CN109564862A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

基板处理装置包含：旋转单元，使被收容在腔室内的基板保持单元保持的基板绕铅垂的旋转轴线旋转；喷嘴，具有喷出口，用于从所述喷出口朝被所述旋转单元保持的基板的主表面喷出液体；第一药液供给单元，用于对所述喷嘴供给第一药液；处理杯，用于收容所述基板保持单元，并具有多个筒状的防护罩，所述多个筒状的防护罩包含围绕所述基板保持单元的周围的筒状的第一防护罩以及围绕所述第一防护罩的周围的筒状的第二防护罩；升降单元，用于使所述多个防护罩中的至少一个防护罩升降；以及控制装置，控制所述旋转单元、所述第一药液供给单元以及所述升降单元；所述控制装置执行：上位置配置步骤，将所述多个防护罩中的至少一个防护罩配置在上位置，该上位置是比预定的接液位置靠上方并能通过所述防护罩接住从被所述旋转单元旋转的基板飞散的液体的预定的上位置，所述预定的接液位置是能通过所述防护罩接住从该基板飞散的第一药液的位置；以及第一药液供给步骤，在所述防护罩配置在所述上位置的状态下，一边通过所述旋转单元使基板旋转一边对基板的主表面供给第一药液。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种使用药液处理基板的基板处理装置以基板处理方法。所述基板的例子包括半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、FED(Field EmissionDisplay；场发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模(photomask)用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
在半导体装置液晶显示设备的制造工序中，为了对半导体基板等基板的表面施加利用药液的处理，有时会使用逐张地处理基板的单张式的基板处理装置。在该单张式的基板处理装置的腔室(chamber)内例如包含：旋转卡盘(spin chuck)，大致水平地保持基板并使基板旋转；喷嘴，用于对通过该旋转卡盘进行旋转的基板供给药液；处理杯(processingcup)，用于接住从基板飞散的处理液并将该处理液排出；以及圆板状的遮断板，与被旋转卡盘保持的基板的表面(上表面)相向配置。
处理杯例如形成将利用旋转卡盘使基板旋转的基板的旋转轴线作为中心轴线的大致圆筒状，且在其上端设置有开口(上部开口)。处理杯具备有：杯部(cup)，被固定的收容；防护罩(guard)，设置成能够相对于杯部进行升降，并能够接住从通过旋转卡盘进行旋转的基板飞散的药液。在通常的例子中，在进行基板的液体处理时，将至少最外侧的防护罩的高度位置设定在能够通过该防护罩接住从基板飞散的药液的预定的接液位置。
该状态下，一边通过旋转卡盘使基板旋转一边从喷嘴对基板的表面供给药液，由此对基板的表面施加利用药液的处理。供给至基板的表面的药液承受由基板的旋转产生的离心力并从基板的周缘部向侧方飞散。并且，向侧方飞散的药液被防护罩接住，沿着防护罩的内壁供给至杯部，之后被进行排液处理。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平9-97757号公报。
发明内容
(发明所要解决的技术问题)
然而，为了实现接住从基板飞散的药液的目的，防护罩的接液位置的高度为充分的高度，但是在为稍低的高度位置的情况下，即使通过排气机构在处理杯内进行排气，处理杯的内部的包含药液的雾气等的气体也有可能通过处理杯的上部开口向处理杯外流出并扩散至腔室的内部。由于包含药液的雾气等的气体会变成颗粒(particle)而成为附着于基板并污染该基板、污染腔室的内壁的原因，所以期望抑制或防止这样的气体扩散至周围。
因此，本发明的目的是提供一种能抑制包含供给至基板的主表面的药液的气体向周围扩散的基板处理装置及基板处理方法。
(用于解决问题的手段)
本发明提供一种基板处理装置，包含：腔室；基板保持单元，收容在所述腔室内，用于将基板保持为水平姿势；旋转单元，使被所述基板保持单元保持的基板绕铅垂的旋转轴线旋转；喷嘴，具有喷出口，用于从所述喷出口向被所述旋转单元保持的基板的主表面喷出液体；第一药液供给单元，用于对所述喷嘴供给第一药液；处理杯，用于收容所述基板保持单元，并具有多个筒状的防护罩，所述多个筒状的防护罩包含围绕所述基板保持单元的周围的筒状的第一防护罩以及围绕所述第一防护罩的周围的筒状的第二防护罩；升降单元，用于使所述多个防护罩中的至少一个防护罩升降；以及控制装置，控制所述旋转单元、所述第一药液供给单元以及所述升降单元，所述控制装置执行：上位置配置步骤，将所述多个防护罩中的至少一个防护罩配置在上位置，该上位置是比预定的接液位置靠上方并能够通过该防护罩接住从通过所述旋转单元进行旋转的基板飞散的液体的预定的上位置，所述预定的接液位置是能够通过该防护罩接住从该基板飞散的第一药液的位置；和第一药液供给步骤，在所述防护罩配置在所述上位置的状态下，一边通过所述旋转单元使基板旋转一边对基板的主表面供给第一药液。
根据该构成，在多个防护罩中的至少一个防护罩配置在被比接液位置靠上方的上位置的状态下，对处于旋转状态的基板的主表面供给第一药液。在多个防护罩中的至少一个防护罩配置在上位置的状态下，大大地确保处理杯的上部开口与基板之间的距离。在第一药液供给步骤中，虽然通过对基板供给第一药液而产生药液的雾气，然而由于大大地确保处理杯的上部开口与基板之间的距离，所以包含药液的雾气的气体难以从处理杯的上部开口通过并流出至处理杯外。由此，能提供一种能抑制包含供给至基板的主表面的第一药液的气体向周围扩散的基板处理装置。
在本发明的一个实施方式中，还包含：相向构件，比所述防护罩靠上方，并在该防护罩配置在所述上位置的状态下在与该防护罩的上端之间形成环状间隙，且该相向构件具有基板相向面，所述基板相向面与被所述基板保持单元保持的基板的上表面在上方相向。
根据该构成，处理杯的内部的气体为了流出至腔室的内部，处理杯内的气体不仅要通过上部开口流出至处理杯外，还要在配置在上位置的状态的防护罩的上端与基板相向面之间的环状间隙通过并到达腔室的内部。在此情况下，以环状间隙变窄的方式设定防护罩的上位置，由此能有效地抑制或防止气体通过环状间隙流出至腔室的内部的量。
所述基板处理装置还可以包含：喷嘴臂，所述喷嘴臂保持所述喷嘴，并能够绕预定的摆动轴线摆动以沿着被所述基板保持单元保持的基板的主表面移动所述喷嘴，所述预定的摆动轴线设定于所述基板的旋转范围外。在该情况下，所述环状间隙也可以设定为比所述喷嘴臂的上下宽度还大，以便所述喷嘴臂能跨越所述旋转范围的内外。
根据该构成，将环状间隙设定为这样的大小，由此能使喷嘴臂一边通过环状间隙一边跨越旋转范围的内外。而且，尽量缩小环状间隙，由此能将环状间隙设定为在容许喷嘴臂通过的范围内最低限度的大小。在该情况下，能有效地减少从处理杯的内部流出至腔室的内部的气体的量。由此，能更有效地抑制包含第一药液的气体朝周围扩散。
所述基板处理装置还可以包含：喷嘴臂，所述喷嘴臂保持所述喷嘴，并能够绕预定的摆动轴线摆动以沿着被所述基板保持单元保持的基板的主表面移动所述喷嘴，所述预定的摆动轴线设定于所述基板保持单元的侧方。在该情况下，所述上位置也可以为如下的位置：配置在所述上位置的状态下的所述防护罩的上端与所述喷嘴臂的下端之间的第一间隔比所述喷嘴臂的下端与所述喷出口之间的第二间隔窄。
根据该构成，以这样的方式设定第一间隔与第二间隔之间的大小关系，由此能有效地减少从处理杯流出至腔室的内部的气体的量。由此，能更有效地抑制包含第一药液的气体向周围的扩散。
所述上位置也可以为如下的位置：配置在所述上位置的状态下的所述防护罩的上端比所述喷嘴臂的下端与被所述基板保持单元保持的基板的主表面之间的中间位置靠上方。
根据该构成，将上位置设定成上述那样的位置，由此能有效地减少从处理杯流出至腔室的内部的气体的量。由此，能更有效地抑制包含第一药液的气体向周围的扩散。
所述基板处理装置也可以还包含：第二药液供给单元，所述第二药液供给单元用于将与所述第一药液不同种类的第二药液对所述基板的主表面供给。在该情况下，所述控制装置还可以控制所述第二药液供给单元，所述控制装置还可以执行：将所述第一防护罩配置在该第一防护罩的上端比被所述基板保持单元保持的基板靠下方的下位置且将所述第二防护罩配置在所述接液位置的步骤；和第二药液供给步骤，在所述第一防护罩配置在所述下位置且所述第二防护罩配置在所述接液位置的状态下，一边通过所述旋转单元使所述基板旋转一边对所述基板的主表面供给第二药液。
根据该构成，在第一防护罩配置在下位置且第二防护罩配置在接液位置的状态下执行第二药液供给步骤。因此，在第二药液供给步骤中，能用位于接液位置的第二防护罩良好地接住从基板飞散的第二药液。
所述控制装置也可以将用于将所述第一防护罩和所述第二防护罩配置在所述上位置的步骤作为所述上位置配置步骤来执行。
根据该构成，在第一防护罩及第二防护罩配置在上位置的状态下执行第一药液供给步骤。因此，在第一药液供给步骤中，能将第一防护罩尽可能配置在上方，并通过该第一防护罩良好地接住从基板飞散的第一药液。由此，在第一药液供给步骤中，能更有效地抑制包含第一药液的气体向周围的扩散。
所述基板处理装置还可以包含：水供给单元，所述水供给单元用于对所述喷嘴供给水。所述控制装置还可以控制所述水供给单元。所述控制装置还可以执行：将所述第一防护罩和所述第二防护罩配置在所述接液位置的步骤；以及水供给步骤，在所述第一防护罩及所述第二防护罩配置在所述接液位置的状态下，一边通过所述旋转单元使所述基板旋转一边对所述基板的主表面供给水。
根据该构成，在第一防护罩及第二防护罩配置在接液位置的状态下执行水供给步骤。因此，在水供给步骤中，能用位于接液位置的第一防护罩良好地接住从基板飞散的水。
在水供给步骤中，由于基板的主表面的周围几乎不存在药液雾气，所以即使第一防护罩位于接液位置，药液雾气也几乎不会从处理杯流出至腔室的内部。
所述控制装置也可以将用于将所述第一防护罩配置在所述接液位置且将所述第二防护罩配置在所述上位置的步骤作为所述上位置配置步骤来执行。
根据该构成，在第一防护罩配置在接液位置且第二防护罩配置在上位置的状态下执行第一药液供给步骤。将位于上位置的第二防护罩尽可能配置在上方，由此能抑制第一药液的雾气流出至处理杯外。因此，在第一药液供给步骤中，能通过位于接液位置的第一防护罩接住从基板飞散的第一药液并防止包含第一药液的雾气的气体流出至处理杯外。由此，在第一药液供给步骤中，能更有效地抑制包含第一药液的气体向周围的扩散。
所述基板处理装置还可以包含：水供给单元，所述水供给单元用于对所述喷嘴供给水。所述控制装置还可以控制所述水供给单元。所述控制装置还可以执行：将所述第一防护罩配置在该第一防护罩的上端比被所述基板保持单元保持的基板靠下方的下位置，且将所述第二防护罩配置在所述接液位置的步骤；和水供给步骤，在所述第一防护罩配置在所述下位置且所述第二防护罩配置在所述接液位置的状态下，一边通过所述旋转单元使所述基板旋转一边对所述基板的主表面供给水。
根据该构成，在第一防护罩配置在下位置且第二防护罩配置在接液位置的状态下执行水供给步骤。因此，在水供给步骤中，能用位于接液位置的第二防护罩良好地接住从基板飞散的水。
此外，在第一药液供给步骤中，由于将第一防护罩配置在接液位置且将第二防护罩配置在上位置，所以在第一药液供给步骤之后第一药液的雾气有可能附着于在第一防护罩与第二防护罩之间被区划的内部空间的壁。然而，在水供给步骤中，能向在第一防护罩与第二防护罩之间被区划的内部空间供给。因此，即使在第一药液的雾气附着于在第一防护罩与第二防护罩之间被区划的内部空间的壁的情况下，也能通过执行水供给步骤以水冲洗所述第一药液的雾气。
所述控制装置也可以在所述第一药液供给步骤执行前和/或执行后，以及/或者，所述第二药液供给步骤执行前和/或执行后执行所述水供给步骤。
根据该构成，在共通的腔室内执行使用了彼此不同种类的药液的第一药液供给步骤及第二药液供给步骤。此外，在第一药液供给步骤的执行前和/或执行后以及/或者，第二药液供给步骤的执行前和/或执行后执行水供给步骤。
在第一药液供给步骤结束后和/或第二药液供给步骤的开始前有时第一药液的雾气会附着于在第一防护罩与第二防护罩之间被区划的内部空间的壁。在该情况下，在第一药液供给步骤的结束后和/或第二药液供给步骤的开始前实施水供给步骤，由此能将水供给至内部空间，从而能冲洗附着于内部空间的壁的第一药液的雾气。因此，在第二药液供给步骤开始时第一药液的雾气不会残留于内部空间的壁。因此，在所述第二药液供给步骤中即使第二药液进入至内部空间，所述第二药液也不会与第一药液混触。由此，能防止在内部空间的内部中第一药液与第二药液混触。
所述基板处理装置也可以包含分隔板，所述分隔板在所述腔室内将所述基板保持单元的侧方区域上下地分隔成上侧的上空间与下侧的下空间。在该情况下，也可以在所述下空间开口有排气口，并在所述第二防护罩与所述分隔板之间形成有间隙。所述第二防护罩也可以具有用于将所述间隙闭塞的闭塞部。还可以是，在所述第二防护罩配置在所述上位置的状态下，所述闭塞部将所述间隙闭塞，且在所述第二防护罩配置在比所述上位置靠下方的预定的下方位置的状态下形成有所述间隙。
根据该构成，当间隙呈开口时，在腔室的内部流动的气流在处理杯的内部以及下空间这两方流动。另一方面，当间隙呈闭塞时，在腔室的内部流动的气流不会流动至下空间，而是聚集在处理杯的内部。
在第二防护罩位于上位置的状态下执行第一药液供给步骤的情况下，在第一药液供给步骤中能形成从腔室的内部向处理杯的内部的气流。由此，能更有效地抑制包含药液的雾气的气体从处理杯向腔室的内部流出。
此外，所述第一药液也可以包含硫酸与过氧化氢水的混合液。
本发明提供一种基板处理方法，在基板处理装置中执行，所述基板处理装置包含：腔室；基板保持单元，收容在所述腔室内，用于将基板保持为水平姿势；旋转单元，使被所述基板保持单元保持的基板绕着铅垂的旋转轴线旋转；以及多个防护罩，包含围绕所述基板保持单元的周围的筒状的第一防护罩以及围绕所述第一防护罩的周围的筒状的第二防护罩，所述基板处理方法包含：基板保持步骤，通过所述基板保持单元保持基板；上位置配置步骤，将所述多个防护罩中的至少一个防护罩配置在上位置，该上位置是比预定的接液位置靠上方，并能够通过该防护罩接住从通过所述旋转单元进行旋转的基板飞散的液体的预定的上位置，所述预定的接液位置是能够通过该防护罩接住从该基板飞散的液体的位置；以及第一药液供给步骤，在所述防护罩配置在所述上位置的状态下，一边通过所述旋转单元使基板旋转一边对基板的主表面供给第一药液。
根据该方法，在多个防护罩中的至少一个防护罩配置在比接液位置靠上方的上位置的状态下，使基板旋转并对基板的主表面供给第一药液。在多个防护罩中的至少一个防护罩配置在上位置的状态下，大大地确保处理杯的上部开口与基板之间的距离。在第一药液供给步骤中，虽然通过对基板供给第一药液而产生药液的雾气，然而由于大大地确保处理杯的上部开口与基板之间的距离，所以包含药液的雾气的气体难以通过处理杯的上部开口流出至处理杯外。由此，能提供一种能抑制包含供给至基板的主表面的第一药液的气体向周围的扩散的基板处理方法。
在本发明的实施方式之一中，所述基板处理方法还包括：将所述第一防护罩配置在该第一防护罩的上端比被所述基板保持单元保持的基板靠下方的下位置且将所述第二防护罩配置在所述接液位置的步骤；和第二药液供给步骤，在所述第一防护罩配置在所述下位置且所述第二防护罩配置在所述接液位置的状态下，一边通过所述旋转单元使所述基板旋转一边对所述基板的主表面供给第二药液。
根据该方法，在第一防护罩配置在下位置且第二防护罩配置在接液位置的状态下执行第二药液供给步骤。因此，在第二药液供给步骤中，能用位于接液位置的第二防护罩良好地接住从基板飞散的第二药液。
所述上位置配置步骤也可以包括将所述第一防护罩和所述第二防护罩配置在所述上位置的步骤。
根据该方法，在第一防护罩和第二防护罩配置在上位置的状态下执行第一药液供给步骤。因此，在第一药液供给步骤中，能将第一防护罩尽可能配置在上方，并通过该第一防护罩良好地接住从基板飞散的第一药液。由此，在第一药液供给步骤中，能更有效地抑制包含第一药液的气体向周围的扩散。
所述基板处理方法还可以包括：将所述第一防护罩和所述第二防护罩配置在所述接液位置的步骤；和水供给步骤，在所述第一防护罩及所述第二防护罩配置在所述接液位置的状态下，一边通过所述旋转单元使所述基板旋转一边对所述基板的主表面供给水。
根据该方法，在第一防护罩及第二防护罩配置在接液位置的状态下执行水供给步骤。因此，在水供给步骤中，能用位于接液位置的第一防护罩良好地接住从基板飞散的水。
在水供给步骤中，由于基板的主表面的周围几乎不存在药液的雾气，所以即使第一防护罩位于接液位置，药液的雾气也几乎不会从处理杯流出至腔室的内部。
所述上位置配置步骤还可以包括将所述第一防护罩配置在所述接液位置且将所述第二防护罩配置在所述上位置的步骤。
根据该方法，在第一防护罩配置在接液位置且第二防护罩配置在上位置的状态下执行第一药液供给步骤。将位于上位置的第二防护罩尽可能配置在上方，由此能抑制第一药液的雾气流出至处理杯外。因此，在第一药液供给步骤中，能通过位于接液位置的第一防护罩接住从基板飞散的第一药液并防止包含第一药液的雾气的气体流出至处理杯外。由此，在第一药液供给步骤中，能更有效地抑制包含第一药液的气体向周围扩散。
所述基板处理方法还可以包括：将所述第一防护罩和所述第二防护罩配置在所述接液位置的步骤；将所述第一防护罩配置在所述第一防护罩的上端比被所述基板保持单元保持的基板靠下方的下位置且将所述第二防护罩配置在所述接液位置的步骤；以及水供给步骤，在所述第一防护罩配置在所述下位置且所述第二防护罩配置在所述接液位置的状态下，一边通过所述旋转单元使所述基板旋转一边对所述基板的主表面供给水。
根据该方法，在第一防护罩配置在下位置且第二防护罩配置在接液位置的状态下执行水供给步骤。因此，在水供给步骤中，能用位于接液位置的第二防护罩良好地接住从基板飞散的水。此外，在第一药液供给步骤中，由于将第一防护罩配置在接液位置且将第二防护罩配置在上位置，所以在第一药液供给步骤后第一药液的雾气有可能附着于在第一防护罩与第二防护罩之间被区划的内部空间的壁的担心。然而，在水供给步骤中，能供给至在第一防护罩与第二防护罩之间被区划的内部空间。因此，即使在第一药液的雾气附着于在第一防护罩与第二防护罩之间被区划的内部空间的壁的情况下，也能通过执行水供给步骤以水冲流所述第一药液的雾气。
所述水供给步骤也可以在所述第一药液供给步骤的执行前和/或执行后以及/或者，所述第二药液供给步骤的执行前和/或执行后执行。
根据该方法，在共通的腔室内执行使用了彼此不同种类的药液的第一药液供给步骤及第二药液供给步骤。此外，在第一药液供给步骤的执行前和/或执行后，以及/或者第二药液供给步骤的执行前和/或执行后执行水供给步骤。
在第一药液供给步骤结束后和/或第二药液供给步骤开始前第一药液的雾气有可能会附着于在第一防护罩与第二防护罩之间被区划的内部空间的壁。在该情况下，在第一药液供给步骤结束后和/或第二药液供给步骤开始前实施水供给步骤，由此能将水供给至内部空间，从而能冲洗附着于内部空间的壁的第一药液的雾气。因此，在第二药液供给步骤开始时第一药液的雾气不会残留于内部空间的壁。因此，在所述第二药液供给步骤中即使第二药液进入至内部空间，所述第二药液亦不会与第一药液混触。由此，能防止在内部空间的内部中第一药液与第二药液混触。
本发明的上述的或者其他目的、特征及效果参照附图并通过下述实施方式的说明而更加清楚。
附图说明
图1是用于说明本发明的一个实施方式的基板处理装置的内部的布局的示意性的俯视图。
图2A是用于说明所述基板处理装置所具备的处理单元的构成例的示意性的剖视图。
图2B是用于具体地说明所述处理单元所包含的相向构件的周边的构成的图。
图3A是用于说明在图2A所示的第二防护罩位于下位置的状态下，所述腔室的内部的气流的流动的示意性的图。
图3B是用于说明在所述第二防护罩位于接液位置的状态下，所述腔室的内部的气流的流动的示意性的图。
图3C是用于说明在所述第二防护罩位于上位置的状态下，所述腔室的内部的气流的流动的示意性的图。
图4是用于说明所述基板处理装置的主要部分的电气构成的框图。
图5是用于说明由所述处理单元进行的第一基板处理例的流程图。
图6A及图6B是用于说明所述第一基板处理例的示意性的图。
图6C及图6D是用于说明继图6B之后的步骤的示意性的图。
图6E是用于说明继图6D之后的步骤的示意性的图。
图7是放大显示所述处理单元的下部的构成例的示意性的剖视图。
图8A及图8B是用于说明由所述处理单元进行的第二基板处理例的示意图。
图8C是用于说明由所述处理单元进行的第二基板处理例的示意图。
具体实施方式
图1用于说明本发明的一个实施方式的基板处理装置1的内部的布局的示意性的俯视图。基板处理装置1是逐张地处理硅晶片(Silicon wafer)等基板W的单张式的装置。在本实施方式中，基板W为圆板状的基板。基板处理装置1包含：多个处理单元2，用处理液处理基板W；装载埠(load port)LP，载置有承载器(carrier)C，该承载器C收容由处理单元2处理的多张基板W；搬运机械手IR及搬运机械手CR，在装载埠LP与处理单元2之间搬运基板W；以及控制装置3，控制基板处理装置1。搬运机械手IR在承载器C与基板搬运机械手CR之间搬运基板W。基板搬运机械手CR在搬运机械手IR与处理单元2之间搬运基板W。多个处理单元2例如具有同样的构成。
图2A是用于说明处理单元2的构成例的示意性的剖视图。
处理单元2包含：箱形的腔室4；旋转卡盘(基板保持单元)5，在腔室4内以水平的姿势保持一张基板W，使基板W绕着穿过基板W的中心的铅垂的旋转轴线A1旋转；相向构件7，具有与被旋转卡盘5保持的基板W的上表面(主表面)相向的基板相向面6；SPM(sulfuricacid/hydrogen peroxide mixture；硫酸过氧化氢水混合液)供给单元(第一药液供给单元)8，用于对被旋转卡盘5保持的基板W供给作为第一药液的硫酸过氧化氢水混合液(SPM)；有机溶剂供给单元(第二药液供给单元)10，对被旋转卡盘5保持的基板W的表面(上表面)供给作为第二药液的有机溶剂(具有低表面张力的有机溶剂)之一例的异丙醇(IPA；isopropyl alcohol)液；水供给单元11，用于对被旋转卡盘5保持的基板W的表面(上表面)供给作为冲洗(rinse)液的水；以及筒状的处理杯12，围绕旋转卡盘5。
腔室4包含：箱状的隔壁13，收容旋转卡盘5、喷嘴；作为送风单元的FFU(fanfilter unit；风扇过滤器单元)14，从隔壁13的上部对隔壁13内输送干净空气(经过过滤器过滤的空气)；以及分隔板16，在腔室4的内部将腔室4内的处理杯12的侧方区域15上下地分隔成上部区域15a与下部区域15b。
FFU14配置在隔壁13的上方，并安装于隔壁13的顶部。控制装置3控制FFU14，以使得FFU14从隔壁13的顶部向下地将干净空气输送至腔室4内。
在隔壁13的下部或底部开口有排气口9。在排气口9连接有排气导管9a。排气装置吸引腔室4的内部的下部空间4a(腔室4的内部空间中的在上下方向上比分隔板16靠下方的空间)的气体，并对该下部空间4a进行排气。
FFU14一边对腔室4的内部供给干净空气，排气装置一边对腔室4的下部空间4a进行排气，由此在腔室4内形成有降流(down flow)(下降流)。基板W的处理在腔室4内形成有降流的状态下进行。
分隔板16配置在处理杯12的外壁与腔室4的隔壁13(侧方的隔壁)之间。分隔板16的内端部沿着处理杯12的外壁的外周面配置。分隔板16的外端部沿着腔室4的隔壁13(侧方的隔壁)的内表面配置。后述的SPM喷嘴28及喷嘴臂29比分隔板16靠上方。分隔板16可以是一张板，也可以是配置在相同高度的复数张板。分隔板16的上表面可以水平，也可以向旋转轴线A1斜上地延伸。
作为旋转卡盘5，采用了在水平方向夹着基板W并水平地保持基板W的夹持式的夹具。具体而言，旋转卡盘5包含：旋转马达(spin motor)(旋转单元)17；下旋转轴18，与旋转马达17的驱动轴一体化；以及圆板状的旋转基座(spin base)19，大致水平地安装于下旋转轴18的上端。旋转基座19具备有由平坦面构成的上表面19a。
在旋转基座19的上表面19a的周缘部配置有多个(三个以上，例如六个)夹持构件20。多个夹持构件20在旋转基座19的上表面周缘部在与基板W的外周形状对应的圆周上隔着适当的间隔配置。
此外，作为旋转卡盘5，并不限定于夹持式的旋转卡盘，例如也可以采用真空吸附式的旋转卡盘(真空夹具)，该真空吸附式的旋转卡盘真空吸附基板W的背面，由此以水平的姿势保持基板W，并在该状态下使基板W绕着铅垂的旋转轴线旋转，从而使被旋转卡盘5保持的基板W旋转。
相向构件7包含：遮断板21；以及上旋转轴22，同轴地设置在遮断板21。遮断板21为圆板状，并具有与基板W大致相同的直径或基板W的直径以上的直径。基板相向面6形成遮断板21的下表面，且为与基板W的整个上表面相向的圆形。
在基板相向面6的中央部形成有圆筒状的贯通孔23(参照图2B)，该贯通孔23上下地贯通遮断板21及上旋转轴22。贯通孔23的内周壁被圆筒面区划。在贯通孔23的内部分别插通有上下延伸的第一喷嘴24和第二喷嘴25。
在上旋转轴22结合有遮断板旋转单元26。遮断板旋转单元26使上旋转轴22连同遮断板21一起绕着旋转轴线A2旋转。在遮断板21结合有包含电动马达及滚珠螺杆(ballscrew)等构成的遮断板升降单元27。遮断板升降单元27将遮断板21连同第一喷嘴24及第二喷嘴25在铅垂方向上升降。遮断板升降单元27使遮断板21、第一喷嘴24以及第二喷嘴25在遮断板21的基板相向面6与被旋转卡盘5保持的基板W的上表面接近的接近位置(参照图6D等)、和设置在接近位置的上方的退避位置(参照图2A及图6A等)之间升降。遮断板升降单元27可在接近位置与退避位置之间的各位置保持遮断板21。
SPM供给单元8包含：SPM喷嘴(喷嘴)28；喷嘴臂29，前端部安装有SPM喷嘴28；SPM配管30，连接于SPM喷嘴28；SPM阀31，安装于SPM配管30；以及喷嘴移动单元32，连接于喷嘴臂29，使喷嘴臂29绕着摆动轴线A3摆动从而使SPM喷嘴28移动。喷嘴移动单元32包含马达等。
SPM喷嘴28例如为以连续流动的状态喷出液体的直线型喷嘴(straight nozzle)。在本实施方式中，在SPM喷嘴28的主体(body)的外周面形成有喷出口28a，从喷出口28a横向地喷出SPM。然而，也可以取代该构成而采用下述构成该构成，即，在SPM喷嘴28的主体的下端形成有喷出口，从喷出口28a向下喷出SPM。
对SPM配管30供给有来自硫酸过氧化氢水供给源的硫酸过氧化氢水混合液(SPM)。在本实施方式中，供给至SPM配管30的SPM为高温(例如约170℃至约180℃)。对SPM配管30供给有利用硫酸与过氧化氢水的反应热而升温至所述高温的SPM。
当SPM阀31开启时，从SPM配管30供给至SPM喷嘴28的高温的SPM从SPM喷嘴28的喷出口28a喷出。当SPM阀31关闭时，停止来自SPM喷嘴28的高温的SPM的喷出。喷嘴移动单元32使SPM喷嘴28在从SPM喷嘴28喷出的高温的SPM被供给至基板W的上表面的处理位置与俯视时SPM喷嘴28退避至旋转卡盘5的侧方的退避位置之间移动。
图2B是用于具体地说明处理单元2所包含的相向构件7的周边的构成的图。
在贯通孔23的内部插通有上下延伸的中心轴喷嘴33。中心轴喷嘴33包含第一喷嘴24、第二喷嘴25以及围绕第一喷嘴24与第二喷嘴25的筒状的壳体(casing)34。
在第一喷嘴24的下端形成有用于向下方喷出液体的第一喷出口35。在第二喷嘴25的下端形成有用于向下方喷出液体的第二喷出口36。在本实施方式中，第一喷嘴24及第二喷嘴25分别为内管(inner tube)。壳体34沿着旋转轴线A2在上下方向上延伸。壳体34以非接触状态插入至贯通孔23的内部。因此，遮断板21的内周在径向上隔着间隔围绕壳体34的外周。
有机溶剂供给单元10包含：第一喷嘴24；有机溶剂配管37，连接于第一喷嘴24，内部与第一喷出口35连通；第一有机溶剂阀38，安装于有机溶剂配管37，对有机溶剂进行开闭；以及第二有机溶剂阀39，安装于比第一有机溶剂阀38靠下游侧的有机溶剂配管37，对有机溶剂进行开闭。
在有机溶剂配管37中设定于第一有机溶剂阀38与第二有机溶剂阀39之间的分支位置40分支连接有吸引配管41，该吸引配管41的前端连接有吸引装置(未图示)。在吸引配管41安装有用于将吸引配管41进行开闭的吸引阀42。
当第一有机溶剂阀38开启时，来自有机溶剂供给源的有机溶剂被向第二有机溶剂阀39供给。在该状态下，当第二有机溶剂阀39开启时，供给至第二有机溶剂阀39的有机溶剂从第一喷出口35向基板W的上表面中央部喷出。
在吸引装置的工作状态中，当以第一有机溶剂阀38关闭且第二有机溶剂阀39开启的状态开启吸引阀42时，吸引装置的动作被有效化，有机溶剂配管37中的比分支位置40靠下游侧的下游侧部分43(以下称为“有机溶剂下游侧部分43”)的内部被排气，在有机溶剂下游侧部分43所包含的有机溶剂被向吸引配管41引入。吸引装置及吸引阀42包含于吸引单元44。
水供给单元11包含：第二喷嘴25；水配管46，连接于第二喷嘴25，且内部与第二喷出口36连通；以及水阀47，对水配管46进行开闭，对从水配管46向第二喷嘴25供给水和停止供给水进行切换。当水阀47开启时，来自水供给源的水被向水配管46供给，从第二喷出口36向基板W的上表面中央部喷出。供给至水配管46的水例如为碳酸水，但并不限定于碳酸水，也可以为去离子水(DIW；deionized water)、电解离子水、氢水、臭氧水以及稀释浓度(例如10ppm至100ppm左右)的盐酸水中的任一个。
处理单元2还包含：非活性气体配管48，对壳体34的外周与遮断板21的内周之间的筒状的空间供给非活性气体；以及非活性气体阀49，安装于非活性气体配管48。当非活性气体阀49开启时，来自非活性气体供给源的非活性气体在壳体34的外周与遮断板21的内周之间通过，从遮断板21的下表面中央部被向下方喷出。因此，当在遮断板21配置在接近位置的状态下开启非活性气体阀49时，从遮断板21的下表面中央部喷出的非活性气体在基板W的上表面与遮断板21的基板相向面6之间向外(从旋转轴线A1离开的方向)扩展，基板W与遮断板21之间的空气被置换成非活性气体。在非活性气体配管48内流动的非活性气体例如为氮气。非活性气体并不限定于氮气，也可以为氦气或氩气等其他的非活性气体。
如图2A所示，处理杯12包含：多个杯部(第一杯部51及第二杯部52)，以双重地围绕旋转卡盘5的方式固定地配置；多个防护罩(第一防护罩53及第二防护罩54)，用于接住飞散至基板W的周围的处理液(SPM、有机溶剂或水)；以及防护罩升降单元(升降单元)55，使各个防护罩独立地升降。防护罩升降单元55例如为包含滚珠螺杆机构的构成。
处理杯12能够以在上下方向上重叠的方式收容，防护罩升降单元55使第一防护罩53及第二防护罩54中的至少一方升降，由此进行处理杯12的展开及折叠。
第一罩51呈圆环状，并在旋转卡盘5与圆筒构件50之间围绕旋转卡盘5的周围。第一杯部51具有相对于基板W的旋转轴线A1大致旋转对称的形状。第一杯部51呈剖面U字状，并区划有第一排液槽59，该第一排液槽59用于将已使用于基板W的处理的处理液进行排液。在第一排液槽59的底部的最低处开口有第一排液口(未图示)，在第一排液口连接有第一排液配管61。通过第一排液配管61进行排液的处理液被输送至预定的回收装置或废弃装置，并由该回收装置或废弃装置处理。
第二杯部52呈圆环状，并围绕第一杯部51的周围。第二杯部52具有相对于基板W的旋转轴线A1大致旋转对称的形状。第二罩52呈剖面U字状，并区划有第二排液槽62，该第二排液槽62用于收集并回收已使用于基板W的处理的处理液。在第二排液槽62的底部的最低处开口有第二排液口(未图示)，在第二排液口连接有第二排液配管64。通过第二排液配管64排液的处理液被输送至预定的回收装置或废弃装置，并由该回收装置或废弃装置处理。
内侧的第一防护罩53围绕旋转卡盘5的周围，并具有相对于由旋转卡盘5形成的基板W的旋转轴线A1大致旋转对称的形状。第一防护罩53一体性地具备有：圆筒状的导引部66，围绕旋转卡盘5的周围；以及圆筒状的处理液分离壁67，连结于导引部66。导引部66具有：圆筒状的下端部68，围绕旋转卡盘5的周围；筒状的厚壁部69，从下端部68的上端向外(从基板W的旋转轴线A1离开的方向)延伸；圆筒状的中段部70，从厚壁部69的上表面外周部向铅垂上方延伸；以及圆环状的上端部71，从中段部70的上端朝内(接近基板W的旋转轴线A1的方向)斜上方地延伸。
处理液分离壁67从厚壁部69的外周部微量地向铅垂下方延伸，并位于第二排液槽62之上。此外，导引部66的下端部68位于第一排液槽59之上，并以第一防护罩53与第一杯部51最接近的状态收容在第一排液槽59的内部。导引部66的上端部71的内周端在俯视时形成比被旋转卡盘5保持的基板W直径大的圆形。此外，导引部66的上端部71可以如图2A等所示其剖面形状为直线状，也可以为例如一边描绘圆滑的圆弧状一边延伸。
外侧的第二防护罩54在第一防护罩53的外侧围绕旋转卡盘5的周围，并具有相对于由旋转卡盘5形成的基板W的旋转轴线A1大致旋转对称的形状。第二防护罩54具有：圆筒部72，与第一防护罩53同轴；上端部73，从圆筒部72的上端向中心侧(接近基板W的旋转轴线A1的方向)斜上方地延伸；以及圆环状的突部(闭塞部)75，在圆筒部72的例如下端部，向外侧突出。上端部73的内周端在俯视时形成比被旋转卡盘5保持的基板W直径大的圆形。此外，上端部73可以如图2A等所示其剖面形状为直线状，也可以例如一边描绘圆滑的圆弧一边延伸。上端部73的前端区划有处理杯12的上部开口部12a(参照图2A)。
圆筒部72位于第二排液槽62之上。此外，上端部73以与第一防护罩53的导引部66的上端部71在上下方向上重叠的方式设置，并以第一防护罩53与第二防护罩54最接近的状态、且与导引部66的上端部71保持微小的间隙而接近的方式形成。折返部74以第一防护罩53与第二防护罩54最接近的状态、且与导引部66的上端部71在水平方向上重叠的方式形成。突部75具有由平坦的水平面构成的圆环状的上表面。
防护罩升降单元55使各个防护罩在下述的上位置P1(参照图3B等)与防护罩的上端部比基板W靠下方的下位置P3(参照图3C等)之间升降。
第一防护罩53及第二防护罩54的上位置P1分别为比下述的接液位置P2(参照图3A等)靠上方的高度位置。各个防护罩(第一防护罩53及第二防护罩54)的上位置P1是形成在防护罩的上端与相向构件7(基板相向面6)之间的环状间隙86(参照图6B)的大小(上下方向宽度)变得比喷嘴臂29的上下宽度W1大这样的位置。
从其他观点来看，各个防护罩的上位置P1是比喷嘴臂29的下端面29a靠下方且比喷出口28a靠上方的位置。更具体而言，各个防护罩的上位置P1是防护罩的上端与喷嘴臂29的下端面29a(喷嘴臂29的下端)之间的第一间隔87(参照图6B)变得与喷嘴臂29的下端面29a与SPM喷嘴28的喷出口28a之间的第二间隔(参照图6A及图6B)88同等或比该第二间隔88狭窄这样的位置。更具体而言，各个防护罩的上位置P1是防护罩的上端变得比喷嘴臂29的下端面29a与被旋转卡盘5保持的基板W的上表面之间的中间位置M(参照图3B)靠上方这样的位置。
防护罩升降单元55能够在上位置P1与下位置P3之间的任意的位置保持第一防护罩53及第二防护罩54。具体而言，防护罩升降单元55将第一防护罩53及第二防护罩54分别保持于上位置P1、下位置P3以及设定于上位置P1与下位置P3之间的接液位置P2。第一防护罩53及第二防护罩54的接液位置P2是防护罩的上端部比基板W靠上方的高度位置。对基板W供给处理液、基板W的干燥在某个防护罩(第一防护罩53及第二防护罩54)与基板W的周端相向的状态下进行。
图3A至图3C用于说明第一防护罩53及第二防护罩54的高度位置与腔室4的内部的气流的流动的示意性的图。图3A示出了第二防护罩54配置在接液位置P2的状态。图3B示出了第二防护罩54配置在上位置P1的状态。图3C示出了第二防护罩54配置在下位置P3的状态。
作为使内侧的第一防护罩53与基板W的周端相向的方法，有下述两个方法。
如图3B中实线所示，第一个方法是将第一防护罩53及第二防护罩54均配置在上位置P1。以下将这样的处理杯12的状态称为「第一上位置状态」。此外，在第一上位置状态中，折返部74在水平方向与导引部66的上端部71重叠，即第一防护罩53及第二防护罩54隔着狭窄间隔重叠。
如图3A中实线所示，第二个方法是将第一防护罩53及第二防护罩54均配置在接液位置P2的方法。以下将这样的处理杯12的状态称为“第一接液位置状态”。此外，在第一接液位置状态下，折返部74在水平方向上与导引部66的上端部71重叠，也即是第一防护罩53和第二防护罩54隔着狭窄间隔重叠。
此外，作为使外侧的第二防护罩54与基板W的周端相向的方法有下述两个方法。
如图3B中双点划线所示，第一个方法是将第一防护罩53配置在下位置P3且将第二防护罩54配置在上位置P1的方法。以下将这样的处理杯12的状态称为“第二上位置状态”。
如图3A中双点划线所示，第二个方法是将第一防护罩53配置在下位置P3且将第二防护罩54配置在接液位置P2的方法。以下将这样的处理杯12的状态称为“第二接液位置状态”。在第二接液位置状态中，第一防护罩53及第二防护罩54的间隔上下地扩展。
此外，如图3C所示，处理杯12中，也能够使得所有的防护罩(第一防护罩53及第二防护罩54)均未与基板W的周端相向。在该状态下，第一防护罩53及第二防护罩54均配置在下位置P3。以下将这样的处理杯12的状态称为“退避状态”。
如图3C所示，在处理杯12的退避状态下，在第二防护罩54的突部75(的上表面)与分隔板16(的下表面)之间隔着大的间隔(上下方向的间隔约为70mm)W2。因此，在气体通过突部75与分隔板16之间时，几乎不会有气体的压力损失。
另一方面，在该状态下，由于第二防护罩54的上端比基板W的周端面靠下方，所以旋转卡盘5(旋转基座19)与第二防护罩54的前端(折返部74)之间的间隔狭窄，因此，在气体通过旋转卡盘5与第二防护罩54的前端之间的间隙S0时气体的压力损失大。因此，在处理杯12的退避状态下在腔室4的内部流动的降流DF1主要通过突部75与分隔板16之间并进入至腔室4的下部空间4a。
此外，如图3A所示，在处理杯12的第一接液位置状态或第二接液位置状态下，第二防护罩54的突部75(的上表面)与分隔板16(的下表面)之间的间隙S间隔成比退避状态的情况下狭窄(上下方向的间隔约为30mm且左右方向的间隔约为2mm)。因此，气体通过突部75与分隔板16之间的间隙S的压力损失变得比退避状态还大。此外，由于第二防护罩54的上端比基板W的周端面靠上方，所以旋转卡盘5与第二防护罩54的前端之间的间隙S0比退避状态的情况下宽广，因此，气体通过旋转卡盘5与第二防护罩54的前端之间时的压力损失比退避状态的情况下小(即存在某种程度)。因此，在处理杯12的第一接液位置状态或第二接液位置状态下在腔室4的内部流动的降流DF2通过突部75与分隔板16之间的间隙S以及旋转卡盘5与第二防护罩54的前端之间的间隙S0这两方并进入至腔室4的下部空间4a。
如图3B所示，在处理杯12的第一上位置状态或第二上位置状态下，第二防护罩54的突部75的上表面与分隔板16的下表面接触，由此，突部75与分隔板16之间的间隙S大致为零(实质上被闭塞，更严格而言上下方向的间隔约为3mm且左右方向的间隔约为2mm)。
另一方面，在该状态下，由于第二防护罩54的上端比基板W的周端面很靠上方，所以旋转卡盘5(旋转基座19)与第二防护罩54的前端之间的间隔极大，因此，在气体通过旋转卡盘5与第二防护罩54的前端之间时几乎不会产生气体的压力损失。因此，在处理杯12的第一上位置状态或第二上位置状态下在腔室4的内部流动的降流DF3专一地通过旋转卡盘5与第二防护罩54的前端之间并进入至腔室4的下部空间4a。
图4是用于说明基板处理装置1的主要部分的电气构成的框图。
控制装置3使用例如微电脑(microcomputer)所构成。控制装置3具有CPU等运算单元、固定存储器设备及硬盘驱动器等存储单元、以及输入输出单元。存储单元存储有供运算单元执行的程序。
控制装置3控制旋转马达17、喷嘴移动单元32、遮断板旋转单元26、遮断板升降单元27以及防护罩升降单元55等的动作。此外，控制装置3对SPM阀31、第一有机溶剂阀38、第二有机溶剂阀39、吸引阀42、水阀47以及非活性气体阀49等进行开闭。
图5是用于说明由处理单元2进行的第一基板处理例的流程图。图6A至图6E是用于说明第一基板处理例的示意图。
以下参照图2A、图2B以及图5说明第一基板处理例。适当地参照图3A至图3C以及图6A至图6E。第一基板处理例为用于去除形成在基板W的上表面的抗蚀剂(resist)的抗蚀剂去除处理。如下所述，第一基板处理例包括：SPM供给步骤(第一药液供给步骤)S3，将SPM对基板W的上表面供给；以及有机溶剂步骤(第二药液供给步骤)S5，将IPA等液体的有机溶剂对基板W的上表面供给。SPM与有机溶剂是通过混触会伴随着危险(在该情况下为急剧的反应)这样的药液的组合。
在通过处理单元2对基板W施加抗蚀剂去除处理时，将高注入(dose)量的离子注入处理后的基板W搬入至腔室4的内部(图5的步骤S1)。被搬入的基板W为未接受用于将抗蚀剂进行灰化(ashing)的处理的基板。此外，在基板W的表面形成有细微且高纵横比(aspectratio)的细微图案。
在相向构件7(即遮断板21及中心轴喷嘴33)退避至退避位置且SPM喷嘴28从旋转卡盘5的上方退避且第一防护罩53及第二防护罩54下降至下位置的状态(第一防护罩53及第二防护罩54的上端均比基板W的保持位置靠下方的状态)下，控制装置3使正在保持基板W的基板搬运机械手CR(参照图1)的手部H(参照图1)进入至腔室4的内部。由此，在将基板W的表面(抗蚀剂形成面)朝向上方的状态下将基板W递接至旋转卡盘5。然后，基板W被旋转卡盘5保持。
然后，控制装置3通过旋转马达17使基板W开始旋转(图5的步骤S2)。基板W上升至预先设定的液体处理速度(在约10rpm至500rpm的范围内，例如约400rpm)，并维持在该液体处理速度。
接着，控制装置3进行将高温的SPM对基板W的上表面供给的SPM供给步骤(图5的步骤S3)。在SPM供给步骤S3中，控制装置3为了从基板W的表面剥离抗蚀剂，将来自SPM喷嘴28的高温的SPM对例如基板W的上表面中央部供给。
具体而言，控制装置3控制喷嘴移动单元32，由此使SPM喷嘴28从退避位置移动至处理位置。由此，如图6A所示，SPM喷嘴28配置在基板W的中央部的上方。
在SPM喷嘴28配置在处理位置(例如中央位置)之后，控制装置3控制防护罩升降单元55，使第一防护罩53及第二防护罩54分别上升至上位置(使处理杯12的状态迁移至第一上位置状态)，并使第一防护罩53与基板W的周端相向。
如图6B所示，在处理杯12的第一上位置状态下，第二防护罩54的上端与喷嘴臂29的下端面29a之间的第一间隔87(例如大致为零)变得比喷嘴臂29的下端面29a与SPM喷嘴28的喷出口28a之间的第二间隔88(例如约5mm)狭窄。进一步而言，在处理杯12的第一上位置状态下，第二防护罩54的上端位于比喷嘴臂29的下端面29a与被旋转卡盘5保持的基板W的上表面之间的中间位置M(参照图3B)靠上方这样的位置。
在第一防护罩53及第二防护罩54上升后，控制装置3开启SPM阀31。由此，如图6B所示，高温(例如约170℃至约180℃)的SPM从SPM配管30供给至SPM喷嘴28，并从该SPM喷嘴28的喷出口28a喷出高温的SPM。从SPM喷嘴28喷出的高温的SPM着落至基板W的上表面的中央部，受到由基板W的旋转产生的离心力而沿着基板W的上表面向外流动。由此，基板W的整个上表面被SPM的液膜覆盖。通过高温的SPM，抗蚀剂从基板W的表面剥离并从该基板W的表面去除。此外，也可以使来自SPM喷嘴28的高温的SPM的供给位置在基板W的上表面中央部与上表面周缘部之间移动(扫描)。
供给至基板W的上表面的SPM从基板W的周缘部向基板W的侧方飞散，并被第一防护罩53的内壁接住。而且，沿着第一防护罩53的内壁流下的SPM在被收集至第一排液槽59之后被导引至第一排液配管61，并被向用于将SPM进行排液处理的排液处理装置(未图示)导引。
在SPM供给步骤S3中，由于所使用的SPM极其高温(例如约170℃至约180℃)，所以产生大量的SPM的雾气MI。通过向基板W供给SPM，在基板W的上表面周围大量地产生的SPM的雾气MI在基板W的上表面上浮游。
在SPM供给步骤S3中，为了实现接住从基板W飞散的药液的目的，防护罩(至少第二防护罩54)的高度为充分的高度，但是在稍低的高度位置的情况下，处理杯12的内部的包含SPM的雾气MI等的气体有可能会通过处理杯12的上部开口12a向处理杯12外流出并扩散至腔室4的内部。由于包含SPM的雾气MI等的气体会变成颗粒而成为附着于基板W并污染该基板W、污染腔室4的隔壁13的内壁的原因，所以不希望这样的气体扩散至周围。
在第一基板处理例的SPM供给步骤S3中，在第一防护罩53及第二防护罩54配置在上位置的状态下(即处理杯12的第一上位置状态)，高温的SPM被供给至处于旋转状态的基板W的上表面。在处理杯12的第一上位置状态下，在配置在上位置P1的状态下的第二防护罩54的上端与遮断板21的基板相向面6之间所形成的环状间隙86(参照图3B)设定成狭窄。因此，处理杯12内的气体难以通过环状间隙86流出至腔室4的内部。由此，能抑制或防止处理杯12的内部的包含SPM的雾气MI的气体流出至腔室4的内部。
此外，在处理杯12的第一上位置状态下，由于突部75与分隔板16之间的间隙S大致变为零，所以在腔室4的内部流动的降流DF3(参照图3B)通过旋转卡盘5与第二防护罩54的前端之间进入至腔室4的下部空间4a。由此，能更有效地抑制包含SPM的雾气MI的气体从处理杯12向腔室4的内部流出。
此外，在处理杯12的第一上位置状态(图3B中实线所示的状态)下，第一防护罩53与第二防护罩54最接近。在该状态中，折返部74在水平方向上与导引部66的上端部71重叠。因此，在SPM供给步骤S3中，在基板W的上表面上浮游的SPM的雾气MI不会进入至第一防护罩53与第二防护罩54之间。在SPM供给步骤S3开始前，有时IPA会附着于第二防护罩54的内壁。然而，由于SPM的雾气MI不会进入至第一防护罩53与第二防护罩54之间，所以在SPM供给步骤S3中，能抑制或防止SPM与IPA在处理杯12的内部混触。由此，能抑制或防止处理杯12的内部成为颗粒产生源。
当从开始喷出高温的SPM起经过预先设定的期间时，结束SPM供给步骤S3。具体而言，控制装置3关闭SPM阀31，停止从SPM喷嘴28喷出高温的SPM。此外，控制装置3控制防护罩升降单元55，使第一防护罩53及第二防护罩54分别下降至接液位置P2。第一防护罩53及第二防护罩54开始下降后，控制装置3控制喷嘴移动单元32，使SPM喷嘴28退避至退避位置。
接着，进行将作为冲洗液的水对基板W的上表面供给的水供给步骤(图5的步骤S4)。具体而言，控制装置3开启水阀47。由此，如图6C所示，从中心轴喷嘴33(的第二喷嘴25(参照图2B))向基板W的上表面中央部喷出水。从中心轴喷嘴33喷出的水着落至基板W的上表面中央部，受到由基板W的旋转产生的离心力而在基板W的上表面上向基板W的周缘部流动。基板W上的SPM被该水向外冲流并排出至基板W的周围。其结果，基板W上的SPM的液膜被置换成覆盖基板W的整个上表面的水的液膜。即，利用作为冲洗液的水从基板W的上表面冲洗SPM。
在基板W的上表面流动的水从基板W的周缘部向基板W的侧方飞散，并被第一防护罩53的内壁接住。而且，沿着第一防护罩53的内壁流下的水在被收集至第一排液槽59之后被导引至第一排液配管61，并被向用于将水进行排液处理的排液处理装置(未图示)导引。在已在SPM供给步骤中使用的SPM的液体附着于第一防护罩53的内壁、第一排液槽59和/或第一排液配管61的管壁的情况下，该SPM的液体被水冲洗。
当从开始喷出水起经过预先设定的期间时，控制装置3关闭水阀47，停止从第二喷嘴25喷出水。由此，结束水供给步骤S4。
接着，进行将作为有机溶剂的IPA对基板W的上表面供给的有机溶剂步骤(图5的步骤S5)。具体而言，如图6D所示，控制装置3控制遮断板升降单元27，将遮断板21配置在接近位置。在遮断板21位于接近位置时，遮断板21将基板W的上表面从基板W的周围的空间遮断。
此外，控制装置3控制防护罩升降单元55，在第一防护罩53配置在下位置P3的状态下，将第二防护罩54配置在上位置P1并使第二防护罩54与基板W的周端面相向。
此外，控制装置3将基板W的旋转减速至预定的浸液(paddle)速度。该浸液速度是指以浸液速度使基板W旋转时作用于基板W的上表面的液体的离心力比在冲洗液与基板W的上表面之间作用的表面张力小或者所述离心力与所述表面张力大致相抗衡这样的速度。
而且，在基板W的旋转速度下降至浸液速度之后，控制装置3一边开启第二有机溶剂阀39并关闭吸引阀42，一边开启第一有机溶剂阀38。由此，来自有机溶剂供给源的IPA被供给至第一喷嘴24，从第一喷嘴24喷出IPA并着落至基板W的上表面。
在有机溶剂步骤S5中，通过从第一喷嘴24喷出IPA，在基板W的上表面的液膜所包含的水逐渐被置换成IPA。由此，覆盖基板W的整个上表面的IPA的液膜在基板W的上表面保持成浸液状。在基板W的整个上表面的液膜几乎被置换成IPA的液膜之后，继续进行向基板W的上表面供给IPA。因此，从基板W的周缘部排出IPA。
从基板W的周缘部排出的IPA被第二防护罩54的内壁接住。而且，沿着第二防护罩54的内壁流下的IPA在被收集至第二排液槽62后被导引至第二排液配管64，并被向用于将IPA进行排液处理的处理装置(未图示)导引。
在本实施方式中，从基板W的周缘部排出的IPA被与基板W的周端相向的第二防护罩54的内壁接住，而不会被相对于基板W的周端面退避至下方的第一防护罩53的内壁接住。而且，在有机溶剂步骤S5中，在基板W的周围所产生的IPA的雾气为少量，IPA的雾气也不会被导向第一防护罩53的内壁。而且，在SPM供给步骤S3中附着于第一防护罩53的SPM通过水供给步骤S4中的水的供给而被冲洗。因此，在有机溶剂步骤S5中不会发生IPA与SPM的混触。
当从开始喷出IPA起经过预先设定的期间时，控制装置3关闭第一有机溶剂阀38，停止从第二喷嘴25喷出IPA。由此，结束有机溶剂步骤S5。
接着，进行使基板W干燥的旋转干燥(spin-drying)步骤(图5的步骤S6)。具体而言，在控制装置3将遮断板21保持为配置在接近位置的状态下，控制装置3控制旋转马达17，由此如图6E所示般，使基板W加速至比从SPM供给步骤S3至有机溶剂步骤S5为止的各步骤中的旋转速度大的干燥旋转速度(例如数千rpm)，并以该干燥旋转速度使基板W旋转。由此，大的离心力施加至基板W上的液体，附着于基板W的液体被甩离至基板W的周围。如此，从基板W去除液体使基板W干燥。此外，控制装置3控制遮断板旋转单元26，使遮断板21高速地在基板W的旋转方向旋转。
此外，与旋转干燥步骤S6并行地执行吸引有机溶剂配管37内的有机溶剂的有机溶剂吸引步骤。该有机溶剂吸引步骤是通过吸引单元44吸引在有机溶剂步骤S5后存在于有机溶剂配管37的内部的有机溶剂的步骤。
具体而言，控制装置3在有机溶剂步骤S5结束后，开启第二有机溶剂阀39并关闭第一有机溶剂阀38，且开启吸引阀42。由此，有机溶剂下游侧部分43的内部被排气，存在于有机溶剂下流侧部分43的IPA被向吸引配管41引入(吸引)。进行IPA的吸引直至IPA的前端面后退至配管内的预定的待机位置。当IPA的前端面后退至待机位置时，控制装置3关闭吸引阀42。由此，能防止在旋转干燥步骤S6中IPA从有机溶剂配管37落下(滴落)。
当从基板W加速起经过预先设定的期间时，控制装置3控制旋转马达17使利用旋转卡盘5进行的基板W的旋转停止(图5的步骤S7)，且控制遮断板旋转单元26使遮断板21停止旋转。
然后，从腔室4内搬出基板W(图5的步骤S8)。具体而言，控制装置3使遮断板21上升并配置在退避位置且使第二防护罩54下降至下位置P3，将第一防护罩53及第二防护罩54配置在比基板W的保持位置靠下方的位置。然后，控制装置3使基板搬运机械手CR的手部H进入腔室4的内部。并且，控制装置3使基板搬运机械手CR的手部保持旋转卡盘5上的基板W，并使基板搬运机械手CR的手部H从腔室4内退避。由此，从腔室4搬出已从表面去除了抗蚀剂的基板W。
根据该第一基板处理例，在处理杯12的第一上位置状态下执行SPM供给步骤S3。因此，在SPM供给步骤S3中，将第一防护罩53配置在尽可能上方，并能够通过该第一防护罩53良好地接住从基板飞散的第一药液。
此外，在SPM供给步骤S3与有机溶剂供给步骤S5中，由于将接住处理液的防护罩(第一防护罩53及第二防护罩54)分开，所以能抑制或防止在处理杯12的内部SPM与IPA混触。由此，能抑制或防止处理杯12的内部成为颗粒产生源。
图7是放大显示处理单元2的下部的构成例的一例的示意性的剖视图。
也可以在第二杯部52的第二排液配管64的前端连接有水用分支配管102及IPA用分支配管103。即，在第二排液配管64流通的液体的流通目的地(在第一防护罩53与第二防护罩54之间被区划的内部空间通过的液体的流通目的地)分支成两个分支配管(水用分支配管102及IPA用分支配管103)。以下说明采用这样的两个分支配管的情形。
在水用分支配管102安装有用于将水用分支配管102进行开闭的水用开闭阀105。在IPA用分支配管103安装有用于将IPA用分支配管103进行开闭的IPA用开闭阀106。在关闭IPA用开闭阀106的状态下开启水用开闭阀105，由此在第二排液配管64流动的液体的流通目的地被设定至水用分支配管102。在关闭水用开闭阀105的状态下开启IPA用开闭阀106，由此在第二排液配管64流动的液体的流通目的地被设定至IPA用分支配管103。
图8A至图8C是用于说明第二基板处理例的示意性的图。在基本性的处理流程中，第二基板处理例与第一基板处理例没有什么不同。参照图2A、图2B、图5以及图7说明第二基板处理例。适当地参照图8A至图8C。
与第一基板处理例的差异点在于：第二基板处理例在SPM供给步骤S3中，处理杯12的状态并非是配置在第一上位置状态，而是配置在第二上位置状态。所谓处理杯12的第二上位置状态是指第一防护罩53配置在接液位置P2且第二防护罩54配置在上位置这样的状态。此外，与第一基板处理例的差异点在于：虽然在SPM供给步骤S3中通过将处理杯12设定成第二上位置状态，SPM的雾气MI有可能附着于在第一防护罩53与第二防护罩54之间所区划的内部空间的壁(第二防护罩54的内壁及第一防护罩53的外壁等)，然而在水供给步骤S4中通过将处理杯12设定成第二接液位置位置并将从基板W的周缘部飞散的水向在第一防护罩53与第二防护罩54之间被区划的内部空间供给，从而用水冲洗附着于该内部空间的壁(第二防护罩54的内壁及第一防护罩53的外壁等)的SPM的雾气MI。以下详细地说明第二基板处理例的SPM供给步骤S3。
在SPM供给步骤S3中，在SPM喷嘴28配置在处理位置之后，控制装置3控制防护罩升降单元55，使第一防护罩53上升至接液位置P2，且使第二防护罩54上升至上位置P1，使第二防护罩54与基板W的周端相向。
与处理杯12的第一上位置状态同样地，在处理杯12的第二上位置状态下，第二防护罩54的上端与喷嘴臂29的下端面29a之间的第一间隔87(例如大致为零)变得比喷嘴臂29的下端面29a与SPM喷嘴28的喷出口28a之间的第二间隔88(例如约5mm)狭窄。进一步而言，处理杯12的第二上位置状态是，第二防护罩54的上端位于比喷嘴臂29的下端面29a与被旋转卡盘5保持的基板W的上表面之间的中间位置M(参照图3B)靠上方这样的位置。在第二防护罩54上升后，控制装置3开启SPM阀31(参照图2A)。
如图8A所示，在本实施方式的SPM供给步骤S3中，在第一防护罩53配置在接液位置P2且第二防护罩54配置在上位置P1的状态(即处理杯12的第二上位置状态)下，对处于旋转状态的基板W的上表面供给高温的SPM。供给至基板W的上表面的SPM受到由基板W的旋转产生的离心力，从基板W的周缘部朝侧方飞散。而且，向侧方飞散的SPM被处于接液位置P2的第一防护罩53接住并沿着第一防护罩53的内壁流下。在第一防护罩53流下的SPM被导引至第一排液配管61，并被向用于将SPM进行排液处理的排液处理装置(未图示)导引。
此外，在SPM供给步骤S3中，由于所使用的SPM极其高温(例如约170℃至约180℃)，所以产生大量的SPM的雾气MI。通过对基板W供给SPM，在基板W的上表面周围大量地产生的SPM的雾气MI在基板W的上表面上浮游。
在处理杯12的第二上位置状态下，在配置在上位置P1的状态下的第二防护罩54的上端与遮断板21的基板相向面6之间所形成的环状间隙86(参照图3B)设定成狭窄。因此，处理杯12内的气体难以通过环状间隙86而向腔室4的内部流出。由此，能抑制或防止处理杯12的内部的包含SPM的雾气MI的气体流出至腔室4的内部。
此外，在处理杯12的第二上位置状态下，由于突部75与分隔板16之间的间隙S大致变为零，所以在腔室4的内部流动的降流DF3(参照图3B)通过旋转卡盘5与第二防护罩54的前端之间进入至腔室4的下部空间4a，由此能更有效地抑制包含SPM的雾气MI的气体从处理杯12向腔室4的内部流出。
在该第二基板处理例的SPM供给步骤S3中，SPM的雾气MI进入至在第一防护罩53与第二防护罩54之间所区划的内部空间，其结果，SPM的雾气MI有可能附着于内部空间的壁(第二防护罩54的内壁及第一防护罩53的外壁等)。
在SPM供给步骤S3结束后，控制装置3控制防护罩升降单元55，使第一防护罩53从接液位置P2下降至下位置P3，并使第二防护罩54从上位置P1下降至接液位置P2。即，使处理杯12的状态迁移至第二接液位置状态。在处理杯12的第二接液位置状态下，第二防护罩54与基板W的周端面相向。此外，在喷出水之前，控制装置3关闭IPA用开闭阀106并开启水用开闭阀105，由此将在第二排液配管64流动的液体的流通目的地设定为水用分支配管102。在第一防护罩53开始下降后，控制装置3控制喷嘴移动单元32，使SPM喷嘴28退避至退避位置。
接着，进行水供给步骤(图5的步骤S4)。具体而言，控制装置3开启水阀47。由此，如图8B所示，从中心轴喷嘴33(的第二喷嘴25)(参照图2B)向基板W的上表面中央部喷出水。从中心轴喷嘴33喷出的水着落至基板W的上表面中央部，受到由基板W的旋转产生的离心力并在基板W的上表面上向基板W的周缘部流动。
供给至基板W的上表面的水从基板W的周缘部向基板W的侧方飞散并进入至在第一防护罩53与第二防护罩54之间所区划的内部空间(第二防护罩54的内壁及第一防护罩53的外壁等)，并被第二防护罩54的内壁接住。而且，沿着第二防护罩54的内壁流下的水在被收集至第二排液槽62之后被导引至第二排液配管64。在第二基板处理例的水供给步骤S4中，由于在第二排液配管64流动的液体的流通目的地被设定为水用分支配管102(参照图7)，所以在第二排液配管64流动的水被向水用分支配管102供给，之后，水被输送至用于将水进行排液处理的处理装置(未图示)。
在上述SPM供给步骤S3之后，SPM的雾气MI有可能附着于在第一防护罩53与第二防护罩54之间被区划的内部空间(第二防护罩54的内壁及第一防护罩53的外壁等)的壁。然而，在水供给步骤S4中，通过供给至在第一防护罩53与第二防护罩54之间被区划的内部空间的水，冲洗附着于壁的SPM的雾气MI。当从开始喷出水起经过预先设定的期间时，结束水供给步骤S4。
接着，进行将作为有机溶剂的IPA向基板W的上表面供给的有机溶剂步骤(图5的步骤S5)。在IPA开始喷出前，控制装置3关闭水用开闭阀105并开启IPA用开闭阀106，由此将在第二排液配管64流动的液体的流通目的地设定为IPA用分支配管103(参照图7)。有机溶剂步骤S5中的除了上述以外的控制与第一基板处理例的情形相同。
从基板W的周缘部排出的IPA被第二防护罩54的内壁接住。而且，沿着第二防护罩54的内壁流下的IPA在被第二排液槽62收集后被导引至第二排液配管64，并被向用于将IPA进行排液处理的处理装置(未图示)导引。在第二基板处理例中的有机溶剂步骤S5中，由于在第二排液配管64流动的液体的流通目的地被设定为IPA用分支配管103，所以在第二排液配管64流动的IPA在向IPA用分支配管103供给之后，被输送至用于将IPA进行排液处理的处理装置(未图示)。当从IPA开始喷出起经过预先设定的期间时，结束有机溶剂步骤S5。接着，控制装置3执行旋转干燥步骤(图5的步骤S6)。在旋转干燥步骤S6结束后，控制装置3使利用旋转卡盘5的基板W的旋转停止(图5的步骤S7)，并使遮断板21停止旋转。之后，从腔室4内搬出基板W(图5的步骤S8)。由于这些各个步骤与第一基板处理例的情形相同，所以省略各自的说明。
在第二基板处理例中，在搬出基板W后，执行用于清洗处理杯12的杯部清洗步骤。在杯部清洗步骤中，使用水作为清洗液。
在杯部清洗步骤中，控制装置3通过旋转马达17(参照图2A)使旋转基座19开始旋转。
在开始将水向旋转基座19供给之前，控制装置3控制防护罩升降单元55(参照图2A)，将第一防护罩53保持于下位置P3，并使第二防护罩54上升至接液位置P2。即，如图8C所示，使处理杯12的状态迁移至第二接液位置状态。在处理杯12的第二接液位置状态下，第二防护罩54与旋转基座19的上表面19a的周缘部相向。
此外，在开始将水向旋转基座19供给之前，控制装置3关闭IPA用开闭阀106(参照图7)并开启水用开闭阀105(参照图7)，由此将在第二排液配管64流动的液体的流通目的地设定为水用分支配管102(参照图7)。
当旋转基座19的旋转速度达到预定的旋转速度时，控制装置3开启水阀47(参照图2)。由此，如图8C所示，从中心轴喷嘴33(的第二喷嘴25(参照图2B))喷出水。从中心轴喷嘴33喷出的水着落至旋转基座19的上表面19a的中央部，受到由旋转基座19的旋转产生的离心力而在旋转基座19的上表面19a上向旋转基座19的周缘部流动，并从旋转基座19的周缘部向侧方飞散。
从旋转基座19的周缘部飞散的水进入至在第一防护罩53与第二防护罩54之间被区划的内部空间(第二防护罩54的内壁及第一防护罩53的外壁等)，并被第二防护罩54的内壁接住。而且，沿着第二防护罩54的内壁流下的水在被收集至第二排液槽62后被导引至第二排液配管64(参照图7)。在杯部清洗步骤中，由于在第二排液配管64流动的液体的流通目的地被设定为水用分支配管102(参照图7)，所以在第二排液配管64流动的水在被供给至水用分支配管102后，被输送至用于将水进行排液处理的处理装置(未图示)。
在搬出基板W之后，虽然IPA的液体会附着于在第一防护罩53与第二防护罩54之间被区划的内部空间的壁(第二防护罩54的内壁及第一防护罩53的外壁)、第二排液槽62与第二排液配管64的管壁，但通过执行杯部清洗步骤，利用水冲洗该IPA的液体。
当从开始喷出水起经过预先设定的期间时，控制装置3关闭水阀47，停止将水向旋转基座19的上表面19a供给。此外，控制装置3控制旋转马达17，使旋转基座19停止旋转。由此，结束杯部清洗步骤。
此外，在第二基板处理例的杯部清洗步骤中，也可以使旋转卡盘5保持碳化硅(SiC)等制的伪(dummy)基板(具有与基板W相同的直径)，并对处于旋转状态的伪基板供给水等清洗液，由此使水从伪基板的周缘向伪基板的侧方飞散。
根据该第二基板处理例，在处理杯12的第二上位置状态下执行SPM供给步骤S3。因此，在SPM供给步骤S3中，将第二防护罩53配置在尽可能上方，通过该第二防护罩53能够良好地接住从基板飞散的第一药液。
此外，在SPM供给步骤S3中所产生的SPM的雾气MI有可能附着于在第一防护罩53与第二防护罩54之间被区划的内部空间的壁(第二防护罩54的内壁及第一防护罩53的外壁等)。然而，在SPM供给步骤S3结束后的水供给步骤S4中，将从基板W的周缘部飞散的水向在第一防护罩53与第二防护罩54之间被区划的内部空间(第二防护罩54的内壁及第一防护罩53的外壁等)供给，由此能冲洗附着于内部空间的内壁的SPM。因此，能抑制或防止在处理杯12的内部中SPM与IPA混触。由此，能抑制或防止处理杯12的内部成为颗粒产生源。
此外，在有机溶剂供给步骤S5中，以第二防护罩54的内壁接住从基板W排出的处理液。因此，在有机溶剂供给步骤S5结束后，IPA的液体附着于在第一防护罩53与第二防护罩54之间被区划的内部空间的壁。然而，由于在有机溶剂供给步骤S5开始后执行杯部清洗步骤，所以能利用水冲洗附着于在第一防护罩53与第二防护罩54之间被区划的内部空间的壁(第二防护罩54的内壁及第一防护罩53的外壁)、第二排液槽62与第二排液配管64的管壁的IPA的液体。因此，能抑制或防止在处理杯12的内部中SPM与IPA混触，由此能抑制或防止处理杯12的内部成为颗粒产生源。
此外，在第二基板处理例中，也可以在SPM供给步骤S3开始前先进行水供给步骤S4。
如上所述，根据本实施方式，在SPM供给步骤S3中，在第二防护罩54配置在上位置P1的状态下对处于旋转状态的基板W的上表面供给高温的SPM。在第二防护罩54配置在上位置P1的状态下，大大地确保处理杯12的上部开口12a与基板W之间的距离。在SPM供给步骤S3中，虽然因为对基板W供给高温的SPM而产生SPM的雾气，但由于将处理杯12的上部开口12a与基板W之间的距离确保为大，所以包含SPM的雾气的气体难以通过处理杯12的上部开口12a流出至处理杯12外。
具体而言，第一防护罩53及第二防护罩54的上位置P1是形成于防护罩的上端与相向构件7(基板相向面6)之间的环状间隙86变得比喷嘴臂29的上下宽度W1大且非常狭窄这样的位置。由此，能在容许喷嘴臂29通过的范围内将环状间隙86设定成最低限度的大小。在该情况下，能有效地削减从处理杯12的内部流出至腔室4的内部的气体的量。由此，能更有效地抑制包含SPM的气体向周围扩散。
此外，从其他观点来看，第一防护罩53及第二防护罩54的上位置P1是比喷嘴臂29的下端面29a靠下方且比喷出口28a靠上方的位置。更具体而言，第一防护罩53及第二防护罩54的上位置P1是防护罩的上端与喷嘴臂29的下端面38a之间的第一间隔87变得比喷嘴臂29的下端面29a与SPM喷嘴28的喷出口34a之间的第二间隔88狭窄这样的位置。再者，第一防护罩53及第二防护罩54的上位置P1是防护罩的上端变成比喷嘴臂29的下端面38a与被旋转卡盘5保持的基板W的上表面之间的中间位置M(参照图3B)靠上方这样的位置。
通过将上位置P1设定为这样的位置，能有效地削减从处理杯12流出至腔室4的内部的气体的量。由此，能更有效地抑制包含SPM的气体向周围扩散。
以上虽然已说明本发明的实施方式之一，但本发明也可以以其他的形态来实施。
例如在第一基板处理例及第二基板处理例中，也可以在水供给步骤S4结束后执行将清洗药液向基板W的上表面供给的清洗药液供给步骤。在此情况下，能使用氢氟酸或SC1(包含NH4OH与H2O2的混合液)作为在清洗药液供给步骤中使用的清洗药液。在执行清洗药液供给步骤的情况下，之后，执行通过冲洗液冲流基板W的上表面的药液的第二水供给步骤。
此外，在第一基板处理例及第二基板处理例中，也可以在SPM供给步骤S3执行后或清洗药液供给步骤执行后，进行用于将过氧化氢水(H2O2)向基板W的上表面(表面)供给的过氧化氢水供给步骤。
此外，在上述实施方式中，虽然例示了IPA作为用作第二药液的一例的有机溶剂的一例，但作为有机溶剂，除此之外也可以例示甲醇、乙醇、HFE(hydrofluoroether；氢氟醚)、丙酮等。此外，作为有机溶剂，并不限定于仅由单体成分所构成的情形，也可以为与其他成分混合的液体。例如，也可以为IPA与丙酮的混合液，或也可以为IPA与甲醇的混合液。
虽然已详细地说明本发明的实施方式，但这些实施方式仅为用于清楚本发明的技术性内容的具体例，本发明不应被这些具体例限定地解释，本发明的范围仅被附加的权利要求的范围所限定。
本申请与2016年8月24日向日本专利局提出的日本特愿2016-163744号对应，并引用日本特愿2016-163744号的全部内容并组入至本申请中。
附图标记的说明
1：基板处理装置
4：腔室
5：旋转卡盘(基板保持单元)
6：基板相向面
7：相向构件
8：SPM供给单元(第一药液供给单元)
10：有机溶剂供给单元(第二药液供给单元)
11：水供给单元
12：处理杯
17：旋转马达(旋转马达)
28：SPM喷嘴(喷嘴)
28a：喷出口
29：喷嘴臂
29a：下端面(喷嘴臂的下端)
55：防护罩升降单元(升降单元)
75：突部(闭塞部)
86：环状间隙
A3：摆动轴线
P1：上位置
P2：接液位置
M：中间位置

Claims (20)

1.一种基板处理装置，包含：
腔室；
基板保持单元，收容在所述腔室内，将基板保持为水平姿势；
旋转单元，使被所述基板保持单元保持的基板绕铅垂的旋转轴线旋转；
喷嘴，具有喷出口，用于从所述喷出口向被所述旋转单元保持的基板的主表面喷出液体；
第一药液供给单元，用于对所述喷嘴供给第一药液；
处理杯，收容所述基板保持单元，并具有多个筒状的防护罩，所述多个筒状的防护罩包含围绕所述基板保持单元的周围的筒状的第一防护罩以及围绕所述第一防护罩的周围的筒状的第二防护罩；
升降单元，用于使所述多个防护罩中的至少一个防护罩升降；以及
控制装置，控制所述旋转单元、所述第一药液供给单元以及所述升降单元，
所述控制装置执行：
上位置配置步骤，将所述多个防护罩中的至少一个防护罩配置在上位置，所述上位置是比预定的接液位置靠上方，并能够通过该防护罩接住从通过所述旋转单元进行旋转的基板飞散的液体的预定的上位置，所述预定的接液位置是能够通过该防护罩接住从该基板飞散的第一药液的位置；和
第一药液供给步骤，在所述防护罩配置在所述上位置的状态下，一边通过所述旋转单元使基板旋转一边对基板的主表面供给第一药液。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，
还包含相向构件，所述相向构件比所述防护罩靠上方，并在该防护罩配置在所述上位置的状态下在与该防护罩的上端之间形成环状间隙，且该相向构件具有基板相向面，所述基板相向面与被所述基板保持单元保持的基板的上表面在上方相向。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
还包含喷嘴臂，所述喷嘴臂保持所述喷嘴，并能够绕预定的摆动轴线摆动以沿着被所述基板保持单元保持的基板的主表面移动所述喷嘴，所述预定的摆动轴线设定于所述基板的旋转范围外；
所述环状间隙设定为比所述喷嘴臂的上下宽度大，以便所述喷嘴臂能跨越所述旋转范围的内外。
4.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
还包含喷嘴臂，所述喷嘴臂保持所述喷嘴，并能够绕预定的摆动轴线摆动以沿着被所述基板保持单元保持的基板的主表面移动所述喷嘴，所述预定的摆动轴线设定于所述基板保持单元的侧方，
所述上位置为如下的位置：配置在所述上位置的状态下的所述防护罩的上端与所述喷嘴臂的下端之间的第一间隔比所述喷嘴臂的下端与所述喷出口之间的第二间隔窄。
5.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述上位置为如下的位置：配置在所述上位置的状态下的所述防护罩的上端比所述喷嘴臂的下端与被所述基板保持单元保持的基板的主表面之间的中间位置靠上方。
6.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
还包含第二药液供给单元，所述第二药液供给单元用于将与所述第一药液不同种类的第二药液对所述基板的主表面供给，
所述控制装置还控制所述第二药液供给单元，
所述控制装置还执行：
将所述第一防护罩配置在该第一防护罩的上端比被所述基板保持单元保持的基板靠下方的下位置且将所述第二防护罩配置在所述接液位置的步骤；和
第二药液供给步骤，在所述第一防护罩配置在所述下位置且所述第二防护罩配置在所述接液位置的状态下，一边通过所述旋转单元使所述基板旋转一边对所述基板的主表面供给第二药液。
7.如权利要求6所述的基板处理装置，其中，
所述控制装置将用于将所述第一防护罩和所述第二防护罩配置在所述上位置的步骤作为所述上位置配置步骤来执行。
8.如权利要求7所述的基板处理装置，其中，
还包含水供给单元，所述水供给单元用于对所述喷嘴供给水，
所述控制装置还控制所述水供给单元，
所述控制装置还执行：
将所述第一防护罩和所述第二防护罩配置在所述接液位置的步骤；和
水供给步骤，在所述第一防护罩和所述第二防护罩配置在所述接液位置的状态下，一边通过所述旋转单元使所述基板旋转一边对所述基板的主表面供给水。
9.如权利要求6所述的基板处理装置，其中，
所述控制装置将用于将所述第一防护罩配置在所述接液位置且将所述第二防护罩配置在所述上位置的步骤作为所述上位置配置步骤来执行。
10.如权利要求9所述的基板处理装置，其中，
还包含水供给单元，所述水供给单元用于对所述喷嘴供给水，
所述控制装置还控制所述水供给单元，
所述控制装置还执行：
将所述第一防护罩配置在该第一防护罩的上端比被所述基板保持单元保持的基板靠下方的下位置，且将所述第二防护罩配置在所述接液位置的步骤；和
水供给步骤，在所述第一防护罩配置在所述下位置且所述第二防护罩配置在所述接液位置的状态下，一边通过所述旋转单元使所述基板旋转一边对所述基板的主表面供给水。
11.如权利要求10所述的基板处理装置，其中，
所述控制装置在所述第一药液供给步骤执行前和/或执行后，以及/或者，所述第二药液供给步骤执行前和/或执行后执行所述水供给步骤。
12.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
包含分隔板，所述分隔板在所述腔室内将所述基板保持单元的侧方区域上下地分隔成上侧的上空间与下侧的下空间，在所述下空间开口有排气口，
在所述第二防护罩与所述分隔板之间形成有间隙，
所述第二防护罩具有用于将所述间隙闭塞的闭塞部，
在所述第二防护罩配置在所述上位置的状态下，所述闭塞部将所述间隙闭塞，且在所述第二防护罩配置在比所述上位置靠下方的预定的下方位置的状态下形成有所述间隙。
13.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述第一药液包含硫酸与过氧化氢水的混合液。
14.一种基板处理方法，在基板处理装置中执行，所述基板处理装置包含：腔室；基板保持单元，收容在所述腔室内，将基板保持为水平姿势；旋转单元，使被所述基板保持单元保持的基板绕铅垂的旋转轴线旋转；以及多个防护罩，包含围绕所述基板保持单元的周围的筒状的第一防护罩以及围绕所述第一防护罩的周围的筒状的第二防护罩，
所述基板处理方法包括：
基板保持步骤，通过所述基板保持单元保持基板；
上位置配置步骤，将所述多个防护罩中的至少一个防护罩配置在上位置，所述上位置是比预定的接液位置靠上方，并能够通过该防护罩接住从通过所述旋转单元进行旋转的基板飞散的液体的预定的上位置，所述预定的接液位置是能够通过该防护罩接住从该基板飞散的液体的位置；以及
第一药液供给步骤，在所述防护罩配置在所述上位置的状态下，一边通过所述旋转单元使基板旋转一边对基板的主表面供给第一药液。
15.如权利要求14所述的基板处理方法，其中，还包括：
将所述第一防护罩配置在该第一防护罩的上端比被所述基板保持单元保持的基板靠下方的下位置且将所述第二防护罩配置在所述接液位置的步骤；和
第二药液供给步骤，在所述第一防护罩配置在所述下位置且所述第二防护罩配置在所述接液位置的状态下，一边通过所述旋转单元使所述基板旋转一边对所述基板的主表面供给第二药液。
16.如权利要求14或15所述的基板处理方法，其中，
所述上位置配置步骤包括将所述第一防护罩和所述第二防护罩配置在所述上位置的步骤。
17.如权利要求16所述的基板处理方法，其中，还包括：
将所述第一防护罩和所述第二防护罩配置在所述接液位置的步骤；和
水供给步骤，在所述第一防护罩和所述第二防护罩配置在所述接液位置的状态下，一边通过所述旋转单元使所述基板旋转一边对所述基板的主表面供给水。
18.如权利要求14或15所述的基板处理方法，其中，
所述上位置配置步骤包括将所述第一防护罩配置在所述接液位置且将所述第二防护罩配置在所述上位置的步骤。
19.如权利要求18所述的基板处理方法，其中，还包括：
将所述第一防护罩和所述第二防护罩配置在所述接液位置的步骤；
将所述第一防护罩配置在该第一防护罩的上端比被所述基板保持单元保持的基板靠下方的下位置且将所述第二防护罩配置在所述接液位置的步骤；以及
水供给步骤，在所述第一防护罩配置在所述下位置且所述第二防护罩配置在所述接液位置的状态下，一边通过所述旋转单元使所述基板旋转一边对所述基板的主表面供给水。
20.如权利要求19所述的基板处理方法，其中，
所述水供给步骤在所述第一药液供给步骤执行前和/或执行后，以及/或者，所述第二药液供给步骤执行前和/或执行后执行。
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