KR100993028B1 - 가스 분사 및 배출을 위한 대향 포켓을 구비하는 반응 챔버 - Google Patents

가스 분사 및 배출을 위한 대향 포켓을 구비하는 반응 챔버 Download PDF

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Abstract

본원발명은 석영 챔버, 하나 이상의 가열 블록, 상기 석영 챔버의 일 측면 상에 결합되는 분사 조립체, 상기 석영 챔버의 반대 측면 상에 결합되는 배출 조립체를 갖는 배치 처리 챔버를 제공한다. 일 실시예에서, 분사 조립체는 독립적으로 온도 제어된다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 온도 센서가 상기 석영 챔버의 외부에 배치된다.
Figure R1020087011380
석영 챔버, 온도 제어, 배치 처리

Description

가스 분사 및 배출을 위한 대향 포켓을 구비하는 반응 챔버 {REACTION CHAMBER WITH OPPOSING POCKETS FOR GAS INJECTION AND EXHAUST}
본원발명의 실시예들은 일반적으로 배치 처리 챔버(batch processing chamber)에 관련된다.
기판 제조 공정의 효율성은 관련된 두 개의 중요 인자인 장치 수율(device yield)과 소요 비용(cost of ownership; CCO)에 의해 종종 측정된다. 이러한 인자들은 이들이 전자 장치의 생산을 위한 가격에 직접적으로 영향을 미쳐서 결과적으로 시장에서 장치 제조업자의 경쟁성에 영향을 미치게 되므로 중요하다. 소요 비용(CCO)은, 인자의 개수에 의해 영향을 받는 반면, 처리 물질의 비용 및 시간당 처리되는 기판의 개수에 의해 크게 영향을 받는다. 배치 처리(batch processing)는 소요 비용(CCO)을 감소시키기 위해 도입되었으며 매우 효과적이다. 일반적으로 배치 처리 챔버는 예를 들어 가열 시스템, 가스 운반 시스템, 배기 시스템, 및 펌핑(pumping) 시스템과 같은 시스템을 복잡하게 구비한다.
도 1 및 2는 공지의 배치 처리 챔버를 도시한다. 도 1을 참조하면, 처리 상태에 있는 배치 처리 챔버(100)가 도시되어 있다. 이러한 상태에서, 기판 용기(substrate boat)(101)에 의해 지지되는 한 묶음(batch)의 기판(102)은 상 부(104), 측벽(105), 및 하부(106)에 의해 형성되는 처리 용적(103) 내에서 처리된다. 개구(122)가 하부(106) 내에 형성되어 기판 용기가 처리 용적(103)으로 삽입되거나 처리 용적(103)으로부터 제거되도록 하기 위한 수단을 제공한다. 처리과정 동안에 개구(122)를 밀봉하기 위하여 밀봉 플레이트(107)가 제공된다.
가열 구조체(110)는 각각의 측벽(105)의 외부 표면 상에 장착된다. 각각의 가열 구조체(110)는 다수의 할로겐 램프(119)를 포함하는데, 이는 측벽(105) 상에 장착된 석영 창(109)을 통하여 배치 처리 챔버(100)의 처리 용적(103) 내의 기판(102)에 에너지를 제공하도록 사용된다. 측벽(105)의 내부 표면 상에 장착되는 열 차폐 플레이트(108)는 가열 구조체(110)로부터 방사되는 에너지를 확산시켜 균일하게 분포된 열 에너지가 기판(102)에 제공되도록 하기 위하여 처리 용적(103)에 부가된다. 할로겐 램프(121)의 배열을 포함하는 다중 영역 가열 구조체(111)가 상부(104)에 장착된다. 할로겐 램프(121)는 석영 창(113) 및 열 차폐 플레이트(112)를 통하여 기판 용기(101) 내의 기판(102)으로 에너지를 방사한다.
측벽(105) 및 상부(104)는 안전에 관한 이유뿐만 아니라 원하지 않은 증착을 방지하기 위하여 밀링된 채널(116)(도 2에 도시)에 의하여 대체적으로 온도 제어된다. 석영 창(109)이 고온이고 처리 용적(103)이 진공하에 있을 때, 석영 창(109)이 온도 제어되는 측벽(105)과 직접적으로 접촉하게 되면 과도한 응력으로 인해 내적 파괴(implosion)가 발생될 수 있다. 따라서, (예를 들어 비톤(viton), 실리콘 고무, 또는 칼-레즈(cal-rez) 그래파이트 섬유와 같은 적적한 물질로 구성된) O-링 형태의 가스킷(124) 및 이와 유사한 적절한 재료의 스트립 가스킷(123)이 석영 창(109)과 측벽(105) 사이에 제공되어 석영 창(109)이 측벽(105)과 직접 접촉하지 못하게 하여 내적 파괴가 일어나는 것을 방지한다. 열 차폐 플레이트(108)는 단열 스트립(125) 및 유지용 클램프(126)에 의하여 측벽(105) 상에 장착된다. 열 차폐 플레이트(108) 및 단열 스트립(125)은 예를 들어 그래파이트나 실리콘 카바이드와 같은 적절한 고온 물질로 제조된다. 유지용 클램프(126)는 티타늄과 같은 적절한 고온 물질로 제조된다.
측벽(105) 내에 형성되는 밀링된 채널(116)은 밀링된 채널(116)을 통해 지속적으로 유동하는 열 교환 유체를 사용함으로써 온도가 제어될 수 있다. 열 교환 유체는, 예를 들어 약 30℃ 내지 약 300℃ 사이의 온도로 가열되는 퍼플루오르폴리에테르(perfluoropolyether)(예를 들어 Galden® 유체)일 수 있다. 열 교환 유체는 약 15℃ 내지 95℃ 사이의 원하는 온도에서 운반되는 냉각수일 수도 있다. 열 교환 유체는 아르곤이나 질소와 같은 온도 제어 가스일 수도 있다.
가열 구조체(110) 및 다중 영역 가열 구조체(111)의 세부적인 사항은 1997년 8월 11일에 출원된 미국 특허 출원 제6,352,593호 "소형-배치 처리 챔버", 2002년 8월 9일에 출원된 미국 특허 출원 제10/216,079호 "소형 배치 반응기 내의 저압에서의 고속 증착", 그리고 미국 특허 공개공보 제2003/0049372 A1호에 기술되어 있으며, 이들 특허의 내용은 본 명세서에 참조된다.
이제 도 2를 참조하면, 기판(102) 상의 증착층에 사용될 처리 가스는 가스 분사 조립체(114)를 통하여 제공된다. 가스 분사 조립체(114)는 O-링에 의하여 측 벽(105)에 진공 밀봉된다. 배출 조립체(115)는 분사 조립체(114)의 반대편 상에 배치된다. 이러한 구성에서, 분사 조립체와 배출 조립체는 직접 온도 제어되지 않고 응축 및 용해(condensation and decomposition)되는 경향이 있는데, 이는 배치 처리 챔버에 입자 오염물을 초래한다.
공지된 배치 처리 챔버의 몇 가지 양상은 개선될 필요가 있다. 먼저, 기판이 원형이므로 상자식 챔버(boxed chamber)의 처리 용적은 효과적으로 활용되지 못한다. 따라서, 처리 가스는 낭비되며 반응 가스의 거주 시간(가스 분자가 분사 지점으로부터 챔버의 반대편에서 배출되도록 이동하는데 걸리는 평균 시간)이 길어지게 된다. 두 번째로, 분사 조립체 및 배출 조립체가 온도 제어되지 않고, 따라서 너무 높거나 너무 낮은 온도에 의해 야기되는 응축 및 용해(condensation and decomposition)에 민감하게 된다. 세 번째로, 가열 시스템이 복잡하며 수리 및 세정하기가 어렵다. 네 번째로, 많은 압력 단열 밀봉이 사용되는데, 이는 시스템의 복잡성을 증가시키며 누수가 잃어나기 쉬운 단점이 있다. 따라서, 개선되고 단순한 배치 처리 챔버를 제공하는 시스템, 방법 및 장치가 요구된다.
본원발명은 일반적으로 석영 챔버, 하나 이상의 가열 블록, 석영 챔버의 일 측면에 결합되는 분사 조립체 및 석영 챔버의 반대 측면에 결합되는 배출 조립체를 구비하는 배치 처리 챔버를 제공한다.
본원발명의 일 실시예에서는 석영 챔버, 하나 이상의 가열 블록, 석영 챔버의 일 측면에 결합되는 분사 조립체 및 석영 챔버의 반대 측면에 결합되는 배출 조립체를 구비하는 배치 처리 챔버를 제공한다. 분사 조립체는 분사 조립체가 온도 제어되도록 가열 및 냉각 채널을 포함한다.
본원발명의 다른 실시예에서는 석영 챔버, 하나 이상의 가열 블록, 석영 챔버의 일 측면에 결합되는 분사 조립체, 석영 챔버의 반대 측면에 결합되는 배출 조립체, 및 하나 이상의 가열 블록과 석영 챔버를 둘러싸는 외부 챔버를 구비하는 배치 처리 챔버를 제공한다.
본원발명의 다른 실시예에서는 석영 챔버, 하나 이상의 가열 블록, 석영 챔버의 일 측면에 결합되는 분사 조립체, 석영 챔버의 반대 측면에 결합되는 배출 조립체, 및 석영 챔버 외부에 배치되는 하나 이상의 온도 센서를 구비하는 배치 처리 챔버를 제공한다.
본원발명의 상기한 특징들이 상세하게 이해될 수 있게 하기 위하여, 위에서 간략히 요약한 본원발명의 보다 구체적인 설명이 실시예를 참조하여 기술되며, 이들 중 일부는 첨부된 도면에 도시되어 있다. 그러나 첨부된 도면은 본원발명의 전형적인 실시예만을 도시하는 것일 뿐으로서, 본원발명은 기타 균등하게 효과적인 실시예들을 인정하므로, 본원발명의 범위를 한정하는 것으로 고려되어서는 안 된다.
도 1은 공지의 배치 처리 챔버의 측단면도를 도시한다(종래기술).
도 2는 도 1에 도시된 공지의 배치 처리 챔버의 상부 단면도를 도시한다(종래기술).
도 3은 본원발명의 예시적인 배치 처리 챔버의 분해도를 도시한다.
도 4는 본원발명의 예시적인 배치 처리 챔버의 측단면도를 도시한다.
도 5는 도 4의 배치 처리 챔버의 상부 단면도이다.
도 6은 본원발명의 다른 실시예의 단면도를 도시한다.
도 7은 본원발명의 예시적인 배치 처리 챔버의 측단면도를 도시한다.
도 8는 도 7의 배치 처리 챔버의 상부 단면도이다.
도 9는 본원발명의 예시적인 배치 처리 챔버의 측단면도를 도시한다.
도 10은 도 9의 배치 처리 챔버의 상부 단면도이다.
도 11은 본원발명의 예시적인 배치 처리 챔버의 상부 단면도를 도시한다.
도 12A는 도 11의 배치 처리 챔버의 측단면도를 도시한다.
도 12B는 본원발명의 다른 실시예의 측단면도를 도시한다.
도 13A는 본원발명의 예시적인 배치 처리 챔버의 상부 단면도를 도시한다.
도 13B는 도 13A의 배치 처리 챔버의 확대도를 도시한다.
도 14는 도 13A의 배치 처리 챔버의 측단면도를 도시한다.
도 15는 배치 처리 챔버에 사용되는 정화 가스 공급 조립체의 정면도를 도시한다.
도 16은 도 15의 정화 가스 공급 조립체의 측면도를 도시한다.
도 17은 본원발명의 배치 처리 챔버의 분사 조립체의 실시예를 도시한다.
본원발명은 일반적으로 묶음(batch)으로 된 반도체 기판의 처리 방법 및 장 치를 제공한다. 본원발명의 일 태양에서는 분사 포켓(pocket)과 배출 포켓을 구비하는 석영 챔버를 갖는 배치 처리 챔버가 제공된다. 본원발명은 캘리포니아 산타 클라라의 어플라이드 머티어리얼사로부터 구입할 수 있는 FlexStarTM을 수정한 것을 참조하여 이하에서 도식적으로 설명된다.
도 3은 본원발명의 예시적인 배치 처리 챔버의 분해도를 도시한다. 배치 처리 챔버(200)는 기판 용기(214)를 수용하도록 구성된 석영 챔버(201)를 일반적으로 포함한다. 석영 챔버(201)는 돔 형태의 챔버 몸체(202), 상기 챔버 몸체(204)의 일 측면 상에 형성되는 분사 포켓(204), 분사 포켓(204)의 반대측에서 상기 챔버 몸체(202) 상에 형성되는 배출 포켓(203), 및 상기 챔버 몸체(202)의 개구(218)에 인접하여 형성되는 플랜지(217)를 일반적으로 포함한다. 기판 용기(214)는 개구(218)를 통해 석영 챔버(201)로 및 석영 챔버(201)로부터 기판 묶음(221)을 전달하고 지지하도록 구성된다. 플랜지(217)는 진공 밀봉을 위해 사용되는 O-링을 줄이기 위하여 챔버 몸체(202) 상에 용접될 수 있다. 배출 포켓(203) 및 분사 포켓(204)은 챔버 몸체(202)에 밀링되는 슬롯 위치에 용접될 수 있다. 일 태양에서, 분사 포켓(204) 및 배출 포켓(203)은 일 단부가 챔버 몸체(202)에 용접되고 다른 단부가 개방된, 평평한 석영 관이다. 분사 포켓(204) 및 배출 포켓(203)은 각각 분사부(205) 및 배출부(207)를 수용하도록 구성된다. 석영 챔버(201)는 일반적으로 노 챔버(furnace chamber)에 이상적인 (융합된) 석영으로 제조된다. 일 태양에서 석영은 고 순도 및 고온 특성을 구비하는 경제적인 재료이다. 다른 태양에서는 석영이 넓은 범위의 온도 구배 및 높은 열율(heat rate)을 견딜 수 있다.
석영 챔버(201)는 개구(218) 근방의 지지 플레이트(210)에 의하여 일반적으로 지지된다. O-링 실(seal)(219)은 석영 챔버(201)와 지지 플레이트(210) 사이에서의 진공 밀봉을 위해 사용된다. 구멍(220)을 구비하는 챔버 스택 지지부(209)가 지지 플레이트(210) 상에 배치된다. 하나 또는 다수의 가열 블록(211)이 챔버 몸체(202) 주변에 일반적으로 배치되며 챔버 몸체(202)를 통하여 석영 챔버(201)의 내부의 기판(221)에 열 에너지를 제공하도록 구성된다. 일 태양에서, 하나 또는 다수의 가열 블록(211)은 다수의 수직 영역을 가질 수 있다. 하나 또는 다수의 가열 블록(211) 주변에 다수의 석영 라이너(212)가 배치되어 열 에너지가 바깥으로 방사되는 것을 방지할 수 있다. 외부 챔버(213)가 석영 챔버(201), 하나 또는 다수의 가열 블록(211), 및 석영 라이너(212) 위로 배치되고, 스택 지지부(209) 상에 지지되어 가열 블록(211) 및 석영 라이너(212)를 위한 진공 밀봉을 제공한다. 분사부(205) 및 배출부(207)가 통과하도록 하기 위하여 외부 챔버(213)의 측면 상에 개구(216)가 형성될 수 있다. 분사 포켓(204)과 외부 챔버(213) 사이 그리고 배출 포켓(203)과 외부 챔버(213) 사이에 각각 단열재(206 및 208)가 일반적으로 배치된다. 단열재(206 및 208)와 석영 라이너(212)가 가열 블록(211) 및 가열된 석영 챔버(201)로부터 외부 챔버(213)를 단열시키므로 외부 챔버(213)는 가열 과정 동안 "차갑게" 유지된다. 일 태양에서 외부 챔버(213)는 알루미늄이나 스테인리스 스틸과 같은 금속으로 제조된다.
일 태양에서, 분사부(205) 및/또는 배출부(207)는 석영 챔버(201)로부터 독 립적으로 온도 제어될 수 있다. 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 분사부(205)의 독립적인 가열 및 냉각을 위하여 분사부(205) 내에 가열 슬롯(222) 및 냉각 채널(223)이 제공된다.
도 4와 5는 석영 챔버, 그리고 온도 제어되는 분사부 및 배출부를 갖는 배치 처리 챔버의 일 실시예를 도시한다. 도 4는 배치 처리 챔버(300)의 측단면도이며 도 5는 도 4의 5-5 방향을 따라 절개한 배치 처리 챔버(300)의 단면도이다. 배치 처리 챔버(300)는 기판 용기(314) 내에 적층된 기판(321) 묶음을 수용하도록 구성되 처리 용적(337)을 형성하는 석영 챔버(301)를 포함한다. 하나 또는 다수의 가열 블록(311)이 석영 챔버(301) 주위에 일반적으로 배치되며 처리 용적(337) 내부의 기판(321)을 가열하도록 구성된다. 외부 챔버(313)가 석영 챔버(301) 및 하나 또는 다수의 가열 블록(311) 위에 일반적으로 배치된다. 하나 또는 다수의 단열재(312)가 외부 챔버(313)와 하나 또는 다수의 가열 블록(311) 사이에 일반적으로 배치되며 외부 챔버(313)를 냉각 상태로 유지하도록 구성된다. 석영 챔버(301)는 석영 지지 플레이트(310)에 의하여 지지된다. 외부 챔버(313)는 석영 지지 플레이트(310)에 의하여 지지되는 챔버 스택 지지부(309)에 연결된다.
석영 챔버(301)는 하부 상의 개구(318), 챔버 몸체(302)의 일 측면 상에 형성되는 분사 포켓(304), 분사 포켓(304)의 반대측에서 챔버 몸체(302) 상에 형성되는 배출 포켓(303), 및 챔버 몸체(302)의 개구(318)에 인접하여 형성되는 플랜지(317)를 갖는 챔버 몸체(302)를 일반적으로 포함한다. 기판 용기(314)의 형상과 유사하게 원통형 형상을 갖는 챔버 몸체(302)는 종래 기술의 상자식 처리 챔버에 비교하여 처리 용적(337)을 감소시킨다. 묶음 처리과정 동안의 감소된 처리 용적은 묶음에 대해 요구되는 처리 가스의 양을 줄일 뿐만 아니라 거주 시간을 줄인다는 점에서 바람직하다. 배출 포켓(303) 및 분사 포켓(304)은 챔버 몸체(302)에 밀링된 슬롯의 위치에 용접될 수 있다. 일 태양에서, 분사 포켓(304) 및 배출 포켓(303)은 일 단부가 챔버 몸체(302)에 용접되고 다른 단부가 개방된, 평평한 석영 관이다. 분사 포켓(304) 및 배출 포켓(303)은 각각 온도 제어식 분사부 조립체(305) 및 온도 제어식 배출부 조립체(307)를 수용하도록 구성된다. 플랜지(317)는 챔버 몸체(302) 상에 용접될 수 있다. 플랜지(317)는 개구(318)가 석영 지지 플레이트(310) 상에 형성된 구멍(339)과 정렬하도록 석영 지지 플레이트(310) 상에 일반적으로 위치한다. 플랜지(317)는 석영 지지 플레이트(310)와 일반적으로 밀접하게 접촉한다. 처리 용적(337)을 외부 챔버(313), 챔버 스택 지지부(309), 석영 지지 플레이트(310) 및 석영 챔버(301)에 의해 형성되는 외부 용적(338)으로부터 밀봉하기 위하여 플랜지(317)와 석영 지지 플레이트(310) 사이에 O-링 실(319)이 배치될 수 있다. 석영 지지 플레이트(310)는 기판 용기(314)가 로드되거나 언로드될 수 있는 로드 락(load rock)(340)에 연결된다. 기판 용기(314)는 구멍(339) 및 개구(318)를 통하여 처리 용적(337)과 로드 락(340) 사이에서 수직으로 이동할 수 있다.
묶음 처리과정에 사용되는 기판 용기의 예들은 2005년 8월 31일에 미국 특허 출원 제 11/216,969 호로 출원된 "배치 증착 기구 및 압착된 용기"(대리인 서류 번호 APPM/009848/FEP/LPCVD/AG)에 추가로 개시되어 있으며, 상기 특허의 내용은 본 명세서에 참조된다. 배치 처리과정에 사용되는 기판용기의 로딩 및 언로딩을 위한 방법 및 장치의 예들은 2005년 9월 30일에 미국 특허 출원 제 11/242,301 호로 출원된 "배치 웨이퍼 처리 시스템"(대리인 서류 번호 APPM/010010/FEP/LPCVD/AG)에 추가로 개시되어 있으며, 상기 특허의 내용은 본 명세서에 참조된다.
도 5를 참조하면, 가열 블록(311)이 분사 포켓(304) 및 배출 포켓(303) 부근을 제외하고는 석영 챔버(301)의 외부 둘레를 대체로 둘러싼다. 기판(321)은 석영 챔버(301)를 통하여 가열 블록(311)에 의해 적당한 온도로 가열된다. 기판(321)의 모든 영역 상에서 균일하고 바람직한 처리 결과를 얻기 위해서는 모든 기판(321) 상의 모든 지점이 균일하게 가열되어야 한다. 일부 처리과정은 묶음의 모든 기판(321) 상의 모든 지점이 ± 1℃의 동일한 설정점 온도에 도달할 것을 요구한다. 배치 처리 챔버(300)의 구성은 묶음 처리과정에서의 온도 균일성을 향상시킨다. 일 태양에서, 기판(321) 및 챔버 몸체(302)가 모두 원형이므로 기판(321)의 가장자리는 석영 챔버(301)로부터 균일하게 이격된다. 다른 태양에서는, 영역들 간의 온도 편차가 조정될 수 있도록 가열 블록(311)이 다수의 제어가능한 영역을 갖는다. 일 실시예에서, 가열 블록(311)은 다수의 수직 영역 내에 배치되는 저항성 히터로 이루어진다. 일 태양에서, 가열 블록(311)은 세라믹 저항성 히터이다. 일 실시예에서, 가열 블록(311)은 외부 챔버(313) 상에 형성된 개구를 통해 제거가능하다. 묶음 처리과정에 사용되는 제거가능한 히터의 예들이 2005년 9월 9일에 미국 특허 출원 제 11/233,826 호로 출원된 "제거가능한 히터"(대리인 서류 번호 APPM/009826/FEP/LPCVD/AG)에 추가로 개시되어 있으며, 상기 특허의 내용은 본 명세서에 참조된다.
도 4를 참조하면, 분사 포켓(304)이 챔버 몸체(302)의 일 측면 상에 용접되어 처리 용적(337)과 소통하는 분사 용적(341)을 형성한다. 분사 용적(341)은 기판 용기(314)가 처리 위치에 위치할 때 기판 용기(314)의 전체 높이를 대체적으로 덮어 분사 포켓(304)에 배치된 분사 조립체(305)가 기판 용기(314)의 모든 기판(321)에 처리 가스의 수평 유동을 제공할 수 있게 한다. 일 태양에서 분사 조립체(305)는 분사 용적(341)에 맞도록 구성된 관입(intruding) 중앙부(342)를 갖는다. 분사 포켓(304)의 벽을 유지하도록 구성된 요부(343)는 중앙부(342) 주변에 일반적으로 형성된다. 분사 포켓(304)의 벽은 분사 조립체(305)에 의하여 대체적으로 감싸진다. 외부 챔버(313) 상에 형성된 분사 개구(316)와 분사 조립체(305) 사이에 단열재(306)가 일반적으로 배치된다. 일 태양에서, 외부 챔버(313)의 내부와 석영 챔버(301)의 외부를 포함하는 외부 용적(338)은 진공 상태로 유지된다. 처리 용적(337)과 분사 용적(341)이 처리 과정 동안에 진공 상태로 통상 유지되므로, 외부 용적(338)을 진공 상태로 유지함으로써 석영 챔버(301) 상에서 압력에 의해 유발된 응력을 줄일 수 있다. 외부 용적(338)에 진공 밀봉을 제공하기 위하여 단열재(306)와 외부 챔버(313) 사이에 O-링 실(331)이 배치될 수 있다. 분사 용적(341)에 대한 진공 밀봉을 제공하기 위하여 단열재(306)와 분사 조립체(305) 사이에 O-링 실(330)이 배치될 수 있다. 차폐 실(barrier seal)(329)이 분사 포켓(304)의 외부에 배치되어 분사 용적(341) 및 처리 용적(337) 내의 처리 화학물질이 외부 용적(338)으로 빠져나가는 것을 방지한다. 다른 태양에서는, 외부 용 적(338)이 대기압하에 놓일 수 있다.
단열재(306) 두 가지 용도로 사용된다. 한편으로, 단열재(306)는 외부 챔버(313)로부터 석영 챔버(301) 및 분사 조립체(305)를 단열하여 가열된 석영 챔버(301), 분사 조립체(305) 및 "차가운" 외부 챔버(313) 사이의 직접적인 접촉으로 인해 야기되는 손상을 방지한다. 다른 한편으로, 단열재(306)는 가열 블록(311)으로부터 분사 포켓(304) 및 분사 조립체(305)를 차폐시켜 분사 조립체(305)가 석영 챔버(301)로부터 독립적으로 제어될 수 있게 한다.
도 5를 참조하면, 3개의 유입 채널(326)이 분사 조립체(305)를 가로질러 수평으로 밀링되어 있다. 3개의 유입 채널(326) 각각은 처리 용적(337)에 처리 가스를 독립적으로 공급하도록 구성된다. 각각의 유입 채널(326)은 중앙부(342)의 단부 근방에 형성된 수직 채널(324)에 연결된다. 수직 채널(324)은 계속해서 균일하게 분포된 다수의 수평 홀(325)에 연결되고 분사 조립체(305)의 중앙부(342) 상에 수직 샤워 헤드를 형성한다(도 4에 도시됨). 처리과정 동안 처리 가스는 먼저 유입 채널(326) 중 하나로부터 상응하는 수직 채널(324)로 유동한다. 이후 처리 가스는 다수의 수평 홀(325)을 통해 수평적으로 처리 용적(337)으로 유동한다. 일 태양에서, 유입 채널(326)은 처리 가스의 평균 경로 길이가 짧아지도록 수직 채널(324)의 중심 지점 근방에서 상응하는 수직 채널(324)에 연결된다. 다른 태양에서, 수평 홀(325)은 모든 수평 홀(325)에서의 가스 유동이 거의 동일하도록 유입 채널(326)로부터 멀리 배치될수록 크기가 증가할 수 있다. 일 실시예에서, 다소의 유입 채널(326)이 배치 처리 챔버(300)에서 실행되는 처리과정의 요구조건에 따라 분사 조립체(305)에 형성될 수 있다. 다른 실시예에서는, 분사 조립체(305)가 외부 챔버(313)의 외부에 설치 및 제거될 수 있으므로, 분사 조립체(305)는 서로 다른 필요성을 충족시키기 위하여 교체가능하다.
특히 배치 처리 챔버에서 증착 과정이 실행되고자 할 때에는 배치 처리 챔버 내의 다양한 구성 요소의 온도를 제어하는 것이 중요하다. 분사 조립체의 온도가 너무 낮으면, 분사되는 가스는 응축할 수 있고 분사 조립체의 표면 상에 잔류할 수 있는데, 이는 입자를 생성하여 챔버 처리 과정에 영향을 미칠 수 있다. 분사 조립체의 온도가 가스 상(phase)의 분해(decomposition) 및/또는 표면 분해를 일으키기에 충분하게 너무 높으면, 이는 분사 조립체 내의 경로를 "막히게(clog)" 할 수 있다. 이상적으로는, 배치 처리 챔버의 분사 조립체가 분사되는 가스의 분해 온도보다는 낮고 가스의 응축 온도보다는 높은 온도로 가열된다. 분사 조립체에 대한 이상적인 온도는 처리 용적 내의 처리 온도와는 일반적으로 다르다. 예를 들어, 원자 층 증착 과정 동안에, 처리되는 기판은 600℃까지 가열될 수 있는 반면, 분사 조립체에 대한 이상적인 온도는 약 80℃이다. 따라서 분사 조립체의 온도를 독립적으로 제어할 필요가 있다.
도 4를 참조하면, 하나 또는 다수의 히터(328)가 유입 채널(326)에 인접하여 분사 조립체(305) 내에 배치된다. 하나 또는 그 다수의 히터(328)는 분사 조립체(305)를 설정 온도로 가열하도록 구성되며 저항성 히터 부재, 열 교환기 등으로 이루어질 수 있다. 냉각 채널(327)은 하나 또는 다수의 히터(328) 외부에서 분사 조립체(305) 내에 형성된다. 일 태양에서, 냉각 채널(327)은 분사 조립체(305) 온도의 추가적인 제어를 제공한다. 다른 태양에서, 냉각 채널(327)은 분사 조립체(305)의 외부 온도를 차갑게 유지한다. 일 실시예에서, 냉각 채널(327)은 한 단부에서 만나도록 약간 각도를 두고 구멍 뚫어진 두 개의 수직 채널을 포함할 수 있다. 수평 유입/배출부(323)는 열 교환 유체가 냉각 채널(327)을 통해 지속적으로 유동할 수 있도록 냉각 채널(327) 각각에 연결된다. 열 교환 유체는, 예를 들어, 약 30℃ 내지 약 300℃ 사이의 온도로 가열되는 퍼플루오르폴리에테르(예를 들어 Galden® 유체)일 수 있다. 열 교환 유체는 약 15℃ 내지 95℃ 사이의 바람직한 온도에서 운송되는 냉각수일 수도 있다. 열 교환 유체는 아르곤이나 질소와 같은 온도 제어식 가스일 수도 있다.
도 4를 참조하면, 배출 포켓(303)은 챔버 몸체(302)의 분사 포켓(304)의 반대측 상에 용접될 수 있다. 배출 포켓(303)은 처리 용적(337)과 소통되는 배출 용적(344)을 형성한다. 배출 용적(344)은 기판 용기(314)가 처리 위치에 위치할 때 기판 용기(314)의 높이를 대체적으로 덮어 처리 가스가 배출 포켓(303)에 배치된 배출 조립체(307)를 통해 균일하게 처리 용적(337)을 빠져나갈 수 있게 한다. 일 태양에서 배출 조립체(307)는 배출 용적(344)에 맞도록 구성된 관입(intruding) 중앙부(348)를 갖는다. 요부(349)는 중앙부(348) 주위에 형성되며 배출 포켓(304)의 벽을 유지하도록 구성된다. 배출 포켓(303)의 벽은 배출 조립체(307)에 의하여 감싸진다. 외부 챔버(313) 상에 형성된 배출 개구(350)와 배출 조립체(307) 사이에 단열재(308)가 배치된다. 외부 용적(338)에 진공 밀봉을 제공하기 위하여 단열재(308)와 외부 챔버(313) 사이에 O-링 실(345)이 배치된다. 배출 용적(344)에 대 한 진공 밀봉을 제공하기 위하여 단열재(308)와 배출 조립체(307) 사이에 O-링 실(346)이 배치된다. 차폐 실(barrier seal)(347)이 배출 포켓(303)의 외부에 배치되어 배출 용적(344) 및 처리 용적(337) 내의 처리 화학물질이 외부 용적(338)으로 빠져나가는 것을 방지한다.
단열재(308) 두 가지 용도로 사용된다. 한편으로, 단열재(308)는 외부 챔버(313)로부터 석영 챔버(301) 및 배출 조립체(307)를 단열하여 가열된 석영 챔버(301), 배출 조립체(307) 및 "차가운" 외부 챔버(313) 사이의 직접적인 접촉으로 인해 야기되는 손상을 방지한다. 다른 한편으로, 단열재(308)는 가열 블록(311)으로부터 배출 포켓(303) 및 배출 조립체(307)를 차폐시켜 배출 조립체(307)가 석영 챔버(301)로부터 독립적으로 제어될 수 있게 한다.
도 5를 참조하면, 배출 포트(333)가 중앙부 부근에서 배출 조립체(307)를 가로질러 수평적으로 형성된다. 배출 포트(333)는 관입 중앙부(348)에 형성되는 수직 격실(vertical compartment)(332)로 개방된다. 수직 격실(332)은 처리 용적(337)으로 개방되어 있는 다수의 수평 슬롯(336)에 연결된다. 처리 용적(337)으로부터 가스를 빼낼 때, 처리 가스는 먼저 처리 용적(337)으로부터 다수의 수평 슬롯(336)을 통하여 수직 격실(332)로 유동한다. 처리 가스는 이후 배출 포트(333)를 통해 배출 시스템으로 유동한다. 일 태양에서, 수평 슬롯(336)은 기판 용기(314)에 걸쳐 상부로부터 하부까지 균일한 배출을 제공하기 위하여 특정 수평 슬롯(336)과 배출 포트(333) 사이의 거리에 따라 크기가 변할 수 있다.
특히 배치 처리 챔버에서 증착 과정이 실행되고자 할 때에는 배치 처리 챔버 내의 다양한 구성 요소의 온도를 제어하는 것이 중요하다. 한편으로, 배출 조립체 내에서 증착 반응이 발생하지 않도록 배출 조립체 내의 온도를 처리 챔버 내의 온도보다 낮게 유지하는 것이 바람직하다. 다른 한편으로는, 배출 조립체를 통과하는 처리 가스가 표면 상에 응측 및 잔류하여 입자 오염을 유발하지 않도록 배출 조립체를 가열하는 것이 바람직하다. 따라서 배출 조립체를 처리 용적으로부터 독립적으로 가열할 필요가 있다.
도 4를 참조하면, 냉각 채널(334)이 배출 조립체(307) 내측에 형성되어 배출 조립체(307)의 온도 제어를 제공한다. 수평 유입/배출부(335)는 열 교환 유체가 냉각 채널(334)을 통해 지속적으로 유동할 수 있도록 냉각 채널(334)에 연결된다. 열 교환 유체는, 예를 들어, 약 30℃ 내지 약 300℃ 사이의 온도로 가열되는 퍼플루오르폴리에테르(예를 들어 Galden® 유체)일 수 있다. 열 교환 유체는 약 15℃ 내지 95℃ 사이의 바람직한 온도에서 운송되는 냉각수일 수도 있다. 열 교환 유체는 아르곤이나 질소와 같은 온도 제어식 가스일 수도 있다.
도 6은 본원발명의 다른 실시예의 상부 단면도를 도시한다. 배치 챔버(400)는 서로 대향하여 형성되는 두 개의 개구(416 및 450)를 갖는 외부 챔버(413)를 일반적으로 포함한다. 개구(416)는 분사 조립체(405)를 수용하도록 구성되며, 개구(450)는 배출 조립체(407)를 수용하도록 구성된다. 외부 챔버는 그 내부에서 기판(421) 묶음을 처리하도록 구성되는 처리 용적(437)을 형성한다. 두 개의 석영 콘테이너(401)는 외부 챔버(413)의 내측에 일반적으로 배치된다. 각각의 석영 콘테이너(401)는 기판(421)의 둘레의 일부를 밀접하게 품을 수 있도록 구성된 만곡 표면(402)을 갖는다. 만곡 표면(402)의 반대편에는 개구(452)가 위치하며, 이 개구의 주변에는 플랜지(403)가 형성될 수 있다. 석영 콘테이너(401)는 개구(452)에서 내측으로부터 외부 챔버(413)에 밀봉적으로 연결되어 석영 콘테이너(401)가 처리 용적(437)으로부터 가열 용적(438)을 잘라내게 한다. 가열 블록(411)은 기판(421)이 석영 컨테이너(401)의 만곡 표면(402)을 통해 가열 블록(411)에 의해 가열되도록 가열 용적(438)의 내부에 배치된다. 처리 용적(437)과 가열 용적(438) 사이의 진공 밀봉을 제공하기 위하여 O-링 실(451)이 사용될 수 있다. 일 태양에서, 가열 용적(438)은 진공 상태로 유지될 수 있으며 가열 블록(411)은 세라믹 저항성 히터와 같이 진공에 적합한 히터일 수 있다. 다른 태양에서, 가열 용적(438)은 대기압으로 유지될 수 있으며 가열 블록(411)은 정규의 저항성 히터이다. 일 실시예에서, 가열 블록(411)은 가열 효과가 영역별로 조정될 수 있도록 명 개의 제어가능한 영역으로 이루어진다. 다른 실시예에서는, 가열 블록(411)이 외부 챔버(413)의 상부 및/또는 측면으로부터 제거가능할 수 있다. 묶음 처리과정에 사용되는 제거가능한 히터의 예들이 2005년 9월 9일에 미국 특허 출원 제 11/233,826 호로 출원된 "제거가능한 히터"(대리인 서류 번호 APPM/009826/FEP/LPCVD/AG)에 추가로 개시되어 있으며, 상기 특허의 내용은 본 명세서에 참조된다.
분사 조립체(405)를 외부 챔버(413)에 밀봉적으로 연결하기 위하여 O-링 실(430)이 사용된다. 분사 조립체(405)는 처리 용적(437)으로 연장하는 관입 중앙부(442)를 구비한다. 분사 조립체(405)는 관입 중앙부(442) 내에 형성되는 하나 또는 다수의 수직 유입관(424)을 갖는다. 다수의 수평 유입 홀(425)이 수직 유입관(424)에 연결되어 처리 용적(437)에 하나 또는 다수의 처리 가스를 제공하도록 구성되는 수직 샤워 헤드를 형성한다. 일 태양에서, 분사 조립체(405)는 처리 용적(437)으로부터 독립적으로 온도 제어된다. 냉각 채널(427)이 그 내부에 냉각 열 교환 유체의 순환을 위하여 분사 조립체(405) 내에 형성된다. 열 교환 유체는, 예를 들어, 약 30℃ 내지 약 300℃ 사이의 온도로 가열되는 퍼플루오르폴리에테르(예를 들어 Galden® 유체)일 수 있다. 열 교환 유체는 약 15℃ 내지 95℃ 사이의 바람직한 온도에서 운송되는 냉각수일 수도 있다. 열 교환 유체는 아르곤이나 질소와 같은 온도 제어식 가스일 수도 있다.
배출 조립체(407)를 외부 챔버(413)에 밀봉적으로 연결하기 위하여 O-링 실(446)이 사용된다. 배출 조립체(407)는 처리 용적(437)으로 연장하는 관입 중앙부(448)를 구비한다. 배출 조립체(407)는 관입 중앙부(448) 내에 형성되는 하나의 수직 격실(432)을 갖는다. 다수의 수평 슬롯(436)이 수직 격실(432)에 연결되어 처리 용적(437)으로부터 처리 가스를 빼내도록 구성된다. 일 태양에서, 배출 조립체(407)는 처리 용적(437)으로부터 독립적으로 온도 제어된다. 냉각 채널(434)이 그 내부에 냉각 열 교환 유체의 순환을 위하여 배출 조립체(407) 내에 형성된다. 열 교환 유체는, 예를 들어, 약 30℃ 내지 약 300℃ 사이의 온도로 가열되는 퍼플루오르폴리에테르(예를 들어 Galden® 유체)일 수 있다. 열 교환 유체는 약 15℃ 내지 95℃ 사이의 바람직한 온도에서 운송되는 냉각수일 수도 있다. 열 교환 유체는 아르곤이나 질소와 같은 온도 제어식 가스일 수도 있다.
도 7 및 8은 배출 및 분사를 위한 대향 포켓을 구비하는 석영 챔버를 갖는 배치 처리 챔버의 다른 실시예를 도시한다. 이 실시예에서는, 배출 포켓이 하부 포트를 갖는데 이는 배출 조립체 및 요구되는 O-링 실의 개수를 제거함으로써 배치 처리 챔버의 복잡성을 감소시킨다. 도 7은 배치 처리 챔버(500)의 측단면도이며, 도 8은 도 7의 선8-8을 따라 절개한 배치 처리 챔버(500)의 단면도이다. 배치 처리 챔버(500)는 기판 용기(514) 내에 적층된 기판(521) 묶음을 수용하도록 구성되 처리 용적(537)을 형성하는 석영 챔버(501)를 일반적으로 포함한다. 하나 또는 다수의 가열 블록(511)이 석영 챔버(501) 주위에 일반적으로 배치되며 처리 용적(537) 내부의 기판(521)을 가열하도록 구성된다. 외부 챔버(513)가 석영 챔버(501) 및 하나 또는 다수의 가열 블록(511) 위에 일반적으로 배치된다. 하나 또는 다수의 단열재(512)가 외부 챔버(513)와 하나 또는 다수의 가열 블록(511) 사이에 배치되며 외부 챔버(513)를 냉각 상태로 유지하도록 구성된다. 석영 챔버(501)는 석영 지지 플레이트(510)에 의하여 지지된다. 외부 챔버(513)는 석영 지지 플레이트(510)에 의하여 지지되는 챔버 스택 지지부(509)에 연결된다.
석영 챔버(501)는 하부 개구(518), 챔버 몸체(502)의 일 측면 상에 형성되는 분사 포켓(504), 분사 포켓(504)의 반대편 측면 상에서 챔버 몸체(503) 상에 형성되는 배출 포켓(503), 및 하부 개구(518)에 인접하여 형성되는 플랜지(517)를 일반적으로 포함한다. 배출 포켓(503) 및 분사 포켓(504)은 챔버 몸체(502) 상에 밀링된 슬롯의 위치에 용접될 수 있다. 분사 포켓(504)은 일 단부가 챔버 몸체(502) 상에 용접되고 다른 단부가 개방되는 평평한 석영 관의 형태를 갖는다. 배출 포켓(503)은 그 측면이 챔버 몸체(502)에 용접되는 부분적인 파이프의 형태를 갖는 다. 배출 포켓(503)은 하부 포트(551)를 가지며 하부에서 개방된다. 배출 블록(548)은 챔버 몸체(502)와 배출 포켓(503) 사이에 배치되며 배출 포켓(503)의 배출 용적(532)과 처리 용적(537) 사이의 유체 소통을 제한하도록 구성된다. 플랜지(517)는 하부 개구(518) 및 하부 포트(551)의 주변 상에 용접될 수 있으며 챔버 몸체(502) 및 배출 포켓(503) 모두에 대한 진공 밀봉을 용이하게 하도록 구성된다. 플랜지(517)는 구멍(550 및 539)을 갖는 석영 지지 플레이트(510)와 대체적으로 밀접하게 접촉한다. 하부 개구(518)는 구멍(539)과 정렬하며 하부 포트(551)는 구멍(550)과 정렬한다. 처리 용적(537)을 외부 챔버(513), 챔버 스택 지지부(509) 석영 지지 플레이트(510) 및 석영 챔버(501)에 의해 형성되는 외부 용적(538)으로부터 밀봉하기 위하여 플랜지(517)와 석영 지지 플레이트(510) 사이에 O-링 실(519)이 배치될 수 있다. 배출 용적(532)과 외부 용적(538)을 밀봉하기 위하여 하부 포트(551) 주변에 O-링 실(552)이 배치된다. 석영 지지 플레이트(510)는 기판 용기(514)가 로드되거나 언로드될 수 있는 로드 락(load rock)(540)에 연결된다. 기판 용기(514)는 구멍(539) 및 개구(518)를 통하여 처리 용적(537)과 로드 락(540) 사이에서 수직으로 이동할 수 있다.
도 8을 참조하면, 가열 블록(511)이 분사 포켓(504) 및 배출 포켓(503) 부근을 제외하고는 석영 챔버(501)의 외부 둘레를 둘러싼다. 기판(521)은 석영 챔버(501)를 통하여 가열 블록(511)에 의해 적당한 온도로 가열된다. 일 태양에서, 기판(521) 및 챔버 몸체(502)가 모두 원형이므로 기판(521)의 가장자리는 석영 챔버(501)로부터 균일하게 이격된다. 다른 태양에서는, 영역들 간의 온도 편차가 조 정될 수 있도록 가열 블록(511)이 다수의 제어가능한 영역을 갖는다. 일 실시예에서, 가열 블록(511)은 석영 챔버(501)를 부분적으로 둘러싸는 만곡 표면을 갖는다.
도 7을 참조하면, 분사 포켓(504)이 챔버 몸체(502)의 일 측면 상에 용접되어 처리 용적(537)과 소통하는 분사 용적(541)을 형성한다. 분사 용적(541)은 기판 용기(514)가 처리 위치에 위치할 때 기판 용기(514)의 전체 높이를 대체적으로 덮어 분사 포켓(504)에 배치된 분사 조립체(505)가 기판 용기(514)의 모든 기판(521)에 처리 가스의 수평 유동을 제공할 수 있게 한다. 일 태양에서 분사 조립체(505)는 분사 용적(541)에 맞도록 구성된 관입(intruding) 중앙부(542)를 갖는다. 분사 포켓(504)의 벽을 유지하도록 구성된 요부(543)가 중앙부(542)의 주변에 일반적으로 형성된다. 분사 포켓(504)의 벽은 분사 조립체(505)에 의하여 일반적으로 둘러싸인다. 분사 개구(516)가 외부 챔버(513) 상에 형성되어 분사 조립체(505)에 대한 통로를 제공한다. 내부로 연장하는 림(506)이 분사 개구(516) 주변에 형성되어 분사 조립체(505)가 가열 블록(511)에 의하여 가열되는 것을 방지하도록 구성된다. 일 태양에서, 외부 챔버(513)의 내부 및 석영 챔버(501)의 외부를 일반적으로 포함하는 외부 용적(538)이 진공 상태로 유지된다. 처리 용적(537)과 분사 용적(541)이 처리 과정 동안에 통상적으로 진공상태로 유지되므로, 외부 용적(538)을 진공으로 유지하게 되면 석영 챔버(501)상에서 압력에 의해 발생되는 응력을 줄일 수 있다. 분사 용적(541)에 대한 진공 밀봉을 제공하기 위하여 분사 조립체(505)와 외부 챔버(513) 사이에 O-링 실(530)이 배치될 수 있다. 차폐 실(barrier seal)(529)이 분사 포켓(504)의 외부에 일반적으로 배치되어 분사 용적(541) 및 처리 용적(537) 내의 처리 화학물질이 외부 용적(538)으로 빠져나가는 것을 방지한다. 다른 태양에서는, 외부 용적(538)이 대기압하에 놓일 수 있다.
도 8을 참조하면, 3개의 유입 채널(526)이 분사 조립체(505)를 가로질러 수평으로 밀링되어 있다. 3개의 유입 채널(526) 각각은 처리 용적(537)에 처리 가스를 독립적으로 공급하도록 구성된다. 각각의 유입 채널(526)은 중앙부(542)의 단부 근방에 형성된 수직 채널(524)에 연결된다. 수직 채널(524)은 계속해서 균일하게 분포된 다수의 수평 홀(525)에 연결되고 분사 조립체(505)의 중앙부(542) 상에 수직 샤워 헤드를 형성한다(도 7에 도시됨). 처리과정 동안 처리 가스는 먼저 유입 채널(526) 중 하나로부터 상응하는 수직 채널(524)로 유동한다. 이후 처리 가스는 다수의 수평 홀(525)을 통해 수평적으로 처리 용적(537)으로 유동한다. 일 실시예에서, 다소의 유입 채널(526)이 배치 처리 챔버(500)에서 실행되는 처리과정의 요구조건에 따라 분사 조립체(505)에 형성될 수 있다. 다른 실시예에서는, 분사 조립체(505)가 외부 챔버(513)의 외부에 설치 및 제거될 수 있으므로, 분사 조립체(505)는 서로 다른 필요성을 충족시키기 위하여 교체가능하다.
도 7을 참조하면, 하나 또는 다수의 히터(528)가 유입 채널(526)에 인접하여 분사 조립체(505) 내에 배치된다. 하나 또는 다수의 히터(528)는 분사 조립체(505)를 설정 온도로 가열하도록 구성되며 저항성 히터 부재, 열 교환기 등으로 이루어질 수 있다. 냉각 채널(527)은 하나 또는 다수의 히터(528) 외부에서 분사 조립체(505) 내에 형성된다. 일 태양에서, 냉각 채널(527)은 분사 조립체(505) 온도의 추가적인 제어를 제공한다. 다른 태양에서, 냉각 채널(527)은 분사 조립체(505)의 외부 표면을 차갑게 유지한다. 일 실시예에서, 냉각 채널(527)은 한 단부에서 만나도록 약간 각도를 두고 구멍 뚫어진 두 개의 수직 채널을 포함할 수 있다. 수평 유입/배출부(523)는 열 교환 유체가 냉각 채널(527)을 통해 지속적으로 유동할 수 있도록 냉각 채널(527) 각각에 연결된다. 열 교환 유체는, 예를 들어, 약 30℃ 내지 약 300℃ 사이의 온도로 가열되는 퍼플루오르폴리에테르(예를 들어 Galden® 유체)일 수 있다. 열 교환 유체는 약 15℃ 내지 95℃ 사이의 바람직한 온도에서 운송되는 냉각수일 수도 있다. 열 교환 유체는 아르곤이나 질소와 같은 온도 제어식 가스일 수도 있다.
배출 용적(532)은 배출 블록(548)을 통해 처리 용적(537)에 유체 소통적으로 연결된다. 일 태양에서, 유체 소통적 연결은 배출 블록(548) 상에 형성되는 다수의 슬롯(536)에 의해 가능하게 된다. 배출 용적(532)은 배출 포켓(503)의 하부에 위치하는 단일의 배출 포트 홀(533)을 통해 펌핑 장치와 유체 소통적으로 연결된다. 따라서, 처리 용적(537) 내의 처리 가스는 다수의 슬롯(536)을 통해 배출 용적(532)으로 유동하고, 이후 배출 포트 홀(533)로 내려가게 된다. 배출 포트 홀(533) 부근에 위치한 슬롯(536)은 배출 포트 홀(533)로부터 떨어진 슬롯(536)보다 더 강한 흡입력(draw)을 가질 것이다. 상부로부터 하부까지 균일한 흡입력을 생성하기 위하여, 예를 들어 하부로부터 상부로 슬롯(536)의 크기를 증가시키는 것과 같이 다수의 슬롯(536)의 크기가 변화될 수 있다.
도 9 및 10은 본원발명의 다른 실시예를 도시한다. 도 9는 배치 처리 챔버(600)의 측단면도를 도시한다. 도 10은 배치 처리 챔버(600)의 상부 단면도를 도시한다. 도 10을 참조하면, 배치 처리 챔버(600)는 히터(611)에 의해 둘러싸인 원통형 외부 챔버(613)를 포함한다. 배출 포켓(603) 및 분사 포켓(604)을 갖는 석영 챔버(601)가 외부 챔버(613)의 내부에 배치된다. 석영 챔버(601)는 처리과정 동안에 기판(621)의 묶음을 수용하도록 구성되는 처리 용적(637), 배출 포켓(603) 내의 배출 용적(632), 분사 포켓(604) 내의 분사 용적(641)을 형성한다. 일 태양에서 히터(611)는 분사 포켓(604) 주변의 영역은 개방상태로 남겨두고 약 280도로 외부 챔버(613)를 둘러쌀 수 있다.
외부 챔버(613)는 알루미늄, 스테인리스 스틸, 세라믹, 및 석영과 같이 적절한 고온 물질로 제조될 수 있다. 석영 챔버(601)는 석영으로 제조될 수 있다. 도 9를 참조하면, 석영 챔버(601) 및 외부 챔버(613) 모두 하부에서 개방되어 지지 플레이트(610)에 의해 지지된다. 히터(611)도 또한 지지 플레이트(610)에 의해 지지된다. 석영 챔버(601)와 지지 플레이트(610) 사이의 진공 밀봉을 용이하게 하기 위하여 하부 근방에서 석영 챔버(601) 상에 플랜지(617)가 용접될 수 있다. 일 태양에서, 플랜지(617)는 배출 용적(632), 처리 용적(637) 및 분사 용적(641)으로 각각 개방되는 3개의 홀(651, 618, 660)을 구비하는 플레이트일 수 있다. 개구(650, 639, 616)가 지지 플레이트(610) 내에 형성되며 각각 홀(651, 618, 660)과 정렬된다. 플랜지(617)는 지지 플레이트(610)와 밀접한 접촉을 한다. O-링(652, 619, 656)이 각각 홀(651, 618, 660) 주변에서 지지 플레이트(610)와 플랜지(617) 사이에 배치된다. O-링(652, 619, 656)은 외부 챔버(613)의 내부 및 석영 챔버(601)의 외부에 있는 외부 용적(638), 석영 챔버(601)의 내부에 있는 분사 용적(641) 및 배 출 용적(632), 및 처리 용적(637) 사이의 진공 밀봉을 제공한다. 일 태양에서, 처리 용적(638)은 처리 과정 동안에 석영 챔버(601) 상의 응력을 감소시키기 위하여 진공 상태로 유지된다.
처리 가스를 공급하도록 구성되는 분사 조립체(605)가 분사 용적(641) 내에 배치된다. 일 태양에서 분사 조립체(605)는 개구(616) 및 홀(660)을 통해서 삽입 및 제거될 수 있다. 개구(616) 및 홀(660)을 밀봉하기 위하여 분사 조립체(605)와 지지 플레이트 사이에 O-링 실(657)이 사용될 수 있다. 수직 채널(624)이 분사 조립체(605) 내부에 형성되어 하부로부터 처리 가스가 유동하도록 구성된다. 다수의 균일하게 배치되는 수평 홀(625)이 수직 채널(624) 내에 뚫어져서 처리 용적(637) 위 아래로 가스를 균일하게 공급하기 위한 수직 샤워 헤드를 형성한다. 일 태양에서, 다수의 처리 가스를 독립적으로 공급하기 위하여 분사 조립체(605) 내에 다수의 수직 채널이 형성될 수 있다. 도 10을 참조하면, 분사 조립체(605)가 히터(611)에 의하여 직접적으로 둘러싸이지 않으므로, 분사 조립체(605)는 독립적으로 온도 제어될 수 있다. 일 태양에서, 수직 냉각 채널(627)이 분사 조립체(605) 내에 형성되어 분사 조립체(605)의 온도를 제거하기 위한 수단을 제공할 수 있다.
도 9를 참조하면, 배출 용적(632)은 배출 용적(632) 내에 배치되는 배출 블록(648)을 통해 처리 용적(637)에 유체 소통적으로 연결된다. 일 태양에서, 유체 소통적 연결은 배출 블록(648) 상에 형성되는 다수의 슬롯(636)에 의해 가능하게 된다. 배출 용적(632)은 배출 용적의 하부 근방에서 개구(650)에 배치되는 단일의 배출 포트(659)를 통해 펌핑 장치와 유체 소통적으로 연결된다. 따라서, 처리 용 적(637) 내의 처리 가스는 다수의 슬롯(636)을 통해 배출 용적(632)으로 유동하고, 이후 배출 포트(659)로 내려가게 된다. 배출 포트(659) 부근에 위치한 슬롯(636)은 배출 포트(659)로부터 떨어진 슬롯(636)보다 더 강한 흡입력(draw)을 가질 것이다. 상부로부터 하부까지 균일한 흡입력을 생성하기 위하여, 예를 들어 하부로부터 상부로 슬롯(636)의 크기를 증가시키는 것과 같이 다수의 슬롯(636)의 크기가 변화될 수 있다.
배치 처리 챔버(600)는 다양한 면에서 장점을 갖는다. 원통형 자(jar) 형태의 챔버(601, 613)는 효과적인 용적 방식이다. 챔버(601, 613) 모두의 외부에 위치하는 히터(611)는 유지하기가 용이하다. 분사 조립체(605)는 독립적으로 온도 제어될 수 있는데, 이는 많은 처리과정에서 바람직하다. 배출 포트(659) 및 분사 조립체(605)는 하부로부터 설치되는데, 이는 유지의 복잡성과 O-링 실을 줄일 수 있다.
도 11 및 12A는 본원발명의 다른 실시예를 도시한다. 도 12A는 배치 처리 챔버(700)의 측단면도이다. 도 11은 도 12A 의 선 11-11을 따라 절개한 배치 처리 챔버(700)의 상부 단면도이다. 도 11을 참조하면, 배치 처리 챔버(700)는 히터(711)에 의해 둘러싸인 석영 챔버(701)를 포함한다. 석영 챔버(701)의 내부에는 라이너 자(liner jar; 713)가 배치된다. 라이너 자(713)는 처리 과정 동안에 기판(721)의 묶음을 수용하도록 구성되는 처리 용적(737)을 형성한다. 석영 챔버(701) 및 라이너 자(713)는 외부 용적(738)을 형성한다. 배출 조립체(707)는 외부 용적(738) 내에 배치되며 분사 조립체(705)도 배출 조립체(707)의 반대편 측면 상에서 외부 용적(738) 내에 배치된다. 두 개의 좁은 개구(750, 716)가 각각 배출 조립체(707) 및 분사 조립체(705) 근방에서 라이너 자(713) 상에 형성되며, 배출 조립체(707) 및 분사 조립체(705)가 처리 용적(737)과 유체 소통적으로 연결되는 것을 용이하게 하도록 구성된다. 일 태양에서, 히터(711)는 분사 조립체(705)가 독립적으로 온도 제어될 수 있도록 분사 조립체(705) 근방의 영역은 개방된 상태로 남겨두고 약 280도로 석영 챔버(701)를 둘러쌀 수 있다.
도 12A를 참조하면, 석영 챔버(701) 및 라이너 자(713) 모두가 하부에서 개방되어 지지 플레이트(710)에 의해 지지된다. 일 태양에서, 히터(711)도 지지 플레이트(710)에 의해 지지된다. 라이너 자(713)는 원통형이며 기판 용기(714)를 수용하도록 구성된다. 일 태양에서, 라이너 자(713)는 처리 용적(737) 내의 처리 가스를 제한하도록 구성되어 요구되는 처리 가스의 양을 줄이고, 가스의 분자가 분사 지점으로부터 챔버로부터 배출되는 지점까지 이동하기 위한 평균 시간인 거주 시간을 감소시킨다. 다른 태양에서, 라이너 자(713)는 기판(721) 사이에서의 열 분배 균일성을 향상시키기 위하여 석영 챔버(701)로부터 방사되는 열 에너지에 대한 열 확산기(thermal diffuser)로 작용할 수 있다. 또한, 라이너 자(713)는 처리 과정 동안에 석영 챔버(701) 상에 막이 증착되는 것을 방지한다. 라이너 자(713)는 알루미늄, 스테인리스 스틸, 세라믹, 및 석영과 같이 적절한 고온 물질로 제조된다.
석영 챔버(701)는 하부 근방에 용접되는 플랜지(717)를 가질 수 있다. 플랜지(717)는 지지 플레이트(710)와 밀접한 접촉을 하도록 구성된다. 석영 챔버(701)에 대한 진공 밀봉을 용이하게 하기 위하여 지지 플레이트(710)와 플랜지(717) 사이에 O-링 실(754)이 적용될 수 있다.
배출 조립체(707)는 상부 단부가 폐쇄되고 일 측면 상에 다수의 슬롯(736)이 형성되는 파이프 형태를 가질 수 있다. 다수의 술롯(736)은 처리 용적(737)이 배출 조립체(707) 내부의 배출 용적(732)과 유체 소통적으로 연결되도록 라이너 자(713)의 개구(750)와 면한다. 배출 조립체(707)는 지지 플레이트(710) 상에 형성되는 배출 포트(759)로부터 설치될 수 있으며 배출 포트(750)를 밀봉하기 위하여 O-링 실(758)이 사용될 수 있다.
분사 조립체(705)는 석영 챔버(701)와 라이너 자(713) 사이에서 밀접하게 조립된다(snuggly fit in). 분사 조립체(705)는 바깥쪽으로 연장되고 석영 챔버(701)의 일 측면 상에 형성되는 3개의 분사 포트(704)에 배치되는 3 개의 입력 연장부(722)를 갖는다. 분사 포트(704)와 입력 연장부(722) 사이를 밀봉하기 위하여 O-링 실(730)이 사용될 수 있다. 일 태양에서, 분사 조립체(705)는 석영 챔버(701)의 내부로부터 입력 연장부(722)를 분사 포트(704)로 삽입함으로써 설치될 수 있다. 분사 포트(704)는 석영 챔버(701)의 측벽 상에 용접될 수 있다. 일 태양에서, 입력 연장부(722)는 용이한 유지를 위하여 아래로 떨어뜨림(dropping down)으로써 입력 조립체(705)가 챔버로부터 제거되도록 매우 짧을 수 있다. 도 11을 참조하면, 수직 채널(724)이 분사 조립체(705) 내에 형성되며 중심부에서 입력 연장부(722)에 형성되는 수평 채널(726)과 유체 소통적으로 연결되도록 구성된다. 균일하게 분포된 다수의 수평 홀(725)이 수직 채널(724) 내에 뚫어져서 수직 샤워 헤드를 형성한다. 수평 홀(725)은 수평 채널(726)로부터 유입된 처리 가스가 처리 용적(737)의 상 하부에 균일하게 분포되도록 라이너 자(713)의 개구(716)를 향한다. 일 태양에서, 다수의 수직 채널(724)이 분사 조립체(705) 내에 형성되어 다수의 처리 가스를 독립적으로 공급할 수 있다. 수직 냉각 채널(727)은 분사 조립체(705) 내부에 형성되어 분사 조립체(705)의 온도를 제어하기 위한 수단을 제공한다. 도 12A를 참조하면, 냉각 채널(727)은 상부 및 하부에서 입력 연장부(722)에 형성되는 입력 채널(723)에 연결된다. 중앙부에 위치하는 입력 연장부(722)로부터 처리 가스를 제공함으로써, 처리 가스의 평균 경로가 단축된다.
도 12B는 배치 처리 챔버(700)와 유사한 배치 처리 챔버(700A)에 사용되기 위한 분사 조립체(705A)의 다른 실시예를 도시한다. 분사 조립체(705A)는 석영 챔버(701A) 및 라이너 자(713A) 사이에 밀접하게 조립된다(snuggly fit in). 분사 조립체(705A)는 바깥쪽으로 연장되고 석영 챔버(701A)의 일 측면 상에 형성되는 분사 포트(704A)에 배치되는 입력 연장부(722A)를 갖는다. 분사 포트(704A)와 입력 연장부(722A) 사이를 밀봉하기 위하여 O-링 실(730A)이 사용될 수 있다. 수직 채널(724A)이 분사 조립체(705A) 내에 형성되며 입력 연장부(722A)에 형성되는 수평 채널(726A)과 유체 소통적으로 연결되도록 구성된다. 균일하게 분포된 다수의 수평 홀(725A)이 수직 채널(724A) 내에 뚫어져서 수직 샤워 헤드를 형성한다. 수평 홀(725A)은 수평 채널(726A)로부터 유입된 처리 가스가 라이너 자(713A)의 상 하부에 균일하게 분포되도록 라이너 자(713A)의 개구(716A)를 향한다. 수직 채널(727A)이 분사 조립체(705A) 내에 형성되어 분사 조립체(705A)의 온도를 제거하기 위한 수단을 제공한다. 냉각 채널(727A)은 하부에서 개방된다. 분사 조립체(705A)는 지지 플레이트(710A) 상에 형성되는 분사 포트(760A)로부터 설치될 수 있으며 분사 포트(760A)를 밀봉하기 위하여 O-링 실(757A)이 사용될 수 있다.
도 14-16은 챔버 온도가 챔버의 외부에 위치하는 센서에 의해 모니터링될 수 있는 배치 처리 챔버의 다른 실시예를 도시한다. 도 14는 배치 처리 챔버(800)의 측단면도를 도시한다. 도 13A는 도 14의 선13A-13A 를 따라 절개한 배치 처리 챔버(800)의 상부 단면도를 도시한다. 도 13B은 도 13A의 확대도이다.
도 13A를 참조하면, 배치 처리 챔버(800)가 히터(811)에 의해 둘러싸인 석영 챔버(801)를 포함한다. 석영 챔버(801)는 원통형 챔버 몸체(802), 챔버 몸체(802)의 일 측면 상의 배출 포켓(803), 배출 포켓(803)에 대향하는 분사 포켓(804)을 포함한다. 챔버 몸체(802)는 처리 과정 동안에 기판(821) 묶음을 수용하도록 구성되는 처리 용적(837)을 형성한다. 배출 블록(848)은 챔버 몸체(802)와 배출 포켓(803) 사이에 배치된다. 배출 용적(832)은 배출 블럭(848)과 배출 포켓(803)에 의해 형성된다. 펌핑 장치와 유체 소통적으로 연결되는 배출 도관(859)이 배출 용적(832) 내에 배치된다. 일 태양에서, 두 개의 분사 조립체(805)가 분사 포켓(804) 내에 배치된다. 두 개의 분사 조립체(805)는 그 사이에 개방된 통로(corridor)를 남겨두고 나란히 배치된다. 일 태양에서 각각의 분사 조립체(805)는 처리 용적(837)에 처리 가스를 독립적으로 공급하도록 구성될 수 있다. 분사 포켓(804)은 다수의 센서(861)가 배치되는 다수의 딤플(dimples; 863)을 갖는다. 센서(861)는 분사 조립체(805) 사이의 개방된 통로(867)를 통하여 투명한 석영 챔버(801) 내부를 "검측(looking)"함으로써 석영 챔버(801) 내부의 기판(821)의 온도를 측정하도록 구성된다. 일 태양에서, 센서(861)는 광학 파이로미터(pyrometer) 인데, 이는 어떠한 물리적인 접촉이 없이도 물체에 의해 방사되는 복사 에너지를 분석함으로써 물체의 온도를 결정할 수 있다. 센서(861)는 시스템 제어기(870)에 연결된다. 일 태양에서, 시스템 제어기(870)는 처리되는 기판(821)의 온도를 분석하고 모니터링할 수 있다. 다른 태양에서, 시스템 제어기(870)는 센서(861)로부터의 측정치에 따라 히터(811)로 제어 신호를 보낼 수 있다. 또 다른 태양에서는, 시스템 제어기(870)가 영역별로 히터(811)를 제어하고 국부적으로 가열 특성을 조절하도록 히터(811)가 몇 개의 제어 가능한 영역을 포함할 수 있다.
도 14를 참조하면, 석영 챔버(801)는 하부에서 개방되고 하부 주위에 플랜지(817)를 갖는다. 플랜지(817)는 지지 플레이트(810) 상에 용접될 수 있으며 지지 플레이트(810)와 밀접한 접촉을 하도록 구성된다. 일 실시예에서, 배출 포켓(803) 및 분사 포켓(804)은 석영 챔버(801)의 하부에서 개방된다. 일 태양에서, 플랜지(817)는 배출 개구(851), 중앙 개구(818), 및 두 개의 분사 개구(860)를 갖는 석영 플레이트일 수 있다. 배출 개구(851)는 배출 도관(859)이 배출 포켓(803)으로 삽입되도록 구성된다. 중앙 개구(818)는 기판 용기(814)가 기판(821)을 처리 용적(837)으로 또는 처리 용적으로부터 전달하도록 구성된다. 분사 개구(860)는 분사 조립체(805)가 분사 포켓(803)으로 삽입되도록 구성된다. 따라서, 지지 플레이트(810)는 각각 배출 개구(851), 중앙 개구(818), 및 분사 개구(860)와 정렬되는 개구(850, 839, 816)를 갖는다. 개구(850, 839, 816)의 주변에서 플랜지(817) 및 지지 플레이트(810) 사이에는 O-링 실(852, 819, 856)이 배치된다. 배출 도관(859)이 조립될 때, 지지 플레이트(810)의 하부에서 개구(850)의 주변에 제2 O- 링 실(858)이 배치된다. 이러한 이중 O-링 밀봉 구성으로 인해서 배출 도관(859)은 배치 처리 챔버(800)의 나머지 부분들에 대해 영향을 미치지 않고 제거되거나 사용될 수 있다. 동일한 밀봉 구성이 분사 조립체(805) 주위에 배치될 수 있다. O-링 실(857)은 분사 조립체(805)의 진공 밀봉을 위하여 개구(816) 주위에 배치된다.
배출 용적(832)은 배출 용적(832)의 하부 근방의 단일한 배출 포트 홀(833)을 통하여 펌핑 장치와 유체 소통적으로 연결된다. 배출 용적(832)은 배출 블록(848)을 통하여 처리 용적(837)과 유체 소통적으로 연결된다. 배출 용적(832)의 상부로부터 하부까지 균일한 흡입력을 생성하기 위하여 배출 블록(848)은 하부로부터 상부로 좁아지는 테이퍼식 배플(tapered baffle)일 수 있다.
수직 채널(824)이 분사 조립체(805)의 내부에 형성되고 처리 가스의 공급원과 유체 소통적으로 연결되도록 구성된다. 균일하게 배치되는 다수의 수평 홀(825)이 수직 채널 내에 뚫어져서 수직 샤워 헤드를 형성한다. 수평 홀(825)은 수직 채널(824)로부터 유입된 처리 가스가 처리 용적(837)의 상부 및 하부로 균일하게 분배되도록 처리 용적(837)을 향한다. 수직 냉각 채널(837)이 분사 조립체(805)의 내부에 형성되어 분사 조립체(805)의 온도를 제어하기 위한 수단을 제공한다. 일 태양에서, 서로 상부에서 만나도록 두 개의 수직 채널(827)이 작은 각도를 두고 분사 조립체(805)의 하부로부터 밀링될 수 있다. 따라서 열 교환 유체는 냉각 채널(827) 중 하나로부터 유입되어 다른 냉각 채널(827)로 유출될 수 있다. 일 태양에서, 두 개의 분사 조립체(805)가 처리 조건에 따라 서로 독립적으로 온도 제어될 수 있다.
일부 처리과정 동안에, 특히 증착 과정 동안에, 처리과정에 사용되는 화학 가스가 석영 챔버(801) 상에 증착 및/또는 응축될 수 있다. 딤플(863) 근방에서의 증착 및 응축은 센서(861)의 "시야(vision)"를 흐려지게 할 수 있으며 센서(861)의 정확성을 감소시킬 수 있다. 도 13B를 참조하면, 분사 포켓(804)의 내부에 세정 조립체(862)가 위치한다. 세정 조립체(862)가 정화 가스를 딤플(863)의 내부 표면으로 보내고 이로써 딤플(863) 근방의 영역은 처리 과정에 사용되는 화학 가스에 노출되지 않게 된다. 따라서, 바람직하지 않은 증착 및 응축이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 도 15 및 16은 세정 조립체(862)의 일 실시예를 도시한다. 도 15는 세정 조립체(862)의 정면도이며, 도 16은 측면도이다. 정화 가스 공급원으로부터의 정화 가스를 수용하도록 구성된 유입관(866)이 도 13A, 13B 및 14에 도시된 딤플(863)에 상응하는 다수의 홀(865)을 갖는 관 포크(tube fork; 864)에 연결된다. 다수의 컵(cups; 869)이 관 포크(864)에 부착된다. 처리 과정 동안에, 정화 가스는 유입관(866)을 통하여 관 포크(864)로 유입하고 다수의 홀(865)을 통하여 관 포크(864)로부터 유출한다. 도 13B를 참조하면, 컵(869)이 상응하는 딤플(863)을 느슨하게 덮고 있으며 정화 가스가 방향(868)을 다라 유동하도록 구성된다.
도 17은 온도 센서(861A)에 대한 관측창(863A) 및 두 개의 분사 조립체(805A)를 갖는 분사 포켓(804A)의 다른 실시예를 도시한다. 석영 관(862A)은 분사 포켓(804A)의 측벽 상에 용접된다. 관측창(863A)은 석영관(862A)의 내부의 영역에 의해 형성된다. 각각의 석영관(862A)은 슬롯(870A)을 갖는데, 이 슬롯의 근 방에는 정화 가스 공급관(864A)이 위치한다. 정화 가스 공급관(864A)은 석영관(862A)의 해당 슬롯(870A)을 향하는 다수의 홀(865A)을 갖는다. 정화 가스는 홀(865A) 및 슬롯(870A)을 통하여 정화 가스 공급관(864A)으로부터 관측창(863A)으로 유동할 수 있다. 이러한 구성은 도 13B에 도시된 딤플(863)을 생략함으로써 분사 포켓(804A)을 단순화시킨다.
전술한 설명이 본원발명의 실시예에 관한 것이었지만, 본원발명의 기타 또는 다른 실시예들이 본원발명의 기본 사상을 벗어나지 않고 안출될 수 있으며 본원발명의 사상은 이하의 청구범위에 의해 결정된다.

Claims (46)

  1. 배치 처리 챔버로서,
    그 내부에서 기판 묶음을 처리하도록 구성된 원통형 석영 챔버;
    상기 원통형 석영 챔버의 외부에 배치되는 하나 이상의 가열 블록;
    상기 원통형 석영 챔버에 부착되는 분사 조립체; 및
    상기 분사 조립체의 반대측 상에서 상기 원통형 석영 챔버에 부착되는 배출 조립체; 를 포함하고,
    상기 하나 이상의 가열 블록은 상기 분사 조립체를 제외한 상기 원통형 석영 챔버의 주변을 부분적으로 둘러싸는 만곡된 표면을 가지는,
    배치 처리 챔버.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 하나 이상의 가열 블록 및 상기 원통형 석영 챔버를 둘러싸도록 구성되는 외부 챔버를 더 포함하는,
    배치 처리 챔버.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 원통형 석영 챔버 내부에 배치되는 라이너 자를 더 포함하고, 상기 라이너 자가 기판의 묶음을 수용하도록 구성되며, 상기 분사 조립체 및 배출 조립체가 상기 원통형 석영 챔버와 상기 라이너 자 사이에 배치되는,
    배치 처리 챔버.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 원통형 석영 챔버와 상기 하나 이상의 가열 블록 사이에 배치되는 원통형 자(jar) 형태의 챔버를 더 포함하는,
    배치 처리 챔버.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 분사 조립체가 상기 원통형 석영 챔버로 하나 이상의 처리 가스를 분배하도록 구성되는 수직 샤워 헤드를 포함하는,
    배치 처리 챔버.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 분사 조립체가 열 교환 유체를 순환시키도록 구성되는 냉각 채널을 포함하는,
    배치 처리 챔버.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 배출 조립체가 열 교환 유체를 순환시키도록 구성되는 냉각 채널을 포함하는,
    배치 처리 챔버.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 하나 이상의 가열 블록이 다수의 제어가능한 영역을 갖는,
    배치 처리 챔버.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 원통형 석영 챔버와 접촉하는 석영 지지 플레이트를 더 포함하는,
    배치 처리 챔버.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 원통형 석영 챔버가 상기 석영 지지 플레이트와 밀접하게 접촉하는 플랜지를 포함하는,
    배치 처리 챔버.
  11. 배치 처리 챔버를 위한 원통형 자(jar) 형태의 석영 챔버로서,
    개방된 하부를 구비하는 원통형 몸체;
    상기 원통형 몸체의 일 측면 상에 형성되어 상기 원통형 몸체의 일 측면을 따라 연장하는 분사 포켓으로서, 상기 분사 포켓으로 연장하는 분사 조립체를 수용하도록 구성되는 분사 포켓; 및
    상기 원통형 몸체의 분사 포켓 반대측 상에 형성되는 배출 포켓; 을 포함하는,
    원통형 자 형태의 석영 챔버.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 배출 포켓과 상기 원통형 몸체 사이에 배출 블록을 더 포함하는,
    원통형 자 형태의 석영 챔버.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 개방 하부의 근방에서 상기 원통형 몸체에 용접되는 플랜지를 더 포함하는,
    원통형 자 형태의 석영 챔버.
  14. 기판의 묶음을 처리하기 위한 방법으로서,
    분사 조립체가 부착된 원통형 석영 챔버로 상기 기판의 묶음을 삽입하는 단계;
    상기 분사 조립체의 온도를 제어하면서, 상기 분사조립체를 통해 처리 가스를 운반하는 단계; 및
    상기 분사 조립체를 제외한 상기 원통형 석영 챔버의 주변을 부분적으로 둘러싸는 만곡된 표면을 가지는 하나 이상의 가열 블록을 이용하여 상기 원통형 석영 챔버의 온도를 제어하면서, 상기 원통형 석영 챔버 내부의 처리 용적으로 상기 처리 가스를 분사하는 단계; 를 포함하며,
    상기 분사 조립체의 온도는 처리 용적의 온도와 독립적으로 제어되는,
    기판의 묶음을 처리하기 위한 방법.
  15. 원통형 석영 챔버에 의해 형성되는 처리 용적 내의 온도를 모니터링하기 위한 방법으로서,
    분사 조립체가 부착된 원통형 석영 챔버로 기판의 묶음을 삽입하는 단계;
    상기 분사 조립체를 통해 상기 처리 용적으로 처리 가스를 운반하는 단계;
    상기 원통형 석영 챔버의 외부에 배치되는 하나 이상의 가열 블록을 사용하여 상기 처리 용적을 가열하는 단계로서, 상기 하나 이상의 가열 블록은 상기 분사 조립체를 제외한 상기 원통형 석영 챔버의 주변을 부분적으로 둘러싸는 만곡된 표면을 가지는, 가열 단계; 및
    상기 석영 챔버의 외부에 배치되는 하나 이상의 파이로미터를 사용하여 상기 처리 용적 내부의 온도를 측정하는 단계; 를 포함하는,
    처리 용적 내의 온도를 모니터링하기 위한 방법.
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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5153614B2 (ja) * 2006-03-07 2013-02-27 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体基板の処理方法、制御プログラム、制御プログラムが記録された記録媒体および基板処理方法
US20090004405A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Applied Materials, Inc. Thermal Batch Reactor with Removable Susceptors
US7928019B2 (en) * 2007-08-10 2011-04-19 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing
US7921803B2 (en) * 2007-09-21 2011-04-12 Applied Materials, Inc. Chamber components with increased pyrometry visibility
JP2009088315A (ja) 2007-10-01 2009-04-23 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
KR101677438B1 (ko) * 2007-12-20 2016-11-18 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 향상된 가스 유동 분포를 가진 열 반응기
FR2930561B1 (fr) * 2008-04-28 2011-01-14 Altatech Semiconductor Dispositif et procede de traitement chimique en phase vapeur.
US20100117309A1 (en) * 2008-11-13 2010-05-13 Applied Materials, Inc. Sealing apparatus for a process chamber
JP5730496B2 (ja) * 2009-05-01 2015-06-10 株式会社日立国際電気 熱処理装置、半導体デバイスの製造方法および基板処理方法
US8950470B2 (en) * 2010-12-30 2015-02-10 Poole Ventura, Inc. Thermal diffusion chamber control device and method
JP2012195565A (ja) * 2011-02-28 2012-10-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
JP5645718B2 (ja) * 2011-03-07 2014-12-24 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
TW201246297A (en) * 2011-04-07 2012-11-16 Veeco Instr Inc Metal-organic vapor phase epitaxy system and process
CN103160799A (zh) * 2011-12-19 2013-06-19 同方威视技术股份有限公司 中子敏感镀膜及其形成方法
CN102680464A (zh) * 2012-05-21 2012-09-19 力合科技（湖南）股份有限公司 一种反应检测装置
US9493874B2 (en) * 2012-11-15 2016-11-15 Cypress Semiconductor Corporation Distribution of gas over a semiconductor wafer in batch processing
KR102106969B1 (ko) * 2013-02-26 2020-05-08 삼성디스플레이 주식회사 기판 열처리 장치 및 그 방법
TWI470105B (zh) * 2013-06-03 2015-01-21 Adpv Technology Ltd Gas Reaction Continuous Cavity and Gas Reaction
CN103646902A (zh) * 2013-11-26 2014-03-19 上海华力微电子有限公司 一种用于优化半导体工艺条件的气体注入管
KR102162366B1 (ko) * 2014-01-21 2020-10-06 우범제 퓸 제거 장치
JP6542245B2 (ja) * 2014-02-14 2019-07-10 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 射出アセンブリ付きの上方ドーム
US10752991B2 (en) 2017-02-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Half-angle nozzle
JP6856576B2 (ja) 2018-05-25 2021-04-07 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
CN110767569A (zh) * 2018-07-26 2020-02-07 北京北方华创微电子装备有限公司 反应腔室及半导体热处理设备
CN108854332B (zh) * 2018-08-24 2023-12-05 重庆市荣冠科技有限公司 一种温度传导装置及气体过滤装置
FI129577B (en) * 2019-06-28 2022-05-13 Beneq Oy Atomic layer growth equipment
JP2023530557A (ja) * 2020-08-03 2023-07-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド バッチ熱処理チャンバにおけるウエハエッジ温度補正
CN115516615A (zh) * 2020-08-03 2022-12-23 应用材料公司 热批处理腔室
KR102444786B1 (ko) * 2021-12-23 2022-09-19 주식회사 에이치피에스피 냉각 효율을 향상시키는 고압챔버

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6331212B1 (en) 2000-04-17 2001-12-18 Avansys, Llc Methods and apparatus for thermally processing wafers
US20030049372A1 (en) * 1997-08-11 2003-03-13 Cook Robert C. High rate deposition at low pressures in a small batch reactor
KR100515052B1 (ko) * 2002-07-18 2005-09-14 삼성전자주식회사 반도체 기판상에 소정의 물질을 증착하는 반도체 제조 장비

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3980042A (en) * 1972-03-21 1976-09-14 Siemens Aktiengesellschaft Vapor deposition apparatus with computer control
JPS61191015A (ja) * 1985-02-20 1986-08-25 Hitachi Ltd 半導体の気相成長方法及びその装置
KR0147387B1 (ko) * 1990-09-25 1998-11-02 이노우에 다케시 종형 열처리 장치
US5294280A (en) * 1991-06-28 1994-03-15 Tokyo Electron Limited Gas measuring device and processing apparatus provided with the gas measuring device
FI100409B (fi) * 1994-11-28 1997-11-28 Asm Int Menetelmä ja laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi
KR100407412B1 (ko) * 1995-02-10 2004-03-24 동경 엘렉트론 주식회사 열처리방법및그장치
JP3471144B2 (ja) * 1995-09-06 2003-11-25 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及びその断熱構造体並びに遮熱板
JP3122364B2 (ja) * 1996-02-06 2001-01-09 東京エレクトロン株式会社 ウエハボート
TW325588B (en) * 1996-02-28 1998-01-21 Asahi Glass Co Ltd Vertical wafer boat
US6156121A (en) * 1996-12-19 2000-12-05 Tokyo Electron Limited Wafer boat and film formation method
JPH113861A (ja) * 1997-06-12 1999-01-06 Sony Corp 半導体装置の製造方法及びその装置
FI972874A0 (fi) * 1997-07-04 1997-07-04 Mikrokemia Oy Foerfarande och anordning foer framstaellning av tunnfilmer
US5968276A (en) * 1997-07-11 1999-10-19 Applied Materials, Inc. Heat exchange passage connection
US6352594B2 (en) * 1997-08-11 2002-03-05 Torrex Method and apparatus for improved chemical vapor deposition processes using tunable temperature controlled gas injectors
US6352593B1 (en) * 1997-08-11 2002-03-05 Torrex Equipment Corp. Mini-batch process chamber
US6407367B1 (en) * 1997-12-26 2002-06-18 Canon Kabushiki Kaisha Heat treatment apparatus, heat treatment process employing the same, and process for producing semiconductor article
TW430866B (en) * 1998-11-26 2001-04-21 Tokyo Electron Ltd Thermal treatment apparatus
US6383300B1 (en) * 1998-11-27 2002-05-07 Tokyo Electron Ltd. Heat treatment apparatus and cleaning method of the same
JP2000195921A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Tokyo Electron Ltd 搬送装置
US6610150B1 (en) * 1999-04-02 2003-08-26 Asml Us, Inc. Semiconductor wafer processing system with vertically-stacked process chambers and single-axis dual-wafer transfer system
JP3916380B2 (ja) * 1999-07-06 2007-05-16 株式会社荏原製作所 基板搬送容器待機ステーション
KR100360401B1 (ko) * 2000-03-17 2002-11-13 삼성전자 주식회사 슬릿형 공정가스 인입부와 다공구조의 폐가스 배출부를포함하는 공정튜브 및 반도체 소자 제조장치
KR100783841B1 (ko) * 2000-05-31 2007-12-10 동경 엘렉트론 주식회사 열처리 시스템
US6418945B1 (en) * 2000-07-07 2002-07-16 Semitool, Inc. Dual cassette centrifugal processor
KR100434487B1 (ko) * 2001-01-17 2004-06-05 삼성전자주식회사 샤워 헤드 및 이를 포함하는 박막 형성 장비
JP3421660B2 (ja) * 2001-05-09 2003-06-30 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及びその方法
US6820570B2 (en) * 2001-08-15 2004-11-23 Nobel Biocare Services Ag Atomic layer deposition reactor
US20030111013A1 (en) * 2001-12-19 2003-06-19 Oosterlaken Theodorus Gerardus Maria Method for the deposition of silicon germanium layers
KR20030081144A (ko) * 2002-04-11 2003-10-17 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 종형 반도체 제조 장치
US6727194B2 (en) * 2002-08-02 2004-04-27 Wafermasters, Inc. Wafer batch processing system and method
US6899145B2 (en) * 2003-03-20 2005-05-31 Asm America, Inc. Front opening unified pod
US6942753B2 (en) * 2003-04-16 2005-09-13 Applied Materials, Inc. Gas distribution plate assembly for large area plasma enhanced chemical vapor deposition

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030049372A1 (en) * 1997-08-11 2003-03-13 Cook Robert C. High rate deposition at low pressures in a small batch reactor
US6331212B1 (en) 2000-04-17 2001-12-18 Avansys, Llc Methods and apparatus for thermally processing wafers
KR100515052B1 (ko) * 2002-07-18 2005-09-14 삼성전자주식회사 반도체 기판상에 소정의 물질을 증착하는 반도체 제조 장비

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