TWI558467B - 噴嘴，基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

噴嘴，基板處理裝置及基板處理方法 Download PDF

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TWI558467B
TWI558467B TW104108062A TW104108062A TWI558467B TW I558467 B TWI558467 B TW I558467B TW 104108062 A TW104108062 A TW 104108062A TW 104108062 A TW104108062 A TW 104108062A TW I558467 B TWI558467 B TW I558467B
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田中孝佳
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Description

噴嘴，基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種用以噴出可處理基板之處理液液滴的噴嘴、包含如上所述之噴嘴之基板處理裝置及使用如上所述之噴嘴之基板處理方法。關於成為處理對象之基板，包括例如半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示用基板、FED(Field Emission Display，場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
於半導體裝置或液晶顯示裝置等之製造步驟中，進行自半導體晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板去除顆粒等異物之清洗處理。於例如日本專利特開2007-227878號公報及特開2010-56376號公報中，揭示有使處理液之液滴衝撞基板而清洗基板之單片式基板處理裝置。
日本專利特開2007-227878號公報記載之基板處理裝置，包含藉由使處理液與氣體衝撞而生成處理液之液滴的雙流體噴嘴。雙流體噴嘴包含形成有處理液噴出口與氣體噴出口之套管。當自處理液噴出口及氣體噴出口分別同時噴出處理液及氣體時，則處理液與氣體會在套管附近發生衝撞，從而生成處理液之液滴。
另一方面，日本專利特開2010-56376號公報記載之基板處理裝 置，包含藉由對處理液賦予振動而生成處理液液滴的清洗噴嘴。清洗噴嘴包含形成有複數噴出口之筒狀體、與安裝於筒狀體之壓電元件。在10MPa以下之壓力下將處理液供給至筒狀體之內部。當交流電壓施加於壓電元件時，會對筒狀體內之處理液賦予振動，而自複數噴出口噴射出處理液之液滴。
於使處理液之液滴衝撞基板而清洗基板之情形時，以自噴嘴噴射出之液滴之數量多者為佳。即，液滴對於基板之衝撞次數越多，則對於附著於基板之異物衝撞之機率越高，從而去除效果亦提高，若自噴嘴噴射出之液滴之數量較多，則可進行良好之清洗。此外，液滴數量越多則可以越短之時間實施相同之清洗處理，因此亦可增加單位時間內處理之基板之塊數。又，於使處理液之液滴衝撞基板而清洗基板之情形時，較佳為，液滴之大小(粒徑)及速度之偏差較小。即，若粒徑及/或速度之偏差較大，則有產生清洗不均，或使形成於基板上之裝置圖案受損，而破壞裝置圖案之虞。
上述雙流體噴嘴係藉由使處理液與氣體衝撞，而生成處理液液滴。因此，難以控制粒徑及速度。另一方面，於日本專利特開2010-56376號公報記載之清洗噴嘴中，藉由控制供給至清洗噴嘴之處理液之壓力及壓電元件之振動，可抑制粒徑及速度之偏差。因此，可進行良好之清洗。
然而，於日本專利特開2010-56376號公報記載之清洗噴嘴中，為了自小孔噴出速度較大之液滴而必需為更高壓力，因此最大在10MPa之壓力下將處理液供給至筒狀體之內部。因此，必需藉由使用例如具有充分厚度之筒狀體，確保清洗噴嘴具有可耐液壓之強度。然而，若筒狀體之厚度較大則使清洗噴嘴大型化。清洗噴嘴係配置於基板處理 裝置內之有限之空間內，因此較佳為小型。
本發明之目的在於提供一種可抑制自噴嘴噴射之處理液液滴之大小及速度偏差，且可抑制噴嘴之大型化的噴嘴，包含該噴嘴之基板處理裝置及使用該噴嘴之基板處理方法。
又，本發明之其他目的在於提供一種可充分地清洗基板全面的基板處理裝置及基板處理方法。
本發明提供一種包含本體與壓電元件，且用以噴出處理基板之處理液液滴的噴嘴。上述本體包含：用以供給處理液之供給口、用以排出供給至上述供給口之處理液之排出口、連接上述供給口與上述排出口之處理液流通路及噴出處理液之複數噴出口。上述處理液流通路包含複數分支流路。上述複數分支流路係於上述供給口與上述排出口之間形成分支，且於上述供給口與上述排出口之間集合。上述複數噴出口構成為分別與上述複數分支流路相對應之複數行。此外，上述複數噴出口係沿著相對應之上述分支流路排列，並且連接於相對應之上述分支流路。上述壓電元件對在上述複數分支流路中流動之處理液賦予振動。
根據該構成之噴嘴，供給至供給口之處理液係朝向排出口而在處理液流通路中流動。處理液流通路包含複數分支流路。供給至分支流路之處理液係自連接於該分支流路之複數噴出口噴出。自噴出口噴出之處理液係因由壓電元件給予之振動而分斷。藉此，自噴嘴噴射出複數處理液液滴。進而，藉由使供給至供給口之處理液自排出口排出，可確實地抑制或防止供給至處理液流通路之處理液停留在處理液流通路中。自噴出口噴出之處理液液滴之大小及速度，係藉由例如供給至 噴嘴之處理液之壓力及壓電元件之振動而控制。因此，可抑制液滴之大小及速度之偏差。
如上所述，處理液流通路包含複數分支流路。藉由使處理液流通路形成分支，可增加處理液流通路之總長。因此，可將更多之噴出口個別地連接於處理液流通路。藉此，可使更多之液滴同時自噴嘴噴射。例如，考慮藉由增加處理液流通路之流路面積(與處理液流通路正交之剖面之面積)，而將更多之噴出口個別地連接於處理液流通路。然而，若處理液流通路之流路面積增加，則藉由處理液之壓力而使施加於本體之力增加。因此，必需增加本體之強度，而使噴嘴大型化。因此，藉由使處理液流通路形成分支，可抑制噴嘴之大型化。進而，複數噴出口係沿著相對應之分支流路排列，因此與例如複數噴出口排列於與分支流路呈正交之方向之情形相比，可抑制流路面積之增加。藉此，可抑制噴嘴之大型化。
上述本體較佳為由含有石英之材料形成。石英之強度高於例如樹脂。因此，藉由利用含有石英之材料形成本體，可確保噴嘴之強度，並且抑制噴嘴之大型化。進而，石英具有抗藥性。因此，藉由利用含有石英之材料形成本體，可抑制或防止噴嘴之腐蝕。
上述本體並不限定於含有石英之材料，亦可由含有樹脂之材料、含有金屬之材料及含有陶瓷之材料中之任一者所形成。然而，樹脂之強度低於石英，因此有無法確保噴嘴具有充分之強度之虞。又，於藉由含有金屬之材料形成本體之情形時，於在噴嘴內流動之處理液中會溶出金屬，從而有因溶解於處理液中之金屬而使基板被污染之虞。又，由於陶瓷為多孔質，故而於藉由含有陶瓷之材料形成本體之情形時，有本體之一部分缺損而將本體之碎片供給至基板之虞。因此，本體較 佳為由含有石英之材料形成。
又，上述噴嘴較佳為進而包含覆蓋上述壓電元件之遮罩、與於上述遮罩內連接於上述壓電元件之配線。根據該構成，壓電元件及配線(電氣配線)由遮罩保護。因此，即便於在化學藥品環境中使用噴嘴之情形時，亦可抑制或防止壓電元件及配線暴露於化學藥品環境中。因此，可抑制或防止因與化學藥品之接觸而使壓電元件及配線腐蝕。
上述本體較佳為進而包含連接上述分支流路與上述噴出口之連接路。於此情形時，上述連接路較佳為包含流路面積隨著靠近上述噴出口而減少之減少部。上述減少部之流路面積較佳為隨著靠近上述噴出口而持續減少。
根據該構成，在分支流路中流動之處理液通過連接路而自噴出口噴出。設置於連接路之減少部之流路面積係隨著靠近噴出口而減少。因此，可減少連接路中處理液壓力的下降。即，可減少連接路中之壓力損失。又，於減少部之流路面積持續減少之情形時，可抑制或防連接路中之應力集中。
又，上述處理液流通路及連接路係設置於上述本體之內部，上述本體較佳為包含相互結合之複數分割體。根據該構成，藉由使複數分割體結合，而形成本體。因此，可個別地成形複數分割體。因此，藉由使形成有相當於處理液流通路及連接路之凹部的複數分割體結合，可形成處理液流通路及連接路。設置於連接路之減少部之流路面積係隨著靠近噴出口而減少，因此難以自噴出口側起形成減少部。另一方面，若在複數分割體結合之前，則可自分支流路側起形成減少部。因此，可容易地形成減少部。
又，本發明提供一種基板處理裝置，其包含保持基板之基板保持 單元、朝向由上述基板保持單元保持之基板噴出處理液之液滴且具有如上所述之特徵的噴嘴、將處理液供給至上述噴嘴之上述供給口之處理液供給單元及對上述噴嘴之上述壓電元件施加電壓之電壓施加單元。
根據該構成之基板處理裝置，自處理液供給單元將處理液供給至噴嘴，並且利用電壓施加單元對壓電元件施加電壓，從而，使複數處理液之液滴自噴嘴噴射。藉此，可使處理液之液滴衝撞由基板保持單元保持之基板，而藉由液滴之動能物理地去除附著於基板之異物。進而，例如，藉由控制供給至噴嘴之處理液壓力及壓電元件振動，可抑制液滴之大小及速度之偏差。因此，可進行良好之清洗。
本發明之一實施形態之基板處理裝置進而包含噴嘴移動單元，該噴嘴移動單元係沿著由上述基板保持單元保持之基板主表面延伸，使上述噴嘴沿著於自垂直於上述主表面之垂直方向觀察時通過上述主表面之中心的軌跡移動，並且以於自上述垂直方向觀察時由上述複數噴出口構成之複數行與上述軌跡交叉之方式保持上述噴嘴。上述基板之主表面既可為作為裝置形成面之基板表面，亦可為作為非裝置形成面之基板背面。
根據該構成，噴嘴移動單元使噴嘴沿著於自垂直於基板主表面之方向觀察時通過上述主表面中心的軌跡移動。進而，噴嘴移動單元係以於自垂直於基板主表面之方向觀察時由複數噴出口構成之複數行與軌跡交叉之方式保持噴嘴。即，於垂直於基板主表面之方向觀察時，所有行均與軌跡交叉。因此，一面使處理液之液滴自噴嘴噴射，一面使噴嘴沿著上述軌跡移動，藉此可使自所有行噴射出之處理液液滴依序衝撞於基板之主表面中央部。藉此，可良好地清洗基板之主表面中 央部。
上述基板處理裝置亦可進而包含控制上述噴嘴移動單元之控制單元。於此情形時，上述控制單元亦可藉由控制上述噴嘴移動單元，以自上述垂直方向觀察時上述複數行依序重疊於上述主表面中心之方式，使上述噴嘴沿著上述軌跡而於自上述垂直方向觀察時上述噴嘴重疊於上述主表面中心之中心位置、與自上述垂直方向觀察時上述噴嘴重疊於上述主表面周緣之周緣位置之間移動。又，上述控制單元亦可藉由控制上述噴嘴移動單元，而使上述噴嘴沿著上述軌跡於自上述垂直方向觀察時上述噴嘴重疊於上述主表面周緣之第1周緣位置、與作為與上述第1周緣位置不同之位置，亦可在自上述垂直方向觀察時上述噴嘴重疊於上述主表面周緣之第2周緣位置之間移動。
於使噴嘴在中心位置與周緣位置之間移動之情形、及使噴嘴在第1周緣位置與第2周緣位置之間移動之情形中之任一情形時，均可使自所有行噴射出之處理液液滴依序衝撞於基板之主表面中央部。藉此，可良好地清洗基板之主表面中央部。又，於使噴嘴在中心位置與周緣位置之間移動之情形時，與使噴嘴在第1周緣位置與第2周緣位置之間移動之情形相比，噴嘴之移動範圍變窄。因此，藉由使噴嘴在中心位置與周緣位置之間移動，可有效地利用基板處理裝置內之空間。
本發明進而提供一種基板處理方法，其包含如下步驟：在具有如上述特徵之噴嘴與基板主表面呈對向之狀態下將處理液供給至上述噴嘴之上述供給口之步驟、及與供給上述處理液之步驟並行地對上述噴嘴之上述壓電元件施加電壓之步驟。根據本發明，可發揮與關於上述基板處理裝置之發明而敍述之效果相同的效果。
又，本發明提供一種基板處理裝置，其包含：保持基板並使其旋 轉之基板保持旋轉單元；噴嘴，其使用以噴出處理液液滴之複數噴出口成行排列而配置為複數行，且朝向由上述基板保持旋轉單元保持之基板噴出處理液液滴；及噴嘴保持移動單元，其使上述噴嘴沿著自垂直於由上述基板保持旋轉單元保持之基板主表面之垂直方向觀察時通過上述主表面旋轉中心的軌跡移動，並且以自上述垂直方向觀察時複數上述行與上述軌跡交叉之方式保持上述噴嘴。
根據該構成，噴嘴保持移動單元使噴嘴沿著自垂直於基板主表面之方向觀察時通過上述主表面中心的軌跡移動。進而，噴嘴保持移動單元係以自垂直於基板主表面之方向觀察時由複數噴出口構成之複數行與軌跡交叉之方式保持噴嘴。即，於自垂直於基板主表面之方向觀察時，所有行均與軌跡交叉。因此，一面使處理液之液滴自噴嘴噴射，一面使噴嘴沿著上述軌跡移動，藉此可使自所有行噴射之處理液之液滴依序衝撞於基板之主表面中央部。藉此，可良好地清洗基板之主表面中央部。
於日本專利特開2011-29315號公報中，揭示有包含藉由對處理液賦予振動而生成處理液液滴的清洗頭之基板處理裝置。清洗頭包含設置有由複數噴出孔成行排列為複數行的筒狀體、與安裝於筒狀體之壓電元件。將處理液供給至筒狀體之內部。若對壓電元件施加交流電壓，則對筒狀體內之處理液賦予振動，自複數噴出孔噴射出處理液之液滴。於在該基板處理裝置中，進行基板之清洗處理時，一面使基板旋轉，一面使清洗頭於基板之中心部上方與端緣部上方之間掃描。此時，若清洗頭於與設置於清洗頭之噴出孔孔行之排列方向相同的方向進行掃描，則於基板之中心部，僅自設置於清洗頭之複數孔行中一部分孔行噴出的處理液之液滴供給至基板之中心部，因此基板之中心部有時 未充分地得到清洗。
上述基板處理裝置可實現針對如上所述之問題而提供解決單元，且可充分地清洗基板之整個面的基板處理裝置。
上述基板處理裝置亦可進而包含以如下之方式控制上述噴嘴保持移動單元之控制單元：以自上述垂直方向觀察時複數上述行依序重疊於上述主表面旋轉中心之方式，使上述噴嘴沿著上述軌跡而於自上述垂直方向觀察時上述噴嘴重疊於上述主表面旋轉中心之中心位置、與自上述垂直方向觀察時上述噴嘴重疊於上述主表面周緣之周緣位置之間移動。
根據該構成，可使自所有行噴射出之處理液之液滴依序衝撞於基板之主表面中央部。藉此，可良好地清洗基板之主表面中央部。又，於使噴嘴在中央位置與周緣位置之間移動之情形時，與使噴嘴在第1周緣位置及與第1周緣位置不同之第2周緣位置之間移動之情形相比，噴嘴之移動範圍更窄。因此，藉由使噴嘴在中心位置與周緣位置之間移動，可有效地利用基板處理裝置內之空間。
上述噴嘴包含：本體，其分別對應於複數上述行設置有沿著上述行使處理液流通且連接於上述噴出口之處理液流路；及壓電元件，其對在上述處理液流路中流通之處理液賦予振動；該噴嘴亦可進而包含對上述壓電元件施加電壓之電壓施加單元。
根據該構成，使處理液於處理液流路中流通，並且藉由電壓施加單元對壓電元件施加電壓，藉此可使複數處理液液滴自噴嘴噴射。藉此，可使處理液之液滴衝撞由基板保持單元保持之基板，而藉由液滴之動能物理地去除附著於基板之異物。進而，例如，藉由控制供給至噴嘴之處理液之壓力及壓電元件之振動，可抑制液滴之大小及速度之 偏差。因此，可進行良好之清洗。
進而，本發明提供一種基板處理方法，其包含如下步驟：基板保持旋轉步驟，其保持基板並使其旋轉；及噴嘴移動步驟，其使用以噴出處理液液滴之複數噴出口成行排列而配置為複數行且朝向基板噴出處理液液滴的噴嘴，沿著自垂直於基板主表面之垂直方向觀察時通過上述主表面之旋轉中心的軌跡移動；且於上述噴嘴移動步驟中，以自上述垂直方向觀察時複數上述行與上述軌跡交叉之方式保持上述噴嘴。利用該方法，可充分地清洗基板之整個面。
上述噴嘴移動步驟亦可以自上述垂直方向觀察時複數上述行依序重疊於上述主表面旋轉中心之方式，使上述噴嘴沿著上述軌跡而於自上述垂直方向觀察時上述噴嘴重疊於上述主表面旋轉中心之中心位置、與自上述垂直方向觀察時上述噴嘴重疊於上述主表面周緣之周緣位置之間移動。
本發明中之上述或進而其他目的、特徵及效果可根據下文參照隨附圖式而敍述之實施形態之說明而更加明確。
1、201‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧旋轉夾頭(基板保持單元、基板保持旋轉單元)
3‧‧‧杯
4‧‧‧噴射嘴(噴嘴)
5、6‧‧‧淋洗液噴嘴
7‧‧‧控制裝置(控制單元)
8‧‧‧旋轉底座
9‧‧‧旋轉馬達
10‧‧‧處理液供給管
11‧‧‧處理液供給機構(處理液供給單元)
12‧‧‧排出閥
13‧‧‧處理液排出管
14‧‧‧壓電元件
15‧‧‧配線
16‧‧‧電壓施加機構(電壓施加單元)
17、217‧‧‧噴嘴移動機構(噴嘴移動單元、噴嘴保持移動單元)
18、218‧‧‧噴嘴臂
19‧‧‧旋動機構
20‧‧‧升降機構
21、23‧‧‧淋洗液閥
22、24‧‧‧淋洗液供給管
25、225‧‧‧撐桿
26‧‧‧本體
27‧‧‧遮罩
28‧‧‧密封層
29‧‧‧供給口
30‧‧‧排出口
31‧‧‧處理液流通路
32‧‧‧連接路
33、33a、33b‧‧‧噴出口
34‧‧‧上游側集合流路
35‧‧‧下游側集合流路
36‧‧‧分支流路(處理液流路)
37‧‧‧上游部
38‧‧‧下游部
39‧‧‧中游部
40‧‧‧減少部
41‧‧‧上側分割體(分割體)
42‧‧‧下側分割體(分割體)
43‧‧‧下側凹部
44‧‧‧上側凹部
A1‧‧‧旋轉軸線
C1‧‧‧中心
D1‧‧‧鉛直方向(垂直方向)
D2‧‧‧旋轉方向
Pc1、Pc201‧‧‧中心位置
Pe1、Pe201‧‧‧周緣位置
X1‧‧‧軌跡
L1‧‧‧行
W‧‧‧基板
圖1係表示本發明之第1實施形態之基板處理裝置之概略構成之示意圖。
圖2係本發明之第1實施形態之噴射嘴及與其相關聯之構成之俯視圖。
圖3係本發明之第1實施形態之噴射嘴之模式側視圖。
圖4係本發明之第1實施形態之噴射嘴之模式分解立體圖。
圖5係用以對設於本發明之第1實施形態之噴射嘴中的本體之構成進行說明之俯視圖。
圖6係沿著圖5中之VI-VI線之本體之剖面圖。
圖7係沿著圖5中之VII-VII線之本體之剖面圖。
圖8係將圖6之一部分放大之圖。
圖9A至圖9D係用以對由本發明之第1實施形態之基板處理裝置所進行之基板處理例進行說明之圖。
圖10係表示噴射嘴位於中心位置之狀態之俯視圖。
圖11係本發明之第2實施形態之噴射嘴及與其相關聯之構成之俯視圖。
圖12係表示噴射嘴到達中心位置之前之狀態之俯視圖。
圖13係表示噴射嘴位於中心位置之狀態之俯視圖。
圖1係表示本發明之第1實施形態之基板處理裝置1之概略構成之示意圖。圖2係本發明之第1實施形態之噴射嘴4及與其相關聯之構成之俯視圖。
該基板處理裝置1係逐片地處理半導體晶圓等圓形基板W之單片式基板處理裝置。基板處理裝置1包含：旋轉夾頭2(基板保持單元、基板保持旋轉單元)，其使基板W保持水平並使其旋轉；包圍旋轉夾頭2之筒狀杯3；噴射嘴4，其將處理液液滴供給至由旋轉夾頭2保持之基板W；第1淋洗液噴嘴5及第2淋洗液噴嘴6，其將淋洗液供給至由旋轉夾頭2保持之基板W；及控制裝置7(控制單元)，其控制旋轉夾頭2等設於基板處理裝置1的裝置之動作或閥之開關。噴射嘴4係本發明之噴嘴之一例。
旋轉夾頭2包含：旋轉底座8，其使基板W保持水平且可繞著通過該基板W中心的鉛直軸線旋轉；及旋轉馬達9，其使該旋轉底座8 繞著鉛直軸線旋轉。旋轉夾頭2既可為於水平方向夾持基板W並使該基板W保持水平之夾持式夾頭，亦可為藉由吸附作為非裝置形成面之基板W背面(下表面)，而使該基板W保持水平之真空式夾頭。於第1實施形態中，旋轉夾頭2係夾持式夾頭。旋轉馬達9係由控制裝置7控制。
噴射嘴4係以將複數之處理液液滴噴射至下方之方式構成。噴射嘴4經由處理液供給管10而連接於處理液供給機構11(處理液供給單元)。進而，噴射嘴4連接於插裝有排出閥12之處理液排出管13。處理液供給機構11係例如包含泵之機構。處理液供給機構11係始終在既定壓力(例如10MPa以下)下將處理液供給至噴射嘴4。作為自處理液供給機構11供給至噴射嘴4之處理液，可列舉例如純水(去離子水)、碳酸水或氨水與過氧化氫水之混合液等。控制裝置7可藉由控制處理液供給機構11，而將供給至噴射嘴4之處理液之壓力變更為任意之壓力。
又，如圖1所示，噴射嘴4包含配置於噴射嘴4內部之壓電元件14(piezo element)。壓電元件14經由配線15而連接於電壓施加機構16(電壓施加單元)。電壓施加機構16係例如包含反相器之機構。電壓施加機構16對壓電元件14施加交流電壓。當將交流電壓施加於壓電元件14時，則壓電元件14以與所施加之交流電壓之頻率相對應之頻率振動。控制裝置7可藉由控制電壓施加機構16，而將施加於壓電元件14之交流電壓之頻率變更為任意之頻率(例如數百KHz~數MHz)。因此，壓電元件14之振動頻率係由控制裝置7控制。
基板處理裝置1進而包含使噴射嘴4移動之噴嘴移動機構17(噴嘴保持移動單元)。噴嘴移動機構17包含保持噴射嘴4之噴嘴臂18、連 接於噴嘴臂18之旋動機構19及連接於旋動機構19之升降機構20。旋動機構19係例如包含馬達之機構。升降機構20係包含滾珠螺桿機構與驅動該滾珠螺桿機構之馬達的機構。旋動機構19使噴嘴臂18繞著設置於旋轉夾頭2周圍之鉛直旋轉軸線A1旋動。噴射嘴4與噴嘴臂18一起繞著旋轉軸線A1旋動。藉此，噴射嘴4於水平方向移動。另一方面，升降機構20使旋動機構19於鉛直方向D1升降。噴射嘴4及噴嘴臂18係與旋動機構19一起於鉛直方向D1升降。藉此，噴射嘴4於鉛直方向D1移動。
旋動機構19使噴射嘴4於包含旋轉夾頭2上方及與該上方分離之位置的水平面內水平移動。進而，如圖2所示，旋動機構19使噴射嘴4沿著沿由旋轉夾頭2保持之基板W上表面延伸的圓弧狀之軌跡X1而水平移動。該軌跡X1係將自垂直於由旋轉夾頭2保持之基板W上表面之垂直方向(第1實施形態中之鉛直方向D1)觀察時不重疊於基板W上表面之2個位置連結，且自鉛直方向D1觀察時通過基板W上表面之中心C1的曲線。若在噴射嘴4位於由旋轉夾頭2保持之基板W上方之狀態下，升降機構20使噴射嘴4下降，則噴射嘴4接近基板W上表面。當將自噴射嘴4噴射出之處理液之液滴供給至基板W時，在噴射嘴4接近基板W上表面之狀態下，控制裝置7藉由控制旋動機構19，而使噴射嘴4沿著軌跡X1水平移動。
如圖1所示，第1淋洗液噴嘴5連接於插裝有第1淋洗液閥21之第1淋洗液供給管22。淋洗液之朝向第1淋洗液噴嘴5之供給係藉由第1淋洗液閥21之開關而控制。供給至第1淋洗液噴嘴5之淋洗液係朝向由旋轉夾頭2保持之基板W上表面中央部噴出。另一方面，第2淋洗液噴嘴6連接於插裝有第2淋洗液閥23之第2淋洗液供給管24。 淋洗液之朝向第2淋洗液噴嘴6之供給係藉由第2淋洗液閥23之開關而控制。供給至第2淋洗液噴嘴6之淋洗液係自第2淋洗液噴嘴6噴出至下方。作為供給至第1淋洗液噴嘴5及第2淋洗液噴嘴6之淋洗液，可例示純水、碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水或稀濃度(例如10~100ppm左右)之鹽酸水等。
第2淋洗液噴嘴6係藉由撐桿25而固定於噴射嘴4。第2淋洗液噴嘴6與噴射嘴4一起於水平方向及鉛直方向D1移動。因此，第2淋洗液噴嘴6與噴射嘴4一起沿著軌跡X1水平移動。如圖2所示，噴射嘴4及第2淋洗液噴嘴6與由旋轉夾頭2所形成之基板W旋轉方向D2並列。供給至第2淋洗液噴嘴6之淋洗液既可朝向噴射嘴4之下方噴出，亦可供給至較自噴射嘴4將處理液之液滴供給至基板W上表面的供給位置而言，位於基板W之旋轉方向D2上游側且位於該供給位置之附近的位置。
圖3係本發明之第1實施形態之噴射嘴4之模式側視圖。圖4係本發明之第1實施形態之噴射嘴4之模式分解立體圖。
噴射嘴4包含噴出處理液之液滴之本體26、安裝於本體26之遮罩27、由遮罩27覆蓋之壓電元件14及介於本體26與遮罩27之間之密封層28。本體26及遮罩27中之任一者均由具有抗藥性之材料形成。於第1實施形態中，本體26係例如由石英所形成。遮罩27係例如由氟系樹脂所形成。密封層28係例如由EPDM(乙烯-丙烯-二烯橡膠)等具有彈力之樹脂材料所形成。本體26具有可耐高壓之強度。本體26之一部分與壓電元件14係收容於遮罩27之內部。配線15之端部係藉由例如焊錫(solder)而在遮罩27之內部連接於壓電元件14。遮罩27之內部係由密封層28密閉。
圖5係用以對設於本發明之第1實施形態之噴射嘴4中的本體26之構成進行說明之俯視圖。圖6係沿著圖5中VI-VI線之本體26剖面圖。圖7係沿著圖5中VII-VII線之本體26剖面圖。圖8係將圖6之一部分放大之圖。以下，參照圖5及圖6。又，於以下之說明中，適當參照圖1、圖2、圖4、圖7及圖8。
本體26包含供給處理液之供給口29、排出供給至供給口29之處理液之排出口30、連接供給口29與排出口30之處理液流通路31、連接於處理液流通路31之複數連接路32及分別連接於複數連接路32之複數噴出口33。處理液流通路31及連接路32係設置於本體26之內部。供給口29、排出口30及噴出口33係於本體26之表面開口。供給口29及排出口30係相較噴出口33位於更上方。本體26之下表面例如為平坦面，噴出口33係於本體26之下表面呈開口。處理液供給管10及處理液排出管13係分別連接於供給口29及排出口30。於處理液供給管10中流動之處理液係供給至供給口29。又，自排出口30噴出之處理液係排出至處理液排出管13。
處理液流通路31包含連接於供給口29之上游側集合流路34、連接於排出口30之下游側集合流路35、及連接於上游側集合流路34及下游側集合流路35之2個分支流路36(處理液流路)。上游側集合流路34及下游側集合流路35分別自供給口29及排出口30朝向下方鉛直地延伸。各分支流路36之一端連接於上游側集合流路34之下端，各分支流路36之另一端連接於下游側集合流路35之下端。上游側集合流路34之下端係分支位置，下游側集合流路35之下端係集合位置。2個分支流路36係自分支位置朝向集合位置水平地延伸。如圖5所示，2個分支流路36係具有向外側凸出之圓弧狀之4個角部之俯視長方形 狀。2個分支流路36係與上游側集合流路34及下游側集合流路35正交。除下述之中游部39以外，處理液流通路31之剖面形狀係例如直徑為數mm以下之圓形。
各分支流路36包含連接於上游側集合流路34之下端之上游部37、連接於下游側集合流路35之下端之下游部38、及連接於上游部37及下游部38之中游部39。如圖5所示，2個上游部37係自上游側集合流路34之下端相互向相反側延伸。同樣地，2個下游部38係自下游側集合流路35之下端相互向相反側延伸。中游部39係自上游部37朝向下游部38呈直線狀延伸。2個中游部39平行。各中游部39並不限定於直線狀，亦可呈曲線狀延伸。各中游部39之至少一部分位於壓電元件14之下方。將來自壓電元件14之振動賦予至在各中游部39中流動之處理液。又，中游部39之流路面積大於上游部37及下游部38之流路面積。上游部37及下游部38與中游部39係以流路面積持續發生變化之方式連接。如圖7所示，各中游部39具有於水平方向較長的橢圓狀之剖面形狀(與中游部39正交之剖面形狀)。各中游部39連接於複數連接路32。
如圖6所示，各連接路32係自中游部39之下部朝向下方鉛直地延伸。連接路32係與中游部39正交。各噴出口33經由連接路32而連接於任一個分支流路36。連接路32之剖面形狀係例如直徑為數mm以下之圓形。噴出口33係具有直徑數μm~數十μm之微細孔。連接路32之流路面積小於分支流路36之流路面積。噴出口33之流路面積小於連接路32之流路面積。如圖7所示，連接路32包含流路面積隨著靠近噴出口33而持續減少的圓錐狀之減少部40。噴出口33連接於相當於連接路32下端的減少部40下端。相對應之連接路32與噴出口 33係同軸。如圖5所示，連接於相同之分支流路36之複數噴出口33構成2行L1。因此，於第1實施形態中，複數噴出口33構成4行L1。
各行L1係由複數(例如十個以上)之噴出口33構成。各行L1係沿著對應之分支流路36呈直線狀延伸。各行L1並不限定於直線狀，亦可呈曲線狀延伸。4行L1平行。與相同之分支流路36相對應之2行L1鄰接。該2行L1之間隔例如為數mm以下。構成相同之行L1之複數噴出口33係等間隔排列。於相同之行L1中鄰接之2個噴出口33之間隔為例如數mm以下，且於任一行L1中均固定。如圖8所示，於與相同之分支流路36相對應之2行L1中，構成一行L1之複數噴出口33(圖8之噴出口33a)與構成另一行L1之複數噴出口33(圖8之噴出口33b)係以於自與2個行L1正交之水平之方向觀察時交替地排列之方式配置。因此，如圖5所示，與相同之分支流路36相對應之2行L1係於分支流路36之長度方向錯開。
如圖2所示，噴嘴移動機構17使噴射嘴4沿著圓弧狀之軌跡X1水平移動。噴嘴臂18係以自鉛直方向D1觀察時一中游部39沿著軌跡X1之切線的方式保持噴射嘴4。因此，與一中游部39相對應之2行L1係沿著軌跡X1之切線延伸。另一方面，另一中游部39係配置於軌跡X1之內側或外側。若噴嘴移動機構17使噴射嘴4沿著軌跡X1水平移動，則與一中游部39相對應之2行L1沿著軌跡X1移動。
又，如圖4所示，本體26包含上側分割體41(分割體)與下側分割體42(分割體)。上側分割體41及下側分割體42中之任一者均由石英形成。上側分割體41配置於下側分割體42之上方。上側分割體41及下側分割體42係藉由例如焊接而結合。複數分支流路36係設置於上側分割體41與下側分割體42之間。即，如圖6所示，於下側分割體 42上表面，形成有自下側分割體42上表面向下方凹陷之下側凹部43；於上側分割體41下表面，形成有自上側分割體41下表面向上方凹陷之上側凹部44。上側分割體41及下側分割體42係以上側凹部44與下側凹部43上下重疊之狀態而結合。處理液流通路31及連接路32係由上側凹部44與下側凹部43所構成。
處理液供給機構11(參照圖1)係始終在高壓下將處理液供給至噴射嘴4。經由處理液供給管10自處理液供給機構11供給至供給口29之處理液，係供給至處理液流通路31。於排出閥12(參照圖1)關閉之狀態下，處理液流通路31中處理液之壓力(液壓)充分提高。因此，於排出閥12關閉之狀態下，藉由液壓而自各噴出口33噴射出處理液。進而，若於排出閥12關閉之狀態下，對壓電元件14施加交流電壓，則對在分支流路36中流動之處理液賦予壓電元件14之振動，自各噴出口33噴射之處理液因該振動而分斷。因此，若於排出閥12關閉之狀態下，對壓電元件14施加交流電壓，則處理液液滴係自各噴出口33噴射。藉此，粒徑均勻之多數處理液液滴係以均勻之速度同時噴射。
另一方面，於排出閥12打開之狀態下，供給至處理液流通路31之處理液係自排出口30排出至處理液排出管13。又，由於噴出口33之直徑非常小，故而連接路32與噴出口33之連接部中之壓力損失較大。於排出閥12打開之狀態下，處理液流通路31中之液壓未充分上升。因此，於排出閥12打開之狀態下，供給至處理液流通路31之處理液係自排出口30排出至處理液排出管13，而未自複數噴出口33噴出處理液。因此，來自噴出口33之處理液之噴出係藉由排出閥12之開關而控制。控制裝置7係於在基板W之處理中未使用噴射嘴4之期間(噴射嘴4之待機中)，打開排出閥12。因此，即便於噴射嘴4之待 機中，亦可維持處理液在噴射嘴4之內部流通之狀態。
圖9A~圖9D係用以對由本發明之第1實施形態之基板處理裝置1進行之基板W之處理例進行說明之圖。圖10係表示噴射嘴4位於中心位置Pc1之狀態之俯視圖。以下，參照圖1及圖9A~圖9D。又，於以下之說明中，適當參照圖2及圖10。
未處理之基板W係由未圖示之搬送機器人搬送，使作為裝置形成面之表面朝向例如上方而載置於旋轉夾頭2上。繼而，控制裝置7係藉由控制旋轉夾頭2，而藉由旋轉夾頭2保持基板W。然後，控制裝置7控制旋轉馬達9，使由旋轉夾頭2保持之基板W旋轉。於基板W被搬送至旋轉夾頭2上時，控制裝置7使噴射嘴4等自旋轉夾頭2之上方退避。
繼而，進行第1遮罩淋洗處理，即，自第1淋洗液噴嘴5將作為淋洗液一例之純水供給至基板W，利用純水覆蓋基板W上表面。具體而言，控制裝置7一面藉由旋轉夾頭2使基板W旋轉，一面打開第1淋洗液閥21，如圖9A所示，使純水自第1淋洗液噴嘴5朝向由旋轉夾頭2保持之基板W上表面中央部噴出。自第1淋洗液噴嘴5噴出之純水係供給至基板W上表面中央部，受到基板W旋轉所產生之離心力之作用而沿著基板W上表面向外側擴散。藉此，將純水供給至基板W上表面整個區域，從而基板W上表面整個區域由純水覆蓋。繼而，當打開第1淋洗液閥21之後經過既定時間時，控制裝置7關閉第1淋洗液閥21而停止自第1淋洗液噴嘴5噴出純水。
繼而，同時進行自噴射嘴4將作為處理液一例之純水液滴供給至基板W而清洗基板W的清洗處理、與自第2淋洗液噴嘴6將作為淋洗液一例之純水供給至基板W而利用純水覆蓋基板W上表面的第2 遮罩淋洗處理。具體而言，控制裝置7係藉由控制噴嘴移動機構17，使噴射嘴4移動至旋轉夾頭2上方，並且使噴射嘴4接近基板W上表面。然後，控制裝置7一面藉由旋轉夾頭2使基板W旋轉，一面打開第2淋洗液閥23，如圖9B所示，自第2淋洗液噴嘴6朝向噴射嘴4下方噴出純水。於該狀態下，控制裝置7關閉排出閥12，並且控制電壓施加機構16，對噴射嘴4之壓電元件14施加既定頻率之交流電壓。
控制裝置7係藉由控制噴嘴移動機構17，而在關閉排出閥12且對壓電元件14施加既定頻率之交流電壓之狀態下，使噴射嘴4沿著軌跡X1水平移動。具體而言，如圖2及圖9B所示，控制裝置7使噴射嘴4於中心位置Pc1與周緣位置Pe1之間往復多次。中心位置Pc1係自鉛直方向D1觀察時噴射嘴4與基板W上表面之中心C1呈重疊之位置，周緣位置Pe1係自鉛直方向D1觀察時噴射嘴4與基板W之周緣重疊之位置。如圖10所示，於噴射嘴4位於中心位置Pc1之狀態下，自鉛直方向D1觀察時一中游部39與基板W上表面之中心C1重疊。進而，如圖2所示，於噴射嘴4位於中心位置Pc1與周緣位置Pe1之間之狀態下，於基板W之旋轉方向D2，第2淋洗液噴嘴6位於噴射嘴4之上游側。因此，控制裝置7使噴射嘴4在於基板W之旋轉方向D2第2淋洗液噴嘴6位於噴射嘴4上游側之範圍內移動。
如上所述，若於排出閥12關閉之狀態下，對壓電元件14施加交流電壓，則多數之純水之液滴自噴射嘴4噴射至下方。藉此，將多數純水液滴供給至由純水覆蓋之基板W上表面。因此，噴嘴移動機構17係藉由使噴射嘴4於中心位置Pc1與周緣位置Pe1之間移動，將自噴射嘴4噴射出之多數液滴供給至基板W上表面整個區域。又，供給至第2淋洗液噴嘴6之純水係朝向噴射嘴4下方噴出。因此，自噴射嘴4 噴射出之純水之液滴係噴附至由自第2淋洗液噴嘴6噴出之純水覆蓋的基板W上表面之一部分。因此，自噴射嘴4噴射出之多數液滴衝撞由純水覆蓋之基板W上表面。
附著於基板W上表面上之顆粒等異物，係藉由噴附至基板W上表面之液滴動能而物理地去除。藉此，清洗基板W上表面。進而，由於將純水之液滴噴附至由純水覆蓋之基板W上表面，故而可抑制或防止基板W上表面受損。進而，由於將純水之液滴噴附至由純水覆蓋之基板W上表面，故而可抑制或防止藉由液滴之衝撞而自基板W上表面剝落之異物再次附著於基板W上表面。當清洗處理及第2遮罩淋洗處理進行既定時間時，則控制裝置7打開排出閥12並且關閉第2淋洗液閥23，停止自噴射嘴4及第2淋洗液噴嘴6噴出純水。
繼而，進行淋洗處理，即，自第1淋洗液噴嘴5將作為淋洗液一例之純水供給至基板W，洗去附著於基板W之純水，或者，於自第2淋洗液噴嘴6噴出化學藥品作為淋洗液之情形時係洗去上述化學藥品。具體而言，控制裝置7一面藉由旋轉夾頭2使基板W旋轉，一面打開第1淋洗液閥21，如圖9C所示，自第1淋洗液噴嘴5朝向由旋轉夾頭2保持之基板W上表面中央部噴出純水。自第1淋洗液噴嘴5噴出之純水係供給至基板W上表面中央部，受到基板W旋轉所產生之離心力之作用而沿著基板W上表面向外側擴散。藉此，將純水供給至基板W上表面整個區域，而洗去自噴射嘴4及第2淋洗液噴嘴6供給至基板W之純水或化學藥品。繼而，當第1淋洗液閥21打開之後經過既定時間時，則控制裝置7關閉第1淋洗液閥21而停止自第1淋洗液噴嘴5噴出純水。
繼而，進行使基板W乾燥之乾燥處理(旋轉乾燥)。具體而言，控 制裝置7控制旋轉馬達9，使基板W以高旋轉速度(例如數千rpm)旋轉。藉此，對附著於基板W之純水作用較大之離心力，如圖9D所示，將附著於基板W之純水甩至基板W周圍。以上述之方式，自基板W去除純水，而使基板W乾燥。繼而，進行乾燥處理既定時間之後，控制裝置7控制旋轉馬達9，使由旋轉夾頭2所形成之基板W之旋轉停止。然後，藉由搬送機器人將處理結束之基板W自旋轉夾頭2搬出。
如上所述，於第1實施形態中，自處理液供給機構11將處理液供給至噴射嘴4，並且藉由電壓施加機構16對壓電元件14施加電壓，藉此可使複數處理液之液滴自噴射嘴4噴射。藉此，可使處理液之液滴衝撞由旋轉夾頭2保持之基板W，而藉由液滴之動能物理地去除附著於基板W之異物。進而，藉由控制供給至噴射嘴4之處理液之壓力及壓電元件14之振動，可抑制液滴之大小及速度之偏差。因此，可進行良好之清洗。
又，於第1實施形態中，設置於噴射嘴4之本體26之處理液流通路31包含複數分支流路36。藉由使處理液流通路31形成分支，可增加處理液流通路31之總長。因此，可將更多之噴出口33個別地連接於處理液流通路31。藉此，可使更多之液滴同時自噴射嘴4噴射。進而，由於可抑制或防止最大流路面積之增加，故而可抑制噴射嘴4之大型化。進而，由於複數噴出口33沿著相對應之分支流路36排列，故而可抑制最大流路面積之增加。藉此，可抑制噴射嘴4之大型化。
又，於第1實施形態中，噴射嘴4之本體26係由石英所形成。石英之強度例如高於樹脂。因此，藉由利用石英形成本體26，可確保噴射嘴4之強度，並且抑制噴射嘴4之大型化。進而，石英具有抗藥性。因此，藉由利用石英形成本體26，可抑制或防止噴射嘴4之腐蝕。
又，於第1實施形態中，用以對壓電元件14施加電壓之配線15係於遮罩27內連接於壓電元件14。因此，壓電元件14及配線15係由遮罩27保護。因此，即便於在化學藥品環境中使用噴射嘴4之情形時，亦可抑制或防止壓電元件14及配線15暴露於化學藥品環境中。藉此，可抑制或防止因與化學藥品之接觸而使壓電元件14及配線15腐蝕。
又，於第1實施形態中，連接分支流路36與噴出口33之連接路32係設置於噴射嘴4之本體26。於分支流路36中流動之處理液通過連接路32而自噴出口33噴出。連接路32包含流路面積隨著靠近噴出口33而減少之減少部40。減少部40之流路面積係隨著靠近噴出口33而持續減少。因此，可減少連接路32中處理液壓力的下降。即，可減少連接路32中之壓力損失。進而，由於減少部40之流路面積持續減少，故而可抑制或防止連接路32中之應力集中。
又，於第1實施形態中，藉由使上側分割體41及下側分割體42結合，而形成有本體26。上側分割體41及下側分割體42係於相互結合之前個別地成形。即，於使上側分割體41及下側分割體42相互結合之前，分別於上側分割體41及下側分割體42形成有構成處理液流通路31及連接路32之上側凹部44及下側凹部43。由於設置於連接路32之減少部40之流路面積隨著靠近噴出口33而減少，故而難以自噴出口33側起形成減少部40。另一方面，若在使上側分割體41及下側分割體42結合之前，則可自分支流路36側起形成減少部40。因此，可容易地形成減少部40。
又，於第1實施形態中，於噴射嘴4之排出口30連接有處理液排出管13，於該處理液排出管13插裝有排出閥12。於排出閥12關閉之狀態下，供給至噴射嘴4之供給口29之處理液通過處理液流通路31， 自複數噴出口33噴出。又，於排出閥12打開之狀態下，供給至噴射嘴4之供給口29之處理液通過處理液流通路31且自排出口30排出。因此，即便於排出閥12關閉之狀態及排出閥12打開之狀態中之任一狀態下，均可防止處理液停留於處理液流通路31。藉此，可抑制或防止因處理液之滯留而在噴射嘴4內產生細菌。因此，可抑制或防止將含有細菌之處理液之液滴供給至基板W從而污染基板W。
又，於第1實施形態中，在與相同之分支流路36相對應之2行L1中，構成一行L1之複數噴出口33與構成另一行L1之複數噴出口33，係以於自與2個行L1正交之水平之方向觀察時交替地排列之方式配置。即，於不同之2行L1中，一行L1包含自與該2行L1正交之任一方向觀察時均不與構成另一行L1之噴出口33重疊之方式配置的噴出口33。因此，於一面自噴射嘴4將複數處理液之液滴供給至基板W上表面而一面使噴射嘴4移動時，於基板W上表面中處理液液滴衝撞之範圍擴大，並且將處理液液滴均勻地供給至基板W上表面。因此，可縮短基板W清洗所需時間，並且可提高清洗之均勻性。
繼而，對本發明之第2實施形態進行說明。該第2實施形態與上述第1實施形態之主要之不同點係噴射嘴4之配置不同。即，於第1實施形態中，只有一部分行L1與軌跡X1交叉，與此相對，於第2實施形態中，所有行L1均與軌跡X1交叉。於以下之圖11~圖13中，對於與上述圖1~圖10所示之各部同等之構成部分，標註與圖1等相同之參照符號並省略其說明。
圖11係本發明之第2實施形態之噴射嘴4及與其相關聯之構成之俯視圖。圖12係表示噴射嘴4到達中心位置Pc201之前之狀態之俯視圖。圖13係表示噴射嘴4位於中心位置Pc201之狀態之俯視圖。
第2實施形態之基板處理裝置201中，除噴嘴臂及撐桿以外，具有與第1實施形態之基板處理裝置1相同之構成。即，如圖11所示，設於基板處理裝置201之噴嘴移動機構217(噴嘴移動單元)包含噴嘴臂218。噴嘴臂218係以自垂直於由旋轉夾頭2保持之基板W上表面的垂直方向(第2實施形態中之鉛直方向D1)觀察時4行L1與軌跡X1交叉之方式保持噴射嘴4。第2淋洗液噴嘴6係藉由撐桿225而固定於噴射嘴4。噴射嘴4及第2淋洗液噴嘴6與由旋轉夾頭2所形成之基板W之旋轉方向D2。
於使處理液之液滴自噴射嘴4噴出而清洗基板W時，控制裝置7一面藉由旋轉夾頭2使基板W旋轉，一面使噴射嘴4於自鉛直方向D1觀察時噴射嘴4與基板W上表面之中心C1重疊之中心位置Pc201、與自鉛直方向D1觀察時噴射嘴4與基板W周緣重疊之周緣位置Pe201之間往復多次。如圖13所示，中心位置Pc201係於自鉛直方向D1觀察時位於周緣位置Pe201側之中游部39重疊於基板W上表面之中心C1的位置。於噴射嘴4位於中心位置Pc201之狀態下，與位於周緣位置Pe201側之中游部39相對應的2行L1係與中心C1上之軌跡X1之切線正交。如圖11所示，於噴射嘴4位於中心位置Pc201與周緣位置Pe201之間之狀態下，於基板W之旋轉方向D2第2淋洗液噴嘴6位於噴射嘴4上游側。因此，控制裝置7使噴射嘴4於在基板W旋轉方向D2第2淋洗液噴嘴6位於噴射嘴4之上游側之範圍內移動。
又，如圖12所示，於噴射嘴4到達中心位置Pc201之前，位於周緣位置Pe201相反側之中游部39係於自鉛直方向D1觀察時重疊於基板W上表面之中心C1。又，如圖13所示，於噴射嘴4位於中心位置Pc201之狀態下，位於周緣位置Pe201側之中游部39係於自鉛直方向 D1觀察時重疊於基板W上表面之中心C1。因此，控制裝置7係以自鉛直方向D1觀察時所有行L1依序重疊於基板W上表面之中心C1之方式，使噴射嘴4沿著軌跡X1而於中心位置Pc201與周緣位置Pe201之間移動。
如上所述，於第2實施形態中，噴嘴移動機構217係以自鉛直方向D1觀察時由複數噴出口33構成之複數行L1與軌跡X1交叉之方式保持噴射嘴4。即，於自鉛直方向D1觀察時，所有行L1均與軌跡X1交叉。因此，一面使處理液液滴自噴射嘴4噴射，一面使噴射嘴4沿著軌跡X1移動，藉此可使自所有行L1噴射出之處理液之液滴依序衝撞基板W之上表面中央部。另一方面，例如，如上述第1實施形態般，並非所有行L1均與軌跡X1交叉之情形時，僅將自一部分行L1(於第1實施形態中，與一中游部39相對應之2個行L1)噴射出之處理液液滴供給至基板W上表面中央部。因此，藉由使所有行L1均與軌跡X1交叉，可增加液滴對於基板W上表面中央部之衝撞次數。藉此，可良好地清洗基板W上表面中央部。
又，於第2實施形態中，控制裝置7使噴射嘴4於中心位置Pc201與周緣位置Pe201之間移動。因此，與使噴射嘴4於自鉛直方向D1觀察時噴射嘴4重疊於基板W上表面周緣之2個位置(第1周緣位置及第2周緣位置)之間移動之情形相比，噴射嘴4之移動範圍較窄。進而，由於控制裝置7使噴射嘴4於中心位置Pc201與周緣位置Pe201之間移動，故而可使第2淋洗液噴嘴6於基板W旋轉方向D2始終位於噴射嘴4之上游側。因此，可預先將自第2淋洗液噴嘴6噴出之淋洗液供給至噴附有處理液液滴之基板W上表面之一部分。藉此，可藉由淋洗液確實地保護噴附有處理液液滴之基板W上表面之一部分。
以上係本發明之實施形態之說明，但本發明並不限定於上述第1及第2實施形態之內容，可在申請專利範圍記載之範圍內進行多種變更。
例如，於上述第1及第2實施形態中，對處理液流通路31包含2個分支流路36之情形進行說明，但處理液流通路31亦可包含3個以上之分支流路36。
又，於上述第1及第2實施形態中，對在一個分支流路36中設置有2行L1之情形進行說明，但設置於一個分支流路36之行L1之數量既可為1個，亦可為3個以上。
又，於上述第1及第2實施形態中，對在2個分支流路36中分別設置有2行L1之情形進行說明，但設置於各分支流路36之行L1之數量亦可不同。
又，於上述第1及第2實施形態中，對複數分支流路36於作為分支位置之上游側集合流路34下端分支、於作為集合位置之下游側集合流路35之下端集合之情形進行說明，但亦可於分支位置與集合位置之間設置分支．集合位置。即，於分支位置形成分支之複數分支流路36亦可於分支．集合位置集合並且再次形成分支，並於集合位置再次集合。
又，於上述第1及第2實施形態中，對在相同之行L1中鄰接之2個噴出口33之間隔於任一行L1中均固定之情形進行說明，但亦可設置有包含以與其他行L1不同之間隔排列之2個噴出口33之行L1。
又，於上述第1及第2實施形態中，對構成相同之行L1之複數噴出口33以等間隔排列之情形進行說明，但構成相同之行L1之複數噴出口33亦可不以等間隔排列。
又，於上述第1及第2實施形態中，對在本體26之上表面安裝有1個壓電元件14之情形進行說明，但亦可於本體26安裝複數壓電元件14。於此情形時，較佳為以壓電元件14之振動之相位一致之方式，對複數壓電元件14施加交流電壓。又，壓電元件14相對於本體26之安裝位置並不限定於本體26上表面，亦可為本體26之側面等上表面以外之位置。具體而言，亦可將所有壓電元件14安裝於本體26之側面。又，於將複數壓電元件14安裝於本體26之情形時，亦可將壓電元件14安裝於本體26上表面及側面。
又，於上述第1及第2實施形態中，對軌跡X1為曲線之情形進行說明，但軌跡X1亦可為直線。即，軌跡X1亦可為沿著由旋轉夾頭2保持之基板W上表面延伸，且自垂直於基板W上表面之垂直方向觀察時通過基板W上表面之中心C1的直線。
又，於上述第1及第2實施形態中，對基板處理裝置1、201為對半導體晶圓等圓形基板進行處理之裝置之情形進行說明，但基板處理裝置1、201亦可為對液晶顯示裝置用玻璃基板等多邊形基板進行處理之裝置。
進而，於上述第2實施形態中，噴射嘴4係以於噴射嘴4位於中心位置Pc201之狀態下，與位於周緣位置Pe201側之中游部39相對應之2行L1與中心C1中軌跡X1切線正交之方式，由噴嘴臂18保持。然而，噴射嘴4亦可以4行L1與軌跡X1交叉之方式保持，例如，亦可以2行L1相對於中心C1中軌跡X1切線傾斜之方式由噴嘴臂18保持噴射嘴4。
以上已詳細說明本發明之實施形態，但其等只是為了使本發明之技術內容明確所使用之具體例，本發明並不限定於解釋為該等具體 例，本發明之範圍僅由隨附之申請專利範圍限定。
本申請案係對應於2011年3月1日由日本專利廳提出之日本專利特願2011-044375號及2011年3月30日由日本專利廳提出之日本專利特願2011-075660號，該等申請案之所有揭示係以引用之形式而寫入此文中。
4‧‧‧噴射嘴(噴嘴)
14‧‧‧壓電元件
26‧‧‧本體
29‧‧‧供給口
30‧‧‧排出口
31‧‧‧處理液流通路
32‧‧‧連接路
33‧‧‧噴出口
34‧‧‧上游側集合流路
35‧‧‧下游側集合流路
36‧‧‧分支流路(處理液流路)
37‧‧‧上游部
38‧‧‧下游部
39‧‧‧中游部
41‧‧‧上側分割體(分割體)
L1‧‧‧行

Claims (18)

  1. 一種噴嘴，其係噴出對基板進行處理之處理液之液滴者，上述噴嘴包含本體與壓電元件，上述本體係由含有石英之材料形成，其包含：供給口，用以供給處理液；排出口，用以排出供給至上述供給口之處理液；處理液流通路，其包含於上述供給口與上述排出口之間形成分支，且於上述供給口與上述排出口之間集合的複數分支流路，用以連接上述供給口與上述排出口；及複數噴出口，其構成為分別與上述複數分支流路相對應之複數行，沿著對應之上述分支流路排列，並且連接於對應之上述分支流路；且上述壓電元件係以對在上述複數分支流路中流動之處理液賦予振動之方式構成。
  2. 如申請專利範圍第1項之噴嘴，其中，更包含覆蓋上述壓電元件之遮罩、及於上述遮罩內連接於上述壓電元件之配線。
  3. 如申請專利範圍第1項之噴嘴，其中，上述本體更包含連接上述分支流路與上述噴出口之連接路，上述連接路包含流路面積隨著靠近上述噴出口而減少之減少部。
  4. 如申請專利範圍第3項之噴嘴，其中，上述處理液流通路及連接路係設置於上述本體之內部，上述本體包含相互結合之複數分割體。
  5. 一種基板處理裝置，其包含：保持基板之基板保持單元； 朝向由上述基板保持單元保持之基板噴出處理液液滴的申請專利範圍第1至4項中任一項之噴嘴；將處理液供給至上述噴嘴之供給口之處理液供給單元；及對上述噴嘴之壓電元件施加電壓之電壓施加單元。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，更包含噴嘴移動單元，該噴嘴移動單元係沿著由上述基板保持單元保持之基板的主表面延伸，使上述噴嘴沿著自垂直於上述主表面之垂直方向觀察時通過上述主表面之中心的軌跡移動，並且以自上述垂直方向觀察時由上述複數噴出口構成之複數行與上述軌跡交叉之方式保持上述噴嘴。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中，更包含控制單元，該控制單元係藉由控制上述噴嘴移動單元，以自上述垂直方向觀察時上述複數行依序重疊於上述主表面的中心之方式，使上述噴嘴沿著上述軌跡，於自上述垂直方向觀察時上述噴嘴重疊於上述主表面的中心之中心位置、與自上述垂直方向觀察時上述噴嘴重疊於上述主表面的周緣之周緣位置之間移動。
  8. 一種基板處理裝置，其包含：保持基板之基板保持單元；具有供給處理液之供給口、本體及壓電元件，且朝向由上述基板保持單元保持之基板噴出處理液液滴的噴嘴；將處理液供給至上述噴嘴之供給口之處理液供給單元；以及對上述噴嘴之壓電元件施加電壓之電壓施加單元；其中，上述本體包含：供給口，用以供給處理液；排出口，用以排出供給至上述供給口之處理液； 處理液流通路，其包含於上述供給口與上述排出口之間形成分支，且於上述供給口與上述排出口之間集合的複數分支流路，用以連接上述供給口與上述排出口；以及複數噴出口，其構成為分別與上述複數分支流路相對應之複數行，沿著對應之上述分支流路排列，並且連接於對應之上述分支流路；上述壓電元件係以對在上述複數分支流路中流動之處理液賦予振動之方式構成。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，上述噴嘴更包含覆蓋上述壓電元件之遮罩、及於上述遮罩內連接於上述壓電元件之配線。
  10. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，上述本體更包含連接上述分支流路與上述噴出口之連接路，上述連接路包含流路面積隨著靠近上述噴出口而減少之減少部。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，上述處理液流通路及連接路係設置於上述本體之內部，上述本體包含相互結合之複數分割體。
  12. 如申請專利範圍第8至11項中任一項之基板處理裝置，其中，更包含噴嘴移動單元，該噴嘴移動單元係沿著由上述基板保持單元所保持之基板的主表面延伸，使上述噴嘴沿著自垂直於上述主表面之垂直方向觀察時通過上述主表面之中心的軌跡移動，並且以自上述垂直方向觀察時由上述複數噴出口構成之複數行與上述軌跡交叉之方式保持上述噴嘴。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，更包含控制單元，該控制單元係藉由控制上述噴嘴移動單元，以自上述垂直方向觀 察時上述複數行依序重疊於上述主表面的中心之方式，使上述噴嘴沿著上述軌跡，於自上述垂直方向觀察時上述噴嘴重疊於上述主表面的中心之中心位置、與自上述垂直方向觀察時上述噴嘴重疊於上述主表面的周緣之周緣位置之間移動。
  14. 一種基板處理方法，其包含如下步驟：在申請專利範圍第1至4項中任一項之噴嘴與基板主表面呈對向之狀態下，將處理液供給至上述噴嘴之上述供給口；及與供給上述處理液之步驟並行地對上述噴嘴之上述壓電元件施加電壓。
  15. 一種基板處理方法，其包含如下步驟：在具有供給處理液之供給口、本體及壓電元件的噴嘴與基板的主表面呈對向之狀態下，將處理液供給至上述噴嘴之上述供給口；以及與供給上述處理液之步驟並行地對上述噴嘴之上述壓電元件施加電壓；其中，上述本體包含：供給口，用以供給處理液；排出口，用以排出供給至上述供給口之處理液；處理液流通路，其包含於上述供給口與上述排出口之間形成分支，且於上述供給口與上述排出口之間集合的複數分支流路，用以連接上述供給口與上述排出口；以及複數噴出口，其構成為分別與上述複數分支流路相對應之複數行，沿著對應之上述分支流路排列，並且連接於對應之上述分支流路；上述壓電元件係以對在上述複數分支流路中流動之處理液賦予振動之方式構成。
  16. 如申請專利範圍第15項之基板處理方法，其中，上述噴嘴更包含覆蓋上述壓電元件之遮罩、及於上述遮罩內連接於上述壓電元件之配線。
  17. 如申請專利範圍第15項之基板處理方法，其中，上述本體更包含連接上述分支流路與上述噴出口之連接路，上述連接路包含流路面積隨著靠近上述噴出口而減少之減少部。
  18. 如申請專利範圍第17項之基板處理方法，其中，上述處理液流通路及連接路係設置於上述本體之內部，上述本體包含相互結合之複數分割體。
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101969307B1 (ko) 2012-09-07 2019-04-17 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
JP6018528B2 (ja) 2013-03-13 2016-11-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR101567195B1 (ko) 2013-03-14 2015-11-06 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 토출 검사 장치 및 기판 처리 장치
US20140261572A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Dainippon Screen Mfg.Co., Ltd. Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
JP2014194965A (ja) * 2013-03-28 2014-10-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
CN106102933B (zh) * 2014-03-10 2021-03-12 武藏工业株式会社 涂布装置及涂布方法
CN103934144B (zh) * 2014-04-28 2015-07-29 吉林大学 一种压电驱动式喷射方向柔性调整装置
KR102250360B1 (ko) * 2014-06-17 2021-05-12 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101658969B1 (ko) * 2014-07-07 2016-09-23 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102250359B1 (ko) * 2014-07-07 2021-05-12 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102262110B1 (ko) * 2014-07-07 2021-06-10 세메스 주식회사 분사유닛 및 기판 처리 장치
KR102285832B1 (ko) * 2014-07-25 2021-08-05 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20160118241A1 (en) * 2014-10-24 2016-04-28 Semes Co., Ltd. Substrate treating apparatus and substrate cleaning method
JP6726430B2 (ja) 2016-01-25 2020-07-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US11676827B2 (en) 2016-03-08 2023-06-13 Ebara Corporation Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, substrate processing apparatus, and substrate drying apparatus
KR20170128801A (ko) 2016-05-16 2017-11-24 삼성전자주식회사 기판 세정 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
US10864533B2 (en) * 2017-06-27 2020-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated circuit, system for and method of forming an integrated circuit
KR102102990B1 (ko) * 2018-08-22 2020-04-21 주식회사 에이치에스하이테크 기판 세정용 노즐
CN114649191A (zh) * 2020-12-21 2022-06-21 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构的清洗方法
KR102571748B1 (ko) * 2021-05-04 2023-08-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010080924A (ja) * 2008-08-29 2010-04-08 Tokyo Electron Ltd 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及び記憶媒体
US20100130022A1 (en) * 2008-11-26 2010-05-27 Semes Co., Ltd. Nozzle and apparatus and method for processing substrate using the nozzle
TW201104729A (en) * 2009-07-23 2011-02-01 Dainippon Screen Mfg Method of and apparatus for cleaning substrate

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050035318A (ko) 2003-10-10 2005-04-18 세메스 주식회사 기판 세정 건조 장치 및 방법
JP4748503B2 (ja) * 2004-03-23 2011-08-17 大日本スクリーン製造株式会社 処理装置
KR100614648B1 (ko) 2004-07-15 2006-08-23 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조에 사용되는 기판 처리 장치
JP2006179770A (ja) * 2004-12-24 2006-07-06 Watanabe Shoko:Kk 基板表面処理装置
JP4359580B2 (ja) * 2005-08-02 2009-11-04 株式会社フューチャービジョン 処理液供給装置
KR100710803B1 (ko) 2006-01-23 2007-04-23 삼성전자주식회사 기판 세정 장치
JP4763575B2 (ja) 2006-01-26 2011-08-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5132108B2 (ja) * 2006-02-02 2013-01-30 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5261077B2 (ja) 2008-08-29 2013-08-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010080924A (ja) * 2008-08-29 2010-04-08 Tokyo Electron Ltd 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及び記憶媒体
US20100130022A1 (en) * 2008-11-26 2010-05-27 Semes Co., Ltd. Nozzle and apparatus and method for processing substrate using the nozzle
TW201104729A (en) * 2009-07-23 2011-02-01 Dainippon Screen Mfg Method of and apparatus for cleaning substrate

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Publication number Publication date
US8888925B2 (en) 2014-11-18
KR20120099584A (ko) 2012-09-11
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TW201521880A (zh) 2015-06-16
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US20150053244A1 (en) 2015-02-26
KR101398759B1 (ko) 2014-05-27
KR101686290B1 (ko) 2016-12-13
TW201242675A (en) 2012-11-01
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