TWI704966B - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

藉由關閉溶劑閥,將通過溶劑閥的IPA中之最先通過溶劑閥的IPA以外之IPA保持在前端流路內。藉由開啟溶劑閥,利用通過溶劑閥的IPA,將預先保持在前端流路內的IPA推送至下游,藉此使吐出口朝向基板而僅吐出該IPA。藉由關閉溶劑閥,將此時通過溶劑閥的IPA之全部保持在前端流路內。

Description

基板處理方法及基板處理裝置
本發明係關於處理基板之基板處理方法及基板處理裝置。針對於處理對象之基板而包含有例如包含有半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板、有機EL(Electroluminescence,電致發光)顯示裝置等之FPD(Flat Panel Display,平板顯示器)用基板等。
於專利文獻1揭示有一片片地處理基板之單片式之基板處理裝置。該基板處理裝置係包含有:旋轉夾頭,其將基板水平地保持而進行旋轉;處理液噴嘴,其朝向被旋轉夾頭所保持的基板之上表面吐出處理液;處理液配管,其將處理液供給至處理液噴嘴;及處理液閥,其介設於處理液配管。當處理液閥被開啟時,處理液配管內之處理液被供給至處理液噴嘴,當處理液噴嘴被關閉時,朝處理液噴嘴的處理液之供給被停止。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2012-026476號公報
於處理液閥被開啟時,閥體自閥座離開。此時,閥體摩擦閥座,因而於處理液閥之內部產生微粒。該微粒係與處理液一起被供給至處理液噴嘴,而自處理液噴嘴被吐出。因此存在有在處理液閥內所產生的微粒附著於基板之情況。
處理液閥被關閉時也同樣,於處理液閥之內部產生微粒。存在有於完全地關閉處理液閥之前所產生的微粒與處理液一起被供給至處理液噴嘴的情況。此外,存在有微粒殘留於處理液閥內而於再次開啟處理液閥時與處理液一起被供給至處理液噴嘴的情況。
於此,本發明之一目的係在於提供一種基板處理方法及基板處理裝置,其可抑制或防止在對朝處理液噴嘴的處理液之供給及供給停止進行切換的閥內所產生的微粒被供給至基板之情形。
本發明之一實施形態係提供一種基板處理方法,其係藉由基板處理裝置而執行者,該基板處理裝置係具備有:基板保持單元,其水平地保持基板;吐出口,其吐出處理上述基板的處理液;吐出閥,其在使處理液朝上述吐出口之側流動的開狀態與堵住朝上述吐出口之側流動的處理液的閉狀態之間進行開閉;及前端流路,其包含有連接於上述吐出閥的上游端、及連接於上述吐出口的下游端,而自上述吐出閥延伸至上述吐出口;該基板處理方法係包含有如下之步驟:處理液流入步驟,其藉由開啟上述吐出閥,使上述處理液通過上述吐出閥,而使通過上述吐出閥的上述處理液流入至上述前端流路;處理液保持步驟,其藉由關閉上述吐出閥,將在上述 處理液流入步驟中通過上述吐出閥的上述處理液中之最先通過上述吐出閥的上述處理液以外之上述處理液,保持在上述前端流路內;供給執行步驟,其藉由開啟上述吐出閥而使上述處理液通過上述吐出閥,利用通過上述吐出閥的上述處理液,將在上述處理液保持步驟中被保持在上述前端流路內的上述處理液推送至下游,藉此使上述吐出口朝向被上述基板保持單元所水平地保持的上述基板而僅吐出在上述處理液保持步驟中被保持在上述前端流路內的上述處理液;及供給停止步驟,其藉由關閉上述吐出閥,將在上述供給執行步驟中通過上述吐出閥的上述處理液之全部,保持在上述前端流路內。
被供給至吐出閥的處理液係可為自基板處理裝置所具備之槽而被供給者,亦可為自安裝有基板處理裝置的製造工廠(例如半導體製造步驟)而被供給者。
根據該方法,於將處理液供給至基板前,吐出閥被開啟。藉此,因在吐出閥內所產生的微粒而被污染的處理液係自吐出閥流入至前端流路。繼而,含有微粒較少的潔淨之處理液係自吐出閥流入至前端流路。亦即,被污染的處理液最先通過吐出閥,繼而,潔淨之處理液通過吐出閥。
被污染的處理液係藉由潔淨之處理液而被推送至下游。當流動於前端流路內的處理液達到至前端流路之下游端時,前端流路內之處理液自吐出口被吐出。藉此,於開啟吐出閥時流入至前端流路之被污染的處理液係自前端流路被排出。於被污染的處理液自吐出口被吐出之後,吐出閥被關閉。藉此,潔淨之處理液被保持在前端流路內,而在前端流路內靜止。
其後,吐出閥再次被開啟。被保持在前端流路內的潔淨之處理液係藉由新流入之處理液而被推送至下游,自吐出口朝向基板而被吐出。藉此,潔淨之處理液被供給至基板。其後,吐出閥被關閉,來自吐出口的處理液之吐出被停止。與此同時,新流入的處理液之全部係被保持在前端流路內。
如此,於潔淨之處理液被保持在前端流路內的狀態下開啟吐出閥,朝向基板吐出該處理液。其後,將通過吐出閥的全部之處理液保持在前端流路內。於通過吐出閥的處理液,亦包含有被污染的處理液。因此,可一面避免被污染的處理液自吐出口被吐出的情形,一面自吐出口僅吐出潔淨之處理液。藉此,由於在被供給至基板的處理液中所包含有的微粒減少,因此可提高乾燥後之基板之潔淨度。
於本實施形態中,亦可將以下之至少一個特徵加入至上述基板處理方法。
上述基板處理方法係進而包含有:乾燥步驟,其使附著有在上述供給執行步驟中自上述吐出口被吐出的上述處理液之上述基板進行乾燥。
根據該方法,使附著有自吐出口所被吐出之處理液的基板進行乾燥。自吐出口所被吐出的處理液係含有微粒較少的潔淨之處理液。因此,可於被基板所保持的微粒較少之狀態下使基板乾燥。藉此,可使殘留於乾燥後之基板的微粒減少,而可提高乾燥後之基板之潔淨度。
上述基板處理方法係進而包含有:排出步驟,其自上述前端流路排出在上述供給停止步驟中被保持於上述前端流路內 的上述處理液中在上述供給執行步驟中最先通過上述吐出閥的上述處理液,而將在上述供給執行步驟中最先通過上述吐出閥的上述處理液以外之上述處理液,保持在上述前端流路內。
在上述供給執行步驟中最先通過上述吐出閥的上述處理液以外之上述處理液係可為經由上述吐出閥而新流入至上述前端流路的上述處理液,亦可為在上述供給停止步驟中被保持在上述前端流路內的上述處理液之一部分。
根據該方法,於朝向基板吐出處理液時最先通過吐出閥且於停止處理液之吐出時被保持在前端流路內的處理液係自前端流路排出。亦即,被污染的處理液係自前端流路被排出。因此,於將被保持在前端流路內的處理液供給至下一基板時,可防止被污染的處理液朝向基板被吐出的情形。藉此,於處理複數片之基板時,可提高各基板之潔淨度。
上述基板處理方法係進而包含有:停滯時間判定步驟,其於上述排出步驟之後,針對表示相同之上述處理液被保持在上述前端流路內之時間的停滯時間是否超過既定時間進行判定;及處理液置換步驟,其於在上述停滯時間判定步驟中被判定為上述停滯時間超過上述既定時間之情況時,於在上述前端流路內保持有上述處理液的狀態下開啟上述吐出閥,藉此使上述處理液通過上述吐出閥,利用通過上述吐出閥的上述處理液中之最先通過上述吐出閥的上述處理液以外之上述處理液,置換被保持在上述前端流路內的上述處理液之全部。
被保持於前端流路內的處理液(舊處理液)係可通過吐出口而被排出至前端流路之外,亦可被排出至後述之分歧流路。 或是亦可為,舊的處理液之一部分係通過吐出口而被排出至前端流路之外,舊的處理液之殘餘係被排出至分歧流路。
根據該方法,於相同處理液長時間被保持在前端流路內之情況時,吐出閥被開啟,新的處理液被供給至前端流路內。藉此,藉由新的處理液將舊的處理液被推送至下游,而自前端流路被排出。其後,最先通過吐出閥的處理液以外之處理液即潔淨之處理液係被保持在前端流路內。
處理液之性質係存在有伴隨著時間經過而產生變化之情況。若停滯於前端流路內的時間較短,則只會產生可忽略之程度之變化,但當停滯於前端流路內的時間較長,則或許會產生可對處理之結果造成影響的性質之變化。因此,藉由以新的潔淨之處理液置換舊的處理液,可抑制在複數片基板中之品質不均。
上述排出步驟係包含有:吐出執行步驟,其藉由開啟上述吐出閥,使上述處理液通過上述吐出閥,利用通過上述吐出閥的上述處理液,將在上述供給停止步驟中被保持在上述前端流路內的上述處理液推送至下游,藉此使上述吐出口吐出在上述供給停止步驟中被保持在上述前端流路內的上述處理液之全部;及吐出停止步驟,其藉由關閉上述吐出閥,而將在上述吐出執行步驟中通過上述吐出閥的上述處理液中之最先通過上述吐出閥的上述處理液以外之上述處理液,保持在上述前端流路內。
根據該方法,為了排出被保持在前端流路內的處理液,於朝基板的處理液之供給被停止之後,吐出閥被開啟,新的處理液被供給至前端流路。於朝基板的處理液之供給被停止時,被保持在前端流路內的全部之處理液係藉由新的處理液而被推送至下 游,而自吐出口被吐出。藉此,可自前端流路排出在朝基板的處理液之供給被停止時被保持在前端流路內之被污染的處理液。
進而,於開啟吐出閥時流入前端流路之被污染的處理液亦自吐出口被吐出。其後,吐出閥關閉,潔淨之處理液係被保持在前端流路內。因此,可將潔淨之處理液供給至下一基板。進而,由於在前端流路之各部分保持有處理液,因此,與將處理液僅保持在前端流路之一部分的情況相比,可增加能供給至下一基板的處理液之量。
上述吐出執行步驟係包含有:流量變更步驟,其藉由在上述吐出閥開啟之狀態下變更上述吐出閥之開度,而使通過上述吐出閥的上述處理液之流量產生變化。
根據該方法,為了排出被保持在前端流路內的處理液,吐出閥被開啟,將新的處理液被供給至前端流路。而且,在吐出閥被開啟之狀態下變更吐出閥之開度。伴隨於此,通過吐出閥的處理液之流量產生變化,施加於附著在吐出閥的微粒之液壓產生變化。藉此,可有效地將微粒自吐出閥剝離,而可提高通過吐出閥的處理液之潔淨度。
上述基板處理裝置係進而具備有:分歧流路,其在上述吐出閥之下游且在上述吐出口之上游的分歧位置,連接至上述前端流路;及抽吸閥,其在開狀態與閉狀態之間進行開閉,該開狀態係將上述前端流路內之處理液經由上述分歧位置而抽吸至上述分歧流路的抽吸力施加於上述前端流路,該閉狀態係將朝上述前端流路的上述抽吸力之傳遞切斷。
上述排出步驟係包含有:抽吸執行步驟,其藉由在上 述吐出閥關閉之狀態下開啟上述抽吸閥,一面使上述處理液殘留於在上述前端流路中之上述吐出閥與上述分歧位置之間的部分,一面使被保持在上述前端流路中之自上述分歧位置至上述吐出口為止之部分的上述處理液,經由上述分歧位置而抽吸至上述分歧流路,而自上述前端流路排出在上述供給執行步驟中通過上述吐出閥的上述處理液中之最先通過上述吐出閥的上述處理液;及抽吸停止步驟,其藉由在上述吐出閥關閉之狀態下關閉上述抽吸閥,一面使上述處理液殘留於在上述前端流路中之上述吐出閥與上述分歧位置之間的部分,一面使自上述前端流路朝上述分歧流路的上述處理液之抽吸停止。
根據該方法,為了排出被保持在前端流路內的處理液,於朝基板的處理液之供給被停止後,在吐出閥被關閉的狀態下開啟抽吸閥。藉此,抽吸力係經由分歧流路而傳遞至前端流路,而將處理液自前端流路之下游部分抽吸至分歧流路。另一方面,由於吐出閥被關閉,被保持在前端流路之上游部分的處理液係殘留於該處(上游部分)。
於朝向基板吐出處理液時流入前端流路之被污染的處理液係被保持在前端流路之下游部分。因此,藉由將處理液自前端流路之下游部分抽吸至分歧流路,可一面使潔淨之處理液殘留於前端流路,一面自前端流路排出被污染的處理液。藉此,可將潔淨之處理液供給至下一基板。進而,當使處理液自前端流路之下游部分逆流至分歧流路時,自吐出口之上游之位置至吐出口為止的範圍變空,因此,可防止處理液不預期地自吐出口落下的現象(所謂之滴落)。
本發明之其他之實施形態係提供一種基板處理裝置,其具備有:基板保持單元,其水平地保持基板;吐出口,其吐出處理上述基板的處理液;吐出閥,其在使處理液朝上述吐出口之側通過的開狀態與堵住朝上述吐出口之側流動之處理液的閉狀態之間進行開閉;前端流路,其包含有連接於上述吐出閥的上游端、及連接於上述吐出口的下游端,而自上述吐出閥延伸至上述吐出口,且具有較自上述吐出口朝向被上述基板保持單元所保持的上述基板而吐出之上述處理液之量更大的容積;及控制裝置,其控制上述吐出閥。根據該構成,可執行後述之各步驟,而可提高乾燥後之基板之潔淨度。
於本實施形態中,亦可將以下之至少一特徵加入至上述基板處理裝置。
上述控制裝置係執行如下步驟:處理液流入步驟,其藉由開啟上述吐出閥,使上述處理液通過上述吐出閥,而使通過上述吐出閥的上述處理液流入至上述前端流路;處理液保持步驟,其藉由關閉上述吐出閥,將在上述處理液流入步驟中通過上述吐出閥的上述處理液中之最先通過上述吐出閥的上述處理液以外之上述處理液,保持在上述前端流路內;供給執行步驟,其藉由開啟上述吐出閥而使上述處理液通過上述吐出閥,利用通過上述吐出閥的上述處理液,將在上述處理液保持步驟中被保持在上述前端流路內的上述處理液推送至下游,藉此使上述吐出口朝向被上述基板保持單元所水平地保持的上述基板而僅吐出在上述處理液保持步驟中被保持在上述前端流路內的上述處理液;及供給停止步驟,其藉由關閉上述吐出閥,將在上述供給執行步驟中通過上述吐出閥的上述處 理液之全部,保持在上述前端流路內。根據該構成,可實現與相關於上述之基板處理方法而所述之功效相同的功效。
上述基板處理裝置係進而具備有:乾燥單元,其使被上述基板保持單元所保持的上述基板進行乾燥;上述控制裝置係進而執行:乾燥步驟,其係藉由控制上述乾燥單元,而使附著有在上述供給執行步驟中自上述吐出口被吐出之上述處理液的上述基板進行乾燥。根據該構成,可實現與相關於上述之基板處理方法而所述之功效相同的功效。
上述控制裝置係進而執行:排出步驟,其係自上述前端流路排出在上述供給停止步驟中被保持於上述前端流路內的上述處理液中在上述供給執行步驟中最先通過上述吐出閥的上述處理液,而將在上述供給執行步驟中最先通過上述吐出閥的上述處理液以外之上述處理液,保持在上述前端流路內。根據該構成,可實現與相關於上述之基板處理方法而所述之功效相同的功效。
上述控制裝置係進而執行:停滯時間判定步驟,其於上述排出步驟之後,針對表示相同之上述處理液被保持在上述前端流路內之時間的停滯時間是否超過既定時間進行判定;及處理液置換步驟,其於在上述停滯時間判定步驟中被判定為上述停滯時間超過上述既定時間之情況時,於在上述前端流路內保持有上述處理液的狀態下開啟上述吐出閥,藉此使上述處理液通過上述吐出閥,利用通過上述吐出閥的上述處理液中之最先通過上述吐出閥的上述處理液以外之上述處理液,置換被保持在上述前端流路內的上述處理液之全部。根據該構成,可實現與相關於上述之基板處理方法而所述之功效相同的功效。
上述排出步驟係包含有:吐出執行步驟,其藉由開啟上述吐出閥,使上述處理液通過上述吐出閥,利用通過上述吐出閥的上述處理液,將在上述供給停止步驟中被保持在上述前端流路內的上述處理液推送至下游,藉此使上述吐出口吐出在上述供給停止步驟中被保持在上述前端流路內的上述處理液之全部;及吐出停止步驟,其藉由關閉上述吐出閥,而將在上述吐出執行步驟中通過上述吐出閥的上述處理液中之最先通過上述吐出閥的上述處理液以外之上述處理液,保持在上述前端流路內。根據該構成,可實現與相關於上述之基板處理方法而所述之功效相同的功效。
上述吐出閥係包含有:閥身,其設有上述處理液所流動的內部流路與圍繞上述內部流路的環狀之閥座;閥體,其可相對於上述閥座而移動;及電動致動器,其使上述閥體在任意之位置靜止;上述吐出執行步驟係包含有:流量變更步驟,其藉由在上述吐出閥開啟之狀態下變更上述吐出閥之開度,而使通過上述吐出閥的上述處理液之流量產生變化。根據該構成,可實現與相關於上述之基板處理方法而所述之功效相同的功效。
上述基板處理裝置係進而具備有:分歧流路,其在上述吐出閥之下游且在上述吐出口之上游的分歧位置,連接至上述前端流路;及抽吸閥,其在開狀態與閉狀態之間進行開閉,該開狀態係將上述前端流路內之處理液經由上述分歧位置而抽吸至上述分歧流路的抽吸力施加於上述前端流路,該閉狀態係將朝上述前端流路的上述抽吸力之傳遞切斷。
上述控制裝置係進而控制上述抽吸閥。上述排出步驟係包含有:抽吸執行步驟,其藉由在上述吐出閥關閉之狀態下開啟 上述抽吸閥,一面使上述處理液殘留於在上述前端流路中之上述吐出閥與上述分歧位置之間的部分,一面使被保持在上述前端流路中之自上述分歧位置至上述吐出口為止之部分的上述處理液,經由上述分歧位置而抽吸至上述分歧流路,而自上述前端流路排出在上述供給執行步驟中通過上述吐出閥的上述處理液中之最先通過上述吐出閥的上述處理液;及抽吸停止步驟,其藉由在上述吐出閥關閉之狀態下關閉上述抽吸閥,一面使上述處理液殘留於在上述前端流路中之上述吐出閥與上述分歧位置之間的部分,一面使自上述前端流路朝上述分歧流路的上述處理液之抽吸停止。根據該構成,可實現與相關於上述之基板處理方法而所述之功效相同的功效。
在上述前端流路中之上述吐出閥與上述分歧位置之間之部分的容積係較在上述前端流路中之自上述分歧位置至上述吐出口為止之部分的容積大。
根據該構成,在前端流路中之吐出閥與分歧位置之間的部分即前端流路之上游部分之容積係較在前端流路中之自分歧位置至吐出口為止之部分的容積即前端流路之下游部分的容積大。因此,可在前端流路之上游部分保持更多之處理液。如上述,於將處理液供給至基板之後,將處理液自前端流路之下游部分抽吸至分歧流路。接著,將殘留於前端流路之上游部分的處理液供給至下一基板。由於前端流路之上游部分之容積係較前端流路之下游部分之容積大,因此可增加能供給至下一基板的處理液之量。
本發明中上述或進而其他之目的、特徵及功效係藉由參照所附圖式並進行如下所述之實施形態之說明而可明瞭。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
3m‧‧‧記憶體
3p‧‧‧處理器
3t‧‧‧計時器
4‧‧‧腔室
5‧‧‧間隔壁
5a‧‧‧送風口
5b‧‧‧搬入搬出口
6‧‧‧閘門
7‧‧‧排氣管
8‧‧‧旋轉夾頭
9‧‧‧夾頭銷
10‧‧‧旋轉基座
11‧‧‧旋轉軸
12‧‧‧旋轉馬達
21‧‧‧處理杯
22‧‧‧外壁構件
23‧‧‧擋板
23a‧‧‧上端
24‧‧‧頂壁部
25‧‧‧筒狀部
26‧‧‧杯
27‧‧‧擋板升降單元
31‧‧‧藥液噴嘴
32‧‧‧藥液配管
33‧‧‧藥液閥
34‧‧‧噴嘴臂
35‧‧‧噴嘴移動單元
36‧‧‧淋洗液噴嘴
37‧‧‧淋洗液配管
38‧‧‧淋洗液閥
41‧‧‧溶劑噴嘴
41p‧‧‧吐出口
42‧‧‧溶劑配管
42u‧‧‧上游配管
42d‧‧‧下游配管
43‧‧‧溶劑閥
44‧‧‧抽吸配管
45‧‧‧抽吸閥
46‧‧‧抽吸裝置
47‧‧‧噴嘴臂
48‧‧‧噴嘴移動單元
49‧‧‧待機罐
51‧‧‧閥身
52‧‧‧內部流路
53‧‧‧閥座
54‧‧‧閥體
55‧‧‧閥致動器
56‧‧‧電動馬達
57‧‧‧運動轉換機構
58‧‧‧桿
61‧‧‧供給流路
62‧‧‧前端流路
62a‧‧‧上游部
62b‧‧‧下游部
62u‧‧‧上游端
62d‧‧‧下游端
63‧‧‧分歧流路
63u‧‧‧上游端
63d‧‧‧下游端
64‧‧‧抽吸流路
A1‧‧‧旋轉軸線
A2‧‧‧噴嘴轉動軸線
A3‧‧‧噴嘴轉動軸線
P1‧‧‧分歧位置
W‧‧‧基板
圖1係水平地觀察於本發明之一實施形態之基板處理裝置所具備有之處理單元之內部之示意圖。
圖2係自上方觀察旋轉夾頭及處理杯之示意圖。
圖3係顯示溶劑閥之鉛直剖面之示意性剖視圖。
圖4係用以對至溶劑噴嘴的IPA之流路與至抽吸裝置的IPA之流路進行說明之示意圖。
圖5係用以對藉由基板處理裝置所進行之基板處理之一例進行說明之步驟圖。
圖6係用以對在圖5所示之基板處理之一例中自將IPA供給至基板之前至將IPA供給至基板之後為止之流程之一例(第1處理例)進行說明之流程圖。
圖7A係顯示進行圖6所示之第1處理例時之流路內之狀態之示意性剖視圖。
圖7B係顯示進行圖6所示之第1處理例時之流路內之狀態之示意性剖視圖。
圖7C係顯示進行圖6所示之第1處理例時之流路內之狀態之示意性剖視圖。
圖7D係顯示進行圖6所示之第1處理例時之流路內之狀態之示意性剖視圖。
圖7E係顯示進行圖6所示之第1處理例時之流路內之狀態之示意性剖視圖。
圖7F係顯示進行圖6所示之第1處理例時之流路內之狀態之示意性剖視圖。
圖7G係顯示進行圖6所示之第1處理例時之流路內之狀態之示意性剖視圖。
圖7H係顯示進行圖6所示之第1處理例時之流路內之狀態之示意性剖視圖。
圖7I係顯示進行圖6所示之第1處理例時之流路內之狀態之示意性剖視圖。
圖8係用以對在圖5所示之基板處理之一例中自將IPA供給至基板之前至將IPA供給至基板之後為止之流程之一例(第2處理例)進行說明之流程圖。
圖9A係顯示進行圖8所示之第2處理例時之流路內之狀態之示意性剖視圖。
圖9B係顯示進行圖8所示之第2處理例時之流路內之狀態之示意性剖視圖。
圖1係水平地觀察本發明之一實施形態之基板處理裝置1所具備有之處理單元2之內部之示意圖。圖2係自上方觀察旋轉夾頭8及處理杯21之示意圖。
如圖1所示,基板處理裝置1係一片片地處理半導體晶圓等之圓板狀之基板W的單片式裝置。基板處理裝置1係包含有:裝載埠(未圖示),其置放有收納基板W的箱型之載體;處理單元2,其以處理液或處理氣體等之處理流體對自裝載埠上之載體所被搬送的基板W進行處理;搬送機器人(未圖示),其在裝載埠與處理單元2之間搬送基板W;及控制裝置3,其控制基板處理裝置1。
處理單元2係包含有:箱型之腔室4,其具有內部空 間;旋轉夾頭8,其在腔室4內一面水平地保持基板W,一面繞通過基板W之中央部的鉛直之旋轉軸線A1旋轉;及筒狀之處理杯21,其承接自基板W及旋轉夾頭8而朝外方排出的處理液。
腔室4係包含有:箱型之間隔壁5,其設有基板W所通過的搬入搬出口5b;及閘門6,其對搬入搬出口5b進行開閉。藉由過濾器而被過濾的空氣即潔淨空氣係常時地自設在間隔壁5之上部的送風口5a而被供給至腔室4內。腔室4內之氣體係通過連接於處理杯21之底部的排氣管7而自腔室4被排出。藉此,於腔室4內常時形成有潔淨空氣之降流。
旋轉夾頭8係包含有:圓板狀之旋轉基座10,其被以水平之姿勢保持;複數個夾頭銷9,其在旋轉基座10之上方以水平之姿勢保持基板W;旋轉軸11,其自旋轉基座10之中央部朝下方延伸;及旋轉馬達12,其藉由使旋轉軸11旋轉而使旋轉基座10及複數個夾頭銷9旋轉。旋轉夾頭8並不限於使複數個夾頭銷9接觸至基板W之外周面的夾持式之夾頭,亦可為藉由使非元件形成面即基板W之背面(下表面)吸附在旋轉基座10之上表面而水平地保持基板W的真空式夾頭。
處理杯21係包含有:複數個擋板23,其承接自基板W而朝外方排出的液體;複數個杯26,其承接藉由複數個擋板23而朝下方被導引的液體;及圓筒狀之外壁構件22,其包圍複數個擋板23與複數個杯26。圖1係顯示設有4個擋板23與3個杯26之例。
擋板23係包含有:圓筒狀之筒狀部25,其包圍旋轉夾頭8;及圓環狀之頂壁部24,其自筒狀部25之上端部而向旋轉 軸線A1朝斜上地延伸。複數個頂壁部24係上下地重疊,複數個筒狀部25係呈同心圓狀地配置。複數個杯26係分別配置在複數個筒狀部25之下方。杯26係形成有朝向上地開放的環狀之受液溝。
處理單元2係包含有使複數個擋板23各別地升降的擋板升降單元27。擋板升降單元27係使擋板23在上位置與下位置之間鉛直地升降。上位置係將擋板23之上端23a配置在較被旋轉夾頭8所保持的基板W所被配置的保持位置更上方的位置。下位置係將擋板23之上端23a配置在較保持位置更下方的位置。頂壁部24之圓環狀之上端係相當於擋板23之上端23a。如圖2所示,擋板23之上端23a係於俯視下包圍基板W及旋轉基座10。
在旋轉夾頭8使基板W旋轉之狀態下,當將處理液供給至基板W時,被供給至基板W的處理液朝基板W之周圍被甩離。於處理液被供給至基板W時,至少一個擋板23之上端23a配置在較基板W更上方。因此,被排出至基板W之周圍的藥液或淋洗液等之處理液係被任一之擋板23所承接,而被導引至與該擋板23對應的杯26。
如圖1所示,處理單元2係包含有:藥液噴嘴31,其朝向基板W之上表面而往下方地吐出藥液。藥液噴嘴31係連接於將藥液導引至藥液噴嘴31的藥液配管32。當介設於藥液配管32的藥液閥33被開啟時,藥液係自藥液噴嘴31之吐出口而朝下方地連續地被吐出。自藥液噴嘴31所被吐出的藥液係可為包含有硫酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、磷酸、醋酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機鹼(例如TMAH:tetramethylammonium hydroxide(氫氧化四甲基銨)等)、界面活性劑、及抗腐蝕劑之至少一 者的液體,亦可為該等以外之液體。
雖未圖示,藥液閥33係包含有:閥身,其設有藥液所流動的內部流路與圍繞內部流路的環狀之閥座;閥體,其可相對於閥座而移動;及致動器,其使閥體在閥體接觸於閥座的閉位置與閥體自閥座離開的開位置之間移動。關於其他閥亦同樣。致動器係亦可為空壓致動器或電動致動器,亦可為該等以外之致動器。控制裝置3係藉由控制致動器而使藥液閥33開閉。於致動器為電動致動器之情形時,控制裝置3係藉由控制電動致動器,而使閥體位於自閉位置至開位置(全開位置)為止的任意之位置。
如圖2所示,處理單元2係包含有:噴嘴臂34,其保持藥液噴嘴31;及噴嘴移動單元35,其藉由使噴嘴臂34移動,而使藥液噴嘴31朝鉛直方向及水平方向之至少一側移動。噴嘴移動單元35係使藥液噴嘴31水平地在處理位置與待機位置(圖2所示之位置)之間移動,該處理位置係自藥液噴嘴31所被吐出的處理液著液至基板W之上表面的位置,該待機位置係藥液噴嘴31於俯視下位於處理杯21之周圍的位置。噴嘴移動單元35係例如為迴旋單元,其藉由使藥液噴嘴31在處理杯21之周圍繞著鉛直地延伸之噴嘴轉動軸線A2而水平地移動,而使藥液噴嘴31在俯視下沿著通過基板W的圓弧狀之路徑而移動。
如圖1所示,處理單元2係包含有:淋洗液噴嘴36,其朝向基板W之上表面往下方地吐出淋洗液。淋洗液噴嘴36係對於腔室4之底部而被固定。自淋洗液噴嘴36所被吐出的淋洗液係著液至基板W之上表面中央部。淋洗液噴嘴36係連接於將淋洗液導引至淋洗液噴嘴36的淋洗液配管37。當介設於淋洗液配管37 的淋洗液閥38被開啟時,淋洗液係自淋洗液噴嘴36之吐出口而朝下方地連續地被吐出。自淋洗液噴嘴36所被吐出的淋洗液係例如為純水(去離子水:DIW(Deionized Water))。淋洗液係亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、及稀釋濃度(例如10~100ppm左右)之鹽酸水之任一者。
處理單元2係包含有:溶劑噴嘴41,其朝向基板W之上表面而往下方地吐出溶劑。溶劑噴嘴41係連接於將溶劑導引至溶劑噴嘴41的溶劑配管42。當介設於溶劑配管42的溶劑閥43被開啟時,溶劑自溶劑噴嘴41之吐出口41p而朝下方地連續地被吐出。自溶劑噴嘴41所被吐出的溶劑係例如為IPA(異丙醇)。除另有說明,否則溶劑及IPA係意指液體。IPA係沸點較低於水,表面張力較低於水。自溶劑噴嘴41所被吐出的溶劑亦可為HFE(氫氟醚)等之氟系有機溶劑。
基板處理裝置1係包含有:抽吸配管44,其在較溶劑閥43更下游的位置被連接至溶劑配管42;抽吸閥45,其介設於抽吸配管44;抽吸裝置46,其產生經由抽吸配管44而抽吸通過溶劑閥43之溶劑的抽吸力。抽吸配管44之上游端係連接於溶劑配管42,抽吸配管44之下游端係連接於抽吸裝置46。抽吸閥45係配置於抽吸裝置46之上游。
抽吸裝置46係例如包含有產生抽吸力的排出器(ejector)、及對朝排出器的氣體之供給及供給停止進行切換的氣體閥。抽吸裝置46係亦可為抽吸泵。抽吸裝置46係可僅於需要時驅動,亦可常時地驅動。於抽吸閥45開啟而抽吸裝置46被驅動時,抽吸裝置46之抽吸力係經由抽吸配管44而被傳遞至溶劑配管42 之內部。
如圖2所示,處理單元2係包含有:噴嘴臂47,其保持溶劑噴嘴41;及噴嘴移動單元48,其藉由使噴嘴臂47移動,而使溶劑噴嘴41朝鉛直方向及水平方向之至少一側移動。噴嘴移動單元48係使溶劑噴嘴41水平地在處理位置與待機位置(圖2所示之位置)之間移動,該處理位置係自溶劑噴嘴41所被吐出的溶劑著液至基板W之上表面的位置,該待機位置係溶劑噴嘴41於俯視下位於處理杯21之周圍的位置。噴嘴移動單元48係例如為迴旋單元,其藉由使溶劑噴嘴41在處理杯21之周圍繞著鉛直地延伸之噴嘴轉動軸線A3而水平地移動,而使溶劑噴嘴41在俯視下沿著通過基板W的圓弧狀之路徑而移動。
處理單元2係包含有:筒狀之待機罐49,其承接自位於待機位置的溶劑噴嘴41所被吐出的溶劑。待機罐49係配置於溶劑噴嘴41之待機位置之下方。待機罐49係於俯視下配置在處理杯21之周圍。待機罐49係包含有於上下方向所延伸的筒狀之周壁。待機罐49之周壁之上端係形成有朝上地開啟的開口。自位於待機位置的溶劑噴嘴41所被吐出的溶劑係被待機罐49所承接,而被導引至回收裝置或排液裝置。
其次,對於溶劑閥43之構造具體地進行說明。
圖3係顯示溶劑閥43之鉛直剖面之示意的剖視圖。
溶劑閥43係例如為隔膜閥(diaphragm valve)。溶劑閥43係亦可為針閥等之隔膜閥以外的閥。溶劑閥43係包含有:閥身51,其設有液體所流動的內部流路52與圍繞內部流路52的環狀之閥座53;及閥體54,其可相對於閥座53而移動。閥體54係利用 橡膠或樹脂等之彈性材料所形成的隔膜。閥座53為樹脂製。溶劑配管42係包含有:上游配管42u,其將溶劑導引至內部流路52;及下游配管42d,其導引自內部流路52所被排出的溶劑。
溶劑閥43係包含有:閥致動器55,其使閥體54在開位置與閉位置之間作動,該開位置係閥體54自閥座53離開的位置,該閉位置係藉由閥體54與閥座53之接觸而堵塞內部流路52的位置。閥致動器55係例如為電動致動器。因此,溶劑閥43為電動閥。閥致動器55係包含有:桿58,其與閥體54一體地移動;電動馬達56,其產生使桿58於軸向移動的動力;運動轉換機構57,其將電動馬達56之旋轉轉換為桿58之直線運動。
閥致動器55之桿58係可在開位置(圖3所示之位置)與閉位置之間於桿58之軸向上移動,該開位置係閥體54自閥座53離開的位置,該閉位置係閥體54被按抵至閥座53的位置。當閥致動器55之電動馬達56旋轉時,以對應於電動馬達56之旋轉角度的移動量而使桿58於桿58之軸向上移動。控制裝置3係藉由控制電動馬達56之旋轉角度,而使閥體54位於自開位置至閉位置為止的任意之位置。
當在閥體54自閥座53離開之狀態下,桿58移動至閉位置側時,閥體54之一部分接近至閥座53。當桿58到達至閉位置時,閥體54接觸於閥座53,內部流路52被關閉。藉此,利用閥體54堵住溶劑。另一方面,當在閥體54被按抵至閥座53之狀態下,桿58移動至開位置側時,閥體54自閥座53離開,內部流路52被開啟。藉此,溶劑通過閥座53而自內部流路52被排出。
其次,對於IPA之流路進行說明。
圖4係用以對至溶劑噴嘴41的IPA之流路與至抽吸裝置46的IPA之流路進行說明之示意圖。
基板處理裝置1係具備有:供給流路61,其自溶劑閥43而朝上游延伸;及前端流路62,其自溶劑閥43而朝溶劑噴嘴41之吐出口41p延伸。基板處理裝置1係進而具備有:分歧流路63,其自前端流路62而朝抽吸閥45延伸;及抽吸流路64,其自抽吸閥45而朝抽吸裝置46延伸。
前端流路62係自溶劑閥43而延伸至溶劑噴嘴41之吐出口41p的流路。亦即,溶劑噴嘴41內之流路亦被包含在前端流路62。前端流路62係藉由溶劑配管42與溶劑噴嘴41而所形成。前端流路62之上游端62u係連接於溶劑閥43,前端流路62之下游端62d係連接於溶劑噴嘴41之吐出口41p。
分歧流路63係藉由抽吸配管44之一部分而所形成。分歧流路63係在溶劑閥43之下游且在溶劑噴嘴41之吐出口41p之上游的分歧位置P1連接於前端流路62。分歧流路63之上游端63u係連接於前端流路62,分歧流路63之下游端63d係連接於抽吸閥45。分歧流路63之下游端63d係可配置在與溶劑噴嘴41之吐出口41p相等的高度,亦可配置在較溶劑噴嘴41之吐出口41p高或低的位置。
在圖4中,於前端流路62之上游部62a施加有陰影線,於前端流路62之下游部62b施加有交叉陰影線。前端流路62之上游部62a係在前端流路62中之溶劑閥43與分歧位置P1之間的部分,前端流路62之下游部62b係在前端流路62中之自分歧位置P1至溶劑噴嘴41之吐出口41p為止的部分(包含分歧位置P1)。 上游部62a之容積係可與下游部62b之容積相等,亦可較下游部62b之容積大或小。
其次,對於藉由基板處理裝置1而進行之基板W之處理之一例進行說明。
圖5係用以對藉由基板處理裝置1所進行之基板W之處理之一例進行說明之步驟圖。
以下,參照圖1及圖2。並適當地參照圖5。以下之動作係藉由控制裝置3控制基板處理裝置1而被執行。換言之,控制裝置3係以執行以下動作之方式而被程式化。控制裝置3係執行程式的電腦。如圖1所示,控制裝置3係包含有:記憶體3m,其儲存程式等之資訊;處理器3p,其依照儲存於記憶體3m的資訊而控制基板處理裝置1;及計時器3t,其測量時間。
於藉由基板處理裝置1而處理基板W時,進行將基板W搬入至腔室4內的搬入步驟(圖5之步驟S1)。
具體而言,使包含藥液噴嘴31及溶劑噴嘴41的全部之掃描噴嘴位於待機位置,使全部之擋板23位於下位置。在該狀態下,搬送機器人係一面利用機械手支撐基板W,一面使機械手進入至腔室4內。其後,搬送機器人係在基板W之表面朝向上的狀態下,將機械手上之基板W置於旋轉夾頭8之上。搬送機器人係於將基板W置於旋轉夾頭8上之後,使機械手自腔室4之內部而退避。
其次,進行將藥液供給至基板W的藥液供給步驟(圖5之步驟S2)。
具體而言,擋板升降單元27係使複數個擋板23之至 少一個上升,而使任一擋板23之內表面水平地與基板W之外周面對向。噴嘴移動單元35係藉由使噴嘴臂34移動,而使藥液噴嘴31之吐出口位於基板W之上方。旋轉馬達12係在藉由夾頭銷9握持基板W的狀態下開始基板W之旋轉。在該狀態下,藥液閥33被開啟,藥液噴嘴31係開始吐出藥液。
自藥液噴嘴31所被吐出的藥液係於著液至基板W之上表面中央部之後,沿著旋轉之基板W之上表面而朝外方流動。藉此,於基板W上形成有覆蓋基板W之上表面全域的藥液之液膜。當自藥液閥33被開啟之後經過既定時間,藥液閥33被關閉,來自藥液噴嘴31的藥液之吐出被停止。其後,噴嘴移動單元35係使藥液噴嘴31自基板W之上方而退避。
其次,進行將淋洗液之一例即純水供給至基板W的淋洗液供給步驟(圖5之步驟S3)。
具體而言,淋洗液閥38被開啟,淋洗液噴嘴36係開始吐出純水。亦可為,擋板升降單元27係於開始吐出純水之前或之後使複數個擋板23之至少一個朝上下地移動,藉此切換與基板W之外周面對向的擋板23。自淋洗液噴嘴36所被吐出的純水係於著液至基板W之上表面中央部之後,沿著旋轉之基板W之上表面而朝外方流動。藉此,基板W上之藥液被置換為純水,形成有覆蓋基板W之上表面全域的純水之液膜。其後,淋洗液閥38被關閉,來自淋洗液噴嘴36的純水之吐出被停止。
其次,進行將表面張力較水為低的溶劑之一例即IPA供給至基板W的IPA供給步驟(圖5之步驟S4)。
具體而言,噴嘴移動單元48係藉由使噴嘴臂47移動 而使溶劑噴嘴41之吐出口41p位於基板W之上方。其後,溶劑閥43被開啟,溶劑噴嘴41係開始吐出IPA。亦可為,擋板升降單元27係於開始吐出IPA之前或之後使複數個擋板23之至少一個朝上下地移動,藉此切換與基板W之外周面對向的擋板23。
自溶劑噴嘴41所被吐出的IPA係於著液至基板W之上表面中央部之後,沿著旋轉之基板W之上表面而朝外方流動。藉此,基板W上之純水被置換為IPA,形成有覆蓋基板W之上表面全域的IPA之液膜。當自溶劑閥43被開啟之後經過既定時間,溶劑閥43被關閉,來自溶劑噴嘴41的IPA之吐出被停止。其後,噴嘴移動單元48係使溶劑噴嘴41自基板W之上方而退避。
其次,進行藉由基板W之高速旋轉而使基板W乾燥的乾燥步驟(圖5之步驟S5)。
具體而言,於來自溶劑噴嘴41的IPA之吐出被停止之後,旋轉馬達12係使基板W於旋轉方向上加速,以較之前之基板W之旋轉速度大的高旋轉速度(例如數千rpm)使基板W旋轉。附著於基板W的IPA係藉由基板W之高速旋轉而飛散至基板W之周圍。藉此,IPA係自基板W被除去,而基板W進行乾燥。當自基板W之高速旋轉開始之後經過既定時間,旋轉馬達12停止旋轉。藉此,基板W之旋轉被停止。
其次,進行將基板W自腔室4搬出的搬出步驟(圖5之步驟S6)。
具體而言,擋板升降單元27係使全部之擋板23下降至下位置。於複數個夾頭銷9解除基板W之握持之後,搬送機器人係利用機械手支撐旋轉夾頭8上之基板W。其後,搬送機器人係 一面利用機械手支撐基板W,一面使機械手自腔室4之內部而退避。藉此,自腔室4搬出處理完畢之基板W。
[第1處理例]
其次,對於自將IPA供給至基板W之前至將IPA供給至基板W之後為止之流程之一例(第1處理例)進行說明。
圖6係用以對第1處理例進行說明之流程圖。圖7A~圖7I係顯示進行圖6所示之第1處理例時之流路內之狀態之示意的剖視圖。
在圖7A~圖7I中,以黑色表示開啟之閥,以白色表示關閉之閥。於圖7A中描繪有液體狀況的區域係表示存在有潔淨之IPA的區域,於圖7A中呈交叉陰影線的區域係表示存在有被污染之IPA的區域。於其他圖中亦相同。
以下,參照圖1及圖2。並適當地參照圖6及圖7A~圖7I。以下之動作係藉由控制裝置3控制基板處理裝置1而被執行。
於溶劑閥43被開啟時,閥體54摩擦閥座53(參照圖3),而於溶劑閥43內產生微粒。於溶劑閥43被關閉時,閥體54亦摩擦閥座53,而於溶劑閥43內產生微粒。於溶劑閥43被關閉時所產生的微粒係停留在溶劑閥43之內部。於溶劑閥43被開啟時,該微粒係與通過溶劑閥43的IPA一起自溶劑閥43被排出。於溶劑閥43被開啟時所產生的微粒亦與通過溶劑閥43的IPA一起自溶劑閥43被排出。
如圖7A所示,於溶劑閥43剛被開啟之後,溶劑閥43內之微粒係與IPA一起自溶劑閥43被排出。因此,被污染之IPA,亦即每單位體積含有微粒數較多之IPA係自溶劑閥43而流至前端 流路62。其後,潔淨之IPA,亦即每單位體積含有微粒數較少之IPA係自溶劑閥43流至前端流路62。因此,當溶劑閥43被開啟時,被污染之IPA係流入至前端流路62內,接著,潔淨之IPA係流入至前端流路62內。被污染之IPA係藉由後續之IPA(潔淨之IPA)而朝下游被推送。
於將IPA供給至基板W時,進行將潔淨之IPA保持在前端流路62內的初次準備步驟(圖6之步驟S11)。
具體而言,如圖7A所示,在溶劑噴嘴41位於待機位置且抽吸閥45被關閉之狀態下,溶劑閥43被開啟。藉此,供給流路61內之IPA通過溶劑閥43,流入至前端流路62。於溶劑閥43所開啟之期間,IPA係持續地經由溶劑閥43而自供給流路61流至前端流路62。
如圖7A所示,當溶劑閥43被開啟時,每單位體積含有微粒數較多的被污染之IPA係自溶劑閥43流入至前端流路62。接著,每單位體積含有微粒數較少的潔淨之IPA係自溶劑閥43流入至前端流路62。被污染之IPA係藉由潔淨之IPA而朝下游被推送。因此,於前端流路62中以IPA所被填滿的區域係朝溶劑噴嘴41之吐出口41p之側擴展。此時,由於抽吸閥45被關閉,前端流路62內之IPA係未流入至分歧流路63,或是,僅有微小量之IPA流入至分歧流路63。
如圖7B所示,當流動於前端流路62內的IPA到達至前端流路62之下游端62d時,前端流路62內之IPA係自溶劑噴嘴41之吐出口41p被吐出,而被待機罐49所承接。藉此,於開啟溶劑閥43時流入至前端流路62的被污染之IPA係自前端流路62被 排出。
如圖7C所示,當被污染的IPA之全部係自溶劑噴嘴41之吐出口41p被吐出時,關閉溶劑閥43。藉此,僅潔淨之IPA被保持在前端流路62內,而在前端流路62內靜止。被污染的IPA之全部是否已自溶劑噴嘴41之吐出口41p被吐出,可基於開啟溶劑閥43的時間而控制裝置3進行判斷,亦可基於檢測通過溶劑閥43的IPA之流量的流量計之檢測值而控制裝置3進行判斷。
於潔淨之IPA被保持在前端流路62內之後,進行將該IPA供給至基板W的IPA供給步驟(圖6之步驟S12)。圖6所示之IPA供給步驟(圖6之步驟S12)係與圖5所示之IPA供給步驟(圖5之步驟S4)對應。
具體而言,在前面之步驟(於此為初次準備步驟)中將流入至前端流路62的潔淨之IPA保持在前端流路62內之狀態下,噴嘴移動單元48使溶劑噴嘴41移動至處理位置。其後,如圖7D所示,溶劑閥43被開啟。藉此,被污染的IPA係自溶劑閥43流入至前端流路62,接著,潔淨之IPA係自溶劑閥43流入至前端流路62。預先保持在前端流路62內的潔淨之IPA係藉由新流入之IPA而朝下游被推送。藉此,預先保持在前端流路62內的潔淨之IPA之一部分係自溶劑噴嘴41之吐出口41p朝向基板W被吐出。
於IPA供給步驟中,自溶劑噴嘴41之吐出口41p所被吐出的IPA之量,亦即,被供給至1片基板W的IPA之量係較預先保持在前端流路62內的潔淨之IPA之量少。因此,如圖7E所示,在保持於前端流路62內的潔淨之IPA之一部分係自溶劑噴嘴41之吐出口41p被吐出,而其之殘餘部分殘留在前端流路62的狀 態下,關閉溶劑閥43。是否為如此之狀態,可基於開啟溶劑閥43之時間而控制裝置3進行判斷,亦可基於檢測通過溶劑閥43的IPA之流量的流量計之檢測值而控制裝置3進行判斷。
如圖7E所示,當溶劑閥43被關閉時,在前面之步驟中流入至前端流路62而在IPA供給步驟中自溶劑噴嘴41之吐出口41p未被吐出的IPA被保持在前端流路62內。而且,在IPA供給步驟中流入至前端流路62的全部之IPA被保持在前端流路62內。在IPA供給步驟中流入至前端流路62的IPA中包含有被污染的IPA。因此,僅潔淨之IPA係自溶劑噴嘴41之吐出口41p被吐出,被污染的IPA係自溶劑噴嘴41之吐出口41p未被吐出而被保持在前端流路62內。於溶劑閥43被關閉之後,在IPA被保持於前端流路62之各部分的狀態下,噴嘴移動單元48使溶劑噴嘴41移動至待機位置。
於停止在IPA供給步驟(圖6之步驟S12)中來自溶劑噴嘴41之吐出口41p的IPA之吐出之後,繼續在相同處理單元2中將IPA供給至下一基板W之情形時(在圖6之步驟S13中為Yes),進行自前端流路62排出被污染的IPA而將潔淨之IPA保持在前端流路62內的排出步驟(圖6之步驟S14)。
具體而言,於溶劑閥43被關閉之後,在IPA被保持在前端流路62之各部分的狀態下,開啟溶劑閥43。藉此,如圖7F所示,被污染的IPA係自溶劑閥43流入至前端流路62,接著,潔淨之IPA係自溶劑閥43流入至前端流路62。預先保持在前端流路62內的IPA,即在前面之步驟(於此為初次準備步驟)中流入至前端流路62而在IPA供給步驟中自溶劑噴嘴41之吐出口41p未被吐出 而殘留在前端流路62的IPA、及在IPA供給步驟中流入至前端流路62的全部之IPA係藉由新流入之IPA而朝溶劑噴嘴41之吐出口41p之側被推送。
預先保持在前端流路62內的全部之IPA係自溶劑噴嘴41之吐出口41p朝向待機罐49而被吐出。進而,在排出步驟中流入至前端流路62的被污染之IPA亦自溶劑噴嘴41之吐出口41p朝向待機罐49而被吐出。因此,前端流路62係僅被潔淨之IPA所填滿。其後,在該狀態下,關閉溶劑閥43。藉此,如圖7G所示,僅潔淨之IPA被保持在前端流路62內,而在前端流路62內靜止。
自前端流路62排出被污染的IPA之後,於將IPA供給至下一基板W時,即於進行對下一基板W的IPA供給步驟時,進行判定自排出步驟結束後至對下一基板W的IPA供給步驟開始為止的時間(停滯時間)是否超過既定時間的停滯時間判定步驟(圖6之步驟S15)。
於停滯時間未超過既定時間之情況(在圖6之步驟S15中為No),執行對下一基板W的IPA供給步驟(返回至圖6之步驟S12)。其後,於繼續在相同處理單元2中將IPA供給至下一基板W之情形(在圖6之步驟S13中為Yes)時,再次執行排出步驟(圖6之步驟S14)及IPA供給步驟(圖6之步驟S12)。亦即,於進行初次準備步驟之後,將自IPA供給步驟至排出步驟為止之1個循環重複進行基板W之片數次。藉此,將潔淨之IPA供給至複數片之基板W,而處理該等之基板W。
另一方面,於停滯時間超過既定時間之情形時,亦即於自排出步驟結束後至開始對下一基板W的IPA供給步驟為止的 時間較長之情形時(在圖6之步驟S15中為Yes),係進行與初次準備步驟相同的處理液置換步驟(圖6之步驟S16)。藉此,被保持在前端流路62內的全部之IPA係被潔淨之新的IPA所置換。其後,執行對下一基板W的IPA供給步驟(返回至圖6之步驟S12)。藉此,可將品質穩定之IPA供給至下一基板W。
此外,繼續在相同處理單元2中不將IPA供給至下一基板W之情形時,亦即於結束在相同處理單元2中的基板W之處理之情形時(在圖6之步驟S13中為No),進行倒吸步驟(圖6之步驟S17),該倒吸步驟係將保持在前端流路62內的IPA抽吸至分歧流路63,藉此使溶劑噴嘴41之吐出口41p及其之附近變空。
具體而言,如圖7H所示,在溶劑閥43被關閉的狀態下開啟抽吸閥45。當抽吸閥45被開啟時,抽吸裝置46之抽吸力係通過分歧流路63及分歧位置P1而傳遞至前端流路62。藉此,一面通過溶劑噴嘴41之吐出口41p而將空氣抽吸至下游部62b,一面使IPA通過分歧位置P1而自下游部62b被抽吸至分歧流路63。另一方面,由於溶劑閥43被關閉,因此被保持在上游部62a之全部或大致全部的IPA係不被抽吸至分歧流路63而殘留於該處(上游部62a)。
如圖7I所示,當下游部62b內之IPA被抽吸至分歧流路63而下游部62b變空時,關閉抽吸閥45。下游部62b是否變空,可基於開啟抽吸閥45之時間而控制裝置3進行判斷,亦可基於檢測通過抽吸閥45的IPA之流量的流量計之檢測值而控制裝置3進行判斷。於抽吸閥45被關閉之後,至開始對下一基板W的初次準備步驟為止而維持該狀態。
[第2處理例]
其次,對於自將IPA供給至基板W之前至將IPA供給至基板W之後為止之流程之一例(第2處理例)進行說明。
圖8係用以對第2處理例進行說明之流程圖。圖9A~圖9B係顯示進行圖8所示之第2處理例時之流路內之狀態之示意的剖視圖。在圖9A~圖9B中,以黑色表示開啟之閥,以白色表示關閉之閥。
以下,參照圖1及圖2。並適當地參照圖8及圖9A~圖9B。以下之動作係藉由控制裝置3控制基板處理裝置1而被執行。
由於第2處理例中之自初次準備步驟(圖8之步驟S21)至IPA供給步驟(圖8之步驟S22)為止之流程係與第1處理例相同,因而以下對於進行初次準備步驟及IPA供給步驟之後之流程進行說明。
於停止在IPA供給步驟(圖8之步驟S22)中來自溶劑噴嘴41之吐出口41p的IPA之吐出之後,繼續在相同之處理單元2中將IPA供給至下一基板W之情形時(在圖8之步驟S23中為Yes),進行自前端流路62排出被污染的IPA而將潔淨之IPA保持在前端流路62內的排出步驟(圖8之步驟S24)。
具體而言,於溶劑閥43被關閉而IPA被保持在前端流路62之各部分的狀態下,開啟抽吸閥45。抽吸閥45係可於溶劑噴嘴41位在待機位置或處理位置時被開啟,亦可於位在待機位置與處理位置之間時被開啟。當抽吸閥45被開啟時,抽吸裝置46之抽吸力係通過分歧流路63及分歧位置P1而傳遞至前端流路62。藉 此,如圖9A所示,一面通過溶劑噴嘴41之吐出口41p而將空氣抽吸至下游部62b,一面使IPA通過分歧位置P1而自下游部62b被抽吸至分歧流路63。另一方面,由於溶劑閥43被關閉,因此被保持在上游部62a之全部或大致全部的IPA不被抽吸至分歧流路63而殘留於該處(上游部62a)。
在IPA供給步驟(圖8之步驟S22)中流入至前端流路62之被污染的IPA並非被保持在前端流路62之上游部62a,而是被保持在前端流路62之下游部62b(參照圖7E)。換言之,在IPA供給步驟中自溶劑噴嘴41之吐出口41P被吐出的IPA之量、前端流路62與分歧流路63所連接的分歧位置P1係以被污染的IPA被保持在前端流路62之下游部62b之方式所設定。因此,如圖9A所示,當抽吸閥45被開啟時,保持在下游部62b之被污染的IPA係被排出至分歧流路63。另一方面,僅潔淨之IPA被保持在上游部62a。
如圖9B所示,於保持在下游部62b之被污染的IPA之全部被排出至分歧流路63之後,抽吸閥45被關閉。只要被污染的IPA之全部被排出至分歧流路63,亦可於下游部62b之全體變空之前關閉抽吸閥45。被污染的IPA之全部是否被排出至分歧流路63,可基於抽吸閥45開啟之時間而控制裝置3進行判斷,亦可基於檢測通過抽吸閥45的IPA之流量的流量計之檢測值而控制裝置3進行判斷。
自前端流路62排出被污染的IPA之後,於將IPA供給至下一基板W時,亦即於進行對下一基板W的IPA供給步驟時,進行判定自排出步驟(圖8之步驟S24)結束後至對下一基板W的 IPA供給步驟(圖8之步驟S22)開始為止的時間(停滯時間)是否超過既定時間的停滯時間判定步驟(圖8之步驟S25)。
於停滯時間未超過既定時間之情形時(在圖8之步驟S25中為No),執行對下一基板W的IPA供給步驟(返回至圖8之步驟S22)。於停滯時間超過既定時間之情形時(在圖8之步驟S25中為Yes),係進行與第1處理例相同之處理液置換步驟(圖8之步驟S26)。其後,執行對下一基板W的IPA供給步驟(返回至圖8之步驟S22)。
此外,繼續在相同處理單元2中不將IPA供給至下一基板W之情形時,亦即於結束在相同處理單元2中的基板W之處理之情形時(在圖8之步驟S23中為No),進行與第1處理例相同的倒吸步驟(圖8之步驟S27)。其後,至開始對下一基板W的初次準備步驟(圖8之步驟S21)為止而維持該狀態。
在如以上般之本實施形態中,於將IPA供給至基板W之前開啟溶劑閥43。藉此,因在溶劑閥43內所產生的微粒所被污染的IPA係自溶劑閥43流入至前端流路62。接著,含有微粒較少之潔淨的IPA係自溶劑閥43流入至前端流路62。亦即,被污染的IPA最先通過溶劑閥43,接著,潔淨之IPA通過溶劑閥43。
被污染的IPA係藉由潔淨之IPA而朝下游被推送。當流動於前端流路62內的IPA係到達至前端流路62之下游端62d時,自溶劑噴嘴41之吐出口41p吐出前端流路62內之IPA。藉此,於開啟溶劑閥43時流入至前端流路62之被污染的IPA係自前端流路62被排出。於被污染的IPA自溶劑噴嘴41之吐出口41p被吐出之後,關閉溶劑閥43。藉此,潔淨之IPA係被保持在前端流路62 內,而在前端流路62內靜止。
其後,再次開啟溶劑閥43。被保持在前端流路62內之潔淨的IPA係藉由新流入之IPA而朝下游被推送,而自溶劑噴嘴41之吐出口41p朝向基板W被吐出。藉此,潔淨之IPA被供給至基板W。其後,溶劑閥43關閉,停止來自溶劑噴嘴41之吐出口41p的IPA之吐出。與此同時,新流入之IPA之全部被保持在前端流路62內。
如此,在潔淨之IPA被保持在前端流路62內的狀態下開啟溶劑閥43,朝向基板W吐出該IPA。其後,將通過溶劑閥43的全部之IPA保持在前端流路62內。於通過溶劑閥43的IPA亦包含有被污染的IPA。因此,可一面避免自溶劑噴嘴41之吐出口41p吐出被污染的IPA,一面僅使潔淨之IPA自溶劑噴嘴41之吐出口41p吐出。藉此,由於在被供給至基板W的IPA所包含的微粒減少,因而可提高乾燥後之基板W之潔淨度。
在本實施形態中,使附著有自溶劑噴嘴41之吐出口41p所吐出的IPA的基板W進行乾燥。自溶劑噴嘴41之吐出口41p所被吐出的IPA為含有微粒較少之潔淨的IPA。因此,可於被保持在基板W的微粒較少之狀態下使基板W乾燥。藉此,可減少殘留於乾燥後之基板W的微粒,而可提高乾燥後之基板W之潔淨度。
在本實施形態中,於朝向基板W吐出IPA時最先通過溶劑閥43且於停止IPA之吐出時被保持在前端流路62內的IPA係自前端流路62被排出。亦即,被污染的IPA自前端流路62被排出。因此,於將被保持在前端流路62內的IPA供給至下一基板W時,可防止被污染的IPA朝向基板W被吐出之情形。藉此,可於 處理複數片基板W時,提高各基板W之潔淨度。
在本實施形態中,於相同IPA長時間被保持在前端流路62內的情形下,開啟溶劑閥43,將新的IPA供給至前端流路62內。藉此,舊的IPA係藉由新的IPA而朝下游被推送,而自前端流路62被排出。其後,最先通過溶劑閥43的IPA以外之IPA,亦即潔淨之IPA係被保持在前端流路62內。
IPA之性質係存在有伴隨著時間經過而變化之情況。若停滯於前端流路62內的時間較短,則只會產生可忽略之程度之變化,但當停滯於前端流路62內的時間較長,則或許會產生可對處理之結果造成影響的性質之變化。因此,藉由以新的潔淨之IPA置換舊的IPA,可抑制在複數片基板W中之品質不均。
在本實施形態之第1處理例中,為了排出被保持在前端流路62內的IPA,於朝基板W的IPA之供給被停止之後,溶劑閥43被開啟,新的IPA被供給至前端流路62。於朝基板W的IPA之供給被停止時,被保持在前端流路62內的全部之IPA係藉由新的IPA而被推送至下游,而自溶劑噴嘴41之吐出口41p被吐出。藉此,可自前端流路62排出在朝基板W的IPA之供給被停止時被保持在前端流路62內之被污染的IPA。
進而,於開啟溶劑閥43時流入至前端流路62之被污染的IPA亦自溶劑噴嘴41之吐出口41p被吐出。其後,溶劑閥43關閉,潔淨之IPA係被保持在前端流路62內。因此,可將潔淨之IPA供給至下一基板W。進而,由於在前端流路62之各部分保持有IPA,因而與將IPA僅保持在前端流路62之一部分的情況相比,可增加能供給至下一基板W的IPA之量。
在本實施形態之第2處理例中,為了排出被保持在前端流路62內的IPA,於朝基板W的IPA之供給被停止之後,在溶劑閥43被關閉的狀態下開啟抽吸閥45。藉此,抽吸力係經由分歧流路63而傳遞至前端流路62,而將IPA自前端流路62之下游部62b抽吸至分歧流路63。另一方面,由於溶劑閥43被關閉,因而被保持在前端流路62之上游部62a的IPA係殘留於該處(上游部62a)。
於朝向基板W吐出IPA時流入至前端流路62之被污染的IPA係被保持在前端流路62之下游部62b。因此,藉由將IPA自前端流路62之下游部62b抽吸至分歧流路63,可一面將潔淨之IPA殘留於前端流路62,一面自前端流路62排出被污染的IPA。藉此,可將潔淨之IPA供給至下一基板W。進而,當使IPA自前端流路62之下游部62b逆流至分歧流路63,自溶劑噴嘴41之吐出口41p之上游位置至溶劑噴嘴41之吐出口41p為止的範圍變空,因此可防止IPA不預期地自溶劑噴嘴41之吐出口41p落下的現象(所謂之滴落)。
[其他實施形態]
本發明不限定於上述之實施形態之內容,而可進行各種之變更。
例如,控制裝置3亦可於將藥液或淋洗液等IPA以外的處理液供給至基板W時進行第1處理例或第2處理例。亦即,第1處理例及第2處理例所被進行的處理液亦可為在使基板W乾燥時附著於基板W之處理液以外的處理液。
若IPA之歷時變化係對基板W之品質所造成之影響 為可忽略的程度,則控制裝置3係亦可於第1處理例及第2處理例中省略處理液置換步驟(圖6之步驟S16及圖8之步驟S26)。
控制裝置3係亦可於進行第1處理例之排出步驟(圖6之步驟S14)之後,進行第1處理例之IPA供給步驟(圖6之步驟S12)與第2處理例之排出步驟(圖8之步驟S24)。與此相反地,控制裝置3係亦可於進行第2處理例之排出步驟(圖8之步驟S24)之後,進行第2處理例之IPA供給步驟(圖8之步驟S22)與第1處理例之排出步驟(圖6之步驟S14)。
於第1處理例之初次準備步驟(圖6之步驟S11)及第2處理例之初次準備步驟(圖8之步驟S21)中,IPA係亦可不僅被保持在前端流路62,而被保持在前端流路62及分歧流路63之兩側中。於此情況時,只要開啟溶劑閥43及抽吸閥45之兩者即可。
於自溶劑噴嘴41之吐出口41p至分歧流路63之下游端63d為止被IPA所填滿,而在分歧流路63之下游端63d配置於較溶劑噴嘴41之吐出口41p更下方之情況下,當開啟抽吸閥45時,前端流路62之下游部62b內之IPA係藉由虹吸(siphon)原理而朝分歧流路63之側被抽吸。因此,於使IPA保持在前端流路62及分歧流路63兩側的情況時,亦可不使用抽吸裝置46而將下游部62b內之IPA朝分歧流路63之側進行抽吸。
控制裝置3係亦可於第1處理例之排出步驟(圖6之步驟S14)中,利用溶劑閥43所開啟之狀態,藉此進行複數次溶劑閥43之開度的增加及減少,而進行使通過溶劑閥43的IPA之流量產生變化的流量變更步驟。於此情況下,通過溶劑閥43的IPA之流量產生變化,而施加於附著在溶劑閥43的微粒之液壓產生變化。 藉此,可有效地使微粒自溶劑閥43剝離,而可提高通過溶劑閥43的IPA之潔淨度。
於進行IPA供給步驟(圖6之步驟S12及圖8之步驟S22)之前,被保持在前端流路62內的潔淨之IPA量係可為超過供給至1片基板W的IPA之量且為供給至2片基板W的IPA之量以下的量,亦可為超過供給至2片基板W的IPA之量的量。於後者之情況時,亦可不用於每次進行IPA供給步驟時進行排出步驟(圖6之步驟S14及圖8之步驟S24)。
供給至1片基板W的IPA之量係亦可較供給至1片基板W的藥液量少。於基板W之直徑為300mm之情況下,供給至1片基板W的IPA之量亦可為超過0且未滿10ml的量(例如8ml)。當然亦可將該以上之IPA供給至基板W。
溶劑噴嘴41係並不限於可水平地移動的掃描噴嘴,亦可為相對於腔室4之間隔壁5而被固定的固定噴嘴,亦可被配置在基板W之上方。
基板處理裝置1係不限於處理圓板狀之基板W的裝置,亦可為處理多角形之基板W的裝置。
亦可組合上述全部之構成中之2者以上。亦可組合上述全部之步驟之2者以上。
旋轉夾頭8為基板保持單元之一例。旋轉馬達12為乾燥單元之一例。溶劑閥43為吐出閥之一例。閥致動器55為電動致動器之一例。
本申請案係對應於2017年11月8日向日本專利廳提出之日本專利特願2017-215295號,該申請案之全部揭示內容係藉 由引用而被組入於本文中。
已對於本發明之實施形態詳細地進行說明,但該等僅為用以明確說明本發明之技術內容的具體例,本發明不應被解釋為限定於該等具體例,本發明之精神及範圍係僅由所附之申請專利範圍而被限定。
41‧‧‧溶劑噴嘴
41p‧‧‧吐出口
43‧‧‧溶劑閥
61‧‧‧供給流路
62‧‧‧前端流路
62a‧‧‧上游部
62b‧‧‧下游部
62d‧‧‧下游端
W‧‧‧基板

Claims (15)

  1. 一種基板處理方法,其係藉由基板處理裝置而執行者,該基板處理裝置係具備有:基板保持單元,其水平地保持基板;吐出口,其吐出處理上述基板的處理液;吐出閥,其在使處理液朝上述吐出口之側流動的開狀態與堵住朝上述吐出口之側流動的處理液的閉狀態之間進行開閉;及前端流路,其包含有連接於上述吐出閥的上游端、及連接於上述吐出口的下游端,而自上述吐出閥延伸至上述吐出口;該基板處理方法係包含有如下之步驟:處理液流入步驟,其藉由開啟上述吐出閥,使上述處理液通過上述吐出閥,而使通過上述吐出閥的上述處理液流入至上述前端流路;處理液保持步驟,其不將在上述處理液流入步驟中通過上述吐出閥的上述處理液中之最先通過上述吐出閥的上述處理液供給至上述基板而自上述前端流路排出後,藉由關閉上述吐出閥,將在上述處理液流入步驟中通過上述吐出閥的上述處理液中之最先通過上述吐出閥的上述處理液以外之上述處理液,預先保持且靜止在上述前端流路內;供給執行步驟,其藉由開啟上述吐出閥而使上述處理液通過上述吐出閥,一面使通過上述吐出閥的上述處理液停留於上述前端流路內一面利用該處理液將在上述處理液保持步驟中預先保持且靜止在上述前端流路內的上述處理液推送至下游,藉此自上述吐出口朝向被上述基板保持單元所水平地保持的上述基板而僅吐出在上述處理液保持步驟中預先保持且靜止在上述前端流路內的上述處理液;及 供給停止步驟,其藉由關閉上述吐出閥,將在上述供給執行步驟中通過上述吐出閥的上述處理液之全部,保持在上述前端流路內。
  2. 如請求項1之基板處理方法,其中,進而包含有:乾燥步驟,其使附著有在上述供給執行步驟中自上述吐出口被吐出之上述處理液的上述基板進行乾燥。
  3. 如請求項1之基板處理方法,其中,進而包含有:排出步驟,其自上述前端流路排出在上述供給停止步驟中被保持於上述前端流路內的上述處理液中在上述供給執行步驟中最先通過上述吐出閥的上述處理液,而將在上述供給執行步驟中最先通過上述吐出閥的上述處理液以外之上述處理液,保持在上述前端流路內。
  4. 如請求項3之基板處理方法,其中,進而包含有:停滯時間判定步驟,其於上述排出步驟之後,針對表示相同之上述處理液被保持在上述前端流路內之時間的停滯時間是否超過既定時間進行判定;及處理液置換步驟,其於在上述停滯時間判定步驟中被判定為上述停滯時間超過上述既定時間之情況時,於在上述前端流路內保持有上述處理液的狀態下開啟上述吐出閥,藉此使上述處理液通過上述吐出閥,利用通過上述吐出閥的上述處理液中之最先通過上述吐出閥的上述處理液以外之上述處理液,置換被保持在上述前端流路內的上述處理液之全部。
  5. 如請求項3或4之基板處理方法,其中,上述排出步驟係包含有:吐出執行步驟,其藉由開啟上述吐出閥,使上述處理液通過上述 吐出閥,利用通過上述吐出閥的上述處理液,將在上述供給停止步驟中被保持在上述前端流路內的上述處理液推送至下游,藉此使上述吐出口吐出在上述供給停止步驟中被保持在上述前端流路內的上述處理液之全部;及吐出停止步驟,其藉由關閉上述吐出閥,而將在上述吐出執行步驟中通過上述吐出閥的上述處理液中之最先通過上述吐出閥的上述處理液以外之上述處理液,保持在上述前端流路內。
  6. 如請求項5之基板處理方法,其中,上述吐出執行步驟係包含有:流量變更步驟,其藉由在上述吐出閥開啟之狀態下變更上述吐出閥之開度,而使通過上述吐出閥的上述處理液之流量產生變化。
  7. 如請求項3或4之基板處理方法,其中,上述基板處理裝置係進而具備有:分歧流路,其在上述吐出閥之下游且在上述吐出口之上游的分歧位置,連接至上述前端流路;及抽吸閥,其在開狀態與閉狀態之間進行開閉,該開狀態係將上述前端流路內之處理液經由上述分歧位置而抽吸至上述分歧流路的抽吸力施加於上述前端流路,該閉狀態係將朝上述前端流路的上述抽吸力之傳遞切斷;上述排出步驟係包含有:抽吸執行步驟,其藉由在上述吐出閥關閉之狀態下開啟上述抽吸閥,一面使上述處理液殘留於在上述前端流路中之上述吐出閥與上述分歧位置之間的部分,一面使被保持在上述前端流路中之自上述分歧位置至上述吐出口為止之部分的上述處理液,經由上述分歧位置而抽吸至上述分歧流路,而自上述前端流路排出在上述供給執行步驟中通過上述吐出閥的上述處理液中之最先通過上述吐出閥的 上述處理液;及抽吸停止步驟,其藉由在上述吐出閥關閉之狀態下關閉上述抽吸閥,一面使上述處理液殘留於在上述前端流路中之上述吐出閥與上述分歧位置之間的部分,一面使自上述前端流路朝上述分歧流路的上述處理液之抽吸停止。
  8. 一種基板處理裝置,其具備有:基板保持單元,其水平地保持基板;吐出口,其吐出處理上述基板的處理液;吐出閥,其在使處理液朝上述吐出口之側通過的開狀態與堵住朝上述吐出口之側流動之處理液的閉狀態之間進行開閉;前端流路,其包含有連接於上述吐出閥的上游端、及連接於上述吐出口的下游端,而自上述吐出閥延伸至上述吐出口,且具有較自上述吐出口朝向被上述基板保持單元所保持的上述基板而吐出之上述處理液之量更大的容積;及控制裝置,其控制上述吐出閥;上述控制裝置係執行如下之步驟:處理液流入步驟,其藉由開啟上述吐出閥,使上述處理液通過上述吐出閥,而使通過上述吐出閥的上述處理液流入至上述前端流路;處理液保持步驟,其不將在上述處理液流入步驟中通過上述吐出閥的上述處理液中之最先通過上述吐出閥的上述處理液供給至上述基板而自上述前端流路排出後,藉由關閉上述吐出閥,將在上述處理液流入步驟中通過上述吐出閥的上述處理液中之最先通過上述吐出閥的上述處理液以外之上述處理液,預先保持且靜止在上述 前端流路內;供給執行步驟,其藉由開啟上述吐出閥而使上述處理液通過上述吐出閥,一面使通過上述吐出閥的上述處理液停留於上述前端流路內一面利用該處理液將在上述處理液保持步驟中預先保持且靜止在上述前端流路內的上述處理液推送至下游,藉此自上述吐出口朝向被上述基板保持單元所水平地保持的上述基板而僅吐出在上述處理液保持步驟中預先保持且靜止在上述前端流路內的上述處理液;及供給停止步驟,其藉由關閉上述吐出閥,將在上述供給執行步驟中通過上述吐出閥的上述處理液之全部,保持在上述前端流路內。
  9. 如請求項8之基板處理裝置,其中,上述基板處理裝置係進而具備有:乾燥單元,其使被上述基板保持單元所保持的上述基板進行乾燥;上述控制裝置係進而執行:乾燥步驟,其係藉由控制上述乾燥單元,而使附著有在上述供給執行步驟中自上述吐出口被吐出之上述處理液的上述基板進行乾燥。
  10. 如請求項8之基板處理裝置,其中,上述控制裝置係進而執行:排出步驟,其係自上述前端流路排出在上述供給停止步驟中被保持於上述前端流路內的上述處理液中在上述供給執行步驟中最先通過上述吐出閥的上述處理液,而將在上述供給執行步驟中最先通過上述吐出閥的上述處理液以外之上述處理液,保持在上述前端流 路內。
  11. 如請求項10之基板處理裝置,其中,上述控制裝置係進而執行:停滯時間判定步驟,其於上述排出步驟之後,針對表示相同之上述處理液被保持在上述前端流路內之時間的停滯時間是否超過既定時間進行判定;及處理液置換步驟,其於在上述停滯時間判定步驟中被判定為上述停滯時間超過上述既定時間之情況時,於在上述前端流路內保持有上述處理液的狀態下開啟上述吐出閥,藉此使上述處理液通過上述吐出閥,利用通過上述吐出閥的上述處理液中之最先通過上述吐出閥的上述處理液以外之上述處理液,置換被保持在上述前端流路內的上述處理液之全部。
  12. 如請求項10之基板處理裝置,其中,上述排出步驟係包含有:吐出執行步驟,其藉由開啟上述吐出閥,使上述處理液通過上述吐出閥,利用通過上述吐出閥的上述處理液,將在上述供給停止步驟中被保持在上述前端流路內的上述處理液推送至下游,藉此使上述吐出口吐出在上述供給停止步驟中被保持在上述前端流路內的上述處理液之全部;及吐出停止步驟,其藉由關閉上述吐出閥,而將在上述吐出執行步驟中通過上述吐出閥的上述處理液中之最先通過上述吐出閥的上述處理液以外之上述處理液,保持在上述前端流路內。
  13. 如請求項12之基板處理裝置,其中,上述吐出閥係包含有:閥身,其設有上述處理液所流動的內部流路與圍繞上述內部流路的環狀之閥座;閥體,其可相對於上述閥座而移動;及電動致動器, 其使上述閥體在任意之位置靜止;上述吐出執行步驟係包含有:流量變更步驟,其藉由在上述吐出閥開啟之狀態下變更上述吐出閥之開度,而使通過上述吐出閥的上述處理液之流量產生變化。
  14. 如請求項10之基板處理裝置,其中,上述基板處理裝置係進而具備有:分歧流路,其在上述吐出閥之下游且在上述吐出口之上游的分歧位置,連接至上述前端流路;及抽吸閥,其在開狀態與閉狀態之間進行開閉,該開狀態係將上述前端流路內之處理液經由上述分歧位置而抽吸至上述分歧流路的抽吸力施加於上述前端流路,該閉狀態係將朝上述前端流路的上述抽吸力之傳遞切斷;上述控制裝置係進而控制上述抽吸閥,上述排出步驟係包含有:抽吸執行步驟,其藉由在上述吐出閥關閉之狀態下開啟上述抽吸閥,一面使上述處理液殘留於在上述前端流路中之上述吐出閥與上述分歧位置之間的部分,一面使被保持在上述前端流路中之自上述分歧位置至上述吐出口為止之部分的上述處理液,經由上述分歧位置而抽吸至上述分歧流路,而自上述前端流路排出在上述供給執行步驟中通過上述吐出閥的上述處理液中之最先通過上述吐出閥的上述處理液;及抽吸停止步驟,其藉由在上述吐出閥關閉之狀態下關閉上述抽吸閥,一面使上述處理液殘留於在上述前端流路中之上述吐出閥與上述分歧位置之間的部分,一面使自上述前端流路朝上述分歧流路的上述處理液之抽吸停止。
  15. 如請求項14之基板處理裝置,其中,在上述前端流路中之上 述吐出閥與上述分歧位置之間之部分的容積係較在上述前端流路中之自上述分歧位置至上述吐出口為止之部分的容積大。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102346529B1 (ko) * 2019-06-24 2021-12-31 세메스 주식회사 액 공급 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
JP7384658B2 (ja) * 2019-12-24 2023-11-21 株式会社Screenホールディングス 配管洗浄方法
WO2021230110A1 (ja) * 2020-05-14 2021-11-18 東京エレクトロン株式会社 液供給機構、基板処理装置、及び基板処理方法
TWI811028B (zh) * 2022-07-19 2023-08-01 凱爾迪科技股份有限公司 自吸回收系統

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013172079A (ja) * 2012-02-22 2013-09-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および処理液吸引方法
JP2016063035A (ja) * 2014-09-17 2016-04-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
TW201624558A (zh) * 2014-09-29 2016-07-01 思可林集團股份有限公司 基板處理方法及基板處理裝置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5471886B2 (ja) * 2010-06-25 2014-04-16 東京エレクトロン株式会社 高温、高圧処理方法及び高温、高圧処理装置並びに記憶媒体
JP5753352B2 (ja) 2010-07-20 2015-07-22 株式会社Screenホールディングス ダイヤフラムバルブおよびこれを備えた基板処理装置
JP6320805B2 (ja) * 2014-03-17 2018-05-09 株式会社Screenホールディングス 処理液供給装置
JP2016127080A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6319117B2 (ja) * 2015-01-26 2018-05-09 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置、処理液供給方法及び記憶媒体
JP6624599B2 (ja) * 2015-08-05 2019-12-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および処理液吐出方法
JP2017183568A (ja) 2016-03-31 2017-10-05 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013172079A (ja) * 2012-02-22 2013-09-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および処理液吸引方法
JP2016063035A (ja) * 2014-09-17 2016-04-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
TW201624558A (zh) * 2014-09-29 2016-07-01 思可林集團股份有限公司 基板處理方法及基板處理裝置

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