KR20100046793A - 매엽식 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 세정 처리하는 매엽식 기판 처리 장치에 관한 것으로, 본 발명의 기판 처리 장치는 기판이 놓여지는 스핀 헤드를 포함하는 기판지지부재; 상기 스핀 헤드 주위를 감싸도록 설치되어 기판상에서 비산되는 약액과 흄을 포함한 공기를 유입 및 흡입하는 환형의 흡입덕트가 다단으로 배치되는 처리용기; 상기 흡입덕트들 각각에 연결되고 회수된 처리유체가 배출되는 배출라인들; 및 상기 배출라인들 각각으로부터 연결되는 폐수 배출라인과 리사이클 배출라인; 상기 폐수 배출라인과 상기 리사이클 배출라인에 설치되어 제1밸브 및 제2밸브; 상기 배출라인으로부터 배출되는 상기 회수된 처리유체의 오염 유무에 따라 상기 제1밸브 또는 상기 제2밸브를 선택적으로 개폐하는 밸브 제어부를 포함한다.
폐수,리사이클,세정,배기,덕트

Description

매엽식 기판 처리 장치 및 방법{SINGLE TYPE SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판을 세정 처리하는 매엽식 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질이나 불필요한 막을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다.
현재 반도체 제조 공정에서 사용되는 세정 방법은 건식 세정(Dry Cleaning)과 습식 세정(Wet Cleaning)으로 크게 나누어지며, 습식 세정은 약액 중에 기판을 침적시켜 화학적 용해 등에 의해서 오염 물질을 제거하는 배스(Bath) 타입과, 스핀 척 위에 기판을 놓고 기판을 회전시키는 동안 기판의 표면에 약액을 공급하여 오염 물질을 제거하는 매엽 타입으로 나누어진다.
매엽 타입의 세정 장치는 기판 상에서 제거하고자 하는 오염물질 및 막질의 종류에 따라 다양한 종류의 세정액이 사용된다. 최근에는 사용된 세정액을 회수하여 재사용할 수 있는 새로운 매엽식 세정 장치가 선보이고 있으며, 이러한 설비가 반도체 제조 라인에 적용되고 있는 실정이다.
기존의 매엽식 세정 장치는 반도체 기판을 회전시키는 서포트(support)가 탱크(tank)의 내부에서 상하로 이동하여 사진 공정 특히 세정 공정을 수행하게 된다. 여기서, 탱크는 3개의 환형 덕트들이 적층된 구조로 이루어지며 각 환형 덕트(annular duct)에서 회수될 약액이 미리 정해져 있어 약액의 종류에 따라 그에 맞는 위치로 서포트를 수직으로 이송하도록 구성된다.
이러한 기존 매엽식 세정 장치는 약액을 회수하는 과정에서 다음과 같은 문제점을 갖는다.
예를 들어, 3단 환형 덕트에서 기판을 고속 회전시키면서 제2약액을 회수할 때 제2약액의 일부가 2단 환형 덕트로 유입되는 경우가 발생되어 2단 환형 덕트에서 회수하는 제1약액을 오염시켜 재사용이 불가능하게 된다. 또한, 2단 환형 덕트에서 기판을 저속 회전시키면서 제1약액을 회수할 때 기판의 약한 원심력으로 제1약액이 2단 환형 덕트로 회수되지 못하고 그 아랫단의 3단 환형 덕트로 흘러들어가서 제2약액의 재상용이 불가능하게 된다.
본 발명의 목적은 약액 회수율을 높일 수 있는 매엽식 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.
또한, 본 발명의 목적은 처리 용기에서 회수된 약액을 재사용할 수 있는 매엽식 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 매엽식 기판 처리 장치는, 기판이 놓여지는 스핀 헤드를 포함하는 기판지지부재; 상기 스핀 헤드 주위를 감싸도록 설치되어 기판상에서 비산되는 약액과 흄을 포함한 공기를 유입 및 흡입하는 환형의 흡입덕트가 다단으로 배치되는 처리용기; 상기 흡입덕트들 각각에 연결되고 회수된 처리유체가 배출되는 배출라인들; 및 상기 배출라인에 연결되며, 회수된 처리유체의 재사용을 위한 리사이클 배출라인과, 폐수 배출라인으로 분류하여 배출하는 분리 배출 부재를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 분리 배출 부재는 배출라인과 연결되는 제1포트; 상기 리사이클 배출라인과 연결되는 제2포트; 상기 폐수 배출라인과 연결되는 제3포트; 상기 제1포트와 상기 제2포트 그리고 상기 제3포트를 연결하는 유로; 및 상기 회수된 처리 유체가 상기 리사이클 배출라인 또는 상기 폐수 배출라인으로 배출되도록 상기 유로를 선택적으로 개폐하는 유로 개폐부를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 분리 배출 부재는 상기 배출라인으로부터 상기 회수된 처리유체를 공급받는 제1유로; 상기 제1유로로부터 분기되는 그리고 상기 리사이클 배출라인으로 상기 회수된 처리유체가 배출되는 제2유로; 상기 제1유로로부터 분기되는 그리고 상기 폐수 배출라인으로 상기 회수된 처리유체가 배출되는 제3유로; 및 상기 제2유로 및 상기 제3유로를 선택적으로 개폐하는 유로 개폐부를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 유로 개폐부는 상기 제2유로에 설치되는 제1밸브; 및 상기 제3유로에 설치되는 제2밸브를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제2유로는 상기 제3유로보다 높은 위치에서 상기 제1유로와 연결된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제3유로는 상기 제1유로의 끝단으로부터 연결된다.
상기한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 매엽식 기판 처리 장치는 기판이 놓여지는 스핀 헤드를 포함하는 기판지지부재; 상기 스핀 헤드 주위를 감싸도록 설치되어 기판상에서 비산되는 약액과 흄을 포함한 공기를 유입 및 흡입하는 환형의 흡입덕트가 다단으로 배치되는 처리용기; 상기 흡입덕트들 각각에 연결되고 회수된 처리유체가 배출되는 배출라인들; 및 상기 배출라인들 각각으로부터 연결되는 폐수 배출라인과 리사이클 배출라인; 상기 폐수 배출라인과 상기 리사이클 배출라인에 설치되어 제1밸브 및 제2밸브; 상기 배출라인으로부터 배출되는 상기 회수된 처리유체의 오염 유무에 따라 상기 제1밸브 또는 상기 제2밸브를 선택적으로 개폐하는 밸브 제어부를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 밸브 제어부는 상기 회수된 처리유체가 배출되는 초기에는 일정시간 상기 폐수 배출라인으로 배출되도록 상기 제1밸브를 개방하고, 그 이후에는 상기 리사이클 배출라인으로 배출되도록 상기 제1밸브를 닫고 상기 제2밸브를 개방한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 폐수 배출라인은 상기 리사이클 배출라인보다 낮은 위치에서 상기 배출 라인에 연결된다.
상기한 과제를 해결하기 위한 매엽식 기판 처리 장치에서의 기판 처리 방법은 상기 스핀 헤드에 놓여진 기판으로 처리유체를 분사하는 단계: 상기 기판에서 비산되는 처리 유체를 상기 흡입덕트에서 회수하여 배출 라인으로 배출하는 단계; 및 상기 배출 라인으로 배출되는 상기 회수된 처리유체를 재사용을 위한 리사이클 배출라인 또는 폐수 배출라인으로 분류하여 배출하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 분류 배출 단계는 상기 회수된 처리유체의 배출 초기에는 상기 폐수 배출라인으로 배출하고, 일정 시간 이후부터는 상기 리사이클 배출라인으로 배출한다.
본 발명에 의하면, 처리 유체의 회수율을 높여 원가 절감에 기여할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면 처리유체를 재사용할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면서 오염된 회수 처리유체와 오염되지 않은 회수 처리유체를 구분하여 분리 배출함으로써 처리유체의 재사용 효율을 높일 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 매엽식 기판 처리 장치를 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
아래의 실시예에서는 알카리성 약액(오존수 포함), 산성 약액, 린스액, 그리고 건조가스(IPA가 포함된 가스)와 같은 처리유체들을 사용하여 기판을 세정하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 식각 공정 등과 같이 기판을 회전시키면서 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 모두 적용될 수 있다.
( 실시 예 )
도 1은 본 발명에 따른 매엽식 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 평면 구성도이다. 도 2는 본 발명에 따른 매엽식 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 측단면 구성도이다. 도 2에서는 도면 편의상 이동 노즐 부재를 생략하였다.
본 실시예에서는 매엽식 기판 처리 장치(1)가 처리하는 기판으로 반도체 기판를 일례로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 유리 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 매엽식 기판 처리 장치(1)는 다양한 처리유체들을 사용하여 기판 표면에 잔류하는 이물질 및 막질을 제거하는 장치 로써, 챔버(10), 처리 용기(100), 기판 지지부재(200), 노즐 부재(300), 분리 배출 부재(500) 및 배기부재(400)를 포함한다.
챔버(10)는 밀폐된 내부 공간을 제공하며, 상부에는 팬필터유닛(12)이 설치된다. 팬필터유닛(12)은 챔버(10) 내부에 수직기류를 발생시킨다.
팬필터유닛(12)은 필터와 공기공급팬이 하나의 유니트로 모듈화된 것으로, 청정공기를 필터링하여 챔버 내부로 공급해주는 장치이다. 청정공기는 팬 필터 유닛(12)을 통과하여 챔버 내부로 공급되어 수직기류를 형성하게 된다. 이러한 공기의 수직기류는 기판 상부에 균일한 기류를 제공하게 되며, 처리유체에 의해 기판 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 오염물질(흄)들은 공기와 함께 처리 용기(100)의 흡입덕트들을 통해 배기부재(400)로 배출되어 제거됨으로써 처리 용기 내부의 고청정도를 유지하게 된다.
도 2에 도시된 바와 같이, 챔버(10)는 수평 격벽(14)에 의해 공정 영역(16)과 유지보수 영역(18)으로 구획된다. 도면에는 일부만 도시하였지만, 유지보수 영역(18)에는 처리 용기(100)와 연결되는 배출라인(141,143,145), 서브배기라인(410) 이외에도 승강유닛의 구동부과, 이동 노즐 부재(300)의 이동 노즐(310)들과 연결되는 구동부, 공급라인 등이 위치되는 공간으로, 이러한 유지보수 영역(18)은 기판 처리가 이루어지는 공정 영역으로부터 격리되는 것이 바람직하다.
처리 용기(100)는 상부가 개구된 원통 형상을 갖고, 기판(w)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 개구된 상면은 기판(w)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 처리 용기(100) 내측에는 기판 지지부재(200)가 위치된다. 기 판 지지부재(200)는 공정 진행시 기판(W)을 지지하고, 기판을 회전시킨다.
이하, 도면을 참조하여 상기 처리 용기(100)와 상기 기판 지지부재(200)에 대해 구체적으로 설명한다.
도 2는 도 1에 도시된 처리 용기와 기판 지지부재를 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 처리 용기(100)는 스핀헤드(210)가 위치되는 상부공간(132a)과, 상부공간(132a)과는 스핀헤드(210)에 의해 구분되며 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기덕트(190)가 연결된 하부공간(132b)을 제공한다. 처리 용기(100)의 상부공간(132a)에는 회전되는 기판상에서 비산되는 처리유체와 기체, 흄을 유입 및 흡입하는 환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)가 다단으로 배치된다.
환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 하나의 공통된 환형공간(용기의 하부공간에 해당)과 통하는 배기구(H)들을 갖는다. 하부공간(132b)에는 배기부재(400)와 연결되는 배기덕트(190)가 제공된다.
구체적으로, 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽을 구비한다. 제2 흡입덕트(120)는 제1 흡입덕트(110)를 둘러싸고, 제1 흡입덕트(110)로부터 이격되어 위치한다. 제3 흡입덕트(130)는 제2 흡입덕트(120)를 둘러싸고, 제2 흡입덕트(120)로부터 이격되어 위치한다.
제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 기판(w)으로부터 비산된 처리유체 및 흄이 포함된 기체가 유입되는 제1 내지 제3 회수공간(RS1, RS2, RS3)을 제공한 다. 제1 회수 공간(RS1)은 제1 흡입덕트(110)에 의해 정의되고, 제2 회수공간(RS2)은 제1 흡입덕트(110)와 제2 흡입덕트(120) 간의 이격 공간에 의해 정의되며, 제3 회수공간(RS3)은 제2 흡입덕트(120)와 제3 흡입덕트(130) 간의 이격 공간에 의해 정의된다.
제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 각 상면은 중앙부가 개구되고, 연결된 측벽으로부터 개구부측으로 갈수록 대응하는 바닥면과의 거리가 점차 증가하는 경사면으로 이루어진다. 이에 따라, 기판(w)으로부터 비산된 처리유체는 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 상면들을 따라 회수 공간들(RS1, RS2, RS3) 안으로 흘러간다.
각각의 회수공간(RS1, RS2, RS3)으로 유입된 처리유체는 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130) 각각에 연결된 배출라인(141)으로 드레인되며, 배출라인으로 드레인되는 회수된 처리유체는 재사용 유무에 따라 분리 배출 부재(500)를 통해 리사이클 배출라인(580)으로 배출되거나 폐수 배출 라인(570)으로 배출된다. 분리 배출 부재(500)에 대해서는 추후에 좀 더 자세히 설명하기로 한다.
한편, 처리 용기(100)는 처리 용기(100)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(600)와 결합된다. 승강 유닛(600)은 처리 용기(100)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(100)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(210)에 대한 처리 용기(100)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(600)은 브라켓(612), 이동 축(614), 그리고 구동기(616)를 가진다. 브라켓(612)은 처리 용기(100)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(612)에는 구동기(616)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(614)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(210)에 로딩 또는 스핀 헤드(210)로부터 언로딩될 때 스핀 헤드(210)가 처리 용기(100)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(100)는 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 흡입덕트(110, 120, 130)로 유입될 수 있도록 처리 용기(100)의 높이가 조절된다. 이에 따라, 처리 용기(100)와 기판(w) 간의 상대적인 수직 위치가 변경된다. 따라서, 처리 용기(100)는 상기 각 회수공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다.
이 실시예에 있어서, 기판 처리장치(1)는 처리 용기(100)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킨다. 그러나, 기판 처리장치(1)는 기판 지지부재(200)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킬 수도 있다.
기판 지지 부재(200)는 처리 용기(100)의 내측에 설치된다. 기판 지지 부재(200)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 후술할 구동부(240)에 의해 회전될 수 있다. 기판 지지 부재(200)는 원형의 상부 면을 갖는 스핀헤드(210)를 가지며, 스핀헤드(210)의 상부 면에는 기판(W)을 지지하는 지지 핀(212)들과 척킹 핀(214)들을 가진다. 지지 핀(212)들은 스핀헤드(210)의 상부 면 가장자리부에 소정 간격 이격되어 일정 배열로 배치되며, 스핀헤드(210)으로부터 상측으로 돌출되도록 구비된다. 지지 핀(212)들은 기판(W)의 하면을 지지하여 기판(W)이 스핀헤드(210)로부터 상측 방향으로 이격된 상태에서 지지되도록 한다. 지지 핀(212)들의 외 측에는 척킹 핀(214)들이 각각 배치되며, 척킹 핀(214)들은 상 측으로 돌출되도록 구비된다. 척킹 핀(214)들은 다수의 지지 핀(212)들에 의해 지지된 기판(W)이 스핀헤드(210) 상의 정 위치에 놓이도록 기판(W)을 정렬한다. 공정 진행시 척킹 핀(214)들은 기판(W)의 측부와 접촉되어 기판(W)이 정 위치로부터 이탈되는 것을 방지한다.
스핀헤드(210)의 하부에는 스핀헤드(210)를 지지하는 지지축(220)이 연결되며, 지지축(220)은 그 하단에 연결된 구동부(230)에 의해 회전한다. 구동부(230)는 모터 등으로 마련될 수 있다. 지지축(220)이 회전함에 따라 스핀헤드(210) 및 기판(W)이 회전한다.
배기부재(400)는 공정시 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)에 배기압력(흡입압력)을 제공하기 위한 것이다. 배기부재(400)는 배기덕트(190)와 연결되는 서브배기라인(410), 댐퍼(420)를 포함한다. 서브배기라인(410)은 배기펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인(팹)의 바닥 공간에 매설된 메인배기라인과 연결된다.
노즐 부재(300)는 처리 용기(100)의 외측에 위치되는 다수의 이동 노즐(310)들과 처리 용기에 설치된 다수의 고정 노즐들을 포함한다. 이동 노즐들 및 고정 노ㄷ드들은 기판(w)을 세정 또는 식각하기 위한 처리유체를 기판 지지부재(200)에 고정된 기판(w)으로 공급한다.
기판 처리 공정에 사용되는 처리유체는 불산(HF), 황산(H3SO4), 질산(HNO3), 인산(H3PO4), 오존수, 그리고 SC-1 용액(수산화암모늄(NH4OH), 과산화수소(H2O2) 및 물(H2O)의 혼합액)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다. 린스액으로는 초순수(DIW:Deionized Water)가 사용될 수 있고, 건조 가스로는 이소프로필 알코올 가스(IPA:Isopropyl alcohol gas)가 사용될 수 있다. 고정 노즐(500)들은 중성 처리유체(초순수, 질소가스,SC-1 용액)를 기판으로 분사할 수 있다.
상술한 바와 같은 구성을 갖는 본 발명의 기판 처리 장치에 의하면, 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 기판(w)의 처리 공정시 기판(w)으로 공급되는 처리유체를 회수한다. 본 발명에서는 산성 처리유체와 알칼리성 처리유체 그리고 초순수와 같은 중성 처리유체를 사용하여 기판 세정 공정을 진행하게 된다. 기판으로 분사되는 각각의 처리유체들은 제1흡입덕트(110)와 제2흡입덕트(120) 그리고 제3흡입덕트(130)로 분리되어 회수되며, 이렇게 회수된 처리유체는 배출라인(141)에 연결된 분리 배출 부재(500)를 통해 재사용을 위한 리사이클 장치(미도시됨)로 드레인되거나 또는 폐수 처리 장치(미도시됨)로 드레인된다. 예를 들면, 제3흡입덕트(130)에서는 중성 처리유체를 회수하고, 제2흡입덕트(120)에서는 산성 처리유체를 회수하며, 제1흡입덕트(110)에서는 알칼리성 처리유체들을 회수할 수 있다.
도 3은 분리 배출 부재를 설명하기 위한 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 분리 배출 부재(500)는 배출라인(141)에 연결된다. 분리 배출 부재(500)는 회수된 처리유체를 리사이클 배출라인(580)과, 폐수 배출라인(570)으로 분류해서 배출하게 된다. 분리 배출 부재(500)는 배출라인(141)과 연결되는 제1포트(502), 리사이클 배출라인(580)과 연결되는 제2포트(504), 폐수 배출라인(570)과 연결되는 제3포트(506), 제1포트(502)와 제2포트(504) 그리고 제3포트(506)를 연결하는 유로(510) 및 회수된 처리 유체가 리사이클 배출라인(580) 또는 폐수 배출라인(570)으로 배출되도록 유로(510)를 선택적으로 개폐하는 유로 개폐부(520)를 포함하며, 이들은 하나의 유니트로 모듈화되어 있다.
유로(510)는 배출라인(141)으로부터 회수된 처리유체를 공급받는 수직한 제1유로(512), 제1유로(512)로부터 수평방향으로 분기되는 그리고 리사이클 배출라인(580)으로 회수된 처리유체가 배출되는 제2유로(514) 그리고 제1유로(512)의 끝단으로부터 분기되는 그리고 회수된 처리유체가 폐수 배출라인(570)으로 배출되는 제3유로(516)를 포함한다.
유로 개폐부(520)는 제1포트(502)와 제2포트(504) 사이의 제2유로(514)상에 설치되는 제1밸브(522), 제1포트(502)와 제3포트(506) 사이의 제3유로(516)상에 설치되는 제2밸브(524) 그리고 제1밸브(522)와 제2밸브(524)를 개폐하는 밸브 제어부(526)를 포함한다. 여기서 중요한 것은 제3포트(제3유로)(506)의 높이가 제2포트(제2유로)(504)의 높이보다 낮아야된다. 만약, 제3포트(506)의 위치가 제2포트(504)보다 높거나 같을 경우에는 제3포트(506) 전단에 잔류하는 회수된 처리유체(재사용이 불가능한 처리유체)가 제2포트(504)로 유입될 가능성이 있기 때문에 제3포트(506)의 위치는 제2포트(504)보다 아래에 위치된다.
도 4는 기판이 제2흡입덕트에 대응되는 높이에서 공정 처리되는 과정을 보여주는 도면이다. 점선은 배기 흐름을 나타내며, 실선은 노즐로부터 기판 상부로 분사되는 산성 처리유체의 흐름을 나타낸다.
도 4에서와 같이, 기판으로부터 비산되는 처리유체의 일부는 제2흡입덕트(120) 아래(또는 위)에 위치하는 제1흡입덕트(110)로 유입된다. 일 예로, 산성 처리유체가 제2흡입덕트(120)에서 회수되는 경우, 일부 산성 처리유체가 리바운드되면서 제1흡입덕트(또는 제3흡입덕트)로 유입되면서 제1흡입덕트(110)를 오염시킨다. 따라서, 추후에 제1흡입덕트(110)에서 회수되는 알칼리성 처리유체는 제1흡입덕트(110)에 묻어 있는 산성 처리유체와 혼합됨으로써 제1흡입덕트(110)에서 초기에 회수되어 배출되는 초기알칼리성 처리유체는 재사용이 불가능하지만, 어느 정도 시간 이후부터는 제1흡입덕트에 묻어 있던 산성 처리유체가 씻겨져 제거되기 때문에 재사용이 가능하다. 본 발명에서는, 제1흡입덕트(110)에서 알칼리성 처리유체를 회수할 때, 분리 배출 부재(500)가 최초 산성 처리유체가 혼합된 알칼리성 처리유체를 일정 시간동안 폐수 배출 라인(570)으로 드레인시킨 다음 리사이클 배출 라인(580)으로 드레인시킨다. 다시 말해, 제1흡입덕트(110)에서 회수되는 알칼리성 처리유체는 초기에 폐수 배출 라인(570)으로 배출되지만 일정 시간 이후부터는 리사이클 배출 라인(580)으로 배출되어 리사이클 처리장치로 제공된다. 물론, 제2흡입덕트에서 산성 처리유체을 회수할 때에도 마찬가지로, 처음 일정시간동안에는 폐수 배출라인을 개방하고, 그 이후에는 폐수 배출라인을 닫고 리사이클 배출라인을 개방하게 된다.
도 5는 분리 배출 부재의 변형예를 보여주는 도면이다.
도 5에 도시된 분리 배출 부재(500a)는 배출라인(141)과 연결되는 폐수 배출라인(570)과 리사이클 배출라인(580), 폐수 배출라인(570)과 리사이클 배출라 인(580)에 설치되는 제1밸브(522) 및 제2밸브(524) 그리고 배출라인(141)으로부터 배출되는 회수된 처리유체의 오염 유무에 따라 제1밸브(522) 또는 제2밸브(524)를 선택적으로 개폐하는 밸브 제어부(526)를 포함한다. 이러한 구성을 갖는 분리 배출 부재(500a)는 도 3에 도시된 분리 배출 부재(500)와 동일한 작용과 기능을 갖는다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 매엽식 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 평면 구성도이다.
도 2는 본 발명에 따른 매엽식 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 측단면 구성도이다.
도 3은 분리 배출 부재를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 기판이 제2흡입덕트에 대응되는 높이에서 공정 처리되는 과정을 보여주는 도면이다.
도 5는 분리 배출 부재의 변형예를 보여주는 도면이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
10 : 챔버 100 : 처리 용기
200 : 기판 지지 부재 400 : 배기부재
500 : 분리 배출 부재

Claims (11)

  1. 매엽식 기판 처리 장치에 있어서:
    기판이 놓여지는 스핀 헤드를 포함하는 기판지지부재;
    상기 스핀 헤드 주위를 감싸도록 설치되어 기판상에서 비산되는 약액과 흄을 포함한 공기를 유입 및 흡입하는 환형의 흡입덕트가 다단으로 배치되는 처리용기;
    상기 흡입덕트들 각각에 연결되고 회수된 처리유체가 배출되는 배출라인들; 및
    상기 배출라인에 연결되며, 회수된 처리유체의 재사용을 위한 리사이클 배출라인과, 폐수 배출라인으로 분류하여 배출하는 분리 배출 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 분리 배출 부재는
    배출라인과 연결되는 제1포트;
    상기 리사이클 배출라인과 연결되는 제2포트;
    상기 폐수 배출라인과 연결되는 제3포트;
    상기 제1포트와 상기 제2포트 그리고 상기 제3포트를 연결하는 유로; 및
    상기 회수된 처리 유체가 상기 리사이클 배출라인 또는 상기 폐수 배출라인으로 배출되도록 상기 유로를 선택적으로 개폐하는 유로 개폐부를 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 분리 배출 부재는
    상기 배출라인으로부터 상기 회수된 처리유체를 공급받는 제1유로;
    상기 제1유로로부터 분기되는 그리고 상기 리사이클 배출라인으로 상기 회수된 처리유체가 배출되는 제2유로;
    상기 제1유로로부터 분기되는 그리고 상기 폐수 배출라인으로 상기 회수된 처리유체가 배출되는 제3유로; 및
    상기 제2유로 및 상기 제3유로를 선택적으로 개폐하는 유로 개폐부를 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 유로 개폐부는
    상기 제2유로에 설치되는 제1밸브; 및
    상기 제3유로에 설치되는 제2밸브를 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 처리 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 제2유로는 상기 제3유로보다 높은 위치에서 상기 제1유로와 연결되는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 처리 장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 제3유로는 상기 제1유로의 끝단으로부터 연결되는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 처리 장치.
  7. 매엽식 기판 처리 장치에 있어서:
    기판이 놓여지는 스핀 헤드를 포함하는 기판지지부재;
    상기 스핀 헤드 주위를 감싸도록 설치되어 기판상에서 비산되는 약액과 흄을 포함한 공기를 유입 및 흡입하는 환형의 흡입덕트가 다단으로 배치되는 처리용기;
    상기 흡입덕트들 각각에 연결되고 회수된 처리유체가 배출되는 배출라인들; 및
    상기 배출라인들 각각으로부터 연결되는 폐수 배출라인과 리사이클 배출라인;
    상기 폐수 배출라인과 상기 리사이클 배출라인에 설치되어 제1밸브 및 제2밸브;
    상기 배출라인으로부터 배출되는 상기 회수된 처리유체의 오염 유무에 따라 상기 제1밸브 또는 상기 제2밸브를 선택적으로 개폐하는 밸브 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 밸브 제어부는
    상기 회수된 처리유체가 배출되는 초기에는 일정시간 상기 폐수 배출라인으로 배출되도록 상기 제1밸브를 개방하고, 그 이후에는 상기 리사이클 배출라인으로 배출되도록 상기 제1밸브를 닫고 상기 제2밸브를 개방하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 처리 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 폐수 배출라인은 상기 리사이클 배출라인보다 낮은 위치에서 상기 배출 라인에 연결되는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 처리 장치.
  10. 스핀 헤드 주위를 감싸도록 설치된 흡입덕트가 다단으로 배치된 처리용기를 갖는 매엽식 기판 처리 장치에서의 기판 처리 방법에 있어서:
    상기 스핀 헤드에 놓여진 기판으로 처리유체를 분사하는 단계:
    상기 기판에서 비산되는 처리 유체를 상기 흡입덕트에서 회수하여 배출 라인으로 배출하는 단계; 및
    상기 배출 라인으로 배출되는 상기 회수된 처리유체를 재사용을 위한 리사이클 배출라인 또는 폐수 배출라인으로 분류하여 배출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 처리 장치에서의 기판 처리 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 분류 배출 단계는
    상기 회수된 처리유체의 배출 초기에는 상기 폐수 배출라인으로 배출하고, 일정 시간 이후부터는 상기 리사이클 배출라인으로 배출하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 처리 장치에서의 기판 처리 방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101395212B1 (ko) * 2010-07-29 2014-05-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20160017332A (ko) * 2014-08-04 2016-02-16 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20200081104A (ko) * 2018-12-27 2020-07-07 엘지전자 주식회사 유연성 기판 세정장치

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007180379A (ja) 2005-12-28 2007-07-12 Ses Co Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
KR100864947B1 (ko) 2007-04-19 2008-10-23 세메스 주식회사 약액과 가스의 분리가 가능한 기판 처리 장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101395212B1 (ko) * 2010-07-29 2014-05-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20160017332A (ko) * 2014-08-04 2016-02-16 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20200081104A (ko) * 2018-12-27 2020-07-07 엘지전자 주식회사 유연성 기판 세정장치

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