KR20080057145A - 회수컵세정방법 및 기판처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 회수컵세정방법은, 기판의 처리에 사용된 약액이 이끌어지는 회수공간을 구획하는 내벽을 가지고, 그 회수공간으로 인도된 약액을 회수를 위하여 소정의 약액회수로로 이끌기 위한 회수컵을 세정하는 방법이며, 상기 회수공간의 내벽을, 세정액을 사용하여 세정하는 세정액세정스텝과, 이 세정액세정스텝 후에, 상기 회수공간의 내벽을, 상기 회수공간을 통하여 회수해야 할 상기 약액과 동종의 세정용약액을 사용하여 세정하는 약액세정스텝과, 상기 세정액세정스텝에 있어서 상기 회수공간으로 인도되는 세정액 및 상기 약액세정스텝에 있어서 상기 회수공간으로 인도되는 세정용약액을, 상기 약액회수로와는 다른 폐액로로 이끌어서 폐기하는 폐기스텝을 포함한다.
회수컵세정방법, 기판처리장치

Description

회수컵세정방법 및 기판처리장치{RECOVERY CUP CLEANING METHOD AND SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS}
이 발명은, 기판의 처리에 사용된 후의 약액을 이끌기 위한 회수컵을 세정하는 회수컵세정방법 및 이러한 회수컵세정방법이 사용되는 기판처리장치에 관한 것이다. 처리의 대상이 되는 기판에는, 예를 들면, 반도체웨이퍼, 액정표시장치용 유리기판, 플라즈마 디스플레이용 유리기판, FED(Field Emission Display)용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판 등이 포함된다.
반도체장치나 액정표시장치의 제조공정에서는, 반도체웨이퍼나 액정표시패널용 유리기판 등의 기판의 표면에 약액에 의한 처리를 실시하기 위해서, 기판을 1장씩 처리하는 매엽(枚葉)식의 기판처리장치가 이용되는 경우가 있다. 이 종류의 기판처리장치의 중에는, 약액의 소비량의 저감을 꾀하기 위해서, 기판의 처리에 쓴 후의 약액을 회수하여, 그 회수한 약액을 이후의 처리에 재이용할 수 있게 구성된 것이 있다.
약액을 재이용할 수 있는 구성의 기판처리장치는, 예를 들면, 기판을 거의 수평한 자세로 파지해서 회전시키는 스핀척과, 이 스핀척에 파지된 기판의 표면에 대하여 약액을 공급하기 위한 제1노즐 및 제2노즐과, 기판으로부터 비산하는 처리액을 받아서 회수하기 위한 회수컵을 구비하고 있다(예를 들면, US 2004/0050491A1).
회수컵은, 예를 들면, 스핀척의 주위를 둘러싸는 환상(環狀)의 개구부를 상하 복수단(複數段)으로 가지고 있다. 또한, 회수컵은, 스핀척에 대하여 오르내릴 수 있게 구성되고 있으며, 그 오르내림에 의해, 각 단(段)의 개구부를 스핀척에 파지된 기판의 단면에 대하여 선택적으로 대향시킬 수 있다.
이러한 구성의 기판처리장치에서는, 기판의 표면에 제1노즐로부터의 약액(제1약액)에 의한 처리 및 제2노즐로부터의 약액(제2약액)에 의한 처리를 행할 수 있고, 또한, 처리에 사용한 각 약액을 분별해서 회수할 수 있다.
다시 말해, 스핀척에 의해 기판을 회전시키면서, 제1노즐로부터 기판의 표면에 제1약액을 공급함으로써, 기판의 표면에 제1약액에 의한 처리를 행할 수 있다. 기판의 표면에 공급된 제1약액은, 기판의 회전에 의한 원심력을 받아서, 기판의 가장자리로부터 측방(側方)으로 비산한다. 따라서, 이때, 회수컵의 예컨대 제1개구부를 기판의 단면(端面)에 대향시켜 두면, 기판의 가장자리로부터 비산하는 제1약액이 그 제1개구부로 비입(飛入)하고, 그 제1개구부에 비입한 제1약액은, 제1개구부에 연통하는 제1약액용의 회수공간에 의해 제1약액용의 약액회수로(藥液回收路)로 인도된다. 그리고, 이 제1약액용의 약액회수로를 통해서 제1약액용의 회수탱크로 회수되고, 다시, 제1노즐로부터 기판에 대하여 공급된다.
또한, 스핀척에 의해 기판을 회전시키면서, 제2노즐로부터 기판의 표면에 제2약액을 공급함으로써, 기판의 표면에 제2약액에 의한 처리를 행할 수 있다. 그리고, 이때, 회수컵의 제2개구부를 기판의 단면에 대향시켜 두면, 기판의 가장자리로부터 원심력에 의해 비산하는 제2약액이 제2개구부에 비입하고, 그 제2개구부에 비입한 제2약액은, 제2개구부에 연통하는 제2약액용의 회수공간에 의해 제2약액용의 약액회수로로 인도된다. 그리고, 제2약액용의 약액회수로를 통해서 제2약액용의 회수탱크로 회수되고, 다시, 제2노즐로부터 기판에 대하여 공급된다.
그런데, 약액회수로에서 회수되는 약액에 이물이 포함되는 경우가 있어, 이것이 파티클이 되어서 기판오염의 원인이 되는 문제가 있었다.
예를 들면, 기판의 표면으로부터 불필요해진 레지스트막을 제거하기 위한 애싱처리 후에 행하여지는 폴리머 제거처리에서는, 애싱처리 후의 기판의 표면에 약액이 공급되어서, 기판의 표면에 부착되어 있는 다량의 폴리머(레지스트 찌꺼기)가 제거된다. 그리고, 다량의 폴리머는, 약액과 함께 회수컵의 회수공간을 통해 약액회수로로 이끌어지지만, 회수공간을 유통하는 과정에서, 그 폴리머가 회수공간의 내벽에 부착된다. 이 폴리머가 시간의 경과에 의해 결정화한다. 이 경우, 결정화한 폴리머가, 회수공간을 유통하는 약액에 이물로서 혼입하는 경우가 있다. 또한, 기판처리에 사용된 약액이 처리 후에 회수컵의 회수공간의 내벽에 부착된 그대로의 상태로 방치되면, 그 약액은 시간의 경과에 의해 결정(結晶)한다. 이 경우, 결정화한 약액이, 회수공간을 유통하는 약액에 이물로서 들어가는 경우도 있다.
이 때문에, 회수컵의 내벽을, 세정액을 사용하여 세정하고, 그 내벽에 부착 하고 있는 부착물을 제거하는 것이 바람직하다. 그러나, 회수컵의 내벽을, 세정액을 사용하여 세정하면, 세정액이 약액회수로에 들어가, 회수탱크에 모아져 있는 약액에 세정액이 혼입한다. 약액에 세정액이 섞이면 약액이 희석되어서 열화(劣化)하고, 기판처리시에 있어서의 처리레이트가 저하하는 문제가 있다.
이 발명의 목적은, 회수공간의 내벽을 세정액으로 세정해도, 약액회수로에 세정액이 들어가버리는 것을 억제할 수 있는 회수컵세정방법을 제공하는 것이다.
또한, 이 발명의 다른 목적은, 파티클의 발생을 억제할 수 있는 동시에, 기판에 대하여 약액을 사용한 처리를 적절하게 행할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것이다.
이 발명의 회수컵세정방법은, 기판의 처리에 사용된 약액이 이끌어지는 회수공간을 구획하는 내벽을 가지고, 그 회수공간으로 이끌어진 약액을 회수하기 위하여 소정의 약액회수로로 이끌기 위한 회수컵을 세정하는 방법이며, 상기 회수공간의 내벽을, 세정액을 사용하여 세정하는 세정액세정스텝과, 이 세정액세정스텝 후에, 상기 회수공간의 내벽을, 상기 회수공간을 통하여 회수해야 할 상기 약액과 동종의 세정용약액을 사용하여 세정하는 약액세정스텝과, 상기 세정액세정스텝에 있어서 상기 회수공간으로 인도되는 세정액 및 상기 약액세정스텝에 있어서 상기 회수공간으로 인도되는 세정용약액을, 상기 약액회수로와는 다른 폐액로(廢液路)로 이끌어서 폐기하는 폐기스텝을 포함한다.
이 방법에 따르면, 회수공간의 내벽이 세정액 및 세정용약액에 의해 세정되어, 그 세정에 사용된 세정액 및 세정용약액은, 회수공간으로부터 폐액로로 인도되어서 폐기된다. 이 때문에, 회수공간의 내벽의 세정에 사용된 세정액이 약액회수로 에 들어가는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 따라서, 회수공간의 내벽을 세정액으로 세정해도, 공급약액중에 세정액이 혼입하는 경우는 거의 없다. 이로써, 약액을 사용한 처리를 기판에 대하여 적절하게 시행할 수 있다.
또한, 세정액을 사용하여 회수공간의 내벽이 세정된 후에, 약액과 동종의 세정용약액을 사용해서 회수공간의 내벽이 세정된다. 따라서, 세정액세정스텝후에 약액회수공간의 내벽에 부착된 세정액은 세정용약액에 의해 씻겨내려간다. 이로써, 공급약액 중에 세정액이 포함되는 것을 더욱 확실하게 억제 또는 방지할 수 있다.
상기 회수공간이, 기판을 파지해서 회전시키기 위한 기판회전유닛의 주위를 둘러싸도록 배치되고 있으며, 상기 방법은, 상기 세정액세정스텝 및 상기 약액세정스텝과 병행하여, 상기 기판회전유닛을 작동시키는 기판회전유닛작동스텝을 더 포함하고, 상기 세정액세정스텝은, 상기 기판회전유닛을 향하여 세정액을 공급하는 세정액공급스텝을 포함하고, 상기 약액세정스텝은, 상기 기판회전유닛을 향하여 세정용약액을 공급하는 약액공급스텝을 포함하는 것이 바람직하다.
이 경우, 작동상태에 있는 기판회전유닛에 대하여 세정액 또는 세정용약액이 공급되므로, 기판회전유닛에 대하여 기판회전유닛의 주위에 비산한 세정액 또는 세정용약액은 회수공간내로 이끌어진다. 그리고, 회수공간 내에 진입한 세정액 또는 세정용약액이 내벽을 흘러내림으로써, 회수공간의 내벽이 세정된다. 이로써, 간단한 방법으로, 세정액 또는 세정용약액을 회수컵의 회수공간 내에 진입시킬 수 있다.
상기 기판회전유닛작동스텝은, 상기 기판회전유닛에 파지된 더미기판을 회전 시키는 스텝이며, 상기 세정액공급스텝은, 상기 회전되고 있는 더미기판에 대하여 세정액을 공급하는 스텝을 포함하고, 상기 약액공급스텝은, 상기 회전되어 있는 더미기판에 대하여 세정용약액을 공급하는 스텝을 포함하고 있어도 좋다. 이 경우, 더미기판에 공급된 세정액 또는 세정용약액은, 더미기판의 회전에 의한 원심력에 의해, 더미기판의 가장자리를 향하여 흘러, 그 가장자리로부터 비산한다. 예를 들면 더미기판은 처리대상인 기판과 같은 형상 및 사이즈로 형성되고 있으며, 이 때문에, 더미기판의 가장자리로부터 비산하는 세정액 및 세정용약액은, 기판처리시에 있어서의 기판의 가장자리로부터 비산하는 약액과 마찬가지로 회수공간내로 이끌어진다. 이로써, 세정액 및 세정용약액을 사용해서 회수공간의 내벽을 효율적으로 세정할 수 있다.
상기 기판회전유닛작동스텝은, 상기 기판회전유닛의 작동속도를 변경하는 작동속도변경스텝을 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우, 기판회전유닛의 작동속도가 변경하면, 기판회전유닛으로부터 비산하는 세정액 또는 세정용약액의 방향이 변화하여, 회수컵에 있어서의 세정액 또는 세정용약액의 착액위치가 변화된다. 이 때문에, 기판회전유닛의 작동속도를 소정의 범위내에서 변경시키면, 회수공간 내에서 광범위하게 세정액 또는 세정용약액을 널리 퍼지게 할 수 있다. 이로써, 회수공간의 내벽을 더 적절하게 세정할 수 있다.
상기 세정액세정스텝 및 상기 약액세정스텝 중 적어도 한 쪽과 병행하여 행해지고, 상기 기판회전유닛과 상기 회수컵을 상기 기판회전유닛에 의해 회전되는 기판의 회전축선(回轉軸線)과 평행한 방향으로 상대적으로 이동시키는 이동스텝을 더 포함하는 것이 바람직하다. 회수컵의 세정시에, 기판회전유닛과 회수컵을 기판의 회전축선과 평행한 방향으로 대향적으로 이동하면, 회수컵에 있어서의 세정액 또는 세정용약액의 착액위치(着液位置)가 변화한다. 이 때문에, 기판회전유닛의 작동속도를 소정의 범위내에서 변경시키면, 회수공간 내에서 광범위하게 세정액 또는 세정용약액을 널리 퍼지게 할 수 있다. 이로써, 회수공간의 내벽을 더 적절하게 세정할 수 있다.
이 발명의 기판처리장치는, 기판에 약액을 공급하는 약액공급유닛과, 기판의 처리에 사용된 약액이 이끌어지는 회수공간을 구획하는 내벽을 가지는 회수컵과, 상기 회수공간으로 이끌어지는 약액을 회수하기 위한 약액회수로와, 상기 회수공간으로 이끌어지는 액(液)을 폐기하기 위한 폐액로와, 상기 회수공간으로 이끌어지는 액을, 상기 약액회수로와 상기 폐액로에 선택적으로 이끄는 절환(切換)유닛과, 상기 회수공간의 내벽을 세정하기 위한 세정액을 공급하는 세정액공급유닛과, 이 세정액공급유닛에 의해 상기 회수공간의 내벽에 세정액이 공급된 후에, 상기 회수공간을 통하여 회수해야 할 상기 약액과 동종의 세정용약액을 상기 회수공간의 내벽에 공급하는 세정용약액공급유닛과, 상기 약액공급유닛에 의해 기판에 약액을 공급할 때에는 상기 회수공간으로 이끌어진 약액을 상기 약액회수로에 이끄는 한편, 상기 세정액공급유닛에 의해 상기 회수공간의 내벽에 세정액을 공급할 때 및 상기 세정용약액공급유닛에 의해 상기 회수공간의 내벽에 세정용약액을 공급할 때에는, 상기 회수공간으로 인도된 액을 상기 폐액로에 이끌도록 상기 절환유닛을 제어하는 제어유닛을 구비한다.
이 구성에 따르면, 회수공간의 내벽이 세정액 및 세정용약액에 의해 세정되고, 그 세정에 사용된 세정액 및 세정용약액은, 회수공간에서 폐액로로 인도되어서 폐기된다. 이 때문에, 회수공간의 내벽의 세정에 사용된 세정액이 약액회수로로 들어가는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 따라서, 회수공간의 내벽을 세정액으로 세정해도, 공급약액 중에 세정액이 혼입하는 경우는 거의 없다. 이로써, 약액을 사용한 처리를 기판에 대하여 적절하게 시행할 수 있다.
기판을 파지하면서 회전시키기 위한 기판회전유닛을 더 포함하고, 상기 약액공급유닛은, 상기 기판회전유닛을 향하여 약액을 공급하는 약액노즐을 포함하고, 상기 세정액공급유닛은, 상기 기판회전유닛을 향하여 세정액을 공급하는 세정액노즐을 포함하고, 상기 세정용약액공급유닛은, 상기 기판회전유닛을 향하여 세정용약액을 공급하는 세정용약액노즐을 포함하는 것이 바람직하다.
이 경우, 회전상태에 있는 기판회전유닛을 향하여 세정액노즐로부터 세정액이 공급된다. 또한, 세정용약액노즐로부터 세정용약액이 공급된다. 기판회전유닛을 향하여 공급된 세정액 또는 세정용약액은, 기판회전유닛의 회전에 의한 원심력에 의해, 기판회전유닛의 주위로 비산하여, 회수공간 내에 진입한다. 그리고, 세정액 또는 세정용약액이 회수공간의 내벽을 타고 흘러, 회수공간의 내벽이 세정된다.
상기 약액공급유닛이 상기 세정용약액공급유닛으로서 겸용되고 있어도 좋다. 이로써, 구성을 간단히 할 수 있다.
상기 기판회전유닛 및 상기 회수컵은, 처리챔버 내에 수용되고 있으며, 상기 처리챔버의 외부에는, 상기 기판회전유닛에 파지시킬 수 있는 더미기판을 파지해 두기 위한 더미기판파지부가 설치되어 있어도 좋다. 이 경우, 처리챔버의 외부에 더미기판파지부가 설치되므로, 처리챔버 내에 수용되어 있는 기판회전유닛에 대하여 더미기판을 용이하게 파지시킬 수 있다.
이 발명에 있어서의 전술의, 또는 또 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부 도면을 참조해서 다음에 진술하는 실시형태의 설명에 의해 밝혀진다.
이 발명에 의하면, 회수공간의 내벽을 세정액으로 세정해도, 약액회수로에 세정액이 들어가는 것을 억제할 수 있는 회수컵세정방법을 제공할 수 있다.
또한, 이 발명에 의하면, 파티클의 발생을 억제할 수 있는 동시에, 기판에 대하여 약액을 사용한 처리를 적절하게 행할 수 있는 기판처리장치를 제공할 수 있다.
도 1은, 이 발명의 일 실시형태(제1의 실시형태)에 관한 기판처리장치의 레이아웃을 나타내는 도해적인 평면도이다. 이 기판처리장치는, 기판의 일례인 반도체웨이퍼(이하, 간단히「웨이퍼」라고 한다.)(W)에 대하여 1장씩 처리를 행하는 매엽식의 장치이며, 인덱서부(1)와, 이 인덱서부(1)의 일방측에 결합된 기판처리부(2)와, 인덱서부(1)의 타방측(기판처리부(2)와 반대측)에 나란히 배치된 복수(이 실시형태에서는 3개)의 카세트파지부(3)를 구비하고 있다. 각 카세트파지부(3)에는, 복수장의 웨이퍼(W)를 다단으로 적층한 상태로 수용해서 파지하는 카세트(C1)(복수장의 웨이퍼(W)를 밀폐한 상태로 수납하는 FOUP(Front Opening Unified Pod), SMIF(Standard Mechanical Inter Face)포드, OC(Open Cassette)등)이 재치되어 있다.
인덱서부(1)에는, 카세트파지부(3)의 배열방향으로 연장된 직선반송로(直線搬送路)(4)가 형성되어 있다.
직선반송로(4)에는, 인덱서로봇(5)이 배치되어 있다. 인덱서로봇(5)은, 직선반송로(4)에 따라 왕복이동할 수 있게 설치되어 있으며, 각 카세트파지부(3)에 재치된 카세트(C1)에 대향할 수 있다. 또한, 인덱서로봇(5)은, 웨이퍼(W)를 파지하기 위한 핸드(도시하지 않음)를 구비하고 있다. 인덱서로봇(5)은, 카세트(C1)에 대향한 상태에서, 그 카세트(C1)에 핸드를 액세스시켜서, 카세트(C1)로부터 미처리의 웨이퍼(W)를 꺼내거나, 처리를 마친 웨이퍼(W)를 카세트(C1)에 수용하거나 할 수 있다. 또한, 인덱서로봇(5)은, 직선반송로(4)의 중앙부에 위치한 상태로, 기판처리부(2)에 대하여 핸드를 액세스시켜서, 후술하는 반송로봇(16)에 미처리웨이퍼(W)를 주고받거나, 반송로봇(16)으로부터 처리를 마친 웨이퍼(W)를 받거나 할 수 있다.
기판처리부(2)에는, 인덱서부(1)의 직선반송로(4)의 중앙부로부터 그 직선반송로(4)와 직교하는 방향으로 연장된 반송실(6)이 형성되어 있다. 기판처리부(2)에는, 4개의 처리유닛(7, 8, 9, 10)과, 이 처리유닛(7∼10)과 동일한 수의 유체박스(11, 12, 13, 14)가 구비되어 있다. 구체적으로는, 반송실(6)의 길이방향과 직교하는 방향의 일방측에, 처리유닛(7, 8)이 반송실(6)에 연하여 나란히 배치되어 있다. 그리고, 처리유닛(7)의 처리유닛(8)과 반대측에, 유체박스(11)가 배치되고, 처리유닛(8)의 처리유닛(7)과 반대측에, 유체박스(12)가 배치되어 있다. 또한, 반송 실(6)을 사이에 두고 처리유닛(7, 8)과 각각 대향하는 위치에, 처리유닛(9, 10)이 배치되어 있다. 처리유닛(9)의 처리유닛(10)과 반대측에는, 유체박스(13)가 배치되고, 처리유닛(10)의 처리유닛(9)과 반대측에는, 유체박스(14)가 배치되어 있다.
반송실(6)의 중앙에는, 반송로봇(16)이 배치되어 있다. 이 반송로봇(16)은, 웨이퍼(W)를 파지하는 핸드(도시하지 않음)를 구비하고 있다. 반송로봇(16)은, 핸드를 각 처리유닛(7∼10)에 액세스시켜서, 각 처리유닛(7∼10)에 웨이퍼(W)를 반입 및 반출할 수 있다. 또한, 반송로봇(16)은, 인덱서로봇(5)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 주고 받기를 행할 수 있다.
또한, 반송로봇(16)에 대하여 인덱서부(1)와 반대측에는, 후술하는 회수컵세정처리에 사용되는 더미웨이퍼(DW)를 파지해 두기 위한 더미웨이퍼파지대(15)가 배치되어 있다. 더미웨이퍼파지대(15)에는, 복수장 (예를 들면 4장)의 더미웨이퍼(DW)를 적층한 상태로 수용해서 파지하는 카세트(C2)가 재치되어 있다.
반송로봇(16)은, 또한, 더미웨이퍼파지대(15)위의 카세트(C2)로부터 더미웨이퍼(DW)를 꺼내거나, 사용을 마친 더미웨이퍼(DW)를 더미웨이퍼파지대(15)위의 카세트(C2)에 수용하거나 할 수 있다. 또한, 반송로봇(16)은, 핸드를 각 처리유닛(7∼10)에 액세스시켜서, 각 처리유닛(7∼10)에 대하여 더미웨이퍼(DW)를 반입 및 반출할 수 있다. 각 처리유닛(7∼10)에서는, 동일내용의 처리가 행하여져 있어도 좋고, 다른 내용의 처리가 행하여져 있어도 좋다.
도 2는, 처리유닛(7)의 내부의 구성예를 도해적으로 나타내는 단면도이다. 처리유닛(7)은, 웨이퍼(W)에 제1약액, 제2약액 및 순수(탈이온수)를 선택적으로 공 급하여, 그 웨이퍼(W)에 제1약액에 의한 처리 및 제2약액에 의한 처리를 실시하기 위한 장치이다. 처리유닛(7)의 처리챔버(17)안에는, 웨이퍼(W)를 거의 수평으로 파지해서 회전시키기 위한 스핀척(20)과, 이 스핀척(20)을 수용하는 회수컵(30)과, 스핀척(20)에 파지된 웨이퍼(W)의 표면에 각각 제1약액, 제2약액 및 순수를 공급하기 위한 제1약액노즐(50), 제2약액노즐(51) 및 순수(純水)노즐(52)이 배치되어 있다.
스핀척(20)은, 거의 연직으로 뻗은 스핀 축(軸)(21)과, 스핀 축(21)의 상단에 거의 수평으로 설치된 스핀베이스(22)와, 이 스핀베이스(22)의 상면에 입설(入設)된 복수 개의 협지부재(挾持部材)(23)를 구비하고 있다. 스핀베이스(22)의 표면은 평탄면(平坦面)으로 형성되어 있다.
복수개의 협지부재(23)는, 스핀 축(21)의 회전축선을 중심으로 하는 원주상에 거의 동일한 간격으로 배치되어 있다. 협지부재(23)는, 웨이퍼(W)의 단면(端面)을 서로 다른 복수의 위치에서 협지하여, 그 웨이퍼(W)를 거의 수평한 자세로 파지한다.
스핀 축(21)에는, 모터 등의 구동원(驅動源)을 포함하는 척회전구동기구(24)가 결합되어 있다. 복수개의 협지부재(23)에 의해 웨이퍼(W)를 파지한 상태에서, 척회전구동기구(24)로부터 스핀 축(21)에 회전력을 입력하고, 스핀 축(21)을 그 중심축선 둘레로 회전시키는 것에 의해, 그 웨이퍼(W)를 스핀베이스(22)와 함께 스핀 축(21)의 중심축선 둘레로 회전시킬 수 있다.
제1약액노즐(50) 및 제2약액노즐(51)은, 스핀척(20)의 윗쪽에 설치된 제1아 암(53)의 선단에 장착되어 있다. 제1아암(53)은, 스핀척(20)의 측방으로 거의 연직으로 뻗은 아암 지지축(54)에 지지되고 있으며, 이 아암 지지축(54)의 하단부에서 거의 수평으로 뻗어 있다. 아암 지지축(54)에는, 제1아암 구동기구(55)가 결합되어 있다. 제1아암(53)은, 이 제1아암 구동기구(55)의 구동력에 의해 아암 지지축(54)을 소정 각도범위내에서 회동시키는 것에 의해, 소정 각도범위내에서 수평회동할 수 있다.
제1약액노즐(50)에는, 제1약액공급원(56)으로부터의 제1약액이, 제1약액공급로(57)을 통하여 공급되게 되어 있다. 제1약액공급로(57)의 도중부(途中部)에는, 제1약액의 공급/정지를 절환하기 위한 제1약액밸브(58)가 개장(介裝)되어 있다. 제1약액공급원(56)은, 제1약액을 저류(貯留)하는 제1약액탱크(59)와, 이 제1약액탱크(59)로부터 약액을 흡출하여 제1약액공급로(57)로 송출하는 약액펌프(60)를 갖추고 있다.
또한, 제2약액노즐(51)에는, 제2약액공급원(61)으로부터의 제2약액이, 제2약액공급로(62)를 통하여 공급되게 되어 있다. 제2약액공급로(62)의 도중부에는, 제2약액의 공급/정지를 절환하기 위한 제2약액밸브(63)가 개장되어 있다. 제2약액공급원(61)은, 제2약액을 저류하는 제2약액탱크(64)와, 이 제2약액탱크(64)로부터 제2약액을 흡출하여 제2약액공급로(62)로 송출하는 약액펌프(65)를 갖추고 있다.
제1약액 및 제2약액으로서는, 웨이퍼(W)의 표면에 대한 처리의 내용에 따른 것이 이용된다. 예를 들면, 웨이퍼(W)의 표면에서 불필요한 레지스트막을 박리하는 레지스트 박리처리라면, SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:황산과산화 수소수)등의 레지스트 박리액이 사용되고, 웨이퍼(W)의 표면에서 폴리머(레지스트 찌꺼기)를 제거하는 폴리머 제거처리이면, APM(a㎜onia-hydrogen peroxide mixture:암모니아 과산화수소수)등의 폴리머 제거액이 사용되고, 웨이퍼(W)의 표면에서 산화막이나 금속박막 등을 에칭 제거하는 에칭처리이면, 불산, 황산, 질산, 염산, 인산, 아세트산, 암모니아, 과산화수소수, 구연산, 옥살산, TMAH, 왕수(王水) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 에칭액을 쓸 수 있다.
순수(純水)노즐(52)은, 스핀척(20)의 윗쪽에 설치된 제2아암(66)의 선단에 장착되어 있다. 제2아암(66)은, 스핀척(20)의 측방으로 거의 연직으로 뻗은 아암 지지축(67)에 지지되고 있으며, 이 아암 지지축(67)의 하단부에서 거의 수평으로 뻗어 있다. 아암 지지축(67)에는, 제2아암구동기구(68)가 결합되어 있다. 제2아암(66)은, 이 제2아암구동기구(68)의 구동력에 의해 아암 지지축(67)을 소정 각도범위내에서 회동시키는 것에 의해, 소정 각도범위내에서 수평회동할 수 있다.
순수노즐(52)에는, 순수공급원으로부터의 순수가, 순수공급로(69)를 통하여 공급되게 되어 있다. 순수공급로(69)의 도중부에는, 순수의 공급/정지를 절환하기 위한 순수밸브(70)가 개장되어 있다.
회수컵(30)은, 웨이퍼(W)의 처리에 사용된 후의 제1약액 및 제2약액을 회수하기 위한 것이다. 회수컵(30)은, 유저원통용기상(有底圓筒容器狀)의 컵(31)과, 이 컵(31)의 윗쪽에 설치되어, 이 컵(31)에 대하여 오르내릴 수 있는 스플래쉬 가드(32)를 구비하고 있다.
컵(31)의 저부에는, 웨이퍼(W)의 처리에 사용된 처리액(제2약액을 포함하는 순수)를 폐액하기 위한 폐액홈(36)이, 웨이퍼(W)의 회전축선(스핀 축(21)의 중심축선)을 중심으로 하는 원환상(圓環狀)으로 형성되어 있다. 또한, 컵(31)의 저부에는, 폐액홈(36)을 둘러싸도록, 웨이퍼(W)의 처리를 위해 사용된 후의 제1약액 및 제2약액을 각각 회수하기 위한 원환상의 제1회수홈(34) 및 제2회수홈(35)이 형성되어 있다. 구체적으로는, 폐액홈(36)의 외측에 제2회수홈(35)이 형성되고 있으며, 또한, 제2회수홈(35)의 외측에 제1회수홈(34)이 형성되어 있다. 또한, 제1회수홈(34)을 둘러싸도록, 웨이퍼(W)의 처리에 사용된 처리액(제1약액을 포함하는 순수)을 폐액하고, 또한, 웨이퍼(W)의 주위의 분위기를 배기하기 위한 배기액홈(排氣液溝)(33)이 형성된다.
배기액홈(33)에는, 도시되지 않은 폐액처리설비나 배기설비로 인도하기 위한 배기액로(37)가 접속되어 있다.
제1회수홈(34)에는, 제1회수/폐액로(38)가 접속되어 있다. 제1회수/폐액로(38)의 선단에는, 제1분기회수로(39)와 제1분기폐액로(40)가 분기되어 접속되어 있다. 제1회수/폐액로(38)에는, 제1회수/폐액로(38)를 유통하는 액을, 제1분기회수로(39)와 제1분기폐액로(40)로 선택적으로 이끄는 제1절환밸브(41)가 개장되어 있다. 이 제1절환밸브(41)는, 예를 들면 삼방향밸브에 의해 구성되어 있다. 제1분기회수로(39)의 선단은, 제1약액탱크(59)로 뻗어 있다. 웨이퍼(W)의 처리를 위하여 사용된 후의 제1약액은, 이 제1분기회수로(39)를 통하여 제1약액탱크(59)로 회수되어서 재이용할 수 있게 되어 있다. 또한, 제1분기폐액로(40)는, 도시되지 않은 폐액처리설비로 연장되어 있다.
제2회수홈(回收溝)(35)에는, 제2회수/폐액로(42)가 접속되어 있다. 제2회수/폐액로(42)의 선단에는, 제2분기회수로(43)와 제2분기폐액로(44)가 분기되어 접속되어 있다. 제2회수/폐액로(42)에는, 제2회수/폐액로(42)를 유통하는 액을, 제2분기회수로(43)와 제2분기폐액로(44)로 선택적으로 이끄는 제2절환밸브(45)가 개장되어 있다. 이 제2절환밸브(45)는, 예를 들면 삼방향밸브에 의해 구성되어 있다. 제2분기회수로(43)의 선단은, 제2약액탱크(64)로 뻗어 있다. 웨이퍼(W)의 처리를 위하여 사용된 후의 제2약액은, 이 제2분기회수로(43)를 통하여 제2약액탱크(64)로 회수되어서 재이용할 수 있게 되어 있다. 또한, 제2분기폐액로(44)는, 도시되지 않은 폐액처리설비로 뻗어 있다.
또한, 폐액홈(36)에는, 웨이퍼(W)의 처리에 사용된 처리액을 도시되지 않은 폐액처리설비로 인도하기 위한 폐액로(46)가 접속되어 있다.
스플래쉬 가드(32)는, 서로 크기가 다른 4개의 우산상부재(71, 72, 73, 74)를 포개서 구성되어 있다. 스플래쉬 가드(32)에는, 예를 들면 서보 모터등을 포함하는 가드승강구동기구(75)가 결합되고 있으며, 이 가드승강구동기구(75)가 제어되는 것에 의해, 스플래쉬 가드(32)를 컵(31)에 대하여 승강(상하동)시킬 수 있다.
각 우산상부재(71∼74)는, 웨이퍼(W)의 회전축선에 대하여 거의 회전대칭한 형상을 가지고 있다.
우산상부재(71)는, 웨이퍼(W)의 회전축선을 중심축선으로 하는 원통상의 원통부(76)와, 이 원통부(76)의 상단부로부터 중심측으로 비스듬하게 위쪽(웨이퍼(W)의 회전축선에 근접하는 방향)으로 뻗은 경사부(77)와, 원통부(76)의 상단부에서 중심측으로 비스듬히 아래쪽으로 뻗은 폐액안내부(廢液案內部)(78)를 구비하고 있다. 원통부(76)의 하단은, 제2회수홈(35)위에 위치하고, 폐액안내부(78)의 하단은, 폐액홈(36)위에 위치하고 있다.
우산상부재(72)는, 우산상부재(71)의 원통부(76)를 둘러싸도록 설치되고, 웨이퍼(W)의 회전축선을 중심축선으로 하는 동축원통상(同軸圓筒狀)의 원통부(79, 80)와, 이들 원통부(79, 80)의 상단을 연결하여, 웨이퍼(W)의 회전축선을 향하여 여는 단면이 거의 디귿자 모양인 연결부(81)와, 이 연결부(81)의 상단으로부터 중심측에서 비스듬하게 위쪽으로 뻗은 경사부(82)를 구비하고 있다. 안쪽(중심측)의 원통부(79)의 하단은, 제2회수홈(35)위에 위치하고 있다. 외측의 원통부(80)의 하단은, 제1회수홈(34)위에 위치하고 있다.
우산상부재(73)는, 우산상부재(72)의 원통부(80)를 둘러싸도록 설치되고, 웨이퍼(W)의 회전축선을 중심축선으로 하는 동축원통상의 원통부(83, 84)와, 외측의 원통부(84)의 상단으로부터 중심측에서 비스듬하게 위쪽으로 뻗은 경사부(85)를 갖추고 있다. 안쪽의 원통부(83)의 하단은, 제1회수홈(34)위에 위치하고 있다. 외측의 원통부(84)의 하단은, 배기액홈(33)위에 위치하고 있다.
우산상부재(74)는, 우산상부재(73)의 원통부(84)를 둘러싸도록 설치되고, 웨이퍼(W)의 회전축선을 중심축선으로 하는 원통상의 원통부(86, 89)와, 안쪽의 원통부(86)의 상단으로부터 중심측에서 비스듬하게 위쪽으로 뻗은 경사부(87)를 갖추고 있다. 안쪽의 원통부(86)의 하단은 배기액홈(33)위에 위치하고 있다. 외측의 원통부(89)는 컵(31)의 바깥둘레면의 일부를 덮도록 형성되어 있다. 또한, 경사부(87) 의 하단부에서는, 바깥쪽을 향하여 길게 뻗은 플랜지(鍔狀部材)(88)가 형성되어 있다.
우산상부재(71∼74)의 상단연(上端緣)은, 웨이퍼(W)의 회전축선을 중심축선으로 하는 원통면상에 있어서, 그 웨이퍼(W)의 회전축선을 따른 방향(연직방향)으로 간격을 두어서 위치하고 있다.
우산상부재(74)의 상단연과 우산상부재(73)의 상단연과의 사이에는, 웨이퍼(W)로부터 비산하는 처리액을 비입시켜서, 그 처리액을 배기액홈(33)으로 포집하기 위한 원환상의 제1개구부(92)가 형성되어 있다. 우산상부재(74)의 내면과 우산상부재(73)의 외면과 배기액홈(33)에 의해, 웨이퍼(W)의 처리에 사용된 처리액 등이 이끌어지는 제1공간(91)이 구획되어 있다.
또한, 우산상부재(73)의 상단연과 우산상부재(72)의 상단연과의 사이에는, 웨이퍼(W)로부터 비산하는 제1약액을 비입시켜서, 그 제1약액을 제1회수홈(34)으로 포집하기 위한 원환상의 제2개구부(94)가 형성되어 있다. 우산상부재(73)의 내면과 우산상부재(72)의 외면과 제1회수홈(34)에 의해, 웨이퍼(W)의 처리에 사용된 후의 제1약액이 이끌어지는 제2공간(93)이 구획되어 있다.
더욱, 우산상부재(72)의 상단연과 우산상부재(71)의 상단연과의 사이에는, 웨이퍼(W)로부터 비산하는 제2약액을 비입시켜서, 그 제2약액을 제2회수홈(35)으로 포집하기 위한 원환상의 제3개구부(96)가 형성되어 있다. 우산상부재(72)의 내면과 우산상부재(71)의 외면과 제2회수홈(35)에 의해, 웨이퍼(W)의 처리에 사용된 후의 제2약액이 이끌어지는 제3공간(95)이 구획되어 있다.
경사부(77)의 상단연과 폐액안내부(78)의 하단연과의 사이에는, 웨이퍼(W)로부터 비산하는 처리액을 포획하기 위한 제4개구부(98)가 형성되어 있다. 우산상부재(71)의 내면과 폐액홈(36)에 의해, 웨이퍼(W)의 처리에 사용된 처리액이 이끌어지는 제4공간(97)이 구획되어 있다.
도 3은, 이 기판처리장치의 제어계의 구성을 설명하기 위한 블록도이다. 이 기판처리장치에 있어서는, 메인제어부(100)가, 인덱서로봇(5), 반송로봇(16) 및 복수의 처리유닛(7∼10)의 각각과 접속되어 있다. 메인제어부(100)는, 인덱서로봇(5) 및 반송로봇(16)에 의한 웨이퍼(W)의 반송동작을 제어한다. 메인제어부(100)는, 반송로봇(16)에 의한 더미웨이퍼(DW)의 반송동작을 제어한다.
또한, 메인제어부(100)는, 처리유닛(7∼10)과의 사이에서, 처리조건이나 진행상황 등을 의미하는 각종의 데이터를 주고받는다.
또한, 처리유닛(7)안에는, 로컬제어부(101)가 설치되어 있다. 로컬제어부(101)에는, 척회전구동기구(24), 제1아암 구동기구(55), 제2아암구동기구(68), 제1약액밸브(58), 제2약액밸브(63), 순수밸브(70), 가드승강구동기구(75), 제1절환밸브(41) 및 제2절환밸브(45) 등이 제어대상으로서 접속되어 있다.
로컬제어부(101)는, 척회전구동기구(24), 제1아암 구동기구(55), 제2아암구동기구(68) 및 가드승강구동기구(75)의 동작을 제어한다. 로컬제어부(101)는, 또한, 제1약액밸브(58), 제2약액밸브(63) 및 순수밸브(70)의 개폐나, 제1절환밸브(41) 및 제2절환밸브(45)의 절환을 제어한다.
도 4는, 처리유닛(7)에 있어서 행하여지는 처리예를 설명하기 위한 플로우챠 트이다. 또한, 도 5(a)∼5(e)은, 웨이퍼(W)의 처리시에 있어서의 스핀척(20) 및 회수컵(30)의 대향위치관계를 나타내는 도해적인 부분단면도이다. 이하, 도 2, 도 3, 도 4, 도 5(a)∼5(e)을 참조하고, 처리유닛(7)에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리에 대해서 설명한다.
처리대상인 웨이퍼(W)의 반입전에는, 그 반입에 방해가 안되도록, 스플래쉬 가드(32)가 최하쪽의 퇴피위치(退避位置)(도 5(a)참조.)로 내려져 있다. 이 스플래쉬 가드(32)의 퇴피위치에서는, 우산상부재(74)의 상단이 스핀척(20)에 의한 웨이퍼(W)의 파지 위치의 아래쪽에 위치하고 있다.
처리대상인 미처리웨이퍼(W)는, 반송로봇(16)에 의해 처리유닛(7)안에 반입되어서, 그 표면(디바이스 형성면)을 윗쪽을 향한 상태로 스핀척(20)에 파지된다(스텝S1). 웨이퍼(W)가 스핀척(20)에 파지되면, 척회전구동기구(24)가 제어되어, 스핀척(20)에 의한 웨이퍼(W)의 회전(스핀베이스(22)의 회전)이 개시되어, 웨이퍼(W)의 회전속도를 예를 들면 1500rpm까지 올릴 수 있다. 또한, 가드승강구동기구(昇降驅動機構)(75)가 제어되어, 스플래쉬 가드(32)가, 제2개구부(94)가 웨이퍼(W)의 단면에 대향하는 제2개구부대향위치(도 5(b)참조)까지 상승된다. 또한, 제1아암 구동기구(55)가 제어되어 제1아암(53)이 회동하고, 제1약액노즐(50) 및 제2약액노즐(51)은, 스핀척(20)의 측방의 퇴피위치로부터 웨이퍼(W)의 상방위치로 이동된다.
웨이퍼(W)의 회전속도가 1500rpm에 달하면, 제1약액밸브(58)가 열려서, 제1약액노즐(50)로부터 웨이퍼(W)의 표면의 회전중심을 향하여 제1약액이 공급된다. 웨이퍼(W)의 표면에 공급된 제1약액은, 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력에 의해, 웨이퍼(W)의 가장자리를 향하여 흐른다. 이로써, 웨이퍼(W)의 표면에 제1약액을 사용해서 처리하는 제1약액처리가 행해진다(스텝S2). 웨이퍼(W)의 가장자리를 향하여 흐르는 제1약액은, 웨이퍼(W)의 가장자리로부터 측방으로 비산하여, 웨이퍼(W)의 단면(端面)에 대향하고 있는 제2개구부(94)에 비입한다. 그리고, 그 제2개구부(94)에 비입한 제1약액은, 우산상부재(72)의 외면 또는 우산상부재(73)의 내면을 타고 제1회수홈(34)으로 모아져, 제1회수/폐액로(38)로 보내진다. 이때, 제1절환밸브(41)에 의해 제1회수/폐액로(38)를 지나는 제1약액은 제1분기회수로(39)로 이끌어지도록 되고 있으며, 그 때문에, 제1약액은 제1분기회수로(39)를 통하여, 제1약액공급원(56)의 제1약액탱크(59)로 회수된다.
웨이퍼(W)로의 제1약액의 공급개시로부터 소정의 처리시간이 경과하면, 제1약액밸브(58)가 닫혀져, 제1약액노즐(50)로부터의 제1약액의 공급이 정지된다. 또한, 제1아암 구동기구(55)가 제어되어 제1아암(53)이 회동하고, 제1약액노즐(50) 및 제2약액노즐(51)은, 웨이퍼(W)의 상방위치로부터 스핀척(20)의 측방의 퇴피위치로 퇴피된다. 또한, 제2아암구동기구(68)가 제어되어 제2아암(66)이 회동하고, 순수노즐(52)은, 스핀척(20)의 측방의 퇴피위치로부터 웨이퍼(W)의 상방위치로 이동된다. 또한, 가드승강구동기구(75)가 구동되어서, 스플래쉬 가드(32)가, 웨이퍼(W)의 단면에 제4개구부(98)가 대향하는 제4개구부대향위치(도 5(c)참조)까지 올려진다.
스플래쉬 가드(32)가 제4개구부대향위치에 이르면, 순수밸브(70)가 열려서 순수노즐(52)로부터 회전상태에 있는 웨이퍼(W)의 표면의 회전중심을 향하여 순수가 공급된다. 웨이퍼(W)의 표면에 공급된 순수는, 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력에 의해, 웨이퍼(W)의 가장자리를 향하여 흐른다. 이로써, 웨이퍼(W)의 표면에 부착되고 있는 제1약액을 순수에 의해 씻어 버리는 린스처리가 행해진다(스텝S3). 웨이퍼(W)의 가장자리를 향하여 흐르는 순수는, 웨이퍼(W)의 가장자리로부터 측방으로 비산한다. 웨이퍼(W)의 가장자리로부터 비산하는 순수(웨이퍼(W)로부터 씻겨내려간 제1약액을 포함한다.)는, 웨이퍼(W)의 단면에 대향하고 있는 제4개구부(98)에 포획되어, 우산상부재(71)의 내면을 타고 폐액홈(36)으로 모아져, 그 폐액홈(36)으로부터 폐액로(46)를 통해서 도시되지 않은 폐액처리설비로 이끌어진다.
순수의 공급개시로부터 소정의 처리시간이 경과하면, 순수밸브(70)가 닫혀져서, 웨이퍼(W)로의 순수의 공급이 정지된다. 그 후, 제2아암구동기구(68)가 제어되어 제2아암(66)이 회동하고, 순수노즐(52)은 웨이퍼(W)의 상방위치로부터 스핀척(20)의 측방의 퇴피위치로 퇴피된다. 또한, 제1아암 구동기구(55)가 제어되어 제1아암(53)이 회동하고, 제1약액노즐(50) 및 제2약액노즐(51)은, 스핀척(20)의 측방의 퇴피위치로부터 웨이퍼(W)의 상방위치로 이동된다. 또한, 가드승강구동기구(75)가 구동되어서, 스플래쉬 가드(32)가, 웨이퍼(W)의 단면에 제3개구부(96)가 대향하는 제3개구부대향위치(도 5(d)참조.)까지 내려진다.
스플래쉬 가드(32)가 제3개구부대향위치에 이르면, 제2약액밸브(63)가 열려서 제2약액노즐(51)로부터 회전상태에 있는 웨이퍼(W)의 표면의 회전중심을 향하여 제2약액이 공급된다. 웨이퍼(W)의 표면에 공급된 제2약액은, 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력에 의해, 웨이퍼(W)의 가장자리를 향하여 흐른다. 이로써, 웨이퍼(W)의 표면에 제2약액을 사용해서 처리하는 제2약액처리가 행해진다(스텝S4). 웨이퍼(W)의 가장자리를 향하여 흐르는 제2약액은, 웨이퍼(W)의 가장자리로부터 측방으로 비산하여, 웨이퍼(W)의 단면에 대향하고 있는 제3개구부(96)에 비입한다. 그 제3개구부(96)에 비입한 제2약액은, 우산상부재(72)의 내면 또는 우산상부재(71)의 외면을 타고 제2회수홈(35)으로 모아져, 제2회수/폐액로(42)로 보내진다. 이때, 제2절환밸브(45)에 의해 제2회수/폐액로(42)를 통하는 제2약액은 제2분기회수로(43)로 이끌어지도록 되어 있으며, 그 때문에, 제2약액은 제2분기회수로(43)가 스며들고, 제2약액공급원(61)의 제2약액탱크(64)로 회수된다.
웨이퍼(W)로의 제2약액의 공급개시로부터 소정의 처리시간이 경과하면, 제2약액밸브(63)가 닫혀져, 제2약액노즐(51)로부터의 제2약액의 공급이 정지되는 동시에, 제1아암 구동기구(55)가 제어되어 제1아암(53)이 회동하고, 제1약액노즐(50) 및 제2약액노즐(51)은, 웨이퍼(W)의 상방위치로부터 스핀척(20)의 측방의 퇴피위치로 퇴피된다. 또한, 제2아암구동기구(68)가 제어되어 제2아암(66)이 회동하고, 순수노즐(52)은, 스핀척(20)의 측방의 퇴피위치로부터 웨이퍼(W)의 상방위치로 이동된다. 또한, 가드승강구동기구(75)가 구동되어서, 스플래쉬 가드(32)가, 웨이퍼(W)의 단면에 제1개구부(92)가 대향하는 제1개구부대향위치(도 5(e)참조)까지 내려진다. 그리고, 순수밸브(70)가 열려서 순수노즐(52)로부터 회전상태에 있는 웨이퍼(W)의 표면의 회전중심을 향하여 순수가 공급되며(스텝S5), 이로써 웨이퍼(W)의 표면에 부착되어 있는 제2약액을 순수에 의해 씻어 버리는 린스처리가 행해진다. 이 린스처리시에 웨이퍼(W)의 가장자리로부터 비산하는 순수(웨이퍼(W)로부터 씻겨내려간 제2약액을 포함한다.)는, 웨이퍼(W)의 단면에 대향하고 있는 제1개구부(92)에 포획되어, 배기액홈(33)으로 모아져, 그 배기액홈(33)으로부터 배기액로(37)를 통해서 도시되지 않은 폐액처리설비로 이끌어진다.
순수의 공급개시로부터 소정의 린스시간이 경과하면, 순수밸브(70)가 닫혀져, 웨이퍼(W)로의 순수의 공급이 정지된다. 그 후, 제2아암구동기구(68)가 제어되어 제2아암(66)이 회동하고, 순수노즐(52)은 웨이퍼(W)의 상방위치로부터 스핀척(20)의 측방의 퇴피위치로 퇴피된다. 또한, 가드승강구동기구(75)가 구동되어서, 스플래쉬 가드(32)가 제1개구부대향위치부터 퇴피위치로 내려진다. 그 후, 웨이퍼(W)의 회전속도가 1500rpm으로부터 3000rpm까지 올라가서, 린스처리 후의 웨이퍼(W)의 표면에 부착되고 있는 순수를 원심력으로 떨쳐내 건조시키는 건조처리가 행해진다(스텝S6). 이러한 건조처리시에는, 스플래쉬 가드(32)는 퇴피위치에 있으며, 웨이퍼(W)의 가장자리로부터 비산하는 순수는, 우산상부재(74)의 외면에 부착된다. 건조처리가(스핀 드라이 처리가) 소정의 건조시간에 걸쳐 행하여지면, 웨이퍼(W)의 회전이 정지되어, 처리를 마친 웨이퍼(W)가 반송로봇(16)에 의해 반출되어 간다(스텝S7).
1 로트의 웨이퍼(W)의 제1약액 및 제2약액에 의한 처리 후에는(스텝S8에서 YES), 회수컵(30)의 제1∼제4공간(91, 93, 95, 97)의 내벽을 세정하는 회수컵세정처리가 실행된다(스텝S9).
도 6은, 회수컵세정처리의 흐름을 나타내는 플로우챠트이다. 이 회수컵세정 처리에서는, 예를 들면 SiC제의 더미웨이퍼(DW)를 스핀척(20)에 파지시켜, 회전상태에 있는 더미웨이퍼(DW)에 대하여 세정액으로서의 순수나 세정용약액으로서의 제1약액 또는 제2약액을 공급시켜서 행해진다. 더미웨이퍼(DW)는 처리대상의 웨이퍼(W)와 같은 형상 및 사이즈로 형성되어 있다. 그 때문에, 더미웨이퍼(DW)의 가장자리로부터 비산하는 순수, 제1약액 및 제2약액은, 웨이퍼(W)에 대한 처리시에 있어서의 웨이퍼(W)의 가장자리로부터 비산하는 순수, 제1약액 및 제2약액과 같은 위치를 향하여 비산한다. 이로써, 스플래쉬 가드(32)가 제1∼제4개구부대향위치에 있을 때(도 5(b)∼도 5(e)참조), 더미웨이퍼(DW)의 가장자리로부터 비산하는 순수, 제1약액 및 제2약액은, 각 개구부(92, 94, 96, 98)에 비입되어서, 각 공간(91, 93, 95, 97)으로 이끌어진다.
반송로봇(16)은, 더미웨이퍼파지대(15)위의 카세트(C2)로부터 더미웨이퍼(DW)를 꺼낸다. 그리고, 반송로봇(16)은, 더미웨이퍼(DW)를 처리유닛(7)안에 반입하고, 스핀척(20)에 파지시킨다(스텝T1). 더미웨이퍼(DW)가 스핀척(20)에 파지되면, 척회전구동기구(24)가 제어되어, 스핀척(20)에 의한 더미웨이퍼(DW)의 회전이 개시되어, 더미웨이퍼(DW)의 회전속도를 예를 들면 500rpm까지 올릴 수 있다. 또한, 제1절환밸브(41) 및 제2절환밸브(45)가 절환 제어되어, 이로써, 제1회수/폐액로(38)를 유통하는 액이 제1분기폐액로(40)로 이끌어지는 동시에, 제2회수/폐액로(42)를 유통하는 액이 제2분기폐액로(44)로 이끌어지게 된다(스텝T2). 또한, 가드승강구동기구(75)가 제어되어, 스플래쉬 가드(32)가 퇴피위치로부터, 제1개구부(92)가 더미웨이퍼(DW)의 단면에 대향하는 제1개구부대향위치(도 5(e)참조)까지 상승된다(스텝T3). 또한, 제2아암구동기구(68)가 제어되어 제2아암(66)이 회동하고, 순수노즐(52)은, 스핀척(20)의 측방의 퇴피위치로부터 더미웨이퍼(DW)의 상방위치로 이동된다.
더미웨이퍼(DW)의 회전속도가 500rpm에 달하면, 순수밸브(70)가 열려서, 순수노즐(52)로부터 더미웨이퍼(DW)의 표면의 회전중심을 향하여 순수가 공급된다(스텝T5).
더미웨이퍼(DW)의 표면에 공급된 순수는, 더미웨이퍼(DW)의 회전에 의한 원심력에 의해, 더미웨이퍼(DW)의 가장자리를 향하여 흘러, 더미웨이퍼(DW)의 가장자리로부터 측방으로 비산하여, 더미웨이퍼(DW)의 단면에 대향하고 있는 제1개구부(92)에 비입한다. 제1개구부(92)에서 비입한 순수는, 우산상부재(74)의 내면 및 우산상부재(73)의 외면을 타고 배기액홈(33)으로 모아져, 그 배기액홈(33)으로부터 배기액로(37)로 보내진다. 이로써, 우산상부재(74)의 내면, 우산상부재(73)의 외면 및 배기액홈(33), 즉 제1공간(91)의 내벽이 순수로 세정된다. 배기액로(37)로부터 보내진 순수는 도시되지 않은 폐액처리설비로 인도된다.
한편, 더미웨이퍼(DW)의 회전속도는 50∼1000rpm의 범위내에서 변경되고 있으며(스텝T4), 더미웨이퍼(DW)의 회전이, 정기적으로 빨라지거나, 느려지거나 하고 있다. 그 때문에, 더미웨이퍼(DW)의 가장자리로부터 비산하는 순수의 방향이 변화되어, 제1공간에 착액(着液)하는 순수의 위치가 변화된다. 이로써, 제1공간(91)안에 광범위하게 순수를 널리 퍼지게 할 수 있다. 더미웨이퍼(DW)의 상기 범위내에서의 회전속도의 변경은, 순수를 사용한 세정처리가 종료할 때까지 속행된다(스텝 T15).
미리 정한 순수세정시간(예를 들면, 5∼60초간)이 경과하면(스텝T6에서 YES), 가드승강구동기구(75)가 제어되어, 스플래쉬 가드(32)가, 제2개구부(94)가 더미웨이퍼(DW)의 단면에 대향하는 제2개구부대향위치(도 5(b)참조)까지 상승된다(스텝T7). 회전상태의 더미웨이퍼(DW)의 가장자리로부터 측방으로 비산하는 순수는, 더미웨이퍼(DW)의 단면에 대향하고 있는 제2개구부(94)에 비입한다. 제2개구부(94)로부터 비입한 순수는, 우산상부재(73)의 내면 및 우산상부재(72)의 외면을 타고 제1회수홈(34)으로 모아져, 그 제1회수홈(34)으로부터 제1회수/폐액로(38)로 보내진다. 이로써, 우산상부재(73)의 내면, 우산상부재(72)의 외면 및 제1회수홈(34), 즉 제2공간(93)의 내벽이 순수로 세정된다. 또한, 스텝T2에 있어서의 제1절환밸브(41)의 절환에 의해, 제1회수/폐액로(38)를 유통하는 액은 제1분기폐액로(40)로 이끌어지게 되고 있으므로, 제1회수/폐액로(38)를 유통하는 순수는 제1분기폐액로(40)를 통해서 도시되지 않은 폐액처리설비로 이끌어진다.
미리 정한 순수세정시간(예를 들면, 5초간∼60초간)이 경과하면(스텝T8에서 YES), 가드승강구동기구(75)가 제어되어, 스플래쉬 가드(32)가, 제3개구부(96)가 더미웨이퍼(DW)의 단면에 대향하는 제3개구부대향위치(도 5(d)참조)까지 상승된다(스텝T9). 회전상태에 있는 더미웨이퍼(DW)의 가장자리로부터 측방으로 비산하는 순수는, 더미웨이퍼(DW)의 단면에 대향하고 있는 제3개구부(96)에 비입한다. 제3개구부(96)로부터 비입한 순수는, 우산상부재(72)의 내면 및 우산상부재(71)의 외면을 타고 제2회수홈(35)으로 모아져, 제2회수/폐액로(42)로 보내진다. 이로써, 우산 상부재(72)의 내면, 우산상부재(71)의 외면 및 제2회수홈(35), 즉 제3공간(95)의 내벽이 순수로 세정된다. 또한, 스텝T2에 있어서의 제2절환밸브(45)의 절환에 의해, 제2회수/폐액로(42)를 유통하는 액은 제2분기폐액로(44)로 이끌어지게 되고 있으므로, 제2회수/폐액로(42)를 유통하는 순수는 제2분기폐액로(44)를 통해서 도시되지 않은 폐액처리설비로 이끌어진다.
미리 정한 순수세정시간(예를 들면, 5초간∼60초간)이 경과하면(스텝T10에서 YES), 가드승강구동기구(75)가 제어되어, 스플래쉬 가드(32)가, 제4개구부(98)가 더미웨이퍼(DW)의 단면에 대향하는 제4개구부대향위치(도 5(c)참조)까지 상승된다(스텝T11). 회전상태에 있는 더미웨이퍼(DW)의 가장자리로부터 측방으로 비산하는 순수는, 더미웨이퍼(DW)의 단면에 대향하고 있는 제4개구부(98)에 비입한다. 제4개구부(98)로부터 비입한 순수는, 우산상부재(71)의 내면을 타고 폐액홈(廢液溝)(36)으로 모아져, 그 폐액홈(36)으로부터 폐액로(46)로 보내진다. 이로써, 우산상부재(71)의 내면 및 폐액홈(36), 즉 제4공간(97)의 내벽이 순수로 세정된다. 폐액로(46)에 보내진 순수는 도시되지 않은 폐액처리설비로 인도된다.
미리 정한 순수세정시간(예를 들면, 5초간∼60초간)이 경과하면(스텝T12에서 YES), 가드승강구동기구(75)가 제어되어, 스플래쉬 가드(32)가 제4개구부대향위치로부터 퇴피위치(도 5(a)참조)까지 하강된다(스텝T13). 회전상태에 있는 더미웨이퍼(DW)의 가장자리로부터 측방으로 비산하는 순수는, 더미웨이퍼(DW)의 단면에 대향하고 있는 우산상부재(74)의 외면을 타고 도시되지 않는 폐액로로부터 도시되지 않은 폐액처리설비로 이끌어진다. 이로써, 웨이퍼(W)의 건조처리시에 웨이퍼(W)로 부터 비산하는 순수가 착액하는 경우가 있는 우산상부재(74)의 외면이, 순수로 세정된다.
미리 정한 순수세정시간(예를 들면, 5초간∼60초간)이 경과하면(스텝T14에서 YES), 순수밸브(70)가 닫혀져, 더미웨이퍼(DW)로의 순수의 공급이 정지된다(스텝T15). 그 후, 제2아암구동기구(68)가 제어되어 제2아암(66)이 회동하고, 순수노즐(52)은 더미웨이퍼(DW)의 상방위치로부터 스핀척(20)의 측방의 퇴피위치로 퇴피된다. 이것과 병행하여, 제1아암 구동기구(55)가 제어되어 제1아암(53)이 회동하고, 제1약액노즐(50) 및 제2약액노즐(51)은, 스핀척(20)의 측방의 퇴피위치로부터 더미웨이퍼(DW)의 상방위치로 이동된다.
그 후, 가드승강구동기구(75)가 구동되어서, 스플래쉬 가드(32)가 퇴피위치로부터 제2개구부대향위치(도 5(b)참조)까지 상승된다(스텝T16). 또한, 더미웨이퍼(DW)의 회전속도가, 그때까지의 50∼1000rpm의 범위로부터 200∼1000rpm의 범위로 변경되게 된다(스텝T17). 그 때문에, 더미웨이퍼(DW)의 가장자리로부터 비산하는 제1약액 또는 제2약액의 방향이 변화하여, 제1공간(91)안에 광범위하게 제1약액 또는 제2약액을 널리 퍼지게 할 수 있다. 더미웨이퍼(DW)에 있어서의 상기 범위(200∼1000rpm)안에서의 회전속도의 변경은, 더미웨이퍼(DW)의 회전이 정지할 때까지 속행된다(스텝T25).
그 후, 제1약액밸브(58)가 열려서, 제1약액노즐(50)로부터 더미웨이퍼(DW)의 표면의 회전중심을 향하여 제1약액이 공급된다(스텝T18). 더미웨이퍼(DW)의 표면에 공급된 제1약액은, 더미웨이퍼(DW)의 회전에 의한 원심력에 의해, 더미웨이퍼(DW) 의 가장자리를 향하여 흘러, 더미웨이퍼(DW)의 가장자리로부터 측방으로 비산하고, 더미웨이퍼(DW)의 단면에 대향하고 있는 제2개구부(94)에 비입한다. 제2개구부(94)로부터 비입한 제1약액은, 우산상부재(73)의 내면 및 우산상부재(72)의 외면을 타고 제1회수홈(34)으로 모아져, 그 제1회수홈(34)으로부터 제1회수/폐액로(38)로 보내진다. 이로써, 우산상부재(73)의 내면, 우산상부재(72)의 외면 및 제1회수홈(34), 즉 제2공간(93)의 내벽이 제1약액으로 세정된다. 또한, 스텝T2에 있어서의 제1절환밸브(41)의 절환에 의해, 제1회수/폐액로(38)를 유통하는 액은 제1분기폐액로(40)로 이끌어지게 되고 있으므로, 제1회수/폐액로(38)를 유통하는 제1약액은 제1분기폐액로(40)가 스며들어서 도시되지 않은 폐액처리설비로 이끌어진다.
미리 정한 제1약액세정시간(예를 들면, 5초간∼60초간)이 경과하면(스텝T19에서 YES), 제1약액밸브(58)가 닫혀져, 더미웨이퍼(DW)로의 제1약액의 공급이 정지된다(스텝T20). 그 후, 가드승강구동기구(75)가 구동되어서, 스플래쉬 가드(32)가 제2개구부대향위치로부터 제3개구부대향위치(도 5(d)참조)까지 상승된다(스텝T21).
스플래쉬 가드(32)가 제3개구부대향위치에 이르면, 제2약액밸브(63)가 열려서, 제2약액노즐(51)로부터 더미웨이퍼(DW)의 표면의 회전중심을 향하여 제2약액이 공급된다(스텝T22). 더미웨이퍼(DW)의 표면에 공급된 제2약액은, 더미웨이퍼(DW)의 회전에 의한 원심력에 의해, 더미웨이퍼(DW)의 가장자리를 향하여 흘러, 더미웨이퍼(DW)의 가장자리로부터 측방으로 비산하여, 더미웨이퍼(DW)의 단면에 대향하고 있는 제3개구부(96)에 비입한다. 제3개구부(96)로부터 비입한 제2약액은, 우산상부재(72)의 내면 및 우산상부재(71)의 외면을 타고 제2회수홈(35)으로 모아져, 제2회 수/폐액로(42)로 보내진다.
이로써, 우산상부재(72)의 내면, 우산상부재(71)의 외면 및 제2회수홈(35), 즉 제3공간(95)의 내벽이 제2약액으로 세정된다. 또한, 스텝T2에 있어서의 제2절환밸브(45)의 절환에 의해, 제2회수/폐액로(42)를 유통하는 제2약액은 제2분기폐액로(44)로 이끌어지게 되고 있으므로, 제2회수/폐액로(42)를 유통하는 액은 제2분기폐액로(44)를 통하여 도시되지 않은 폐액처리설비로 이끌어진다.
미리 정한 제2약액세정시간(예를 들면, 5초간∼60초간)이 경과하면(스텝T23에서 YES), 제2약액밸브(63)가 닫혀져, 더미웨이퍼(DW)로의 제2약액의 공급이 정지된다(스텝T24). 또한, 더미웨이퍼(DW)의 회전이 정지된다(스텝T25).
그 후, 가드승강구동기구(75)가 구동되어서, 스플래쉬 가드(32)가 퇴피위치로 하강된다(스텝T26). 또한, 제1절환밸브(41) 및 제2절환밸브(45)가 절환 제어되고, 이로써, 제1회수/폐액로(38)를 유통하는 액이 제1분기회수로(39)로 이끌어지는 동시에, 제2회수/폐액로(42)를 유통하는 액이 제2분기회수로(43)로 이끌어지게 된다(스텝T27).
그 후, 사용을 마친 더미웨이퍼(DW)는, 반송로봇(16)에 의해 처리유닛(7)밖으로 반출되어, 더미웨이퍼파지대(15)위의 카세트(C2)에 수용된다(스텝T28).
이상과 같이 이 실시형태에 따르면, 제1∼제4의 공간(91, 93, 95, 97)의 내벽 및 우산상부재(74)의 외면이 순수, 제1약액 또는 제2약액에 의해 세정된다. 이로써, 각 공간(91, 93, 95, 97)의 내벽이나 우산상부재(74)의 외면에 부착되어 있는 부착물이나 그 부착물의 결정을 제거할 수 있고, 이로써, 파티클의 발생을 억제 할 수 있다.
또한, 제2공간(93) 및 제3공간(95)의 내벽의 세정에 사용된 순수는, 제2공간(93) 및 제3공간(95)로부터 각각 제1분기폐액로(40) 및 제2분기폐액로(44)로 인도되어 폐액된다. 이 때문에, 제1분기회수로(39)나 제2분기회수로(43)에 순수가 들어가버리는 경우가 없다. 따라서, 제2공간(93) 및 제3공간(95)의 내벽을 순수를 사용하여 세정해도, 제1약액노즐(50)로부터 웨이퍼(W)에 공급되는 제1약액 및 제2약액노즐(51)로부터 웨이퍼(W)에 공급되는 제2약액에, 회수컵세정용의 순수가, 혼입하는 경우는 거의 없다.
또한, 순수를 사용하여 제2공간(93) 및 제3공간(95)의 내벽이 세정된 후에, 제2공간(93) 및 제3공간(95)의 내벽이, 각각 제1약액 및 제2약액을 사용하여 세정된다. 이 때문에, 순수에 의한 세정후에 제2공간(93)의 내벽 및 제3공간(95)의 내벽에 부착된 순수는, 각각 제1약액 및 제2약액에 의해 씻겨내려간다. 이 때문에, 제1약액노즐(50)로부터 웨이퍼(W)에 공급되는 제1약액 및 제2약액노즐(51)로부터 웨이퍼(W)에 공급되는 제2약액에, 회수컵세정용의 순수가 혼입하는 것을 더욱 확실하게 억제 또는 방지할 수 있다.
도 7은, 이 발명의 다른 실시형태(제2의 실시형태)에 대한 기판처리장치의 처리유닛의 구성예를 도해적으로 나타내는 단면도이다. 이러한 도 7에 있어서, 전술의 도 2에 나타낸 각 부(部)에 대응하는 부분에는, 도 2의 경우와 동일한 참조 부호를 붙여서 나타내고, 설명을 생략한다. 이 기판처리장치에서는, 전술의 도 2의 실시형태(제1의 실시형태)와는 달리, 회수컵(200)은, 컵(31) 및 스플래쉬 가드(32) 를 대신하여, 서로 독립하여 오르내릴 수 있는 내구성부재(內構成部材)(110), 중구성부재(中構成部材)(111) 및 외구성부재(外構成部材)(112)를 구비하고 있다.
내구성부재(110)는, 스핀척(20)의 주위를 둘러싸고, 스핀척(20)에 의한 웨이퍼(W)의 회전축선에 대하여 거의 회전대칭한 형상을 가지고 있다. 이 내구성부재(110)는, 평면에서 볼 때 원환상의 저부(122)와, 이 저부(122)의 안가장자리로부터 윗쪽으로 올라가는 원통상의 내벽부(123)와, 저부(122)의 바깥가장자리에서 윗쪽으로 올라가는 원통상의 외벽부(124)와, 내벽부(123)와 외벽부(124)와의 사이로부터 올라가고, 상단부가 중심측(웨이퍼(W)의 회전축선에 가까운 방향)에서 비스듬하게 위쪽으로 뻗는 제1안내부(125)를 일체적으로 구비하고 있다. 또한, 내벽부(123)와 제1안내부(125)의 사이는, 웨이퍼(W)의 처리에 사용된 처리액(제1약액 및 제2약액을 포함하는 순수)를 모아서 폐기하기 위한 폐액홈(126)으로 되어 있다. 또한, 제1안내부(125)와 외벽부(124)와의 사이는, 웨이퍼(W)의 처리에 사용된 처리액을 모아서 회수하기 위한 내측회수홈(127)으로 되어 있다. 폐액홈(126)은, 도시되지 않은 폐액처리설비로 이끌기 위한 폐액로(128)가 접속되어 있다. 또한, 내측회수홈(內側回收溝)(127)은, 제2약액을 회수하기 위한 것이고, 이 내측회수홈(127)에는, 전술의 제2회수/폐액로(42)가 접속되어 있다.
중구성부재(111)는, 스핀척(20)의 주위를 둘러싸며, 스핀척(20)에 의한 웨이퍼(W)의 회전축선에 대하여 거의 회전대칭한 형상을 가지고 있다. 이러한 중구성부재(111)는, 제2안내부(148)와, 평면에서 볼 때 원환상의 저부(149)와, 이 저부(149)의 안가장자리로부터 윗쪽으로 올라가고, 제2안내부(148)에 연결된 원통상 의 내벽부(150)와, 저부(149)의 바깥가장자리로부터 윗쪽으로 올라가는 원통상의 외벽부(151)를 일체적으로 구비하고 있다.
제2안내부(148)는, 내구성부재(110)의 제1안내부(125)의 외측에 있어서, 제1안내부(125)의 하단부와 동축원통상을 이루는 하단부(148a)와, 이 하단부(148a)의 상단으로부터 매끄러운 원호를 그리면서 중심측(웨이퍼(W)의 회전축선에 가까운 방향)비스듬하게 위쪽으로 뻗은 상단부(148b)를 가지고 있다. 하단부(148a)는, 내측회수홈(127)위에 위치하고 있다. 상단부(148b)는, 내구성부재(110)의 제1안내부(125)의 상단부(125b)와 상하 방향으로 겹치도록 설치되어 있다.
또한, 제2안내부(148)의 상단부(148b)는, 하방(下方)만큼 두께가 두껍게 형성되어 있다. 내벽부(150)는, 그 상단부(148b)의 바깥가장자리부에 연결되어 있다. 그리고, 저부(149), 내벽부(150) 및 외벽부(151)는, 단면이 거의 U자 모양을 이루고 있어, 이들의 저부(149), 내벽부(150) 및 외벽부(151)에 의해, 웨이퍼(W)의 처리에 사용된 제1약액을 모아서 회수하기 위한 외측회수홈(152)이 구획되어 있다. 외측회수홈(152)에는, 전술의 제1회수 폐액로(38)가 접속되어 있다.
외구성부재(112)는, 중구성부재(111)의 제2안내부(148)의 외측에 있어서, 스핀척(20)의 주위를 둘러싸고, 스핀척(20)에 의한 웨이퍼(W)의 회전축선에 대하여 거의 회전대칭한 형상을 가지고 있다. 이 외구성부재(112)는, 제2안내부(148)의 하단부(148a)와 동축원통상을 이루는 하단부(112a)와, 하단부(112a)의 상단으로부터 매끄러운 원호를 그리면서 중심측(웨이퍼(W)의 회전축선에 가까운 방향)으로부터 비스듬하게 위쪽으로 뻗은 상단부(112b)를 가지고 있다. 상단부(112b)는, 중구성부 재(111)의 제2안내부(148)의 상단부(148b)와 상하방향으로 겹치도록 설치되어 있다.
또한, 회수컵(200)은, 내구성부재(110)를 오르내리게 하기 위한 내구성부재승강기구(160)와, 중구성부재(111)를 오르내리게 하기 위한 중구성부재승강기구(161)와, 외구성부재(112)를 오르내리게 하기 위한 외구성부재승강기구(162)를 구비하고 있다.
내구성부재승강기구(160), 중구성부재승강기구(161) 및 외구성부재승강기구(162)는, 로컬제어부(101)(도 3참조)에 제어대상으로서 접속되어 있다. 로컬제어부(101)는, 내구성부재승강기구(160), 중구성부재승강기구(161) 및 외구성부재승강기구(162)의 동작을 제어한다.
도 8(a)∼8(c)은, 다른 실시형태에 관한 기판처리장치에 의한 웨이퍼(W)의 처리시에 있어서의 스핀척(20) 및 회수컵(200)의 상대위치관계를 나타내는 도해적인 부분단면도이다.
외구성부재(112)의 상단부(112b)가, 스핀척(20)에 파지된 웨이퍼(W)보다 윗쪽에 배치되고, 내구성부재(110)의 제1안내부(125)의 상단부(125b) 및 중구성부재(111)의 제2안내부(148)의 상단부(148b)가 웨이퍼(W)보다 아래쪽으로 배치되면(도 8(a)참조), 제2안내부(148)의 상단부(148b)와 외구성부재(112)의 상단부(112b)의 사이에, 웨이퍼(W)의 단면에 대향하는 개구가 형성된다. 회수컵(200)의 각 구성부재(110∼112)가 이러한 위치에 배치되어 있을 때, 전술의 웨이퍼(W)에 대한 제1약액을 사용한 처리가 실행된다.
웨이퍼(W)의 가장자리로부터 측방으로 비산하는 제1약액은 제2안내부(148)와 외구성부재(112)과의 사이에 비입된다. 그 비입된 제1약액은, 제2안내부(148)의 외면과 외구성부재(112)의 내면을 타고 외측회수홈(152)으로 모아져, 제1회수/폐액로(38)를 통해서 제1분기회수로(39)로 이끌어져, 제1약액공급원(56)으로 회수되게 되어 있다. 바꿔 말하면, 외구성부재(112)의 내면과 제2안내부(148)의 외면과 외측회수홈(152)에 의해, 웨이퍼(W)의 처리에 사용된 후의 제1약액이 이끌어지는 제5공간(191)이 구획되어 있다.
또한, 외구성부재(112)의 상단부(112b) 및 중구성부재(111)의 제2안내부(148)의 상단부(148b)가 웨이퍼(W)보다 윗쪽에 배치되어, 내구성부재(110)의 제1안내부(125)의 상단부(125b)가 웨이퍼(W)보다 아래쪽으로 배치되면(도 8(b)참조), 제1안내부(125)의 상단부(125b)와 제2안내부(148)의 상단부(148b)와의 사이에, 웨이퍼(W)의 단면에 대향하는 개구가 형성된다. 회수컵(200)의 각 구성부재(110∼112)가 이러한 위치에 배치되어 있을 때, 전술의 웨이퍼(W)에 대한 제2약액을 사용한 처리가 실행된다.
웨이퍼(W)의 가장자리로부터 측방으로 비산하는 제2약액은, 제1안내부(125)와 제2안내부(148)의 사이에 비입된다. 그리고, 제2안내부(148)의 내면 또는 제1안내부(125)의 외면을 타고 내측회수홈(127)으로 모아져, 내측회수홈(127)으로부터 제2회수/폐액로(42)를 통해서 제2분기회수로(43)로 인도되어, 제2약액공급원(61)로 회수되도록 되어 있다. 바꾸어 말하면, 중구성부재(111)의 내면과 내구성부재(110)의 외면과 내측회수홈(127)에 의해, 웨이퍼(W)의 처리에 사용된 후의 제2약액이 이 끌어지는 제6공간(192)이 구획되어 있다.
외구성부재(112)의 상단부(112b), 제2안내부(148)의 상단부(148b) 및 제1안내부(125)의 상단부(125b)가 웨이퍼(W)보다 윗쪽에 배치되면(도 8(c)참조), 상단부(125b)와 내벽부(123)와의 사이에, 웨이퍼(W)의 단면에 대향하는 개구가 형성된다. 각 구성부재(110∼112)와 스핀척(20)이 이러한 위치관계에 있을 때에, 웨이퍼(W)에 대한 린스처리가 실행된다.
이 린스처리에서는, 웨이퍼(W)의 가장자리로부터 측방으로 비산하는 순수(제1약액 또는 제2약액을 포함한다.)는, 내벽부(123)와 제1안내부(125)의 사이에 비입한다. 그리고, 제1안내부(125)의 내면을 타고 폐액홈(126)으로 모아져, 폐액홈(126)으로부터 폐액로(128)를 통해서 도시되지 않은 폐액설비로 인도되게 되어 있다. 바꿔 말하면, 제1안내부(125)의 내면과 폐액홈(126)에 의해, 웨이퍼(W)의 처리에 사용된 후의 처리액이 이끌어지는 제7공간(193)이 구획되어 있다.
또한, 내구성부재(110)의 제1안내부(125)의 상단부(125b), 중구성부재(111)의 제2안내부(148)의 상단부(148b) 및 외구성부재(112)의 상단부(112b)가, 스핀척(20)에 파지된 웨이퍼(W)보다 아래쪽으로 배치되는 회수컵(200)의 퇴피 상태에서는(도 7참조), 전술의 웨이퍼(W)의 반입/반출 및 전술의 건조처리가 실행된다.
회수컵(200)을 세정하는 컵 세정처리에서는, 전술의 도 6의 스텝T1∼T4과 마찬가지로 더미웨이퍼(DW)는, 반송로봇(16)에 의해 처리유닛(7)안에 반입되어서, 스핀척(20)에 파지되어, 척회전구동기구(24)가 제어되고, 스핀척(20)에 의한 더미웨이퍼(DW)의 회전이 개시되어, 더미웨이퍼(DW)의 회전속도가 예를 들면 500rpm까지 올라간다. 또한, 제1절환밸브(41) 및 제2절환밸브(45)가 절환 제어되고, 이로써, 제1회수/폐액로(38)를 유통하는 액이 제1분기폐액로(40)로 이끌어지는 동시에, 제2회수/폐액로(42)를 유통하는 액이 제2분기폐액로(44)로 이끌어지게 된다. 순수에 의한 회수컵(200)의 세정은, 제5공간(191), 제6공간(192), 제7공간(193) 및 외구성부재(112)의 외면의 순으로 행해진다. 외구성부재승강기구(162)가 제어되어, 외구성부재(112)가 상승되어, 도 8(a)에 나타내는 것 같이, 외구성부재(112)의 상단부(112b)과 제2안내부(148)의 상단부(148b)와의 사이에, 더미웨이퍼(W)의 단면이 대향하게 된다.
더미웨이퍼(DW)의 회전속도가 500rpm에 달하면, 순수노즐(52)로부터 더미웨이퍼(DW)의 표면의 회전중심을 향하여 순수가 공급된다. 더미웨이퍼(DW)의 표면에 공급된 순수는, 더미웨이퍼(DW)의 회전에 의한 원심력에 의해, 더미웨이퍼(DW)의 가장자리를 향하여 흘러, 더미웨이퍼(DW)의 가장자리로부터 측방으로 비산한다. 더미웨이퍼(DW)의 가장자리로부터 측방으로 비산하는 순수는 중구성부재(111)와 외구성부재(112)의 사이에 비입시킬 수 있다. 그리고, 그 비입한 순수는, 중구성부재(111)의 외면과 외구성부재(112)의 내면을 타고 외측회수홈(152)으로 모아져, 그 외측회수홈(152)으로부터 제1회수/폐액로(38)로 보내진다. 이로써, 외구성부재(112)의 내면과 중구성부재(111)의 외면과 외측회수홈(152), 즉 제5공간(191)의 내벽이 순수로 세정된다. 또한, 제1절환밸브(41)의 절환에 의해, 제1회수/폐액로(38)를 유통하는 액은 제1분기폐액로(40)로 이끌어지게 되고 있으므로, 제1회수/폐액로(38)를 유통하는 순수는 제1분기폐액로(40)를 통해서 도시되지 않은 폐액처 리설비로 이끌어진다.
미리 정한 순수세정시간(예를 들면, 5초간∼60초간)이 경과하면, 중구성부재승강기구(161)가 제어되어, 중구성부재(111)가 상승되고, 도 8(b)에 나타내는 것 같이, 제2안내부(148)의 상단부(148b)와 제1안내부(125)의 상단부(125b)와의 사이에, 더미웨이퍼(DW)의 단면이 대향하게 된다. 회전상태에 있는 더미웨이퍼(DW)의 가장자리로부터 측방으로 비산하는 순수는, 내구성부재(110)의 제1안내부(125)와 중구성부재(111)의 제2안내부(148)의 사이에 비입한다. 제1안내부(125)와 제2안내부(148)의 사이로부터 비입한 순수는, 제2안내부(148)의 내면 또는 제1안내부(125)의 외면을 타고 내측회수홈(127)으로 모아져, 그 내측회수홈(127)으로부터 제2회수/폐액로(42)로 보내진다. 이로써, 제2안내부(148)의 내면, 제1안내부(125)의 외면 및 내측회수홈(127), 즉 제6공간(192)의 내벽이 순수로 세정된다. 또한, 제2절환밸브(45)의 절환에 의해, 제2회수/폐액로(42)를 유통하는 액은 제2분기폐액로(44)로 이끌어지게 되어 있으므로, 제2회수/폐액로(42)를 유통하는 순수는 제2분기폐액로(44)를 통해서 도시되지 않은 폐액처리설비로 이끌어진다.
미리 정한 순수세정시간(예를 들면, 5초간∼60초간)이 경과하면, 내구성부재승강기구(160)가 제어되어, 내구성부재(110)가 상승되고, 도 8(c)에 나타내는 것 같이, 제1안내부(125)의 상단부(125b)와 내벽부(123)의 상단부와의 사이에, 더미웨이퍼(DW)의 단면이 대향하게 된다. 회전상태에 있는 더미웨이퍼(DW)의 가장자리로부터 측방으로 비산하는 순수는, 내벽부(123)와 제1안내부(125)의 사이에 비입한다. 내벽부(123)와 제1안내부(125)의 사이에 비입한 순수는, 제1안내부(125)의 내 면을 타고 폐액홈(126)으로 모아져, 폐액홈(126)으로부터 폐액로(128)로 보내진다. 이로써, 제1안내부(125)의 내면 및 폐액홈(126), 즉 제7공간(193)의 내벽이 순수로 세정된다. 폐액로(128)에 보내진 순수는 도시되지 않은 폐액처리설비로 인도된다.
미리 정한 순수세정시간(예를 들면, 5초간∼60초간)이 경과하면, 스텝T15과 같이, 더미웨이퍼(DW)로의 순수의 공급이 정지된다.
그 후, 내구성부재승강기구(160) 및 중구성부재승강기구(161)가 제어되어, 내구성부재(110) 및 중구성부재(111)가 하강되어, 도 8(a)에 나타내는 것 같이, 외구성부재(112)의 상단부(112b)과 제2안내부(148)의 상단부(148b)와의 사이에, 더미웨이퍼(DW)의 단면이 대향하게 된다.
그 상태로, 제1약액노즐(50)로부터, 더미웨이퍼(DW)의 회전중심을 향하여 제1약액이 공급된다. 더미웨이퍼(DW)의 표면에 공급된 제1약액은, 더미웨이퍼(DW)의 회전에 의한 원심력에 의해, 더미웨이퍼(DW)의 가장자리를 향하여 흘러, 더미웨이퍼(DW)의 가장자리로부터 측방으로 비산한다. 더미웨이퍼(DW)의 가장자리로부터 측방으로 비산하는 제1약액은 중구성부재(111)와 외구성부재(112)과의 사이에 비입된다. 그리고, 그 비입한 제1약액은, 중구성부재(111)의 외면과 외구성부재(112)의 내면을 타고 외측회수홈(152)으로 모아져, 그 외측회수홈(152)으로부터 제1회수/폐액로(38)로 보내진다. 이로써, 외구성부재(112)의 내면과 중구성부재(111)의 외면과 외측회수홈(152)이 제1약액으로 세정된다. 또한, 제1절환밸브(41)의 절환에 의해, 제1회수/폐액로(38)를 유통하는 액은 제1분기폐액로(40)로 이끌어지게 되어 있으므로, 제1회수/폐액로(38)를 유통하는 제1약액은 제1분기폐액로(40)를 통하여 도 시되지 않은 폐액처리설비로 이끌어진다.
미리 정한 제1약액세정시간(예를 들면, 5초간∼60초간)이 경과하면, 스텝T20과 같이, 더미웨이퍼(DW)로의 제1약액의 공급이 정지된다.
그 후, 중구성부재승강기구(161)가 제어되어, 중구성부재(111)가 상승되어, 도 8(b)에 나타내는 것 같이, 제2안내부(148)의 상단부(148b)와 제1안내부(125)의 상단부(125b)와의 사이에, 더미웨이퍼(DW)의 단면이 대향하게 된다.
이 상태로, 제2약액노즐(51)로부터, 더미웨이퍼(DW)의 회전중심을 향하여 제2약액이 공급된다. 회전상태에 있는 더미웨이퍼(DW)의 가장자리로부터 측방으로 비산하는 제2약액은, 내구성부재(110)의 제1안내부(125)와 중구성부재(111)의 제2안내부(148)의 사이에 비입한다. 제1안내부(125)와 제2안내부(148)의 사이로부터 비입한 제2약액은, 제2안내부(148)의 내면 또는 제1안내부(125)의 외면을 타고 내측회수홈(127)으로 모아져, 그 내측회수홈(127)으로부터 제2회수/폐액로(42)로 보내진다. 이로써, 제2안내부(148)의 내면, 제1안내부(125)의 외면 및 내측회수홈(127)이 제2약액으로 세정된다.
또한, 제2절환밸브(45)의 절환에 의해, 제2회수/폐액로(42)를 유통하는 액은 제2분기폐액로(44)로 이끌어지게 되고 있으므로, 제2회수/폐액로(42)를 유통하는 제2약액은 제2분기폐액로(44)를 통하여 도시되지 않은 폐액처리설비로 이끌어진다.
미리 정한 제2약액세정시간(예를 들면, 5초간∼60초간)이 경과하면, 스텝T24과 같이, 더미웨이퍼(DW)로의 제2약액의 공급이 정지된다.
그 후, 중구성부재승강기구(161) 및 외구성부재승강기구(162)가 구동되어서, 중구성부재(111) 및 외구성부재(112)가 하강되어, 제1안내부(125)의 상단부(125b), 제2안내부(148)의 상단부(148b) 및 외구성부재(112)의 상단부(112b)가, 스핀척(20)에 파지된 웨이퍼(W)보다 아래쪽으로 배치된다(도 7참조). 또한, 스텝T27과 같이, 제1절환밸브(41) 및 제2절환밸브(45)가 절환 제어되고, 이로써, 제1회수/폐액로(38)를 유통하는 액이 제1분기회수로(39)로 이끌어지는 동시에, 제2회수/폐액로(42)를 흐르는 액이 제2분기회수로(43)로 이끌어지게 된다.
그 후, 사용을 마친 더미웨이퍼(DW)는, 반송로봇(16)에 의해 처리유닛(7)밖으로 반출되어, 더미웨이퍼파지대(15)위의 카세트(C2)에 수용된다.
이상과 같이, 이 제2의 실시형태에 따르면, 제5∼제7공간(191, 192, 193)의 내벽 및 외구성부재(112)의 외면이 순수, 제1약액 또는 제2약액에 의해 세정된다. 이로써, 각 공간(191, 192, 193)의 내벽이나 외구성부재(112)의 외면에 부착하고 있는 부착물이나 그 부착물의 결정을 제거할 수 있고, 이로써, 파티클의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 제5공간(191) 및 제6공간(192)의 내벽의 세정에 사용된 순수는, 제5공간(191) 및 제6공간(192)으로부터 각각 제1분기폐액로(40) 및 제2분기폐액로(44)로 이끌어져 폐액된다. 이 때문에, 제1분기회수로(39)나 제2분기회수로(43)에, 회수컵세정용의 순수가 억지로 들어가버리는 경우는 거의 없다. 따라서, 제5공간(191) 및 제6공간(192)의 내벽을, 순수를 사용하여 세정해도, 제1약액노즐(50)로부터 웨이퍼(W)에 공급되는 제1약액 및 제2약액노즐(51)로부터 웨이퍼(W)로 공급되는 제2약액에, 회수컵세정용의 순수가 혼입하는 경우는 거의 없다.
또한, 순수를 사용하여 제5공간(191) 및 제6공간(192)의 내벽이 세정된 후에, 제5공간(191) 및 제6공간(192)의 내벽이, 각각 제1약액 및 제2약액을 사용하여 세정된다. 이 때문에, 순수에 의한 세정후에 제5공간(191) 및 제6공간(192)의 내벽에 부착된 순수는, 각각 제1약액 및 제2약액에 의해 씻겨내려간다. 이로써, 제1약액노즐(50)로부터 웨이퍼(W)에 공급되는 제1약액 및 제2약액노즐(51)로부터 웨이퍼(W)에 공급되는 제2약액에, 회수컵세정용의 순수가 혼입하는 것을 더욱 확실하게 억제 또는 방지할 수 있다.
이상, 이 발명의 2개의 실시형태에 대해서 설명했지만, 이 발명은, 또 다른 형태로 실시할 수도 있다.
전술의 제1의 실시형태(도 2의 실시형태)에서는, 스핀척(20)의 회전속도를 변경시켜서 회수컵(30)에 있어서의 순수, 제1약액 및 제2약액의 착액위치를 다르게 하는 구성에 대해서 설명했지만, 이를 대신하여, 스플래쉬 가드(32)를 상하동시켜서 회수컵(30)에 있어서의 순수, 제1약액 및 제2약액의 착액위치를 다르게 해도 좋다.
또한, 전술의 2개의 실시형태에서는, 웨이퍼(W)에 대한 약액처리시와 회수컵(30, 200)에 대한 회수컵세정시에서, 공통인 약액노즐(50, 51)을 사용하여 제1약액 및 제2약액을 공급하고 있었지만, 약액처리시와 회수컵세정시와 개별의 약액노즐을 사용하여 제1약액 및 제2약액을 공급할 수도 있다.
또한, 전술의 2개의 실시형태에서는, 순수를 사용하여 회수컵(30, 200)을 세정하는 것으로 설명했지만, 세정액으로서 순수 이외의 것을 이용할 수도 있다. 이 경우, 순수노즐(52) 이외에, 세정액을 공급하기 위한 세정액노즐을 설치할 필요가 있다.
또한, 전술의 2개의 실시형태에서는, 웨이퍼(W)에 대한 제1약액 및 제2약액에 의한 처리가 1로트 종료할 때마다 회수컵(30, 200)의 세정처리를 행하는 것으로서 설명했지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 1로트의 시작전에, 회수컵(30, 200)의 세정처리를 행해도 좋고, 1로트의 시작전과 시작후의 양쪽으로 회수컵(30, 200)의 세정처리를 행해도 좋다. 또한, 1로트의 전후에 한정되지 않고, 예를 들면 1일에 1회, 미리 정한 시간대에 행해도 좋다.
더욱, 전술의 2개의 실시형태에서는, 더미웨이퍼(DW)를 파지해 두기 위한 더미웨이퍼파지대(15)을 반송실(6)에 배치하는 구성을 설명했지만, 더미웨이퍼파지대(15)의 배치 위치는 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 어느 쪽의 처리유닛(7∼10)의 상부에 배치할 수도 있다.
또한, 스핀척(20)에 파지한 더미웨이퍼(DW)가 아니라, 스핀척(20)의 평탄한 스핀베이스(22)에 순수, 제1약액 또는 제2약액을 공급하여, 스핀베이스(22)의 가장자리로부터 비산하는 순수, 제1약액 또는 제2약액을 각 공간(91, 93, 95, 97, 191, 192, 193)에 진입시키는 것에 의해, 각 공간의 내벽을 세정하도록 할 수도 있다.
또한, 전술의 2개의 실시형태에서는, 다단(多段)의 회수컵(30, 200)을 예로 들어서 설명했지만, 이 발명은, 단(單)컵으로부터 이루어지는 회수컵에 적용할 수도 있다.
본 발명의 실시형태에 대해서 상세하게 설명해 왔지만, 이들은 본 발명의 기 술적 내용을 밝히기 위해서 사용된 구체예에 지나치지 않고, 본 발명은 이들의 구체예에 한정해서 해석되어서는 안되고, 본 발명의 정신 및 범위는 첨부의 청구의 범위에 의해서만 한정된다.
이 출원은, 2006년 12월 19일에 일본국특허청에 제출된 일본국 특허출원2006-341460호에 대응하고 있으며, 이 출원의 모든 개시는 본 인용에 의해 합체되는 것으로 한다.
도 1은, 이 발명의 일실시형태에 관한 기판처리장치의 레이아웃을 나타내는 도해적인 평면도이다.
도 2는, 처리유닛의 내부의 구성예를 도해적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은, 도1의 기판처리장치의 제어계의 구성을 설명하기 위한 블록도이다.
도 4는, 도 2의 처리유닛에 있어서 행하여지는 처리예를 설명하기 위한 플로우챠트이다.
도 5(a)∼5(e)은, 기판(웨이퍼)의 처리시에 있어서의 스핀척 및 회수컵의 동작의 모양을 도해적으로 나타내는 단면도이다.
도 6은, 회수컵세정처리의 흐름을 나타내는 플로우챠트이다.
도 7은, 다른 실시형태에 관한 기판처리장치의 처리유닛의 구성예를 도해적으로 나타내는 단면도이다.
도 8(a)∼8(c)은, 다른 실시형태에 관한 기판처리장치에 의한 기판(웨이퍼)의 처리시에 있어서의 스핀척 및 회수컵의 동작의 모양을 도해적으로 나타내는 단면도이다.

Claims (9)

  1. 기판의 처리에 사용된 약액이 이끌어지는 회수공간(空間)을 구획하는 내벽을 가지고, 그 회수공간으로 인도된 약액을 회수하기 위하여 소정의 약액회수로(藥液回收路)로 이끌기 위한 회수컵을 세정하는 방법으로서,
    상기 회수공간의 내벽(內壁)을, 세정액을 사용하여 세정하는 세정액세정스텝과,
    이 세정액세정스텝 후에, 상기 회수공간의 내벽을, 상기 회수공간을 통하여 회수해야 할 상기 약액과 동종인 세정용약액을 사용해서 세정하는 약액세정스텝과,
    상기 세정액세정스텝에 있어서 상기 회수공간으로 인도되는 세정액 및 상기 약액세정스텝에 있어서 상기 회수공간으로 인도되는 세정용약액을, 상기 약액회수로와는 다른 폐액로로 이끌어서 폐기하는 폐기스텝을 포함하는, 회수컵세정방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 회수공간이, 기판을 파지해서 회전시키기 위한 기판회전유닛의 주위를 둘러싸도록 배치되고 있으며,
    상기 방법은, 상기 세정액세정스텝 및 상기 약액세정스텝과 병행하여, 상기 기판회전유닛을 작동시키는 기판회전유닛작동스텝을 더 포함하고,
    상기 세정액세정스텝은, 상기 기판회전유닛을 향하여 세정액을 공급하는 세정액공급스텝을 포함하고,
    상기 약액세정스텝은, 상기 기판회전유닛을 향하여 세정용약액을 공급하는 약액공급스텝을 포함한 회수컵세정방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 기판회전유닛작동스텝은, 상기 기판회전유닛에 파지된 더미기판을 회전시키는 스텝이며,
    상기 세정액공급스텝은, 상기 회전되어 있는 더미기판에 대하여 세정액을 공급하는 스텝을 포함하고,
    상기 약액공급스텝은, 상기 회전되어 있는 더미기판에 대하여 세정용약액을 공급하는 스텝을 포함하는, 회수컵세정방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 기판회전유닛작동스텝은, 상기 기판회전유닛의 작동속도를 변경하는 작동속도변경스텝을 포함한 회수컵세정방법.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 세정액세정스텝 및 상기 약액세정스텝 중 적어도 한 쪽과 병행되어 행해지고, 상기 기판회전유닛과 상기 회수컵을 상기 기판회전유닛에 의해 회전되는 기판의 회전축선과 평행한 방향으로 대향적으로 이동시키는 이동스텝을 더 포함한 회수컵세정방법.
  6. 기판에 약액(藥液)을 공급하는 약액공급유닛과,
    기판의 처리에 사용된 약액이 이끌어지는 회수공간을 구획하는 내벽을 가지는 회수컵과,
    상기 회수공간으로 인도되는 약액을 회수하기 위한 약액회수로와,
    상기 회수공간으로 인도되는 액(液)을 폐기하기 위한 폐액로와,
    상기 회수공간으로 인도되는 액을, 상기 약액회수로와 상기 폐액로에 선택적으로 이끄는 절환(切換)유닛과,
    상기 회수공간의 내벽을 세정하기 위한 세정액을 공급하는 세정액공급유닛과,
    이러한 세정액공급유닛에 의해 상기 회수공간의 내벽에 세정액이 공급된 후에, 상기 회수공간을 통하여 회수해야 할 상기 약액과 동종의 세정용약액을 상기 회수공간의 내벽에 공급하는 세정용약액공급유닛과,
    상기 약액공급유닛에 의해 기판에 약액을 공급할 때에는 상기 회수공간으로 이끌어진 약액을 상기 약액회수로에 이끄는 한편, 상기 세정액공급유닛에 의해 상기 회수공간의 내벽에 세정액을 공급할 때 및 상기 세정용약액공급유닛에 의해 상기 회수공간의 내벽에 세정용약액을 공급할 때에는, 상기 회수공간으로 이끌어진 액을 상기 폐액로로 이끌도록 상기 절환유닛을 제어하는 제어유닛을 포함한 기판처리장치.
  7. 제6항에 있어서,
    기판을 파지하면서 회전시키기 위한 기판회전유닛을 더 포함하고,
    상기 약액공급유닛은, 상기 기판회전유닛을 향하여 약액을 공급하는 약액노즐을 포함하고,
    상기 세정액공급유닛은, 상기 기판회전유닛을 향하여 세정액을 공급하는 세정액노즐을 포함하고,
    상기 세정용약액공급유닛은, 상기 기판회전유닛을 향하여 세정용약액을 공급하는 세정용약액노즐을 포함한 기판처리장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 약액공급유닛이 상기 세정용약액공급유닛으로서 겸용되어 있는 기판처리장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 기판회전유닛 및 상기 회수컵은, 처리챔버 내에 수용되고 있으며, 상기 처리챔버의 외부에는, 상기 기판회전유닛에 파지시킬 수 있는 더미기판을 파지해 두기 위한 더미기판파지부가 설치되어 있는 기판처리장치.
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140066469A (ko) * 2012-11-23 2014-06-02 주식회사 원익아이피에스 챔버 세정 방법
KR20150018383A (ko) * 2013-08-08 2015-02-23 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20150029565A (ko) * 2013-09-10 2015-03-18 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20160059757A (ko) * 2014-11-19 2016-05-27 주식회사 케이씨텍 배기 물질 분리 유닛 및 그를 구비한 기판 세정 장치
KR101623412B1 (ko) * 2015-03-31 2016-06-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20180001683A (ko) * 2016-06-27 2018-01-05 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 용기 세정 방법
KR20180034438A (ko) * 2015-07-29 2018-04-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
KR20190035549A (ko) * 2017-09-26 2019-04-03 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11897006B2 (en) 2021-05-26 2024-02-13 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for processing substrate

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5666833B2 (ja) * 2009-07-06 2015-02-12 東京応化工業株式会社 基板処理システム
CN101958228B (zh) * 2009-07-13 2012-06-20 弘塑科技股份有限公司 具有移动式泄液槽的清洗蚀刻机台
US8707974B2 (en) 2009-12-11 2014-04-29 United Microelectronics Corp. Wafer cleaning device
TWI445065B (zh) * 2009-12-18 2014-07-11 J E T Co Ltd Substrate processing device
US8501025B2 (en) 2010-03-31 2013-08-06 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
TWI421928B (zh) * 2010-06-10 2014-01-01 Grand Plastic Technology Co Ltd 清洗蝕刻機台之自動清洗方法
JP5890108B2 (ja) * 2011-04-27 2016-03-22 株式会社Screenホールディングス 洗浄処理方法
JP5844681B2 (ja) * 2011-07-06 2016-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法
US10269615B2 (en) 2011-09-09 2019-04-23 Lam Research Ag Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
JP5885989B2 (ja) * 2011-10-13 2016-03-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP5667545B2 (ja) 2011-10-24 2015-02-12 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
CN103094151B (zh) * 2011-10-27 2015-07-22 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种化学液回收装置
JP6051919B2 (ja) * 2012-04-11 2016-12-27 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
TW201351489A (zh) * 2012-06-15 2013-12-16 Els System Technology Co Ltd 分流裝置
KR101501362B1 (ko) 2012-08-09 2015-03-10 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판처리장치 및 기판처리방법
US9768041B2 (en) 2013-08-12 2017-09-19 Veeco Precision Surface Processing Llc Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle
US10707099B2 (en) 2013-08-12 2020-07-07 Veeco Instruments Inc. Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle
WO2015029563A1 (ja) * 2013-08-28 2015-03-05 大日本スクリーン製造株式会社 洗浄用治具、洗浄用治具セット、洗浄用基板、洗浄方法および基板処理装置
JP6069134B2 (ja) * 2013-08-30 2017-02-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6234736B2 (ja) * 2013-08-30 2017-11-22 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置
US20150087144A1 (en) * 2013-09-26 2015-03-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Apparatus and method of manufacturing metal gate semiconductor device
JP6229933B2 (ja) * 2013-09-27 2017-11-15 株式会社Screenホールディングス 処理カップ洗浄方法、基板処理方法および基板処理装置
CN103658135B (zh) * 2013-12-13 2015-05-20 南京化工职业技术学院 一种新型烧杯清洗装置
CN103878154B (zh) * 2014-04-10 2017-10-20 江苏省原子医学研究所 小型反冲洗瓶设备
CN105436172B (zh) * 2014-08-29 2017-05-10 沈阳芯源微电子设备有限公司 对收集杯实现自动清洗的热盘结构
JP6359925B2 (ja) 2014-09-18 2018-07-18 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6473357B2 (ja) 2015-03-18 2019-02-20 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
KR101736853B1 (ko) 2015-06-12 2017-05-30 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP6512445B2 (ja) * 2015-08-18 2019-05-15 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US10203604B2 (en) 2015-11-30 2019-02-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for post exposure processing of photoresist wafers
JP6753762B2 (ja) * 2015-12-28 2020-09-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP6665042B2 (ja) * 2016-06-21 2020-03-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理装置の洗浄方法及び記憶媒体
US9958782B2 (en) * 2016-06-29 2018-05-01 Applied Materials, Inc. Apparatus for post exposure bake
JP6722532B2 (ja) 2016-07-19 2020-07-15 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および処理カップ洗浄方法
TWI638394B (zh) * 2016-07-25 2018-10-11 斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置
JP6708508B2 (ja) 2016-07-26 2020-06-10 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6762184B2 (ja) * 2016-09-26 2020-09-30 株式会社Screenホールディングス 回収配管洗浄方法および基板処理装置
TWI797121B (zh) 2017-04-25 2023-04-01 美商維克儀器公司 半導體晶圓製程腔體
JP7149087B2 (ja) 2018-03-26 2022-10-06 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6735384B2 (ja) * 2019-04-09 2020-08-05 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR102346529B1 (ko) * 2019-06-24 2021-12-31 세메스 주식회사 액 공급 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
CN112676226A (zh) * 2019-10-17 2021-04-20 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 晶圆清洗装置
JP2022039827A (ja) 2020-08-28 2022-03-10 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN114425526A (zh) * 2020-10-29 2022-05-03 中国科学院微电子研究所 半导体枚叶式清洗装置及方法
CN113113328B (zh) * 2021-03-04 2023-01-31 江苏亚电科技有限公司 单片晶圆清洗装置清洗盘结构及单片晶圆清洗装置
CN114130782A (zh) * 2021-11-29 2022-03-04 上海华力微电子有限公司 单片晶圆药液回收装置及方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5947136A (en) * 1996-09-10 1999-09-07 Silicon Valley Group Inc. Catch cup cleaning system
KR100210841B1 (ko) * 1996-12-26 1999-07-15 구본준 포토 레지스트 코팅장치
JP2003282516A (ja) * 2002-03-27 2003-10-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US7584760B2 (en) * 2002-09-13 2009-09-08 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP4078163B2 (ja) * 2002-09-13 2008-04-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140066469A (ko) * 2012-11-23 2014-06-02 주식회사 원익아이피에스 챔버 세정 방법
KR20150018383A (ko) * 2013-08-08 2015-02-23 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20150029565A (ko) * 2013-09-10 2015-03-18 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20160059757A (ko) * 2014-11-19 2016-05-27 주식회사 케이씨텍 배기 물질 분리 유닛 및 그를 구비한 기판 세정 장치
KR101623412B1 (ko) * 2015-03-31 2016-06-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20180034438A (ko) * 2015-07-29 2018-04-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
KR20180001683A (ko) * 2016-06-27 2018-01-05 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 용기 세정 방법
KR20190035549A (ko) * 2017-09-26 2019-04-03 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
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