TWI501310B - 基板處理裝置 - Google Patents

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TWI501310B
TWI501310B TW103109412A TW103109412A TWI501310B TW I501310 B TWI501310 B TW I501310B TW 103109412 A TW103109412 A TW 103109412A TW 103109412 A TW103109412 A TW 103109412A TW I501310 B TWI501310 B TW I501310B
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Yasuhiko Ohashi
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Description

基板處理裝置
本發明係關於一種對基板進行處理之基板處理裝置。
以往，於半導體基板(以下，簡稱為「基板」)之製造步驟中，使用數種基板處理裝置對基板實施各種處理。例如，藉由對在表面上形成有抗蝕劑之圖案之基板供給藥液，而對基板之表面進行蝕刻等處理。又，於蝕刻處理結束後，亦進行將基板上之抗蝕劑去除或清洗基板之處理。
於日本專利特開2011-216608號公報(文獻1)中，揭示有如下裝置，即，於密閉腔室之內部空間內，自噴嘴對基板之主面上吐出處理液而進行基板之處理。噴嘴於基板之上方藉由噴嘴臂而支持，且噴嘴臂經由形成於密閉腔室之貫通孔跨及密閉腔室之內外而延伸。貫通孔藉由密封構造而密封。當進行基板之處理時，噴嘴與噴嘴臂一併沿旋轉之基板之主面移動。
另外，於文獻1之裝置中，於對基板之一系列之處理結束後，進行於密閉腔室內使基板高速旋轉而乾燥之步驟(所謂之旋轉乾燥)。當進行基板之乾燥處理時，用於藥液吐出之噴嘴亦存在於密閉腔室內。因此，有來自噴嘴之藥液之霧氣(mist)等附著於基板之虞。
本發明適於對基板進行處理之基板處理裝置，其目的 在於在密閉空間內將腔室空間與對基板供給處理液之處理液供給部隔離。
本發明之基板處理裝置係具備有：腔室，其具有形成 腔室空間之腔室本體及腔室蓋部，藉由上述腔室蓋部將上述腔室本體之上部開口加以封閉，藉此將上述腔室空間加以密閉；腔室開閉機構，其使上述腔室蓋部相對於上述腔室本體於上下方向進行相對的移動；基板保持部，其配置於上述腔室空間，且以水平狀態將基板加以保持；基板旋轉機構，其使上述基板與上述基板保持部一起以朝向上下方向之中心軸為中心進行旋轉；護罩部，其以遍及全周之方式位於上述腔室之外側，且形成側方空間於上述腔室之外周，經由環狀開口，而加以承接自進行旋轉之上述基板所飛濺之處理液，而該環狀開口係藉由使上述腔室蓋部與上述腔室本體產生分離而形成於上述基板之周圍；及處理液供給部，其於上述側方空間內安裝在上述腔室或上述護罩部，經由上述環狀開口而朝向上述基板之上方進行移動且對上述基板上供給處理液，或者經由上述環狀開口而對上述基板上供給處理液；在形成有上述環狀開口之狀態下，使上述護罩部與上述腔室蓋部產生相接，藉此使上述腔室空間及上述側方空間成為1個擴大密閉空間。
根據本發明，可將腔室空間與處理液供給部隔離。
於本發明之一較佳實施形態中，上述處理液供給部係具備有：吐出頭，其吐出處理液；及頭支持部，其為沿著水平方向呈延伸之構件，上述吐出頭係被固定在自由端部，固定端部係在上述側方空間內而安裝於上述腔室或上述護罩部；上述基板處理裝置 係更進一步具備有使上述頭支持部與上述吐出頭一起以上述固定端部為中心進行旋轉之頭旋轉機構，且在對上述基板上供給處理液時，藉由上述頭旋轉機構使上述頭支持部進行旋轉，藉此上述吐出頭經由上述環狀開口而朝向上述基板之上方進行移動。
更佳為，上述頭旋轉機構係配置於上述擴大密閉空間 之外側。
進而較佳為，上述基板處理裝置係更進一步具備有護 罩部移動機構，該護罩部移動機構係使上述護罩部在上述環狀開口之外側之液體承接位置與較上述液體承接位置為更靠下方之退避位置之間，沿著上下方向進行移動；且上述頭旋轉機構係被固定在上述護罩部之上部，且與上述護罩部一起沿著上下方向進行移動。
或，上述頭旋轉機構係被固定在上述腔室蓋部，且與 上述腔室蓋部一起相對於上述腔室本體部以相對之方式於上下方向進行移動。
於本發明之另一較佳之實施形態中，上述吐出頭係在 藉由上述基板旋轉機構而進行旋轉之上述基板之上方，一方面沿著既定之移動路徑往返移動，一方面對上述基板上供給處理液。
於本發明之另一較佳之實施形態中，更進一步具備 有：另一護罩部，其在上述擴大密閉空間內以遍及全周之方式位於上述環狀開口之外側，且承接自進行旋轉之上述基板所飛濺之處理液；及另一護罩部移動機構，其使上述另一護罩部在上述環狀開口之外側之液體承接位置與較上述液體承接位置為更靠下方之退避位置之間，與上述護罩部以呈獨立之方式沿著上下方向進行移動。
於本發明之另一較佳之實施形態中，在上述處理液供 給部被收容在上述側方空間之狀態下，進行自上述處理液供給部之預分配(predispense)。
關於上述目的及其他目的、特徵、樣態及優點，可藉由參照隨附圖式於以下進行之本發明之詳細說明而明確。
1、1a~1c‧‧‧基板處理裝置
9‧‧‧基板
10‧‧‧控制部
12‧‧‧腔室
14‧‧‧基板保持部
15‧‧‧基板旋轉機構
16‧‧‧液體承接部
17‧‧‧外殼
18‧‧‧氣液供給部
19‧‧‧氣液排出部
81‧‧‧環狀開口
91‧‧‧上表面
92‧‧‧下表面
100‧‧‧擴大密閉空間
120‧‧‧腔室空間
121‧‧‧腔室本體
122‧‧‧腔室蓋部
123‧‧‧頂板
131‧‧‧腔室開閉機構
141‧‧‧基板支持部
142‧‧‧基板按壓部
151‧‧‧定子部
152‧‧‧轉子部
160‧‧‧側方空間
161‧‧‧(外側)護罩部
161a‧‧‧內側護罩部
162‧‧‧(外側)護罩部移動機構
162a‧‧‧內側護罩部移動機構
163‧‧‧護罩對向部
165‧‧‧液體承接凹部
165a‧‧‧內側液體承接凹部
180a‧‧‧氣體噴出噴嘴
181‧‧‧上部噴嘴
182‧‧‧下部噴嘴
183‧‧‧藥液供給部
184‧‧‧純水供給部
185‧‧‧IPA供給部
186‧‧‧惰性氣體供給部
187‧‧‧加熱氣體供給部
188‧‧‧(外側)掃描噴嘴
188a‧‧‧內側掃描噴嘴
188b‧‧‧掃描噴嘴
189、189a‧‧‧頭移動機構
191‧‧‧第1排出路徑
192‧‧‧第2排出路徑
193‧‧‧氣液分離部
194‧‧‧外側排氣部
195‧‧‧藥液回收部
196‧‧‧排液部
197‧‧‧氣液分離部
198‧‧‧內側排氣部
199‧‧‧排液部
210‧‧‧腔室底部
211‧‧‧中央部
211a‧‧‧對向面
212‧‧‧內側壁部
213‧‧‧環狀底部
214‧‧‧腔室側壁部
215‧‧‧外側壁部
216‧‧‧基座部
217‧‧‧下部環狀空間
222‧‧‧板保持部
223、238‧‧‧筒部
224、239‧‧‧凸緣部
225‧‧‧突出部
226‧‧‧收容凹部
231、232‧‧‧唇形密封件
237‧‧‧被保持部
241‧‧‧第1卡合部
242‧‧‧第2卡合部
411‧‧‧第1接觸部
413‧‧‧支持部基座
421‧‧‧第2接觸部
611‧‧‧側壁部
612‧‧‧上表面部
617‧‧‧波紋管
621‧‧‧支持構件
881、881a‧‧‧吐出頭
882‧‧‧頭支持部
891、891a‧‧‧頭旋轉機構
892、892a‧‧‧頭升降機構
J1‧‧‧中心軸
S11~S15、S21~S23‧‧‧步驟
圖1係第1實施形態之基板處理裝置之剖面圖。
圖2係表示氣液供給部及氣液排出部之方塊圖。
圖3係表示基板處理裝置中之處理流程之圖。
圖4係基板處理裝置之剖面圖。
圖5係表示基板處理裝置之一部分之俯視圖。
圖6係基板處理裝置之剖面圖。
圖7係基板處理裝置之剖面圖。
圖8係表示基板處理裝置之另一例之剖面圖。
圖9係基板處理裝置之剖面圖。
圖10係第2實施形態之基板處理裝置之剖面圖。
圖11係表示基板處理裝置中之處理流程之一部分之圖。
圖12係基板處理裝置之剖面圖。
圖13係基板處理裝置之剖面圖。
圖14係基板處理裝置之剖面圖。
圖15係基板處理裝置之剖面圖。
圖16係表示基板處理裝置之另一例之剖面圖。
圖1係表示本發明之第1實施形態之基板處理裝置1 之剖面圖。基板處理裝置1係對大致圓板狀之半導體基板9(以下，簡稱為「基板9」)供給處理液而對基板9逐片進行處理之單片式裝置。於圖1中，對基板處理裝置1之一部分之構成之剖面省略平行斜線之賦予(於其他剖面圖中亦相同)。
基板處理裝置1具備腔室12、頂板123、腔室開閉機 構131、基板保持部14、基板旋轉機構15、液體承接部16、及外殼17。外殼17覆蓋腔室12之上方及側方。
腔室12具備腔室本體121及腔室蓋部122。腔室12 係以朝向上下方向之中心軸J1為中心之大致圓筒狀。腔室本體121具備腔室底部210及腔室側壁部214。腔室底部210具備：大致圓板狀之中央部211；大致圓筒狀之內側壁部212，其自中央部211之外緣部向下方擴展；大致圓環板狀之環狀底部213，其自內側壁部212之下端向直徑方向外側擴展；大致圓筒狀之外側壁部215，其自環狀底部213之外緣部向上方擴展；及大致圓環板狀之基座部216，其自外側壁部215之上端部向直徑方向外側擴展。
腔室側壁部214為以中心軸J1為中心之環狀。腔室 側壁部214自基座部216之內緣部向上方突出。形成腔室側壁部214之構件如下所述兼用作液體承接部16之一部分。於以下之說明中，將被腔室側壁部214、外側壁部215、環狀底部213、內側壁部212、及中央部211之外緣部包圍而成之空間稱為下部環狀空間217。
於在基板保持部14之基板支持部141(下述)支持有基 板9之情形時，基板9之下表面92與腔室底部210之中央部211之上表面相對向。於以下之說明中，將腔室底部210之中央部211稱為「下表面對向部211」，將中央部211之上表面211a稱為「對向 面211a」。關於下表面對向部211之詳細情況，將於後文進行敍述。
腔室蓋部122為垂直於中心軸J1之大致圓板狀，且包含腔室12之上部。腔室蓋部122封閉腔室本體121之上部開口。於圖1中表示腔室蓋部122與腔室本體121分離之狀態。當腔室蓋部122封閉腔室本體121之上部開口時，腔室蓋部122之外緣部與腔室側壁部214之上部相接。
腔室開閉機構131使作為腔室12之可動部之腔室蓋部122相對於作為腔室12之另一部位之腔室本體121沿上下方向相對移動。腔室開閉機構131係使腔室蓋部122升降之蓋部升降機構。當藉由腔室開閉機構131而使腔室蓋部122沿上下方向移動時，頂板123亦與腔室蓋部122一併沿上下方向移動。腔室蓋部122與腔室本體121相接而封閉上部開口，進而，將腔室蓋部122朝腔室本體121按壓，藉此於腔室12內形成密閉之腔室空間120(參照圖7)。換言之，藉由利用腔室蓋部122封閉腔室本體121之上部開口，而將腔室空間120密閉。
基板保持部14配置於腔室空間120，以水平狀態保持基板9。即，基板9以上表面91垂直於中心軸J1而朝向上側之狀態而由基板保持部14保持。基板保持部14具備：上述基板支持部141，其自下側支持基板9之外緣部(即，包含外周緣在內之外周緣附近之部位)；及基板按壓部142，其自上側按壓支持於基板支持部141之基板9之外緣部。基板支持部141具備：大致圓環板狀之支持部基座413，其以中心軸J1為中心；及數個第1接觸部411，其等固定於支持部基座413之上表面。基板按壓部142具備固定於頂板123之下表面之數個第2接觸部421。數個第2接觸部421之 周向之位置實際上與數個第1接觸部411之周向之位置不同。
頂板123為垂直於中心軸J1之大致圓板狀。頂板123 配置於腔室蓋部122之下方且基板支持部141之上方。頂板123於中央具有開口。若基板9支持於基板支持部141，則基板9之上表面91與垂直於中心軸J1之頂板123之下表面相對向。頂板123之直徑大於基板9之直徑，頂板123之外周緣與基板9之外周緣相比遍及全周地位於直徑方向外側。
於圖1所示之狀態下，頂板123藉由腔室蓋部122以 垂吊之方式被支持。腔室蓋部122於中央部具有大致環狀之板保持部222。板保持部222具備：大致圓筒狀之筒部223，其以中心軸J1為中心；及大致圓板狀之凸緣部224，其以中心軸J1為中心。凸緣部224自筒部223之下端向直徑方向內側擴展。
頂板123具備環狀之被保持部237。被保持部237具 備：大致圓筒狀之筒部238，其以中心軸J1為中心；及大致圓板狀之凸緣部239，其以中心軸J1為中心。筒部238自頂板123之上表面向上方擴展。凸緣部239係自筒部238之上端向直徑方向外側擴展。筒部238位於板保持部222之筒部223之直徑方向內側。凸緣部239位於板保持部222之凸緣部224之上方，且與凸緣部224於上下方向相對向。被保持部237之凸緣部239之下表面與板保持部222之凸緣部224之上表面相接，藉此，頂板123以自腔室蓋部122垂吊之方式安裝於腔室蓋部122。
圖1所示之基板旋轉機構15係所謂之中空馬達。基 板旋轉機構15具備以中心軸J1為中心之環狀之定子部151及環狀之轉子部152。轉子部152包含大致圓環狀之永久磁鐵。永久磁鐵 之表面利用聚四氟乙烯(PTFE，polytetrafluorothylene)樹脂而鑄模。轉子部152於腔室12之腔室空間120內配置於下部環狀空間217內。於轉子部152之上部，經由連接構件安裝有基板支持部141之支持部基座413。支持部基座413係配置於轉子部152之上方。
定子部151於腔室12外(即，腔室空間120之外側)配置於轉子部152之周圍即直徑方向外側。於本實施形態中，定子部151固定於腔室底部210之外側壁部215及基座部216，且位於液體承接部16之下方。定子部151包含以中心軸J1為中心之沿周向排列之數個線圈。
藉由對定子部151供給電流，而於定子部151與轉子部152之間產生以中心軸J1為中心之旋轉力。藉此，轉子部152以中心軸J1為中心而於水平狀態下旋轉。藉由作用於定子部151與轉子部152之間之磁力，轉子部152於腔室12內懸浮而不會直接或間接地與腔室12接觸，從而使基板9與基板支持部141一併以中心軸J1為中心以懸浮狀態旋轉。
液體承接部16具備護罩部161、護罩部移動機構162、及護罩對向部163。護罩部161為以中心軸J1為中心之環狀，且遍及全周地位於腔室12之直徑方向外側。護罩部移動機構162使護罩部161沿上下方向移動。護罩部移動機構162配置於護罩部161之直徑方向外側。護罩部移動機構162係配置於在周向上與上述腔室開閉機構131不同之位置。護罩對向部163位於護罩部161之下方，與護罩部161於上下方向相對向。護罩對向部163係形成腔室側壁部214之構件之一部分。護罩對向部163包含位於腔室側壁部214之直徑方向外側之環狀之液體承接凹部165。
護罩部161具備側壁部611、上表面部612、及波紋管(bellows)617。側壁部611為以中心軸J1為中心之大致圓筒狀。上表面部612為以中心軸J1為中心之大致圓環板狀，且自側壁部611之上端部向直徑方向內側及直徑方向外側擴展。側壁部611之下部位於護罩對向部163之液體承接凹部165內。側壁部611之剖面形狀於收容下述掃描噴嘴188之部位(圖1中之右側之部位)與其他部位(圖1中之左側之部位)不同。側壁部611之圖1中之右側之部位之直徑方向之厚度稍薄於圖1中之左側之部位。
波紋管617為以中心軸J1為中心之大致圓筒狀，且可沿上下方向伸縮。波紋管617於側壁部611之直徑方向外側，遍及全周地設置於側壁部611之周圍。波紋管617由不使氣體或液體通過之材料而形成。波紋管617之上端部遍及全周地連接於上表面部612之外緣部之下表面。換言之，波紋管617之上端部介隔上表面部612間接地連接於側壁部611。波紋管617與上表面部612之連接部被密封，而防止氣體或液體之通過。波紋管617之下端部經由護罩對向部163間接地連接於腔室本體121。於波紋管617之下端部與護罩對向部163之連接部亦防止氣體或液體之通過。
於腔室蓋部122之中央固定上部噴嘴181。上部噴嘴181可插入至頂板123之中央之開口。上部噴嘴181於中央具有液體吐出口，且於其周圍具有噴出口。於腔室底部210之下表面對向部211之中央安裝下部噴嘴182。於下表面對向部211進而安裝數個氣體噴出噴嘴180a。數個氣體噴出噴嘴180a例如於以中心軸J1為中心之周向上以等角度間隔而配置。再者，上部噴嘴181及下部噴嘴182之設置位置不一定限於中央部分，例如亦可為與基板9之 外緣部相對向之位置。
於護罩部161之上表面部612安裝掃描噴嘴188。掃 描噴嘴188具備吐出處理液之吐出頭881及頭支持部882。頭支持部882係沿大致水平方向延伸之棒狀構件。作為頭支持部882之其中之一端部之固定端部安裝於護罩部161之上表面部612之下表面。於作為頭支持部882之另一端部之自由端部固定吐出頭881。
於護罩部161之上部設置有頭移動機構189。頭移動 機構189於頭支持部882之固定端部之上方固定於護罩部161之上表面部612之上表面。頭移動機構189具備頭旋轉機構891、及頭升降機構892。頭旋轉機構891貫通護罩部161之上表面部612而連接於頭支持部882之固定端部，且使頭支持部882與吐出頭881一併以固定端部為中心而沿大致水平方向旋轉。被頭旋轉機構891貫通之護罩部161之貫通部被密封，而防止氣體或液體之通過。頭升降機構892藉由使頭支持部882之固定端部沿上下方向移動，而使頭支持部882及吐出頭881升降。頭移動機構189藉由護罩部移動機構162而與護罩部161一併沿上下方向移動。
圖2係表示基板處理裝置1所具備之氣液供給部18 及氣液排出部19之方塊圖。氣液供給部18不僅具備上述掃描噴嘴188、氣體噴出噴嘴180a、上部噴嘴181、及下部噴嘴182，而且具備藥液供給部183、純水供給部184、異丙醇(IPA，isopropyl alcohol)供給部185、惰性氣體供給部186、及加熱氣體供給部187。藥液供給部183經由閥連接於掃描噴嘴188。純水供給部184及IPA供給部185分別經由閥連接於上部噴嘴181。下部噴嘴182經由閥連接於純水供給部184。上部噴嘴181經由閥亦連接於惰性氣體供給部 186。上部噴嘴181係對腔室12之內部供給氣體之氣體供給部之一部分。數個氣體噴出噴嘴180a經由閥連接於加熱氣體供給部187。
連接於液體承接部16之液體承接凹部165之第1排 出路徑191連接於氣液分離部193。氣液分離部193分別經由閥連接於外側排氣部194、藥液回收部195、及排液部196。連接於腔室底部210之第2排出路徑192連接於氣液分離部197。氣液分離部197分別經由閥連接於內側排氣部198及排液部199。氣液供給部18及氣液排出部19之各構成由控制部10控制。腔室開閉機構131、基板旋轉機構15、護罩部移動機構162、及頭移動機構189(參照圖1)亦由控制部10控制。
自藥液供給部183經由掃描噴嘴188供給至基板9上 之藥液例如為氫氟酸或氫氧化四甲基銨水溶液等蝕刻液。純水供給部184經由上部噴嘴181或下部噴嘴182對基板9供給純水(DIW：deionized water)。IPA供給部185經由上部噴嘴181對基板9上供給異丙醇(IPA)。於基板處理裝置1中，亦可設置供給除上述處理液(上述藥液、純水、及IPA)以外之處理液之處理液供給部。
惰性氣體供給部186經由上部噴嘴181對腔室12內 供給惰性氣體。加熱氣體供給部187經由數個氣體噴出噴嘴180a對基板9之下表面92供給加熱後之氣體(例如，加熱至160~200度之高溫之惰性氣體)。於本實施形態中，於惰性氣體供給部186及加熱氣體供給部187所利用之氣體為氮氣(N2 )，但亦可為氮氣以外之氣體。再者，於在加熱氣體供給部187利用加熱後之惰性氣體之情形時，可簡化基板處理裝置1中之防爆對策或無需防爆對策。
如圖1所示，於頂板123之外緣部之下表面，沿周向 排列數個第1卡合部241，於支持部基座413之上表面，沿周向排列數個第2卡合部242。實際上，第1卡合部241及第2卡合部242配置於在周向上與基板支持部141之數個第1接觸部411及基板按壓部142之數個第2接觸部421不同之位置。該等卡合部較佳為設置3組以上，於本實施形態中設置4組。於第1卡合部241之下部設置向上方凹陷之凹部。第2卡合部242自支持部基座413向上方突出。
圖3係表示基板處理裝置1中之基板9之處理流程之 圖。於基板處理裝置1中，如圖4所示，於腔室蓋部122與腔室本體121分離而位於上方、護罩部161與腔室蓋部122分離而位於下方之狀態下，基板9藉由外部之搬送機構被搬入至腔室12內，並藉由基板支持部141自下側被支持(步驟S11)。以下，將圖4所示之腔室12及護罩部161之狀態稱為「開放狀態」。腔室蓋部122與腔室側壁部214之間之開口為以中心軸J1為中心之環狀，以下稱為「環狀開口81」。於基板處理裝置1中，腔室蓋部122與腔室本體121分離，藉此，於基板9之周圍(即，直徑方向外側)形成環狀開口81。於步驟S11中，基板9經由環狀開口81被搬入。
於基板9之搬入時，掃描噴嘴188被預先收容至形成 於護罩部161與護罩對向部163之間之空間160。空間160係遍及全周地包圍腔室12之外周之大致圓環狀之空間。於以下之說明中，將空間160稱為「側方空間160」。圖5係基板處理裝置1之俯視圖。 於圖5中，為了便於理解掃描噴嘴188之收容狀態，而將腔室蓋部122或護罩部161等之圖示省略。又，對波紋管617標註平行斜線。
如圖5所示，掃描噴嘴188之頭支持部882於俯視 下，以朝直徑方向外側凸出之方式彎曲。換言之，掃描噴嘴188為大致圓弧狀。於側方空間160內，掃描噴嘴188係以使頭支持部882沿著波紋管617及護罩部161之側壁部611(參照圖4)之方式配置。
當收容掃描噴嘴188時，於護罩部161位於圖1所示 之位置之狀態下，掃描噴嘴188藉由頭旋轉機構891而旋轉，並經由環狀開口81向腔室12之外側移動。藉此，掃描噴嘴188被收容至護罩部161與護罩對向部163之間之側方空間160。其後，藉由護罩部移動機構162使護罩部161下降至圖4所示之位置。側方空間160隨著護罩部161之下降而變小。
若基板9被搬入，則護罩部161自圖4所示之位置上 升至圖6所示之位置，遍及全周地位於環狀開口81之直徑方向外側。於以下之說明中，將圖6所示之腔室12及護罩部161之狀態稱為「第1密閉狀態」(圖1之狀態亦相同)。又，將圖6所示之護罩部161之位置稱為「液體承接位置」，將圖4所示之護罩部161之位置稱為「退避位置」。護罩部移動機構162使護罩部161於環狀開口81之直徑方向外側之液體承接位置與較液體承接位置更靠下方之退避位置之間沿上下方向移動。
於位於液體承接位置之護罩部161，側壁部611與環 狀開口81於直徑方向相對向。又，上表面部612之內緣部之上表面遍及全周地與腔室蓋部122之外緣部下端之唇形密封件232相接。於腔室蓋部122與護罩部161之上表面部612之間形成防止氣體或液體之通過之密封部。藉此，形成藉由腔室本體121、腔室蓋部122、護罩部161、及護罩對向部163而包圍之密閉之空間(以下，稱為「擴大密閉空間100」)。擴大密閉空間100係藉由將腔室蓋部 122與腔室本體121之間之腔室空間120、和由被護罩部161與護罩對向部163包圍而成之側方空間160經由環狀開口81連通而形成之1個空間。
繼而，藉由基板旋轉機構15使基板9以固定之轉數 (為相對較低之轉數，以下稱為「常規轉數」)開始旋轉。進而，開始自惰性氣體供給部186(參照圖2)向擴大密閉空間100供給惰性氣體(此處為氮氣)，同時開始利用外側排氣部194排出擴大密閉空間100內之氣體。藉此，於經過既定時間後，擴大密閉空間100成為填充有惰性氣體之惰性氣體填充狀態(即，氧濃度較低之低氧環境)。再者，朝向擴大密閉空間100之惰性氣體之供給、及擴大密閉空間100內之氣體之排出亦可自圖4所示之開放狀態進行。
接著，自數個氣體噴出噴嘴180a朝向旋轉之基板9 之下表面92噴出加熱後之氣體。藉此，加熱基板9。又，藉由控制部10(參照圖2)之控制，自藥液供給部183向在側方空間160內安裝至護罩部161之掃描噴嘴188供給既定量之藥液。藉此，於掃描噴嘴188已收容於側方空間160之狀態(即，於掃描噴嘴188整體位於側方空間160內之狀態)下，進行自吐出頭881之預分配。自吐出頭881被預分配之藥液被液體承接凹部165承接。
若預分配結束，則藉由利用配置於擴大密閉空間100 之外側之頭旋轉機構891使頭支持部882旋轉，而如圖1所示，使吐出頭881經由環狀開口81向基板9之上方移動。進而，頭旋轉機構891經控制部10控制，而開始基板9之上方之吐出頭881之往返移動。吐出頭881沿連結基板9之中心部與外緣部之既定之移動路徑於水平方向持續地往返移動。
繼而，自藥液供給部183向吐出頭881供給藥液，自 沿水平方向搖擺之吐出頭881向基板9之上表面91供給藥液(步驟S12)。來自吐出頭881之藥液連續地被供給至旋轉之基板9之上表面91。藥液藉由基板9之旋轉而向外周部擴散，從而上表面91整體被藥液被覆。掃描噴嘴188係向旋轉中之基板9上供給處理液之處理液供給部。藉由自沿水平方向搖擺之吐出頭881向旋轉中之基板9供給藥液，可對基板9之上表面91大致均勻地供給藥液。又，亦可提高基板9上之藥液之溫度之均一性。其結果，可提高對基板9之藥液處理之均一性。
於自掃描噴嘴188供給處理液期間，亦繼續自氣體噴 出噴嘴180a噴出加熱氣體。藉此，一方面將基板9加熱至大致所需之溫度，一方面進行利用藥液之對上表面91之蝕刻。其結果，可進一步提高對基板9之藥液處理之均一性。
於擴大密閉空間100中，自旋轉之基板9之上表面 91飛濺之藥液經由環狀開口81被護罩部161承接，並被導入至液體承接凹部165。被導入至液體承接凹部165之藥液經由圖2所示之第1排出路徑191流入至氣液分離部193。於藥液回收部195中，自氣液分離部193將藥液回收，經由過濾器等自藥液將雜質等去除後，對其進行再利用。
若自藥液之供給開始起經過既定時間(例如，60~120秒)，則停止自掃描噴嘴188之藥液之供給及自氣體噴出噴嘴180a之加熱氣體之供給。繼而，藉由基板旋轉機構15，以既定時間(例如，1~3秒)使基板9之轉數高於常規轉數，而自基板9去除藥液。又，掃描噴嘴188藉由頭旋轉機構891旋轉，並如圖6所示般自腔 室空間120經由環狀開口81朝向側方空間160移動。
若掃描噴嘴188朝向側方空間160移動，則腔室蓋部 122及護罩部161會同步地向下方移動。繼而，如圖7所示，腔室蓋部122之外緣部下端之唇形密封件231與腔室側壁部214之上部相接，藉此，將環狀開口81關閉，腔室空間120於與側方空間160隔絕之狀態下被密閉。護罩部161與圖4同樣地位於退避位置。側方空間160於與腔室空間120隔絕之狀態下被密閉。以下，將圖7所示之腔室12及護罩部161之狀態稱為「第2密閉狀態」。於第2密閉狀態下，基板9直接與腔室12之內壁相對向，於其等之間並不存在其他液體承接部。又，掃描噴嘴188與腔室空間120隔離而被收容至側方空間160內。
於第2密閉狀態下，基板按壓部142之數個第2接觸 部421與基板9之外緣部接觸。於頂板123之下表面、及基板支持部141之支持部基座413上設置有於上下方向相對向之數對磁鐵(省略圖示)。以下，將各對磁鐵亦稱為「磁鐵對」。於基板處理裝置1中，數個磁鐵對以等角度間隔配置於在周向上與第1接觸部411、第2接觸部421、第1卡合部241、及第2卡合部242不同之位置。 於基板按壓部142與基板9接觸之狀態下，藉由作用於磁鐵對之間之磁力(引力)，而對頂板123作用朝下之力。藉此，基板按壓部142將基板9朝向基板支持部141按壓。
於基板處理裝置1中，基板按壓部142藉由頂板123 之自身重量及磁鐵對之磁力而將基板9朝向基板支持部141按壓，藉此，可利用基板按壓部142與基板支持部141自上下夾持而牢固地保持基板9。
於第2密閉狀態下，被保持部237之凸緣部239於板 保持部222之凸緣部224之上方與其分離，板保持部222與被保持部237並不接觸。換言之，利用板保持部222之頂板123之保持被解除。因此，頂板123自腔室蓋部122獨立出，與基板保持部14及保持於基板保持部14之基板9一併藉由基板旋轉機構15而旋轉。
又，於第2密閉狀態下，第2卡合部242嵌入至第1 卡合部241之下部之凹部。藉此，頂板123於以中心軸J1為中心之周向上與基板支持部141之支持部基座413卡合。換言之，第1卡合部241及第2卡合部242係限制頂板123相對於基板支持部141之旋轉方向上之相對位置(即，將周向上之相對位置固定)之位置限制構件。當腔室蓋部122下降時，以第1卡合部241與第2卡合部242嵌合之方式，藉由基板旋轉機構15控制支持部基座413之旋轉位置。
若腔室空間120及側方空間160分別獨立地被密閉， 則停止利用外側排氣部194(參照圖2)之氣體之排出，並且開始利用內側排氣部198之腔室空間120內之氣體之排出。繼而，藉由純水供給部184開始向基板9供給作為淋洗液或清洗液之純水(步驟S13)。
來自純水供給部184之純水自上部噴嘴181及下部噴 嘴182被吐出而連續地供給至基板9之上表面91及下表面92之中央部。純水藉由基板9之旋轉而向上表面91及下表面92之外周部擴散，並自基板9之外周緣向外側飛濺。自基板9飛濺之純水被腔室12之內壁(即，腔室蓋部122及腔室側壁部214之內壁)承接，經由圖2所示之第2排出路徑192、氣液分離部197及排液部199被 廢棄(於下述基板9之乾燥處理中亦相同)。藉此，實質上與基板9之上表面91之淋洗處理及下表面92之清洗處理一起亦進行腔室12內之清洗。
若自純水之供給開始起經過既定時間，則停止自純水 供給部184之純水之供給。繼而，於腔室空間120內，使基板9之轉數與常規轉數相比足夠高。藉此，自基板9上去除純水，而進行基板9之乾燥處理(步驟S14)。若自基板9之乾燥開始起經過既定時間，則停止基板9之旋轉。基板9之乾燥處理亦可藉由內側排氣部198使腔室空間120減壓，而於低於大氣壓之減壓環境下進行。
其後，腔室蓋部122與頂板123上升，如圖4所示， 腔室12成為開放狀態。於步驟S14中，頂板123與基板支持部141一併旋轉，故而於頂板123之下表面幾乎未殘留液體，於腔室蓋部122之上升時液體不會自頂板123落下至基板9上。基板9藉由外部之搬送機構自腔室12被搬出(步驟S15)。再者，亦可於利用純水供給部184之純水之供給後、且基板9之乾燥前，自IPA供給部185對基板9上供給IPA，而於基板9上將純水置換成IPA(於下述基板處理裝置1b中亦相同)。
如以上所說明般，於基板處理裝置1中，於腔室12 之外周設置形成側方空間160之護罩部161，於腔室蓋部122與腔室本體121分離之狀態(即，形成有環狀開口81之狀態)下，藉由使護罩部161與腔室蓋部122相接，而使腔室空間120及側方空間160成為1個擴大密閉空間100。又，掃描噴嘴188於側方空間160內安裝於護罩部161，於擴大密閉空間100內，經由環狀開口81移動至基板9之上方而對基板9上供給藥液。當進行基板9之清洗處理 及乾燥處理時，將掃描噴嘴188收容至側方空間160，藉由腔室蓋部122封閉腔室本體121之上部開口，藉此，腔室空間120與側方空間160隔絕而被密閉。
如此，於基板處理裝置1中，於被密閉之擴大密閉空 間100內，可將腔室空間120與對基板9供給藥液之掃描噴嘴188(即，吐出頭881及頭支持部882)隔離。藉此，可於與掃描噴嘴188隔離之狀態下進行基板9之清洗處理及乾燥處理。其結果，可防止來自掃描噴嘴188之藥液之霧氣等附著於清洗處理後及乾燥處理後之基板9。
於基板處理裝置1中，當將腔室12及護罩部161之 狀態自圖1所示之第1密閉狀態變更為圖7所示之第2密閉狀態時，以不使腔室蓋部122與護罩部161分離之方式，使腔室蓋部122及護罩部161同步地下降。藉此，可於基板9之處理中不敞開腔室空間120，而將腔室空間120與掃描噴嘴188隔離。
如上所述，於對基板9之藥液處理(步驟S12)之前， 掃描噴嘴188被收容至液體承接凹部165上方之側方空間160，自掃描噴嘴188被預分配之藥液被液體承接凹部165承接而回收。因此，無須於基板處理裝置1設置預分配用液體承接構造，從而可簡化基板處理裝置1之構造。
於基板處理裝置1中，頭旋轉機構891配置於擴大密 閉空間100之外側。藉此，可使擴大密閉空間100小型化。又，頭旋轉機構891固定於護罩部161之上部，且與護罩部161一併沿上下方向移動。因此，與頭旋轉機構891配置於較護罩部161更靠直徑方向外側之情形時相比，可使基板處理裝置1小型化。進而，無 須以使掃描噴嘴188與護罩部161之升降同步地升降之方式控制使掃描噴嘴188升降之機構，從而可簡化基板處理裝置1之控制。
圖8係表示基板處理裝置之另一例之剖面圖。於圖8 所示之基板處理裝置1a中，腔室12之腔室蓋部122於周向之一部分具有擴展至直徑方向外側之突出部225。突出部225位於頭支持部882之固定端部之上方，且與位於液體承接位置之護罩部161之上表面部612之上表面相接。於突出部225上固定頭移動機構189之頭旋轉機構891及頭升降機構892。頭旋轉機構891及頭升降機構892與腔室蓋部122一併藉由腔室開閉機構131而相對於腔室本體121沿上下方向相對移動。
當護罩部161自圖8所示之液體承接位置如圖9所示 般向退避位置移動，而使腔室12及護罩部161成為開放狀態時，掃描噴嘴188藉由頭旋轉機構891旋轉而被收容至側方空間160，並藉由頭升降機構892與護罩部161同步地下降。基板處理裝置1a之其他動作與圖1所示基板處理裝置1相同。
於基板處理裝置1a中，與基板處理裝置1同樣地， 頭旋轉機構891配置於圖8所示之擴大密閉空間100之外側。藉此，可使擴大密閉空間100小型化。又，頭旋轉機構891固定於腔室蓋部122之上部，故而可使基板處理裝置1a小型化。
圖10係表示本發明之第2實施形態之基板處理裝置 1b之剖面圖。於基板處理裝置1b中，設置有位於護罩部161之內側之另一護罩部161a、及使該護罩部161a與護罩部161獨立地沿上下方向移動之另一護罩部移動機構162a。又，基板處理裝置1b具備與掃描噴嘴188不同之另一掃描噴嘴188a、及使該掃描噴嘴 188a與掃描噴嘴188獨立地移動之頭移動機構189a。其他構造與圖1所示之基板處理裝置1大致相同，以下，對相對應之構成標註相同符號。
於以下之說明中，將護罩部161、161a分別稱為「外 側護罩部161」及「內側護罩部161a」。又，將護罩部移動機構162、162a分別稱為「外側護罩部移動機構162」及「內側護罩部移動機構162a」。將掃描噴嘴188、188a分別稱為「外側掃描噴嘴188」及「內側掃描噴嘴188a」，將頭移動機構189、189a分別稱為「外側頭移動機構189」及「內側頭移動機構189a」。內側掃描噴嘴188a連接於與藥液供給部183(參照圖2)不同之另一藥液供給部(省略圖示)，對內側掃描噴嘴188a供給與供給至外側掃描噴嘴188之藥液不同之藥液。
內側護罩部移動機構162a具有沿上下方向貫通腔室 蓋部122之支持構件621，支持構件621之下端部固定於內側護罩部161a之上部。藉由在內側護罩部移動機構162a使支持構件621沿上下方向移動，而使內側護罩部161a亦沿上下方向移動。被內側護罩部移動機構162a貫通之腔室蓋部122之貫通部被密封，而防止氣體或液體之通過。內側護罩部移動機構162a實際上配置於在周向上與外側護罩部移動機構162不同之位置。又，內側護罩部移動機構162a配置於在周向上亦與腔室開閉機構131(參照圖1)不同之位置。
於圖10所示之第1密閉狀態下，外側護罩部161位 於環狀開口81之直徑方向外側之液體承接位置。內側護罩部161a於較環狀開口81更靠下方位於腔室側壁部214之直徑方向外側。 內側護罩部161a之側壁部611之下端部位於在護罩對向部163設置於液體承接凹部165之內側之環狀之內側液體承接凹部165a內。將圖10所示之內側護罩部161a之位置稱為「退避位置」。
外側掃描噴嘴188自側方空間160經由環狀開口81 向基板9之上方延伸。內側掃描噴嘴188a位於外側掃描噴嘴188之上方。於腔室蓋部122之底面設置大致圓弧狀之收容凹部226，與外側掃描噴嘴188同樣地為大致圓弧狀之內側掃描噴嘴188a被收容至收容凹部226內。收容凹部226亦為側方空間160之一部分。 內側頭移動機構189a於收容凹部226之上側固定於腔室蓋部122之上部。內側頭移動機構189a具備頭旋轉機構891a及頭升降機構892a。
圖11係表示基板處理裝置1b中之基板9之處理流程 之一部分之圖。於基板處理裝置1b中，如圖12所示，於腔室蓋部122與腔室本體121分離而位於其上方、外側護罩部161及內側護罩部161a位於各自之退避位置之開放狀態下，將基板9搬入至腔室12內(步驟S21)。繼而，藉由外側護罩部移動機構162，使外側護罩部161上升至與腔室蓋部122相接之液體承接位置，如圖13所示，形成擴大密閉空間100。
於圖13所示之第1密閉狀態下，與圖7所示之基板 處理裝置1同樣地，使基板9以常規轉數開始旋轉，並且對擴大密閉空間100供給惰性氣體而使其成為惰性氣體填充狀態。又，自外側掃描噴嘴188朝液體承接凹部165進行藥液之預分配。
接著，藉由外側頭移動機構189使外側掃描噴嘴188旋轉，如圖10所示，外側掃描噴嘴188之吐出頭881位於基板9 之上方。繼而，自數個氣體噴出噴嘴180a朝基板9之下表面92噴出加熱氣體，並且自於基板9之上方反覆往返移動之外側掃描噴嘴188之吐出頭881對旋轉中之基板9上供給藥液(步驟S22)。於擴大密閉空間100內，自旋轉之基板9之上表面91飛濺之藥液經由環狀開口81被外側護罩部161承接，並被導入至液體承接凹部165。
若利用來自外側掃描噴嘴188之藥液之處理結束，則 外側掃描噴嘴188旋轉，如圖14所示，自腔室空開120經由環狀開口81向側方空間160移動。藉由基板9之旋轉將基板9上之藥液去除。繼而，藉由內側頭移動機構189a之頭升降機構892a及頭旋轉機構891a使內側掃描噴嘴188a下降並旋轉。藉此，內側掃描噴嘴188a之吐出頭881a自側方空間160經由環狀開口81而向腔室空間120移動，從而位於基板9之上方。
又，內側護罩部161a藉由內側護罩部移動機構162a 而自待機位置上升，於擴大密閉空間100內遍及全周地位於環狀開口81之直徑方向外側。將圖14所示之內側護罩部161a之位置稱為「液體承接位置」。位於液體承接位置之內側護罩部161a位於內側掃描噴嘴188a之固定端部之下方，且靠近該固定端部。內側護罩部移動機構162a使內側護罩部161a於環狀開口81之直徑方向外側之液體承接位置與較該液體承接位置更靠下方之退避位置之間沿上下方向移動。
若內側護罩部161a位於液體承接位置，則視需要自 數個氣體噴出噴嘴180a對基板9之下表面92一方面噴出加熱氣體，一方面自於基板9之上方反覆往返移動之內側掃描噴嘴188a之吐出頭881a對旋轉中之基板9上供給與步驟S22不同之其他藥 液(步驟S23)。於擴大密閉空間100內，自旋轉之基板9之上表面91飛濺之藥液經由環狀開口81被內側護罩部161a承接，並被導入至內側液體承接凹部165a。被導入至內側液體承接凹部165a之藥液與來自外側掃描噴嘴188之藥液被分開回收，將雜質等去除後，對其進行再利用。
若利用來自內側掃描噴嘴188a之藥液之處理結束， 則基板9上之其他藥液藉由基板9之旋轉而被去除。繼而，內側護罩部161a自液體承接位置下降而位於退避位置。又，內側掃描噴嘴188a旋轉，且自腔室空間120經由環狀開口81向側方空間160移動。內側掃描噴嘴188a藉由內側頭移動機構189a之頭升降機構892a而上升，如圖13所示，被收容至收容凹部226。
接著，腔室蓋部122及外側護罩部161同步地向下方 移動，如圖15所示，成為第2密閉狀態。外側護罩部161位於退避位置。於圖15中，環狀開口81被關閉，腔室空間120與側方空間160於相互隔絕之狀態下被密閉。
其後，與上述步驟S13~S15(參照圖3)同樣地，於被 密閉之腔室空間120內，自上部噴嘴181及下部噴嘴182對旋轉中之基板9之上表面91及下表面92供給純水(步驟S13)。藉此，進行基板9之上表面91之淋洗處理及下表面92之清洗處理。繼而，停止純水之供給，進行藉由基板9之旋轉而去除基板9上之純水之乾燥處理(步驟S14)。其後，腔室蓋部122上升，腔室12成為圖12所示之開放狀態，自腔室12將基板9搬出(步驟S15)。
如以上所說明般，於基板處理裝置1b中，除圖1所 示之基板處理裝置1之各構成外，亦設置於擴大密閉空間100內遍 及全周地位於環狀開口81之直徑方向外側之內側護罩部161a、及使內側護罩部161a於液體承接位置與退避位置之間與外側護罩部161獨立地移動之內側護罩部移動機構162a。藉此，可分別回收自外側掃描噴嘴188供給至基板9上之藥液、及自內側掃描噴嘴188a供給至基板9上之其他藥液。其結果，可效率良好地對各藥液進行再利用。
又，於基板處理裝置1b中，與基板處理裝置1同樣 地，藉由利用腔室蓋部122封閉腔室本體121之上部開口，而使腔室空間120與側方空間160隔絕而密閉。藉此，可將腔室空間120與外側掃描噴嘴188及內側掃描噴嘴188a隔離。其結果，可防止來自外側掃描噴嘴188及內側掃描噴嘴188a之藥液之霧氣等附著於清洗處理後及乾燥處理後之基板9。
圖16係表示基板處理裝置之另一例之剖面圖。於圖 16所示之基板處理裝置1c中，設置有掃描噴嘴188b來代替圖1所示之基板處理裝置1之掃描噴嘴188。掃描噴嘴188b於側方空間160內安裝於護罩部161。掃描噴嘴188b朝大致水平方向吐出藥液。於側方空間160內自掃描噴嘴188b吐出之藥液經由環狀開口81被供給至基板9之上表面91上。掃描噴嘴188b以固定端部為中心且以既定之角度範圍沿水平方向轉動。藉此，來自掃描噴嘴188b之藥液於基板9上之著液位置移動。於基板處理裝置1c中，於擴大密閉空間100內，一方面重複掃描噴嘴188b之轉動，一方面對旋轉之基板9進行藥液之供給。
於進行藥液之供給之後，藉由使腔室蓋部122及護罩 部161下降，而使環狀開口81關閉，腔室空間120與側方空間160 於相互隔絕之狀態下被密閉。掃描噴嘴188b被收容至側方空間160。如此，於基板處理裝置1c中，可將腔室空間120與掃描噴嘴188b隔離。其結果，可防止來自掃描噴嘴188b之藥液之霧氣等附著於清洗處理後及乾燥處理後之基板9。再者，掃描噴嘴188b亦可與圖8所示之掃描噴嘴188同樣地，於側方空間160內安裝於腔室蓋部122。
於上述基板處理裝置1、1a~1c中，可進行各種變更。
例如，於圖1所示之基板處理裝置1中，亦可於護罩 部161之上表面部612設置向上方凸出且朝下開口之凹陷部，於掃描噴嘴188自基板9上旋轉移動至側方空間160之後，藉由頭升降機構892使掃描噴嘴188上升，藉此，使掃描噴嘴188之一部分或整體收容至作為側方空間160之一部分之該凹陷部。又，自吐出頭881之藥液之預分配無須於擴大密閉空間100內進行，例如亦可於圖4所示之開放狀態之基板處理裝置1中，於側方空間160內進行預分配。
於圖10所示之基板處理裝置1b中，亦可將內側掃描 噴嘴188a及內側頭移動機構189a省略，而藉由外側掃描噴嘴188依序進行數種藥液之分別之供給。於此情形時，於第1藥液處理時，自基板9飛濺之第1藥液被外側護罩部161承接，於第2藥液處理時，自基板9飛濺之第2藥液被上升至液體承接位置之內側護罩部161a承接，藉此，亦可實現數種藥液之分別回收。再者，亦可自上部噴嘴181對基板9上供給第1藥液及第2藥液中之一種藥液。
於基板處理裝置1、1a~1c中，亦可設置對腔室空間 120供給氣體而加壓之加壓部。腔室空間120之加壓係於腔室12 被密閉之狀態、即、腔室空間120與側方空間160隔離之狀態下進行，腔室空間120成為高於大氣壓之加壓環境。再者，惰性氣體供給部186亦可兼用作加壓部。
腔室開閉機構131亦可不必使腔室蓋部122沿上下方 向移動，而於腔室蓋部122被固定之狀態下，使腔室本體121沿上下方向移動。腔室12未必限定於大致圓筒狀，亦可為各種形狀。
基板旋轉機構15之定子部151及轉子部152之形狀 及構造亦可進行各種變更。轉子部152亦可不必於懸浮狀態下旋轉，而於腔室12內設置機械地支持轉子部152之導引件等構造，而使轉子部152沿該導引件旋轉。基板旋轉機構15亦可不必為中空馬達，而將軸旋轉型馬達用作基板旋轉機構。
於基板處理裝置1、1a~1b中，亦可藉由使(外側)護 罩部161之除上表面部612以外之部位(例如，側壁部611)與腔室蓋部122相接，而形成擴大密閉空間100。(外側)護罩部161及內側護罩部161a之形狀亦可適當變更。
上部噴嘴181、下部噴嘴182、(外側)掃描噴嘴188、 內側掃描噴嘴188a、及掃描噴嘴188b之形狀並不限定於突出之形狀。只要為具有吐出處理液之吐出口之部位，則均包含於本實施形態之噴嘴之概念。
基板處理裝置1、1a~1c除用於半導體基板之處理以外，亦可用於在液晶顯示裝置、電漿顯示器、場發射顯示裝置(FED，field emission display)等顯示裝置中所使用之玻璃基板之處理。或，基板處理裝置1、1a~1c亦可用於光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板及太陽電池用基板等之處理。
上述實施形態及各變形例中之構成只要不相互矛盾便可適當進行組合。
雖對發明進行了詳細地描寫以及說明，但上述說明為例示而非限定性者。因此，可以說只要不脫離本發明之範圍，便可實施數種變形或樣態。
1‧‧‧基板處理裝置
9‧‧‧基板
12‧‧‧腔室
14‧‧‧基板保持部
15‧‧‧基板旋轉機構
16‧‧‧液體承接部
17‧‧‧外殼
81‧‧‧環狀開口
91‧‧‧上表面
92‧‧‧下表面
120‧‧‧腔室空間
121‧‧‧腔室本體
122‧‧‧腔室蓋部
123‧‧‧頂板
131‧‧‧腔室開閉機構
141‧‧‧基板支持部
142‧‧‧基板按壓部
151‧‧‧定子部
152‧‧‧轉子部
160‧‧‧側方空間
161‧‧‧(外側)護罩部
162‧‧‧(外側)護罩部移動機構
163‧‧‧護罩對向部
165‧‧‧液體承接凹部
180a‧‧‧氣體噴出噴嘴
181‧‧‧上部噴嘴
182‧‧‧下部噴嘴
188‧‧‧(外側)掃描噴嘴
189‧‧‧頭移動機構
210‧‧‧腔室底部
211‧‧‧中央部
211a‧‧‧對向面
212‧‧‧內側壁部
213‧‧‧環狀底部
214‧‧‧腔室側壁部
215‧‧‧外側壁部
216‧‧‧基座部
217‧‧‧下部環狀空間
222‧‧‧板保持部
223‧‧‧筒部
224‧‧‧凸緣部
237‧‧‧被保持部
238‧‧‧筒部
239‧‧‧凸緣部
241‧‧‧第1卡合部
242‧‧‧第2卡合部
411‧‧‧第1接觸部
413‧‧‧支持部基座
421‧‧‧第2接觸部
611‧‧‧側壁部
612‧‧‧上表面部
617‧‧‧波紋管
881‧‧‧吐出頭
882‧‧‧頭支持部
891‧‧‧頭旋轉機構
892‧‧‧頭升降機構
J1‧‧‧中心軸

Claims (11)

  1. 一種基板處理裝置，其為對基板進行處理者，其具備有：腔室，其具有形成腔室空間之腔室本體及腔室蓋部，藉由上述腔室蓋部將上述腔室本體之上部開口加以封閉，藉此將上述腔室空間加以密閉；腔室開閉機構，其使上述腔室蓋部相對於上述腔室本體於上下方向進行相對的移動；基板保持部，其配置於上述腔室空間，且以水平狀態將基板加以保持；基板旋轉機構，其使上述基板與上述基板保持部一起以朝向上下方向之中心軸為中心進行旋轉；護罩部，其以遍及全周之方式位於上述腔室之外側，且形成側方空間於上述腔室之外周，經由環狀開口，而加以承接自進行旋轉之上述基板所飛濺之處理液，而該環狀開口係藉由使上述腔室蓋部與上述腔室本體產生分離而形成於上述基板之周圍；及處理液供給部，其於上述側方空間內安裝在上述腔室或上述護罩部，經由上述環狀開口而朝向上述基板之上方進行移動且對上述基板上供給處理液，或者經由上述環狀開口而對上述基板上供給處理液；在形成有上述環狀開口之狀態下，使上述護罩部與上述腔室蓋部產生相接，藉此使上述腔室空間及上述側方空間成為1個擴大密閉空間。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述處理液供給部係具備有： 吐出頭，其吐出處理液；及頭支持部，其為沿著水平方向呈延伸之構件，上述吐出頭係被固定在自由端部，固定端部係在上述側方空間內而安裝於上述腔室或上述護罩部；上述基板處理裝置係更進一步具備有使上述頭支持部與上述吐出頭一起以上述固定端部為中心進行旋轉之頭旋轉機構，且在對上述基板上供給處理液時，藉由上述頭旋轉機構而使上述頭支持部進行旋轉，藉此上述吐出頭經由上述環狀開口而朝向上述基板之上方進行移動。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，上述頭旋轉機構係配置於上述擴大密閉空間之外側。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其更進一步具備有護罩部移動機構，該護罩部移動機構係使上述護罩部在上述環狀開口之外側之液體承接位置與較上述液體承接位置為更靠下方之退避位置之間，沿著上下方向進行移動；且上述頭旋轉機構係被固定在上述護罩部之上部，且與上述護罩部一起沿著上下方向進行移動。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，上述吐出頭係在藉由上述基板旋轉機構而進行旋轉之上述基板之上方，一方面沿著既定之移動路徑往返移動，一方面對上述基板上供給處理液。
  6. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，上述頭旋轉機構係被固定在上述腔室蓋部，且與上述腔室蓋部一起相對於上述腔室本體部以相對之方式於上下方向進行移動。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中，上述吐出頭係在藉由上述基板旋轉機構而進行旋轉之上述基板之上方，一方面沿著既定之移動路徑往返移動，一方面對上述基板上供給處理液。
  8. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，上述吐出頭係在藉由上述基板旋轉機構而進行旋轉之上述基板之上方，一方面沿著既定之移動路徑往返移動，一方面對上述基板上供給處理液。
  9. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，上述吐出頭係在藉由上述基板旋轉機構而進行旋轉之上述基板之上方，一方面沿著既定之移動路徑往返移動，一方面對上述基板上供給處理液。
  10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之基板處理裝置，其更進一步具備有：另一護罩部，其在上述擴大密閉空間內以遍及全周之方式位於上述環狀開口之外側，且承接自進行旋轉之上述基板所飛濺之處理液；及內側護罩部移動機構，其使上述另一護罩部在上述環狀開口之外側之液體承接位置與較上述液體承接位置為更靠下方之退避位置之間，與上述護罩部以呈獨立之方式沿著上下方向進行移動。
  11. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之基板處理裝置，其在上述處理液供給部被收容在上述側方空間之狀態下，進行自上述處理液供給部之預分配。
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