KR20200078792A - 기판 처리 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은, 회전하는 기판 상에 노즐로부터 처리액을 토출하여 기판을 처리하되, 상기 노즐이 대기하는 홈포트로부터 상기 기판에 처리액을 토출하는 위치로 상기 노즐이 이동하는 도중에 상기 기판으로부터 이격된 상기 기판의 외측 영역부터 상기 처리액의 토출을 시작할 수 있다.

Description

기판 처리 방법 및 장치{Method and Apparatus for treating substrate}
본 발명은 기판 처리 방법 및 장치에 관한 것으로 더욱 상세하게는 기판에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다. 세정 처리는 분사 노즐이 회전하는 기판에 세정액을 공급하여 실시한다. 분사 노즐이 세정액 토출을 시작하거나 정지할 때에는 분사 노즐과 연결된 밸브를 온/오프한다.
도 1은 종래의 세정 공정에서 시간에 따른 단위 시간당 세정액 토출 유량의 변화를 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 종래의 세정 공정에서는, 제1시기(0 ~ t01) 동안에 분사 노즐이 기판의 중심 상부로 이동한다. 이후 제2시기(t01 ~ t02) 동안에는 분사 노즐과 연결된 밸브를 온(On)하여 회전하는 기판으로 세정액을 공급한다. 제2시기가 끝나는 시점(t02)에는 밸브를 오프(off)하여 세정액의 공급을 중단한다. 그런데, 밸브를 온/오프하는 과정에서 밸브 내부의 다이어프램(Diaphrgm)의 마찰이 발생한다. 다이어프램(Diaphrgm)의 마찰로 밸브 내부에는 파티클(Particle) 등의 불순물이 발생한다. 즉, 제1시기가 시작하는 시점(t01)에는 밸브 내부에 발생된 파티클(Particle)이 발생한다. 밸브 내부에서 발생된 파티클(Particle)은 세정액과 함께 기판으로 공급된다. 기판으로 공급된 파티클(Particle)은 세정 처리의 효율과 생산 수율을 떨어뜨린다.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 방법 및 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판으로 공급되는 처리액이 비산되어 기판에 불순물이 부착되는 것을 최소화 하는 기판 처리 방법 및 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은, 회전하는 기판 상에 노즐로부터 처리액을 토출하여 기판을 처리하되, 상기 노즐이 대기하는 홈포트로부터 상기 기판에 처리액을 토출하는 위치로 상기 노즐이 이동하는 도중에 상기 기판으로부터 이격된 상기 기판의 외측 영역부터 상기 처리액의 토출을 시작할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 노즐은 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하되, 상기 노즐이 상기 처리액을 토출하면서 이동되는 도중 상기 기판의 회전속도가 변경될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 노즐이 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하였을 때 상기 기판의 회전속도는 상기 이동이 이루어지는 도중의 상기 기판의 회전속도보다 높을 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 노즐이 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하면서 상기 기판의 회전 속도는 점진적으로 증가할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 노즐이 상기 기판의 외측 영역에서 상기 기판의 가장자리 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동시 상기 기판의 회전속도는 일정할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 노즐은 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하되, 상기 노즐이 상기 처리액을 토출하면서 이동되는 도중 상기 기판으로 토출되는 상기 처리액의 단위시간당 토출량이 변경될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 노즐이 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하였을 때 상기 기판으로 토출되는 상기 처리액의 단위시간당 토출량은 상기 이동이 이루어지는 도중에 상기 기판으로 토출되는 상기 처리액의 단위시간당 토출량보다 클 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 노즐이 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하면서 상기 기판으로 공급되는 상기 처리액의 단위시간당 토출량은 점진적으로 증가할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 기판은 상기 기판을 감싸는 처리 용기 내의 처리 공간에 배치되고, 상기 처리액의 토출되는 토출 시작 지점은 상기 처리액이 상기 기판을 감싸는 처리 용기 내일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 처리액이 상기 기판의 상면에 토출되기 전 상기 기판에 웨팅액을 공급할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 노즐은 상기 기판의 반경방향 외측을 향하도록 하향 경사진 상태로 상기 기판의 중심을 향하는 방향으로 이동하면서 상기 처리액을 토출할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 처리액은 케미칼이고 상기 웨팅액은 순수일 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 내부에 상부가 개방된 처리 공간을 가지는 처리 용기와; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지되고, 회전하는 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐을 가지는 액 공급 유닛과; 상기 처리액 공급 노즐이 대기하는 홈 포트와; 제어기를 포함하되, 상기 제어기는, 상기 홈 포트로부터 상기 기판에 처리액을 토출하는 위치로 상기 처리액 공급 노즐을 이동시키고, 상기 처리액 공급 노즐이 이동하는 도중에 상기 기판으로부터 이격된 상기 기판의 외측 영역으로부터 상기 처리액의 공급을 시작하도록 상기 액 공급 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 처리액 공급 노즐을 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중영 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동시키되, 상기 처리액 공급 노즐이 상기 처리액을 토출하면서 이동하는 도중 상기 기판의 회전 속도를 변경하도록 상기 액 공급 유닛과 상기 지지 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 처리액 공급 노즐이 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하였을 때 상기 기판의 회전속도가 상기 이동이 이루어지는 도중의 상기 기판의 회전속도보다 높도록 상기 액 공급 유닛과 상기 지지 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하면서 상기 기판의 회전 속도가 점진적으로 증가하도록 상기 액 공급 유닛과 상기 지지 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제어기는 상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판의 외측 영역에서 상기 기판의 가장자리 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동시 상기 기판을 일정한 속도로 회전시키도록 상기 액 공급 유닛과 상기 지지 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 처리액 공급 노즐이 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하되, 상기 처리액 공급 노즐이 상기 처리액을 토출하면서 이동하는 도중 상기 기판으로 토출하는 상기 처리액의 단위시간당 토출량을 변경시키도록 상기 액 공급 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 처리액 공급 노즐이 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하였을 때 상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판으로 토출하는 상기 처리액의 단위시간당 토출량이 상기 이동이 이루어지는 도중에 상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판으로 토출하는 상기 처리액의 단위시간당 토출량보다 크도록 상기 액 공급 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하면서 상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판으로 공급하는 상기 처리액의 단위시간당 토출량을 점진적으로 증가시키도록 상기 액 공급 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 처리액 공급 노즐이 토출하는 상기 처리액의 토출 시작 지점이 상기 처리 공간이 되도록 상기 액 공급 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 액 공급 유닛은, 상기 기판으로 웨팅액을 공급하는 웨팅 노즐을 포함하되, 상기 제어기는, 상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판의 상면에 상기 처리액을 토출하기 전 상기 기판에 상기 웨팅액을 공급하도록 상기 액 공급 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판의 반경방향 외측을 향하도록 하향 경사진 상태로 상기 기판의 중심을 향하는 방향으로 이동하면서 상기 처리액을 토출하도록 상기 액 공급 유닛을 제어할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 종래의 세정 공정에서 시간에 따른 단위 시간당 세정액 토출 유량의 변화를 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 3의 처리액 공급 노즐이 기판에 처리액을 토출하는 일 실시예를 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 처리 공정에서 시간에 따른 단위 시간당 처리액 토출 유량의 변화를 보여주는 도면이다.
도 6은 도 3의 웨팅 노즐이 기판에 웨팅액을 토출하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 7은 도 3의 처리액 공급 노즐이 기판에 처리액을 토출하는 다른 실시예를 보여주는 도면이다.
도 8은 도 3의 처리액 공급 노즐이 기판에 처리액을 토출하는 다른 실시예를 보여주는 도면이다.
도 9는 처리액 공급 노즐의 토출 위치에 따른 기판의 회전 속도 변화를 보여주는 도면이다.
도 10은 처리액 공급 노즐의 토출 위치에 따른 단위시간당 처리액 토출 유량의 변화를 보여주는 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.
어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
이하, 도 2 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(10)는 인덱스 모듈(100)과 공정 처리 모듈(200)을 가진다. 인덱스 모듈(100)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(200)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(200)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다.
로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(200)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판들(W)을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
공정 처리 모듈(200)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 양측에는 각각 공정 챔버(260)들이 배치된다. 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정 챔버(260)들은 이송 챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정챔버(260)들이 제공된다. 공정 챔버(260)들 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 공정 챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다.
이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(200)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(200)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220)과 공정 챔버(260) 간에, 그리고 공정 챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다.
공정 챔버(260)에는 기판(W)에 대해 액 처리하는 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정 챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 기판 처리 장치(300)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 제공된 기판 처리 장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.
기판 처리 장치(300)는 기판(W)을 액 처리한다. 본 실시예에는 기판의 액 처리 공정을 세정 공정으로 설명한다. 이러한 액 처리 공정은 세정 공정에 한정되지 않으며, 사진, 애싱, 그리고 식각 등 다양하게 적용 가능하다.
도 3는 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 처리 용기(320), 지지 유닛(340), 승강 유닛(360), 액 공급 유닛(380), 홈포트(400), 그리고 제어기(600)를 포함한다.
처리 용기(320)는 내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(320)는 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 처리 용기(320)는 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부 회수통(322)은 기판 지지 유닛(340)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(326)은 내부 회수통(326)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(322)의 내측공간(322a) 및 내부 회수통(322)은 내부 회수통(322)으로 처리액이 유입되는 제1유입구(322a)로서 기능한다. 내부 회수통(322)과 외부 회수통(326)의 사이공간(326a)은 외부 회수통(326)으로 처리액이 유입되는 제2유입구(326a)로서 기능한다. 일 예에 의하면, 각각의 유입구(322a,326a)는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 각각의 회수통(322,326)의 저면 아래에는 회수 라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수통(322,326)에 유입된 처리액들은 회수 라인(322b,326b)을 통해 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.
지지 유닛(340)은 처리 공간에서 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지 및 회전시킨다. 지지 유닛(340)은 지지판(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 회전 구동 부재(348,349)를 가진다. 지지판(342)은 대체로 원형의 판 형상으로 제공되며, 상면 및 저면을 가진다. 하부면은 상부면에 비해 작은 직경을 가진다. 상면 및 저면은 그 중심축이 서로 일치하도록 위치된다.
지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 지지판(342)의 상면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 지지판(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 지지판(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다.
척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 지지판(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 지지판(342)의 상면으로부터 위로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 지지판(342)이 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 지지판(342)의 반경 방향을 따라 외측 위치와 내측 위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 외측 위치는 내측 위치에 비해 지지판(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 지지판(342)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 외측 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 내측 위치에 위치된다. 내측 위치는 척핀(346)과 기판(W)의 측부가 서로 접촉되는 위치이고, 외측 위치는 척핀(346)과 기판(W)이 서로 이격되는 위치이다.
회전 구동 부재(348,349)는 지지판(342)을 회전시킨다. 지지판(342)은 회전 구동 부재(348,349)에 의해 자기 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 회전 구동 부재(348,349)는 지지축(348) 및 구동부(349)를 포함한다. 지지축(348)은 제3방향(16)을 향하는 통 형상을 가진다. 지지축(348)의 상단은 지지판(342)의 저면에 고정 결합된다. 일 예에 의하면, 지지축(348)은 지지판(342)의 저면 중심에 고정 결합될 수 있다. 구동부(349)는 지지축(348)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 지지축(348)은 구동부(349)에 의해 회전되고, 지지판(342)은 지지축(348)과 함께 회전 가능하다.
승강 유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 지지판(342)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 기판(W)이 지지판(342)에 로딩되거나, 언로딩될 때 지지판(342)이 처리 용기(320)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(322,326)으로 유입될 수 있도록 처리 용기(320)의 높이가 조절한다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 처리 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 선택적으로, 승강 유닛(360)은 지지판(342)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
액 공급 유닛(380)은 기판(W)으로 처리액을 공급한다. 액 공급 유닛(380)은 복수 개로 제공되며, 각각은 서로 상이한 종류의 처리액들을 공급할 수 있다. 처리액은 케미칼, 린스액, 웨팅액 그리고 유기용제일 수 있다. 케미칼은 산 또는 염기 성질을 가지는 액일 수 있다. 케미칼은 황산(H2SO4), 인산(P2O5), 불산(HF) 그리고 수산화 암모늄(NH4OH)을 포함할 수 있다. 케미칼은 DSP(Diluted Sulfuric acid Peroxide) 혼합액일 수 있다. 린스액, 그리고 웨팅액은 순수(H20)일 수 있다. 유기용제는 이소프로필알코올(IPA) 액일 수 있다. 액 공급 유닛(380)은 이동 부재(381), 처리액 공급 노즐(391), 그리고 웨팅 노즐(392)을 포함 할 수 있다.
이동 부재(381)는 처리액 공급 노즐(391)을 공정 위치 및 대기 위치로 이동시킨다. 공정 위치는 처리액 공급 노즐(391)이 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)과 대향되는 위치이다. 일 예에 의하면, 공정 위치는 기판(W)의 상면에 처리액을 토출하는 위치이다. 또한 공정 위치는 전처리 위치 및 후처리 위치를 포함한다. 전처리 위치는 처리액 공급 노즐(391)이 제1공급 위치에 처리액을 공급하는 위치이고, 후처리 위치는 처리액 공급 노즐(391)이 제2공급 위치에 처리액을 공급하는 위치로 제공된다. 제1공급 위치는 제2공급 위치보다 기판(W)의 중심에 더 가까운 위치이고, 제2공급 위치는 기판의 단부를 포함하는 위치일 수 있다. 선택적으로 제2공급 위치는 기판의 단부에 인접한 영역일 수 있다. 대기 위치는 처리액 공급 노즐(391)이 공정 위치를 벗어난 위치로 정의한다. 일 예에 의하면, 대기 위치는 기판(W)에 공정 처리 전 또는 공정 처리가 완료된 이후에 처리액 공급 노즐(391)이 대기하는 위치일 수 있다. 대기 위치는 기판(W)에 공정 처리 전 또는 공정 처리가 완료된 이후에 홈포트(400)에서 대기하는 위치일 수 있다.
이동 부재(381)는 지지축(386), 아암(382), 그리고 구동기(388)를 포함한다. 지지축(386)은 바울(320)의 일측에 위치된다. 지지축(386)은 그 길이방향이 제3방향을 향하는 로드 형상을 가진다. 지지축(386)은 구동기(388)에 의해 회전 가능하도록 제공된다. 지지축(386)은 승강 이동이 가능하도록 제공된다. 아암(382)은 지지축(386)의 상단에 결합된다. 아암(382)은 지지축(386)으로부터 수직하게 연장된다. 아암(382)의 끝단에는 처리액 공급 노즐(391)이 결합된다. 아암(382)의 내부에는 처리액을 처리액 공급 노즐(391)로 공급하는 처리액 공급 라인(미도시)이 제공될 수 있다. 또한, 처리액 공급 라인(미도시)에는 처리액 공급 노즐(391)의 처리액 토출을 조절하는 밸브(미도시)가 설치될 수 있다. 밸브(미도시)는 온/오프 밸브 또는 유량 조절 밸브로 제공될 수 있다. 또한, 처리액 공급 노즐(391)은 기판(W)의 상면에 대한 처리액 토출 각도를 조절 가능하도록 아암(382)에 결합될 수 있다. 지지축(386)이 회전됨에 따라 처리액 공급 노즐(391)은 아암(382)과 함께 스윙 이동 가능하다. 처리액 공급 노즐(391)은 스윙 이동되어 공정 위치 및 대기 위치로 이동될 수 있다. 선택적으로 아암(382)은 그 길이방향을 향해 전진 및 후진 이동이 가능하도록 제공될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 처리액 공급 노즐(391)이 이동되는 경로는 공정 위치에서 기판(W)의 중심축과 일치될 수 있다.
또한, 이동 부재(381)는 복수로 제공될 수 있다. 복수의 이동 부재(381) 중 어느 하나는 처리액 공급 노즐(391)과 결합되고, 복수의 이동 부재(381) 중 다른 하나는 웨팅 노즐(392)과 결합될 수 있다. 복수의 이동 부재(381)들은 서로 독립적으로 구동될 수 있다. 또한, 처리액 공급 노즐(391)과 이동 부재(381)의 결합 관계는 웨팅 노즐(392)과 결합되는 이동 부재에 마찬가지로 적용될 수 있다.
상술한 예에서는 이동 부재(381)가 복수로 제공되고, 각각의 이동 부재(381)에 처리액 공급 노즐(391)과 웨팅 노즐(392)이 결합되는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 이동 부재(381)는 단수로 제공될 수 있다. 또한, 단수의 이동 부재(381)가 가지는 아암(382)에 처리액 공급 노즐(391), 그리고 웨팅 노즐(392)이 결합될 수 있다.
홈포트(400)는 처리 공정을 수행하지 않는 노즐(391, 392)들이 대기 및 보관되는 장소로 제공된다. 홈호트(400)에는 대기 중인 각 노즐(391, 392)들이 처리액을 토출할 수 있다. 홈포트(400)에는 처리액을 외부로 배출하는 배출 라인(미도시)이 연결될 수 있다. 이에, 노즐(391, 392)들이 홈포트(400)로 토출한 처리액을 외부로 배출할 수 있다.
제어기(600)는 기판 처리 장치(300)를 제어할 수 있다. 제어기(600)는 기판 처리 장치(300)가 가지는 구성들을 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(600)는 지지 유닛(340), 그리고 액 공급 유닛(380)을 제어할 수 있다. 또한, 제어기(600)는 후술하는 기판 처리 방법을 기판 처리 장치(300)가 수행할 수 있도록 수행할 수 있도록 기판 처리 장치(300)를 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(600)는 후술하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있도록 지지 유닛(340), 그리고 액 공급 유닛(380)을 제어할 수 있다.
이하에서는 도 4 와 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 기판을 처리하는 방법에 대하여 상세히 설명한다.
도 4는 도 3의 처리액 공급 노즐이 기판에 처리액(C)을 토출하는 일 실시예를 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 처리액 공급 노즐(391)은 처리액 공급 노즐(391)이 대기하는 홈포트(400)로부터 기판(W)의 상면에 처리액(C)을 토출하는 공정 위치로 이동한다. 예컨대, 처리액 공급 노즐(391)은 홈포트(400)로부터 기판(W)의 중앙 영역으로 처리액(C)을 토출하는 위치로 이동할 수 있다. 처리액 공급 노즐(391)은 기판(W)에 처리액(C)을 토출하는 공정 위치로 이동하는 도중에 기판(W)으로부터 이격된 위치부터 처리액(C) 토출을 시작할 수 있다. 예컨대, 처리액 공급 노즐(391)은 기판(W)으로부터 이격된 기판(W)의 외측 영역부터 처리액(C)의 토출을 시작할 수 있다. 또한, 처리액(C)의 토출이 시작되는 토출 시작 지점은 기판(W)의 외측 영역이고, 기판(W)을 감싸는 처리 용기(320) 내의 처리 공간일 수 있다. 즉, 처리액 공급 노즐(391)은 기판(W)으로부터 이격된 기판(W)의 외측 영역부터 처리액(C) 토출을 시작하되 토출 시작 지점은 처리 공간 내이고, 처리액(C) 토출을 계속하는 상태로 기판(W)의 상부로 진입할 수 있다. 또한, 처리액 공급 노즐(391)이 토출하는 처리액은 케미칼 또는 유기 용제 일 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 처리 공정에서 시간에 따른 단위 시간당 처리액 토출 유량의 변화를 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 처리액 공급 노즐(391)이 처리액 토출을 시작하는 시점(t11)에는 처리액 공급 노즐(391)과 연결된 밸브가 열린다. 처리액 공급 노즐(391)이 처리액 토출을 중단하는 시점(t13)에는 처리액 공급 노즐(391)과 연결된 밸브가 닫힌다. 밸브가 열고 닫히면서 밸브 내 다이어프램(Diaphrgm)의 마찰이 발생한다. 다이어프램(Diaphrgm)의 마찰로 밸브 내부에는 파티클(Particle)이 유발된다. 즉, 처리액 공급 노즐(391)이 처리액 토출을 시작하는 시점(t11)에는 밸브 내에 파티클(Particle)이 유발된다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 밸브 내에서 유발된 파티클(Particle)은 기판(W)으로 공급되지 않고, 처리액(C)과 함께 기판(W)으로부터 이격된 기판(W)의 외측 영역으로 토출된다. 이에, 기판(W)의 상면으로 처리액(C)이 토출되기 시작하는 시점(t12)에는 청정한 상태의 처리액(C)이 기판(W)으로 토출될 수 있다.
이하에는, 도 6 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판을 처리하는 방법에 대하여 상세히 설명한다.
도 6은 도 3의 웨팅 노즐이 기판에 웨팅액을 토출하는 모습을 보여주는 도면이고, 도 7은 도 3의 처리액 공급 노즐이 기판에 처리액을 토출하는 다른 실시예를 보여주는 도면이다. 도 6과 도 7을 참조하면, 웨팅 노즐(392)은 회전하는 기판(W)으로 웨팅액(R)을 토출할 수 있다. 웨팅액(R)은 순수일 수 있다. 웨팅 노즐(392)은 처리액 공급 노즐(391)이 기판(W)의 상면에 처리액(C)을 토출하기 이전에 웨팅액(R)을 토출할 수 있다. 기판(W)으로 토출된 웨팅액(R)은 액막을 형성할 수 있다. 처리액 공급 노즐(391)은 기판(W)에 웨팅액(R)의 액막이 형성된 이후, 기판(W)의 외측 영역에서 처리액(C)의 토출을 시작할 수 있다. 예컨대, 처리액 공급 노즐(391)은 기판(W)의 외측 영역에서 처리액(C)의 토출을 시작하고 처리액(C) 토출을 계속하면서 기판(W)의 상부로 진입할 수 있다.
처리액 공급 노즐(391)이 기판(W)의 외측 영역에서부터 처리액(C) 토출을 시작하고 토출을 계속하여 회전하는 기판(W)의 상부로 진입하는 경우, 기판(W)에 토출되는 처리액(C)은 비산될 수 있다. 비산된 처리액(C)은 처리 용기(320)의 내측면과 부딪히고, 이에 처리 용기(320)의 내측면에 부착되어 있는 불순물들이 기판(W)으로 떨어질 수 있다. 그러나, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 기판(W)에 웨팅액(R)이 토출된 이후 처리액(C)을 토출한다. 더 상세하게는 기판(W)에 공급된 웨팅액(R)이 액막을 형성한 이후 처리액(C)을 토출한다. 이에 처리 용기(320)에 부착되어 있던 불순물들은 기판(W)에 형성된 웨팅액(R)의 액막으로 떨어진다. 웨팅액(R)의 액막으로 떨어진 불순물들은 이후에 공급되는 처리액(C)과 함께 처리 공간 내로 씻겨져 내려간다. 이에 기판(W)에 불순물이 부착되는 것을 최소화 할 수 있다.
또한, 웨팅액(R)의 액막이 형성된 이후 처리액(C)이 토출되기 때문에, 처리액(C)이 비산되는 정도를 최소화 할 수 있다. 이에 비산된 처리액(C)에 의해 기판(W)에 불순물이 부착되는 것을 최소화 할 수 있다.
도 8은 도 3의 처리액 공급 노즐이 기판에 처리액을 토출하는 다른 실시예를 보여주는 도면이다. 도 8을 참고하면, 처리액 공급 노즐(391)은 기판(W)의 반경방향 외측을 향하도록 하향 경사진 상태로 기판(W)의 중심을 향하는 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 처리액 공급 노즐(391)은 기판(W)의 중심을 향하는 방향으로 이동하면서 처리액(C)을 토출할 수 있다. 이때, 처리액 공급 노즐(391)이 처리액(C)의 토출을 시작하는 토출 시작 지점은 기판(W)으로부터 이격된 기판(W)의 외측 영역이면서 처리 용기(320)가 가지는 처리 공간 내일 수 있다. 처리액 공급 노즐(391)이 기판(W)의 반경방향 외측을 향하도록 하향 경사진 상태로 이동하면서 처리액(C)이 비산되는 것을 더욱 최소화 할 수 있다.
도 9는 처리액 공급 노즐의 토출 위치에 따른 기판의 회전 속도 변화를 보여주는 도면이다. 도 9를 참조하면, 처리액 공급 노즐(391)은 홈포트(400)로부터 처리액 공급 노즐(391)은 처리액의 토출을 시작하는 토출 시작 위치(L2), 기판의 가장 자리 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L1), 그리고 기판의 중앙 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L0)를 순차적으로 이동 수 있다. 토출 시작 지점(L2)은 기판으로부터 이격된 기판(W)의 외측 영역이면서 처리 용기(320)가 가지는 처리 공간인 지점일 수 있다. 또한, 처리액 토출 노즐(391)은 처리액을 토출하면서 이동할 수 있다.
처리액 공급 노즐(391)이 기판의 중앙 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L0)까지 이동하는 도중 기판(W)의 회전 속도는 변경될 수 있다. 처리액 공급 노즐(391)이 기판의 중앙 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L0)까지 이동하였을 때의 기판의 회전 속도(V2)는 이동이 이루어지는 도중의 기판(W)의 회전속도보다 높을 수 있다. 또한, 처리액 공급 노즐(391)이 기판의 중앙 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L0)까지 이동하면서 기판의 회전 속도는 점진적으로 증가할 수 있다. 예컨대, 처리액 공급 노즐(391)이 기판의 가장 자리 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L1)에서 기판의 중앙 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L0)로 이동함에 따라 기판의 회전 속도는 점진적으로 증가할 수 있다. 기판의 회전 속도는 기판의 가장자리 영역이 기판의 중앙 영역보다 크다. 이는 기판의 가장자리 영역의 반경 길이가 더 크기 때문이다. 처리액 공급 노즐(391)이 기판의 가장 자리 영역에 처리액을 토출할 때에는 기판의 회전 속도를 낮춤으로써 처리액이 비산되는 것을 최소화 할 수 있다.
또한, 토출 시작 위치(L2)에서 기판 가장자리 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L1)까지 이동시 기판의 회전속도는 일정할 수 있다. 또한, 처리액 공급 노즐(391)이 토출 시작 위치(L2)에 위치하면 기판의 회전이 시작될 수 있다. 이후, 기판은 설정된 속도(V1)에 도달할 수 있다. 이후, 처리액 공급 노즐(391)이 기판의 가장자리 영역에 처리액을 토출하는 위치(L1)에 위치할 때까지 기판의 회전속도는 설정된 속도(V1)로 일정하게 유지될 수 있다.
도 10은 처리액 공급 노즐의 토출 위치에 따른 단위시간당 처리액 토출 유량의 변화를 보여주는 도면이다. 도 10을 참조하면, 처리액 공급 노즐(391)은 홈포트(400)로부터 처리액 공급 노즐(391)이 처리액의 토출을 시작하는 토출 시작 위치(L2), 기판의 가장 자리 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L1), 그리고 기판의 중앙 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L0)를 순차적으로 이동 수 있다. 토출 시작 지점(L2)은 기판으로부터 이격된 기판의 외측 영역이면서 처리 용기(320)가 가지는 처리 공간인 지점일 수 있다. 또한, 처리액 토출 노즐(391)은 처리액을 토출하면서 이동할 수 있다.
처리액 공급 노즐(391)이 기판(W)의 중앙 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L0)까지 이동하는 도중 기판으로 토출되는 처리액의 단위시간당 토출량이 변경될 수 있다. 처리액 공급 노즐(391)이 기판의 중앙 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L0)까지 이동하였을 때의 기판으로 토출되는 처리액의 단위시간당 토출량(D2)은 이동이 이루어지는 도중의 기판으로 토출되는 처리액의 단위시간당 토출량보다 클 수 있다. 또한, 처리액 공급 노즐(391)이 기판의 중앙 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L0)까지 이동하면서 기판으로 토출되는 처리액의 단위시간당 토출량은 점진적으로 증가할 수 있다. 예컨대, 처리액 공급 노즐(391)이 기판의 가장 자리 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L1)에서 기판의 중앙 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L0)로 이동됨에 따라 기판으로 토출되는 처리액의 단위시간당 토출량은 점진적으로 증가할 수 있다. 기판의 회전 속도는 기판의 가장 자리 영역이 기판의 중앙 영역보다 크다. 이는 기판의 가장자리 영역의 반경 길이가 더 크기 때문이다. 처리액 공급 노즐(391)이 기판의 가장 자리 영역에 처리액을 토출할 때에는 기판으로 토출되는 처리액의 단위시간당 토출량을 낮춰 처리액이 비산되는 것을 최소화 할 수 있다.
또한, 토출 시작 위치(L2)에서 기판의 가장자리 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L1)까지 이동시 기판으로 토출되는 처리액의 단위시간당 토출량은 일정할 수 있다. 또한, 처리액 공급 노즐(391)이 토출 시작 위치(L2)에 위치하면 처리액 토출이 시작될 수 있다. 이후, 기판으로 토출되는 처리액의 단위시간당 토출량은 설정된 토출량(D1)에 도달할 수 있다. 이후, 처리액 공급 노즐(391)이 기판의 가장자리 영역에 처리액을 토출하는 위치(L1)에 위치할 때까지 기판으로 토출되는 처리액의 단위시간당 토출량는 설정된 유량(D1)으로 일정하게 유지될 수 있다.
상술한 예에서 처리액의 비산을 최소화 할 수 있는 방법에 대해서 설명하였다. 상술한 예에서는 처리액의 비산을 최소화 할 수 있는 방법을 각각 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상술한 예에서 설명한 처리액의 비산을 최소화 할 수 있는 방법은 단독으로 사용되거나 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예컨대, 처리액 공급 노즐(391)이 반경방향 외측을 향하도록 하향 경사진 상태로 이동하면서 기판의 회전 속도를 변경할 수 있다. 또는 처리액 공급 노즐(391)이 반경방향 외측을 향하도록 하향 경사진 상태로 이동하면서 처리액의 단위시간당 토출유량을 변경할 수 있다.
상술한 예에서는 기판 처리 장치(300)가 세정 공정을 수행하는 장치인 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 상술한 기판 처리 방법 및 장치는 기판을 처리하는 모든 공정에 적용될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
380: 액 공급 유닛
391: 처리액 공급 노즐
392: 웨팅 노즐
600: 제어기

Claims (23)

  1. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    회전하는 기판 상에 노즐로부터 처리액을 토출하여 기판을 처리하되,
    상기 노즐이 대기하는 홈포트로부터 상기 기판에 처리액을 토출하는 위치로 상기 노즐이 이동하는 도중에 상기 기판으로부터 이격된 상기 기판의 외측 영역부터 상기 처리액의 토출을 시작하는 기판 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 노즐은 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하되,
    상기 노즐이 상기 처리액을 토출하면서 이동되는 도중 상기 기판의 회전속도가 변경되는 기판 처리 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 노즐이 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하였을 때 상기 기판의 회전속도는 상기 이동이 이루어지는 도중의 상기 기판의 회전속도보다 높은 기판 처리 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 노즐이 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하면서 상기 기판의 회전 속도는 점진적으로 증가하는 기판 처리 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 노즐이 상기 기판의 외측 영역에서 상기 기판의 가장자리 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동시 상기 기판의 회전속도는 일정한 기판 처리 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 노즐은 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하되,
    상기 노즐이 상기 처리액을 토출하면서 이동되는 도중 상기 기판으로 토출되는 상기 처리액의 단위시간당 토출량이 변경되는 기판 처리 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 노즐이 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하였을 때 상기 기판으로 토출되는 상기 처리액의 단위시간당 토출량은 상기 이동이 이루어지는 도중에 상기 기판으로 토출되는 상기 처리액의 단위시간당 토출량보다 큰 기판 처리 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 노즐이 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하면서 상기 기판으로 공급되는 상기 처리액의 단위시간당 토출량은 점진적으로 증가하는 기판 처리 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판은 상기 기판을 감싸는 처리 용기 내의 처리 공간에 배치되고, 상기 처리액의 토출되는 토출 시작 지점은 상기 처리액이 상기 기판을 감싸는 처리 용기 내인 기판 처리 방법.
  10. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리액이 상기 기판의 상면에 토출되기 전 상기 기판에 웨팅액을 공급하는 기판 처리 방법.
  11. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 노즐은 상기 기판의 반경방향 외측을 향하도록 하향 경사진 상태로 상기 기판의 중심을 향하는 방향으로 이동하면서 상기 처리액을 토출하는 기판 처리 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 처리액은 케미칼이고 상기 웨팅액은 순수인 기판 처리 방법.
  13. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 상부가 개방된 처리 공간을 가지는 처리 용기와;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛과;
    상기 지지 유닛에 지지되고, 회전하는 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐을 가지는 액 공급 유닛과;
    상기 처리액 공급 노즐이 대기하는 홈 포트와;
    제어기를 포함하되,
    상기 제어기는,
    상기 홈 포트로부터 상기 기판에 처리액을 토출하는 위치로 상기 처리액 공급 노즐을 이동시키고,
    상기 처리액 공급 노즐이 이동하는 도중에 상기 기판으로부터 이격된 상기 기판의 외측 영역으로부터 상기 처리액의 공급을 시작하도록 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 처리액 공급 노즐을 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중영 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동시키되,
    상기 처리액 공급 노즐이 상기 처리액을 토출하면서 이동하는 도중 상기 기판의 회전 속도를 변경하도록 상기 액 공급 유닛과 상기 지지 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 처리액 공급 노즐이 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하였을 때 상기 기판의 회전속도가 상기 이동이 이루어지는 도중의 상기 기판의 회전속도보다 높도록 상기 액 공급 유닛과 상기 지지 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하면서 상기 기판의 회전 속도가 점진적으로 증가하도록 상기 액 공급 유닛과 상기 지지 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제어기는
    상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판의 외측 영역에서 상기 기판의 가장자리 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동시 상기 기판을 일정한 속도로 회전시키도록 상기 액 공급 유닛과 상기 지지 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 처리액 공급 노즐이 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하되,
    상기 처리액 공급 노즐이 상기 처리액을 토출하면서 이동하는 도중 상기 기판으로 토출하는 상기 처리액의 단위시간당 토출량을 변경시키도록 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 처리액 공급 노즐이 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하였을 때 상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판으로 토출하는 상기 처리액의 단위시간당 토출량이 상기 이동이 이루어지는 도중에 상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판으로 토출하는 상기 처리액의 단위시간당 토출량보다 크도록 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하면서 상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판으로 공급하는 상기 처리액의 단위시간당 토출량을 점진적으로 증가시키도록 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  21. 제13항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 처리액 공급 노즐이 토출하는 상기 처리액의 토출 시작 지점이 상기 처리 공간이 되도록 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  22. 제13항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액 공급 유닛은,
    상기 기판으로 웨팅액을 공급하는 웨팅 노즐을 포함하되,
    상기 제어기는,
    상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판의 상면에 상기 처리액을 토출하기 전 상기 기판에 상기 웨팅액을 공급하도록 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  23. 제13항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판의 반경방향 외측을 향하도록 하향 경사진 상태로 상기 기판의 중심을 향하는 방향으로 이동하면서 상기 처리액을 토출하도록 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
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