KR102571748B1 - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

기판에 대한 금속 이온의 흡착률을 높일 수 있는 레시피를 실행하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다. 상기 기판 처리 방법은, 기판 상에 기판 처리액을 토출하는 단계; 기판을 제1 저속으로 회전시키는 단계; 및 기판 처리액의 토출이 종료되면, 기판을 건조시키는 단계를 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 방법 {Apparatus and method for treating substrate}
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 기판을 세정 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 제조 공정은 반도체 소자 제조 설비 내에서 연속적으로 수행될 수 있으며, 전공정 및 후공정으로 구분될 수 있다. 반도체 소자 제조 설비는 반도체 소자를 제조하기 위해 팹(FAB)으로 정의되는 공간 내에 설치될 수 있다.
전공정은 웨이퍼(Wafer) 상에 회로 패턴을 형성하여 칩(Chip)을 완성하는 공정을 말한다. 전공정은 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 증착 공정(Deposition Process), 포토 마스크(Photo Mask)를 이용하여 박막 상에 포토 레지스트(Photo Resist)를 전사하는 노광 공정(Photo Lithography Process), 웨이퍼 상에 원하는 회로 패턴을 형성하기 위해 화학 물질이나 반응성 가스를 이용하여 필요 없는 부분을 선택적으로 제거하는 식각 공정(Etching Process), 식각 후에 남아있는 포토 레지스트를 제거하는 에싱 공정(Ashing Process), 회로 패턴과 연결되는 부분에 이온을 주입하여 전자 소자의 특성을 가지도록 하는 이온 주입 공정(Ion Implantation Process), 웨이퍼 상에서 오염원을 제거하는 세정 공정(Cleaning Process) 등을 포함할 수 있다.
후공정은 전공정을 통해 완성된 제품의 성능을 평가하는 공정을 말한다. 후공정은 웨이퍼 상의 각각의 칩에 대해 동작 여부를 검사하여 양품과 불량을 선별하는 1차 검사 공정, 다이싱(Dicing), 다이 본딩(Die Bonding), 와이어 본딩(Wire Bonding), 몰딩(Molding), 마킹(Marking) 등을 통해 각각의 칩을 절단 및 분리하여 제품의 형상을 갖추도록 하는 패키지 공정(Package Process), 전기적 특성 검사, 번인(Burn In) 검사 등을 통해 제품의 특성과 신뢰성을 최종적으로 검사하는 최종 검사 공정 등을 포함할 수 있다.
한국특허공개공보 제10-2016-0113554호 (공개일: 2016.09.30.)
최근 들어 웨이퍼 공정간 기존 보이지 않던 불량들이 미세 공정으로 전환되면서 나타나, 불량에 대한 원인 분석이 필요해졌다. 예를 들어, 웨이퍼의 표면에서 메탈 이온(Metal Ion)이 검출되는지 여부를 확인하고자 하는 경우, 기존의 양산 레시피(Recipe)는 케미칼(Chemical) 및 케미칼 내의 메탈 이온이 웨이퍼 상에서 체류하는 시간이 짧아 웨이퍼에 대한 메탈 이온의 흡착률이 떨어지는 문제가 있었다.
본 발명에서 해결하고자 하는 과제는, 기판에 대한 금속 이온의 흡착률을 높일 수 있는 레시피를 실행하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 방법의 일 면(Aspect)은, 기판 상에 기판 처리액을 토출하는 단계; 상기 기판을 제1 저속으로 회전시키는 단계; 및 상기 기판 처리액의 토출이 종료되면, 상기 기판을 건조시키는 단계를 포함한다.
상기 기판 처리 방법은 상기 기판 처리액을 검사하거나, 및/또는 상기 기판 처리액을 토출하는 노즐을 검사할 때 수행될 수 있다.
상기 기판 처리 방법은, 상기 기판을 제2 저속으로 회전시키는 단계를 더 포함하며, 상기 제2 저속으로 회전시키는 단계는 상기 건조시키는 단계와 동시에 수행되거나, 상기 건조시키는 단계의 전 또는 그 후에 수행될 수 있다.
상기 제1 저속은 상기 기판 처리액이 상기 기판 상에서 튕겨져 나가지 않게 하는 속도일 수 있다.
상기 제1 저속은 제1 기준 속도보다 느린 제1 회전 속도일 수 있다.
상기 제1 기준 속도는 평상시 상기 기판을 처리할 때의 회전 속도일 수 있다.
상기 제1 저속은 상기 기판 처리액이 토출되는 동안 일정할 수 있다.
상기 건조시키는 단계는 상기 기판을 자연 건조시킬 수 있다.
상기 건조시키는 단계는 상기 기판을 건조시킬 때에 상기 기판을 회전시키지 않을 수 있다.
상기 토출하는 단계는 상기 제1 저속으로 회전시키는 단계와 동시에 수행되거나, 상기 제1 저속으로 회전시키는 단계보다 먼저 수행될 수 있다.
상기 제2 저속은 상기 제1 저속과 동일하거나, 상기 제1 저속보다 느릴 수 있다.
상기 제1 저속은 200 RPM일 수 있다.
상기 제1 저속은 상기 기판 처리액의 점도에 따라 달라질 수 있다.
상기 기판 처리 방법은, 상기 건조시키는 단계 이후에, 상기 기판이 건조되면, 상기 기판 상에서 금속 이온이 검출되는지 여부를 판단하는 단계; 및 상기 금속 이온과 관련된 판단 결과를 기초로 상기 기판 처리액 및/또는 상기 기판 처리액을 토출하는 노즐의 불량 여부를 검사하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 검사하는 단계는 상기 기판 상에서 상기 금속 이온이 검출되면 상기 기판 처리액이 변질되었거나 상기 노즐에 하자가 발생한 것으로 판단할 수 있다.
또한, 상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 방법의 다른 면은, 기판 상에 기판 처리액을 토출하는 단계; 상기 기판을 제1 저속으로 회전시키는 단계; 상기 기판 처리액의 토출이 종료되면, 상기 기판을 건조시키는 단계; 및 상기 기판을 제2 저속으로 회전시키는 단계를 포함하며, 상기 제1 저속 및 상기 제2 저속은 상기 기판 처리액이 상기 기판 상에서 튕겨져 나가지 않게 하는 속도이다.
또한, 상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 일 면은, 기판을 지지하는 기판 지지 모듈; 및 상기 기판 상에 기판 처리액을 토출하는 분사 모듈을 포함하며, 상기 기판 지지 모듈은 상기 분사 모듈이 상기 기판 상에 상기 기판 처리액을 토출하는 경우, 상기 기판을 제1 저속으로 회전시키며, 상기 기판은 상기 기판 처리액의 토출이 종료되면, 건조된다.
상기 기판 지지 모듈은 상기 기판 처리액을 검사하거나, 및/또는 상기 기판 처리액을 토출하는 노즐을 검사할 때 상기 기판을 제1 저속으로 회전시킬 수 있다.
상기 기판 지지 모듈은 상기 기판을 건조시킬 때 상기 기판을 회전시키지 않거나, 상기 기판을 제2 저속으로 회전시킬 수 있다.
상기 제2 저속은 상기 제1 저속 이하일 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템의 내부 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 기판 처리 장치의 내부 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 기판 처리 방법을 순차적으로 도시한 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 제1 예시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 제2 예시도이다.
도 6은 종래의 레시피와 본 발명에 따른 레시피 간 차이점을 설명하기 위한 예시도이다.
도 7은 기판 건조 이후의 기판 처리 방법을 순차적으로 설명하기 위한 흐름도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명은 기판(예를 들어, 웨이퍼(Wafer))에 대한 금속 이온(Metal Ion)의 흡착률을 높일 수 있는 레시피(Recipe)를 실행하는 기판 처리 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 기판의 표면에서 금속 이온이 검출되는지 여부를 확인하고자 하는 경우, 기판에 대한 금속 이온의 흡착률을 높일 수 있는 레시피를 실행하는 기판 처리 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템에 관한 것이다.
이하에서는 도면 등을 참조하여 본 발명을 자세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템의 내부 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 1에 따르면, 기판 처리 시스템(100)은 기판 처리 장치(110), 기판 처리액 제공 장치(120) 및 제어 장치(Controller; 130)를 포함하여 구성될 수 있다.
기판 처리 장치(110)는 약액(Chemical)을 이용하여 기판을 처리하는 것이다. 이러한 기판 처리 장치(110)는 약액을 이용하여 기판을 세정 처리하는 세정 공정 챔버(Cleaning Process Chamber)로 구현될 수 있다.
약액은 액체 상태의 물질(예를 들어, 유기용제)이거나, 기체 상태의 물질일 수 있다. 약액은 휘발성이 강하며, 흄(Fume)이 많이 발생하거나 점도가 높아 잔류성이 높은 물질들을 포함할 수 있다. 약액은 예를 들어, IPA(Iso-Propyl Alcohol) 성분을 포함하는 물질, 황산 성분을 포함하는 물질(예를 들어, 황산 성분과 과산화수소 성분을 포함하는 SPM), 암모니아수 성분을 포함하는 물질(예를 들어, SC-1(H2O2+NH4OH), 불산 성분을 포함하는 물질(예를 들어, DHF(Diluted Hydrogen Fluoride)), 인산 성분을 포함하는 물질 등에서 선택될 수 있다. 이하에서는 기판을 처리하는 데에 사용되는 이러한 약액들을 기판 처리액으로 정의하기로 한다.
한편, 기판 처리 장치(110)는 세정 공정 챔버로 구현되는 경우, 도 2에 도시된 바와 같이 기판 지지 모듈(210), 처리액 회수 모듈(220), 승강 모듈(230) 및 분사 모듈(240)을 포함하여 구성될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 기판 처리 장치의 내부 구조를 개략적으로 도시한 도면이다. 이하 설명은 도 2를 참조한다.
기판 지지 모듈(210)은 기판(W)을 지지하는 것이다. 기판 지지 모듈(210)은 기판(W)을 처리할 때에, 제3 방향(30)에 대해 수직 방향(제1 방향(10) 및 제2 방향(20))으로 기판(W)을 회전시킬 수 있다. 기판 지지 모듈(210)은 기판(W) 처리시 사용되는 기판 처리액을 회수하기 위해, 처리액 회수 모듈(220)의 내부에 배치될 수 있다.
기판 지지 모듈(210)은 스핀 헤드(Spin Head; 211), 회전축(212), 회전 구동부(213), 서포트 핀(Support Pin; 214) 및 가이드 핀(Guide Pin; 215)을 포함하여 구성될 수 있다.
스핀 헤드(211)는 회전축(212)의 회전 방향(제3 방향(30)의 수직 방향)을 따라 회전하는 것이다. 이러한 스핀 헤드(211)는 기판(W)의 형상과 동일한 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 스핀 헤드(211)는 기판(W)의 형상과 서로 다른 형상을 가지도록 제공되는 것도 가능하다.
회전축(212)은 회전 구동부(213)로부터 제공되는 에너지를 이용하여 회전력을 발생시키는 것이다. 이러한 회전축(212)은 회전 구동부(213)와 스핀 헤드(211)에 각각 결합되어 회전 구동부(213)에 의한 회전력을 스핀 헤드(211)에 전달할 수 있다. 스핀 헤드(211)는 회전축(212)을 따라 회전하게 되며, 이 경우 스핀 헤드(211) 상에 안착되어 있는 기판(W)도 스핀 헤드(211)와 함께 회전할 수 있다.
서포트 핀(214) 및 가이드 핀(215)은 스핀 헤드(211) 상에서 기판(W)을 위치 고정시키는 것이다. 서포트 핀(214)은 이를 위해 스핀 헤드(211) 상에서 기판(W)의 저면을 지지하며, 가이드 핀(215)은 기판(W)의 측면을 지지한다. 서포트 핀(214) 및 가이드 핀(215)은 스핀 헤드(211) 상에 각각 복수 개 설치될 수 있다.
서포트 핀(214)은 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치될 수 있다. 서포트 핀(214)은 이를 통해 기판(W)이 스핀 헤드(211)의 상부로부터 일정 거리 이격될 수 있도록 기판(W)의 저면을 지지할 수 있다.
가이드 핀(215)은 척킹 핀(Chucking Pin)으로서, 스핀 헤드(211)가 회전할 때 기판(W)이 원래 위치에서 이탈되지 않도록 기판(W)을 지지할 수 있다.
한편, 스핀 헤드(211)의 상부에는 백 노즐(Back Nozzle; 미도시)도 설치될 수 있다. 백 노즐은 기판(W)의 저면을 세정하기 위한 것이다. 이러한 백 노즐은 스핀 헤드(211)의 상부 중앙에 설치되며, 기판 처리액을 기판(W)의 저면으로 분사할 수 있다.
처리액 회수 모듈(220)은 기판(W)을 처리하는 데에 이용되는 기판 처리액을 회수하는 것이다. 처리액 회수 모듈(220)은 기판 지지 모듈(210)을 둘러싸도록 설치될 수 있으며, 이에 따라 기판(W)에 대한 처리 공정이 수행되는 공간을 제공할 수 있다.
기판(W)이 기판 지지 모듈(210) 상에 안착 및 고정된 후, 기판 지지 모듈(210)에 의해 회전하기 시작하면, 분사 모듈(240)이 제어기 모듈(250)의 제어에 따라 기판(W) 상에 기판 처리액을 분사할 수 있다. 그러면, 기판 지지 모듈(210)의 회전력에 의해 발생되는 원심력으로 인해 기판(W) 상에 토출되는 기판 처리액은 처리액 회수 모듈(220)이 위치한 방향으로 분산될 수 있다. 이 경우, 처리액 회수 모듈(220)은 유입구(즉, 후술하는 제1 회수통(221)의 제1 개구부(224), 제2 회수통(222)의 제2 개구부(225), 제3 회수통(223)의 제3 개구부(226) 등)을 통해 기판 처리액이 그 내부로 유입되면 기판 처리액을 회수할 수 있다.
처리액 회수 모듈(220)은 복수 개의 회수통을 포함하여 구성될 수 있다. 처리액 회수 모듈(220)은 예를 들어, 세 개의 회수통을 포함하여 구성될 수 있다. 처리액 회수 모듈(220)이 이와 같이 복수 개의 회수통을 포함하여 구성되는 경우, 복수 개의 회수통을 이용하여 기판 처리 공정에 사용되는 기판 처리액을 분리하여 회수할 수 있으며, 이에 따라 기판 처리액의 재활용이 가능해질 수 있다.
처리액 회수 모듈(220)은 세 개의 회수통을 포함하여 구성되는 경우, 제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)을 포함할 수 있다. 제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)은 예를 들어, 보울(Bowl)로 구현될 수 있다.
제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)은 서로 다른 기판 처리액을 회수할 수 있다. 예를 들어, 제1 회수통(221)은 물을 회수할 수 있고, 제2 회수통(222)은 제1 약액(예를 들어, IPA 성분을 포함하는 물질과 SPM 성분을 포함하는 물질 중 어느 하나)을 회수할 수 있으며, 제3 회수통(223)은 제2 약액(예를 들어, IPA 성분을 포함하는 물질과 SPM 성분을 포함하는 물질 중 다른 하나)을 회수할 수 있다.
제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)은 그 저면에서 아래쪽 방향(제3 방향(30))으로 연장되는 회수 라인(227, 228, 229)과 연결될 수 있다. 제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)을 통해 회수되는 제1 처리액, 제2 처리액 및 제3 처리액은 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용 가능하게 처리될 수 있다.
제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)은 기판 지지 모듈(210)을 둘러싸는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)은 제1 회수통(221)으로부터 제3 회수통(223)으로 갈수록(즉, 제2 방향(20)으로) 그 크기가 증가할 수 있다. 제1 회수통(221) 및 제2 회수통(222) 사이의 간격을 제1 간격으로 정의하고, 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223) 사이의 간격을 제2 간격으로 정의하면, 제1 간격은 제2 간격과 동일할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 간격은 제2 간격과 상이한 것도 가능하다. 즉, 제1 간격은 제2 간격보다 클 수 있으며, 제2 간격보다 작을 수도 있다.
승강 모듈(230)은 처리액 회수 모듈(220)을 상하 방향(제3 방향(30))으로 직선 이동시키는 것이다. 승강 모듈(230)은 이를 통해 기판 지지 모듈(210)(또는 기판(W))에 대한 처리액 회수 모듈(220)의 상대 높이를 조절하는 역할을 할 수 있다.
승강 모듈(230)은 브라켓(231), 제1 지지축(232) 및 제1 구동부(233)를 포함하여 구성될 수 있다.
브라켓(231)은 처리액 회수 모듈(220)의 외벽에 고정되는 것이다. 브라켓(231)은 제1 구동부(233)에 의해 상하 방향으로 이동되는 제1 지지축(232)과 결합할 수 있다.
기판 지지 모듈(210) 상에 기판(W)을 안착시키는 경우, 기판 지지 모듈(210)은 처리액 회수 모듈(220)보다 상위에 위치할 수 있다. 마찬가지로, 기판 지지 모듈(210) 상에서 기판(W)을 탈착시키는 경우에도, 기판 지지 모듈(210)은 처리액 회수 모듈(220)보다 상위에 위치할 수 있다. 상기와 같은 경우, 승강 모듈(230)은 처리액 회수 모듈(220)을 하강시키는 역할을 할 수 있다.
기판(W)에 대한 처리 공정이 진행되는 경우, 기판(W) 상에 토출되는 기판 처리액의 종류에 따라 해당 처리액이 제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223) 중 어느 하나의 회수통으로 회수될 수 있다. 이와 같은 경우에도, 승강 모듈(230)은 처리액 회수 모듈(220)을 해당 위치까지 승강시키는 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 기판 처리액으로 제1 처리액을 사용하는 경우, 승강 모듈(230)은 기판(W)이 제1 회수통(221)의 제1 개구부(224)에 대응하는 높이에 위치하도록 처리액 회수 모듈(220)을 승강시킬 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 승강 모듈(230)이 기판 지지 모듈(210)을 상하 방향으로 직선 이동시켜 기판 지지 모듈(210)(또는 기판(W))에 대한 처리액 회수 모듈(220)의 상대 높이를 조절하는 것도 가능하다.
그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 승강 모듈(230)은 기판 지지 모듈(210) 및 처리액 회수 모듈(220)을 동시에 상하 방향으로 직선 이동시켜 기판 지지 모듈(210)(또는 기판(W))에 대한 처리액 회수 모듈(220)의 상대 높이를 조절하는 것도 가능하다.
분사 모듈(240)은 기판(W) 처리시 기판(W) 상에 기판 처리액을 공급하는 것이다. 이러한 분사 모듈(240)은 기판 처리 유닛(120) 내에 적어도 하나 설치될 수 있다. 분사 모듈(240)이 기판 처리 유닛(120) 내에 복수 개 설치되는 경우, 각각의 분사 모듈(240)은 서로 다른 기판 처리액을 기판(W) 상에 분사할 수 있다.
분사 모듈(240)은 노즐(241), 노즐 지지부(242), 제2 지지축(243) 및 제2 구동부(244)를 포함하여 구성될 수 있다.
노즐(241)은 노즐 지지부(242)의 단부에 설치되는 것이다. 이러한 노즐(241)은 제2 구동부(244)에 의해 공정 위치 또는 대기 위치로 이동될 수 있다.
상기에서, 공정 위치는 기판(W)의 상위 영역을 말하며, 대기 위치는 공정 위치를 제외한 나머지 영역을 말한다. 노즐(241)은, 기판(W) 상에 기판 처리액을 토출하는 경우, 공정 위치로 이동될 수 있으며, 기판(W) 상에 기판 처리액을 토출한 후, 공정 위치를 벗어나 대기 위치로 이동될 수 있다.
노즐 지지부(242)는 노즐(241)을 지지하는 것이다. 이러한 노즐 지지부(242)는 스핀 헤드(211)의 길이 방향에 대응하는 방향으로 연장 형성될 수 있다. 즉, 노즐 지지부(242)는 그 길이 방향이 제2 방향(20)을 따라 제공될 수 있다.
노즐 지지부(242)는 노즐 지지부(242)의 길이 방향에 대해 수직 방향으로 연장 형성되는 제2 지지축(243)과 결합될 수 있다. 제2 지지축(243)은 스핀 헤드(211)의 높이 방향에 대응하는 방향으로 연장 형성될 수 있다. 즉, 제2 지지축(243)은 그 길이 방향이 제3 방향(30)을 따라 제공될 수 있다.
제2 구동부(244)는 제2 지지축(243) 및 제2 지지축(243)과 연동되는 노즐 지지부(242)를 회전 및 승강시키는 것이다. 제2 구동부(244)의 이러한 기능에 따라, 노즐(241)은 공정 위치 또는 대기 위치로 이동될 수 있다.
다시 도 1을 참조하여 설명한다.
기판 처리액 제공 장치(120)는 기판 처리 장치(110)에 기판 처리액을 제공하는 것이다. 기판 처리액 제공 장치(120)는 이를 위해 기판 처리 장치(110)의 분사 모듈(240)과 연결될 수 있으며, 제어 장치(130)의 제어에 따라 작동할 수 있다.
제어 장치(130)는 기판 처리 장치(110)의 작동을 제어하는 것이다. 구체적으로, 제어 장치(130)는 기판 지지 모듈(210)의 회전 구동부(213), 승강 모듈(230)의 제1 구동부(233) 및 분사 모듈(240)의 제2 구동부(244)의 작동을 제어할 수 있다.
제어 장치(130)는 연산 기능, 제어 기능 등을 갖춘 프로세서(Ex. Microprocessor), 저장 기능 등을 갖춘 메모리, 전원 공급 기능 등을 갖춘 전원 등을 포함하는 컴퓨터나 서버로 구현될 수 있다. 본 실시예에서 제어 장치(130)는 프로세서인 것도 가능하다.
한편, 제어 장치(130)는 필요시 기판 처리액 제공 장치(120)로부터 기판 처리 장치(110)로 기판 처리액이 공급될 수 있도록 기판 처리액 제공 장치(120)의 작동도 제어할 수 있다.
다음으로, 기판에 대한 금속 이온의 흡착률을 높일 수 있는 레시피에 대하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 기판 처리 방법을 순차적으로 도시한 흐름도이다. 이하 설명은 도 3을 참조한다.
기판 처리액이 변질되거나 기판 처리액을 토출하는 노즐 등에 하자가 발생하면, 기판(W)을 세정 처리할 때 기판 처리액에 포함되어 있던 금속 이온(Metal Ion)이 기판(W) 상에서 검출될 수 있다.
그런데, 종래의 레시피에 따라 기판(W)을 세정 처리하는 경우, 기판 처리액이 기판(W) 상에 체류하는 시간이 짧기 때문에, 기판(W)에 대한 금속 이온의 흡착률이 저조한 문제가 있었다. 따라서 기판 처리액이 변질되거나 노즐 등에 하자가 발생하였음에도, 검사 공정에서 이를 제대로 감지해내지 못하는 문제가 있었다.
본 실시예에 따른 레시피는 이와 같은 문제를 해결하기 위해 기판(W)에 대한 금속 이온의 흡착률을 높일 수 있는 특징으로 한다.
먼저, 기판 지지 모듈(210) 상에 기판(W)이 안착되어 위치 고정되면, 도 4에 도시된 바와 같이 분사 모듈(240)은 기판(W) 상에 기판 처리액(410)을 토출하며(S310), 기판 지지 모듈(210)은 제1 회전 속도로 회전하며 기판(W)을 회전시킬 수 있다(S320).
상기에서, 분사 모듈(240)의 기판 처리액 토출(S310)은 기판 지지 모듈(210)의 회전(S320)과 동시에 수행될 수 있다. 그러나, 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 본 실시예에서 분사 모듈(240)의 기판 처리액 토출(S310)은 기판 지지 모듈(210)의 회전(S320)보다 먼저 수행되는 것도 가능하다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 제1 예시도이다.
앞서 설명한 바와 같이, 기판 지지 모듈(210)은 분사 모듈(240)이 기판(W) 상에 기판 처리액(410)을 토출할 때, 제1 회전 속도로 회전하여 기판(W)을 회전시킬 수 있다. 이 경우, 기판 지지 모듈(210)은 제1 기준 속도보다 느린 저속(또는, 저(低) RPM)을 제1 회전 속도로 이용할 수 있다.
분사 모듈(240)이 기판(W) 상에 기판 처리액(410)을 토출할 때에, 기판 지지 모듈(210)이 제1 기준 속도보다 느린 제1 회전 속도로 회전하게 되면, 기판 지지 모듈(210)의 저속 회전으로 인해 기판 처리액(410)이 기판(W) 상에서 쉽게 튕겨져 나가지 않으며, 이에 따라 기판 처리액(410)이 기판(W) 상에서 체류하는 시간이 길어질 수 있다.
기판 처리액(410)이 변질되면, 기판 처리액(410)은 금속 이온(예를 들어, 크롬(Cr))을 포함할 수 있다. 따라서 기판 처리액(410)이 기판(W) 상에서 체류하는 시간이 길어지면, 기판 처리액(410) 내의 금속 이온이 기판(W) 상에 흡착될 가능성을 증가시킬 수 있다.
한편, 상기에서 제1 기준 속도는 기판(W)을 처리할 때 기판 지지 모듈(210)의 일반적인 속도를 말한다. 제1 기준 속도는 예를 들어, 500 RPM 내지 800 RPM일 수 있다.
한편, 앞서 설명하였듯이 기판 지지 모듈(210)의 제1 회전 속도는 제1 기준 속도보다 느릴 수 있다. 본 실시예에서, 기판 지지 모듈(210)의 제1 회전 속도는 분사 모듈(240)의 기판 처리액 토출(S310)과 기판 지지 모듈(210)의 회전(S320)이 동시에 진행되는 경우, 기판 처리액(410)이 기판(W) 상에서 외부로 튕겨져 나가지 않으면 될 정도의 속도이면 충분하다. 제1 회전 속도는 예를 들어, 100 RPM 내지 300 RPM일 수 있다.
기판 지지 모듈(210)의 제1 회전 속도는 기판 처리액(410)의 종류에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 기판 처리액(410)이 기준값보다 그 점도(Viscosity)가 높은 경우, 기판 지지 모듈(210)의 제1 회전 속도는 기준값을 고려하여 미리 정해진 속도(예를 들어, 200 RPM)보다 더 빠를 수 있으며(예를 들어, 200 RPM ~ 300 RPM), 기판 처리액(410)이 기준값보다 그 점도가 낮은 경우, 기판 지지 모듈(210)의 제1 회전 속도는 상기 미리 정해진 속도(즉, 200 RPM)보다 더 느릴 수 있다(예를 들어, 100 RPM ~ 200 RPM).
한편, 기판 지지 모듈(210)의 제1 회전 속도는 기판(W) 상으로 기판 처리액(410)이 토출되는 동안 일정한 값을 유지할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 기판 지지 모듈(210)의 제1 회전 속도는 일정 범위(즉, 기판 처리액(410)이 기판(W) 상에서 외부로 튕겨져 나가지 않으면 될 정도의 속도 범위) 이내에서 가변되는 것도 가능하다.
분사 모듈(240)은 소정 시간동안 기판(W) 상에 기판 처리액(410)을 토출할 수 있다. 분사 모듈(240)은 예를 들어, 30초 동안 기판(W) 상에 기판 처리액(410)을 토출할 수 있다.
분사 모듈(240)의 기판 처리액 토출(S310)이 종료되면, 기판(W)을 건조시키는 과정이 진행될 수 있다. 이 경우, 도 5에 도시된 바와 같이 기판 처리 장치(110)는 기판(W)을 자연 건조시키며(S330), 기판 지지 모듈(210)은 제2 회전 속도로 회전하며 기판(W)을 회전시킬 수 있다(S340).
기판(W)의 건조(S330) 및 기판 지지 모듈(210)의 회전(S340)은 기판(W)이 완전 건조될 때까지 계속될 수 있다. 기판(W)의 완전 건조 여부는 예를 들어, 육안으로 확인될 수 있다.
상기에서, 기판(W)의 건조(S330) 및 기판 지지 모듈(210)의 회전(S340)은 분사 모듈(240)의 기판 처리액 토출(S310)이 종료되면 동시에 수행될 수 있다. 그러나, 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 본 실시예에서 기판(W)의 건조(S330)는 기판 지지 모듈(210)의 회전(S340)보다 먼저 수행되거나, 기판 지지 모듈(210)의 회전(S340)보다 나중에 수행되는 것도 가능하다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 제2 예시도이다.
한편, 본 실시예에서는 기판(W)을 건조시킬 때에, 기판 지지 모듈(210)이 회전하지 않는 것도 가능하다. 즉, 기판(W)이 완전 건조될 때까지 S340 단계를 생략하고, S330 단계만 수행하는 것도 가능하다.
앞서 설명한 바와 같이, 기판 지지 모듈(210)은 기판(W)을 건조시킬 때에, 제2 회전 속도로 회전하여 기판(W)을 회전시킬 수 있다. 이 경우, 기판 지지 모듈(210)은 제1 회전 속도와 마찬가지로 제2 기준 속도보다 느린 저속(또는, 저(低) RPM)을 제2 회전 속도로 이용할 수 있다.
기판(W)을 건조시킬 때에, 기판 지지 모듈(210)이 회전하지 않거나 제2 기준 속도보다 느린 제2 회전 속도로 회전하게 되면, 기판 지지 모듈(210)의 무회전 또는 저속 회전으로 인해 기판 지지 모듈(210)이 제2 기준 속도로 회전하는 경우보다 기판 처리액(410)이 외부로 튕겨져 나가는 것을 최소할 수 있으며, 이에 따라 기판(W) 상에서의 액막의 두께를 두껍게 할 수 있고, 기판 처리액(410)이 기판(W) 상에서 체류하는 시간을 증가시켜 금속 이온의 흡착률도 높일 수 있다.
또한, 기판 처리액이 기판 지지 모듈(210)의 저속 회전을 동반하여 기판(W) 상에서 건조됨에 따라 순수한 케미칼만 증발되기 때문에, 케미칼 내에 존재하던 금속 이온은 기판(W)의 표면에 남아 검출될 가능성을 높일 수 있다.
도 6에서 좌측도는 기판 지지 모듈(210)이 제2 기준 속도로 회전하는 경우, 액막(420)의 두께 및 금속 이온(예를 들어, Cr)(430)의 흡착률을 보여주며, 우측도는 기판 지지 모듈(210)이 제2 기준 속도보다 느린 제2 회전 속도로 회전하는 경우, 액막(420)의 두께 및 금속 이온(430)의 흡착률을 보여준다. 도 6은 종래의 레시피와 본 발명에 따른 레시피 간 차이점을 설명하기 위한 예시도이다.
한편, 상기에서 제2 기준 속도는 기판(W)을 건조시킬 때 기판 지지 모듈(210)의 일반적인 속도를 말한다. 기준 속도는 예를 들어, 1200 RPM 내지 1500 RPM일 수 있다.
한편, 앞서 설명하였듯이 기판 지지 모듈(210)의 제2 회전 속도는 제2 기준 속도보다 느릴 수 있다. 본 실시예에서, 기판 지지 모듈(210)의 제2 회전 속도는 기판(W)의 건조(S330) 및 기판 지지 모듈(210)의 회전(S340)이 동시에 진행되는 경우, 기판 처리액(410)이 기판(W) 상에서 외부로 튕겨져 나가지 않으면 될 정도의 속도이면 충분하다. 제2 회전 속도는 예를 들어, 100 RPM 내지 300 RPM일 수 있다.
기판 지지 모듈(210)의 제2 회전 속도는 기판 처리액의 종류에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 기판 처리액이 기준값보다 그 점도(Viscosity)가 높은 경우, 기판 지지 모듈(210)의 제2 회전 속도는 기준값을 고려하여 미리 정해진 속도(예를 들어, 200 RPM)보다 더 빠를 수 있으며(예를 들어, 200 RPM ~ 300 RPM), 기판 처리액이 기준값보다 그 점도가 낮은 경우, 기판 지지 모듈(210)의 제2 회전 속도는 상기 미리 정해진 속도(즉, 200 RPM)보다 더 느릴 수 있다(예를 들어, 100 RPM ~ 200 RPM).
한편, 기판 지지 모듈(210)의 제2 회전 속도는 기판(W)을 자연 건조시키는 동안 일정한 값을 유지할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 기판 지지 모듈(210)의 제2 회전 속도는 일정 범위(즉, 기판 처리액(410)이 기판(W) 상에서 외부로 튕겨져 나가지 않으면 될 정도의 속도 범위) 이내에서 가변되는 것도 가능하다.
한편, 본 실시예에서는 기판(W)을 건조시키기 전에 기판(W) 상에 순수(DIW; De-Ionized Water) 등을 제공하여 기판(W)을 추가 세정하는 것도 가능하다.
이상 도 3 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(110)의 기판 처리 방법에 대하여 설명하였다. 기판 처리 장치(110)의 기판 처리 방법에 따르면, 기판(W) 상에 기판 처리액이 제공되는 경우, 기판 지지 모듈(210)은 제1 회전 속도로 회전하여 기판(W)을 회전시킬 수 있다. 또한, 기판(W)을 건조시키는 경우, 기판 지지 모듈(210)은 제2 회전 속도로 회전하여 기판(W)을 회전시킬 수 있다.
기판 지지 모듈(210)은 기판(W) 상에 기판 처리액이 제공되는 경우와 기판(W)을 건조시키는 경우, 동일한 회전 속도로 회전할 수 있다. 즉, 본 실시예에서 제1 회전 속도와 제2 회전 속도는 동일한 값을 가질 수 있다.
그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 기판 지지 모듈(210)은 기판(W) 상에 기판 처리액이 제공되는 경우와 기판(W)을 건조시키는 경우, 서로 다른 회전 속도로 회전하는 것도 가능하다.
한편, 기판(W)을 건조시키는 경우, 금속 이온이 기판(W) 상에서 이탈되는 것을 방지하기 위해 기판(W)을 건조시킬 때의 기판 지지 모듈(210)의 회전 속도를 기판(W) 상에 기판 처리액을 제공할 때의 기판 지지 모듈(210)의 회전 속도보다 느리게 할 수 있다. 즉, 본 실시예에서 제2 회전 속도는 제2 기준 속도뿐만 아니라 제1 회전 속도보다도 느릴 수 있다(제2 회전 속도 < 제1 회전 속도 < 제2 기준 속도).
한편, 기판(W)을 건조시키는 경우, 기판 지지 모듈(210)이 기판(W) 상에 기판 처리액이 제공되는 경우와 동일한 회전 속도로 회전하면, 기판(W)을 완전 건조시키기까지 오랜 시간이 소요될 수 있다. 따라서, 본 실시예에서는 이러한 점을 참작하여 기판(W)을 건조시킬 때의 기판 지지 모듈(210)의 회전 속도를 기판(W) 상에 기판 처리액을 제공할 때의 기판 지지 모듈(210)의 회전 속도보다 빠르게 할 수도 있다. 즉, 본 실시예에서 제2 회전 속도는 제2 기준 속도보다는 느리지만 제1 회전 속도보다는 빠를 수 있다(제1 회전 속도 < 제2 회전 속도 < 제2 기준 속도).
다음으로, 기판(W)의 검사 공정에 대하여 설명한다. 이하에서 설명할 기판(W)의 검사 공정은 도 3의 S310 단계 내지 S340 단계를 거쳐 기판(W)이 완전 건조되면 그 이후에 수행될 수 있다.
도 7은 기판 건조 이후의 기판 처리 방법을 순차적으로 설명하기 위한 흐름도이다. 이하 설명은 도 7을 참조한다. 도 7의 방법은 별도로 마련된 기판 검사 장치(미도시)에 의해 수행될 수 있다.
기판(W)이 완전 건조되면, 기판(W)은 기판 검사 장치가 마련된 장소로 이동한다. 기판(W)이 목적지에 도달하면, 기판 검사 장치는 기판(W) 상에서 금속 이온이 검출되는지 여부를 판단한다(S510).
기판(W) 상에서 금속 이온이 검출되지 않으면, 기판 검사 장치는 기판 처리액이 변질되지 않았으며, 기판 처리액을 토출하는 노즐 등에 하자가 없는 것으로 판단한다(S520).
반면, 기판(W) 상에서 금속 이온이 검출되면, 기판 검사 장치는 기판 처리액이 변질되었거나, 또는 노즐 등에 하자가 있는 것으로 판단한다(S530).
이후, 기판 검사 장치는 기판 처리액이나 노즐 등에 문제 있음을 관리자 단말로 보고한다(S540).
이상 도 1 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템(100) 및 기판 처리 방법에 대하여 설명하였다. 본 발명은 금속 이온 검출을 위한 자연 건조 레시피에 관한 것이다. 종래의 레시피는 기판 상에서 금속 이온이 유발되지 않는 문제점이 있었으나, 본 발명에 따른 레시피는 금속 이온 검출을 위해 개선된 레시피로서, 기판 상에서 금속 이온의 검출 가능성을 종래의 레시피보다 한층 높일 수 있다.
본 발명에 따른 레시피의 진행 순서(Chemical 기준)를 정리하여 보면, 구체적으로 다음과 같다.
① 200rpm Spin + Chemical Dispense 30s
② 200rpm Spin Dry 360s (SC-1 기준, Chemical이 완전 건조될 때까지)
③ 0rpm Process Done
본 발명에 따른 레시피는 상기와 같은 진행 순서를 통해 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
첫째, 기판(W)의 표면에 케미칼을 저 RPM으로 토출함으로써, 케미칼의 체류 시간을 증가시킬 수 있으며, 이에 따라 케미칼 내 금속 이온의 표면 흡착률도 증가시킬 수 있다.
둘째, 저 RPM 건조를 통해 기판(W)의 표면에서 케미칼의 체류 시간을 증가시켜 금속 이온의 표면 흡착률을 높일 수 있으며, 케미칼에 대한 금속 이온의 분석 파악도 가능해질 수 있다.
이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 기판 처리 시스템 110: 기판 처리 장치
120: 기판 처리액 제공 장치 130: 제어 장치
210: 기판 지지 모듈 211: 스핀 헤드
212: 회전축 213: 회전 구동부
214: 서포트 핀 215: 가이드 핀
220: 처리액 회수 모듈 230: 승강 모듈
240: 분사 모듈 241: 노즐
242: 노즐 지지부 243: 제2 지지축
244: 제2 구동부 410: 기판 처리액
420: 액막 430: 금속 이온

Claims (20)

  1. 기판 상에 기판 처리액을 토출하는 단계;
    상기 기판을 제1 저속으로 회전시키는 단계; 및
    상기 기판 처리액의 토출이 종료되면, 상기 기판을 건조시키는 단계를 포함하며,
    상기 기판 처리액을 검사하거나, 및/또는 상기 기판 처리액을 토출하는 노즐을 검사할 때 수행되는 기판 처리 방법.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판을 제2 저속으로 회전시키는 단계를 더 포함하며,
    상기 제2 저속으로 회전시키는 단계는 상기 건조시키는 단계와 동시에 수행되거나, 상기 건조시키는 단계의 전 또는 그 후에 수행되는 기판 처리 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 저속은 상기 기판 처리액이 상기 기판 상에서 튕겨져 나가지 않게 하는 속도인 기판 처리 방법.
  5. 기판 상에 기판 처리액을 토출하는 단계;
    상기 기판을 제1 저속으로 회전시키는 단계; 및
    상기 기판 처리액의 토출이 종료되면, 상기 기판을 건조시키는 단계를 포함하며,
    상기 제1 저속은 제1 기준 속도보다 느린 제1 회전 속도인 기판 처리 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제1 기준 속도는 평상시 상기 기판을 처리할 때의 회전 속도인 기판 처리 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 저속은 상기 기판 처리액이 토출되는 동안 일정한 기판 처리 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 건조시키는 단계는 상기 기판을 자연 건조시키는 기판 처리 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 건조시키는 단계는 상기 기판을 건조시킬 때에 상기 기판을 회전시키지 않는 기판 처리 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 토출하는 단계는 상기 제1 저속으로 회전시키는 단계와 동시에 수행되거나, 상기 제1 저속으로 회전시키는 단계보다 먼저 수행되는 기판 처리 방법.
  11. 제 3 항에 있어서,
    상기 제2 저속은 상기 제1 저속과 동일하거나, 상기 제1 저속보다 느린 기판 처리 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 저속은 200 RPM인 기판 처리 방법.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 저속은 상기 기판 처리액의 점도에 따라 달라지는 기판 처리 방법.
  14. 기판 상에 기판 처리액을 토출하는 단계;
    상기 기판을 제1 저속으로 회전시키는 단계;
    상기 기판 처리액의 토출이 종료되면, 상기 기판을 건조시키는 단계;
    상기 기판이 건조되면, 상기 기판 상에서 금속 이온이 검출되는지 여부를 판단하는 단계; 및
    상기 금속 이온과 관련된 판단 결과를 기초로 상기 기판 처리액 및/또는 상기 기판 처리액을 토출하는 노즐의 불량 여부를 검사하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 검사하는 단계는 상기 기판 상에서 상기 금속 이온이 검출되면 상기 기판 처리액이 변질되었거나 상기 노즐에 하자가 발생한 것으로 판단하는 기판 처리 방법.
  16. 기판 상에 기판 처리액을 토출하는 단계;
    상기 기판을 제1 저속으로 회전시키는 단계;
    상기 기판 처리액의 토출이 종료되면, 상기 기판을 건조시키는 단계; 및
    상기 기판을 제2 저속으로 회전시키는 단계를 포함하며,
    상기 제1 저속 및 상기 제2 저속은 상기 기판 처리액이 상기 기판 상에서 튕겨져 나가지 않게 하는 속도이고,
    상기 기판 처리액을 검사하거나, 및/또는 상기 기판 처리액을 토출하는 노즐을 검사할 때 수행되는 기판 처리 방법.
  17. 기판을 지지하는 기판 지지 모듈; 및
    상기 기판 상에 기판 처리액을 토출하는 분사 모듈을 포함하며,
    상기 기판 지지 모듈은 상기 분사 모듈이 상기 기판 상에 상기 기판 처리액을 토출하는 경우, 상기 기판을 제1 저속으로 회전시키고,
    상기 기판은 상기 기판 처리액의 토출이 종료되면, 건조되고,
    상기 기판 지지 모듈은 상기 기판 처리액을 검사하거나, 및/또는 상기 기판 처리액을 토출하는 노즐을 검사할 때 상기 기판을 제1 저속으로 회전시키는 기판 처리 장치.
  18. 삭제
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 기판 지지 모듈은 상기 기판을 건조시킬 때 상기 기판을 회전시키지 않거나, 상기 기판을 제2 저속으로 회전시키는 기판 처리 장치.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 제2 저속은 상기 제1 저속 이하인 기판 처리 장치.
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