JP3193716B2 - 一次流化学蒸着法とその装置 - Google Patents
一次流化学蒸着法とその装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、改良された化学蒸着装置に関するものであ
る。特に本発明は、基板上の選択された素子およびその
複合物を、そのコーティング面の微粒子汚染を非常に減
少させるように、高度に均一にコーティングする化学蒸
着装置に関するものである。
る。特に本発明は、基板上の選択された素子およびその
複合物を、そのコーティング面の微粒子汚染を非常に減
少させるように、高度に均一にコーティングする化学蒸
着装置に関するものである。
従来の技術 化学蒸着（CVD）は、化学反応によって、気相から基
板に固形物を付着させる工程である。これに関連する付
着反応は一般的に、熱分解、化学酸化または化学還元で
ある。
板に固形物を付着させる工程である。これに関連する付
着反応は一般的に、熱分解、化学酸化または化学還元で
ある。
本発明の装置は、ソリッドステート電子装置およびエ
ネルギー転換装置の製造において、主として半導体ウェ
ーハをコーティングするために用いられるCVD装置であ
る。
ネルギー転換装置の製造において、主として半導体ウェ
ーハをコーティングするために用いられるCVD装置であ
る。
集積回路の寸法は次第に縮小され、その上チップ毎の
素子の数は次々と増大するため、微粒子汚染とその結果
の装置欠陥は、益々重大な問題になっている。垂直と水
平のそれぞれの管状反応炉は、無塵環境でロボットによ
り装入されるウェーハボート・アセンブリを用いている
ので、環境による微粒子汚染を減少させることができ
る。しかし、この種の反応炉は、コーティング工程にお
いて汚染微粒子を発生させる。
素子の数は次々と増大するため、微粒子汚染とその結果
の装置欠陥は、益々重大な問題になっている。垂直と水
平のそれぞれの管状反応炉は、無塵環境でロボットによ
り装入されるウェーハボート・アセンブリを用いている
ので、環境による微粒子汚染を減少させることができ
る。しかし、この種の反応炉は、コーティング工程にお
いて汚染微粒子を発生させる。
化学蒸着工程自体が、ウェーハ面を汚染し、欠陥を生
じさせ、そして最新式装置の部止まりを低下させる微粒
子の発生源になっている。たとえば窒化珪素の化学蒸着
による反応においては、ジクロロシランとアンモニアを
加熱して、反応性混合物を生成させ、これによってウェ
ーハ表面に窒化珪素をコーティングする。この時、混合
気体が臨界反応温度に達すると直ちに、ジクロロシラン
とアンモニアが反応し始め、微粒子を形成するので、本
発明以前に入手可能な反応炉では、微粒子による汚染を
避けることはできなかった。たとえば、気体シランより
のポリシリコン蒸着のような熱分解反応では、微粒子の
生成とウェーハ面の汚染がまた、重大な問題になってい
る。ウェーハ面から離れている反応物の過熱と、反応槽
内の再循環区画または滞留区画の存在によっても、微粒
子の形成は促進される。他の低圧反応タイプにおいて
も、半導体製品を汚染する恐れのある微粒子の形成が問
題になっている。
じさせ、そして最新式装置の部止まりを低下させる微粒
子の発生源になっている。たとえば窒化珪素の化学蒸着
による反応においては、ジクロロシランとアンモニアを
加熱して、反応性混合物を生成させ、これによってウェ
ーハ表面に窒化珪素をコーティングする。この時、混合
気体が臨界反応温度に達すると直ちに、ジクロロシラン
とアンモニアが反応し始め、微粒子を形成するので、本
発明以前に入手可能な反応炉では、微粒子による汚染を
避けることはできなかった。たとえば、気体シランより
のポリシリコン蒸着のような熱分解反応では、微粒子の
生成とウェーハ面の汚染がまた、重大な問題になってい
る。ウェーハ面から離れている反応物の過熱と、反応槽
内の再循環区画または滞留区画の存在によっても、微粒
子の形成は促進される。他の低圧反応タイプにおいて
も、半導体製品を汚染する恐れのある微粒子の形成が問
題になっている。
本発明による改良工程とCVD装置は、微粒子の形成と
ウェーハ面の微粒子汚染を著しく減少させる。
ウェーハ面の微粒子汚染を著しく減少させる。
管状反応炉を用いるホット・ウォールCVDシステムに
は、垂直構造と水平構造のものが知られている。これら
システムにおいては共に、ウェーハはスタック内のウェ
ーハボートに支持され、このスタックの軸は管の軸に平
行である。ウェーハが収納されている反応区画は抵抗加
熱コイルのような外部熱源によって加熱され、反応気体
は、ウェーハの管上流部に入ると直ちに、加熱される。
垂直システムでは、装入済みのウェーハボートは通常、
反応炉の下の位置から反応区画の位置まで積み上げられ
る。この種の市販されているシステムでは、反応炉の構
造上、乱流、渦流および気体の循環運動が生じるため、
微粒子が発生し、半導体ウェーハ面が汚染される。
は、垂直構造と水平構造のものが知られている。これら
システムにおいては共に、ウェーハはスタック内のウェ
ーハボートに支持され、このスタックの軸は管の軸に平
行である。ウェーハが収納されている反応区画は抵抗加
熱コイルのような外部熱源によって加熱され、反応気体
は、ウェーハの管上流部に入ると直ちに、加熱される。
垂直システムでは、装入済みのウェーハボートは通常、
反応炉の下の位置から反応区画の位置まで積み上げられ
る。この種の市販されているシステムでは、反応炉の構
造上、乱流、渦流および気体の循環運動が生じるため、
微粒子が発生し、半導体ウェーハ面が汚染される。
反応物は、ウェーハ面に達する前に反応温度にまで加
熱されるため、気相反応が始まり、その結果微粒子が発
生するが、この微粒子は流動している気体に飛沫同伴さ
れて、ウェーハ面に付着する。さらに、ある種の設計の
反応炉では、反応気体は、スタックに沿って流れるに従
って、減損するため、蒸着率が低下し、コーティング厚
が減少する。ウェーハコーティングの均一性を維持する
ために、この減損は、スタックに沿って気体温度（およ
び反応率）を上昇させることによって、補償される。こ
の場合、気体は反応臨界温度をほぼ越える温度にまで加
熱される。こうした避けられない過熱もまた、ウェーハ
面から離れた場所において付着反応を発生させるため、
汚染微粒子を生成させる。
熱されるため、気相反応が始まり、その結果微粒子が発
生するが、この微粒子は流動している気体に飛沫同伴さ
れて、ウェーハ面に付着する。さらに、ある種の設計の
反応炉では、反応気体は、スタックに沿って流れるに従
って、減損するため、蒸着率が低下し、コーティング厚
が減少する。ウェーハコーティングの均一性を維持する
ために、この減損は、スタックに沿って気体温度（およ
び反応率）を上昇させることによって、補償される。こ
の場合、気体は反応臨界温度をほぼ越える温度にまで加
熱される。こうした避けられない過熱もまた、ウェーハ
面から離れた場所において付着反応を発生させるため、
汚染微粒子を生成させる。
発明の開示 本発明の化学蒸着装置には、ホット・ウオール反応管
手段と、少なくとも１つの反応気体予熱器および反応気
体排気口が備えられている。また当該装置は、予熱器か
ら排気口までほぼ層流をなすように反応気体を通過させ
るための、ほとんど渦流なしに反応気体の流動を制御で
きる気流制御手段を有している。ホット・ウオール反応
管手段には、コーティング対象の平行基板のスタックが
予め装入されているウェーハボートを収納するためのウ
ェーハボート区画があるが、上記のウェーハ面は、反応
管の中央軸にほぼ垂直になるよう収められており、また
上記ウェーハボート区画は上流端と下流端を有してい
る。気流制御手段には、ウェーハボート区画との関係に
おいてほとんど乱流を生じさせない位置に配されている
上流管ベースがあり、さらに反応気体予熱器には、個別
に反応気体を予め加熱し、上流端に隣接している混合区
画にこの気体を導入するためと、そしてウェーハボート
区画の下流端近くに反応気体を選択的に導入するための
手段が備えられている。気流制御手段には、ウェーハボ
ートの下流端との関係において乱流をほとんど生じさせ
ないような位置に、下流管フランジを設置することが、
可能であり、また望ましくもある。
手段と、少なくとも１つの反応気体予熱器および反応気
体排気口が備えられている。また当該装置は、予熱器か
ら排気口までほぼ層流をなすように反応気体を通過させ
るための、ほとんど渦流なしに反応気体の流動を制御で
きる気流制御手段を有している。ホット・ウオール反応
管手段には、コーティング対象の平行基板のスタックが
予め装入されているウェーハボートを収納するためのウ
ェーハボート区画があるが、上記のウェーハ面は、反応
管の中央軸にほぼ垂直になるよう収められており、また
上記ウェーハボート区画は上流端と下流端を有してい
る。気流制御手段には、ウェーハボート区画との関係に
おいてほとんど乱流を生じさせない位置に配されている
上流管ベースがあり、さらに反応気体予熱器には、個別
に反応気体を予め加熱し、上流端に隣接している混合区
画にこの気体を導入するためと、そしてウェーハボート
区画の下流端近くに反応気体を選択的に導入するための
手段が備えられている。気流制御手段には、ウェーハボ
ートの下流端との関係において乱流をほとんど生じさせ
ないような位置に、下流管フランジを設置することが、
可能であり、また望ましくもある。
化学蒸着装置は、真空チャンバを画する外側管内に収
納することもでき、反応管と外側管の間にはスペースが
ある。このスペースには、ウェーハボート区画の下流端
と連絡する流入口があり、また排気口もある。反応気体
予熱器には、内側面に異形部がある着脱可能な双壁円筒
形加熱器を備えた一次反応気体予熱器が具備されている
が、この内側面異形部は、この上を通り過ぎる反応気体
に予め定められた一定量の熱を伝達するよう選択されて
いる表面積を有している。上記の反応気体予熱器にはま
た、着脱可能なバッフルを備えた加熱管が具備されてお
り、しかもこのバッフルは、この表面を通過する反応気
体に予め定められた一定量の熱を伝達するよう選択され
ている表面積を有している。上記の双壁円筒形加熱器と
加熱管はそれぞれ、多数の気体インゼクタ射出口を有し
ている。円筒形加熱器の射出口と加熱管の射出口はそれ
ぞれ、射出される気体が直ちに混合されるように配置さ
れている交差中央軸を持っていることが望ましい。
納することもでき、反応管と外側管の間にはスペースが
ある。このスペースには、ウェーハボート区画の下流端
と連絡する流入口があり、また排気口もある。反応気体
予熱器には、内側面に異形部がある着脱可能な双壁円筒
形加熱器を備えた一次反応気体予熱器が具備されている
が、この内側面異形部は、この上を通り過ぎる反応気体
に予め定められた一定量の熱を伝達するよう選択されて
いる表面積を有している。上記の反応気体予熱器にはま
た、着脱可能なバッフルを備えた加熱管が具備されてお
り、しかもこのバッフルは、この表面を通過する反応気
体に予め定められた一定量の熱を伝達するよう選択され
ている表面積を有している。上記の双壁円筒形加熱器と
加熱管はそれぞれ、多数の気体インゼクタ射出口を有し
ている。円筒形加熱器の射出口と加熱管の射出口はそれ
ぞれ、射出される気体が直ちに混合されるように配置さ
れている交差中央軸を持っていることが望ましい。
本発明の化学蒸着工程を要約すると、この工程は、先
ずコーティング対象のウェーハを収めた反応区画のすぐ
上流において反応気体を加熱する段階と、その後直ち
に、反応気体は有意な渦流や渦流が生じないようほぼ層
流に保たれることを特徴とする層流で、上記の加熱され
た反応気体を反応区画内のウェーハ上に通す段階と、こ
の反応気体を反応区画から除去する段階とからなってい
る。場合によっては、コーティング対象のウェーハを収
めた反応区画の下流端に予め加熱された反応気体を導入
することもできる。
ずコーティング対象のウェーハを収めた反応区画のすぐ
上流において反応気体を加熱する段階と、その後直ち
に、反応気体は有意な渦流や渦流が生じないようほぼ層
流に保たれることを特徴とする層流で、上記の加熱され
た反応気体を反応区画内のウェーハ上に通す段階と、こ
の反応気体を反応区画から除去する段階とからなってい
る。場合によっては、コーティング対象のウェーハを収
めた反応区画の下流端に予め加熱された反応気体を導入
することもできる。
反応気体を用いた化学蒸着における本発明の工程の１
つでは、先ず複数の反応気体をそれぞれ分離加熱チャン
バ内で予熱する段階と、次にコーティング対象のウェー
ハを収めた反応区画のすぐ上流において、上記の予熱さ
れた複数反応気体を混合する段階と、その後直ちに、反
応気体は有意な乱流や渦流が生じないようほぼ層流に保
たれることを特徴とする層流で、上記の混合された反応
気体を反応区画内のウェーハ上に通す段階と、そして反
応気体が反応域を通過すると直ちに、この反応気体を反
応区画から除去する段階とからなっている。場合によっ
ては、コーティング対象のウェーハを収めた反応区画の
下流端に予め加熱された反応気体を追加して導入するこ
ともできる。
つでは、先ず複数の反応気体をそれぞれ分離加熱チャン
バ内で予熱する段階と、次にコーティング対象のウェー
ハを収めた反応区画のすぐ上流において、上記の予熱さ
れた複数反応気体を混合する段階と、その後直ちに、反
応気体は有意な乱流や渦流が生じないようほぼ層流に保
たれることを特徴とする層流で、上記の混合された反応
気体を反応区画内のウェーハ上に通す段階と、そして反
応気体が反応域を通過すると直ちに、この反応気体を反
応区画から除去する段階とからなっている。場合によっ
ては、コーティング対象のウェーハを収めた反応区画の
下流端に予め加熱された反応気体を追加して導入するこ
ともできる。
本発明の工程は、本発明による装置を用いて実施され
ることが望ましい。
ることが望ましい。
本発明の目的は、反応チャンバを通る予め加熱された
反応気体をほとんど渦流のない層流状態に維持すること
によって、微粒子汚染を減少させる管状CVD装置を供す
ることである。
反応気体をほとんど渦流のない層流状態に維持すること
によって、微粒子汚染を減少させる管状CVD装置を供す
ることである。
また本発明のもう一つの目的は、複数の反応気体を予
め別個に加熱しておき、コーティング対象のウェーハ面
のすぐ上流において上記の気体を混合することによっ
て、微粒子汚染を減少させる管状CVD装置を供すること
である。
め別個に加熱しておき、コーティング対象のウェーハ面
のすぐ上流において上記の気体を混合することによっ
て、微粒子汚染を減少させる管状CVD装置を供すること
である。
図面の簡単な説明 図１は、本発明による化学蒸着装置の１実施例の横断
面図である。
面図である。
図２は、図１の化学蒸着装置ベースの部分的横断面で
あって、一次インゼクタとシールへのプロセス気体流入
口の詳細を示す。
あって、一次インゼクタとシールへのプロセス気体流入
口の詳細を示す。
図３は、図１の化学蒸着装置ベースの部分的横断面で
あって、二次インゼクタとシールへのプロセス気体流入
口の詳細を示す。
あって、二次インゼクタとシールへのプロセス気体流入
口の詳細を示す。
図４は、図１の化学蒸着装置の断面図であって、ウェ
ーハボートと支持ベースが一部取り外されている状態を
示す。
ーハボートと支持ベースが一部取り外されている状態を
示す。
図５は、ウェーハボートと支持ベースを完全に取り外
した後の図１の化学蒸着装置の断面図であって、保守の
ために真空チャンバ管にアクセスできるよう、ハウジン
グの下部から上部を切離した状態を示す。
した後の図１の化学蒸着装置の断面図であって、保守の
ために真空チャンバ管にアクセスできるよう、ハウジン
グの下部から上部を切離した状態を示す。
図６は、図１の実施例における反応気体の流動パター
ンと反応の反応気体流動パターン方向を有することを特
徴とする、本発明の化学蒸着装置のもう１つの実施例の
横断面図である。
ンと反応の反応気体流動パターン方向を有することを特
徴とする、本発明の化学蒸着装置のもう１つの実施例の
横断面図である。
本発明を実施する最上の方法 本発明の化学蒸着装置は、水平向けも可能であるが、
望ましい垂直向けが可能なホットウオール管状炉であ
る。本発明の幾つかの実施例の説明においては、後述の
ように垂直軸向けによってなされている。しかしなが
ら、この構造は非垂直軸向けも同様に可能で、本発明の
範囲には、あらゆる方向付けの当該装置が含まれる。
望ましい垂直向けが可能なホットウオール管状炉であ
る。本発明の幾つかの実施例の説明においては、後述の
ように垂直軸向けによってなされている。しかしなが
ら、この構造は非垂直軸向けも同様に可能で、本発明の
範囲には、あらゆる方向付けの当該装置が含まれる。
本発明の装置の主な特徴の一つは、反応区画内におけ
る分子の滞留時間を延長させる恐れのある気体乱流また
は渦流を最小限に抑える気体層流を反応チャンバに通す
設計である。これは、該装置の幾つかの構成要素を修正
し、この目的に単独にまた共同して貢献する幾つかの新
しくて独創的な組合せを供することによって、達成され
た。
る分子の滞留時間を延長させる恐れのある気体乱流また
は渦流を最小限に抑える気体層流を反応チャンバに通す
設計である。これは、該装置の幾つかの構成要素を修正
し、この目的に単独にまた共同して貢献する幾つかの新
しくて独創的な組合せを供することによって、達成され
た。
図１は、ウェーハスタック区画に沿って上方に向かう
反応気体流を有することを特徴とする本発明の化学蒸着
装置の１実施例の横断面図である。真空チャンバ管２
は、抵抗加熱素子６を備えた円筒形加熱器ハウジング４
内に収納されている。抵抗加熱素子の端末部８と10は、
より間隔を狭めて配置されており、反応炉アセンブリの
端末により多くの熱を供給し、したがって、これらの素
子は反応区画よりの最大の熱損失点になっている。その
結果、もし望みならば、反応区画全体にわたってより均
等な温度または、ほとんど等しい温度にすることができ
る。
反応気体流を有することを特徴とする本発明の化学蒸着
装置の１実施例の横断面図である。真空チャンバ管２
は、抵抗加熱素子６を備えた円筒形加熱器ハウジング４
内に収納されている。抵抗加熱素子の端末部８と10は、
より間隔を狭めて配置されており、反応炉アセンブリの
端末により多くの熱を供給し、したがって、これらの素
子は反応区画よりの最大の熱損失点になっている。その
結果、もし望みならば、反応区画全体にわたってより均
等な温度または、ほとんど等しい温度にすることができ
る。
ウェーハボート区画12には、ウェーハスタック14が収
められている。真空チャンバ管の上端には、中央ディス
ク16があって、しかもこのディスク16は、内部のウェー
ハボートの上面とディスク管の乱流スペースを最小にす
るか、または除去するために、ウェーハボート区画12の
上端（下流端）に接するか、またはすぐ隣接するように
なっている。管湾曲フランジ18は、ヘッドディスク16の
周縁から真空チャンバ管２の上端（下流端）まで延びて
おり、真空チャンバ管の端末を閉鎖している。管フラン
ジ18の内面20は、気体層流状態がこの面によって導かれ
るよう、また真空負荷のかかっているヘッドディスク16
の支持を強化するため、たとえば円環体が断面状をなし
て、湾曲していることが望ましい。
められている。真空チャンバ管の上端には、中央ディス
ク16があって、しかもこのディスク16は、内部のウェー
ハボートの上面とディスク管の乱流スペースを最小にす
るか、または除去するために、ウェーハボート区画12の
上端（下流端）に接するか、またはすぐ隣接するように
なっている。管湾曲フランジ18は、ヘッドディスク16の
周縁から真空チャンバ管２の上端（下流端）まで延びて
おり、真空チャンバ管の端末を閉鎖している。管フラン
ジ18の内面20は、気体層流状態がこの面によって導かれ
るよう、また真空負荷のかかっているヘッドディスク16
の支持を強化するため、たとえば円環体が断面状をなし
て、湾曲していることが望ましい。
ウェーハボート区画12を囲んでいる反応区画は、円筒
形反応管22によって画されている。管22は管フランジ18
の湾曲面20近くの位置まで延びている。管22の上端（下
流端）26とこれに向かい合った面20は、反応気体を反応
区画から除去するための排気口を有している。反応管22
と真空チャンバ管２との間のスペース28は、排気口から
真空排気システムの排出プレナム30まで気体を移動させ
るための円筒形排気通路を画する。このプレナム30は従
来型の真空ポンプシステム（図示されていない）と連絡
している。
形反応管22によって画されている。管22は管フランジ18
の湾曲面20近くの位置まで延びている。管22の上端（下
流端）26とこれに向かい合った面20は、反応気体を反応
区画から除去するための排気口を有している。反応管22
と真空チャンバ管２との間のスペース28は、排気口から
真空排気システムの排出プレナム30まで気体を移動させ
るための円筒形排気通路を画する。このプレナム30は従
来型の真空ポンプシステム（図示されていない）と連絡
している。
受台ディスク32は、ウェーハボートを支持するが、反
応気体の乱流が発生する恐れのあるスペースを取り除く
ため、上記ディスクに支えられているウェーハボートの
底面に接するか、またはこれに近接して配置されてい
る。
応気体の乱流が発生する恐れのあるスペースを取り除く
ため、上記ディスクに支えられているウェーハボートの
底面に接するか、またはこれに近接して配置されてい
る。
受台ディスク別称ベースディスク32は、二次加熱器シ
リンダ34よって画されている二次反応気体インゼクタ上
端のクロージャにもなっている。着脱可能なバッフル板
ユニット36は、これを通過する反応ガスを加熱するため
二次反応気体インゼクタ内に収められている。上記ユニ
ット36は、二次加熱器を通る反応気体を望みの出口温度
にまで加熱するために必要な表面積を有するように設計
されている。より多くの熱、または、より少ない熱が要
求される場合、上記バッフル板ユニット36はそれぞれ、
より大きな、もしくは、より小さな面または気体接触域
を有するバッフル板ユニットに代えることもできる。二
次反応気体インゼクタまたは射出口38は、加熱された反
応気体を反応区画に送る。
リンダ34よって画されている二次反応気体インゼクタ上
端のクロージャにもなっている。着脱可能なバッフル板
ユニット36は、これを通過する反応ガスを加熱するため
二次反応気体インゼクタ内に収められている。上記ユニ
ット36は、二次加熱器を通る反応気体を望みの出口温度
にまで加熱するために必要な表面積を有するように設計
されている。より多くの熱、または、より少ない熱が要
求される場合、上記バッフル板ユニット36はそれぞれ、
より大きな、もしくは、より小さな面または気体接触域
を有するバッフル板ユニットに代えることもできる。二
次反応気体インゼクタまたは射出口38は、加熱された反
応気体を反応区画に送る。
着脱可能な一次反応気体加熱器40には、円筒形通路を
画する２つの同軸円筒形壁がある。これらの壁の内側
（対向）面の表面積は、バンプ41と43または他の突起に
よって増大されている。上記の表面積は、一次加熱器を
通る反応気体を望みの出口温度に加熱するために必要な
表面積になるよう設計されている。より多くの熱、また
は、より少ない熱が要求される場合、上記一次反応気体
加熱器40は、それぞれより大きな、もしくは、より小さ
な面積または気体接触域を有するように形成されている
ユニットを持つアセンブリに代えることもできる。一次
反応気体加熱器40は、加熱された反応気体を反応区画に
送る。
画する２つの同軸円筒形壁がある。これらの壁の内側
（対向）面の表面積は、バンプ41と43または他の突起に
よって増大されている。上記の表面積は、一次加熱器を
通る反応気体を望みの出口温度に加熱するために必要な
表面積になるよう設計されている。より多くの熱、また
は、より少ない熱が要求される場合、上記一次反応気体
加熱器40は、それぞれより大きな、もしくは、より小さ
な面積または気体接触域を有するように形成されている
ユニットを持つアセンブリに代えることもできる。一次
反応気体加熱器40は、加熱された反応気体を反応区画に
送る。
一次気体インゼクタ42の射出流軸と二次反応気体イン
ゼクタ38の射出流軸は、両インゼクタから射出される予
熱反応気体を直ちに混合できるような位置に設定されて
いおり、２つの軸が交差していることが望ましい。これ
は、最上流のウェーハは気体インゼクタと非常に近接し
た位置にあるので、２種類の相互反応気体が最上流のウ
ェーハとコーティング反応を起こすために、必要にな
る。最適な条件にするため、環状混合区画44は、二次加
熱器面46、一次加熱器面48および隣接の反応管22の壁域
50によって画されている。インゼクタ38と42は混合区画
44に向かって開放されており、この区画に上記インゼク
タから放出される反応気体は直ちに混合される。気体は
望みの反応温度で放出される。
ゼクタ38の射出流軸は、両インゼクタから射出される予
熱反応気体を直ちに混合できるような位置に設定されて
いおり、２つの軸が交差していることが望ましい。これ
は、最上流のウェーハは気体インゼクタと非常に近接し
た位置にあるので、２種類の相互反応気体が最上流のウ
ェーハとコーティング反応を起こすために、必要にな
る。最適な条件にするため、環状混合区画44は、二次加
熱器面46、一次加熱器面48および隣接の反応管22の壁域
50によって画されている。インゼクタ38と42は混合区画
44に向かって開放されており、この区画に上記インゼク
タから放出される反応気体は直ちに混合される。気体は
望みの反応温度で放出される。
一次および二次気体加熱器の加熱面と反応管壁の下部
域は、排気路または排気スペース28を下降する反応気体
排気と加熱素子10によって加熱される。ウェーハスタッ
ク14の両側面に沿って上方に流れる気体中の反応体の減
損は、従来型の幾つかの導管（図示されていない）、た
とえばスペース12を通って気体加熱器40から上方に向か
う間隔を置いた幾つかの導管を通して、ウェーハスタッ
クの下流端に反応気体を二次供給することにより、補償
することができる。本発明の装置は、ウェーハボート区
画内へのウェーハボートの自動的な装入および取出しが
簡単にできる。
域は、排気路または排気スペース28を下降する反応気体
排気と加熱素子10によって加熱される。ウェーハスタッ
ク14の両側面に沿って上方に流れる気体中の反応体の減
損は、従来型の幾つかの導管（図示されていない）、た
とえばスペース12を通って気体加熱器40から上方に向か
う間隔を置いた幾つかの導管を通して、ウェーハスタッ
クの下流端に反応気体を二次供給することにより、補償
することができる。本発明の装置は、ウェーハボート区
画内へのウェーハボートの自動的な装入および取出しが
簡単にできる。
図２は、図１の化学蒸着装置ベースの部分的横断面で
あって、一次インゼクタとシールへのプロセス気体流入
口の詳細を示す。一次反応気体入口供給導管50は、排出
プレナム30まで延びており、そして一次加熱器空隙56に
おいて出口54に到るベース導管52と連絡している。
あって、一次インゼクタとシールへのプロセス気体流入
口の詳細を示す。一次反応気体入口供給導管50は、排出
プレナム30まで延びており、そして一次加熱器空隙56に
おいて出口54に到るベース導管52と連絡している。
図３は、図１の化学蒸着装置ベースの部分的横断面で
あって、二次インゼクタとシールへのプロセス気体流入
口の詳細を示す。二次反応気体入口供給導管60は、排出
プレナム30まで延びており、そして二次加熱器空隙66に
おいて出口64に到るベース導管62と連絡している。
あって、二次インゼクタとシールへのプロセス気体流入
口の詳細を示す。二次反応気体入口供給導管60は、排出
プレナム30まで延びており、そして二次加熱器空隙66に
おいて出口64に到るベース導管62と連絡している。
図４は、図１の化学蒸着装置の断面図であって、ウェ
ーハボートと支持ベースが一部取り外されている状態を
示す。反応気体加熱器と受台プレート32を支える装入扉
70は、軸ロッド74と軸ロッド受け76および軸承78によっ
て、装入扉取付板72に回転できるように取り付けられて
いる。装入扉取付板72と装入扉70との心合せは、装入扉
取付板72に取り付けられる心合せピンと装入扉70にある
ピン受けによって、なされる。装入扉取付板72を下げる
と、これに支えられている受台プレート32とウェーハボ
ートも共に下げることになる。加工処理が完了した後、
ウェーハボートを取り出すには、ウェーハボートが反応
チャンバ（図示されていない）から完全に出るまで、取
付板72を下げる。加工処理のためにウェーハボートを反
応区画に装入するには、上記の手順を逆に行えばよい。
ーハボートと支持ベースが一部取り外されている状態を
示す。反応気体加熱器と受台プレート32を支える装入扉
70は、軸ロッド74と軸ロッド受け76および軸承78によっ
て、装入扉取付板72に回転できるように取り付けられて
いる。装入扉取付板72と装入扉70との心合せは、装入扉
取付板72に取り付けられる心合せピンと装入扉70にある
ピン受けによって、なされる。装入扉取付板72を下げる
と、これに支えられている受台プレート32とウェーハボ
ートも共に下げることになる。加工処理が完了した後、
ウェーハボートを取り出すには、ウェーハボートが反応
チャンバ（図示されていない）から完全に出るまで、取
付板72を下げる。加工処理のためにウェーハボートを反
応区画に装入するには、上記の手順を逆に行えばよい。
装入扉シール90はＯリングであって、これは、反応チ
ャンバハウジングと装入扉面との間を断絶する断絶真空
シールを形成する。シール90に近接している冷却液路92
（図２と図３）は、シーリング面から熱を取り去り、シ
ールを保護する。装入扉アセンブリを上部位置から下げ
たり、上部位置まで上げたりするとき、シールはそれぞ
れの場合、破られるか、自動的に再生される。
ャンバハウジングと装入扉面との間を断絶する断絶真空
シールを形成する。シール90に近接している冷却液路92
（図２と図３）は、シーリング面から熱を取り去り、シ
ールを保護する。装入扉アセンブリを上部位置から下げ
たり、上部位置まで上げたりするとき、シールはそれぞ
れの場合、破られるか、自動的に再生される。
図５は、ウェーハボートと支持ベースを完全に取り外
した後の図１の化学蒸着装置の断面図であって、保守の
ために真空チャンバ管にアクセスできるよう、ハウジン
グの下部から上部を切り離した状態を示す。揚重機構10
0とねじジャッキ102によって、加熱器ハウジングとこれ
に関連する真空チャンバ管２と反応管22および排出プレ
ナム30のハウジングは上に上げられる。Ｏリングシール
104よりなる真空シールはこの操作によって破られる
が、該操作を逆に行うことにより再生される。この操作
の間、スライドセット105は円筒形支持材107により滑動
する。
した後の図１の化学蒸着装置の断面図であって、保守の
ために真空チャンバ管にアクセスできるよう、ハウジン
グの下部から上部を切り離した状態を示す。揚重機構10
0とねじジャッキ102によって、加熱器ハウジングとこれ
に関連する真空チャンバ管２と反応管22および排出プレ
ナム30のハウジングは上に上げられる。Ｏリングシール
104よりなる真空シールはこの操作によって破られる
が、該操作を逆に行うことにより再生される。この操作
の間、スライドセット105は円筒形支持材107により滑動
する。
再度図２と図３を参照すると、真空チャンバ管２の底
部には、バンパリング108と管保持フランジ110の間に保
持されているフットフランジ106がある。フットフラン
ジを備えたシールは、Ｏリング112と114よりなってい
る。シールの周囲の金属域における熱は、冷却液路116
を通って流れる冷却液により取り去られる。
部には、バンパリング108と管保持フランジ110の間に保
持されているフットフランジ106がある。フットフラン
ジを備えたシールは、Ｏリング112と114よりなってい
る。シールの周囲の金属域における熱は、冷却液路116
を通って流れる冷却液により取り去られる。
シールアセンブリには取付け具が用いられていないの
で、適宜保守点検のためにこのアセンブリ内の真空シー
ルを素早く設置したり、破いたりすることができる。
で、適宜保守点検のためにこのアセンブリ内の真空シー
ルを素早く設置したり、破いたりすることができる。
図６は、図１の実施例における反応気体の流動方対の
反応と方向に、ウェーハスタック区画に沿って反応気体
が下の方向に向かって流れることを特徴とする、本発明
の化学蒸着装置のもう１つの実施例の横断面図である。
真空チャンバ管122は、抵抗加熱素子126を備えた円筒形
加熱器ハウジング124内に収納されている。抵抗加熱素
子の端末部128と130は、より間隔を狭めて配置されてお
り、反応炉アセンブリの端末により多くの熱を供給し、
したがって、これらの素子は反応区画よりの最大の熱損
失点になっている。その結果、もし望みならば、反応区
画全体にわたってより均等な温度または、ほとんど等し
い温度にすることができる。
反応と方向に、ウェーハスタック区画に沿って反応気体
が下の方向に向かって流れることを特徴とする、本発明
の化学蒸着装置のもう１つの実施例の横断面図である。
真空チャンバ管122は、抵抗加熱素子126を備えた円筒形
加熱器ハウジング124内に収納されている。抵抗加熱素
子の端末部128と130は、より間隔を狭めて配置されてお
り、反応炉アセンブリの端末により多くの熱を供給し、
したがって、これらの素子は反応区画よりの最大の熱損
失点になっている。その結果、もし望みならば、反応区
画全体にわたってより均等な温度または、ほとんど等し
い温度にすることができる。
ウェーハボート区画132には、ウェーハスタック134が
収められている。真空チャンバ管の上端には、中央ディ
スク136があって、しかもこのディスク136は、内部のウ
ェーハボートの上面とディスク管の乱流スペースを最小
にするか、または除去するために、ウェーハボート区画
132の上端（上流端）に接するか、またはすぐ隣接する
ようになっている。管湾曲フランジ138は、ヘッドディ
スク136の周縁から真空チャンバ管122の上端（上流端）
まで延びており、真空チャンバ管の端末を閉鎖してい
る。管保持フランジ138の内面140は、たとえば円環体の
断面の形状を有する、凹状であることが望ましいが、こ
れはすなわち、ヘッドディスク136の中央軸を中心に回
転して描かれた円の弧または部分の形状を有する凹状湾
曲面である。この形状は、方向を定められている気体層
流パターンを維持し、また真空負荷のかかっているヘッ
ドディスク136の支持を強化する。
収められている。真空チャンバ管の上端には、中央ディ
スク136があって、しかもこのディスク136は、内部のウ
ェーハボートの上面とディスク管の乱流スペースを最小
にするか、または除去するために、ウェーハボート区画
132の上端（上流端）に接するか、またはすぐ隣接する
ようになっている。管湾曲フランジ138は、ヘッドディ
スク136の周縁から真空チャンバ管122の上端（上流端）
まで延びており、真空チャンバ管の端末を閉鎖してい
る。管保持フランジ138の内面140は、たとえば円環体の
断面の形状を有する、凹状であることが望ましいが、こ
れはすなわち、ヘッドディスク136の中央軸を中心に回
転して描かれた円の弧または部分の形状を有する凹状湾
曲面である。この形状は、方向を定められている気体層
流パターンを維持し、また真空負荷のかかっているヘッ
ドディスク136の支持を強化する。
ウェーハボート区画を囲んでいる反応区画は、円筒形
反応管142によって画されている。管142はベース144か
ら、管フランジ138の湾曲面140の近くの位置まで延びて
いる。管142の上端（上流端）146とこれに向かい合った
面140は、反応気体を反応区画に導入するための流入口
を画している。反応管142と真空チャンバ管122との間の
スペース148は、気体供給インゼクタ150から流入口ま
で、気体を送るための円筒形吸気通路を画する。この気
体供給インゼクタ150は、従来型の真空ポンプシステム
（図示されていない）と連絡している。加熱素子126に
より気体は、望みの反応温度まで加熱され、円筒形壁14
2通して受け取られる熱は、予め選択された正確な温度
で反応区画に伝えられるので、スペース148はまた、気
体予熱器としての機能も果たしている。
反応管142によって画されている。管142はベース144か
ら、管フランジ138の湾曲面140の近くの位置まで延びて
いる。管142の上端（上流端）146とこれに向かい合った
面140は、反応気体を反応区画に導入するための流入口
を画している。反応管142と真空チャンバ管122との間の
スペース148は、気体供給インゼクタ150から流入口ま
で、気体を送るための円筒形吸気通路を画する。この気
体供給インゼクタ150は、従来型の真空ポンプシステム
（図示されていない）と連絡している。加熱素子126に
より気体は、望みの反応温度まで加熱され、円筒形壁14
2通して受け取られる熱は、予め選択された正確な温度
で反応区画に伝えられるので、スペース148はまた、気
体予熱器としての機能も果たしている。
受台ディスク152は、ウェーハボートを支持するが、
反応気体の乱流が発生する恐れのあるスペースを取り除
くため、上記ディスクに支えられているウェーハボート
の底面に接するように、またはこれのすぐ近辺に配置さ
れている。
反応気体の乱流が発生する恐れのあるスペースを取り除
くため、上記ディスクに支えられているウェーハボート
の底面に接するように、またはこれのすぐ近辺に配置さ
れている。
ウェーハスタック134の両側面に沿って上方に流れる
気体中の反応体の減損は、ウェーハスタックの下流端に
反応気体151を導入することによって補償される。反応
ガスを予め熱するために、受台ディスクまたはベースデ
ィスク152は、二次加熱器シリンダ154によって画されて
いる二次下流反応気体インゼクタ上端の上端部クロージ
ャにもなっている。着脱可能なバッフル板ユニット156
は、これを通過する反応ガスを加熱するため二次反応気
体インゼクタ内に収められている。上記ユニット156
は、二次加熱器を通る反応気体を望みの出口温度にまで
加熱するために必要な表面積を有するように設計されて
いる。より多くの熱またはより少ない熱が要求される場
合、上記バッフル板ユニット156はそれぞれ、より大き
な、もしくは、より小さな面または気体接触域を有する
バッフル板ユニットに代えることもできる。二次反応気
体インゼクタまたは射出口158は、加熱された反応気体
を反応区画に送る。二次反応気体入口供給導管160は、
排出プレナム162まで延びており、そして二次加熱器空
隙168において出口166に到るベース導管164と連絡して
いる。反応気体は、従来型の真空システム（図示されて
いない）と連絡する排出プレナム162まで、下方に向か
って通過する。
気体中の反応体の減損は、ウェーハスタックの下流端に
反応気体151を導入することによって補償される。反応
ガスを予め熱するために、受台ディスクまたはベースデ
ィスク152は、二次加熱器シリンダ154によって画されて
いる二次下流反応気体インゼクタ上端の上端部クロージ
ャにもなっている。着脱可能なバッフル板ユニット156
は、これを通過する反応ガスを加熱するため二次反応気
体インゼクタ内に収められている。上記ユニット156
は、二次加熱器を通る反応気体を望みの出口温度にまで
加熱するために必要な表面積を有するように設計されて
いる。より多くの熱またはより少ない熱が要求される場
合、上記バッフル板ユニット156はそれぞれ、より大き
な、もしくは、より小さな面または気体接触域を有する
バッフル板ユニットに代えることもできる。二次反応気
体インゼクタまたは射出口158は、加熱された反応気体
を反応区画に送る。二次反応気体入口供給導管160は、
排出プレナム162まで延びており、そして二次加熱器空
隙168において出口166に到るベース導管164と連絡して
いる。反応気体は、従来型の真空システム（図示されて
いない）と連絡する排出プレナム162まで、下方に向か
って通過する。
当該装置は改良CVD装置を供する。複数のプロセス気
体は、望みの反応温度まで別個に加熱され、処理対象の
ウェーハのすぐ上流で混合される。反応気体は、ウェー
ハに垂直な方向にウェーハの縁の傍を層流をなして通
り、最後のウェーハを通過すると直ちに反応区画から除
去される。ウェーハボートの各上流端と下流端に接する
ことが望ましい上流プレートと下流プレートによって、
気体の流れから全ての停滞域と鋭角なコーナーを排除す
ることにより、渦流のない層流を得ることができる。
体は、望みの反応温度まで別個に加熱され、処理対象の
ウェーハのすぐ上流で混合される。反応気体は、ウェー
ハに垂直な方向にウェーハの縁の傍を層流をなして通
り、最後のウェーハを通過すると直ちに反応区画から除
去される。ウェーハボートの各上流端と下流端に接する
ことが望ましい上流プレートと下流プレートによって、
気体の流れから全ての停滞域と鋭角なコーナーを排除す
ることにより、渦流のない層流を得ることができる。
本発明による第１の実施例の装置においては、幾種類
かの反応気体はそれぞれ個別的に、望みの反応温度まで
予め加熱することができる。気体は次に混合され、直ち
にコーティング対象のウェーハを層流をなして通過し、
そして排出される。
かの反応気体はそれぞれ個別的に、望みの反応温度まで
予め加熱することができる。気体は次に混合され、直ち
にコーティング対象のウェーハを層流をなして通過し、
そして排出される。
図６に示されている第２の実施例では、幾つかの種類
の気体と、望ましくは単一反応体の１種類の気体は、上
昇しながら反応温度まで加熱され、望みの反応温度で反
応区画に入る。二次反応気体も、流入口158を通って放
出される前に、反応温度まで加熱される。
の気体と、望ましくは単一反応体の１種類の気体は、上
昇しながら反応温度まで加熱され、望みの反応温度で反
応区画に入る。二次反応気体も、流入口158を通って放
出される前に、反応温度まで加熱される。
本発明以前においては、反応気体は、望みのコーティ
ング反応温度まで上がるように、ウェーハ上流の充分離
れた地点の反応区画内で混合され、加熱される。気体は
加熱段階中において反応して、微粒子を形成し、この微
粒子が気体に飛沫同伴し、ウェーハ面を汚染した。障害
物や鋭角のコーナーおよび、ウェーハボートと端板間の
スペースによって停滞が生じる。その結果、反応区画と
この区画のすぐ上流と下流に反応気体の一部の長時間の
滞留が生じ、乱流の形成や再循環が発生した。さらに多
くのシステムにおいては、気体の混合を完全に行うため
に、非層流または渦流を促進する結果になった。そのた
めに、渦流や反応気体の滞留がさらに増大した。微粒子
の形成は、気体の滞留時間に比例し、上述の欠点は微粒
子の形成を促すことになった。
ング反応温度まで上がるように、ウェーハ上流の充分離
れた地点の反応区画内で混合され、加熱される。気体は
加熱段階中において反応して、微粒子を形成し、この微
粒子が気体に飛沫同伴し、ウェーハ面を汚染した。障害
物や鋭角のコーナーおよび、ウェーハボートと端板間の
スペースによって停滞が生じる。その結果、反応区画と
この区画のすぐ上流と下流に反応気体の一部の長時間の
滞留が生じ、乱流の形成や再循環が発生した。さらに多
くのシステムにおいては、気体の混合を完全に行うため
に、非層流または渦流を促進する結果になった。そのた
めに、渦流や反応気体の滞留がさらに増大した。微粒子
の形成は、気体の滞留時間に比例し、上述の欠点は微粒
子の形成を促すことになった。
本発明の装置では、停滞域、流れの障害物、鋭角のコ
ーナー、そしてウェーハボートと端板間のスペースを除
去することによって、乱流のない最大層流を達成した。
その結果、反応区画およびこの区画からすぐの上流域と
下流域における全ての反応気体分子の滞留時間を最小限
に抑えることができる。
ーナー、そしてウェーハボートと端板間のスペースを除
去することによって、乱流のない最大層流を達成した。
その結果、反応区画およびこの区画からすぐの上流域と
下流域における全ての反応気体分子の滞留時間を最小限
に抑えることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 デュ ボイス、 デール アール. アメリカ合衆国 95030 カリフォルニ ア州 ロス ガトス マルベリー ドラ イブ 14285 (72)発明者 ミラー、 ニコラス イー. アメリカ合衆国 95014 カリフォルニ ア州 クーペルティーノ トニタ ウェ イ 10396 (72)発明者 セイルヘイマー、 リチャード エー. アメリカ合衆国 94566 カリフォルニ ア州 プリーザントン パイン ヒル レーン 420 (56)参考文献 特開 平３−249178（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−206715（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−249177（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−120326（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/31 C23C 16/00
Claims (19)
- 【請求項１】ホットウオール反応管手段と、反応気体予
熱器手段と、反応気体排気口と、さらに予熱器から排気
口までほぼ層流をなすように反応気体を通過させるため
に、ほとんど渦流のない反応気体の流動にするように制
御する気流制御手段をも有している化学蒸着装置であっ
て、前記ホットウオール反応管手段には、コーティング
対象の平行な基板のスタックが予め装入されているウエ
ーハボートを収納するためのウエーハボート区画があ
り、また前記ウエーハ面は、反応管の中央軸に垂直であ
り、さらに上記ウエーハボート区画は上流端と下流端を
有しており、気流制御手段はウエーハボート区画の下流
端との関係においてなるほとんど渦流のない区域に位置
する下流中央ディスクと管フランジを含む化学蒸着装
置。 - 【請求項２】前記気流制御手段には、ウエーハボート区
画の上流端との関係においてなるほとんど渦流のない区
域に位置されている上流管ベースを含み、さらに前記反
応気体予熱器には、個別に少なくとも１種類の反応気体
を予め加熱し、かつウエーハボート区画の上流端のすぐ
近くにある混合区画にこの反応気体を導入するための手
段が含まれている請求項１記載の化学蒸着装置。 - 【請求項３】気体混合物を予め加熱し、かつ、この混合
物をウエーハボート区画の下流端近くに導入させる二次
反応気体予熱器を備えている請求項２記載の化学蒸着装
置。 - 【請求項４】前記反応気体予熱器には、個別に少なくと
も２種類の反応気体を予め加熱し、かつウェーハボート
区画の上流端のすぐ近くにある混合区画にこの反応気体
を導入するための手段が含まれていることを特徴とする
請求項２記載の化学蒸着装置。 - 【請求項５】ホットウオール反応管手段は、真空チャン
バを画する外側管内に収納されており、しかもこの反応
管と外側管の間にはスベースがあって、このスペースに
は、ウエーハボート区画の下流端と連絡する流入口があ
り、また排気口もある請求項１記載の化学蒸着装置。 - 【請求項６】前記管フランジは、気体をほぼ層流状態に
保っている間、反応気体の流れを排気口に向けるため
に、ウエーハボート区画の下流端から反応気体を排気口
へ導く外側管まで延びている湾曲面手段を有する請求項
１記載の化学蒸着装置。 - 【請求項７】ホットウオール反応管手段は、真空チャン
バを画する外側管内に収納されており、しかもこの反応
管と外側管の間にはスペースがあって、このスペースに
は、流入気体の通路があり、またウェーハボート区画の
上流端と違絡する流入口があり、さらに反応気体入口も
含み、その上、前記記流入気体通路には、反応気体予熱
器がある請求項１記載の化学蒸着装置。 - 【請求項８】前記反応気体予熱器には、ウェーハボート
の上流端との関係においてなるほとんど渦流のない区域
に位置する上流管フランジが備えられており、しかもこ
のフランジは、気体をほぼ層流状態に保っている間、反
応気体の流れを流入気体供給流路から出るようにするた
めに、ウエーハボートの上流端から外側管まで延びてい
る湾曲面手段を有する請求項７記載の化学蒸着装置。 - 【請求項９】反応気体予熱器手段には、着脱可能なバッ
フルを備えた加熱管が具備されており、しかも、このバ
ッフルは、この表面を通過する反応気体に予め定められ
た一定量の熱を伝達するよう選択されている表面積を有
している請求項１記載の化学蒸着装置。 - 【請求項１０】反応気体予熱器手段には、内側面に異形
部がある着脱可能な双壁円筒形加熱器が備えられてお
り、しかもこの内側面異形部は、この上を通り過ぎる反
応気体に予め定められた一定量の熱を伝達するよう選択
されている表面積を有している請求項１記載の化学蒸着
装置。 - 【請求項１１】反応気体予熱器手段にはまた、着脱可能
なバツフルを備えた加熱管が具備されており、しかも、
このバッフルは、この表面を通過する反応気体に予め定
められた一定量の熱を伝達するよう選択されている表面
積を有している請求項10記載の化学蒸着装置。 - 【請求項１２】前記の双壁円筒形加熱器と加熱管はそれ
ぞれ、多数の気体インゼクタ射出口を有している請求項
11記載の化学蒸着装置。 - 【請求項１３】円筒形加熱器の射出口と加熱管の射出口
はそれぞれ、これらから射出される気体が直ちに混合さ
れるように配置されている交差中央軸を持っている請求
項12記載の化学蒸着装置。 - 【請求項１４】ａ）先ず複数の反応気体をそれぞれ分離
加熱チャンバ内で予熱し、 ｂ）次にコーテイング対象のウエーハを収めた反応区画
のすぐ上流において、上記の予熱された複数反応気体を
混合し、 ｃ）その後直ちに、反応気体は強い渦流や乱流が生じな
いようほぼ層流に保たれる層流で、上記の混合された反
応気体を反応区画内のウエーハ上に通し、 ｄ）そして反応気体が反応域を通過すると直ちに、この
反応気体を反応区画から除去する、 という各段階からなる化学蒸着工程。 - 【請求項１５】予め加熱された反応気体が、コーテイン
グ対象のウェーハを収めた反応区画の下流端に導入され
る請求項14記載の化学蒸着工程。 - 【請求項１６】請求項１の装置によって実行される請求
項14記載の化学蒸着工程。 - 【請求項１７】ａ）先ずコーテイング対象のウエーハを
収めた反応区画のすぐ上流において反応気体を加熱し、 ｃ）その後直ちに、反応気体は強い渦流や乱流が生じな
いようほぼ層流に保たれる層流で、前記加熱された反応
気体を反応区画内のウェーハ上に通し、 ｄ）前記反応気体が反応区画を通り過ぎると直ちに、こ
の反応気体を反応区画から除去する、 という各段階からなりたっている請求項14記載の化学蒸
着工程。 - 【請求項１８】予め加熱された反応気体が、コーテイン
グ対象のウエーハを収めた反応区画の下流端に導入され
る請求項17記載の化学蒸着工程。 - 【請求項１９】請求項１の装置によって実行される請求
項17記載の化学蒸着工程。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/691,470 US5320680A (en) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | Primary flow CVD apparatus comprising gas preheater and means for substantially eddy-free gas flow |
| US691,470 | 1991-04-25 | ||
| PCT/US1992/002666 WO1992019790A2 (en) | 1991-04-25 | 1992-04-09 | Primary flow cvd apparatus and method |
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|---|---|
| JPH06507047A JPH06507047A (ja) | 1994-08-04 |
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ID=24776662
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51086292A Expired - Fee Related JP3193716B2 (ja) | 1991-04-25 | 1992-04-09 | 一次流化学蒸着法とその装置 |
Country Status (8)
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|---|---|
| US (1) | US5320680A (ja) |
| EP (1) | EP0585343B1 (ja) |
| JP (1) | JP3193716B2 (ja) |
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| CA (1) | CA2109198C (ja) |
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