侵入して基板Ｗに再付着す
ることもない。
１から所定流量の不活性ガス（例えば、窒素ガス）が管
２０および中空部１８を介して送られ、ベース部材５の
開口１７から基板Ｗの下側の空間Ｓ1 に導入される。同
様に、不活性ガス供給部４０から所定流量の不活性ガス
が送られて、遮断部材２２の開口３６から基板Ｗの上側
の空間Ｓ2 に導入される。空間Ｓ1 、Ｓ2 に導入された
不活性ガスは、空間Ｓ 1 、Ｓ2 の中心部から外側に向か
って放射状に流れて、空間Ｓ1 、Ｓ2 の周囲からカップ
４１内へ流出する。その結果、薬液処理中、基板Ｗを取
り囲む空間Ｓ1、Ｓ2 は不活性ガス雰囲気に維持され
る。また、薬液のミストがカップ４１内に浮遊していて
も、空間Ｓ1 、Ｓ2 から絶えず不活性ガスが流出してい
るので、薬液のミストがベース部材５と遮断部材２２と
の隙間から空間Ｓ1 、Ｓ2 に侵入して基板Ｗに再付着す
ることもない。
【００３６】なお、カップ４１から跳ね返った液滴やカ
ップ４１内に浮遊しているミストが、ベース部材５と遮
断部材２２との隙間から、空間Ｓ1 、Ｓ2 へ侵入するの
を効果的に防止する上で、ベース部材５と基板Ｗの下面
との間隔および遮断部材２２と基板Ｗの上面との間隔を
それぞれ１０mm以下に設定するのが好ましい。
ップ４１内に浮遊しているミストが、ベース部材５と遮
断部材２２との隙間から、空間Ｓ1 、Ｓ2 へ侵入するの
を効果的に防止する上で、ベース部材５と基板Ｗの下面
との間隔および遮断部材２２と基板Ｗの上面との間隔を
それぞれ１０mm以下に設定するのが好ましい。
【００３７】（Ｂ）洗浄処理過程 上述した薬液処理を所定時間行った後、基板Ｗの回転を
継続しつつ、ノズル７、２６から供給される処理液を薬
液から、純水などの洗浄液に切り替える。具体的には、
ノズル７から供給される処理液を薬液から洗浄液に切り
替える場合は、開閉弁１１を閉状態に、開閉弁１４を開
状態にするとともに、三方弁１０を第２の切り替えポー
トＰ２側に切り換える。同様に、開閉弁３０、３３およ
び三方弁２９が操作されることにより、ノズル２６から
供給される処理液が薬液から洗浄液に切り替えられる。
継続しつつ、ノズル７、２６から供給される処理液を薬
液から、純水などの洗浄液に切り替える。具体的には、
ノズル７から供給される処理液を薬液から洗浄液に切り
替える場合は、開閉弁１１を閉状態に、開閉弁１４を開
状態にするとともに、三方弁１０を第２の切り替えポー
トＰ２側に切り換える。同様に、開閉弁３０、３３およ
び三方弁２９が操作されることにより、ノズル２６から
供給される処理液が薬液から洗浄液に切り替えられる。
【００３８】薬液処理から洗浄処理に切り替えた当初
は、空間Ｓ1 、Ｓ2 内に薬液が残留しているが、その残
留薬液は次第に洗浄液に置換される。すなわち、残留薬
液は、基板Ｗの回転とともに基板Ｗの上下面を拡がり基
板Ｗの端縁から振り切られる洗浄液とともに、空間
Ｓ1 、Ｓ2 の外に排出されていく。この洗浄処理の間
も、上述した薬液処理の場合と同様に、空間Ｓ1 、Ｓ2
内に不活性ガスが導入され、先の薬液処理過程で空間Ｓ
1 、Ｓ2 に残留している可能性のある薬液雰囲気を不活
性ガスで完全に置換して、空間Ｓ1 、Ｓ2 を不活性ガス
雰囲気に維持する。その結果、上記薬液処理過程の場合
と同様に、カップ４１で跳ね返った洗浄液の液滴やカッ
プ４１内に浮遊している洗浄液のミストが基板Ｗに再付
着するのを防止することができる。
は、空間Ｓ1 、Ｓ2 内に薬液が残留しているが、その残
留薬液は次第に洗浄液に置換される。すなわち、残留薬
液は、基板Ｗの回転とともに基板Ｗの上下面を拡がり基
板Ｗの端縁から振り切られる洗浄液とともに、空間
Ｓ1 、Ｓ2 の外に排出されていく。この洗浄処理の間
も、上述した薬液処理の場合と同様に、空間Ｓ1 、Ｓ2
内に不活性ガスが導入され、先の薬液処理過程で空間Ｓ
1 、Ｓ2 に残留している可能性のある薬液雰囲気を不活
性ガスで完全に置換して、空間Ｓ1 、Ｓ2 を不活性ガス
雰囲気に維持する。その結果、上記薬液処理過程の場合
と同様に、カップ４１で跳ね返った洗浄液の液滴やカッ
プ４１内に浮遊している洗浄液のミストが基板Ｗに再付
着するのを防止することができる。
【００３９】（Ｃ）乾燥処理過程 上述した洗浄処理を所定時間行った後、開閉弁１１、１
４および開閉弁３０、３３を閉状態にして、ノズル７、
２６からの洗浄液の供給を停止する。そして、空間
Ｓ1 、Ｓ2 に所定流量の不活性ガスを導入しながら、基
板Ｗを高速回転させることにより、基板Ｗに付着してい
る洗浄液を振り切って、基板Ｗを乾燥させる。このとき
カップ４１内に薬液や洗浄液のミストが浮遊していて
も、ベース部材４や遮断部材２１により遮断されて、乾
燥処理中の基板Ｗに再付着するのが防止でき、薬液や洗
浄液のミスト（外部雰囲気）による影響を受けずに乾燥
処理を行うことができる。また、ベース部材５などに付
着していた薬液は洗浄過程で洗い流されており、さらに
空間Ｓ1 、Ｓ2 内は不活性ガスによって完全に置換され
ているので、空間Ｓ1 、Ｓ2 内に残留した薬液雰囲気に
よって基板Ｗが汚染されることもない。
４および開閉弁３０、３３を閉状態にして、ノズル７、
２６からの洗浄液の供給を停止する。そして、空間
Ｓ1 、Ｓ2 に所定流量の不活性ガスを導入しながら、基
板Ｗを高速回転させることにより、基板Ｗに付着してい
る洗浄液を振り切って、基板Ｗを乾燥させる。このとき
カップ４１内に薬液や洗浄液のミストが浮遊していて
も、ベース部材４や遮断部材２１により遮断されて、乾
燥処理中の基板Ｗに再付着するのが防止でき、薬液や洗
浄液のミスト（外部雰囲気）による影響を受けずに乾燥
処理を行うことができる。また、ベース部材５などに付
着していた薬液は洗浄過程で洗い流されており、さらに
空間Ｓ1 、Ｓ2 内は不活性ガスによって完全に置換され
ているので、空間Ｓ1 、Ｓ2 内に残留した薬液雰囲気に
よって基板Ｗが汚染されることもない。
【００４０】乾燥処理を所定時間行うと、スピンチャッ
ク２の回転を停止させて乾燥処理を終了する。続いて、
支持アーム２４を上昇させて遮断部材２２を退避させた
後、スピンチャック２を所定高さまで上昇させ、図示し
ない搬送ロボットによって処理済みの基板Ｗを搬出す
る。なお、上述した薬液処理過程、洗浄処理過程、乾燥
処理過程の間、処理チャンバ１の上方から処理チャンバ
１内に清浄気体のダウンフローＤＦが取り込まれ、空間
Ｓ1 、Ｓ2 の周囲から流出した不活性ガスが清浄気体の
ダウンフローＤＦとともに排液・排気管４２から装置外
へ排出されているので、処理チャンバ１内は常に清浄な
雰囲気に維持されている。したがって、処理済みの基板
Ｗが搬出される際に処理チャンバ１内の雰囲気で基板Ｗ
が汚染されることもない。
ク２の回転を停止させて乾燥処理を終了する。続いて、
支持アーム２４を上昇させて遮断部材２２を退避させた
後、スピンチャック２を所定高さまで上昇させ、図示し
ない搬送ロボットによって処理済みの基板Ｗを搬出す
る。なお、上述した薬液処理過程、洗浄処理過程、乾燥
処理過程の間、処理チャンバ１の上方から処理チャンバ
１内に清浄気体のダウンフローＤＦが取り込まれ、空間
Ｓ1 、Ｓ2 の周囲から流出した不活性ガスが清浄気体の
ダウンフローＤＦとともに排液・排気管４２から装置外
へ排出されているので、処理チャンバ１内は常に清浄な
雰囲気に維持されている。したがって、処理済みの基板
Ｗが搬出される際に処理チャンバ１内の雰囲気で基板Ｗ
が汚染されることもない。
【００４１】以上の説明から明らかなように、本実施例
装置によれば、薬液処理過程、洗浄処理過程、および乾
燥処理過程の間、遮断部材としてのベース部材５と遮断
部材２２とを基板Ｗにそれぞれ近接させて基板Ｗの上下
に空間Ｓ1 、Ｓ2 を形成し、この空間Ｓ1 、Ｓ2 に不活
性ガスを導入しながら各処理を行っているので、薬液や
洗浄液のミストが基板Ｗに再付着して基板Ｗを汚染する
ことがない。したがって、本実施例装置は、薬液処理、
洗浄処理、および乾燥処理を含む一連の処理を同一の処
理チャンバ内で好適に実施することができる。
装置によれば、薬液処理過程、洗浄処理過程、および乾
燥処理過程の間、遮断部材としてのベース部材５と遮断
部材２２とを基板Ｗにそれぞれ近接させて基板Ｗの上下
に空間Ｓ1 、Ｓ2 を形成し、この空間Ｓ1 、Ｓ2 に不活
性ガスを導入しながら各処理を行っているので、薬液や
洗浄液のミストが基板Ｗに再付着して基板Ｗを汚染する
ことがない。したがって、本実施例装置は、薬液処理、
洗浄処理、および乾燥処理を含む一連の処理を同一の処
理チャンバ内で好適に実施することができる。
【００４２】特に、従来装置のように清浄気体のダウン
フローだけで基板の周囲の雰囲気を置換した場合、基板
Ｗの下方にダウンフローが流れ込みにくいので、基板Ｗ
の下方に残った薬液雰囲気によって基板Ｗが汚染されや
すいが、本実施例装置によれば、基板Ｗの下方の空間Ｓ
1 も清浄に維持されるので、従来装置のような不都合を
生じることもない。
フローだけで基板の周囲の雰囲気を置換した場合、基板
Ｗの下方にダウンフローが流れ込みにくいので、基板Ｗ
の下方に残った薬液雰囲気によって基板Ｗが汚染されや
すいが、本実施例装置によれば、基板Ｗの下方の空間Ｓ
1 も清浄に維持されるので、従来装置のような不都合を
生じることもない。
【００４３】また、空間Ｓ1 、Ｓ2 は空間的に限られた
狭いものであるので、比較的に少量の不活性ガスでもっ
て空間Ｓ1 、Ｓ2 を置換することができる。さらに、空
間Ｓ 1 、Ｓ2 の中心部から不活性ガスを導入した場合に
は、空間Ｓ1 、Ｓ2 の中心部から外側に向かって不活性
ガスが放射状に円滑に流通し、しかも、この狭い空間Ｓ
1 、Ｓ2 を流通する不活性ガスの流速は比較的に速くな
るので、空間Ｓ1 、Ｓ 2 を迅速かつ効果的に置換するこ
ともできる。
狭いものであるので、比較的に少量の不活性ガスでもっ
て空間Ｓ1 、Ｓ2 を置換することができる。さらに、空
間Ｓ 1 、Ｓ2 の中心部から不活性ガスを導入した場合に
は、空間Ｓ1 、Ｓ2 の中心部から外側に向かって不活性
ガスが放射状に円滑に流通し、しかも、この狭い空間Ｓ
1 、Ｓ2 を流通する不活性ガスの流速は比較的に速くな
るので、空間Ｓ1 、Ｓ 2 を迅速かつ効果的に置換するこ
ともできる。
【００４４】さらに、薬液が例えばフッ化水素酸の場
合、酸素が含まれる空気雰囲気で薬液処理を行えば基板
Ｗの表面に自然酸化膜が形成されるが、遮断部材２２と
基板Ｗの上面（表面）との間の空間（空間Ｓ2 ）を不活
性ガス雰囲気にパージすれば、基板Ｗの表面に自然酸化
膜が形成されるのを抑制できる。また、空間Ｓ2 を不活
性ガス雰囲気にパージして、洗浄処理、乾燥処理を行え
ば、基板Ｗの表面にウォーターマークが形成されるのが
抑制できる。自然酸化膜や、ウォーターマークは、基板
Ｗの表面側に成長、形成されるので、そのような不都合
を回避するには、遮断部材２２と基板Ｗの表面との間の
空間のみを不活性ガス雰囲気にパージすればよい。ま
た、不活性ガスを導入しながら不活性ガス雰囲気で乾燥
処理を行えば、乾燥時間の短縮を図ることができる。従
って、乾燥時間の短縮を図るためには、空間Ｓ1 、Ｓ2
の両方に不活性ガスを導入することで、基板Ｗの上下面
の乾燥時間を短縮することができる。
合、酸素が含まれる空気雰囲気で薬液処理を行えば基板
Ｗの表面に自然酸化膜が形成されるが、遮断部材２２と
基板Ｗの上面（表面）との間の空間（空間Ｓ2 ）を不活
性ガス雰囲気にパージすれば、基板Ｗの表面に自然酸化
膜が形成されるのを抑制できる。また、空間Ｓ2 を不活
性ガス雰囲気にパージして、洗浄処理、乾燥処理を行え
ば、基板Ｗの表面にウォーターマークが形成されるのが
抑制できる。自然酸化膜や、ウォーターマークは、基板
Ｗの表面側に成長、形成されるので、そのような不都合
を回避するには、遮断部材２２と基板Ｗの表面との間の
空間のみを不活性ガス雰囲気にパージすればよい。ま
た、不活性ガスを導入しながら不活性ガス雰囲気で乾燥
処理を行えば、乾燥時間の短縮を図ることができる。従
って、乾燥時間の短縮を図るためには、空間Ｓ1 、Ｓ2
の両方に不活性ガスを導入することで、基板Ｗの上下面
の乾燥時間を短縮することができる。
【００４５】次に、薬液処理から乾燥処理までの各処理
過程で、空間Ｓ1 、Ｓ2 に導入する不活性ガスの流量の
制御例を図３を参照して説明する。図３の（ａ）〜
（ｄ）は薬液処理、洗浄処理、乾燥処理がその順に実行
される処理過程において、上述した基板処理装置の空間
Ｓ1 、Ｓ2 に導入される不活性ガス（例えば、窒素ガ
ス）の流量の変化を示している。不活性ガスの流量は、
図１に示した制御部４３が、予め決められたプログラム
に従って流量調整弁１９、３８を操作することにより調
整される。
過程で、空間Ｓ1 、Ｓ2 に導入する不活性ガスの流量の
制御例を図３を参照して説明する。図３の（ａ）〜
（ｄ）は薬液処理、洗浄処理、乾燥処理がその順に実行
される処理過程において、上述した基板処理装置の空間
Ｓ1 、Ｓ2 に導入される不活性ガス（例えば、窒素ガ
ス）の流量の変化を示している。不活性ガスの流量は、
図１に示した制御部４３が、予め決められたプログラム
に従って流量調整弁１９、３８を操作することにより調
整される。
【００４６】図３の（ａ）は、薬液処理過程から乾燥処
理過程にかけて空間Ｓ1 、Ｓ2 に導入する不活性ガスの
流量を一律に高めに設定（例えば、１００リットル／
分）したものである。図３の（ｂ）から（ｄ）は、本実
施例の特徴的な流量制御例であり、薬液処理過程を含む
前半の過程では不活性ガスの流量を比較的に低く設定し
（例えば、１０リットル／分）、薬液や洗浄液のミスト
の影響を最も受けやすい乾燥処理過程を含む後半の過程
では不活性ガスの流量を高く設定してある。すなわち、
図３の（ｂ）のものは薬液処理過程では不活性ガスの流
量を低く設定し、洗浄処理過程以降では流量を高く設定
してある。また、図３の（ｃ）のものは洗浄処理過程の
途中までは不活性ガスの流量を低く設定し、それ以降で
は流量を高く設定してある。また、図３の（ｄ）のもの
は薬液処理過程から洗浄処理過程が終わるまでは不活性
ガスの流量を低く設定し、乾燥処理過程に入ると同時に
流量を高く設定してある。図３の（ｂ）〜（ｄ）のいず
れの制御例を採用するかは、使用する薬液が薬液雰囲気
として残留しやすいか否かなどに応じて決定される。図
３の（ｂ）〜（ｄ）の例によれば、薬液処理過程を含む
前半の過程で空間Ｓ1、Ｓ2 に導入する不活性ガスの流
量を少なくしているので、不活性ガスの消費量を一層少
なくすることができる。
理過程にかけて空間Ｓ1 、Ｓ2 に導入する不活性ガスの
流量を一律に高めに設定（例えば、１００リットル／
分）したものである。図３の（ｂ）から（ｄ）は、本実
施例の特徴的な流量制御例であり、薬液処理過程を含む
前半の過程では不活性ガスの流量を比較的に低く設定し
（例えば、１０リットル／分）、薬液や洗浄液のミスト
の影響を最も受けやすい乾燥処理過程を含む後半の過程
では不活性ガスの流量を高く設定してある。すなわち、
図３の（ｂ）のものは薬液処理過程では不活性ガスの流
量を低く設定し、洗浄処理過程以降では流量を高く設定
してある。また、図３の（ｃ）のものは洗浄処理過程の
途中までは不活性ガスの流量を低く設定し、それ以降で
は流量を高く設定してある。また、図３の（ｄ）のもの
は薬液処理過程から洗浄処理過程が終わるまでは不活性
ガスの流量を低く設定し、乾燥処理過程に入ると同時に
流量を高く設定してある。図３の（ｂ）〜（ｄ）のいず
れの制御例を採用するかは、使用する薬液が薬液雰囲気
として残留しやすいか否かなどに応じて決定される。図
３の（ｂ）〜（ｄ）の例によれば、薬液処理過程を含む
前半の過程で空間Ｓ1、Ｓ2 に導入する不活性ガスの流
量を少なくしているので、不活性ガスの消費量を一層少
なくすることができる。
【００４７】図１に示した例では、ノルズ７、２６に薬
液を供給する系統は、それぞれ１系統（薬液供給部１３
と薬液供給部３２）であったが、各ノルズ７、２６に複
数種類の薬液系統をそれぞれ接続して、一連の処理過程
の中で異なる種類の薬液処理を行えるようにすることも
可能である。図３の（ｅ）は、このような複数種類の薬
液系統が接続された基板処理装置における不活性ガスの
流量制御例である。すなわち、この例の場合、薬液処理
Ａ、洗浄処理、薬液処理Ｂ、洗浄処理、および乾燥処理
からなる一連の処理過程が同一の処理チャンバ１内で連
続的に行われる。この例の場合、薬液処理過程Ａおよび
薬液処理過程Ｂで、不活性ガスの流量を低く設定するこ
とにより、不活性ガスの消費量を抑えている。
液を供給する系統は、それぞれ１系統（薬液供給部１３
と薬液供給部３２）であったが、各ノルズ７、２６に複
数種類の薬液系統をそれぞれ接続して、一連の処理過程
の中で異なる種類の薬液処理を行えるようにすることも
可能である。図３の（ｅ）は、このような複数種類の薬
液系統が接続された基板処理装置における不活性ガスの
流量制御例である。すなわち、この例の場合、薬液処理
Ａ、洗浄処理、薬液処理Ｂ、洗浄処理、および乾燥処理
からなる一連の処理過程が同一の処理チャンバ１内で連
続的に行われる。この例の場合、薬液処理過程Ａおよび
薬液処理過程Ｂで、不活性ガスの流量を低く設定するこ
とにより、不活性ガスの消費量を抑えている。
【００４８】なお、本発明は上述した実施例に限らず、
次のように変形実施することができる。 （１）上記の実施例では、遮断部材２２をスピンチャッ
ク２と同じ速度で回転させて一連の処理を行った。遮断
部材２２、基板Ｗ、およびベース部材５の速度差を無く
すと、空間Ｓ1 、Ｓ2 への薬液や洗浄液のミストの侵入
を一層軽減できるからである。しかし、本発明におい
て、遮断部材２２は必ずしも回転させる必要はない。空
間Ｓ1 、Ｓ2 への不活性ガスの導入量を適切に設定する
ことにより、遮断部材２２を静止させた状態で一連の処
理を行っても、薬液や洗浄液のミストが基板Ｗに付着す
るのを有効に防止することができる。
次のように変形実施することができる。 （１）上記の実施例では、遮断部材２２をスピンチャッ
ク２と同じ速度で回転させて一連の処理を行った。遮断
部材２２、基板Ｗ、およびベース部材５の速度差を無く
すと、空間Ｓ1 、Ｓ2 への薬液や洗浄液のミストの侵入
を一層軽減できるからである。しかし、本発明におい
て、遮断部材２２は必ずしも回転させる必要はない。空
間Ｓ1 、Ｓ2 への不活性ガスの導入量を適切に設定する
ことにより、遮断部材２２を静止させた状態で一連の処
理を行っても、薬液や洗浄液のミストが基板Ｗに付着す
るのを有効に防止することができる。
【００４９】（２）また、図４に示すように、基板Ｗに
薬液を供給する薬液供給位置と、例えば、カップ４１の
外側の退避位置との間で変位可能に構成された薬液供給
用のノズル５０を別に備えてもよい。この例によれば、
遮断部材２２を基板Ｗの表面から離してノズル５０を薬
液供給位置（例えば、図の実線で示す位置）に位置さ
せ、このノズル５０から薬液を基板Ｗの表面に供給（基
板Ｗの裏面にはノズル７から薬液を供給）するように動
作させてもよい。また、このノズル５０を、薬液に超音
波を付加して基板Ｗに供給する超音波ノズルで構成すれ
ば、基板Ｗの表面に対する薬液処理を精度良く行うこと
ができる。このような薬液処理の間、基板Ｗの下側の空
間Ｓ1 に不活性ガスを導入して、基板Ｗの下方の雰囲気
を置換する。薬液処理が終了すると、ノズル５０を退避
位置に変位させ、遮断部材２２を基板Ｗの表面に近接配
置させ、ベース部材５と遮断部材２２との間に基板Ｗが
挟まれた状態で、空間Ｓ1 、Ｓ2 に不活性ガスを導入し
ながら、以後の洗浄処理、乾燥処理が行われる。なお、
図４において、上記実施例と共通する部分は、図１と同
一符号を付している。
薬液を供給する薬液供給位置と、例えば、カップ４１の
外側の退避位置との間で変位可能に構成された薬液供給
用のノズル５０を別に備えてもよい。この例によれば、
遮断部材２２を基板Ｗの表面から離してノズル５０を薬
液供給位置（例えば、図の実線で示す位置）に位置さ
せ、このノズル５０から薬液を基板Ｗの表面に供給（基
板Ｗの裏面にはノズル７から薬液を供給）するように動
作させてもよい。また、このノズル５０を、薬液に超音
波を付加して基板Ｗに供給する超音波ノズルで構成すれ
ば、基板Ｗの表面に対する薬液処理を精度良く行うこと
ができる。このような薬液処理の間、基板Ｗの下側の空
間Ｓ1 に不活性ガスを導入して、基板Ｗの下方の雰囲気
を置換する。薬液処理が終了すると、ノズル５０を退避
位置に変位させ、遮断部材２２を基板Ｗの表面に近接配
置させ、ベース部材５と遮断部材２２との間に基板Ｗが
挟まれた状態で、空間Ｓ1 、Ｓ2 に不活性ガスを導入し
ながら、以後の洗浄処理、乾燥処理が行われる。なお、
図４において、上記実施例と共通する部分は、図１と同
一符号を付している。
【００５０】（３）図５に示した変形例は、図１に示し
たスピンチャック２と遮断部材２２とを上下逆に配置し
たような構成を備えている。すなわち、垂設されたスピ
ンチャック６０に基板Ｗを保持して薬液処理や洗浄処
理、乾燥処理を行うように構成されている。スピンチャ
ック６０の保持部材６１は、図５の矢印で示す方向に揺
動され、基板Ｗの保持とその解除を行うように構成され
ている。その他、図５の構成において、上記実施例と共
通する部分については、図１と同一符号を付している。
この構成の装置の場合は、通常、基板Ｗの表面は図の上
面側になるが、基板Ｗの表面が図の下面側になる場合に
は、例えば、図４と同様の薬液供給用の（超音波）ノズ
ル５０を備え、遮断部材２２を下面側の基板Ｗの表面か
ら離して、基板Ｗの表面にノズル５０から薬液を供給し
て薬液処理するようにしてもよい。また、この図５の構
成においても、薬液処理、洗浄処理、および乾燥処理の
間、基板Ｗの上下の空間Ｓ1 、Ｓ2 に不活性ガスを導入
して雰囲気を置換する。
たスピンチャック２と遮断部材２２とを上下逆に配置し
たような構成を備えている。すなわち、垂設されたスピ
ンチャック６０に基板Ｗを保持して薬液処理や洗浄処
理、乾燥処理を行うように構成されている。スピンチャ
ック６０の保持部材６１は、図５の矢印で示す方向に揺
動され、基板Ｗの保持とその解除を行うように構成され
ている。その他、図５の構成において、上記実施例と共
通する部分については、図１と同一符号を付している。
この構成の装置の場合は、通常、基板Ｗの表面は図の上
面側になるが、基板Ｗの表面が図の下面側になる場合に
は、例えば、図４と同様の薬液供給用の（超音波）ノズ
ル５０を備え、遮断部材２２を下面側の基板Ｗの表面か
ら離して、基板Ｗの表面にノズル５０から薬液を供給し
て薬液処理するようにしてもよい。また、この図５の構
成においても、薬液処理、洗浄処理、および乾燥処理の
間、基板Ｗの上下の空間Ｓ1 、Ｓ2 に不活性ガスを導入
して雰囲気を置換する。
【００５１】（４）上記の各実施例では、スピンチャッ
ク２、６０のベース部材５に遮断部材としての機能を持
たせるように構成したが、基板保持機構を備えた例えば
放射状の板部材でスピンチャックを構成し、このスピン
チャックの下面に円板形の遮断部材を近接配置するよう
に構成してもよい。
ク２、６０のベース部材５に遮断部材としての機能を持
たせるように構成したが、基板保持機構を備えた例えば
放射状の板部材でスピンチャックを構成し、このスピン
チャックの下面に円板形の遮断部材を近接配置するよう
に構成してもよい。
【００５２】（５）例えば図１に示した実施例におい
て、スピンチャック２に基板Ｗが保持されていない状態
で、ベース部材５と遮断部材２２とを対向配置させ、ス
ピンチャック２（遮断部材としてのベース部材５）と、
遮断部材２２とを回転させ、ノズル７、２６から互いに
対向する面に向けて洗浄液を供給することで、互いに対
向する面（スピンチャック２に基板Ｗが保持された状態
で、基板Ｗの上下面に近接して対向される面）を洗浄
し、スピンチャック２、遮断部材２２の回転を継続させ
て洗浄液の供給を停止させて乾燥させることで、ベース
部材５、遮断部材２２の洗浄・乾燥を行うように動作さ
せてもよい。このようにベース部材５、遮断部材２２の
洗浄・乾燥を行えば、基板Ｗの上下面に近接して対向さ
れる面が常に清浄な状態で薬液処理や洗浄処理、乾燥処
理を行うことができる。さらに、図１のベース部材５の
下面側や遮断部材２２の上面側に洗浄液を供給するノズ
ルを設け、ベース部材５の下面側や遮断部材２２の上面
側の洗浄・乾燥も行うようにしてもよい。また、このよ
うに、遮断部材の洗浄・乾燥を行うことは、図４および
図５に示した装置についても同様に実施してもよい。
て、スピンチャック２に基板Ｗが保持されていない状態
で、ベース部材５と遮断部材２２とを対向配置させ、ス
ピンチャック２（遮断部材としてのベース部材５）と、
遮断部材２２とを回転させ、ノズル７、２６から互いに
対向する面に向けて洗浄液を供給することで、互いに対
向する面（スピンチャック２に基板Ｗが保持された状態
で、基板Ｗの上下面に近接して対向される面）を洗浄
し、スピンチャック２、遮断部材２２の回転を継続させ
て洗浄液の供給を停止させて乾燥させることで、ベース
部材５、遮断部材２２の洗浄・乾燥を行うように動作さ
せてもよい。このようにベース部材５、遮断部材２２の
洗浄・乾燥を行えば、基板Ｗの上下面に近接して対向さ
れる面が常に清浄な状態で薬液処理や洗浄処理、乾燥処
理を行うことができる。さらに、図１のベース部材５の
下面側や遮断部材２２の上面側に洗浄液を供給するノズ
ルを設け、ベース部材５の下面側や遮断部材２２の上面
側の洗浄・乾燥も行うようにしてもよい。また、このよ
うに、遮断部材の洗浄・乾燥を行うことは、図４および
図５に示した装置についても同様に実施してもよい。
【００５３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば次の効果を奏する。請求項１に記載の発明方法
によれば、薬液処理過程、洗浄処理過程、および乾燥処
理過程を含む一連の処理過程において、基板の上面およ
び下面の少なくとも一方の面に遮断部位を近接すること
よって形成された、基板と遮断部材との間の空間に不活
性ガスを導入しているので、薬液や洗浄液のミストが基
板に付着して基板を汚染することがない。また、不活性
ガスが導入される空間は狭い空間であるので、この空間
を清浄に維持するための不活性ガスの消費量を少なくす
ることができる。
によれば次の効果を奏する。請求項１に記載の発明方法
によれば、薬液処理過程、洗浄処理過程、および乾燥処
理過程を含む一連の処理過程において、基板の上面およ
び下面の少なくとも一方の面に遮断部位を近接すること
よって形成された、基板と遮断部材との間の空間に不活
性ガスを導入しているので、薬液や洗浄液のミストが基
板に付着して基板を汚染することがない。また、不活性
ガスが導入される空間は狭い空間であるので、この空間
を清浄に維持するための不活性ガスの消費量を少なくす
ることができる。
【００５４】請求項２に記載の発明方法によれば、基板
の上面および下面のそれぞれに遮断部材を近接して形成
した基板の上下の空間に不活性ガスをそれぞれ導入して
一連の処理を行っているので、基板の上下の雰囲気を比
較的に少ない不活性ガスの消費量で清浄に維持すること
ができる。
の上面および下面のそれぞれに遮断部材を近接して形成
した基板の上下の空間に不活性ガスをそれぞれ導入して
一連の処理を行っているので、基板の上下の雰囲気を比
較的に少ない不活性ガスの消費量で清浄に維持すること
ができる。
【００５５】請求項３に記載の発明方法によれば、空間
から処理チャンバ内へ流出した不活性ガスを、処理チャ
ンバの上方から取り込んだ清浄気体のダウンフローとと
もに処理チャンバの下方から排気するので、処理チャン
バ内の雰囲気を清浄に維持することができる。
から処理チャンバ内へ流出した不活性ガスを、処理チャ
ンバの上方から取り込んだ清浄気体のダウンフローとと
もに処理チャンバの下方から排気するので、処理チャン
バ内の雰囲気を清浄に維持することができる。
【００５６】請求項４〜請求項６に記載の発明方法によ
れば、薬液処理過程を含む前半の過程では、空間への不
活性ガスの導入量を比較的に少なくし、薬液や洗浄液の
ミストの影響が大きい乾燥処理過程を含む後半の過程で
は、空間への不活性ガスの導入量を比較的に多くしてい
るので、空間を清浄に維持するために必要な不活性ガス
の消費量を一層少なくすることができる。特に、請求項
４では、洗浄処理過程以降の過程、すなわち早い段階で
不活性ガスの導入量を多くしているので、ミストとして
滞留しやすい薬液を使って処理する場合に好適である。
また、請求項５では、乾燥処理過程に入ってから不活性
ガスの導入量を多くしているので、ミストとして滞留し
にくい薬液を使って処理する場合に、不活性ガスの消費
量をより一層少なくすることができる。
れば、薬液処理過程を含む前半の過程では、空間への不
活性ガスの導入量を比較的に少なくし、薬液や洗浄液の
ミストの影響が大きい乾燥処理過程を含む後半の過程で
は、空間への不活性ガスの導入量を比較的に多くしてい
るので、空間を清浄に維持するために必要な不活性ガス
の消費量を一層少なくすることができる。特に、請求項
４では、洗浄処理過程以降の過程、すなわち早い段階で
不活性ガスの導入量を多くしているので、ミストとして
滞留しやすい薬液を使って処理する場合に好適である。
また、請求項５では、乾燥処理過程に入ってから不活性
ガスの導入量を多くしているので、ミストとして滞留し
にくい薬液を使って処理する場合に、不活性ガスの消費
量をより一層少なくすることができる。
【００５７】請求項７に記載の発明装置によれば、請求
項１に記載の発明方法を好適に実施することができると
ともに、制御手段が薬液処理、洗浄処理、および乾燥処
理の各処理に応じて、空間内に導入される不活性ガスの
導入量を制御するので、空間の清浄性を効率よく維持す
ることができる。
項１に記載の発明方法を好適に実施することができると
ともに、制御手段が薬液処理、洗浄処理、および乾燥処
理の各処理に応じて、空間内に導入される不活性ガスの
導入量を制御するので、空間の清浄性を効率よく維持す
ることができる。
【００５８】請求項８に記載の発明装置によれば、請求
項２の発明方法を好適に実施することができる。
項２の発明方法を好適に実施することができる。
【図１】本発明の一実施例に係る基板処理装置全体の概
略構成を示す縦断面図である。
略構成を示す縦断面図である。
【図２】遮断部材およびスピンチャックの概略構成を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図３】各処理過程における不活性ガスの導入量の変化
を示す図である。
を示す図である。
【図４】別実施例の要部の概略構成を示す縦断面図であ
る。
る。
【図５】さらに別実施例の要部の概略構成を示す縦断面
図である。
図である。
１…処理チャンバ ２、６０…スピンチャック ５…ベース部材 ６…保持部材 ７、２６…ノズル １３、３２…薬液供給部 １６、３５…洗浄液供給部 １９、３８…流量調整弁 ２１、４０…不活性ガス供給部 ２２…遮断部材 ４３…制御部 Ｗ…基板 Ｓ1 、Ｓ2 …空間
Claims (8)
- 【請求項１】 薬液処理、洗浄処理、および乾燥処理を
含み、基板単位で行われる一連の処理を、同一の処理チ
ャンバ内で連続的に行う基板処理方法であって、 前記処理チャンバ内で基板の上面および下面の少なくと
も一方の面に遮断部材を近接して、基板と前記遮断部材
との間に空間を形成し、この状態で以下の各過程、すな
わち、 基板を回転させながら基板に薬液を供給して基板に薬液
処理を行う薬液処理過程と、 前記薬液処理された基板を回転させながら基板に洗浄液
を供給して基板に洗浄処理を行う洗浄処理過程と、 前記洗浄処理された基板を回転させることによって基板
から洗浄液を振り切って基板を乾燥させる乾燥処理過程
とを行い、 かつ、前記薬液処理過程から前記乾燥処理過程までの各
過程において、前記空間内に不活性ガスを導入しなが
ら、各々の処理を行うことを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理方法におい
て、 前記処理チャンバ内で基板の上面および下面のそれぞれ
に遮断部材を近接して、基板の上面側および下面側にそ
れぞれ空間を形成する基板処理方法。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の基板処理方法
において、 前記遮断部材の中央部から前記空間内に不活性ガスを導
入するとともに、前記処理チャンバの上方から清浄気体
のダウンフローを処理チャンバ内に取り込み、前記空間
の周囲から流出する不活性ガスを、前記処理チャンバ内
に取り込んだ清浄気体のダウンフローとともに前記処理
チャンバの下方から排気する基板処理方法。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載の基
板処理方法において、 前記薬液処理過程では、前記空間内に比較的少量の不活
性ガスを導入し、 前記洗浄処理過程から前記乾燥処理
過程までは、前記空間内に比較的多量の不活性ガスを導
入する基板処理方法。 - 【請求項５】 請求項１ないし３のいずれかに記載の基
板処理方法において、 前記薬液処理過程から前記洗浄処理過程の途中までは、
前記空間内に比較的少量の不活性ガスを導入し、 前記洗浄処理過程の途中から前記乾燥処理過程までは、
前記空間内に比較的多量の不活性ガスを導入する基板処
理方法。 - 【請求項６】 請求項１ないし３のいずれかに記載の基
板処理方法において、 前記薬液処理過程から前記洗浄処理過程までは、前記空
間内に比較的少量の不活性ガスを導入し、 前記乾燥処理過程では、前記空間内に比較的多量の不活
性ガスを導入する基板処理方法。 - 【請求項７】 基板を回転させながら基板に薬液を供給
して行う薬液処理と、薬液処理された基板を回転させな
がら基板に洗浄液を供給して行う洗浄処理と、洗浄処理
された基板を回転させることによって基板から洗浄液を
振り切って行う乾燥処理とを含み、基板単位で行われる
一連の処理を、同一の処理チャンバ内で連続的に行う基
板処理装置であって、 前記処理チャンバ内で基板を保持する基板保持手段と、 前記基板保持手段に保持された基板を回転させる回転手
段と、 前記基板保持手段に保持された基板の上面および下面の
少なくとも一方の面に近接配置されて、基板との間に空
間を形成する遮断部材と、 前記基板保持手段に保持された基板に薬液を供給する薬
液供給手段と、 前記基板保持手段に保持された基板に洗浄液を供給する
洗浄液供給手段と、 前記空間内に不活性ガスを導入する不活性ガス導入手段
と、 前記薬液処理、洗浄処理、および乾燥処理の各処理に応
じて、前記空間内に導入される不活性ガスの導入量を制
御する制御手段とを備えたことを特徴とする基板処理装
置。 - 【請求項８】 請求項７に記載の基板処理装置におい
て、 前記遮断部材は、前記基板保持手段に保持された基板の
上面および下面のそれぞれに近接配置されて、基板の上
面側および下面側にそれぞれ空間を形成する基板処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33858997A JP4036513B2 (ja) | 1997-12-09 | 1997-12-09 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33858997A JP4036513B2 (ja) | 1997-12-09 | 1997-12-09 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11176795A true JPH11176795A (ja) | 1999-07-02 |
| JP4036513B2 JP4036513B2 (ja) | 2008-01-23 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33858997A Expired - Fee Related JP4036513B2 (ja) | 1997-12-09 | 1997-12-09 | 基板処理方法および基板処理装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4036513B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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