CN107634015B - 基板处理装置和处理杯清洗方法 - Google Patents

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Abstract

一种基板处理装置，具有：筒状的挡板，其接住从旋转夹具向外侧飞散的液体；环状的杯，其用接液槽接住被挡板向下方引导的液体；挡板升降单元，其使挡板沿上下方向移动；清洗液供给单元，其将从冲洗液喷嘴喷出的纯水经由旋转夹具和挡板向接液槽供给；清洗液排出单元，其排出接液槽内的纯水；控制装置，其通过控制清洗液供给单元和清洗液排出单元，来在接液槽中积存纯水，通过控制挡板升降单元，来使筒状部的下端部浸渍于接液槽内的纯水中。

Description

基板处理装置和处理杯清洗方法
技术领域
本发明涉及具有包括挡板和杯的处理杯的基板处理装置和清洗处理杯的处理杯清洗方法。
处理对象的基板包括：例如，半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、场发射显示器(FED：Field Emission Display)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、磁光盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
在半导体装置、液晶显示装置等的制造工序中，使用处理半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板等基板的基板处理装置。US2009320885A1公开了一张一张地处理基板的单张式基板处理装置。
该基板处理装置包括：旋转夹具，其一边将基板保持为呈水平，一边使该基板绕通过基板的中央部的铅直的旋转轴线旋转；处理液喷嘴，其向被旋转夹具保持的基板的上表面喷出处理液；筒状的处理杯，其包围旋转夹具；排气管，其排出处理杯内的气体。
处理杯包括：多个挡板，其接住从旋转夹具向外侧排出的处理液；多个杯，其分别接住被多个挡板向下方引导的处理液。挡板包括包围旋转夹具的筒状部、从筒状部的上端部向旋转轴线沿斜上方延伸的顶部。杯包括包围旋转夹具的环状的底壁部、从底壁部的内周部向上方延伸的内壁部、从底壁部的外周部向上方延伸的外壁部。底壁部、内壁部、外壁部形成向上开口的环状的接液槽。挡板的下端部位于接液槽的上方。
从处理液喷嘴喷出的处理液附着于旋转的基板的上表面后，沿基板的上表面向外侧流动。到达基板的外周部的处理液从基板向其周围飞散，被挡板接住。被挡板接住的处理液沿挡板的筒状部的内周面向下方流动，流入杯的接液槽。杯内的处理液从杯的底壁部排出。另外，处理杯内的气体在挡板的筒状部与杯的外壁部之间的间隙流向上方，向排气管排出。
在挡板的内表面残留有药液等处理液。因此，挡板在适当的时期被清洗。挡板的清洗是例如在基板未被旋转夹具保持的状态下，从处理液喷嘴向旋转的旋转夹具喷出纯水来进行的。从处理液喷嘴喷出的纯水经由旋转夹具向挡板供给，沿挡板的筒状部的内周面向下方流动。由此，纯水向筒状部的内周面直接供给，从而筒状部的内周面被清洗。
然而，沿挡板的筒状部的内周面向下方流动的纯水从筒状部的下端落下，因此，纯水难以与筒状部的下表面和外周面直接接触。虽然沿筒状部的内周面向下方流动的药液难以与这些部分(图13中的粗的点划线所示的部分)直接接触，但存在药液的雾、液滴与这些部分接触的情况。特别地，在US2009320885A1的基板处理装置中，排出气体在挡板的筒状部与杯的外壁部之间的间隙流向上方(参照图13所示的箭头)，从而药液容易附着于筒状部的下端部的外周面。因此，存在微量的药液残留于筒状部的下表面和外周面的情况。这样的药液干燥之后，药液结晶残存于该部分。
发明内容
本发明的一个实施方式提供一种基板处理装置，其中，具有：基板保持单元，一边将基板保持为呈水平，一边使所述基板绕通过所述基板的中央部的铅直的旋转轴线旋转；药液喷嘴，向被所述基板保持单元保持的所述基板喷出药液；筒状的挡板，包括包围被所述基板保持单元保持的所述基板的筒状部，该挡板接住从所述基板保持单元向外侧飞散的液体；环状的杯，形成有位于所述筒状部的下方的环状的接液槽，该杯用所述接液槽接住被所述挡板向下方引导的液体；挡板升降单元，使所述挡板沿上下方向移动；清洗液供给单元，包括将与药液不同的清洗液从配置于被所述基板保持单元保持的基板的上方或下方的喷出口喷出的第一清洗液喷嘴，该清洗液供给单元将从所述第一清洗液喷嘴喷出的清洗液经由所述基板保持单元和所述挡板向所述接液槽供给；清洗液排出单元，将所述接液槽内的清洗液经由设置于所述接液槽内的排液口排出；液量控制单元，通过控制所述清洗液供给单元和清洗液排出单元，来将清洗液积存于所述接液槽；以及挡板位置控制单元，通过控制所述挡板升降单元，来将所述筒状部的下端部浸渍于所述接液槽内的清洗液中。
根据该结构，从药液喷嘴喷出的药液附着于旋转的基板，沿基板向外侧流动。从基板向外侧排出的药液经由挡板被杯接住。然后，从第一清洗液喷嘴喷出的清洗液附着于旋转的基板保持单元，并沿基板保持单元向外侧流动。从基板保持单元向外侧排出的清洗液被挡板的筒状部接住，并沿筒状部的内周面向下方流动。由此，药液的液滴从包括筒状部的内周面的挡板的内表面被除去，从而挡板的内表面被清洗。
沿挡板的内表面向下方流动的清洗液流入杯的接液槽内。在处理基板时，接液槽内的液体经由设置于接液槽内的排液口排出。然而，在清洗挡板时，清洗液积存于接液槽。然后，筒状部的下端部浸渍于接液槽内的清洗液中。由此，不仅筒状部的下端部的内周面，而且筒状部的下端部的下表面和外周面也与接液槽内的清洗液直接接触。因此，微量的药液、药液结晶从筒状部的下端部的下表面和外周面被除去，从而筒状部的下端部被清洗。由此，能够减少残留于挡板的污染物质。
在所述实施方式中，将以下的特征中的至少一个也可以增加到所述基板处理装置中。
所述挡板位置控制单元一边使所述筒状部的下端部浸渍于所述接液槽内的清洗液中，一边使所述筒状部的下端部沿上下方向振动。
根据该结构，挡板的筒状部的下端部在接液槽内的清洗液中沿上下方向移动。由此，能够有效地除去附着于筒状部的下端部的微量的药液、药液结晶。
所述挡板位置控制单元使所述挡板在所述筒状部的下端部位于所述接液槽内的清洗液的上方的上清洗位置与所述筒状部的下端部浸渍于所述接液槽内的清洗液中的下清洗位置之间，沿上下方向多次往复移动。
根据该结构，筒状部的下端部沿上下方向多次通过接液槽内的清洗液的表面(上表面)。在筒状部的下端部从清洗液的表面向上方出来时，清洗液的表面张力向下方拉拽附着于筒状部的下端部的药液结晶。另外，在筒状部的下端部进入清洗液的表面时，向附着于筒状部的下端部的药液结晶施加冲击。因此，能够有效地将药液结晶从筒状部的下端部除去。
在所述筒状部的下端部浸渍于所述接液槽内的清洗液中时，所述液量控制单元使所述接液槽内的清洗液经由所述排液口排出。
根据该结构，一边使筒状部的下端部浸渍于接液槽内的清洗液中，一边将接液槽内的清洗液经由排液口排出。从筒状部的下端部被除去的药液、药液结晶与经由排液口从接液槽排出的清洗液一起，向接液槽外移动。因此，药液、药液结晶难以再附着于筒状部的下端部。由此，能够减少残留于挡板的污染物质。
在所述筒状部的下端部浸渍于所述接液槽内的清洗液中时和所述筒状部的下端部未浸渍于所述接液槽内的清洗液中时中的至少一方时，所述液量控制单元使所述接液槽内的清洗液从所述接液槽的入口溢出。
根据该结构，使接液槽内的清洗液从设置于接液槽的上端的接液槽的入口溢出。在筒状部的下端部浸渍于接液槽内的清洗液中时，药液、药液结晶混入接液槽内的清洗液。存在于接液槽内的清洗液的表面附近的药液等与从接液槽溢出的清洗液一起向接液槽外排出。因此，药液、药液结晶难以再附着于筒状部的下端部。由此，能够减少残留于挡板的污染物质。
所述筒状部的下端部在所述接液槽内的清洗液中上升时，所述液量控制单元使所述接液槽内的清洗液从所述接液槽的入口溢出。
筒状部的下端部在清洗液中上升时，由于处于清洗液中的筒状部的一部分的体积减少，若不向接液槽供给清洗液，则清洗液的表面会持续下降。根据该结构，在这样的情况下，也以清洗液从接液槽溢出的大的流量向接液槽供给清洗液。因此，能够将混入接液槽内的清洗液的药液等与从接液槽溢出的清洗液一起可靠地排出。
所述杯包括将从所述接液槽的入口溢出的清洗液向下方引导的外表面。
根据该结构，从接液槽溢出的清洗液沿包括内壁部的内周面和外壁部的外周面的杯的外表面向下方流动。用于基板的处理的药液与杯的外表面难以直接接触，但存在药液的雾、液滴与杯的外表面接触的情况。因此，通过使清洗液与杯的外表面直接接触，能够除去附着于杯的外表面的药液、药液结晶。
所述基板处理装置还具有：容器，位于所述杯的下方，用于接住从所述接液槽的入口溢出的清洗液；下排液配管，引导经由设置于所述容器内的下排液口从所述容器排出的清洗液；以及流量传感器，检测所述下排液配管内流动的液体的流量；所述液量控制单元基于所述流量传感器的检测值，来判断清洗液是否从所述接液槽溢出。
根据该结构，从杯溢出的清洗液被位于杯的下方的容器接住，并经由下排液口从容器向下排液配管排出。在清洗液从杯的接液槽溢出时，下排液配管内流动的液体的流量发生变化。清洗液是否从接液槽溢出，可以基于检测下排液配管内流动的液体流量的流量传感器的检测值来判断。因此，能够可靠地检测清洗液从接液槽溢出。
所述清洗液排出单元通过减少表示经由所述排液口从所述接液槽排出的清洗液流量的排出流量，使所述排出流量小于表示经由所述基板保持单元和挡板从所述第一清洗液喷嘴向所述接液槽供给的清洗液流量的供给流量。
根据该结构，使排出流量从比供给流量大的值变化为比供给流量小的值(包括零)。由此，能够将清洗液可靠地积存于杯中。
所述清洗液排出单元包括：普通配管，引导经由所述排液口从所述接液槽排出的清洗液；限制配管，引导经由所述排液口从所述接液槽排出的清洗液；节流部，安装于所述限制配管，具有比所述普通配管的流路面积的最小值小的流路面积；以及排出切换阀，能够在所述接液槽内的清洗液向所述普通配管排出的通常状态和所述接液槽内的清洗液向所述限制配管排出的限制状态之间进行切换。
根据该结构，为了在杯中积存清洗液，将排出切换阀从通常状态切换为限制状态。接液槽内的清洗液不向普通配管排出而向限制配管排出。安装于限制配管的节流部的流路面积小于普通配管的流路面积的最小值。由此，排出流量小于供给流量，从而清洗液积存于杯中。
所述清洗液排出单元包括：普通配管，引导经由所述排液口从所述接液槽排出的清洗液；以及排出流量调整阀，变更所述普通配管内流动的液体的流量。
根据该结构，为了在杯中积存清洗液，使变更普通配管内流动的液体流量的排出流量调整阀的开度减小。接液槽内的清洗液向普通配管排出。由此，排出流量小于供给流量，从而清洗液积存于杯中。
所述清洗液供给单元通过增加表示经由所述基板保持单元和挡板从所述第一清洗液喷嘴向所述接液槽供给的清洗液流量的供给流量，使所述供给流量大于表示经由所述排液口从所述接液槽排出的清洗液流量的排出流量。
根据该结构，使供给流量从比排出流量小的值变化为比排出流量大的值。由此，能够将清洗液可靠地积存于接液槽中。
所述清洗液供给单元包括：供给配管，引导向所述第一清洗液喷嘴供给的清洗液；以及供给流量调整阀，变更所述供给配管内流动的液体的流量。
根据该结构，为了在杯中积存清洗液，使变更供给配管内流动的液体流量的供给流量调整阀的开度增大。清洗液从供给配管向第一清洗液喷嘴供给，并从第一清洗液喷嘴喷出。由此，供给流量大于排出流量，从而清洗液积存于杯中。
所述清洗液供给单元包括第二清洗液喷嘴，该第二清洗液喷嘴是与所述第一清洗液喷嘴不同的喷嘴，该第二清洗液喷嘴从配置于被所述基板保持单元保持的基板的上方或下方的喷出口喷出清洗液。
根据该结构，使清洗液不仅从第一清洗液喷嘴喷出，还从第二清洗液喷嘴喷出。从第一清洗液喷嘴和第二清洗液喷嘴喷出的清洗液经由基板保持单元和挡板向杯的接液槽供给。由此，供给流量大于排出流量，从而清洗液积存于杯中。
本发明的另一个实施方式提供一种处理杯清洗方法，其中，包括：
药液供给工序，一边使被保持为呈水平的基板绕通过所述基板的中央部的铅直的旋转轴线旋转，一边向所述基板喷出药液；第一接液工序，使从所述基板向外侧排出的药液被包括包围所述基板的筒状部的挡板接住；第一供给工序，一边使被所述挡板向下方引导的药液被形成位于所述筒状部的下方的环状的接液槽的杯接住，一边经由设置于所述接液槽内的排液口将所述接液槽内的药液排出；清洗液喷出工序，在所述药液供给工序后，一边使配置于所述基板的下方的旋转底座绕所述旋转轴线旋转，一边使与药液不同的清洗液在所述旋转底座的上方从第一清洗液喷嘴喷出；第二接液工序，使从所述旋转底座向外侧排出的清洗液被所述挡板接住；第二供给工序，使被所述挡板向下方引导的清洗液被所述杯的接液槽接住；积存工序，通过使表示经由所述旋转底座和挡板从所述第一清洗液喷嘴向所述接液槽供给的清洗液流量的供给流量大于表示经由所述排液口从所述接液槽排出的清洗液流量的排出流量，在所述接液槽中积存清洗液；以及浸渍工序，通过使所述挡板下降，将所述筒状部的下端部浸渍于所述接液槽内的清洗液中。根据该结构，能够达到与上述的效果相同的效果。
在所述实施方式中，将以下的特征中的至少一个也可以增加到所述处理杯清洗方法中。
所述浸渍工序包括：一边将所述筒状部的下端部浸渍于所述接液槽内的清洗液中，一边使所述筒状部的下端部沿上下方向振动的工序。根据该结构，能够达到与上述的效果相同的效果。
所述浸渍工序包括：使所述挡板在所述筒状部的下端部位于所述接液槽内的清洗液的上方的上清洗位置与所述筒状部的下端部浸渍于所述接液槽内的清洗液中的下清洗位置之间沿上下方向多次往复移动的工序。根据该结构，能够达到与上述的效果相同的效果。
所述积存工序包括：在所述筒状部的下端部浸渍于所述接液槽内的清洗液中时，使所述接液槽内的清洗液经由所述排液口排出的工序。根据该结构，能够达到与上述的效果相同的效果。
所述积存工序包括：在所述筒状部的下端部浸渍于所述接液槽内的清洗液中时和所述筒状部的下端部未浸渍于所述接液槽内的清洗液中时中的至少一方时，使所述接液槽内的清洗液从所述接液槽的入口溢出的工序。根据该结构，能够达到与上述的效果相同的效果。
所述积存工序包括：所述筒状部的下端部在所述接液槽内的清洗液中上升时，使所述接液槽内的清洗液从所述接液槽的入口溢出的工序。根据该结构，能够达到与上述的效果相同的效果。
所述积存工序包括：使从所述接液槽的入口溢出的清洗液沿所述杯的外表面流下的工序。根据该结构，能够达到与上述的效果相同的效果。
所述处理杯清洗方法还包括：使从所述接液槽的入口溢出的清洗液被位于所述杯的下方的容器接住的工序；经由设置于所述容器内的下排液口将所述容器内的清洗液向下排液配管排出的工序；以及基于所述下排液配管内流动的液体的流量来判断清洗液是否从所述接液槽溢出的工序。根据该结构，能够达到与上述的效果相同的效果。
在所述积存工序中，通过执行所述排出流量的减少和所述供给流量的增加中的至少一方，使所述供给流量大于所述排出流量。根据该结构，能够达到与上述的效果相同的效果。
本发明中上述的或者其他的目的、特征和效果可参考附图并通过下述的实施方式更加清楚。
附图说明
图1是水平地观察本发明的一个实施方式的基板处理装置所具有处理单元内部的示意性的局部剖视图。
图2是用于说明排出处理杯内的液体的排出系统的示意性的局部剖视图。
图3是表示基板处理装置执行的处理的概要的示意图。
图4是用于说明基板处理装置的电结构的框图。
图5是用于说明在处理单元内处理基板的基板处理的一个例子的工序图。
图6A是表示执行药液供给工序时的处理单元的状态的示意图。
图6B是表示执行冲洗液供给工序时的处理单元的状态的示意图。
图6C是表示执行干燥工序时的处理单元的状态的示意图。
图7是用于说明清洗处理单元内部的室清洗的一个例子的工序图。
图8是表示作为清洗液的一个例子的纯水积存于第二杯中的状态的示意图。
图9是表示第二挡板的下端部浸渍于第二杯内的纯水中的状态的示意图。
图10是表示纯水经由排液口从第二杯排出的状态的示意图。
图11是用于说明本发明的其他实施方式的排出系统的示意图。
图12是表示本发明的另一其他实施方式的第二杯的铅直截面的示意图。
图13是用于说明现有技术的问题点的示意图。
具体实施方式
图1是表示本发明的一个实施方式的基板处理装置1的概略结构的示意图。图2是用于说明排出处理杯30内的液体的排出系统的示意性的局部剖视图。
基板处理装置1是一张一张地处理半导体晶片等圆板状基板W的单张式装置。如图1所示，基板处理装置1包括：处理单元2，其利用处理液、处理气体等处理流体处理基板W；搬运机器人(未图示)，其向处理单元2搬运基板W；控制装置3，其控制基板处理装置1。
处理单元2包括：箱形的室4，其具有内部空间；旋转夹具5，其一边在室4内将一张基板W保持为呈水平，一边使该基板W绕通过基板W的中央部的铅直的旋转轴线A1旋转；多个喷嘴，其向被旋转夹具5保持的基板W喷出各种流体；筒状的处理杯30，其接住从旋转夹具5向外侧排出的处理液。
旋转夹具5是基板保持单元的一个例子。旋转夹具5包括被保持为呈水平的圆板状旋转底座7、在旋转底座7的上方的基板保持位置将基板W保持为呈水平的多个夹具销6、使多个夹具销6开闭的夹具开闭机构(未图示)。旋转夹具5还包括：旋转轴8，其从旋转底座7的中央部沿旋转轴线A1向下方延伸；旋转马达9，其使旋转轴8旋转，以使得被多个夹具销6保持的基板W绕旋转轴线A1旋转；筒状的夹具壳体10，其容纳旋转马达9。
多个喷嘴包括向下方喷出药液的药液喷嘴11。药液喷嘴11与药液配管12连接，该药液配管12用于引导向药液喷嘴11供给的药液。切换药液向药液喷嘴11供给和停止供给的药液阀13安装于药液配管12。在打开药液阀13时，药液从药液喷嘴11的喷出口11p向下方连续地喷出。
向药液喷嘴11供给的药液例如是BHF(Buffered Hydrogen Fluoride：包括HF、NH4F、H2O的混合液)。药液并不限定于BHF，也可以是包括硫酸、硝酸、盐酸、氟酸、磷酸、醋酸、氨水、过氧化氢水、有机酸(例如，柠檬酸、草酸等)、有机碱(例如，TMAH：四甲基氢氧化铵等)、界面活性剂、防腐剂中至少一种的液体。
虽未图示，但药液阀13包括形成流路的阀主体、配置于流路内的阀体、使阀体移动的促动器。后述的阀也相同。促动器也可以是空压促动器或电动促动器，也可以是除此以外的促动器。控制装置3控制促动器，以使药液阀13开闭。另外，控制装置3控制促动器，以变更第一供给流量调整阀18等流量调整阀的开度。
药液喷嘴11是在室4内能够移动的扫描喷嘴。药液喷嘴11与第一喷嘴移动单元14连接，该第一喷嘴移动单元14使药液喷嘴11沿铅直方向及水平方向中的至少一方移动。第一喷嘴移动单元14使药液喷嘴11在从药液喷嘴11喷出的药液附着于基板W的上表面的处理位置(图1所示的位置)与俯视时药液喷嘴11位于旋转夹具5的周围的退避位置之间水平地移动。处理位置包括药液附着于基板W的上表面中央部的中央处理位置和药液附着于基板W的上表面外周部的外周处理位置。
多个喷嘴包括向下方喷出冲洗液的冲洗液喷嘴15。冲洗液喷嘴15与第一冲洗液配管16，该第一冲洗液配管16用于引导向冲洗液喷嘴15供给的冲洗液。切换冲洗液向冲洗液喷嘴15供给及停止供给的第一冲洗液阀17安装于第一冲洗液配管16。变更向冲洗液喷嘴15供给的冲洗液流量的第一供给流量调整阀18也安装于第一冲洗液配管16。冲洗液喷嘴15是第一清洗喷嘴的一个例子，第一冲洗液配管16是供给配管的一个例子。
在打开第一冲洗液阀17时，冲洗液以与第一供给流量调整阀18的开度相对应的流量从冲洗液喷嘴15的喷出口15p向下方连续地喷出。从冲洗液喷嘴15喷出的冲洗液例如是纯水(去离子水：Deionized water)。冲洗液并不限定于纯水，也可以是IPA(异丙醇)、电解离子水、氢水、臭氧水、稀释浓度(例如，10～100ppm左右)的盐酸水中的任一种。
冲洗液喷嘴15是扫描喷嘴。冲洗液喷嘴15也可以是相对于室4的底部4a固定的固定喷嘴。冲洗液喷嘴15与第二喷嘴移动单元19连接，该第二喷嘴移动单元19用于使冲洗液喷嘴15沿铅直方向及水平方向中的至少一方移动。冲洗液喷嘴15也可以与第一喷嘴移动单元14连接。第二喷嘴移动单元19使冲洗液喷嘴15在处理位置(图1所示的位置)和退避位置之间水平地移动。
多个喷嘴包括朝向基板W的下表面中央部向上方喷出处理液的下面喷嘴20。下面喷嘴20相对于室4的底部4a固定。下面喷嘴20包括圆板部20a，该圆板部20a以旋转底座7的上表面与基板W的下表面之间的高度被水平地保持。圆板部20a为包围旋转轴线A1的圆环状，其外径小于基板W的直径。下面喷嘴20的喷出口20p在圆板部20a的上表面中央部开口。下面喷嘴20的喷出口20p在上下方向上与基板W的下表面中央部相对。下面喷嘴20是第二清洗喷嘴的一个例子。
下面喷嘴20与第二冲洗液配管21连接，该第二冲洗液配管21用于引导向下面喷嘴20供给的冲洗液。用于切换冲洗液向下面喷嘴20供给及停止供给的第二冲洗液阀22安装于第二冲洗液配管21。用于变更向下面喷嘴20供给的冲洗液流量的第二供给流量调整阀23也安装于第二冲洗液配管21。在打开第二冲洗液阀22时，冲洗液以与第二供给流量调整阀23的开度相对应的流量从下面喷嘴20的喷出口20p向上方连续地喷出。冲洗液例如是纯水。冲洗液也可以是纯水以外的冲洗液。
处理杯30包括：多个挡板33，其接住从旋转夹具5向外侧排出的液体；多个杯40，其接收被多个挡板33向下方引导的液体；圆筒状的外壁构件31，其包围多个挡板33和多个杯40。图1示出了设置有四个挡板33(第一挡板33A、第二挡板33B、第三挡板33C、第四挡板33D)和三个杯40(第一杯40A、第二杯40B、第三杯40C)的例子。
下面，在分别提及第一挡板33A、第二挡板33B、第三挡板33C、第四挡板33D的情况下，均简称为挡板33。同样地，在分别提及第一杯40A、第二杯40B、第三杯40C的情况下，均简称为杯40。另外，有时在与第一挡板33A相对应的结构的前面附带“第一”。例如，将与第一挡板33A相对应的筒状部35称为“第一筒状部35”。与第二挡板33B～第四挡板33D相对应的结构也一样。即，就第二挡板33B～第四挡板33D而言，与它们相对应的结构的前面的数字以增加1的方式递增。
挡板33能够在挡板33的上端比基板保持位置更靠上方的上位置与挡板33的上端比基板保持位置更靠下方的下位置之间沿上下方向移动。挡板升降单元32能够使多个挡板33分别单独地沿上下方向移动。挡板升降单元32能够使挡板33位于上位置至下位置之间的任意位置。挡板升降单元32例如包括产生使挡板33沿上下方向移动的动力的电动马达、将电动马达的旋转转换为挡板33沿上下方向的移动的滚珠丝杠及滚珠螺母。
挡板33包括包围旋转夹具5的圆筒状的筒状部35、从筒状部35的上端部朝向旋转轴线A1向斜上方延伸的圆环状的顶部34。第一顶部34～第四顶部34从下方开始按第一顶部34～第四顶部34的顺序沿上下方向重合。第一筒状部35～第四筒状部35从内侧开始按第一筒状部35～第四筒状部35的顺序配置为同心圆状。第一顶部34～第四顶部34的上端分别相当于第一挡板33A～第四挡板33D的上端。第一顶部34～第四顶部34的上端在俯视时包围旋转底座7。
如图2所示，各筒状部35包括从顶部34的下端部向下方延伸的上侧延伸部36。第一挡板33A的筒状部35除了上侧延伸部36以外，还包括从上侧延伸部36的下端部朝向旋转轴线A1向斜下方延伸的圆环状的中间倾斜部37、从中间倾斜部37的下端部(内端部)向下方延伸的圆筒状的下侧延伸部38。第三挡板33C的筒状部35除了上侧延伸部36以外，还包括圆筒状的外侧延伸部39，该外侧延伸部39从顶部34的下端部向下方延伸，包围上侧延伸部36。
多个杯40从内侧按第一杯40A、第二杯40B、第三杯40C的顺序配置为同心圆状。第一杯40A包围夹具壳体10。第一杯40A和第二杯40B比外壁构件31的上端更靠下方配置。第一杯40A和第二杯40B相对于室4的底部4a固定。第三杯40C与第二挡板33B构成为一体，与第二挡板33B一起沿上下方向移动。第二挡板33B也可以相对于第三杯40C能够移动。
杯40具有向上开口的U形的铅直截面，形成向上开口的环状的接液槽44。杯40包括包围旋转轴线A1的圆筒状的内壁部41、与内壁部41隔开间隔并包围内壁部41的圆筒状的外壁部42、连接内壁部41和外壁部42的各下端的圆环状的底壁部43。排出杯40内的液体的排液口45在底壁部43的上表面开口。底壁部43的上表面以在周向上越接近排液口45越低的方式，相对于水平面倾斜。
内壁部41的上端也可以配置在与外壁部42的上端等高的位置，也可以配置在比外壁部42的上端高或低的位置。图2示出了第一杯40A的内壁部41的上端配置在与第一杯40A的外壁部42的上端等高的位置、第二杯40B的内壁部41的上端比第二杯40B的外壁部42的上端更靠下方配置、第三杯40C的内壁部41的上端比第三杯40C的外壁部42的上端更靠上方配置的例子。
多个接液槽44分别配置于多个筒状部35的下端部的下方。在挡板33从上位置向下位置移动时，筒状部35的下端部通过接液槽44的入口进入接液槽44内。具体而言，第一挡板33A的下侧延伸部38进入接液槽44内，第二挡板33B～第三挡板33C的上侧延伸部36进入接液槽44内。由此，筒状部35的下端部以与外壁部42和内壁部41在径向上分离且与底壁部43在上下方向上分离的状态，配置在接液槽44内。
如图2所示，多个杯40分别与多个排液配管46连接。第二杯40B除了与排液配管46连接外，还与回收配管48连接。排液配管46和回收配管48是普通配管的一个例子。限制配管50与第一杯40A、第二杯40B、第三杯40C分别连接。限制配管50包括分别与多个排液配管46连接的多个分支配管50a、与各分支配管50a连接的集合配管50b。排液阀47、回收阀49、限制阀51分别安装于排液配管46、回收配管48、限制配管50。限制阀51和节流部52安装于集合配管50b。
经由排液口45从杯40排出的液体利用包含于排出切换阀的三个阀，即排液阀47、回收阀49、限制阀51，被引导至排液配管46、回收配管48、限制配管50中的任一配管。节流部52配置在限制阀51的下游侧。若安装于集合配管50b，则节流部52也可以配置在限制阀51的上游侧。节流部52的流路面积小于排液配管46的流路面积的最小值，小于回收配管48的流路面积的最小值。
外壁构件31和夹具壳体10从室4的底部4a向上方延伸。包围旋转夹具5的环状的容器(バット,vat)53由外壁构件31、室4的底部4a、夹具壳体10形成。容器53内的液体经由在室4的底部4a开口的下排液口54向下排液配管55排出。流入下排液配管55内的液体的流量由流量传感器56检测。
用于引导从外壁构件31的内部排出的气体的排气管道57从外壁构件31向外侧延伸。外壁构件31内的气体向排气管道57排出。排气管道57的上游端比旋转底座7更靠下方配置。排气管道57向设置有基板处理装置1的工厂所设置的排气设备引导室4内的气体。排出至排气管道57的排出气体的流量利用排气闸门58进行增减。排气闸门58可以是手动闸门，也可以是自动闸门。
图3是表示基板处理装置1执行的处理的概要的示意图。图4是用于说明基板处理装置1的电结构的框图。
如图3所示，在基板处理装置1中，执行在处理单元2内处理基板W的基板处理和清洗处理单元2的内部的室清洗。室清洗在执行一次以上基板处理后执行。然后，再次执行基板处理。
室清洗可以在每次利用一个处理单元2处理多张基板W时执行，也可以在每次利用处理单元2处理一张基板W时执行，也可以根据用户操作基板处理装置1在任意时期执行。另外，室清洗也可以在最近的室清洗结束后的经过时间和基板W的处理张数中的至少一方达到预定的值时执行。在该情况下，如图4所示，控制装置3包括对基板W的张数计数的计数器62和计测时间的计时器63中的至少一方。
如图4所示，控制装置3是包括存储器61和处理器60的计算机，该存储器61用于存储程序等信息，该处理器60根据存储器61所存储的信息来控制基板处理装置1。控制装置3是液量控制单元和挡板位置控制单元的一个例子。
基板处理和室清洗通过控制装置3控制基板处理装置1来执行。换言之，控制装置3被程序化，以执行基板处理和室清洗所包含的各个工序。表示基板处理所包含的一系列工序的方案存储于存储器61。控制装置3基于方案来控制基板处理装置1，以使基板处理所包含的各个工序在基板处理装置1中执行。室清洗也可以编入方案中。
下面，说明基板处理的一个例子和室清洗的一个例子。首先，说明基板处理的一个例子。
图5是用于说明基板处理的一个例子的工序图。图6A～图6C是表示执行图5所示的各个工序时的处理单元2的状态的示意图。图6A、图6B、图6C是分别表示执行药液供给工序、冲洗液供给工序、干燥工序时的处理单元2的状态的示意图。
在利用基板处理装置1处理基板W时，进行向室4内搬入基板W的搬入工序(图5中的步骤S1)。
具体而言，在全部喷嘴从旋转夹具5的上方退避的状态下，搬运机器人(未图示)一边利用机械手支撑基板W，一边使机械手进入室4内。然后，搬运机器人以使基板W的表面朝上的状态，将机械手中的基板W放置于旋转夹具5。在基板W被夹具销6把持后，旋转马达9开始使基板W旋转。在基板W被放置于旋转夹具5后，搬运机器人将机械手从室4的内部退避。
接着，如图6A所示，进行向基板W的上表面供给药液的药液供给工序(图5中的步骤S2)。
具体而言，第一喷嘴移动单元14将药液喷嘴11从退避位置移动至处理位置。而且，挡板升降单元32在使第一挡板33A位于下位置的状态下，将第二挡板33B～第四挡板33D上升至上位置。然后，打开药液阀13。由此，从药液喷嘴11向旋转的基板W的上表面喷出药液。此时，第一喷嘴移动单元14也可以在中央处理位置与外周处理位置之间移动药液喷嘴11，也可以使药液喷嘴11静止，以使药液的着液位置位于基板W的上表面中央部。从打开药液阀13开始经过规定时间后，关闭药液阀13。然后，第一喷嘴移动单元14将药液喷嘴11移动至退避位置。
从药液喷嘴11喷出的药液附着于基板W的上表面后，沿旋转的基板W的上表面向外侧流动。由此，形成覆盖基板W的上表面整个区域的药液的液膜，药液被供给至基板W的上表面整个区域。特别地，在第一喷嘴移动单元14使药液喷嘴11在中央处理位置与外周处理位置之间移动的情况下，利用药液的着液位置对基板W的上表面整个区域进行扫描，因此，药液向基板W的上表面整个区域均匀地供给。由此，基板W的上表面被均匀地处理。
在药液喷嘴11喷出药液时，第二挡板33B的内表面沿水平方向与基板W直接相对。从基板W向外侧排出的药液进入第一挡板33A与第二挡板33B之间的空间。然后，药液被第一挡板33A和第二挡板33B中的至少一方向第二杯40B引导，从而流入第二杯40B的接液槽44。此时，排液阀47和限制阀51处于关闭状态，回收阀49处于打开状态(参照图2)。因此，第二杯40B内的药液经由排液口45向回收配管48排出，并被引导至回收箱。第二挡板33B的下端部位于第二杯40B内的药液表面的上方。
接着，如图6B所示，进行将作为冲洗液的一个例子的纯水向基板W的上表面和下表面供给的冲洗液供给工序(图5中的步骤S3)。
具体而言，第二喷嘴移动单元19将冲洗液喷嘴15从退避位置移动至处理位置。而且，挡板升降单元32在使第二挡板33B～第四挡板33D位于上位置的状态下，将第一挡板33A上升至上位置。然后，打开第一冲洗液阀17，冲洗液喷嘴15开始喷出纯水。由此，纯水从冲洗液喷嘴15向旋转的基板W的上表面喷出。此时，第二喷嘴移动单元19可以使冲洗液喷嘴15在中央处理位置与外周处理位置之间移动，也可以使冲洗液喷嘴15静止，以使冲洗液的着液位置位于基板W的上表面中央部。
附着于基板W的上表面的纯水沿基板W的上表面向外侧流动。基板W上的药液被从冲洗液喷嘴15喷出的纯水冲走。由此，形成覆盖基板W的上表面整个区域的纯水液膜。到达基板W的上表面外周部的纯水从基板W向其周围飞散，被第一挡板33A接住。然后，纯水被第一挡板33A向第一杯40A引导，从而流入第一杯40A的接液槽44。从打开第一冲洗液阀17开始经过规定时间后，关闭第一冲洗液阀17，停止纯水的喷出。然后，第二喷嘴移动单元19将冲洗液喷嘴15移动至退避位置。
另一方面，打开第二冲洗液阀22，下面喷嘴20开始喷出纯水。由此，纯水从下面喷嘴20向旋转的基板W的下表面中央部喷出。第二冲洗液阀22可以与第一冲洗液阀17同时打开，也可以在第一冲洗液阀17打开前或打开后打开。附着于基板W的下表面的纯水沿基板W的下表面向外侧流动，从基板W的外周部向其周围飞散。附着于基板W的下表面的药液的雾等被从下面喷嘴20喷出的纯水冲走。从打开第二冲洗液阀22开始经过规定时间后，关闭第二冲洗液阀22，从而停止纯水的喷出。
接着，如图6C所示，进行通过使基板W高速旋转而使基板W干燥的干燥工序(图5中的步骤S4)。
具体而言，挡板升降单元32在使第四挡板33D位于上位置的状态下，使第一挡板33A～第三挡板33C下降至下位置。然后，旋转马达9使基板W向旋转方向加速，使其以高转速(例如，数千rpm)旋转。由此，大的离心力施加在附着于基板W的液体上，以使液体从基板W向其周围飞散。因此，液体从基板W被除去，基板Wb被干燥。从基板W开始高速旋转开始经过规定时间后，旋转马达9停止旋转。由此，基板W停止旋转。
接着，进行将基板W从室4搬出的搬出工序(图5中的步骤S5)。
具体而言，挡板升降单元32在使第一挡板33A～第三挡板33C位于下位置的状态下，使第四挡板33D下降至下位置。然后，搬运机器人(未图示)使机械手进入室4内。在多个夹具销6解除对基板W的保持后，搬运机器人利用机械手支撑旋转夹具5上的基板W。然后，搬运机器人一边利用机械手支撑基板W，一边使机械手从室4的内部退避。由此，处理完的基板W从室4被搬出。
接着，说明室清洗的一个例子。
图7是用于说明室清洗的一个例子的工序图。图8是表示作为清洗液的一个例子的纯水积存于第二杯40B的状态的示意图。图9是表示第二挡板33B的下端部浸渍于第二杯40B内的纯水中的状态的示意图。图10是表示纯水经由排液口45从第二杯40B排出的状态的示意图。在图8～图10中，将打开的阀用黑色表示，将关闭的阀用白色表示。
如图8所示，在清洗第二挡板33B时，控制装置3使第二挡板33B～第四挡板33D位于上位置，使第一挡板33A位于下位置(图7中的步骤S11)。而且，控制装置3使冲洗液喷嘴15位于旋转底座7的上方，使旋转底座7旋转(图7中的步骤S12)。在该状态下，控制装置3使作为清洗液的一个例子的纯水从冲洗液喷嘴15喷出(图7中的步骤S13)。
从冲洗液喷嘴15喷出的纯水附着于旋转底座7的上表面，沿旋转底座7的上表面向外侧扩散。到达旋转底座7的外周部的纯水从旋转底座7向其周围飞散，进入第一挡板33A与第二挡板33B之间的空间。该纯水被第一挡板33A的外表面和第二挡板33B的内表面中的至少一个面向第二杯40B引导，从而流入第二杯40B的接液槽44内。
纯水向第二杯40B持续供给，另一方面，第二杯40B内的纯水经由排液口45被排出。如图8所示，此时，控制装置3关闭排液阀47和回收阀49，打开限制阀51。向第二杯40B供给的纯水流量比经由排液口45从第二杯40B排出的纯水流量多。因此，纯水积存于第二杯40B，从而第二杯40B内的纯水的表面(上表面)逐渐地上升。
若第二杯40B内的纯水增多，则液面即纯水的表面上升。与之伴随，在第二杯40B的内壁部41的外周面中与纯水直接接触的区域的面积增加。同样地，在第二杯40B的外壁部42的内周面中与纯水直接接触的区域的面积增加。换言之，若不将纯水积极地积存于第二杯40B内，则纯水与纯水难以接触的区域直接接触。在第二杯40B中，内壁部41远低于外壁部42，因此，纯水与内壁部41的外周面的整个区域直接接触。
如图9所示，从接液槽44的入口溢出的纯水沿包括内壁部41的内周面和外壁部42的外周面的第二杯40B的外表面40o向下方流动，从而流到容器53的底面。容器53中的纯水经由下排液口54向下排液配管55排出。控制装置3基于流量传感器56的检测值，判断第二杯40B是否被纯水充满，即，判断纯水的表面是否到达接液槽44的入口。
在第二杯40B被纯水装满时，控制装置3使第二挡板33B从相当于上清洗位置的上位置下降至相当于下清洗位置的下位置(图7中的步骤S14)。在第二挡板33B到达下位置之前，第二筒状部35的下端部浸渍于第二杯40B内的纯水中，纯水从第二杯40B溢出。如图9所示，在第二杯40B中，内壁部41远低于外壁部42，因此，第二杯40B内的纯水只通过内壁部41的上端排出。
控制装置3一边使第二杯40B内的纯水溢出，一边使第二挡板33B下降至下位置。在第二挡板33B到达下位置时，控制装置3使第二挡板33B从下位置上升至上位置。此时，第二筒状部35的下端部在第二杯40B内的纯水中向上方移动。然后，在第二挡板33B到达上位置之前，第二筒状部35的下端部向上方通过第二杯40B内的纯水表面，向第二杯40B的接液槽44的外侧移动。
旋转底座7的旋转和来自冲洗液喷嘴15的纯水的喷出并非只在第二挡板33B向下位置下降时进行，在第二挡板33B向上位置上升时也可以继续进行。第二筒状部35的下端部在第二杯40B内的纯水中上升的期间中的至少一部分期间，第二杯40B内的纯水从接液槽44的入口溢出。在第二挡板33B到达上位置时，控制装置3再次使第二杯40B下降至下位置。即，控制装置3使第二挡板33B在上位置与下位置之间进行多次往复移动(图7中的步骤S14)。
如图9所示，在第二杯40B内的纯水增多时，位于下位置的第一挡板33A的筒状部35的下端部，即上侧延伸部36的下端部浸渍于第二杯40B内的纯水中。因此，上侧延伸部36的下端部的内周面、外周面、下表面与第二杯40B内的纯水直接接触。此时，控制装置3也可以使第一挡板33A在下位置始终静止，与第二挡板33B同样，也可以使第一挡板33A在上位置与下位置之间进行多次往复移动。
从开始清洗第二挡板33B经过规定时间后，为了结束第二挡板33B的清洗，控制装置3将旋转底座7的旋转和来自冲洗液喷嘴15的纯水的喷出停止(图7中的步骤S15和步骤S16)。而且，如图10所示，控制装置3将限制阀51关闭，将排液阀47打开。由此，经由排液口45从第二杯40B排出的纯水的流量增加。因此，第二杯40B内的纯水快速地被排出，几乎全部的纯水从第二杯40B排出(图7中的步骤S17)。经由排液口45从第二杯40B排出的纯水可以再利用，也可以废弃。
这样，从冲洗液喷嘴15喷出的纯水沿旋转的旋转底座7的上表面向外侧流出。附着于旋转底座7和夹具销6的药液被纯水冲走。而且，纯水不仅向旋转底座7和夹具销6直接供给，也向包括第一顶部34的上表面和第一筒状部35的外周面的第一挡板33A的外表面、包括第二顶部34的下表面和第二筒状部35的内周面的第二挡板33B的内表面直接供给。由此，第一挡板33A的外表面和第二挡板33B的内表面被清洗。
在清洗第一挡板33A的内表面等其他部位时，除了第一挡板33A～第四挡板33D的位置以外，进行与上述同样的动作。具体而言，在清洗第一挡板33A的内表面时，第一挡板33A～第四挡板33D配置于上位置。在清洗第二挡板33B的外表面和第三挡板33C的内表面时，第一挡板33A～第二挡板33B配置于下位置，第三挡板33C～第四挡板33D配置于上位置。
在清洗第一挡板33A的内表面时，与第二挡板33B和第二杯40B同样，也可以将纯水积存于第一杯40A，将第一挡板33A的筒状部35的下端部浸渍于第一杯40A内的纯水中。同样地，也可以将第三挡板33C的筒状部35的下端部浸渍于第三杯40C内的纯水中。这样一来，也能够减少残留于第一挡板33A和第三挡板33C的药液等的量。
如上所述，在本实施方式中，纯水积存于第二杯40B的接液槽44。然后，第二筒状部35的下端部，即第二挡板33B的筒状部35的下端部浸渍于第二杯40B内的纯水中。由此，不仅第二筒状部35的下端部的内周面，而且第二筒状部35的下端部的下表面和外周面也与第二杯40B内的纯水直接接触。因此，微量的药液、药液结晶从第二筒状部35的下端部的下表面和外周面被除去，第二筒状部35的下端部被清洗。由此，能够减少残留于第二挡板33B的污染物质。
在本实施方式中，第二下端部在第二杯40B内的纯水中沿上下方向上移动。由此，能够有效地除去附着于第二筒状部35的下端部的微量的药液、药液结晶。
在本实施方式中，第二筒状部35的下端部沿上下方向多次通过第二杯40B内的纯水表面(上表面)。在第二筒状部35的下端部从纯水表面向上方移出时，纯水的表面张力将附着于第二筒状部35的下端部的药液结晶向下方拉拽。另外，在第二筒状部35的下端部进入纯水表面时，对附着于第二筒状部35的下端部的药液结晶施加冲击。因此，能够将药液结晶从第二筒状部35的下端部有效地除去。
在本实施方式中，一边将第二筒状部35的下端部浸渍于第二杯40B内的纯水中，一边经由排液口45排出第二杯40B内的纯水。从第二筒状部35的下端部被除去的药液、药液结晶和经由排液口45从接液槽44排出的纯水一起，向接液槽44外排出。因此，药液、药液结晶难以再附着于第二筒状部35的下端部。由此，能够减少残留于第二挡板33B的污染物质。
在本实施方式中，使第二杯40B内的纯水从设置于接液槽44的上端的接液槽44的入口溢出。在第二筒状部35的下端部浸渍于第二杯40B内的纯水中时，药液、药液结晶混入第二杯40B内的纯水中。存在于第二杯40B内的纯水表面附近的药液等与从接液槽44溢出的纯水一起，向接液槽44外排出。因此，药液、药液结晶难以再附着于第二筒状部35的下端部。由此，能够减少残留于第二挡板33B的污染物质。
在第二筒状部35的下端部在纯水中上升时，由于处于纯水中的第二筒状部35的一部分的体积减少，因此，若不向接液槽44供给纯水，则纯水的表面会持续下降。在本实施方式中，即使在这样的情况下，也以纯水从接液槽44溢出的较大的流量，向接液槽44供给纯水。因此，能够可靠地将混入第二杯40B内的纯水中的药液等与从接液槽44溢出的纯水一起排出。
在本实施方式中，从第二杯40溢出的纯水沿包括内壁部41的内周面和外壁部42的外周面的第二杯40B的外表面40o向下方流动。用于基板W的处理的药液难以与第二杯40B的外表面40o直接接触，但存在药液的雾、液滴与第二杯40B的外表面40o接触的情况。因此，通过使纯水与第二杯40B的外表面40o直接接触，能够除去附着于第二杯40B的外表面40o的药液、药液结晶。
在本实施方式中，从第二杯40B溢出的纯水被位于第二杯40B的下方的容器53接住，并经由下排液口54从容器53向下排液配管55排出。在纯水从第二杯40B溢出时，下排液配管55内流动的液体流量发生变化。纯水是否从第二杯40B溢出，可以基于检测下排液配管55内流动的液体流量的流量传感器56的检测值来判断。因此，能够可靠地检测纯水从第二杯40B溢出。
在本实施方式中，为了在第二杯40B中积存纯水，将包括排液阀47、回收阀49、限制阀51的排出切换阀从通常状态切换为限制状态。第二杯40B内的纯水不向排液配管46和回收配管48排出，而向限制配管50排出。安装于限制配管50的节流部52的流路面积小于排液配管46和回收配管48的流路面积的最小值。由此，经由排液口45从第二杯40B排出的液体流量(排出流量)小于向第二杯40B的接液槽44供给的纯水流量(供给流量)，从而纯水积存于第二杯40B。
本发明并不限定于上述的实施方式的内容，能够进行各种变更。
例如，清洗处理杯30的清洗液也可以是纯水以外的液体。例如，也可以将碳酸水作为清洗液使用，以代替纯水。
即，在附着于处理杯30的药液结晶为水溶性的情况下，优选清洗液为以水为主要成分的含水液体(水的含有率例如为80％的液体)。纯水和碳酸水是含水液体的一个例子。另外，在附着于处理杯30的药液结晶为疏水性的情况下，优选清洗液为IPA等有机溶剂的液体。
在将第二筒状部35的下端部浸渍于第二杯40B内的纯水中时，也可以使第二筒状部35的下端部在第二杯40B内的纯水中静止，也可以在将第二筒状部35的下端部浸渍于第二杯40B内的纯水中的状态下，使第二挡板33B沿上下方向振动。
在将第二筒状部35的下端部浸渍于第二杯40B内的纯水中时，也可以使第二挡板33B在与上位置和下位置不同的两个位置之间升降。即，上清洗位置和下清洗位置也可以是与上位置和下位置不同的位置。在该情况下，上清洗位置也可以是第二筒状部35的下端部浸渍于第二杯40B内的纯水中的位置。
为了在第二杯40B积存纯水，也可以一边停止纯水向排液口45排出，一边向第二杯40B供给纯水。即，也可以在排液阀47、回收阀49、限制阀51关闭的状态下向第二杯40B供给纯水。在该情况下，在开始供给纯水时，由于药液的含有率比较高的纯水向第二杯40B供给，因此，也可以只有开始供给纯水时丢弃第二杯40B内的纯水，以后，停止纯水从排液口45排出。
也可以基于从开始向第二杯40B供给纯水后经过的时间，来判断纯水是否从第二杯40B溢出。或者，也可以基于用于检测第二杯40B内的纯水表面的高度的液位计的检测值，来判断纯水是否从第二杯40B溢出。
也可以在纯水从第二杯40B溢出前，将第二筒状部35的下端部浸渍于第二杯40B内的纯水中。
也可以在将第二筒状部35的下端部浸渍于第二杯40B内的纯水中时，不使纯水从第二杯40B溢出。
如图11所示，也可以省略限制配管50(参照图2)，在多个排液配管46中至少一个排液配管上设置排出流量调整阀64。或者，也可以将排出流量调整阀64设置于限制配管50，以代替节流部52(参照图2)。在哪种情况下，均能够通过变更排出流量调整阀64的开度，来变更经由排液口45从杯40排出的液体流量(排出流量)。
说明了限制配管50分别与第一杯40A、第二杯40B、第三杯40C连接的情况，但也可以使限制配管50只与供给药液的杯40即第二杯40B连接。
也可以增加供给流量，以使在第二杯40B中积存纯水时，向第二杯40B的接液槽44供给的纯水流量(供给流量)超过经由排液口45从第二杯40B排出的纯水流量(排出流量)。
具体而言，也可以通过增加第一供给流量调整阀18的开度来增加供给流量。或者，也可以在第二杯40B中积存纯水时，从冲洗液喷嘴15和下面喷嘴20均喷出纯水。在该情况下，供给流量增加了从下面喷嘴20喷出的纯水的流量。
在清洗处理杯30时，也可以从下面喷嘴20喷出纯水，来代替冲洗液喷嘴15。
如图12所示，第二杯40B的外壁部42的上端也可以比第二杯40B的内壁部41的上端更靠下方配置。在该情况下，从第二杯40B溢出的纯水沿外壁部42的上端部的外周面向下方流动。外壁部42的上端部的外周面形成向排气管道57流动的排出气体的通路。药液的雾容易附着于外壁部42的上端部的外周面。因此，能够有效地减少残留于处理杯30的药液、药液结晶。
处理杯30具有的挡板33的数量可以是1～3个，也可以是5个以上。处理杯30具有的杯40的数量可以是1～2个，也可以是4个以上。
旋转夹具5并不限定于使多个夹具销6与基板W的外周面接触的夹持式夹具，也可以是通过将非器件形成面的基板W的背面(下表面)吸附于旋转底座7的上表面来将基板W保持为呈水平的真空式夹具。
基板处理装置1并不限定于处理圆板状基板W的装置，也可以是处理多边形基板W的装置。
上述全部结构中的两个以上结构也可以进行组合。上述的全部工序中的两个以上工序也可以进行组合。
本申请与2016年7月19日向日本国特许厅提出的特愿2016-141463号对应，该申请的全部公开通过引用而包含于本申请。
对本发明的实施方式进行了详细的说明，但这些实施方式只不过是为了使本发明的技术内容明确的具体实施例而已，不可解释为本发明被这些具体实施例限定，本发明的宗旨和范围仅由权利要求书来确定。

Claims (23)

1.一种基板处理装置，其中，具有：
基板保持单元，一边将基板保持为呈水平，一边使所述基板绕通过所述基板的中央部的铅直的旋转轴线旋转；
药液喷嘴，向被所述基板保持单元保持的所述基板喷出药液；
筒状的挡板，包括包围被所述基板保持单元保持的所述基板的筒状部，该挡板接住从所述基板保持单元向外侧飞散的液体；
环状的杯，形成有位于所述筒状部的下方的环状的接液槽，该杯用所述接液槽接住被所述挡板向下方引导的液体；
挡板升降单元，使所述挡板沿上下方向移动；
清洗液供给单元，包括将与药液不同的清洗液从配置于被所述基板保持单元保持的基板的上方或下方的喷出口喷出的第一清洗液喷嘴，该清洗液供给单元将从所述第一清洗液喷嘴喷出的清洗液经由所述基板保持单元和所述挡板向所述接液槽供给；
清洗液排出单元，将所述接液槽内的清洗液经由设置于所述接液槽内的排液口排出；
液量控制单元，通过控制所述清洗液供给单元和清洗液排出单元，使经由所述基板保持单元和所述挡板从所述第一清洗液喷嘴向所述接液槽供给的清洗液的供给流量，大于经由所述排液口从所述接液槽排出的清洗液的排出流量，来将清洗液积存于所述接液槽；以及
挡板位置控制单元，通过控制所述挡板升降单元，来将所述筒状部的下端部浸渍于所述接液槽内的清洗液中。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述挡板位置控制单元一边使所述筒状部的下端部浸渍于所述接液槽内的清洗液中，一边使所述筒状部的下端部沿上下方向振动。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述挡板位置控制单元使所述挡板在所述筒状部的下端部位于所述接液槽内的清洗液上方的上清洗位置与所述筒状部的下端部浸渍于所述接液槽内的清洗液中的下清洗位置之间，沿上下方向多次往复移动。
4.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
在所述筒状部的下端部浸渍于所述接液槽内的清洗液中时，所述液量控制单元使所述接液槽内的清洗液经由所述排液口排出。
5.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
在所述筒状部的下端部浸渍于所述接液槽内的清洗液中时和所述筒状部的下端部未浸渍于所述接液槽内的清洗液中时中的至少一方时，所述液量控制单元使所述接液槽内的清洗液从所述接液槽的入口溢出。
6.如权利要求5所述的基板处理装置，其中，
所述筒状部的下端部在所述接液槽内的清洗液中上升时，所述液量控制单元使所述接液槽内的清洗液从所述接液槽的入口溢出。
7.如权利要求5所述的基板处理装置，其中，
所述杯包括将从所述接液槽的入口溢出的清洗液向下方引导的外表面。
8.如权利要求5所述的基板处理装置，其中，
还具有：
容器，位于所述杯的下方，用于接住从所述接液槽的入口溢出的清洗液；
下排液配管，引导经由设置于所述容器内的下排液口从所述容器排出的清洗液；以及
流量传感器，检测所述下排液配管内流动的液体的流量；
所述液量控制单元基于所述流量传感器的检测值，来判断清洗液是否从所述接液槽溢出。
9.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述清洗液排出单元通过减少所述排出流量，使所述排出流量小于所述供给流量。
10.如权利要求9所述的基板处理装置，其中，
所述清洗液排出单元包括：
普通配管，引导经由所述排液口从所述接液槽排出的清洗液；
限制配管，引导经由所述排液口从所述接液槽排出的清洗液；
节流部，安装于所述限制配管，具有比所述普通配管的流路面积的最小值小的流路面积；以及
排出切换阀，能够在所述接液槽内的清洗液向所述普通配管排出的通常状态和所述接液槽内的清洗液向所述限制配管排出的限制状态之间进行切换。
11.如权利要求9所述的基板处理装置，其中，
所述清洗液排出单元包括：
普通配管，引导经由所述排液口从所述接液槽排出的清洗液；以及
排出流量调整阀，变更所述普通配管内流动的液体的流量。
12.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述清洗液供给单元通过增加所述供给流量，使所述供给流量大于所述排出流量。
13.如权利要求12所述的基板处理装置，其中，
所述清洗液供给单元包括：
供给配管，引导向所述第一清洗液喷嘴供给的清洗液；以及
供给流量调整阀，变更所述供给配管内流动的液体的流量。
14.如权利要求12所述的基板处理装置，其中，
所述清洗液供给单元包括第二清洗液喷嘴，该第二清洗液喷嘴是与所述第一清洗液喷嘴不同的喷嘴，该第二清洗液喷嘴从配置于被所述基板保持单元保持的基板的上方或下方的喷出口喷出清洗液。
15.一种处理杯清洗方法，其中，包括：
药液供给工序，一边使被保持为呈水平的基板绕通过所述基板的中央部的铅直的旋转轴线旋转，一边向所述基板喷出药液；
第一接液工序，使从所述基板向外侧排出的药液被包括包围所述基板的筒状部的挡板接住；
第一供给工序，一边使被所述挡板向下方引导的药液被形成位于所述筒状部的下方的环状接液槽的杯接住，一边经由设置于所述接液槽内的排液口将所述接液槽内的药液排出；
清洗液喷出工序，在所述药液供给工序后，一边使配置于所述基板的下方的旋转底座绕所述旋转轴线旋转，一边使与药液不同的清洗液在所述旋转底座的上方从第一清洗液喷嘴喷出；
第二接液工序，使从所述旋转底座向外侧排出的清洗液被所述挡板接住；
第二供给工序，使被所述挡板向下方引导的清洗液被所述杯的接液槽接住；
积存工序，通过使表示经由所述旋转底座和所述挡板从所述第一清洗液喷嘴向所述接液槽供给的清洗液流量的供给流量大于表示经由所述排液口从所述接液槽排出的清洗液流量的排出流量，在所述接液槽中积存清洗液；
浸渍工序，通过使所述挡板下降，将所述筒状部的下端部浸渍于所述接液槽内的清洗液中。
16.如权利要求15所述的处理杯清洗方法，其中，
所述浸渍工序包括：一边将所述筒状部的下端部浸渍于所述接液槽内的清洗液中，一边使所述筒状部的下端部沿上下方向振动的工序。
17.如权利要求15或16所述的处理杯清洗方法，其中，
所述浸渍工序包括：使所述挡板在所述筒状部的下端部位于所述接液槽内的清洗液的上方的上清洗位置与所述筒状部的下端部浸渍于所述接液槽内的清洗液中的下清洗位置之间沿上下方向多次往复移动的工序。
18.如权利要求15或16所述的处理杯清洗方法，其中，
所述积存工序包括：在所述筒状部的下端部浸渍于所述接液槽内的清洗液中时，使所述接液槽内的清洗液经由所述排液口排出的工序。
19.如权利要求15或16所述的处理杯清洗方法，其中，
所述积存工序包括：在所述筒状部的下端部浸渍于所述接液槽内的清洗液中时和所述筒状部的下端部未浸渍于所述接液槽内的清洗液中时中的至少一方时，使所述接液槽内的清洗液从所述接液槽的入口溢出的工序。
20.如权利要求19所述的处理杯清洗方法，其中，
所述积存工序包括：所述筒状部的下端部在所述接液槽内的清洗液中上升时，使所述接液槽内的清洗液从所述接液槽的入口溢出的工序。
21.如权利要求19所述的处理杯清洗方法，其中，
所述积存工序包括：使从所述接液槽的入口溢出的清洗液沿所述杯的外表面流下的工序。
22.如权利要求19所述的处理杯清洗方法，其中，
还包括：
使从所述接液槽的入口溢出的清洗液被位于所述杯的下方的容器接住的工序；
经由设置于所述容器内的下排液口将所述容器内的清洗液向下排液配管排出的工序；以及
基于所述下排液配管内流动的液体的流量来判断清洗液是否从所述接液槽溢出的工序。
23.如权利要求19所述的处理杯清洗方法，其中，
在所述积存工序中，通过执行所述排出流量的减少和所述供给流量的增加中的至少一方，使所述供给流量大于所述排出流量。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6910164B2 (ja) * 2017-03-01 2021-07-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR101899915B1 (ko) * 2017-04-26 2018-09-20 세메스 주식회사 게이트 도어 유닛 및 이를 갖는 기판 처리 장치
WO2019083735A1 (en) * 2017-10-23 2019-05-02 Lam Research Ag SYSTEMS AND METHODS FOR PREVENTING THE STATIC FRICTION OF HIGH-SHAPE RATIO STRUCTURES AND / OR REPAIRING HIGH-SHAPE RATIO STRUCTURES
JP7072415B2 (ja) * 2018-03-26 2022-05-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7066471B2 (ja) * 2018-03-26 2022-05-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7149087B2 (ja) * 2018-03-26 2022-10-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7080331B2 (ja) * 2018-08-22 2022-06-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
CN109065485B (zh) * 2018-09-04 2020-09-11 江苏晶品新能源科技有限公司 一种单晶硅生产线用硅片高效清洗装置
JP7203685B2 (ja) * 2019-05-27 2023-01-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム
CN111085491B (zh) * 2019-12-27 2021-12-03 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 一种防溅回收组件
JP7455608B2 (ja) * 2020-02-25 2024-03-26 株式会社荏原製作所 洗浄方法及び洗浄装置
JP7438015B2 (ja) * 2020-05-01 2024-02-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP7330307B2 (ja) * 2022-01-13 2023-08-21 三益半導体工業株式会社 処理液回収機構付ウェーハ表面処理装置及びウェーハ表面処理方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103094151A (zh) * 2011-10-27 2013-05-08 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种化学液回收装置
CN103311155A (zh) * 2012-03-09 2013-09-18 东京毅力科创株式会社 液处理装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3745900B2 (ja) 1998-05-07 2006-02-15 大日本スクリーン製造株式会社 処理液供給装置
JP3761482B2 (ja) * 2002-03-26 2006-03-29 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置およびスプラッシュガードの洗浄方法
US7584760B2 (en) * 2002-09-13 2009-09-08 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP4494840B2 (ja) * 2003-06-27 2010-06-30 大日本スクリーン製造株式会社 異物除去装置、基板処理装置および基板処理方法
JP2005191511A (ja) * 2003-12-02 2005-07-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2006024793A (ja) 2004-07-08 2006-01-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 薬液回収方法および基板処理装置
US8152933B2 (en) 2006-10-05 2012-04-10 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing method, and drain cup cleaning method
JP2008153521A (ja) 2006-12-19 2008-07-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回収カップ洗浄方法および基板処理装置
JP5312856B2 (ja) 2008-06-27 2013-10-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5270251B2 (ja) * 2008-08-06 2013-08-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4703704B2 (ja) 2008-10-02 2011-06-15 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5864232B2 (ja) * 2011-02-01 2016-02-17 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP5890108B2 (ja) * 2011-04-27 2016-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 洗浄処理方法
JP5782317B2 (ja) * 2011-07-12 2015-09-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6250973B2 (ja) 2013-08-08 2017-12-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6432824B2 (ja) * 2014-08-15 2018-12-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR102342131B1 (ko) 2014-08-15 2021-12-21 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6537398B2 (ja) 2015-08-03 2019-07-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103094151A (zh) * 2011-10-27 2013-05-08 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种化学液回收装置
CN103311155A (zh) * 2012-03-09 2013-09-18 东京毅力科创株式会社 液处理装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Applications of Hadamard transform-gas chromatography/mass spectrometry for the detection of hexamethyldisiloxane in a wafer cleanroom;Cheng, Yuan-Kai; Lin, Cheng-Huang; Kuo, Samuel; 等;《JOURNAL OF CHROMATOGRAPHY A 》;20120113;第1220卷;第143-146页 *

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Publication number Publication date
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