KR101395212B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101395212B1
KR101395212B1 KR1020100073626A KR20100073626A KR101395212B1 KR 101395212 B1 KR101395212 B1 KR 101395212B1 KR 1020100073626 A KR1020100073626 A KR 1020100073626A KR 20100073626 A KR20100073626 A KR 20100073626A KR 101395212 B1 KR101395212 B1 KR 101395212B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chemical liquid
substrate
supply line
liquid supply
insulating material
Prior art date
Application number
KR1020100073626A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120011978A (ko
Inventor
오세훈
노환익
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020100073626A priority Critical patent/KR101395212B1/ko
Publication of KR20120011978A publication Critical patent/KR20120011978A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101395212B1 publication Critical patent/KR101395212B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
    • H01L21/0209—Cleaning of wafer backside

Abstract

기판의 후면을 세정하는 기판 처리 장치에 관한 것으로, 기판 지지 부재, 지지축과 회전 구동부를 관통하는 중공이 형성되어 있는 기판 처리 장치에 있어서, 회전 구동부의 중공의 일부 공간을 감싸는 격벽이 형성되어 있고 격벽이 감싸는 공간에 고온의 황산과 과산화수소를 혼합한 약액을 공급하는 약액 공급 라인을 삽입하는 것을 그 특징으로 한다. 고온의 황산과 과산화수소를 혼합한 약액으로 인한 회전 구동부의 손상을 줄이기 위해 격벽이 단열재로 제공되고, 약액 공급 라인을 보온재로 감싸는 것을 그 특징으로 한다.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for Processing Substrate}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판의 이면에 약액을 분사하여 세정하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다.
일반적으로 포토레지스트를 제거하기 위해 다양한 약액이 사용되며 약액은 노즐 유닛을 통해 기판으로 제공된다. 일 예로 약액은 황산과 과산화수소의 혼합 용액이며, 이 혼합 용액은 노즐 유닛에서 혼합되어 기판으로 제공될 수 있다. 다만, 기판의 전면뿐 아니라 하면까지 이 혼합 용액을 사용하는 경우, 기판을 반전 처리한 후에 공정 처리해야 하는 바, 공정 시간이 증가하는 문제점이 발생한다.
본 발명의 목적은 공정시간을 단축할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 지지부재와 상기 지지부재의 저면을 지지하는 지지축과 상기 지지축에 결합된 회전 구동부를 포함하는 스핀헤드 및 상기 기판의 하면에 약액을 공급하는 유체 공급 부재를 포함하되, 상기 스핀 헤드의 지지 부재, 지지축 및 회전 구동부는 중공(中空)이 서로 통하게 형성되어 있으며, 상기 회전 구동부는 상기 중공의 일부 공간을 감싸는 격벽을 가지며, 상기 유체 공급 부재는, 상기 격벽으로 감싸여진 공간에 삽입되는 제 1 약액 공급 라인과 상기 중공에서 상기 격벽의 외부 공간에 삽입되는 제 2 약액 공급 라인을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 격벽은 단열재로 제공되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제 1 약액 공급 라인의 둘레를 보온재로 감싸는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 보온재가 불소를 포함하는 재질로 제공되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 회전 구동부의 둘레에 과열을 방지하기 위한 냉각수 라인이 제공되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제 1 약액 공급 라인에 공급되는 약액의 온도가 상기 제 2 약액 공급 라인에 공급되는 약액의 온도보다 높은 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제 1 약액 공급 라인에 공급되는 약액이 황산(H2SO4)와 과산화수소(H2O2)의 혼합 약액으로 제공되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 공정 시간 단축으로 기판 처리량을 향상시킬 수 있다.
도 1은 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 측단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 기판 지지 부재와 유체 공급 부재의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 5는 도 4의 A를 나타낸 도면이다.
도 6은 도 4의 A를 상부에서 바라본 도면이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도1를 참조하면, 본 발명의 기판 처리 시스템(1000)은 인덱스부(10)와 공정 처리부(20)를 포함할 수 있다. 인덱스부(10)와 공정 처리부(20)는 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스부(10)와 공정 처리부(20)가 배열된 방향을 제 1 방향(1)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제 1 방향(1)의 수직인 방향을 제 2 방향(2)이라 하며, 제 1 방향(1)과 제 2 방향(2)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제 3 방향(3)이라 정의한다.
인덱스부(10)는 기판 처리 시스템(1000)의 제 1 방향(1)의 전방에 배치된다. 인덱스부(10)는 로드 포트(12) 및 이송 프레임(14)을 포함한다.
로드 포트(12)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(11)가 안착된다. 로드 포트(12)는 복수 개가 제공되며 이들은 제 2 방향(2)을 따라 배치된다. 로드 포트(12)의 개수는 기판 처리 장치(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(11)로는 풉(FOUP)이 사용될 수 있다. 캐리어(11)에는 기판들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다.
이송 프레임(14)은 로드 포트(12)와 이웃하여 제 1 방향으로 배치된다. 이송 프레임(14)은 로드 포트(12)와 공정 처리부(20)의 버퍼부(30) 사이에 배치된다. 이송 프레임(14)은 인덱스 레일(15) 및 인덱스 로봇(17)을 포함한다. 인덱스 레일(15) 상에 인덱스 로봇(17)이 안착된다. 인덱스 로봇(17)은 버퍼부(30)와 캐리어(11)간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 로봇(17)은 인덱스 레일(210)을 따라 제 2 방향으로 직선 이동하거나, 제 3 방향(3)을 축으로 하여 회전한다.
공정 처리부(20)는 인덱스부(10)에 이웃하여 제 1 방향(1)을 따라 기판 처리 시스템(1000)의 후방에 배치된다. 공정 처리부(20)은 버퍼부(30), 이동 통로(40), 메인 이송 로봇(50) 그리고 공정 챔버(60)를 포함한다. 공정 챔버(60)는 복수개 제공되며, 제 2 방향(2)을 따라 이동 통로(30)을 중심으로 양측에 배치된다. 공정 챔버(60)들 중 일부는 이동 통로(30)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버(60)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이동 통로(30)의 일측에는 공정 챔버(60)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제 1 방향(1)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(60)의 수이고, B는 제 2 방향(2)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(60)의 수이다. 이동 통로(30)의 일측에 공정 챔버(60)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버(60)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(60)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정 챔버(60)는 이동 통로(30)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정 챔버(60)는 이동 통로(30)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼부(30)는 제 1 방향(1)을 따라 공정 처리부(20)의 전방에 배치된다. 버퍼부(30)는 공정 챔버(60)와 캐리어(11) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 일시적으로 수납되어 대기하는 장소이다. 버퍼부(30)는 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제 3 방향(3)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다.
이동 통로(40)는 버퍼부(30)와 대응되게 배치된다. 이동 통로(40)는 그 길이방향이 제 1 방향(1)에 따라 나란하게 배치된다. 이동 통로(40)은 메인 이송 로봇(50)이 이동하는 통로를 제공한다. 이동 통로(40)의 양측에는 공정 챔버(60)들이 서로 마주보며 제 1 방향(1)을 따라 배치된다. 이동 통로(40)에는 메인 이송 로봇(50)이 제 1 방향(1)을 따라 이동하며, 공정 챔버(60)의 상하층, 그리고 버퍼부(30)의 상하층으로 승강할 수 있는 이동 레일이 설치된다.
메인 이송 로봇(50)은 이동 통로(40)에 설치되며, 공정 챔버(60) 및 버퍼부(30) 간에 또는 각 공정 챔버(60) 간에 기판(W)을 이송한다. 메인 이송 로봇(50)은 이동 통로(400)을 따라 제 2 방향(2)으로 직선 이동하거나, 제 3 방향(3)을 축으로 하여 회전한다.
공정 챔버(60)는 밀폐된 공간을 제공하며, 각각의 공정 챔버(60)는 독립적인 하우징으로 구성된다. 상부에는 팬필터유닛(61)이 설치된다. 팬필터유닛(61)은 공정 챔버(60) 내부에 수직 기류를 발생시킨다.
공정 챔버(60) 내에는 기판 처리 장치를 포함한다. 도 2는 공정 챔버(60)와 그 내부의 기판 처리 장치를 나타낸 평면도이다. 도 3은 공정 챔버(60)와 그 내부의 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다. 기판 처리 장치는 기판 처리 공정에 따라 다양한 구조를 가진다. 이에 각각의 공정 챔버(60) 내의 기판 처리 유닛의 구조가 모두 동일하거나, 일부 동일할 수 있다.
아래의 실시예에서는 고온의 황산, 알카리성 약액(오존수 포함), 산성 약액, 린스액, 그리고 건조가스(IPA가 포함된 가스)와 같은 처리유체들을 사용하여 기판을 세정하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 식각 공정 등과 같이 기판을 회전시키면서 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 모두 적용될 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 기판 처리 유닛은 하우징(100), 스핀 헤드(200), 분사 부재(300), 배기 부재(400), 승강 유닛(600) 및 유체 공급 부재(800)를 포함한다.
하우징(100)은 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 가지며, 하우징(100)의 상부는 개방된다. 하우징(100)은 내부 회수통(110) 그리고 외부 회수통(130)을 포함한다. 각각의 회수통(110,130)은 공정에 사용된 약액 중 서로 상이한 약액을 회수한다. 내부 회수통(110)은 스핀 헤드(200)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(130)은 내부 회수통(110)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(110)의 내측 공간, 내부 회수통(110)과 외부 회수통(130) 사이 공간은 각각 내부 회수통(110) 그리고 외부 회수통(130)으로 약액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(110,130)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(141,145)이 연결된다. 각각의 회수라인(141,145)은 회수통을 통해 유입된 약액을 배출한다. 배출된 약액은 외부의 약액 재사용 시스템을 통해 재사용될 수 있다.
분사 부재(300)는 기판 처리 공정시 약액을 공급받아 스핀헤드(200)에 놓인 기판의 처리면으로 약액을 분사한다. 분사 부재(300)는 지지축(302), 구동기(303), 노즐 지지대(304) 그리고 노즐(310)을 포함한다. 지지축(302)은 그 길이 방향이 제 3 방향(3)으로 제공되며, 지지축(302)의 하단은 구동기(303)와 결합된다. 구동기(303)는 지지축(302)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐 지지대(304)는 구동기(303)와 결합된 지지축(302)의 끝단의 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(310)은 노즐 지지대(304)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(310)은 구동기(303)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(310)이 하우징(100)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(310)이 하우징(100)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 노즐(310)은 약액 공급 장치(미도시)로부터 공급된 약액을 분사한다. 또한, 노즐(744)은 약액 공급 장치(미도시)에서 공급된 약액 외에 다른 약액을 직접 노즐로 공급받아 분사할 수 있다.
배기 부재(400)은 기판 처리 공정시 내부 회수통(110) 및 외부 회수통(130) 중 약액을 회수하는 흡입덕트에 동일한 배기압력을 제공하기 위한 것이다. 배기부재(400)는 배기덕트(190)와 연결되는 서브배기라인(410), 댐퍼(420)를 포함한다. 서브배기라인(410)은 배기펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인(팹)의 바닥 공간에 매설된 메인배기라인과 연결된다.
승강 유닛(600)은 하우징(100)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 하우징(100)이 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(200)에 대한 하우징(100)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(600)은 브라켓(612), 이동 축(614), 그리고 구동기(616)를 포함한다. 브라켓(612)은 하우징(100)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(612)에는 구동기(612)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(614)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(200)에 놓이거나, 스핀 헤드(200)로부터 들어 올려질 때 스핀헤드(200)가 하우징(100)의 상부로 돌출되도록 하우징(100)은 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 약액의 종류에 따라 약액이 기설정된 회수통으로 유입될 수 있도록 하우징(100)의 높이가 조절한다. 상술한 바와 반대로, 승강 유닛(600)은 스핀 헤드(200)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
스핀 헤드(200)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판을 회전시킨다. 스핀헤드(200)는 기판 지지 부재(210), 지지축(220), 회전 구동부(230) 및 격벽(240)을 포함한다. 기판 지지 부재는 지지판(211), 지지핀(212), 척핀(214)을 포함한다. 지지판(211)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 지지판(211)의 저면에는 회전 구동부(230)에 의해 회전가능한 지지축(220)이 고정결합된다. 기판 지지 부재(210)의 지지판(211)과 지지축(220), 및 회전 구동부(230)에는 각각의 중공이 형성되어 있으며, 각각의 중공은 서로 통하게 형성되어 있다.
지지핀(212)은 복수 개 제공된다. 지지핀(212)은 몸체(211)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 지지판(211)에서 제 3 방향(3)으로 돌출된다. 지지핀(212)은 지지판(211)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다.
척핀(214)은 복수 개 제공되며, 지지핀(214)의 외측에 배치되며, 지지판(214)에서 제 3 방향(3)으로 돌출되도록 구비된다. 척핀(214)은 스핀 헤드(200)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다.
격벽(240)은 회전 구동부(230)의 중공의 일부 공간을 감싼다. 이에, 격벽(240)은 회전 구동부(230)의 중공을 복수 개의 공간으로 구획한다. 또한, 격벽(240)은 회전 구동부(230)의 중공뿐 아니라 회전 구동부(230)으로부터 기판 지지 부재(210)의 지지판(211)까지 연속된 중공의 일부 공간을 감싸도록 제공될 수 있다.
도 5는 도 4의 A를 나타낸 도면이다.
도 6은 도 4의 A를 상부에서 바라본 도면이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 유체 공급 부재(800)는 기판의 하면으로 약액을 공급한다. 유체 공급 부재(800)는 복수개의 약액 공급 라인(820,840)을 포함한다.
복수 개의 약액 공급 라인(820,840)은 기판의 약액 처리에 사용되는 약액에 따라 약액 공급 라인(820,840)이 다르게 제공될 수 있다. 약액 공급 라인(820,830)은 일단에 삽입된 약액 노즐과 약액 노즐 끝단에 형성된 토출구를 가진다. 약액 노즐은 튜브 형상으로 마련될 수 있다. 토출구는 기판 하면을 향해 형성된다.
기판 처리 공정에 사용되는 약액은 불산(HF), 황산(H2SO4), 질산(HNO3), 인산(H3PO4), SC-1 용액(수산화암모늄(NH4OH), 과산화수소(H2O2) 및 물(H2O)의 혼합액) 그리고 황산(H2SO4)과 과산화수소(H2O2)의 혼합액으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다.
복수 개의 약액 공급 라인(820,840)은 기판을 처리하는 약액의 온도에 따라 각각 분리될 수 있다. 이에, 기판을 처리하는 일반적인 약액의 온도보다 상대적으로 온도가 높은 약액을 공급하는 경우, 각각의 약액 공급 라인(820,840)을 감싸 공간이 분리되도록 제공될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 복수 개의 약액 공급 라인(820,840)은 제 1 약액 공급 라인(840)과 제 2 약액 공급 라인(820)을 포함한다.
제 1 약액 공급 라인(840)은 격벽(240)으로 감싸여진 공간에 삽입되며, 제 2 약액 공급 라인(820)은 상기 중공에서 격벽(240)의 외부 공간에 삽입된다. 이 때, 격벽(240)은 단열재로 제공될 수 있다. 또한, 제 1 약액 공급 라인(840)의 둘레는 보온재(846)로 감싼다.
단열재로 이루어진 격벽(240)과 보온재(846)로 둘러싸인 제 1 약액 공급 라인(840)의 약액은 제 2 약액 공급 라인(820)의 약액보다 온도가 높은 약액이 공급된다. 이 때, 제 1 약액 공급 라인(840)에 공급되는 약액은 황산(H2SO4)과 과산화수소(H2O2)가 혼합된 약액일 수 있다. 이는 고온으로 공급되는 황산(H2SO4)과 과산화수소(H2O2)가 혼합된 약액의 온도를 유지시키고, 회전 구동부(230)에 과열을 방지시키기 위함이다.
또한, 회전 구동부(230)에는 고온의 약액에 의한 영향으로 과열되는 것을 방지하기 위해 회전 구동부(230)의 둘레에 냉각수 라인을 제공할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 구성은 기판 후면에 고온의 약액을 공급함으로써 생길 수 있는 문제점을 완화시킬 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같은 구성을 가지는 매엽식 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 설명하면 다음과 같다. 도 10a 내지 도 10f는 본 발명에 따른 매엽식 기판 처리 장치의 동작 상태를 보여주는 도면이다.
먼저, 스핀 헤드(200)에 기판(W)이 로딩된다. 기판 지지 부재(210)가 로딩 위치로 이동하고, 기판(W)은 기판 지지 부재(210)에 제공된 지지 핀들(212)에 안착된 후 척 핀들(214)에 의해 척킹된다.
기판(W)이 로딩된 상태에서 기판 지지 부재(210)는 회전 구동부(230)에 의해 약액 처리 공정 위치로 이동한다. 회전 구동부(230)는 기판 지지 부재(210)를 회전시키고, 이에 따라 기판 지지 부재(210)에 지지된 기판(W)이 회전한다. 복수 개의 약액 공급 라인(820,840)은 회전하는 기판(W)의 하면 중심부로 약액을 공급한다. 약액은 황산(H2SO4)과 과산화수소(H2O2)가 혼합된 약액이 제공되며, 고온의 약액으로 공급될 수 있다. 이 경우에는 제 1 약액 공급 라인(840)을 통해 공급된다. 약액은 회전하는 기판(W)의 원심력에 의해 기판(W)의 하면을 따라 주변부로 이동하면서, 기판(W)의 하면에 잔류하는 오염 물질을 식각 또는 박리시킨다. 사용된 약액 중 일부는 회전하는 기판(W)의 원심력에 의해 기판(W)으로부터 비산되어 하우징(100)의 회수통으로 회수된다.
1000 기판 처리 시스템
10 인덱스부 20 공정 처리부
30 버퍼부 40 이동 통로
50 메인 이송 로봇 60 공정 챔버
100 하우징 300 분사 부재
400 배기 부재 600 승강 유닛
200 스핀 헤드
210 기판 지지 부재 220 지지축
230 회전 구동부 240 격벽
800 유체 공급 부재
840 제 1 약액 공급 라인 846 보온재
820 제 2 약액 공급 라인

Claims (7)

  1. 기판을 지지하는 지지부재와 상기 지지부재의 저면을 지지하는 지지축과 상기 지지축에 결합된 회전 구동부를 포함하는 스핀헤드; 및
    상기 기판의 하면에 약액을 공급하는 유체 공급 부재;를 포함하되,
    상기 스핀 헤드의 지지 부재, 지지축 및 회전 구동부는 중공(中空)이 서로 통하게 형성되어 있으며,
    상기 회전 구동부는 상기 중공의 일부 공간을 감싸는 단열재로 이루어지는 격벽을 가지며,
    상기 유체 공급 부재는,
    상기 격벽으로 감싸여진 공간에 삽입되는 제 1 약액 공급 라인; 상기 중공에서 상기 격벽의 외부 공간에 삽입되는 제 2 약액 공급 라인; 그리고 상기 제 1 약액 공급 라인의 둘레를 감싸는 보온재를 포함하며,
    상기 제 1 약액 공급 라인에 공급되는 약액의 온도는 상기 제 2 약액 공급 라인에 공급되는 약액의 온도보다 높은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 보온재가 불소를 포함하는 재질로 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 회전 구동부의 둘레에 과열을 방지하기 위한 냉각수 라인이 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 약액 공급 라인에 공급되는 약액이 황산(H2SO4)와 과산화수소(H2O2)의 혼합 약액으로 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
KR1020100073626A 2010-07-29 2010-07-29 기판 처리 장치 KR101395212B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100073626A KR101395212B1 (ko) 2010-07-29 2010-07-29 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100073626A KR101395212B1 (ko) 2010-07-29 2010-07-29 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120011978A KR20120011978A (ko) 2012-02-09
KR101395212B1 true KR101395212B1 (ko) 2014-05-15

Family

ID=45836009

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100073626A KR101395212B1 (ko) 2010-07-29 2010-07-29 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101395212B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102030062B1 (ko) * 2012-10-04 2019-10-08 세메스 주식회사 기판처리장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007184363A (ja) * 2006-01-05 2007-07-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板除電方法
JP2009060112A (ja) 2007-08-29 2009-03-19 Semes Co Ltd 枚葉式基板処理装置及び基板処理装置の洗浄方法
KR20090121138A (ko) * 2008-05-21 2009-11-25 주식회사 케이씨텍 매엽식 세정장치
KR20100046793A (ko) * 2008-10-28 2010-05-07 세메스 주식회사 매엽식 기판 처리 장치 및 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007184363A (ja) * 2006-01-05 2007-07-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板除電方法
JP2009060112A (ja) 2007-08-29 2009-03-19 Semes Co Ltd 枚葉式基板処理装置及び基板処理装置の洗浄方法
KR20090121138A (ko) * 2008-05-21 2009-11-25 주식회사 케이씨텍 매엽식 세정장치
KR20100046793A (ko) * 2008-10-28 2010-05-07 세메스 주식회사 매엽식 기판 처리 장치 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120011978A (ko) 2012-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9506695B2 (en) Substrate treating apparatus and method
KR20100138757A (ko) 액처리 장치
WO2013146793A1 (ja) 基板処理装置
JP2009060112A (ja) 枚葉式基板処理装置及び基板処理装置の洗浄方法
KR101329319B1 (ko) 노즐 및 이를 갖는 기판처리장치
KR101408788B1 (ko) 기판처리장치
KR101344930B1 (ko) 기판처리장치
KR101395220B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101395212B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101870653B1 (ko) 기판 처리 장치
KR100625318B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101329301B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101395248B1 (ko) 노즐 유닛
KR20120041014A (ko) 기판처리방법
KR20140071312A (ko) 기판 처리 장치
KR101570167B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102030038B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101605713B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102121239B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR101817215B1 (ko) 펌프 및 액 공급 장치
KR20140085726A (ko) 기판 처리 장치
KR102115173B1 (ko) 기판 처리 장치
US20230129923A1 (en) Apparatus for treating substrate
JP6408628B2 (ja) ポンプ及び液供給装置
KR20120009712A (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170510

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180508

Year of fee payment: 5