TWI661467B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

基板處理裝置及基板處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI661467B
TWI661467B TW106128573A TW106128573A TWI661467B TW I661467 B TWI661467 B TW I661467B TW 106128573 A TW106128573 A TW 106128573A TW 106128573 A TW106128573 A TW 106128573A TW I661467 B TWI661467 B TW I661467B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
protective cover
liquid
unit
nozzle
Prior art date
Application number
TW106128573A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201816841A (zh
Inventor
林昌之
岩田敬次
Original Assignee
日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商斯庫林集團股份有限公司 filed Critical 日商斯庫林集團股份有限公司
Publication of TW201816841A publication Critical patent/TW201816841A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI661467B publication Critical patent/TWI661467B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

基板處理裝置係包含有:旋轉單元,係使被收容於腔室內的基板保持單元保持的基板繞著鉛直的旋轉軸線旋轉;噴嘴,係具有噴出口,用以從前述噴出口朝被前述旋轉單元保持的基板的主表面噴出液體;第一藥液供給單元,係用以對前述噴嘴供給第一藥液;處理罩,係用以收容前述基板保持單元,並具有複數個筒狀的防護罩,前述複數個筒狀的防護罩係包含有圍繞前述基板保持單元的周圍之筒狀的第一防護罩以及圍繞前述第一防護罩的周圍之筒狀的第二防護罩;升降單元,係用以使前述複數個防護罩中的至少一個防護罩升降;以及控制裝置,係控制前述旋轉單元、前述第一藥液供給單元以及前述升降單元;前述控制裝置係執行:上位置配置步驟,係將前述複數個防護罩中的至少一個防護罩配置於上位置,該上位置係設定至比預定的接液位置還上方並可藉由前述防護罩接住從前述基板飛散的液體之預定的上位置,前述預定的接液位置係可藉由前述防護罩接住從被前述旋轉單元旋轉的基板飛散之第一藥液;以及第一藥液供給步驟,係在前述防護罩配置於前述上位置的狀態下,一邊藉由前述旋轉單元使基板旋轉一邊對基板的主表面供給第一藥液。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係有關於一種使用藥液處理基板之基板處理裝置以基板處理方法。前述基板的例子係包括例如半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission Display;場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
在半導體裝置液晶顯示裝置的製造步驟中,為了對半導體基板等基板的表面施予藥液所為之處理,會有使用用以逐片地處理基板之葉片式的基板處理裝置之情形。在該葉片式的基板處理裝置的腔室(chamber)內例如包含有:自轉夾具(spin chuck),係大致水平地保持基板並使基板旋轉;噴嘴,係對被該自轉夾具旋轉的基板供給藥液;處理罩(processing cup),係用以接住從基板飛散的處理液,並將該處理液予以排液;以及圓板狀的阻隔板,係與被自轉夾具保持的基板的表面(上表面)對向配置。
處理罩係例如作成將自轉夾具所致使之基板的旋轉軸線作為中心軸線之略圓筒狀,且於上端設置有開口(上部開口)。處理罩係具備有:罩部(cup),係被固定的收容;以及防護罩(guard),係設置成可相對於罩部升降,並可接住從 被自轉夾具旋轉的基板飛散的藥液。在通常的例子中,於基板的液體處理時,將至少最外側的防護罩的高度位置設定至預定的接液位置,該接液位置係可藉由該防護罩接住從基板飛散的藥液。
在此狀態下,一邊藉由自轉夾具使基板旋轉一邊從噴嘴對基板的表面供給藥液,藉此對基板的表面施予藥液所為之處理。供給至基板的表面之藥液係承受基板的旋轉所致使之離心力並從基板的周緣部朝側方飛散。並且,朝側方飛散的藥液係被防護罩接住,沿著防護罩的內壁供給至罩部後被排液處理。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1:日本特開平9-97757號公報。
然而,為了達成接住從基板飛散的藥液之目的,防護罩的接液位置的高度為充分的高度,不過在較低的高度位置之情形中,即使藉由排氣機構將處理罩內予以排氣,亦會有處理罩的內部中之包含有藥液的霧氣等之氛圍通過處理罩的上部開口流出至處理罩外並擴散至腔室的內部之虞。由於包含有藥液的霧氣等之氛圍係變成微粒(particle)而成為附著於基板並污染該基板及污染腔室的內壁之原因,因此期望抑制或防止此種氛圍擴散至周圍。
因此,本發明的目的係提供一種能抑制包含有供給至 基板的主表面的藥液之氛圍擴散至周圍之基板處理裝置及基板處理方法。
本發明提供一種基板處理裝置,係包含有:腔室;基板保持單元,係收容於前述腔室內,用以將基板保持成水平姿勢;旋轉單元,係使被前述基板保持單元保持的基板繞著鉛直的旋轉軸線旋轉;噴嘴,係具有噴出口,用以從前述噴出口朝被前述旋轉單元保持的基板的主表面噴出液體;第一藥液供給單元,係用以對前述噴嘴供給第一藥液;處理罩,用以收容前述基板保持單元,並具有複數個筒狀的防護罩,前述複數個筒狀的防護罩係包含有圍繞前述基板保持單元的周圍之筒狀的第一防護罩以及圍繞前述第一防護罩的周圍之筒狀的第二防護罩;升降單元,係用以使前述複數個防護罩中的至少一個防護罩升降;以及控制裝置,係控制前述旋轉單元、前述第一藥液供給單元以及前述升降單元;前述控制裝置係執行:上位置配置步驟,係將前述複數個防護罩中的至少一個防護罩配置於上位置,該上位置係設定至比預定的接液位置還上方並可藉由前述防護罩接住從前述基板飛散的液體之預定的上位置,前述預定的接液位置係可藉由前述防護罩接住從被前述旋轉單元旋轉的基板飛散之第一藥液;以及第一藥液供給步驟,係在前述防護罩配置於前述上位置的狀態下,一邊藉由前述旋轉單元使基板旋轉一邊對基板的主表面供給第一藥液。
依據此構成,在複數個防護罩中的至少一個防護罩配 置於設定在比接液位置還上方的上位置之狀態下,對處於旋轉狀態的基板的主表面供給第一藥液。在複數個防護罩中的至少一個防護罩配置於上位置之狀態下,大大地確保處理罩的上部開口與基板之間的距離。在第一藥液供給步驟中,雖然藉由對基板供給第一藥液而產生藥液的霧氣,然而由於大大地確保處理罩的上部開口與基板之間的距離,因此包含有藥液的霧氣之氛圍不易通過處理罩的上部開口流出至處理罩外。藉此,能提供一種能抑制包含有供給至基板的主表面的第一藥液之氛圍朝周圍擴散之基板處理裝置。
在本發明的實施形態之一中,進一步包含有:對向構件,係配置於比前述防護罩還上方,並在前述防護罩配置於前述上位置的狀態下於與前述防護罩的上端之間形成環狀間隙,且具有基板對向面,前述基板對向面係在上方與被前述基板保持單元保持的基板的上表面對向。
依據此構成,為了使處理罩的內部的氛圍流出至腔室的內部,處理罩內的氛圍不僅要通過上部開口流出至處理罩外,更需要通過配置於上位置的狀態的防護罩的上端與基板對向面之間的環狀間隙並到達腔室的內部。在此情形中,以環狀間隙變窄之方式設定防護罩的上位置,藉此能有效地抑制或防止氛圍通過環狀間隙流出至腔室的內部的量。
前述基板處理裝置亦可進一步具備有:噴嘴臂,係保持前述噴嘴,並以沿著被前述基板保持單元保持的基板的主表 面移動前述噴嘴之方式,可搖動地設置於預定的搖動軸線周圍,前述預定的搖動軸線係設定至前述基板的旋轉範圍外。在此情形中,前述環狀間隙亦可以前述噴嘴臂能跨越前述旋轉範圍的內外之方式設定成比前述噴嘴臂的上下寬度還大。
依據此構成,將環狀間隙設定成此種大小,藉此能使噴嘴臂一邊通過環狀間隙一邊跨越旋轉範圍的內外。而且,儘量縮小環狀間隙,藉此能以容許噴嘴臂通過之範圍將環狀間隙設定成最低限度的大小。在此情形中,能有效地減少從處理罩的內部流出至腔室的內部之氛圍的量。藉此,能更有效地抑制包含有第一藥液之氛圍朝周圍擴散。
前述基板處理裝置亦可進一步包含有:噴嘴臂,係保持前述噴嘴,並以沿著被前述基板保持單元保持的基板的主表面移動前述噴嘴之方式,可搖動地設置於預定的搖動軸線周圍,前述預定的搖動軸線係設定至前述基板保持單元的側方。在此情形中,前述上位置亦可為配置於前述上位置的狀態的前述防護罩的上端與前述噴嘴臂的下端之間的第一間隔變得比前述噴嘴臂的下端與前述噴出口之間的第二間隔還窄之位置。
依據此構成,以此種方式設定第一間隔與第二間隔之間的大小關係,藉此能有效地減少從處理罩流出至腔室的內部之氛圍的量。藉此,能更有效地抑制包含有第一藥液之氛圍朝周圍擴散。
前述上位置亦可為配置於前述上位置的狀態的前述防 護罩的上端位於比前述噴嘴臂的下端與被前述基板保持單元保持的基板的主表面之間的中間位置還上方之位置。
依據此構成,將上位置設定成上述說明般的位置,藉此能有效地減少從處理罩流出至腔室的內部之氛圍的量。藉此,能更有效地抑制包含有第一藥液之氛圍朝周圍擴散。
前述基板處理裝置亦可進一步包含有:第二藥液供給單元,係用以將與前述第一藥液不同種類的第二藥液供給至前述基板的主表面。在此情形中,前述控制裝置亦可進一步控制前述第二藥液供給單元;前述控制裝置亦可進一步執行:將前述第一防護罩配置於前述第一防護罩的上端位於比被前述基板保持單元保持的基板還下方之下位置且將前述第二防護罩配置於前述接液位置之步驟;以及第二藥液供給步驟,係在前述第一防護罩配置於前述下位置且前述第二防護罩配置於前述接液位置的狀態下,一邊藉由前述旋轉單元使前述基板旋轉一邊對前述基板的主表面供給第二藥液。
依據此構成,在第一防護罩配置於下位置且第二防護罩配置於接液位置的狀態下執行第二藥液供給步驟。因此,在第二藥液供給步驟中,能以位於接液位置的第二防護罩良好地接住從基板飛散的第二藥液。
前述控制裝置亦可將用以將前述第一防護罩及前述第二防護罩配置於前述上位置之步驟作為前述上位置配置步驟來執行。
依據此構成,在第一防護罩及第二防護罩配置於上位置的狀態下執行第一藥液供給步驟。因此,在第一藥液供給步驟中,能儘量地將第一防護罩配置於上方,並藉由該第一防護罩良好地接住從基板飛散的第一藥液。藉此,在第一藥液供給步驟中,能更有效地抑制包含有第一藥液之氛圍朝周圍擴散。
前述基板處理裝置亦可進一步包含有:水供給單元,係用以對前述噴嘴供給水。前述控制裝置亦可進一步控制前述水供給單元。前述控制裝置亦可進一步執行:將前述第一防護罩及前述第二防護罩配置於前述接液位置之步驟;以及水供給步驟,係在前述第一防護罩及前述第二防護罩配置於前述接液位置的狀態下,一邊藉由前述旋轉單元使前述基板旋轉一邊對前述基板的主表面供給水。
依據此構成,在第一防護罩及第二防護罩配置於接液位置的狀態下執行水供給步驟。因此,在水供給步驟中,能以位於接液位置的第一防護罩良好地接住從基板飛散的水。
在水供給步驟中,由於基板的主表面的周圍幾乎不存在藥液的霧氣,因此即使第一防護罩位於接液位置,藥液的霧氣亦幾乎不會從處理罩流出至腔室的內部。
前述控制裝置亦可將用以將前述第一防護罩配置於前述接液位置且將前述第二防護罩配置於前述上位置之步驟作為前述上位置配置步驟來執行。
依據此構成,在第一防護罩配置於接液位置且第二防 護罩配置於上位置的狀態下執行第一藥液供給步驟。將位於上位置的第二防護罩儘量地配置於上方,藉此能抑制第一藥液的霧氣流出至處理罩外。因此,在第一藥液供給步驟中,能藉由位於接液位置的第一防護罩接住從基板飛散的第一藥液並防止包含有第一藥液的霧氣之氛圍流出至處理罩外。藉此,在第一藥液供給步驟中,能更有效地抑制包含有第一藥液之氛圍朝周圍擴散。
前述基板處理裝置亦可進一步包含有:水供給單元,係用以對前述噴嘴供給水。前述控制裝置亦可進一步控制前述水供給單元。前述控制裝置亦可進一步執行:將前述第一防護罩配置於前述第一防護罩的上端位於比被前述基板保持單元保持的基板還下方之下位置且將前述第二防護罩配置於前述接液位置之步驟;以及水供給步驟,係在前述第一防護罩配置於前述下位置且前述第二防護罩配置於前述接液位置的狀態下,一邊藉由前述旋轉單元使前述基板旋轉一邊對前述基板的主表面供給水。
依據此構成,在第一防護罩配置於下位置且第二防護罩配置於接液位置的狀態下執行水供給步驟。因此,在水供給步驟中,能以位於接液位置的第二防護罩良好地接住從基板飛散的水。此外,在第一藥液供給步驟中,由於將第一防護罩配置於接液位置且將第二防護罩配置於上位置,因此會有在第一藥液供給步驟後第一藥液的霧氣附著於在第一防護罩與第二防護罩之間被區劃的內部空間的牆壁之虞。然而,在水供給步驟中,能供給至在第一防護罩與第 二防護罩之間被區劃的內部空間。因此,即使在第一藥液的霧氣附著於在第一防護罩與第二防護罩之間被區劃的內部空間的牆壁之情形中,亦能藉由執行水供給步驟以水沖流前述第一藥液的霧氣。
前述控制裝置亦可在前述第一藥液供給步驟執行前及/或執行後以及/或者前述第二藥液供給步驟執行前及/或執行後執行前述水供給步驟。
依據此構成,在共通的腔室內執行使用了彼此不同種類的藥液之第一藥液供給步驟及第二藥液供給步驟。此外,在第一藥液供給步驟執行前及/或執行後以及/或者第二藥液供給步驟執行前及/或執行後執行水供給步驟。
在第一藥液供給步驟結束後及/或第二藥液供給步驟開始前會有第一藥液的霧氣附著於在第一防護罩與第二防護罩之間被區劃的內部空間的牆壁之虞。在此情形中,在第一藥液供給步驟結束後及/或第二藥液供給步驟開始前實施水供給步驟,藉此能將水供給至內部空間,從而能沖流附著於內部空間的牆壁之第一藥液的霧氣。因此,在第二藥液供給步驟開始時第一藥液的霧氣不會殘留於內部空間的牆壁。因此,在前述第二藥液供給步驟中即使第二藥液進入至內部空間,前述第二藥液亦不會與第一藥液混合接觸。藉此,能防止在內部空間的內部中第一藥液與第二藥液混合接觸。
前述基板處理裝置亦可包含有:分隔板,係在前述腔室內將前述基板保持單元的側方區域上下地分隔成上側的 上空間與下側的下空間。在此情形中,亦可於前述下空間開口有排氣口,並於前述第二防護罩與前述分隔板之間形成有間隙。前述第二防護罩亦可具有:閉塞部,係用以將前述間隙閉塞。再者,亦可為在前述第二防護罩配置於前述上位置的狀態下前述閉塞部將前述間隙閉塞,且在前述第二防護罩配置於設定在比前述上位置還下方的預定的下方位置的狀態下形成有前述間隙。
依據此構成,當間隙呈開口時,於腔室的內部流動之氣流係流動至處理罩的內部以及下空間雙方。另一方面,當間隙呈閉塞時,於腔室的內部流動之氣流不會流動至下空間,而是聚集在處理罩的內部。
在第二防護罩位於上位置的狀態下執行第一藥液供給步驟之情形中,在第一藥液供給步驟中能形成從腔室的內部朝向處理罩的內部之氣流。藉此,能更有效地抑制包含有藥液的霧氣之氛圍從處理罩朝腔室的內部流出。
此外,前述第一藥液亦可包含有硫酸與過氧化氫水的混合液。
本發明提供一種基板處理方法,係在基板處理裝置中被執行,前述基板處理裝置係包含有:腔室;基板保持單元,係收容於前述腔室內,用以將基板保持成水平姿勢;旋轉單元,係使被前述基板保持單元保持的基板繞著鉛直的旋轉軸線旋轉;以及複數個防護罩,係包含有圍繞前述基板保持單元的周圍之筒狀的第一防護罩以及圍繞前述第一防護罩的周圍之筒狀的第二防護罩;前述基板處理方法係包含有:基 板保持步驟,係藉由前述基板保持單元保持基板;上位置配置步驟,係將前述複數個防護罩中的至少一個防護罩配置於上位置,該上位置係設定至比預定的接液位置還上方並可藉由前述防護罩接住從前述基板飛散的液體之預定的上位置,前述預定的接液位置係可藉由前述防護罩接住從被前述旋轉單元旋轉的基板飛散之液體;以及第一藥液供給步驟,係在前述防護罩配置於前述上位置的狀態下,一邊藉由前述旋轉單元使基板旋轉一邊對基板的主表面供給第一藥液。
依據此方法,在複數個防護罩中的至少一個防護罩配置於設定在比接液位置還上方的上位置之狀態下,使基板旋轉並對基板的主表面供給第一藥液。在複數個防護罩中的至少一個防護罩配置於上位置之狀態下,大大地確保處理罩的上部開口與基板之間的距離。在第一藥液供給步驟中,雖然藉由對基板供給第一藥液而產生藥液的霧氣,然而由於大大地確保處理罩的上部開口與基板之間的距離,因此包含有藥液的霧氣之氛圍不易通過處理罩的上部開口流出至處理罩外。藉此,能提供一種能抑制包含有供給至基板的主表面的第一藥液之氛圍朝周圍擴散之基板處理方法。
在本發明的實施形態之一中,前述基板處理方法係進一步包含有:將前述第一防護罩配置於前述第一防護罩的上端位於比被前述基板保持單元保持的基板還下方之下位置且將前述第二防護罩配置於前述接液位置之步驟;以及第二藥液供給步驟,係在前述第一防護罩配置於前述下位 置且前述第二防護罩配置於前述接液位置的狀態下,一邊藉由前述旋轉單元使前述基板旋轉一邊對前述基板的主表面供給第二藥液。
依據此方法,在第一防護罩配置於下位置且第二防護罩配置於接液位置的狀態下執行第二藥液供給步驟。因此,在第二藥液供給步驟中,能以位於接液位置的第二防護罩良好地接住從基板飛散的第二藥液。
前述上位置配置步驟亦可包含有將前述第一防護罩及前述第二防護罩配置於前述上位置之步驟。
依據此方法,在第一防護罩及第二防護罩配置於上位置的狀態下執行第一藥液供給步驟。因此,在第一藥液供給步驟中,能儘量地將第一防護罩配置於上方,並藉由該第一防護罩良好地接住從基板飛散的第一藥液。藉此,在第一藥液供給步驟中,能更有效地抑制包含有第一藥液之氛圍朝周圍擴散。
前述基板處理方法亦可進一步包含有:將前述第一防護罩及前述第二防護罩配置於前述接液位置之步驟;以及水供給步驟,係在前述第一防護罩及前述第二防護罩配置於前述接液位置的狀態下,一邊藉由前述旋轉單元使前述基板旋轉一邊對前述基板的主表面供給水。
依據此方法,在第一防護罩及第二防護罩配置於接液位置的狀態下執行水供給步驟。因此,在水供給步驟中,能以位於接液位置的第一防護罩良好地接住從基板飛散的水。
在水供給步驟中,由於基板的主表面的周圍幾乎不存在藥液的霧氣,因此即使第一防護罩位於接液位置,藥液的霧氣亦幾乎不會從處理罩流出至腔室的內部。
前述上位置配置步驟亦可進一步包含有將前述第一防護罩配置於前述接液位置且將前述第二防護罩配置於前述上位置之步驟。
依據此方法,在第一防護罩配置於接液位置且第二防護罩配置於上位置的狀態下執行第一藥液供給步驟。將位於上位置的第二防護罩儘量地配置於上方,藉此能抑制第一藥液的霧氣流出至處理罩外。因此,在第一藥液供給步驟中,能藉由位於接液位置的第一防護罩接住從基板飛散的第一藥液並防止包含有第一藥液的霧氣之氛圍流出至處理罩外。藉此,在第一藥液供給步驟中,能更有效地抑制包含有第一藥液之氛圍朝周圍擴散。
前述基板處理方法亦可進一步包含有:將前述第一防護罩及前述第二防護罩配置於前述接液位置之步驟;將前述第一防護罩配置於前述第一防護罩的上端位於比被前述基板保持單元保持的基板還下方之下位置且將前述第二防護罩配置於前述接液位置之步驟;以及水供給步驟,係在前述第一防護罩配置於前述下位置且前述第二防護罩配置於前述接液位置的狀態下,一邊藉由前述旋轉單元使前述基板旋轉一邊對前述基板的主表面供給水。
依據此方法,在第一防護罩配置於下位置且第二防護罩配置於接液位置的狀態下執行水供給步驟。因此,在水 供給步驟中,能以位於接液位置的第二防護罩良好地接住從基板飛散的水。此外,在第一藥液供給步驟中,由於將第一防護罩配置於接液位置且將第二防護罩配置於上位置,因此會有在第一藥液供給步驟後第一藥液的霧氣附著於在第一防護罩與第二防護罩之間被區劃的內部空間的牆壁之虞。然而,在水供給步驟中,能供給至在第一防護罩與第二防護罩之間被區劃的內部空間。因此,即使在第一藥液的霧氣附著於在第一防護罩與第二防護罩之間被區劃的內部空間的牆壁之情形中,亦能藉由執行水供給步驟以水沖流前述第一藥液的霧氣。
前述水供給步驟亦可在前述第一藥液供給步驟執行前及/或執行後以及/或者前述第二藥液供給步驟執行前及/或執行後執行。
依據此方法,在共通的腔室內執行使用了彼此不同種類的藥液之第一藥液供給步驟及第二藥液供給步驟。此外,在第一藥液供給步驟執行前及/或執行後以及/或者第二藥液供給步驟執行前及/或執行後執行水供給步驟。
在第一藥液供給步驟結束後及/或第二藥液供給步驟開始前會有第一藥液的霧氣附著於在第一防護罩與第二防護罩之間被區劃的內部空間的牆壁之虞。在此情形中,在第一藥液供給步驟結束後及/或第二藥液供給步驟開始前實施水供給步驟,藉此能將水供給至內部空間,從而能沖流附著於內部空間的牆壁之第一藥液的霧氣。因此,在第二藥液供給步驟開始時第一藥液的霧氣不會殘留於內部空 間的牆壁。因此,在前述第二藥液供給步驟中即使第二藥液進入至內部空間,前述第二藥液亦不會與第一藥液混合接觸。藉此,能防止在內部空間的內部中第一藥液與第二藥液混合接觸。
本發明的前述目的、特徵及功效以及其他的目的、特徵及功效係參照隨附圖式並藉由下述實施形態的說明而更明瞭。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧腔室
4a‧‧‧下部空間
5‧‧‧自轉夾具
6‧‧‧基板對向面
7‧‧‧對向構件
8‧‧‧SPM供給單元
9‧‧‧排氣口
9a‧‧‧排氣導管
10‧‧‧有機溶劑供給單元
11‧‧‧水供給單元
12‧‧‧處理罩
12a‧‧‧上部開口
13‧‧‧隔壁
14‧‧‧FFU
15‧‧‧側方區域
15a‧‧‧上部區域
15b‧‧‧下部區域
16‧‧‧分隔板
17‧‧‧自轉馬達
18‧‧‧下自轉軸
19‧‧‧自轉基座
19a‧‧‧上表面
20‧‧‧夾持構件
21‧‧‧阻隔板
22‧‧‧上自轉軸
23‧‧‧貫通孔
24‧‧‧第一噴嘴
25‧‧‧第二噴嘴
26‧‧‧阻隔板旋轉單元
27‧‧‧阻隔板升降單元
28‧‧‧SPM噴嘴
28a‧‧‧噴出口
29‧‧‧噴嘴臂
29a‧‧‧下端面
30‧‧‧SPM配管
31‧‧‧SPM閥
32‧‧‧噴嘴移動單元
33‧‧‧中心軸噴嘴
34‧‧‧殼體
34a‧‧‧噴出口
35‧‧‧第一噴出口
36‧‧‧地二噴出口
37‧‧‧有機溶劑配管
38‧‧‧第一有機溶劑閥
38a‧‧‧下端面
39‧‧‧第二有機溶劑閥
40‧‧‧分歧位置
41‧‧‧吸引配管
42‧‧‧吸引閥
43‧‧‧有機溶劑下游側部分
44‧‧‧吸引單元
46‧‧‧水配管
47‧‧‧水閥
48‧‧‧惰性氣體配管
49‧‧‧惰性氣體閥
50‧‧‧圓筒構件
51‧‧‧第一罩部
52‧‧‧第二罩部
53‧‧‧第一防護罩
54‧‧‧第二防護罩
55‧‧‧防護罩升降單元
59‧‧‧第一排液槽
61‧‧‧第一排液配管
62‧‧‧第二排液槽
64‧‧‧第二排液配管
66‧‧‧導引部
67‧‧‧處理液分離壁
68‧‧‧下端部
69‧‧‧厚壁部
70‧‧‧中段部
71‧‧‧上段部
72‧‧‧圓筒部
73‧‧‧上端部
74‧‧‧折返部
75‧‧‧突部
86‧‧‧環狀間隙
87‧‧‧第一間隔
88‧‧‧第二間隔
102‧‧‧水用分歧配管
103‧‧‧IPA用分歧配管
105‧‧‧水用開閉閥
106‧‧‧IPA用開閉閥
A1、A2‧‧‧旋轉軸線
A3‧‧‧搖動軸線
C‧‧‧承載器
CR‧‧‧基板搬運機器人
DF1、DF2、DF3‧‧‧降流
H‧‧‧手部
IR‧‧‧搬運機器人
LP‧‧‧裝載埠
M‧‧‧中間位置
MI‧‧‧霧氣
P1‧‧‧上位置
P2‧‧‧接液位置
P3‧‧‧下位置
S、S0‧‧‧間隙
S1、S2‧‧‧步驟
S3‧‧‧SPM供給步驟
S4‧‧‧水供給步驟
S5‧‧‧有機溶劑供給步驟
S6‧‧‧離心法脫水步驟
W‧‧‧基板
W1‧‧‧上下寬度
圖1係用以說明本發明實施形態之一的基板處理裝置的內部的布局之示意性的俯視圖。
圖2A係用以說明前述基板處理裝置所具備的處理單元的構成例之示意性的剖視圖。
圖2B係用以具體地說明前述處理單元所含有的對向構件的周邊的構成之圖。
圖3A係用以說明在圖2A所示的第二防護罩位於下位置的狀態中之前述腔室的內部的氣流的流動之示意性的圖。
圖3B係用以說明前述第二防護罩位於接液位置的狀態中之前述腔室的內部的氣流的流動之示意性的圖。
圖3C係用以說明前述第二防護罩位於上位置的狀態中之前述腔室的內部的氣流的流動之示意性的圖。
圖4係用以說明前述基板處理裝置的主要部分的電性構成之方塊圖。
圖5係用以說明前述處理單元所為之第一基板處理例 之流程圖。
圖6A及圖6B係用以說明前述第一基板處理例之示意性的圖。
圖6C及圖6D係用以說明緊接於圖6B的步驟之示意性的圖。
圖6E係用以說明緊接於圖6D的步驟之示意性的圖。
圖7係用以放大顯示前述處理單元的下部的構成例之示意性的剖視圖。
圖8A及圖8B係用以說明前述處理單元所為之第二基板處理例之示意圖。
圖8C係用以說明前述處理單元所為之第二基板處理例之示意圖。
圖1係用以說明本發明實施形態之一的基板處理裝置1的內部的布局之示意性的俯視圖。基板處理裝置1係用以逐片地處理矽晶圓等基板W之葉片式的裝置。在本實施形態中,基板W為圓板狀的基板。基板處理裝置1係包含有:複數個處理單元2,係以處理液處理基板W;裝載埠(load port)LP,係載置有承載器(carrier)C,該承載器C係用以收容用以被處理單元2處理之複數個基板W;搬運機器人IR及搬運機器人CR,係在裝載埠LP與處理單元2之間搬運基板W;以及控制裝置3,係控制基板處理裝置1。搬運機器人IR係在承載器C與基板搬運機器人CR之間搬運基板W。基板搬運機器人CR係在搬運機器人IR與處理單 元2之間搬運基板W。複數個處理單元2係例如具有同樣的構成。
圖2A係用以說明處理單元2的構成例之示意性的剖視圖。
處理單元2係包含有:箱形的腔室4;自轉夾具(基板保持單元)5,係在腔室4內以水平的姿勢保持一片基板W,使基板W繞著通過基板W的中心之鉛直的旋轉軸線A1旋轉;對向構件7,係具有與被自轉夾具5保持的基板W的上表面(主表面)對向之基板對向面6;SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture;硫酸過氧化氫水混合液)供給單元(第一藥液供給單元)8,係用以將作為第一藥液的硫酸過氧化氫水混合液(SPM)供給至被自轉夾具5保持的基板W;有機溶劑供給單元(第二藥液供給單元)10,係對被自轉夾具5保持的基板W的表面(上表面)供給作為第二藥液的有機溶劑(具有低表面張力之有機溶劑)的一例之異丙醇(IPA;isopropyl alcohol)液;水供給單元11,係用以對被自轉夾具5保持的基板W的表面(上表面)供給作為清洗(rinse)液的水;以及筒狀的處理罩12,係圍繞自轉夾具5。
腔室4係包含有:箱狀的隔壁13,係收容自轉夾具5或噴嘴;作為送風單元的FFU(fan filter unit;風扇過濾器單元)14,係從隔壁13的上部對隔壁13內輸送清淨空氣(經過過濾器過濾的空氣);以及分隔板16,係在腔室4的內部中將腔室4內之處理罩12的側方區域15上下地分隔成上部區域15a與下部區域15b。
FFU14係配置於隔壁13的上方,並安裝於隔壁13的頂部。控制裝置3係以FFU14從隔壁13的頂部朝下地將清淨空氣輸送至腔室4內之方式控制FFU14。
於隔壁13的下部或底部開口有排氣口9。於排氣口9連接有排氣導管9a。排氣裝置係吸引腔室4的內部的下部空間4a(腔室4的內部空間中之在上下方向中比分隔板16還下方的空間)的氛圍,並將該下部空間4a予以排氣。
FFU14係對腔室4的內部供給清淨空氣且排氣裝置係將腔室4的下部空間4a予以排氣,藉此於腔室4內形成有降流(down flow)(下降流)。基板W的處理係在腔室4內形成有降流的狀態下進行。
分隔板16係配置於處理罩12的外壁與腔室4的隔壁13(側方的隔壁)之間。分隔板16的內端部係沿著處理罩12的外壁的外周面配置。分隔板16的外端部係沿著腔室4的隔壁13(側方的隔壁)的內表面配置。後述之SPM噴嘴28及噴嘴臂29係配置於比分隔板16還上方。分隔板16係可為一片板,亦可為配置在相同高度的複數片板。分隔板16的上表面係可為水平,亦可為朝旋轉軸線A1斜上地延伸。
採用用以在水平方向夾著基板W並水平地保持基板W之夾持式的夾具作為自轉夾具5。具體而言,自轉夾具5係包含有:自轉馬達(spin motor)(旋轉單元)17;下自轉軸18,係與自轉馬達17的驅動軸一體化;以及圓板狀的自轉基座(spin base)19,係略水平地安裝於下自轉軸18的上端。自轉基座19係具備有由平坦面所構成的上表面19a。
於自轉基座19的上表面19a的周緣部配置有複數個(三個以上,例如為六個)夾持構件20。複數個夾持構件20係在自轉基座19的上表面周緣部中在與基板W的外周形狀對應之圓周上隔著適當的間隔配置。
此外,作為自轉夾具5,並未限定於夾持式的自轉夾具,例如亦可採用真空吸附式的自轉夾具(真空夾具),該真空吸附式的自轉夾具係真空吸附基板W的背面,藉此以水平的姿勢保持基板W,並在此狀態下使基板W繞著鉛直的旋轉軸線旋轉,從而使被自轉夾具5保持的基板W旋轉。
對向構件7係包含有:阻隔板21;以及上自轉軸22,係同軸地設置於阻隔板21。阻隔板21為圓板狀,並具有與基板W大致相同的直徑或基板W的直徑以上的直徑。基板對向面6係形成阻隔板21的下表面,且為與基板W的上表面全域對向之圓形。
於基板對向面6的中央部形成有圓筒狀的貫通孔23(參照圖2B),該貫通孔23係上下地貫通阻隔板21及上自轉軸22。貫通孔23的內周壁係被圓筒面區劃。於貫通孔23的內部插通有分別朝上下延伸之第一噴嘴24及第二噴嘴25。
於上自轉軸22結合有阻隔板旋轉單元26。阻隔板旋轉單元26係使上自轉軸22連同阻隔板21一起繞著旋轉軸線A2旋轉。於阻隔板21結合有包含有電動馬達及滾珠螺桿(ball screw)等構成之阻隔板升降單元27。阻隔板升降單元27係將阻隔板21連同第一噴嘴24及第二噴嘴25於鉛直方向升降。 阻隔板升降單元27係使阻隔板21、第一噴嘴24以及第二噴嘴25在接近位置(參照圖6D等)與退避位置(參照圖2A及圖6A等)之間升降,該接近位置為阻隔板21的基板對向面6接近至被自轉夾具5保持的基板W的上表面之位置,該退避位置係設置於接近位置的上方之位置。阻隔板升降單元27係可在接近位置與退避位置之間的各位置保持阻隔板21。
SPM供給單元8係包含有:SPM噴嘴(噴嘴)28;噴嘴臂29,前端部係安裝有SPM噴嘴28;SPM配管30,係連接至SPM噴嘴28;SPM閥31,係夾設於SPM配管30;以及噴嘴移動單元32,係連接至噴嘴臂29,並使噴嘴臂29繞著搖動軸線A3搖動而使SPM噴嘴28移動。噴嘴移動單元32係包含有馬達等。
SPM噴嘴28係例如為以連續流動的狀態噴出液體之直式噴嘴(straight nozzle)。在本實施形態中,於SPM噴嘴28的本體的外周面形成有噴出口28a,並從噴出口28a橫向地噴出SPM。然而,亦可採用下述構成來取代此構成:於SPM噴嘴28的本體的下端形成有噴出口,並從噴出口28a朝下噴出SPM。
對SPM配管30供給有來自硫酸過氧化氫水供給源的硫酸過氧化氫水混合液(SPM)。在本實施形態中,供給至SPM配管30的SPM為高溫(例如約170℃至約180℃)。對SPM配管30供給有藉由硫酸與過氧化氫水的反應熱而升溫至前述高溫的SPM。
當SPM閥31開啟時,從SPM噴嘴28的噴出口28a噴出 從SPM配管30供給至SPM噴嘴28的高溫的SPM。當SPM閥31關閉時,停止從SPM噴嘴28噴出高溫的SPM。噴嘴移動單元32係使SPM噴嘴28在處理位置與退避位置之間移動,該處理位置為從SPM噴嘴28噴出的高溫的SPM被供給至基板W的上表面之位置,該退避位置為俯視觀看時SPM噴嘴28已退避至自轉夾具5的側方之位置。
圖2B係用以具體地說明處理單元2所含有的對向構件7的周邊的構成之圖。
於貫通孔23的內部插通有上下延伸之中心軸噴嘴33。中心軸噴嘴33係包含有第一噴嘴24、第二噴嘴25以及圍繞第一噴嘴24與第二噴嘴25之筒狀的殼體(casing)34。
於第一噴嘴24的下端形成有用以朝下方噴出液體之第一噴出口35。於第二噴嘴25的下端形成有用以朝下方噴出液體之第二噴出口36。在本實施形態中,第一噴嘴24及第二噴嘴25分別為內管(inner tube)。殼體34係沿著旋轉軸線A2於上下方向延伸。殼體34係以非接觸狀態插入至貫通孔23的內部。因此,阻隔板21的內周係於徑方向隔著間隔圍繞殼體34的外周。
有機溶劑供給單元10係包含有:第一噴嘴24;有機溶劑配管37,係連接至第一噴嘴24,且內部連通至第一噴出口35;第一有機溶劑閥38,係夾設於有機溶劑配管37,用以將有機溶劑予以開閉;以及第二有機溶劑閥39,係夾設於比第一有機溶劑閥38還下游側的有機溶劑配管37,用以將有機溶劑予以開閉。
於有機溶劑配管37中之設定至第一有機溶劑閥38與第二有機溶劑閥39之間的分歧位置40分歧連接有吸引配管41,該吸引配管41的前端係連接有吸引裝置(未圖示)。於吸引配管41夾設有用以將吸引配管41予以開閉之吸引閥42。
當第一有機溶劑閥38開啟時,來自有機溶劑供給源的有機溶劑係被供給至第二有機溶劑閥39。在此狀態下,當第二有機溶劑閥39開啟時,從第一噴出口35朝基板W的上表面中央部噴出供給至第二有機溶劑閥39的有機溶劑。
在吸引裝置的動作狀態中,當在第一有機溶劑閥38關閉且第二有機溶劑閥39開啟的狀態下開啟吸引閥42時,吸引裝置的作動被有效化,有機溶劑配管37中之比分歧位置40還下游側的下游側部分43(以下稱為「有機溶劑下游側部分43」)的內部係被排氣,於有機溶劑下游側部分43所含有之有機溶劑係被吸入至吸引配管41。吸引裝置及吸引閥42係包含於吸引單元44。
水供給單元11係包含有:第二噴嘴25;水配管46,係連接至第二噴嘴25,且內部連通至第二噴出口36;以及水閥47,用以將水配管46予以開閉,並切換從水配管46朝第二噴嘴25供給水以及停止供給水。當水閥47開啟時,來自水供給源的水係被供給至水配管46並從第二噴出口36朝基板W的上表面中央部噴出。供給至水配管46的水係例如為碳酸水,但並未限定於碳酸水,亦可為去離子水(DIW;deionized water)、電解離子水、氫水、臭氧水以及稀釋濃度(例如10ppm至100ppm左右)的鹽酸水中的任一者。
處理單元2係進一步包含有:惰性氣體配管48,係對殼體34的外周與阻隔板21的內周之間的筒狀的空間供給惰性氣體;以及惰性氣體閥49,係夾設於惰性氣體配管48。當惰性氣體閥49開啟時,來自惰性氣體供給源的惰性氣體係通過殼體34的外周與阻隔板21的內周之間從阻隔板21的下表面中央部朝下方噴出。因此,當在阻隔板21配置於接近位置的狀態下開啟惰性氣體閥49時,從阻隔板21的下表面中央部噴出的惰性氣體係於基板W的上表面與阻隔板21的基板對向面6之間朝外側(從旋轉軸線A1遠離的方向)擴展,基板W與阻隔板21之間的空氣係被置換成惰性氣體。於惰性氣體配管48內流動之惰性氣體係例如為氮氣。惰性氣體並未限定於氮氣,亦可為氦氣或氬氣等其他的惰性氣體。
如圖2A所示,處理罩12係包含有:複數個罩部(第一罩部51及第二罩部52),係以雙重地圍繞自轉夾具5之方式固定性地配置;複數個防護罩(第一防護罩53及第二防護罩54),係用以接住飛散至基板W的周圍的處理液(SPM、有機溶劑或水);以及防護罩升降單元(升降單元)55,係獨立地使各個防護罩升降。防護罩升降單元55係例如為包含有滾珠螺桿機構之構成。
處理罩12係可以於上下方向重疊之方式收容,防護罩升降單元55係使第一防護罩53及第二防護罩54中的至少一者升降,藉此進行處理罩12的展開及摺疊。
第一罩51係呈圓環狀,並在自轉夾具5與圓筒構件50之間圍繞自轉夾具5的周圍。第一罩部51係具有相對於基板 W的旋轉軸線A1大致旋轉對稱的形狀。第一罩部51係呈剖面U字狀,並區劃第一排液槽59,該第一排液槽59係用以將已使用於基板W的處理之處理液予以排液。於第一排液槽59的底部的最低處開口有第一排液口(未圖示),於第一排液口連接有第一排液配管61。通過第一排液配管61排液的處理液係被輸送至預定的回收裝置或廢棄裝置,並被該回收裝置或廢棄裝置進行處理。第二罩部52係呈圓環狀,並圍繞第一罩部51的周圍。第二罩部52係具有相對於基板W的旋轉軸線A1大致旋轉對稱的形狀。第二罩52係呈剖面U字狀,並區劃第二排液槽62,該第二排液槽62係用以收集並回收已使用於基板W的處理之處理液。於第二排液槽62的底部的最低處開口有第二排液口(未圖示),於第二排液口連接有第二排液配管64。通過第二排液配管64排液的處理液係被輸送至預定的回收裝置或廢棄裝置,並被該回收裝置或廢棄裝置進行處理。
內側的第一防護罩53係圍繞自轉夾具5的周圍,並具有相對於自轉夾具5所為之基板W的旋轉軸線A1大致旋轉對稱的形狀。第一防護罩53係一體性地具備有:圓筒狀的導引部66,係圍繞自轉夾具5的周圍;以及圓筒狀的處理液分離壁67,係連結至導引部66。導引部66係具有:圓筒狀的下端部68,係圍繞自轉夾具5的周圍;筒狀的厚壁部69,係從下端部68的上端朝外側(從基板W的旋轉軸線A1遠離的方向)延伸;圓筒狀的中段部70,係從厚壁部69的上表面外周部朝鉛直上方延伸;以及圓環狀的上端部71,係從中段部70 的上端朝內側(接近基板W的旋轉軸線A1的方向)斜上方地延伸。
處理液分離壁67係從厚壁部69的外周部微量地朝鉛直下方延伸,並位於第二排液槽62上。此外,導引部66的下端部68係位於第一排液槽59上,並以最接近第一防護罩53與第一罩部51的狀態下收容於第一排液槽59的內部。導引部66的上端部71的內周端係呈俯視觀看時比被自轉夾具5保持的基板W還大徑的圓形。此外,如圖2A等所示,導引部66的上端部71的剖面形狀係可為直線狀,亦可為例如一邊描繪圓滑的圓弧狀一邊延伸。
外側的第二防護罩54係在第一防護罩53的外側中圍繞自轉夾具5的周圍,並具有相對於自轉夾具5所為之基板W的旋轉軸線A1大致旋轉對稱的形狀。第二防護罩54係具有:圓筒部72,係與第一防護罩53同軸;上端部73,係從圓筒部72的上端朝中心側(接近基板W的旋轉軸線A1的方向)斜上方延伸;以及圓環狀的突部(閉塞部)75,係在圓筒部72的例如下端部中朝外側突出。上端部73的內周端係作成俯視觀看時比被自轉夾具5保持的基板W還大徑的圓形。此外,如圖2A等所示,上端部73的剖面形狀係可為直線狀,亦可例如一邊描繪圓滑的圓弧一邊延伸。上端部73的前端係區劃處理罩12的上部開口部12a(參照圖2A)。
圓筒部72係位於第二排液槽62上。此外,上端部73係以於上下方向與第一防護罩53的導引部66的上端部71重疊之方式設置,並以在第一防護罩53與第二防護罩54最 接近的狀態下保持微小的間隙接近導引部66的上端部71之方式形成。折返部74係以在第一防護罩53與第二防護罩54最接近的狀態下於水平方向與導引部66的上端部71重疊之方式形成。突部75係具有由平坦的水平面所構成的圓環狀的上表面。
防護罩升降單元55係使各個防護罩在下述的上位置P1(參照圖3B等)與防護罩的上端部位於比基板W還下方的下位置P3(參照圖3C等)之間升降。
第一防護罩53及第二防護罩54的上位置P1係分別為設定至比下述的接液位置P2(參照圖3A等)還上方之高度位置。各個防護罩(第一防護罩53及第二防護罩54)的上位置P1係形成於防護罩的上端與對向構件7(基板對向面6)之間的環狀間隙86(參照圖6B)的大小(上下方向寬度)變得比噴嘴臂29的上下寬度W1還大之位置。
以其他觀點而言,各個防護罩的上位置P1係比噴嘴臂29的下端面29a還下方且比噴出口28a還上方之位置。更具體而言,各個防護罩的上位置P1係防護罩的上端與噴嘴臂29的下端面29a(噴嘴臂29的下端)之間的第一間隔87(參照圖6B)變得與噴嘴臂29的下端面29a與SPM噴嘴28的噴出口28a之間的第二間隔(參照圖6A及圖6B)88同等或比該第二間隔88還狹窄之位置。更具體而言,各個防護罩的上位置P1係防護罩的上端變得比噴嘴臂29的下端面29a與被自轉夾具5保持的基板W的上表面之間的中間位置M(參照圖3B)還上方之位置。
防護罩升降單元55係可在上位置P1與下位置P3之間的任意的位置保持第一防護罩53及第二防護罩54。具體而言,防護罩升降單元55係將第一防護罩53及第二防護罩54分別保持於上位置P1、下位置P3以及設定至上位置P1與下位置P3之間的接液位置P2。第一防護罩53及第二防護罩54的接液位置P2係防護罩的上端部位於比基板W還上方之高度位置。對基板W供給處理液以及基板W的乾燥係在某個防護罩(第一防護罩53及第二防護罩54)與基板W的周端面對向的狀態下進行。
圖3A至圖3C係用以說明第一防護罩53及第二防護罩54的高度位置與腔室4的內部的氣流的流動之示意性的圖。圖3A係顯示第二防護罩54配置於接液位置P2的狀態。圖3B係顯示第二防護罩54配置於上位置P1的狀態。圖3C係顯示第二防護罩54配置於下位置P3的狀態。
作為使內側的第一防護罩53與基板W的周端面對向之手法,有下述兩個手法。
如圖3B中以實線所示,第一個手法為將第一防護罩53及第二防護罩54皆配置於上位置P1。以下將此種處理罩12的狀態稱為「第一上位置狀態」。此外,在第一上位置狀態中,折返部74係在水平方向與導引部66的上端部71重疊,亦即第一防護罩53及第二防護罩54隔著狹窄間隔重疊。
如圖3A中以實線所示,第二個手法係將第一防護罩53及第二防護罩54皆配置於接液位置P2之手法。以下將此種處理罩12的狀態稱為「第一接液位置狀態」。此外,在第一 接液位置狀態中,折返部74係於水平方向與導引部66的上端部71重疊,亦即第一防護罩53及第二防護罩54係隔著狹窄間隔重疊。
此外,作為使外側的第二防護罩54與基板W的周端面對向之手法係有下述兩個手法。
如圖3B中以二點鍊線所示,第一個手法係將第一防護罩53配置於下位置P3且將第二防護罩54配置於上位置P1之手法。以下將此種處理罩12的狀態稱為「第二上位置狀態」。
如圖3A中以二點鍊線所示,第二個手法係將第一防護罩53配置於下位置P3且將第二防護罩54配置於接液位置P2之手法。以下將此種處理罩12的狀態稱為「第二接液位置狀態」。在第二接液位置狀態中,第一防護罩53及第二防護罩54的間隔係上下地擴展。
此外,如圖3C所示,處理罩12亦可作成所有的防護罩(第一防護罩53及第二防護罩54)皆未與基板W的周端面對向。在此狀態下,第一防護罩53及第二防護罩54皆配置於下位置P3。以下將此種處理罩12的狀態稱為「退閉狀態」。
如圖3C所示,在處理罩12的退避狀態中,於第二防護罩54的突部75(的上表面)與分隔板16(的下表面)之間隔著大的間隔(上下方向的間隔約70mm)W2。因此,在氣體通過突部75與分隔板16之間時,幾乎不會有氣體的壓力損失。
另一方面,在此狀態下,由於第二防護罩54的上端位於比基板W的周端面還下方,因此自轉夾具5(自轉基座19)與 第二防護罩54的前端(折返部74)之間的間隔狹窄,故在氣體通過自轉夾具5與第二防護罩54的前端之間的間隙S0時氣體的壓力損失大。因此,在處理罩12的退避狀態中流動於腔室4的內部之降流DF1係專一地通過突部75與分隔板16之間並進入至腔室4的下部空間4a。
此外,如圖3A所示,在處理罩12的第一接液位置狀態或第二接液位置狀態中,第二防護罩54的突部75(的上表面)與分隔板16(的下表面)之間的間隙S係間隔成比退避狀態的情形還狹窄(上下方向的間隔約30mm且左右方向的間隔約2mm)。因此,氣體通過突部75與分隔板16之間的間隙S之壓力損失係變得比退避狀態還大。此外,由於第二防護罩54的上端位於比基板W的周端面還上方,因此自轉夾具5與第二防護罩54的前端之間的間隙S0比退避狀態的情形還廣,從而氣體通過自轉夾具5與第二防護罩54的前端之間時的壓力損失係比退避狀態的情形還小(亦即存在某種程度)。因此,在處理罩12的第一接液位置狀態或第二接液位置狀態中於腔室4的內部之降流DF2係通過突部75與分隔板16之間的間隙S以及自轉夾具5與第二防護罩54的前端之間的間隙S0雙方並進入至腔室4的下部空間4a。
如圖3B所示,在處理罩12的第一上位置狀態或第二上位置狀態中第二防護罩54的突部75的上表面與分隔板16的下表面接觸,藉此突部75與分隔板16之間的間隙S略為零(實質上被閉塞,更嚴格而言上下方向的間隔為約3mm且左右方向的間隔為約2mm)。
另一方面,在此狀態下,由於第二防護罩54的上端位於比基板W的周端面還非常上方,因此自轉夾具5(自轉基座19)與第二防護罩54的前端之間的間隔極大,從而在氣體通過自轉夾具5與第二防護罩54的前端之間時幾乎不會產生氣體的壓力損失。因此,在處理罩12的第一上位置狀態或第二上位置狀態中於腔室4的內部流動之降流DF3係專一地通過自轉夾具5與第二防護罩54的前端之間並進入至腔室4的下部空間4a。
圖4係用以說明基板處理裝置1的主要部分的電性構成之方塊圖。
控制裝置3係使用例如微電腦(microcomputer)所構成。控制裝置3係具有CPU(Central Processing Unit;中央處理器)等運算單元、固定記憶體器件及硬碟驅動器等記憶單元、以及輸入輸出單元。記憶單元係記憶有讓運算單元執行的程式。
控制裝置3係控制自轉馬達17、噴嘴移動單元32、阻隔板旋轉單元26、阻隔板升降單元27以及防護罩升降單元55等的動作。此外,控制裝置3係將SPM閥31、第一有機溶劑閥38、第二有機溶劑閥39、吸引閥42、水閥47以及惰性氣體閥49等予以開閉。
圖5係用以說明處理單元2所為之第一基板處理例之流程圖。圖6A至圖6E係用以說明第一基板處理例之示意圖。
以下參照圖2A、圖2B以及圖5說明第一基板處理例。適當地參照圖3A至圖3C以及圖6A至圖6E。第一基板處理 例為用以去除形成於基板W的上表面的阻劑(resist)之阻劑去除處理。如下所述般,第一基板處理例係包含有:SPM供給步驟(第一藥液供給步驟)S3,係將SPM供給至基板W的上表面;以及有機溶劑步驟(第二藥液供給步驟)S5,係將IPA等液體的有機溶劑供給至基板W的上表面。SPM與有機溶劑係藉由混合接觸會伴隨著危險(在此情形中為急遽的反應)之藥液的組合。
在藉由處理單元2對基板W施予阻劑去除處理時,將高劑量的離子植入處理後的基板W搬入至腔室4的內部(圖5的步驟S1)。被搬入的基板W為未接受用以將阻劑予以灰化(ashing)之處理的基板。此外,於基板W的表面形成有細微且高縱橫比(aspect ratio)之細微圖案。
在對向構件7(亦即阻隔板21及中心軸噴嘴33)退避至退避位置且SPM噴嘴28從自轉夾具5的上方退避且第一防護罩53及第二防護罩54下降至下位置的狀態(第一防護罩53及第二防護罩54的上端皆配置於比基板W的保持位置還下方的狀態)下,控制裝置3係使正在保持基板W之基板搬運機器人CR(參照圖1)的手部H(參照圖1)進入至腔室4的內部。藉此,在將基板W的表面(阻劑形成面)朝向上方的狀態下將基板W授受至自轉夾具5。之後,基板W係被自轉夾具5保持。
之後,控制裝置3係藉由自轉馬達17使基板W開始旋轉(圖5的步驟S2)。基板W係上升至預先設定的液體處理速度(在約10rpm至500rpm的範圍內,例如約400rpm),並維持 在該液體處理速度。
接著,控制裝置3係進行用以將高溫的SPM供給至基板W的上表面之SPM供給步驟(圖5的步驟S3)。在SPM供給步驟S3中,控制裝置3係將來自SPM噴嘴28之高溫的SPM供給至例如基板W的上表面中央部,俾從基板W的表面剝離阻劑。
具體而言,控制裝置3係控制噴嘴移動單元32,藉此使SPM噴嘴28從退避位置移動至處理位置。藉此,如圖6A所示,SPM噴嘴28係配置於基板W的中央部的上方。
SPM噴嘴28配置於處理位置(例如中央位置)後,控制裝置3係控制防護罩升降單元55,使第一防護罩53及第二防護罩54分別上升至上位置(使處理罩12的狀態遷移至第一上位置狀態),並使第一防護罩53與基板W的周端面對向。
如圖6B所示,在處理罩12的第一上位置狀態中,第二防護罩54的上端與噴嘴臂29的下端面29a之間的第一間隔87(例如略為零)係變得比噴嘴臂29的下端面29a與SPM噴嘴28的噴出口28a之間的第二間隔88(例如約5mm)還狹窄。進一步而言,在處理罩12的第一上位置狀態中,為第二防護罩54的上端位於比噴嘴臂29的下端面29a與被自轉夾具5保持的基板W的上表面之間的中間位置M(參照圖3B)還上方之位置。
第一防護罩53及第二防護罩54上升後,控制裝置3係開啟SPM閥31。藉此,如圖6B所示,高溫(例如約170℃至約180℃)的SPM從SPM配管30供給至SPM噴嘴28,並從 該SPM噴嘴28的噴出口28a噴出高溫的SPM。從SPM噴嘴28噴出的高溫的SPM係著液至基板W的上表面的中央部,並接受基板W的旋轉所為之離心力沿著基板W的上表面朝外側流動。藉此,基板W的上表面全域係被SPM的液膜覆蓋。藉由高溫的SPM,阻劑係從基板W的表面剝離並從該基板W的表面去除。此外,亦可使來自SPM噴嘴28的高溫的SPM的供給位置在基板W的上表面中央部與上表面周緣部之間移動(掃描)。
供給至基板W的上表面的SPM係從基板W的周緣部朝基板W的側方飛散,並被第一防護罩53的內壁接住。接著,沿著第一防護罩53的內壁流下的SPM係在被收集至第一排液槽59後被導引至第一排液配管61,並被導引至用以將SPM予以排液處理之排液處理裝置(未圖示)。
在SPM供給步驟S3中,由於所使用的SPM非常高溫(例如約170℃至約180℃),因此產生大量的SPM的霧氣MI。藉由對基板W供給SPM,大量地產生於基板W的上表面周圍的SPM的霧氣MI係在基板W的上表面上浮游。
在SPM供給步驟S3中,為了達成接住從基板W飛散的藥液之目的,防護罩(至少第二防護罩54)的高度為充分的高度,不過在較低的高度位置之情形中,會有處理罩12的內部中之包含有SPM的霧氣MI等之氛圍通過處理罩12的上部開口12a流出至處理罩12外並擴散至腔室4的內部之虞。由於包含有SPM的霧氣MI等之氛圍係變成微粒而成為附著於基板W並污染該基板W及污染腔室4的隔壁 13的內壁之原因,因此不希望此種氛圍擴散至周圍。
在第一基板處理例的SPM供給步驟S3中,在第一防護罩53及第二防護罩54配置於上位置的狀態下(亦即處理罩12的第一上位置狀態),高溫的SPM被供給至處於旋轉狀態的基板W的上表面。在處理罩12的第一上位置狀態中,在配置於上位置P1的狀態的第二防護罩54的上端與阻隔板21的基板對向面6之間所形成的環狀間隙86(參照圖3B)係設定成狹窄。因此,處理罩12內的氛圍難以通過環狀間隙86流出至腔室4的內部。藉此,能抑制或防止包含有處理罩12的內部中的SPM的霧氣MI之氛圍流出至腔室4的內部。
此外,在處理罩12的第一上位置狀態中,由於突部75與分隔板16之間的間隙S變成略為零,因此於腔室4的內部流動之降流DF3(參照圖3B)係通過自轉夾具5與第二防護罩54的前端之間進入至腔室4的下部空間4a。藉此,能更有效地抑制包含有SPM的霧氣MI之氛圍從處理罩12流出至腔室4的內部。
此外,在處理罩12的第一上位置狀態(圖3B中以實線所示的狀態)中,第一防護罩53與第二防護罩54最接近。在此狀態中,折返部74係於水平方向與導引部66的上端部71重疊。因此,在SPM供給步驟S3中,在基板W的上表面上浮游的SPM的霧氣MI不會進入至第一防護罩53與第二防護罩54之間。於SPM供給步驟S3開始前,會有IPA附著於第二防護罩54的內壁之情形。然而,由於SPM的霧氣MI不會進入至第一防護罩53與第二防護罩54之間,因此在SPM供 給步驟S3中能抑制或防止SPM與IPA在處理罩12的內部中混合接觸。藉此,能抑制或防止處理罩12的內部成為微粒產生源。
當從開始噴出高溫的SPM經過預先設定的期間時,結束SPM供給步驟S3。具體而言,控制裝置3係關閉SPM閥31,停止從SPM噴嘴28噴出高溫的SPM。此外,控制裝置3係控制防護罩升降單元55,使第一防護罩53及第二防護罩54分別下降至接液位置P2。第一防護罩53及第二防護罩54開始下降後,控制裝置3係控制噴嘴移動單元32,使SPM噴嘴28退避至退避位置。
接著,進行用以將作為清洗液的水供給至基板W的上表面之水供給步驟(圖5的步驟S4)。具體而言,控制裝置3係開啟水閥47。藉此,如圖6C所示,從中心軸噴嘴33(的第二噴嘴25(參照圖2B))朝基板W的上表面中央部噴出水。從中心軸噴嘴33噴出的水係著液至基板W的上表面中央部,接受基板W的旋轉所為之離心力並於基板W的上表面上朝基板W的周緣部流動。基板W上的SPM係被該水沖流至外側並排出至基板W的周圍。結果,基板W上的SPM的液膜係被置換成用以覆蓋基板W的上表面全域之水的液膜。亦即,藉由作為清洗液的水從基板W的上表面沖流SPM。
於基板W的上表面流動之水係從基板W的周緣部朝基板W的側方飛散,並被第一防護罩53的內壁接住。接著,沿著第一防護罩53的內壁流下的水係被收集至第一排液槽59後被導引至第一排液配管61,並被導引至用以將水予以排 液處理之排液處理裝置(未圖示)。在已在SPM供給步驟中使用的SPM的液體附著於第一防護罩53的內壁、第一排液槽59及/或第一排液配管61的管壁之情形中,該SPM的液體係被水沖流。
當從開始噴出水經過預先設定的期間時,控制裝置3係關閉水閥47,停止從第二噴嘴25噴出水。藉此,結束水供給步驟S4。
接著,進行用以將作為有機溶劑的IPA供給至基板W的上表面之有機溶劑步驟(圖5的步驟S5)。具體而言,如圖6D所示,控制裝置3係控制阻隔板升降單元27,將阻隔板21配置於接近位置。在阻隔板21位於接近位置時,阻隔板21係將基板W的上表面與基板W的周圍的空間阻隔。
此外,控制裝置3係控制防護罩升降單元55,在第一防護罩53配置於下位置P3的狀態下,將第二防護罩54配置於上位置P1並使第二防護罩54與基板W的周端面相對向。
此外,控制裝置3係將基板W的旋轉減速至預定的覆液(paddle)速度。所謂覆液速度係指以覆液速度使基板W旋轉時作用於基板W的上表面的液體之離心力比在清洗液與基板W的上表面之間作用之表面張力還小或者前述離心力與前述表面張力大致相抗之速度。
接著,在基板W的旋轉速度下降至覆液速度後,控制裝置3係開啟第二有機溶劑閥39並關閉吸引閥42,且開啟第一有機溶劑閥38。藉此,來自有機溶劑供給源的IPA被供給至第一噴嘴24,從第一噴嘴24噴出IPA並著液至基板W的 上表面。
在有機溶劑步驟S5中,藉由從第一噴嘴24噴出IPA,於基板W的上表面的液膜所含有的水係依序被置換成IPA。藉此,用以覆蓋基板W的上表面全域之IPA的液膜係於基板W的上表面保持成覆液狀。在基板W的上表面全域的液膜大致被置換成IPA的液膜後,亦繼續進行對基板W的上表面供給IPA。因此,從基板W的周緣部排出IPA。
從基板W的周緣部排出之IPA係被第二防護罩54的內壁接住。接著,沿著第二防護罩54的內壁流下的IPA係被收集至第二排液槽62後被導引至第二排液配管64,並被導引至用以將IPA予以排液處理之處理裝置(未圖示)。
在本實施形態中,從基板W的周緣部排出的IPA係被與基板W的周端面對向之第二防護罩54的內壁接住,而不會被退避於基板W的周端面的下方之第一防護罩53的內壁接住。而且,在有機溶劑步驟S5中,於基板W的周圍所產生的IPA的霧氣為少量,IPA的霧氣亦不會被導入至第一防護罩53的內壁。而且,在SPM供給步驟S3中附著於第一防護罩53的SPM係藉由水供給步驟S4中的水的供給而被沖流。因此,在有機溶劑步驟S5中不會產生IPA與SPM的混合接觸。
當開始噴出IPA經過預先設定的期間時,控制裝置3係關閉第一有機溶劑閥38,停止從第二噴嘴25噴出IPA。藉此,結束有機溶劑步驟S5。
接著,進行用以使基板W乾燥之離心法脫水(spin-drying) 步驟(圖5的步驟S6)。具體而言,在控制裝置3將阻隔板21配置於接近位置的狀態下,控制裝置3係控制自轉馬達17,藉此如圖6E所示般,使基板W加速至比從SPM供給步驟S3至有機溶劑步驟S5為止的各個步驟中的旋轉速度還大之乾燥旋轉速度(例如數千rpm),並以該乾燥旋轉速度使基板W旋轉。藉此,大的離心力施加至基板W上的液體,附著於基板W之液體係被甩離至基板W的周圍。如此,從基板W去除液體使基板W乾燥。此外,控制裝置3係控制阻隔板旋轉單元26,使阻隔板21高速地於基板W的旋轉方向旋轉。
此外,與離心法脫水步驟S6並行地執行用以吸引有機溶劑配管37內的有機溶劑之有機溶劑吸引步驟。該有機溶劑吸引步驟係藉由吸引單元44吸引在有機溶劑步驟S5後存在於有機溶劑配管37的內部之有機溶劑。
具體而言,控制裝置3係在有機溶劑步驟S5結束後,開啟第二有機溶劑閥39並關閉第一有機溶劑閥38,且開啟吸引閥42。藉此,有機溶劑下游側部分43的內部被排氣,存在於有機溶劑下流側部分43的IPA係被引入(吸引)至吸引配管41。IPA的吸引係進行直至IPA的前端面後退至配管內的預定的待機位置。當IPA的前端面後退至待機位置時,控制裝置3係關閉吸引閥42。藉此,能防止在離心法脫水步驟S6中IPA從有機溶劑配管37落液(滴落)。
當從基板W加速經過預先設定的期間時,控制裝置3係控制自轉馬達17使自轉夾具5停止旋轉基板W(圖5的步驟S7),且控制阻隔板旋轉單元26使阻隔板21停止旋轉。
之後,從腔室4內搬出基板W(圖5的步驟S8)。具體而言,控制裝置3係使阻隔板21上升並配置於退避位置且使第二防護罩54下降至下位置P3,將第一防護罩53及第二防護罩54配置於比基板W的保持位置還下方。之後,控制裝置3係使基板搬運機器人CR的手部保持自轉夾具5上的基板W,並使基板搬運機器人CR的手部H從腔室4內退避。藉此,從腔室4搬出已從表面去除阻劑的基板W。依據該第一基板處理例,在處理罩12的第一上位置狀態下執行SPM供給步驟S3。因此,在SPM供給步驟S3中,能儘量地將第一防護罩53配置於上方,並藉由該第一防護罩53良好地接住從基板飛散的第一藥液。
此外,在SPM供給步驟S3與有機溶劑供給步驟S5中,由於將用以接住處理液的防護罩(第一防護罩53及第二防護罩54)分開,因此能抑制或防止在處理罩12的內部中SPM與IPA混合接觸。藉此,能抑制或防止處理罩12的內部成為微粒產生源。
圖7係用以放大顯示處理單元2的下部的構成例的一例之示意性的剖視圖。亦可於第二罩部52的第二排液配管64的前端連接有水用分歧配管102及IPA用分歧配管103。亦即,於第二排液配管64流通之液體的流通目的地(通過於第一防護罩53與第二防護罩54之間被區劃的內部空間之液體的流通目的地)係分歧成兩個分歧配管(水用分歧配管102及IPA用分歧配管103)。以下說明採用此種兩個分歧配管的情形。
於水用分歧配管102夾設有用以將水用分歧配管102予以開閉之水用開閉閥105。於IPA用分歧配管103夾設有用以將IPA用分歧配管103予以開閉之IPA用開閉閥106。在關閉IPA用開閉閥106的狀態下開啟水用開閉閥105,藉此於第二排液配管64流動之液體的流通目的地係被設定至水用分歧配管102。在關閉水用開閉閥105的狀態下開啟IPA用開閉閥106,藉此於第二排液配管64流動之液體的流通目的地係被設定至IPA用分歧配管103。
圖8A至圖8C係用以說明第二基板處理例之示意性的圖。在基本性的處理流程上,第二基板處理例係與第一基板處理例沒有什麼不同。參照圖2A、圖2B、圖5以及圖7說明第二基板處理例。適當地參照圖8A至圖8C。
與第一基板處理例的差異點在於:第二基板處理例係在SPM供給步驟S3中,處理罩12的狀態並非是配置於第一上位置狀態,而是配置於第二上位置狀態。所謂處理罩12的第二上位置狀態係指第一防護罩53配置於接液位置P2且第二防護罩54配置於上位置之狀態。此外,與第一基板處理例的差異點在於:雖然有在SPM供給步驟S3中將處理罩12設定成第二上位置狀態會導致SPM的霧氣MI附著於在第一防護罩53與第二防護罩54之間所區劃的內部空間的牆壁(第二防護罩54的內壁及第一防護罩53的外壁等)之虞,然而在水供給步驟S4中將處理罩12設定成第二接液位置位置並將從基板W的周緣部飛散的水供給至在第一防護罩53與第二防護罩54之間被區劃的內部空間,藉此以水沖流附著於該內部空 間的牆壁(第二防護罩54的內壁及第一防護罩53的外壁等)之SPM的霧氣MI。以下詳細地說明第二基板處理例的SPM供給步驟S3。
在SPM供給步驟S3中,SPM噴嘴28配置於處理位置後,控制裝置3係控制防護罩升降單元55,藉此使第一防護罩53上升至接液位置P2且使第二防護罩54上升至上位置P1,使第二防護罩54與基板W的周端面對向。
與處理罩12的第一上位置狀態同樣地,在處理罩12的第二上位置狀態中,第二防護罩54的上端與噴嘴臂29的下端面29a之間的第一間隔87(例如略為零)係變得比噴嘴臂29的下端面29a與SPM噴嘴28的噴出口28a之間的第二間隔88(例如約5mm)還狹窄。進一步而言,處理罩12的第二上位置狀態係第二防護罩54的上端位於比噴嘴臂29的下端面29a與被自轉夾具5保持的基板W的上表面之間的中間位置M(參照圖3B)還上方之位置。第二防護罩54上升後,控制裝置3係開啟SPM閥31(參照圖2A)。
如圖8A所示,在本實施形態的SPM供給步驟S3中,在第一防護罩53配置於接液位置P2且第二防護罩54配置於上位置P1的狀態(亦即處理罩12的第二上位置狀態)下,對處於旋轉狀態的基板W的上表面供給高溫的SPM。供給至基板W的上表面的SPM係接受基板W的旋轉所為之離心力,從基板W的周緣部朝側方飛散。接著,朝側方飛散的SPM係被處於接液位置P2的第一防護罩53接住並沿著第一防護罩53的內壁流下。於第一防護罩53流下的SPM係被導引至第 一排液配管61,並被導引至用以將SPM予以排液處理之排液處理裝置(未圖示)。
此外,在SPM供給步驟S3中,由於所使用的SPM非常高溫(例如約170℃至約180℃),因此產生大量的SPM的霧氣MI。藉由對基板W供給SPM,大量地產生於基板W的上表面周圍的SPM的霧氣MI係在基板W的上表面上浮游。
在處理罩12的第二上位置狀態中,在配置於上位置P1的狀態的第二防護罩54的上端與阻隔板21的基板對向面6之間所形成的環狀間隙86(參照圖3B)係設定成狹窄。因此,處理罩12內的氛圍難以通過環狀間隙86流出至腔室4的內部。藉此,能抑制或防止包含有處理罩12的內部中的SPM的霧氣MI之氛圍流出至腔室4的內部。
此外,在處理罩12的第二上位置狀態中,由於突部75與分隔板16之間的間隙S變成略為零,因此於腔室4的內部流動之降流DF3(參照圖3B)係通過自轉夾具5與第二防護罩54的前端之間進入至腔室4的下部空間4a,藉此能更有效地抑制包含有SPM的霧氣MI之氛圍從處理罩12流出至腔室4的內部。
在該第二基板處理例的SPM供給步驟S3中,SPM的霧氣MI係進入至在第一防護罩53與第二防護罩54之間所區劃的內部空間,如此會有SPM的霧氣MI附著於內部空間的牆壁(第二防護罩54的內壁及第一防護罩53的外壁等)之虞。
SPM供給步驟S3結束後,控制裝置3係控制防護罩升 降單元55,使第一防護罩53從接液位置P2下降至下位置P3,並使第二防護罩54從上位置P1下降至接液位置P2。亦即,使處理罩12的狀態遷移至第二接液位置狀態。在處理罩12的第二接液位置狀態中,第二防護罩54係與基板W的周端面相對向。此外,在噴出水之前,控制裝置3係關閉IPA用開閉閥106並開啟水用開閉閥105,藉此將於第二排液配管64流動之液體的流通目的地設定至水用分歧配管102。第一防護罩53開始下降後,控制裝置3係控制噴嘴移動單元32,使SPM噴嘴28退避至退避位置。
接著,進行水供給步驟(圖5的步驟S4)。具體而言,控制裝置3係開啟水閥47。藉此,如圖8B所示,從中心軸噴嘴33(的第二噴嘴25)(參照圖2B)朝基板W的上表面中央部噴出水。從中心軸噴嘴33噴出的水係著液至基板W的上表面中央部,接受基板W的旋轉所為之離心力並於基板W的上表面上朝基板W的周緣部流動。
供給至基板W的上表面的水係從基板W的周緣部朝基板W的側方飛散並進入至在第一防護罩53與第二防護罩54之間所區劃的內部空間(第二防護罩54的內壁及第一防護罩53的外壁等),並被第二防護罩54的內壁接住。接著,沿著第二防護罩54的內壁流下的水係被收集至第二排液槽62後被導引至第二排液配管64。在第二基板處理例的水供給步驟S4中,由於在第二排液配管64流動之液體的流通目的地係設定至水用分歧配管102(參照圖7),因此於第二排液配管64流動的水係被供給至水用分歧配管102後,被輸送至用以將 水予以排液處理之處理裝置(未圖示)。
於上述SPM供給步驟S3後,會有SPM的霧氣MI附著於在第一防護罩53與第二防護罩54之間被區劃的內部空間(第二防護罩54的內壁及第一防護罩53的外壁等)的牆壁之虞。然而,在水供給步驟S4中,藉由供給至在第一防護罩53與第二防護罩54之間被區劃的內部空間的水,沖流附著於牆壁的SPM的霧氣MI。當從開始噴出水經過預先設定的期間時,結束水供給步驟S4。
接著,進行用以將作為有機溶劑的IPA供給至基板W的上表面之有機溶劑步驟(圖5的步驟S5)。在IPA開始噴出前,控制裝置3係關閉水用開閉閥105並開啟IPA用開閉閥106,藉此將於第二排液配管64流動之液體的流通目的地設定至IPA用分歧配管103(參照圖7)。有機溶劑步驟S5中之除了上述以外的控制係與第一基板處理例的情形相同。
從基板W的周緣部排出的IPA係被第二防護罩54的內壁接住。接著,沿著第二防護罩54的內壁流下的IPA係被第二排液槽62收集後被導引至第二排液配管64,並被導引至用以將IPA予以排液處理之處理裝置(未圖示)。在第二基板處理例中的有機溶劑步驟S5中,由於在第二排液配管64流動之液體的流通目的地被設定至IPA用分歧配管103,因此於第二排液配管64流動的IPA係被供給至IPA用分歧配管103後,被輸送至用以將IPA予以排液處理之處理裝置(未圖示)。當從IPA開始噴出後經過預先設定的期間時,結束有機溶劑步驟S5。接著,控制裝置3係執行離心法脫水步驟(圖5 的步驟S6)。在離心法脫水步驟S6結束後,控制裝置3係使自轉夾具5停止旋轉基板W(圖5的步驟S7),並使阻隔板21停止旋轉。之後,從腔室4內搬出基板W(圖5的步驟S8)。由於這些各個步驟係與第一基板處理例的情形相同,因此省略各者的說明。
在第二基板處理例中,搬出基板W後,執行用以洗淨處理罩12之罩部洗淨步驟。在罩部洗淨步驟中,使用水作為洗淨液。
在罩部洗淨步驟中,控制裝置3係藉由自轉馬達17(參照圖2A)使自轉基座19開始旋轉。
於將水開始供給至自轉基座19之前,控制裝置3係控制防護罩升降單元55(參照圖2A),將第一防護罩53保持於下位置P3,並使第二防護罩54上升至接液位置P2。亦即,如圖8C所示,使處理罩12的狀態遷移至第二接液位置狀態。在處理罩12的第二接液位置狀態中,第二防護罩54係與自轉基座19的上表面19a的周緣部對向。
此外,在將水開始供給至自轉基座19之前,控制裝置3係關閉IPA用開閉閥106(參照圖7)並開啟水用開閉閥105(參照圖7),藉此將於第二排液配管64流動之液體的流通目的地設定至水用分歧配管102(參照圖7)。
當自轉基座19的旋轉速度達至預定的旋轉速度時,控制裝置3係開啟水閥47(參照圖2)。藉此,如圖8C所示,從中心軸噴嘴33(的第二噴嘴25(參照圖2B))開始噴出水。從中心軸噴嘴33噴出的水係著液至自轉基座19的上表面19a的中 央部,接受自轉基座19的旋轉所為之離心力,於自轉基座19的上表面19a上朝自轉基座19的周緣部流動,並從自轉基座19的周緣部朝側方飛散。
從自轉基座19的周緣部飛散的水係進入至在第一防護罩53與第二防護罩54之間被區劃的內部空間(第二防護罩54的內壁及第一防護罩53的外壁等),並被第二防護罩54的內壁接住。接著,沿著第二防護罩54的內壁流下的水係被收集至第二排液槽62後,被導引至第二排液配管64(參照圖7)。在罩部洗淨步驟中,由於在第二排液配管64流動之液體的流通目的地係被設定至水用分歧配管102(參照圖7),因此於第二排液配管64流動的水係被供給至水用分歧配管102後,被輸送至用以將水予以排液處理之處理裝置(未圖示)。
於搬出基板W後,雖然IPA的液體會附著於在第一防護罩53與第二防護罩54之間被區劃的內部空間的牆壁(第二防護罩54的內壁及第一防護罩53的外壁)以及第二排液槽62與第二排液配管64的管壁,但藉由執行罩部洗淨步驟,藉由水沖流該IPA的液體。
當從開始噴出水經過預先設定的期間時,控制裝置3係關閉水閥47,停止將水供給至自轉基座19的上表面19a。此外,控制裝置3係控制自轉馬達17,使自轉基座19停止旋轉。藉此,結束罩部洗淨步驟。
此外,在第二基板處理例的罩部洗淨步驟中,亦可使自轉夾具5保持碳化矽(SiC)等製的虛設(dummy)基板(具有與基板W相同的直徑),並對處於旋轉狀態的虛設基板供給水等 洗淨液,藉此使水從虛設基板的周緣朝虛設基板的側方飛散。
依據該第二基板處理例,在處理罩12的第二上位置狀態中執行SPM供給步驟S3。因此,在SPM供給步驟S3中,能儘量地將第二防護罩53配置於上方,並藉由該第二防護罩53良好地接住從基板飛散的第一藥液。
此外,會有在SPM供給步驟S3中所產生的SPM的霧氣MI附著於在第一防護罩53與第二防護罩54之間被區劃的內部空間的牆壁(第二防護罩54的內壁及第一防護罩53的外壁等)之虞。然而,在SPM供給步驟S3結束後的水供給步驟S4中,將從基板W的周緣部飛散的水供給至在第一防護罩53與第二防護罩54之間被區劃的內部空間(第二防護罩54的內壁及第一防護罩53的外壁等),藉此能沖流附著於內部空間的內壁的SPM。因此,能抑制或防止在處理罩12的內部中SPM與IPA混合接觸。藉此,能抑制或防止處理罩12的內部成為微粒產生源。
此外,在有機溶劑供給步驟S5中,以第二防護罩54的內壁接住從基板W排出的處理液。因此,於有機溶劑供給步驟S5結束後,IPA的液體附著於在第一防護罩53與第二防護罩54之間被區劃的內部空間的牆壁。然而,由於在有機溶劑供給步驟S5開始後執行罩部洗淨步驟,因此能藉由水沖流附著於在第一防護罩53與第二防護罩54之間被區劃的內部空間的牆壁(第二防護罩54的內壁及第一防護罩53的外壁)以及第二排液槽62與第二排液配管64的 管壁之IPA的液體。因此,能抑制或防止在處理罩12的內部中SPM與IPA混合接觸,藉此能抑制或防止處理罩12的內部成為微粒產生源。
此外,在第二基板處理例中,亦可在SPM供給步驟S3開始前先進行水供給步驟S4。
如上所述,依據本實施形態,在SPM供給步驟S3中,在第二防護罩54配置於上位置P1的狀態下對處於旋轉狀態的基板W的上表面供給高溫的SPM。在第二防護罩54配置於上位置P1的狀態下,大幅地確保處理罩12的上部開口12a與基板W之間的距離。在SPM供給步驟S3中,雖然因為對基板W供給高溫的SPM而產生SPM的霧氣,但由於大幅地確保處理罩12的上部開口12a與基板W之間的距離,因此包含有SPM的霧氣之氛圍難以通過處理罩12的上部開口12a流出至處理罩12外。
具體而言,第一防護罩53及第二防護罩54的上位置P1係形成於防護罩的上端與對向構件7(基板對向面6)之間的環狀間隙86係變得比噴嘴臂29的上下寬度W1還大且非常狹窄之位置。藉此,能在容許噴嘴臂29通過的範圍內將環狀間隙86設定成最低限度的大小。在此情形中,能有效地降低從處理罩12的內部流出至腔室4的內部之氛圍的量。藉此,能更有效地抑制包含有SPM的氛圍朝周圍擴散。
此外,從其他觀點而言,第一防護罩53及第二防護罩54的上位置P1係比噴嘴臂29的下端面29a還下方且比噴 出口28a還上方之位置。更具體而言,第一防護罩53及第二防護罩54的上位置P1係防護罩的上端與噴嘴臂29的下端面38a之間的第一間隔87變得比噴嘴臂29的下端面29a與SPM噴嘴28的噴出口34a之間的第二間隔88還狹窄之位置。再者,第一防護罩53及第二防護罩54的上位置P1係防護罩的上端變成比噴嘴臂29的下端面38a與被自轉夾具5保持的基板W的上表面之間的中間位置M(參照圖3B)還上方之位置。
藉由將上位置P1設定至此種位置,能有效地減少從處理罩12流出至腔室4的內部之氛圍的量。藉此,能更有效地抑制包含有SPM的氛圍擴散至周圍。
以上雖然已說明本發明的實施形態之一,但本發明亦可以其他的形態來實施。
例如在第一基板處理例及第二基板處理例中,亦可作成在水供給步驟S4結束後執行用以將洗淨藥液供給至基板W的上表面之洗淨藥液供給步驟。在此情形中,能使用氟酸或SC1(包含有NH4OH與H2O2之混合液)作為在洗淨藥液供給步驟所使用的洗淨藥液。在執行洗淨藥液供給步驟之情形後,執行用以藉由清洗液沖流基板W的上表面的藥液之第二水供給步驟。
此外,在第一基板處理例及第二基板處理例中,亦可在SPM供給步驟S3執行後或洗淨藥液供給步驟執行後,進行用以將過氧化氫水(H2O2)供給至基板W的上表面(表面)之過氧化氫水供給步驟。
此外,在上述實施形態中,雖然例示IPA作為使用於第二藥液的一例的有機溶劑的一例,但除此之外亦可例示甲醇、乙醇、HFE(hydrofluoroether;氫氟醚)、丙酮等作為有機溶劑。此外,作為有機溶劑,並未限定於僅由單體成分所構成之情形,亦可為與其他成分混合的液體。例如,亦可為IPA與丙酮的混合液,或亦可為IPA與甲醇的混合液。
雖然已詳細地說明本發明的實施形態,但這些實施形態僅為用以明瞭本發明的技術性內容之具體例,本發明不應被這些具體例限定地解釋,本發明的範圍僅被隨附的申請專利範圍所限定。
本發明係與2016年8月24日於日本特許廳所提出的日本特願2016-163744號對應,並將日本特願2016-163744號的全部內容援用並組入至本發明中。

Claims (19)

  1. 一種基板處理裝置,係包含有:腔室;基板保持單元,係收容於前述腔室內,用以將基板保持成水平姿勢;旋轉單元,係使被前述基板保持單元保持的基板繞著鉛直的旋轉軸線旋轉;噴嘴,係具有噴出口,用以從前述噴出口朝被前述基板保持單元保持的基板的主表面噴出液體;噴嘴臂,係保持前述噴嘴,並以沿著被前述基板保持單元保持的基板的主表面移動前述噴嘴之方式可搖動地設置於預定的搖動軸線周圍,前述預定的搖動軸線係設定至前述基板保持單元的側方;第一藥液供給單元,係用以對前述噴嘴供給第一藥液;處理罩,用以收容前述基板保持單元,並具有複數個筒狀的防護罩,前述複數個筒狀的防護罩係包含有圍繞前述基板保持單元的周圍之筒狀的第一防護罩以及圍繞前述第一防護罩的周圍之筒狀的第二防護罩;升降單元,係用以使前述複數個防護罩中的至少一個防護罩升降;以及控制裝置,係控制前述旋轉單元、前述第一藥液供給單元以及前述升降單元;前述控制裝置係執行:上位置配置步驟,係將前述複數個防護罩中的至少一個防護罩配置於上位置,前述上位置係設定至比預定的接液位置還上方並可藉由前述防護罩接住從前述基板飛散的液體之預定的上位置,前述預定的接液位置係可藉由前述防護罩接住從被前述旋轉單元旋轉的基板飛散之第一藥液;以及第一藥液供給步驟,係在前述防護罩配置於前述上位置的狀態下,一邊藉由前述旋轉單元使基板旋轉一邊對基板的主表面供給第一藥液;前述上位置為配置於前述上位置的狀態的前述防護罩的上端與前述噴嘴臂的下端之間的第一間隔變得比前述噴嘴臂的下端與前述噴出口之間的第二間隔還窄之位置。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置,其中進一步包含有:對向構件,係配置於比前述防護罩還上方,並在前述防護罩配置於前述上位置的狀態下於與前述防護罩的上端之間形成環狀間隙,且具有基板對向面,前述基板對向面係在上方與被前述基板保持單元保持的基板的上表面對向。
  3. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置,其中進一步具備有:噴嘴臂,係保持前述噴嘴,並以沿著被前述基板保持單元保持的基板的主表面移動前述噴嘴之方式可搖動地設置於預定的搖動軸線周圍,前述預定的搖動軸線係設定至前述基板的旋轉範圍外;前述環狀間隙係以前述噴嘴臂能跨越前述旋轉範圍的內外之方式設定成比前述噴嘴臂的上下寬度還大。
  4. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置,其中前述上位置為配置於前述上位置的狀態的前述防護罩的上端位於比前述噴嘴臂的下端與被前述基板保持單元保持的基板的主表面之間的中間位置還上方之位置。
  5. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置,其中進一步包含有:第二藥液供給單元,係用以將與前述第一藥液不同種類的第二藥液供給至前述基板的主表面;前述控制裝置係進一步控制前述第二藥液供給單元;前述控制裝置係進一步執行:將前述第一防護罩配置於前述第一防護罩的上端位於比被前述基板保持單元保持的基板還下方之下位置且將前述第二防護罩配置於前述接液位置之步驟;以及第二藥液供給步驟,係在前述第一防護罩配置於前述下位置且前述第二防護罩配置於前述接液位置的狀態下,一邊藉由前述旋轉單元使前述基板旋轉一邊對前述基板的主表面供給第二藥液。
  6. 如請求項5所記載之基板處理裝置,其中前述控制裝置係將用以將前述第一防護罩及前述第二防護罩配置於前述上位置之步驟作為前述上位置配置步驟來執行。
  7. 如請求項6所記載之基板處理裝置,其中進一步包含有:水供給單元,係用以對前述基板的主表面供給水;前述控制裝置係進一步控制前述水供給單元;前述控制裝置係進一步執行:將前述第一防護罩及前述第二防護罩配置於前述接液位置之步驟;以及水供給步驟,係在前述第一防護罩及前述第二防護罩配置於前述接液位置的狀態下,一邊藉由前述旋轉單元使前述基板旋轉一邊對前述基板的主表面供給水。
  8. 如請求項5所記載之基板處理裝置,其中前述控制裝置係將用以將前述第一防護罩配置於前述接液位置且將前述第二防護罩配置於前述上位置之步驟作為前述上位置配置步驟來執行。
  9. 如請求項8所記載之基板處理裝置,其中進一步包含有:水供給單元,係用以對前述基板的主表面供給水;前述控制裝置係進一步控制前述水供給單元;前述控制裝置係進一步執行;將前述第一防護罩配置於前述第一防護罩的上端位於比被前述基板保持單元保持的基板還下方之下位置且將前述第二防護罩配置於前述接液位置之步驟;以及水供給步驟,係在前述第一防護罩配置於前述下位置且前述第二防護罩配置於前述接液位置的狀態下,一邊藉由前述旋轉單元使前述基板旋轉一邊對前述基板的主表面供給水。
  10. 如請求項9所記載之基板處理裝置,其中前述控制裝置係在前述第一藥液供給步驟執行前及/或執行後以及/或者前述第二藥液供給步驟執行前及/或執行後執行前述水供給步驟。
  11. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置,其中進一步包含有:分隔板,係在前述腔室內將前述基板保持單元的側方區域上下地分隔成上側的上空間與下側的下空間;於前述下空間開口有排氣口;於前述第二防護罩與前述分隔板之間形成有間隙;前述第二防護罩係具有:閉塞部,係用以將前述間隙閉塞;在前述第二防護罩配置於前述上位置的狀態下前述閉塞部將前述間隙閉塞且在前述第二防護罩配置於設定在比前述上位置還下方的預定的下方位置的狀態下形成有前述間隙。
  12. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置,其中前述第一藥液係包含有硫酸與過氧化氫水的混合液。
  13. 一種基板處理方法,係在基板處理裝置中被執行,前述基板處理裝置係包含有:腔室;基板保持單元,係收容於前述腔室內,用以將基板保持成水平姿勢;旋轉單元,係使被前述基板保持單元保持的基板繞著鉛直的旋轉軸線旋轉;噴嘴,係具有噴出口,用以從前述噴出口朝被前述基板保持單元保持的基板的主表面噴出液體;噴嘴臂,係保持前述噴嘴,並以沿著被前述基板保持單元保持的基板的主表面移動前述噴嘴之方式可搖動地設置於預定的搖動軸線周圍,前述預定的搖動軸線係設定至前述基板保持單元的側方;以及複數個防護罩,係包含有圍繞前述基板保持單元的周圍之筒狀的第一防護罩以及圍繞前述第一防護罩的周圍之筒狀的第二防護罩;前述基板處理方法係包含有:基板保持步驟,係藉由前述基板保持單元保持基板;上位置配置步驟,係將前述複數個防護罩中的至少一個防護罩配置於上位置,前述上位置係設定至比預定的接液位置還上方並可藉由前述防護罩接住從前述基板飛散的液體之預定的上位置,前述預定的接液位置係可藉由前述防護罩接住從被前述旋轉單元旋轉的基板飛散之液體;第一藥液供給步驟,係在前述防護罩配置於前述上位置的狀態下,一邊藉由前述旋轉單元使基板旋轉一邊對基板的主表面供給第一藥液;以及前述上位置為配置於前述上位置的狀態的前述防護罩的上端與前述噴嘴臂的下端之間的第一間隔變得比前述噴嘴臂的下端與前述噴出口之間的第二間隔還窄之位置。
  14. 如請求項13所記載之基板處理方法,其中進一步包含有:將前述第一防護罩配置於前述第一防護罩的上端位於比被前述基板保持單元保持的基板還下方之下位置且將前述第二防護罩配置於前述接液位置之步驟;以及第二藥液供給步驟,係在前述第一防護罩配置於前述下位置且前述第二防護罩配置於前述接液位置的狀態下,一邊藉由前述旋轉單元使前述基板旋轉一邊對前述基板的主表面供給第二藥液。
  15. 如請求項13或14所記載之基板處理方法,其中前述上位置配置步驟係包含有將前述第一防護罩及前述第二防護罩配置於前述上位置之步驟。
  16. 如請求項15所記載之基板處理方法,其中進一步包含有:將前述第一防護罩及前述第二防護罩配置於前述接液位置之步驟;以及水供給步驟,係在前述第一防護罩及前述第二防護罩配置於前述接液位置的狀態下,一邊藉由前述旋轉單元使前述基板旋轉一邊對前述基板的主表面供給水。
  17. 如請求項13或14所記載之基板處理方法,其中前述上位置配置步驟係進一步包含有將前述第一防護罩配置於前述接液位置且將前述第二防護罩配置於前述上位置之步驟。
  18. 如請求項17所記載之基板處理方法,其中進一步包含有:將前述第一防護罩及前述第二防護罩配置於前述接液位置之步驟;將前述第一防護罩配置於前述第一防護罩的上端位於比被前述基板保持單元保持的基板還下方之下位置且將前述第二防護罩配置於前述接液位置之步驟;以及水供給步驟,係在前述第一防護罩配置於前述下位置且前述第二防護罩配置於前述接液位置的狀態下,一邊藉由前述旋轉單元使前述基板旋轉一邊對前述基板的主表面供給水。
  19. 如請求項18所記載之基板處理方法,其中前述水供給步驟係在前述第一藥液供給步驟執行前及/或執行後以及/或者前述第二藥液供給步驟執行前及/或執行後執行。
TW106128573A 2016-08-24 2017-08-23 基板處理裝置及基板處理方法 TWI661467B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-163744 2016-08-24
JP2016163744A JP6817748B2 (ja) 2016-08-24 2016-08-24 基板処理装置および基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201816841A TW201816841A (zh) 2018-05-01
TWI661467B true TWI661467B (zh) 2019-06-01

Family

ID=61246668

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108113826A TWI728346B (zh) 2016-08-24 2017-08-23 基板處理裝置及基板處理方法
TW106128573A TWI661467B (zh) 2016-08-24 2017-08-23 基板處理裝置及基板處理方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108113826A TWI728346B (zh) 2016-08-24 2017-08-23 基板處理裝置及基板處理方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6817748B2 (zh)
KR (2) KR102208292B1 (zh)
CN (1) CN109564862B (zh)
TW (2) TWI728346B (zh)
WO (1) WO2018037982A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6642597B2 (ja) * 2018-02-02 2020-02-05 信越半導体株式会社 ウェーハ洗浄処理装置及びウェーハ洗浄方法
JP7149087B2 (ja) * 2018-03-26 2022-10-06 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7068044B2 (ja) * 2018-05-30 2022-05-16 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7197376B2 (ja) * 2019-01-17 2022-12-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
KR102271566B1 (ko) * 2019-10-28 2021-07-01 세메스 주식회사 기판 처리 장치
CN111890218B (zh) * 2020-07-04 2021-09-03 林燕 一种旋转升降的化学机械研磨防溅罩
JP2023018993A (ja) * 2021-07-28 2023-02-09 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012142402A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Tokyo Electron Ltd 液処理装置および液処理方法
JP2015177014A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3398532B2 (ja) 1995-09-28 2003-04-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板回転式現像装置
JP3704260B2 (ja) * 1999-09-22 2005-10-12 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP4679479B2 (ja) * 2006-09-28 2011-04-27 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2009135396A (ja) * 2007-11-06 2009-06-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US8501025B2 (en) * 2010-03-31 2013-08-06 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
JP5920867B2 (ja) * 2011-09-29 2016-05-18 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6502037B2 (ja) * 2014-08-15 2019-04-17 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012142402A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Tokyo Electron Ltd 液処理装置および液処理方法
JP2015177014A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018032728A (ja) 2018-03-01
TW201816841A (zh) 2018-05-01
TW201937552A (zh) 2019-09-16
KR102262348B1 (ko) 2021-06-07
KR102208292B1 (ko) 2021-01-26
CN109564862B (zh) 2023-06-13
KR20210010641A (ko) 2021-01-27
TWI728346B (zh) 2021-05-21
CN109564862A (zh) 2019-04-02
JP6817748B2 (ja) 2021-01-20
WO2018037982A1 (ja) 2018-03-01
KR20190021418A (ko) 2019-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI661467B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
TWI546881B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
TWI529776B (zh) 基板處理裝置
TWI652754B (zh) 基板處理裝置
TWI723347B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
TWI669769B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP7194645B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2009135396A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TW201916219A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
TWI643259B (zh) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6502037B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2018157129A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR101010311B1 (ko) 매엽식 기판 처리 장치 및 방법
JP6236328B2 (ja) 基板処理装置
JP7002605B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TWI749295B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP2008060260A (ja) 基板処理装置
JP7372084B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TW201832314A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法