JP2006179770A - 基板表面処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】キャリアガスの高温化を実現することができ、よってより高い均質処理を実現することができる基板表面処理装置を提供する。
【解決手段】所定の熱媒体を供給する熱媒体入口に上流環が接続され、熱媒体を放出する熱媒体出口に下流環が接続され、上流環から下流環へと至る熱媒体の流れ方向が互いに隣接するもの同士で逆方向となるように上流環と下流環とに複数の熱伝達路が接続されると共に、熱媒体として気体が用いられている。
【選択図】 図1
【解決手段】所定の熱媒体を供給する熱媒体入口に上流環が接続され、熱媒体を放出する熱媒体出口に下流環が接続され、上流環から下流環へと至る熱媒体の流れ方向が互いに隣接するもの同士で逆方向となるように上流環と下流環とに複数の熱伝達路が接続されると共に、熱媒体として気体が用いられている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、基板表面処理装置に関し、例えば、シリコン基板、化合物半導体基板、ガラス基板等の基板表面にキャリアガスを吹き付けなどにより供給して表面処理を施す基板表面処理装置に関する。
基板表面処理装置は一般に、半導体関連の産業分野においては、半導体基板表面の洗浄・酸化・薄膜の堆積等の処理を施す処理装置として用いられる。また、ガラス関連の産業分野においては液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等のとして用いられる。
図5は、従来例1に係るシコン基板表面処理装置のMOCVDチャンバ部の構成例を示す縦断面図である。
図5において、シリコン基板Sは、基板下部に設けられたヒータユニット1によって加熱される。
シリコン基板Sに対向して設けられたガスノズルプレート2には、シリコン基板Sに対して均一に薄膜の原料を供給する目的でキャリアガスGが供給されるキャリアガス供給口3aとこのキャリアガス供給口3aを中心として図示下方に向けて拡開する略円錐形状のキャリアガス拡散部3bとを形成した供給金型3が設けられている。また、ガスノズルプレート2にはキャリアガス拡散部3bと連通してシリコン基板Sの表面に向けてキャリアガスGを吹き付ける複数のキャリアガス通気孔2aが形成され、キャリアガス供給口3aからガス拡散部3bを経由してキャリアガス通気孔2aに至るキャリアガスGの経路をキャリアガス吹き付け流路としている。
キャリアガス吹き付け流路を経て供給されるキャリアガスGは、シリコン基板S上で熱分解反応を起こすことによってシリコン基板Sの表面に薄膜が堆積される。薄膜形成の役目を終えたキャリアガスGは、ヒータユニット1とガスノズルプレート2との間に形成されたキャリアガス排気口4を経由して不図示の真空ポンプ等で排気される。
一方、ガスノズルプレート2は、ヒータユニット1とシリコン基板Sからの輻射熱を受けて温度が上昇する。一般的には、ガスノズルプレート2の中央部分の温度が周辺部に比較して高くなるので、過熱状態を起こしやすい。この理由によりガスノズルプレート2には一般的に熱伝導性の優れたアルミニウムが使われる。また、ガスノズルプレート2の過熱を防止する目的で、外周水冷式としてガスノズルプレート2の周辺に冷却水用の循環路5を設けるといった工夫がなされている。
しかしながら、このような従来例1のような構成において、大口径のシリコン基板Sに対応する為には、ガスノズルプレート2もその直径を拡大する必要が生じる。この為に、外周水冷式のガスノズルプレート2は、その中央部と周辺部とでは50〜80℃の温度差が生ずることが知られている。この温度差は、均質な処理を施すための基板表面処理装置にとって致命的な現象となる。
例えば、一般的にMOCVDに使われる固体原料は、その蒸気圧が著しく低いために、必要量のCVD原料を安定に得る為に高温に加熱することが必要である。前記原料ガスの搬送の目的で流されるキャリアガスGも200℃程度に加熱された状態でキャリアガス供給口3aまで供給される。また、キャリアガスGの加熱を目的に円錐形状のキャリアガス拡散部3bの周囲に加熱ヒータ6を設けている。
また、原料ガスを含んだキャリアガスGの温度が低下した場合は、ガスノズルプレート2を構成する内面あるいはキャリアガス通気孔2aに原料ガスの成分が凝縮する。これに対し、原料ガスを含んだキャリアガスGの温度が必要以上に過熱された場合には、ガスノズルチャンバを構成する内面あるいはキャリアガス通気孔2aで薄膜や中間生成物の堆積を起こすことが知られている。その結果、シリコン基板S上に、所望の薄膜を得ることが困難となる。
図6は、従来例2に係るシリコン処理装置のMOCVDチャンバ部の構成例を示す縦断面図である。
図6に示したものは、ガスノズルプレート12に複数のキャリアガス通気孔12aを形成すると共に、この複数のキャリアガス通気孔12aの間に熱媒体の熱伝達路12bを設けたものである。この際、各熱伝達路12bは互いに平行とし、熱媒体の流れ方向を同一にした場合、ガスノズルプレート12面の温度差は約30℃と減少した。
しかしながら、処理する表面の面積は益々拡大化される傾向にあり、また、処理の均質化に対する精度要求が高まっている。よって、上記の従来例2における対応等では、近時において要求される基板表面処理装置として不充分であるという問題点を伴う。また、単に複数のキャリアガス通気孔12aの間に熱媒体の熱伝達路12bを設けただけでは、使用されるキャリアガスが200℃と高温であり、この高温状態を維持することは容易ではなかった。
本発明は、より高い温度においても均一処理を行うことができる基板表面処理装置を提供することを目的とする。
かかる目的を達成するため、本発明の基板表面処理装置は、複数のガス通気孔からガスを基板表面に供給して該基板の表面処理を施す基板表面処理装置において、
所定の熱媒体を供給する熱媒体入口に接続された上流環と、前記熱媒体を放出する熱媒体出口に接続された下流環と、前記上流環から前記下流環へと至る前記熱媒体の流れ方向が互いに隣接するもの同士で逆方向となるように前記上流環と前記下流環とに接続された複数の熱伝達路とを備えると共に、
前記熱媒体を前記ガスの供給温度よりも高温な気体としたことを特徴とする。
所定の熱媒体を供給する熱媒体入口に接続された上流環と、前記熱媒体を放出する熱媒体出口に接続された下流環と、前記上流環から前記下流環へと至る前記熱媒体の流れ方向が互いに隣接するもの同士で逆方向となるように前記上流環と前記下流環とに接続された複数の熱伝達路とを備えると共に、
前記熱媒体を前記ガスの供給温度よりも高温な気体としたことを特徴とする。
本発明の基板表面処理装置は、前記上流環から前記複数の熱伝達路を経由して前記下流環へと至る熱媒体循環路は前記ガスの供給源から前記ガス通気孔に至るガス吹き付け流路の終端部を構成する熱変換板に設けられ、該熱変換板は前記熱媒体循環路によって略均一温度に加熱されることを特徴とする。
本発明の基板表面処理装置は、前記複数のガス通気孔は前記熱変換板に垂直方向に形成され、前記熱伝達路は前記上流環と略同一平面状の内径側に位置する上流側にて前記前記複数のガス通気孔を通過する際の前記ガスが略均一温度に加熱されることを特徴とする。
本発明の基板表面処理装置は、前記熱伝達路と前記下流環又は前記上流環との接続部分の少なくとも何れか一方には、前記熱伝達路内を流れる前記熱媒体の流量を制限するための流量調節機構が設けられていることを特徴とする。
本発明の基板表面処理装置は、前記気体は、アルゴン、窒素、空気の単独ガス又は混合ガスであることを特徴とする。
本発明の基板表面処理装置は、前記気体が前記ガスの供給温度よりも高温であることを特徴とする。
本発明の基板表面処理装置にあっては、所定の熱媒体を供給する熱媒体入口に上流環が接続され、熱媒体を放出する熱媒体出口に下流環が接続され、上流環から下流環へと至る熱媒体の流れ方向が互いに隣接するもの同士で逆方向となるように上流環と下流環とに複数の熱伝達路が接続されると共に、熱媒体としてキャリアガスの供給温度よりも高温な気体が用いられていることにより、キャリアガスの高温化を実現することができ、よってより高い均質処理を実現することができる。
本発明の基板表面処理装置にあっては、キャリアガスの供給源からキャリアガス通気孔に至るキャリアガス吹き付け流路の終端部を構成する熱変換板に上流環から複数の熱伝達路を経由して下流環へと至る熱媒体循環路が設けられ、この熱媒体循環路によって熱変換板が略均一温度に加熱されることにより、キャリアガスの安定した高温化を実現することができ、よってより一層高い均質処理を実現することができる。
本発明の基板表面処理装置にあっては、熱変換板に複数のキャリアガス通気孔が垂直方向に形成され、複数のキャリアガス通気孔を通過する際のキャリアガスが上流環と略同一平面状の内径側に位置する熱伝達路の上流側にて略均一温度に加熱されることにより、複数のキャリアガス通気孔を通過するキャリアガスの温度を個別且つ高い温度で高温化することができる。
本発明の基板表面処理装置にあっては、熱伝達路内を流れる熱媒体の流量を制限するための流量調節機構が熱伝達路と下流環又は上流環との接続部分の少なくとも何れか一方に設けられていることにより、熱伝達路内を流れる熱媒体の温度を均一に制御することができる。
次に添付図面を参照して本発明による基板表面処理装置の実施の形態を詳細に説明する。図1〜図4を参照すると本発明のシリコン基板表面処理装置の一実施例形態が示されている。
<問題点の検討>
一般的に熱源から受けるエネルギーは、例えば円板状の場合は、その中心線を通過する熱伝達路と中心から外周へと離間する程に減少する。このことから、複数の熱伝達路を持つ本方式においては、各熱伝達路の熱媒体の流量を熱伝達路毎に調整する必要がある。なお、流量の調整は実験によって求めることができる。
一般的に熱源から受けるエネルギーは、例えば円板状の場合は、その中心線を通過する熱伝達路と中心から外周へと離間する程に減少する。このことから、複数の熱伝達路を持つ本方式においては、各熱伝達路の熱媒体の流量を熱伝達路毎に調整する必要がある。なお、流量の調整は実験によって求めることができる。
さらに、従来例2の図6において、ガスノズルプレート12に複数の熱媒体の熱伝達路12bを確保し、この隣接する熱伝達路12b間にキャリアガス通気孔12aを設けると共に各熱伝達路12bを互いに平行とし、隣接する熱伝達路12bを流れる熱媒体の方向を逆方向とした場合、ガスノズルプレート12内の温度差は−5℃と減少した。
この結果は基板表面処理装置としてはほぼ充分であるが、熱媒体の流れが複雑になる為に、実用的なガスノズルプレート12の製作並びに熱媒体循環の為の接続方法が極めて複雑になり、このまま基板表面処理装置に採用することはできない。
熱源を内蔵するチャンバ壁(円筒状、箱状)に対しても、互いに対向する熱媒体の流れを構成することで、壁の温度を制御することが可能である。この場合は固定式のオリフィスよりも絞り弁を各熱伝達路に取付ける方が便利である。
<本実施の形態の構成>
図1(A)は本発明の基板表面処理装置に適応される熱媒体循環の構成を概念的に示す斜視図、図1(B)は熱媒体の流路の説明図、図2は同じく本発明の基板表面処理装置に適応される熱媒体循環の構成を概念的に示す断面図、図3は同じく本発明の基板表面処理装置に適応される熱媒体循環の要部の拡大断面図、図4は同じく本発明の基板表面処理装置の断面図である。
図1(A)は本発明の基板表面処理装置に適応される熱媒体循環の構成を概念的に示す斜視図、図1(B)は熱媒体の流路の説明図、図2は同じく本発明の基板表面処理装置に適応される熱媒体循環の構成を概念的に示す断面図、図3は同じく本発明の基板表面処理装置に適応される熱媒体循環の要部の拡大断面図、図4は同じく本発明の基板表面処理装置の断面図である。
本実施形態に適用される熱媒体循環は、上述したヒータユニット1、キャリアガス排気口4を備えている。
シリコン基板Sに対向して設けられたガスノズルプレート22には、シリコン基板Sに対して均一に薄膜の原料を供給する目的でキャリアガスGが供給されるキャリアガス供給口22aとこのキャリアガス供給口22aを中心として図示下方に向けて拡開する略円錐形状のキャリアガス拡散部22bと、キャリアガス拡散部22bと連通してシリコン基板Sの表面に向けてキャリアガスGを吹き付ける複数のキャリアガス通気孔22cとが形成され、キャリアガス供給口22aからガス拡散部22bを経由してキャリアガス通気孔22cに至るキャリアガスGの経路をキャリアガス吹き付け流路としている。
キャリアガス吹き付け流路を経て供給されるキャリアガスGは、シリコン基板S上で熱分解反応を起こすことによってシリコン基板Sの表面に薄膜が堆積される。薄膜形成の役目を終えたキャリアガスGは、ヒータユニット1とガスノズルプレート2との間に形成されたキャリアガス排気口4を経由して不図示の真空ポンプ等で排気される。
一方、ガスノズルプレート22には、高温気体からなる熱媒体の熱伝達路を形成するキャリアガス加熱管ユニット30が配置されている。
このキャリアガス加熱管ユニット30は、図1に示すように、熱媒体入口となる供給管31と接続された下方に大口径の円環状の上流環32と、熱媒体出口となる排出管33と接続された上方に小径な円環状の上流環34とが平行に配置されると共に、これら上流環32と下流環34とを接続して熱媒体入口から供給されて熱媒体出口から排出される熱媒体の流れを規定する複数の熱伝達路を構成する略L字形状に屈曲された接続管35とを備えている。
接続管35は、上流環32と同一平面状の内径側に位置して端部が上流環32に接続された熱伝達管部35aを上流側に備えている。この際、図1(B)に示すように、供給管31を基準として熱伝達管部35aを上流環32に交互に接続することにより、供給管31から供給されて図示左右に分散された熱媒体は、隣接する熱伝達管部35aで互いに逆方向に流れることとなる。また、各熱伝達管部35aは、図4に示すように、熱媒体の流れ方向上流側に位置して比較的高温状態を維持している熱伝達管部35aがキャリアガス通気孔22cの間に交互に配置され、このキャリアガス通気孔22cを通過するキャリアガスGの温度を調節する。
この際、キャリアガスGを加熱する必要がある場合、例えば、本実施の形態に示すようなシリコン基板Sといった半導体関連の産業分野における基板表面の処理装置として使用する場合には熱媒体に高温ガスが用いられる。また、キャリアガスGを冷却する場合、例えば、ガラス関連の産業分野における液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等の基板表面の洗浄処理装置として使用する場合には熱媒体に冷却水や低温ガスが用いられる。尚、高温ガスの種類としては、アルゴン、窒素、空気等が使用されるが、何れの媒体にあってもキャリアガスGの加熱温度(冷却温度)に応じた種類や温度設定されたものが用いられるのは勿論である。また、特に加熱を目的とした場合には、高温ガスといった気体の温度設定は液体よりも高く設定することができ、しかも、キャリアガス加熱管ユニット30の流路内壁を削るといった経年劣化も少ないといった利点を有する。
尚、各接続管35は、例えば、供給管31からの接続距離(接続位置)や熱伝達管部35aの長さ等の条件を考慮して下流環34(或いは上流環32)との接続部に、熱伝達管部35a内を流れる熱媒体の流量を制限するオリフィスまたは流量調節を行う絞り機構35bを設けてキャリアガスGの温度の均一化を図ることも可能である。
このように、本実施形態に適応される熱媒体循環路は、上流環32、下流環34、上流環32及び下流環34を接続する複数の熱伝達路を形成する接続管35を備え、且つ、複数のキャリアガス通気孔22cを形成したガスノズルプレート22はキャリアガスGの熱変換板として構成される。
また、熱伝達管部35aで形成される熱伝達路は相互に平行で且つ隣接する熱伝達路内を流れる熱媒体の流れの方向が隣接するもの同士で交互であるため、特に大口径のガスノズルプレート22における上流点と下流点間に生じる温度差を緩和することができる。以下、この関係を詳述する。
熱伝達路において、熱媒体の温度が熱変換板としての機能を有するガスノズルプレート22よりも高い場合は、熱媒体の温度が熱伝達路を経由してガスノズルプレート22に伝えられる。逆に、熱媒体の温度がガスノズルプレート22よりも低い場合は、ガスノズルプレート22を冷却することになる。従来の基板表面処理装置と比較した場合、熱伝達路を流れる熱媒体とヒータとシリコン基板Sからの幅射熱で加熱されている熱変換板において、熱伝達作用に係わる構成が基本的に相違する。
この熱変換において、熱変換板を加熱する場合には、熱伝達路内の熱媒体温度を、上流側と下流側とで比較した場合、上流側の温度が高く、下流側の温底は低くなる。よって同一の熱伝達路において上流と下流ではでは温度差が発生する。この熱変換において、熱変換板を冷却する揚合には、熱伝達路内の熱媒体温度を、上流側と下流側とで比較した場合、上流側の温度が低く、下流側の温度は高くなる。よって同一の熱伝達路において上流と下流では温度差が発生する。
ところで、ガスノズルプレート22の全体としてみた場合は、隣接する熱伝達路は上流及び下流の方向が相互に逆方向とされている。よってガスノズルプレート22の隣接する領域の温度差の高低が高/低/高/低・・・・と構成される。
ここで、本構成は、ガスノズルプレート22に潜在的に生ずる温度差の要因を解消させる方向へ働く。よって、ガスノズルプレート22は、より均一的に熱媒体により加熱することが可能となる。ガスノズルプレート22の加熱の均一化は、オリフィス8による各熱伝達路内の、熱媒体の流量を調節することによっても調整することができる。
図4に示した本実施形態の基板表面処理装置において、シリコン基板Sは下部に設けられたヒータユニット1によって加熱される。このシリコン基板Sに対向して設けられたガスノズルプレート22には、シリコン基板Sに対して均一に薄膜の原料を供給する目的で複数のキャリアガス通気孔22cと円錐形状のキャリアガス拡散部22bとが設けられている。キャリアガス通気孔22cを経て供給されるキャリアガスGは、シリコン基板S上で熱分解反応を起こすことによってシリコン基板Sの表面に薄膜が堆積される。薄膜形成の役目を終えたキャリアガスGは、排気口4を経由して真空ポンプ等で排気される。
ガスノズルプレート22は、供給管31から熱媒体(高温ガス)が供給され、上流環32、接続管35、下流環34等により構成される本実施形態に適用される熱媒体循環のガスノズルプレート22を経て、排出管33から排出される。これにより一方の熱媒体は、自己の保持する熱エネルギーを供給し、熱媒体としての役目を終了する。他方のガスノズルプレート22は、熱媒体から自己の構成する板の平面において熱供給を受け、均一的な温度に熱せられる。
シリコン基板Sの表面を表面処理するためのキャリアガスGは、キャリアガス供給口3aから均一分布化されて供給され、ガスノズルプレート22のキャリアガス通気孔22cにおいて熱せられ、シリコン基板Sの表面を加熱し表面処理した後、排気口4から排気される。
31…供給管(熱媒体入口)
32…上流環
33…排出管(熱媒体出口)
34…下流環
35…接続管
35a…熱伝達管部(熱伝達路)
35b…オリフィス
22…ガスノズルプレート(熱変換板)
22c…キャリアガス通気孔
32…上流環
33…排出管(熱媒体出口)
34…下流環
35…接続管
35a…熱伝達管部(熱伝達路)
35b…オリフィス
22…ガスノズルプレート(熱変換板)
22c…キャリアガス通気孔
Claims (6)
- 複数のガス通気孔からガスを基板表面に供給して該基板の表面処理を施す基板表面処理装置において、
所定の熱媒体を供給する熱媒体入口に接続された上流環と、前記熱媒体を放出する熱媒体出口に接続された下流環と、前記上流環から前記下流環へと至る前記熱媒体の流れ方向が互いに隣接するもの同士で逆方向となるように前記上流環と前記下流環とに接続された複数の熱伝達路とを備えると共に、
前記熱媒体を気体としたことを特徴とする基板表面処理装置。 - 前記上流環から前記複数の熱伝達路を経由して前記下流環へと至る熱媒体循環路は前記ガスの供給源から前記ガス通気孔に至るガス吹き付け流路の終端部を構成する熱変換板に設けられ、該熱変換板は前記熱媒体循環路によって略均一温度に加熱されることを特徴とする請求項1に記載の基板表面処理装置。
- 前記複数のガス通気孔は前記熱変換板に垂直方向に形成され、前記熱伝達路は前記上流環と略同一平面状の内径側に位置する上流側にて前記前記複数のガス通気孔を通過する際の前記ガスが略均一温度に加熱されることを特徴とする請求項2に記載の基板表面処理装置。
- 前記熱伝達路と前記下流環又は前記上流環との接続部分の少なくとも何れか一方には、前記熱伝達路内を流れる前記熱媒体の流量を制限するための流量調節機構が設けられていることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか1つに記載の基板表面処理装置。
- 前記気体は、アルゴン、窒素、空気の単独ガス又は混合ガスであることを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れか1つに記載の基板表面処理装置。
- 前記気体が前記ガスの供給温度よりも高温であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の基板表面処理装置。
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