TWI643259B - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

基板處理裝置係包含有：處理腔室；基板保持單元，係配置於前述處理腔室內，用以保持基板；第一噴嘴，係具有用以朝被前述基板保持單元所保持的基板的主面噴出流體之噴出口；第一藥劑流體供給單元，係連接至前述第一噴嘴，且內部具有連通至前述噴出口之藥劑流體配管，用以經由前述藥劑流體配管對前述第一噴嘴供給第一藥劑流體；第一水供給單元，係具有分歧連接至前述藥劑流體配管之水配管，用以經由前述水配管對前述藥劑流體配管供給水；第二藥劑流體供給單元，係用以對被前述基板保持單元所保持的基板的主面供給第二藥劑流體，該第二藥劑流體為與前述第一藥劑流體不同種類的流體；以及控制裝置，係控制前述第一藥劑流體供給單元、前述第二藥劑流體供給單元以及前述第一水供給單元；前述控制裝置係執行：第一處理步驟，係將前述第一藥劑流體供給至前述藥劑流體配管，藉此從前述第一噴嘴朝前述基板的主面噴出前述第一藥劑流體，並對前述基板施予使用了前述第一藥劑流體的處理；第二處理步驟，係將前述第二藥劑流體供給至前述基板的主面，並對前述基板施予使用了前述第二藥劑流體的處理；以及水置換步驟，係在前述第一處理步驟的執行前及/或執行後以及/或者前 述第二處理步驟的執行前及/或執行後，將來自前述第一水供給單元的水供給至前述藥劑流體配管，並以水置換前述藥劑流體配管的內部。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種用以使用第一藥劑流體及第二藥劑流體處理基板之基板處理裝置及基板處理方法。前述基板的例子係包括半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission Dispyay；場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
會有於半導體裝置或液晶顯示裝置的製造步驟使用葉片式的基板處理裝置之情形，該葉片式的基板處理裝置係用以逐片處理基板，俾對半導體晶圓或液晶顯示面板用玻璃基板等基板的表面施予藥液所為之處理。葉片式的基板處理裝置係具備有：自轉夾具(spin chuck)，係於被隔壁區劃的處理腔室(processing chamber)的內部將基板大致保持成水平並使基板旋轉；第一藥液噴嘴，係對被自轉夾具保持的基板的上表面供給第一藥液；以及第二藥液噴嘴，係對被自轉夾具保持的基板的上表面供給第二藥液。第一藥液噴嘴係具有噴出口，且於第一藥液噴嘴連接有藥液配管，該藥液配管係用以將來自藥液供給源的藥液供給至第一藥液噴嘴。
在此種基板處理裝置中，會有第一藥液與第二藥液接 觸而伴隨著危險之組合(亦即不適合接觸之組合)之情形。在一個處理腔室進行使用了此種不適合接觸之組合的藥液之處理之情形中，提案有一種聯鎖(interlock)處理的執行，係以不會在處理腔室的內部接觸之方式，在一方的藥液供給時禁止另一方的藥液用的閥的新開啟，或者在基板的旋轉速度的檢測值變成旋轉數範圍外時禁止藥液用的閥的開啟(參照例如專利文獻1、2)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特許第4917469號公報。
專利文獻2：日本特許第4917470號公報。
然而，當在使用了第二藥劑流體(第二藥液)的處理中於自轉夾具的周邊配置有第一噴嘴時，會有含有第二藥劑流體之氛圍經由噴出口進入至藥劑流體配管(藥液配管)之虞。含有第二藥劑流體之氛圍進入至藥劑流體配管的內部會成為第一藥劑流體與第二藥劑流體接觸的原因。
因此，本發明的目的在於提供一種基板處理裝置及基板處理方法，即使使用於基板處理之複數種藥劑流體的組合為不適合接觸之組合，亦能防止在藥劑流體配管的內部中發生這些藥劑流體的接觸，並能在一個處理腔室中完成使用了該複數種藥劑流體之處理。
本發明係提供一種基板處理裝置，係包含有：處理腔室；基板保持單元，係配置於前述處理腔室內，用以保持基板；第一噴嘴，係具有用以朝被前述基板保持單元所保持的基板的主面噴出流體之噴出口；藥劑流體配管，係連接至前述第一噴嘴，且內部連通至前述噴出口；第一藥劑流體供給單元，用以對前述藥劑流體配管供給第一藥劑流體；第一水供給單元，係用以對前述藥劑流體配管供給水；第二藥劑流體供給單元，係用以對被前述基板保持單元所保持的基板的主面供給第二藥劑流體，該第二藥劑流體為與前述第一藥劑流體不同種類的流體；以及控制裝置，係控制前述第一藥劑流體供給單元、前述第二藥劑流體供給單元以及前述第一水供給單元；前述控制裝置係執行：第一處理步驟，係將前述第一藥劑流體供給至前述藥劑流體配管，藉此從前述第一噴嘴朝前述基板的主面噴出前述第一藥劑流體，並對前述基板施予使用了前述第一藥劑流體的處理；第二處理步驟，係將前述第二藥劑流體供給至前述基板的主面，並對前述基板施予使用了前述第二藥劑流體的處理；以及水置換步驟，係在前述第一處理步驟的執行前及/或執行後以及/或者前述第二處理步驟的執行前及/或執行後，將來自前述第一水供給單元的水供給至前述藥劑流體配管，並以前述水置換前述藥劑流體配管的內部。
依據此構成，在共通的處理腔室內執行使用第一藥劑流體之第一處理步驟以及使用第二藥劑流體之第二藥液供給步驟。在第一處理步驟中，將第一藥劑流體供給至藥劑 流體配管，藉此從第一噴嘴朝基板的主面噴出第一藥劑流體。
此外，在第一處理步驟的執行前及/或執行後以及/或者前述第二處理步驟的執行前及/或執行後，執行用以以水置換藥劑流體配管的內部之水置換步驟。
有於第一處理步驟結束後及/或第二處理步驟開始前在藥劑流體配管的內部殘留有第一藥劑流體之情形。在此情形中，在第一處理步驟結束後及/或第二處理步驟開始前以水置換藥劑流體配管的內部，藉此能從藥劑流體配管去除第一藥劑流體。因此，在第二處理步驟開始時不會於藥劑流體配管的內部殘留第一藥劑流體。因此，即使在該第二處理步驟中第二藥劑流體進入至藥劑流體配管內，該第二藥劑流體亦不會與第一藥劑流體接觸。藉此，能防止藥劑流體配管的內部中的第一藥劑流體與第二藥劑流體接觸。
此外，有在第一處理步驟開始前及/或第二處理步驟結束後於藥劑流體配管的內部附著有第二藥劑流體之情形。在此情形中，在第一處理步驟開始前及/或第二處理步驟結束後以水置換藥劑流體配管的內部，藉此能從藥劑流體配管去除第二藥劑流體。因此，在第一處理步驟開始時不會於藥劑流體配管的內部殘留第二藥劑流體。因此，即使在該第一處理步驟中第一藥劑流體被供給至藥劑流體配管內，該第一藥劑流體亦不會與第二藥劑流體接觸。藉此，能防止藥劑流體配管的內部中的第一藥劑流體與第二藥劑 流體接觸。
如上所述，本發明能提供一種基板處理裝置，即使使用於基板處理之複數種藥劑流體(第一藥劑流體及第二藥劑流體)的組合為不適合接觸之組合，亦能防止在藥劑流體配管的內部中發生這些藥劑流體的接觸，並能在一個處理腔室中完成使用了該複數種藥劑流體之處理。
此外，在本說明書中，所謂「不適合接觸之組合」不只是指「接觸而伴隨著危險之組合」，亦包含了「藉由接觸生成生成物之組合」的含意。於「藉由接觸生成生成物之組合」亦包含了酸與鹼之組合。
在本發明的實施形態之一中，進一步具備有：對向構件，係具有與被前述基板保持單元所保持之基板的主面相對向之基板對向面；前述第一噴嘴的前述噴出口係於前述基板對向面呈開口。
依據此構成，設置有與基板的主面相對向之對向構件，且第一噴嘴的噴出口係於對向構件的基板對向面呈開口。因此，在第二處理步驟中，有隨著第二藥劑流體供給至基板的主面而使第二藥劑流體從噴出口進入至藥劑流體配管的內部之虞。含有第二藥劑流體之氛圍進入至藥劑流體配管的內部會成為第一藥劑流體與第二藥劑流體接觸的原因。
然而，在第一處理步驟執行前及/或執行後以及/或者前述第二處理步驟執行前及/或執行後以水置換藥劑流體配管的內部。因此，即使在設置有與基板的主面相對向 之對向構件且第一噴嘴的噴出口於該對向構件的基板對向面呈開口之情形中，亦能防止藥劑流體配管的內部中的第一藥劑流體與第二藥劑流體接觸。
此外，前述基板處理裝置亦可進一步包含有：吸引單元，係用以吸引前述藥劑流體配管的內部。前述控制裝置亦可進一步控制前述吸引單元，並在前述水置換步驟結束後進一步執行用以吸引前述藥劑流體配管的內部之第一吸引步驟。
依據此構成，在水置換步驟結束後吸引藥劑流體配管的內部。藉由該吸引從藥劑流體配管的內部去除水，在吸引後不會於藥劑流體配管的內部殘存水，或者殘存於藥劑流體配管的內部之水的量少。藉此，能抑制或防止在水置換步驟結束後水從第一噴嘴落液，因此能抑制或防止基板的主面的微粒(particle)污染。
前述控制裝置亦可在前述第二處理步驟結束後開始前述第一處理步驟。前述控制裝置亦可執行在前述第二處理步驟之前所執行的第一水置換步驟作為前述水置換步驟。
依據此構成，在第二處理步驟之前執行第一水置換步驟。有於第二處理步驟開始前在前次處理所使用的第一藥劑流體殘存於藥劑流體配管的內部之虞。然而，在第二處理步驟之前以水置換藥劑流體配管的內部，藉此於第二處理步驟開始時不會於藥劑流體配管的內部殘留第一藥劑流體。因此，即使在該第二處理步驟中第二藥劑流體進入至藥劑流體配管內，亦不會在藥劑流體配管的內部與第一藥 劑流體接觸。藉此，能防止在第二處理步驟中藥劑流體配管的內部中的第一藥劑流體與第二藥劑流體接觸。
此外，前述控制裝置亦可於前述第二處理步驟結束後開始前述第一處理步驟。前述控制裝置亦可執行在前述第二處理步驟之後且在前述第一處理步驟之前所執行的第二水置換步驟作為前述水置換步驟。
依據此構成，在第二處理步驟之後且在第一處理步驟之前執行第二水置換步驟。於第二處理步驟結束後且在第一處理步驟開始前，有在第二處理步驟所使用的第二藥劑流體進入至藥劑流體配管內並殘存於該藥劑流體配管的內部之虞。然而，在第一處理步驟之前以水置換藥劑流體配管的內部，藉此於第一處理步驟開始時不會於藥劑流體配管的內部殘留第二藥劑流體。因此，即使在該第一處理步驟中對藥劑流體配管供給第一藥劑流體，亦不會與第二藥劑流體接觸。藉此，能防止在第一處理步驟中藥劑流體配管的內部中第一藥劑流體與第二藥劑流體接觸。
此外，前述控制裝置亦可在前述第一處理步驟之前進一步執行用以對前述基板的主面供給水之第一水供給步驟，俾在前述第二處理步驟之後從前述基板的主面以水沖洗前述第二藥劑流體。前述控制裝置亦可在前述第一水供給步驟中執行前述第二水置換步驟。
依據此構成，與用以在第二處理步驟之後從基板的主面以水沖洗第二藥劑流體之第一水供給步驟並行地執行用以以水置換藥劑流體配管的內部之第二水置換步驟。藉此， 與以與第二水置換步驟配合的時序進行第一水供給步驟之情形相比，能縮短整體的處理時間。
此外，前述基板處理裝置亦可進一步具備有：第二噴嘴，係與前述第一噴嘴為不同的噴嘴，用以朝被前述基板保持單元所保持的基板的主面噴出流體；以及第二水供給單元，係用以對前述第二噴嘴供給水。前述控制裝置亦可進一步控制前述第二水供給單元。前述控制裝置亦可在前述第二處理步驟結束後開始前述第一處理步驟，並在前述第二處理步驟之後且在前述第一處理步驟開始之前執行第二水供給步驟，該第二水供給步驟係對前述第二噴嘴供給水，藉此從前述第二噴嘴朝前述基板的主面開始噴出水。前述控制裝置亦可在前述第二水供給步驟結束之前開始朝前述第一處理步驟中的前述藥劑流體配管供給前述第一藥劑流體。
依據此構成，能在第二水供給結束後立即從噴出口噴出第一藥劑流體。亦即，能在第二水供給步驟結束後立即開始第一處理步驟。藉此，能縮短整體的處理時間。
此外，前述控制裝置亦可在前述第二水供給步驟結束之前開始前述第一處理步驟。
依據此構成，能從第二水供給步驟結束前從噴出口噴出第一藥劑流體。藉此，能進一步縮短整體的處理時間。
此外，前述控制裝置亦可進一步在前述第一處理步驟中之來自前述第一噴嘴的第一藥劑流體的噴出結束後執行用以吸引前述藥劑流體配管的內部之第二吸引步驟。
此外，前述洗淨液亦可包含有碳酸水。
此外，前述第一藥劑流體亦可包含有硫酸含有液，前述第二藥劑流體亦可包含有有機溶劑。
本發明係提供一種基板處理方法，係包含有：基板保持步驟，係在處理腔室內保持基板；第一處理步驟，係將第一藥劑流體供給至連接至第一噴嘴的藥劑流體配管，藉此從前述第一噴嘴朝前述基板的主面噴出前述第一藥劑流體，並對前述基板施予使用了前述第一藥劑流體的處理；第二處理步驟，係將與前述第一藥劑流體不同種類的流體之第二藥劑流體供給至前述基板的主面，並對前述基板施予使用了前述第二藥劑流體的處理；以及水置換步驟，係在前述第一處理步驟執行前及/或執行後以及/或者前述第二處理步驟執行前及/或執行後將來自前述第一水供給單元的水供給至前述藥劑流體配管，並以前述水置換前述藥劑流體配管的內部。
依據此方法，在共通的處理腔室內執行使用第一藥劑流體之第一處理步驟以及使用第二藥劑流體之第二藥液供給步驟。在第一處理步驟中，將第一藥劑流體供給至藥劑流體配管，藉此從第一噴嘴朝基板的主面噴出第一藥劑流體。
此外，在第一處理步驟的執行前及/或執行後以及/或者前述第二處理步驟的執行前及/或執行後執行用以以水置換藥劑流體配管的內部之水置換步驟。
有於第一處理步驟結束後及/或第二處理步驟開始前 在藥劑流體配管的內部殘留有第一藥劑流體之情形。在此情形中，在第一處理步驟結束後及/或第二處理步驟開始前以水置換藥劑流體配管的內部，藉此能從藥劑流體配管去除第一藥劑流體。因此，在第二處理步驟開始時不會於藥劑流體配管的內部殘留第一藥劑流體。因此，即使在該第二處理步驟中第二藥劑流體進入至藥劑流體配管內，該第二藥劑流體亦不會與第一藥劑流體接觸。藉此，能防止藥劑流體配管的內部中的第一藥劑流體與第二藥劑流體接觸。
此外，有在第一處理步驟開始前及/或第二處理步驟結束後於藥劑流體配管的內部附著有第二藥劑流體之情形。在此情形中，在第一處理步驟開始前及/或第二處理步驟結束後以水置換藥劑流體配管的內部，藉此能從藥劑流體配管去除第二藥劑流體。因此，在第一處理步驟開始時不會於藥劑流體配管的內部殘留第二藥劑流體。因此，即使在該第一處理步驟中第一藥劑流體被供給至藥劑流體配管內，該第一藥劑流體亦不會與第二藥劑流體接觸。藉此，能防止藥劑流體配管的內部中的第一藥劑流體與第二藥劑流體接觸。
如上所述，本發明能提供一種基板處理方法，即使使用於基板處理之複數種藥劑流體(第一藥劑流體及第二藥劑流體)的組合為不適合接觸之組合，亦能防止在藥劑流體配管的內部中發生這些藥劑流體的接觸，並能在一個處理腔室中完成使用了該複數種藥劑流體之處理。
此外，在本說明書中，所謂「不適合接觸之組合」不只是指「接觸而伴隨著危險之組合」，亦包含了「藉由接觸生成生成物之組合」的含意。於「藉由接觸生成生成物之組合」亦包含了酸與鹼之組合。
在本發明的實施形態之一中，前述基板處理方法係進一步包含有在前述水置換步驟結束後用以吸引前述藥劑流體配管的內部之第一吸引步驟。
依據此方法，在水置換步驟結束後吸引藥劑流體配管的內部。藉由該吸引從藥劑流體配管的內部去除水，在吸引後不會於藥劑流體配管的內部殘存水，或者殘存於藥劑流體配管的內部之水的量少。藉此，能抑制或防止在水置換步驟結束後水從第一噴嘴落液，因此能抑制或防止基板的主面的微粒污染。
此外，前述第一處理步驟亦可包含有在前述第二處理步驟結束後開始之步驟。前述水置換步驟亦可包含有在前述第二處理步驟之前所執行的第一水置換步驟。
依據此方法，在第二處理步驟之前執行第一水置換步驟。有於第二處理步驟開始前在前次處理所使用的第一藥劑流體殘存於藥劑流體配管的內部之虞。然而，在第二處理步驟之前以水置換藥劑流體配管的內部，藉此於第二處理步驟開始時不會於藥劑流體配管的內部殘留第一藥劑流體。因此，即使在該第二處理步驟中第二藥劑流體進入至藥劑流體配管內，亦不會在藥劑流體配管的內部與第一藥劑流體接觸。藉此，能防止在第二處理步驟中藥劑流體配 管的內部中的第一藥劑流體與第二藥劑流體接觸。
此外，前述第一處理步驟亦可包含有於前述第二處理步驟結束後開始之步驟。前述水置換步驟亦可包含有在前述第二處理步驟之後且在前述第一處理步驟之前所執行的第二水置換步驟。
依據此方法，在第二處理步驟之後且在第一處理步驟之前執行第二水置換步驟。於第二處理步驟結束後且在第一處理步驟開始前，有在第二處理步驟所使用的第二藥劑流體進入至藥劑流體配管內並殘存於該藥劑流體配管的內部之虞。然而，在第一處理步驟之前以水置換藥劑流體配管的內部，藉此於第一處理步驟開始時不會於藥劑流體配管的內部殘留第二藥劑流體。因此，即使在該第一處理步驟中對藥劑流體配管供給第一藥劑流體，亦不會與第二藥劑流體接觸。藉此，能防止在第一處理步驟中藥劑流體配管的內部中第一藥劑流體與第二藥劑流體接觸。
此外，前述基板處理方法亦可在前述第一處理步驟之前進一步包含有用以對前述基板的主面供給水之第一水供給步驟，俾在前述第二處理步驟之後從前述基板的主面以水沖洗前述第二藥劑流體。前述第一水供給步驟亦可包含有前述第二水置換步驟。
依據此方法，與用以在第二處理步驟之後從基板的主面以水沖洗第二藥劑流體之第一水供給步驟並行地執行用以以水置換藥劑流體配管的內部之第二水置換步驟。藉此，與以與第二水置換步驟配合的時序進行第一水供給步驟之 情形相比，能縮短整體的處理時間。
此外，前述第一處理步驟亦可包含有在前述第二處理步驟結束後開始之步驟。前述基板處理方法亦可在前述第二處理步驟之後且在前述第一處理步驟開始之前進一步包含有第二水供給步驟，該第二水供給步驟係從與前述第一噴嘴不同的噴嘴之第二噴嘴朝前述基板的主面噴出水。前述第一處理步驟亦可在前述第二水供給步驟結束之前開始執行朝前述藥劑流體配管供給前述第一藥劑流體。
依據此方法，能在第二水供給步驟結束後立即從噴出口噴出第一藥劑流體。亦即，能在第二水供給步驟結束後立即開始第一處理步驟。藉此，能縮短整體的處理時間。
此外，前述基板處理方法亦可在前述第二處理步驟之後進一步包含有用以從前述第二噴嘴將水供給至前述基板的主面之第二水供給步驟。前述基板處理方法亦可與前述第二水供給步驟並行地執行前述第一處理步驟。
依據此方法，能從第二水供給步驟結束前從噴出口噴出第一藥劑流體。藉此，能進一步縮短整體的處理時間。
此外，前述基板處理方法亦可進一步在前述第一處理步驟中之來自前述第一噴嘴的第一藥劑流體的噴出結束後執行用以吸引前述藥劑流體配管的內部之第二吸引步驟。
此外，前述洗淨液亦可包含有碳酸水。
此外，前述第一藥劑流體亦可包含有硫酸含有液，前述第二藥劑流體亦可包含有有機溶劑。
本發明的上述目的、特徵及功效以及其他的目的、特徵 及功效能藉由參照圖式以及下述的實施形態的說明而明瞭。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧處理腔室
5‧‧‧自轉夾具
6‧‧‧基板對向面
7‧‧‧對向構件
8‧‧‧第一噴出口
9‧‧‧第一噴嘴
10‧‧‧第二噴出口
11‧‧‧第二噴嘴
12‧‧‧有機溶劑供給單元
13‧‧‧清洗用水供給單元
14‧‧‧硫酸含有液供給單元
15‧‧‧洗淨藥液供給單元
16‧‧‧處理罩
18‧‧‧隔壁
19‧‧‧FFU
21‧‧‧第一閥開啟感測器
22‧‧‧自轉馬達
23‧‧‧下自轉軸
24‧‧‧自轉基座
25‧‧‧夾持構件
26‧‧‧阻隔板
27‧‧‧上自轉軸
28‧‧‧貫通孔
29‧‧‧中心軸噴嘴
30‧‧‧罩殼
31‧‧‧阻隔板旋轉單元
32‧‧‧阻隔板升降單元
33‧‧‧阻隔板接近位置感測器
34‧‧‧有機溶劑配管
35‧‧‧第一有機溶劑閥
36‧‧‧第二有機溶劑閥
37‧‧‧閥關閉感測器
38‧‧‧第一分歧位置
39‧‧‧第一水配管
40‧‧‧有機溶劑下游側部分
41‧‧‧有機溶劑上游側部分
42‧‧‧第一檢測位置
43‧‧‧第一液體偵測感測器
44‧‧‧第二檢測位置
45‧‧‧第二液體偵測感測器
46‧‧‧第一水閥
48‧‧‧第二分歧位置
49‧‧‧吸引配管
50‧‧‧水下游側部分
51‧‧‧吸引閥
52‧‧‧吸引裝置
53‧‧‧真空產生器
54‧‧‧驅動閥
55‧‧‧吸引單元
56‧‧‧第二水配管
57‧‧‧第二水閥
58‧‧‧惰性氣體配管
59‧‧‧惰性氣體閥
60‧‧‧硫酸含有液噴嘴
61‧‧‧硫酸含有液配管
62‧‧‧硫酸含有液閥
63‧‧‧第一噴嘴移動單元
64‧‧‧噴嘴退避感測器
65‧‧‧洗淨藥液噴嘴
66‧‧‧洗淨藥液配管
67‧‧‧洗淨藥液閥
68‧‧‧第二噴嘴移動單元
71‧‧‧第一防護罩
72‧‧‧第二防護罩
73‧‧‧防護罩升降單元
74‧‧‧底部
75‧‧‧內壁部
76‧‧‧外壁部
77‧‧‧導引部
78‧‧‧本體部
79、88‧‧‧上端部
80‧‧‧第一排液槽
81‧‧‧排氣排液管
82‧‧‧硫酸含有液用分歧配管
83‧‧‧洗淨藥液用分歧配管
84‧‧‧水用分歧配管
85‧‧‧排液分歧閥
86‧‧‧第二排液槽
87、100‧‧‧排氣配管
89‧‧‧開口
90‧‧‧上端
91‧‧‧下端部
92‧‧‧折返部
93‧‧‧防護罩上位置感測器
94‧‧‧防護罩下位置感測器
95‧‧‧第二閥關閉感測器
97‧‧‧氣液分離器
101‧‧‧排氣閥
A1、A2‧‧‧旋轉軸線
C‧‧‧承載器
CR‧‧‧基板搬運機器人
H‧‧‧手部
IR‧‧‧搬運機器人
LP‧‧‧裝載埠
W‧‧‧基板
圖1係用以說明本發明的實施形態之一的基板處理裝置的內部的布局之示意性的俯視圖。
圖2A係用以說明前述基板處理裝置所具備的處理單元的構成例之示意性的剖視圖。
圖2B係用以具體性地說明前述處理單元所含有之對向構件的周邊的構成之圖。
圖2C係將前述處理單元的下部的構成例放大顯示之示意性的剖視圖。
圖3係用以說明前述基板處理裝置的主要部分的電性構成之方塊圖。
圖4係用以說明前述處理單元所為之第一基板處理例之流程圖。
圖5A至圖5B係用以說明前述第一基板處理例之示意性的圖。
圖5C至圖5D係用以說明接續圖5B的步驟之示意性的圖。
圖5E至圖5F係用以說明接續圖5D的步驟之示意性的圖。
圖5G至圖5H係用以說明接續圖5F的步驟之示意性的圖。
圖6係用以說明前述第一基板處理例的主要的步驟中 之第一液體偵測感測器及第二液體偵測感測器所為之監視狀況之示意性的圖。
圖7係用以說明前述處理單元所為之第二基板處理例之示意性的圖。
圖8係用以說明前述處理單元所為之第三基板處理例之示意性的圖。
圖1係用以說明本發明的第一實施形態的基板處理裝置1的內部的布局之示意性的俯視圖。基板處理裝置1係用以逐片處理矽晶圓等基板W之葉片式的裝置。在本實施形態中，基板W為圓板狀的基板。基板處理裝置1係包含有：複數個處理單元2，係以處理液處理基板W；裝載埠(load port)LP，係用以載置承載器(carrier)C，該承載器C係用以收容在處理單元2處理之複數片基板W；搬運機器人IR及搬運機器人CR，係用以在裝載埠LP與處理單元2之間搬運基板W；以及控制裝置3，係控制基板處理裝置1。搬運機器人IR係在承載器C與基板搬運機器人CR之間搬運基板W。基板搬運機器人CR係在搬運機器人IR與處理單元2之間搬運基板W。複數個處理單元2係例如具有同樣的構成。
圖2A係用以說明處理單元2的構成例之示意性的剖視圖。
處理單元2係包含有：箱形的處理腔室4；自轉夾具(基板保持單元)5，係在處理腔室4內以水平的姿勢保持一片基板W，並使基板W繞著通過基板W的中心之鉛直的旋轉軸 線A1旋轉；以及對向構件7，係具有基板對向面6，該基板對向面6係與被自轉夾具5所保持的基板W的上表面(主面)相對向。對向構件7係包含有：第一噴嘴9，係具有第一噴出口(噴出口)8，該第一噴出口8係用以朝被自轉夾具5所保持的基板W的上表面的中央部噴出流體；第二噴嘴11，係具有第二噴出口10，該第二噴出口10係用以朝被自轉夾具5所保持的基板W的上表面的中央部噴出流體；有機溶劑供給單元(第一藥劑流體供給單元)12，係用以將作為第一藥劑流體之液體的有機溶劑(具有低表面張力之有機溶劑)的一例的異丙醇(isopropyl alcohol；IPA)供給至第一噴嘴9；清洗(rinse)用水供給單元(第二水供給單元)13，係用以將作為清洗液之水(例如碳酸水)供給至第二噴嘴11；硫酸含有液供給單元(第二藥劑流體供給單元)14，係用以將作為第二藥劑流體之硫酸含有液的一例的硫酸過氧化氫混合液(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture；SPM)供給至被自轉夾具5所保持的基板W的上表面；洗淨藥液供給單元15，係用以將洗淨藥液的一例的SC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture；氨水過氧化氫混和液)(包含有NH4OH以及H2O2之液體)供給至被自轉夾具5所保持的基板W的上表面；以及筒狀的處理罩(processing cup)16，係圍繞自轉夾具5。
處理腔室4係包含有：箱狀的隔壁18，係收容自轉夾具5或噴嘴；以及作為送風單元之FFU(fan filter unit；風扇過濾器單元)19，係用以將清淨空氣(藉由過濾器所過濾的空氣)從隔壁18的上部輸送至隔壁18內。
FFU19係配置於隔壁18的上方，並安裝至隔壁18的頂板。FFU19係從隔壁18的頂板將清淨空氣朝下地輸送至處理腔室4內。此外，於處理罩16的底部連接有排氣排液配管81，排氣排液配管81係用以將處理腔室4內的氣體導出至設置有基板處理裝置1的工廠所設置的排氣處理設備。因此，於處理腔室4內朝下方流動之降流(down flow)(下降流)係藉由FFU19以及排氣排液配管81所形成。基板W的處理係在處理腔室4內形成有降流的狀態下所進行。
作為自轉夾具5，係採用用以在水平方向夾著基板W並水平地保持基板W之夾持式的夾具。具體而言，自轉夾具5係包含有：自轉馬達(spin motor)22；下自轉軸23，係與該自轉馬達22的驅動軸一體化；以及圓板狀的自轉基座(spin base)24，係略水平地安裝至下自轉軸23的上端。
於自轉基座24的上表面的周緣部配置有複數個(三個以上，例如六個)夾持構件25。複數個夾持構件25係在自轉基座24的上表面周緣部中，在與基板W的外周形狀對應之圓周上隔著適當的間隔配置。
此外，作為自轉夾具5，並未限定於夾持式的自轉夾具，例如亦可採用真空吸附式的自轉夾具(真空夾具)，該真空吸附式的自轉夾具係將基板W的背面真空吸附，藉此以水平的姿勢保持基板W，並在此狀態下進一步使基板W繞著鉛直的旋轉軸線旋轉，藉此使被自轉夾具5所保持的基板W旋轉。
圖2B係用以具體性地說明處理單元2所含有的對向構件7的周邊的構成之圖。
如圖2A及圖2B所示，對向構件7係包含有阻隔板26以及同軸地設置於阻隔板26之上自轉軸27。阻隔板26為具有與基板W大致相同直徑或者以上的直徑之圓板狀。基板對向面6係形成阻隔板26的下表面，且為與基板W的上表面全域相對向之圓形。
於基板對向面6的中央部形成有圓筒狀的貫通孔28，該貫通孔28係上下地貫通阻隔板26以及上自轉軸27。貫通孔28的內周壁係被圓筒面區劃。於貫通孔28的內部插通有第一噴嘴9以及第二噴嘴11。第一噴嘴9及第二噴嘴11係分別沿著上自轉軸27的旋轉軸線A2(與旋轉軸線A1同軸)於上下方向延伸。
具體而言，於貫通孔28的內部插通有中心軸噴嘴29，該中心軸噴嘴29係沿著阻隔板26的旋轉軸線A2上下地延伸。如圖2B所示，中心軸噴嘴29係包含有第一噴嘴9、第二噴嘴11以及圍繞第一噴嘴9與第二噴嘴11之筒狀的罩殼(casing)30。在本實施形態中，第一噴嘴9及第二噴嘴11係分別為內管(inner tube)。第一噴出口8係形成於第一噴嘴9的下端。第二噴出口10係形成於第二噴嘴11的下端。罩殼30係沿著旋轉軸線A2於上下方向延伸。罩殼30係以非接觸狀態插入至貫通孔28的內部。因此，阻隔板26的內周係於徑方向隔著間隔圍繞罩殼30的外周。
如圖2A所示，於上自轉軸27結合有阻隔板旋轉單元31。阻隔板旋轉單元31係針對每個阻隔板26使上自轉軸27繞著旋轉軸線A2旋轉。於阻隔板26結合有包含有電動馬達、滾 珠螺桿等之構成的阻隔板升降單元32。阻隔板升降單元32係針對每個中心軸噴嘴29使阻隔板26於鉛直方向升降。阻隔板升降單元32係使阻隔板26及中心軸噴嘴29在接近位置(參照圖5A等)與設置於接近位置的上方之退避位置(參照圖2A或圖5G等)之間升降，該接近位置係阻隔板26的基板對向面6接近被自轉夾具5所保持的基板W的上表面之位置。阻隔板升降單元32係可在接近位置與退避位置之間的各位置保持阻隔板26。
此外，設置有阻隔板接近位置感測器33(在圖2A至圖2C中未圖示)，該阻隔板接近位置感測器33係與阻隔板26關連，用以檢測阻隔板26朝向接近位置的配置。
如圖2B所示，有機溶劑供給單元12係包含有：有機溶劑配管(藥劑流體配管)34，係連接至第一噴嘴9，且內部連通至第一噴出口8；第一有機溶劑閥35，係夾設於有機溶劑配管34，並將有機溶劑予以開閉；第二有機溶劑閥36，係夾設於比第一有機溶劑閥35還下游側的有機溶劑配管34，並將有機溶劑予以開閉；以及閥關閉感測器37，係偵測第一有機溶劑閥35處於閉狀態之情況。
如圖2B所示，在有機溶劑配管34中，於設定於第一有機溶劑閥35與第二有機溶劑閥36之間的第一分歧位置38連接有第一水配管39。在以下的說明中，將有機溶劑配管34中之比第一分歧位置38還下游側的下游側部分40稱為「有機溶劑下游側部分40」。將有機溶劑配管34中之比第一分歧位置38還上游側的上游側部分41稱為「有機溶劑上游側 部分41」。在本實施形態中，第一分歧位置38係設定於接近有機溶劑配管34的上端之位置。因此，在有機溶劑未存在於有機溶劑下游側部分40的狀態下，第一有機溶劑閥35的開啟後直至有機溶劑到達至第二噴嘴11(第二噴出口10)之時間變長(例如約3秒)。
當第一有機溶劑閥35被開啟時，來自有機溶劑供給源的有機溶劑係被供給至第二有機溶劑閥36。當在此狀態下第二有機溶劑閥36被開啟時，供給至第二有機溶劑閥36的有機溶劑係從第一噴出口8朝基板W的上表面中央部噴出。
如圖2B所示，在有機溶劑下游側部分40中，於比第二有機溶劑閥36的夾設位置還上游側的預定的第一檢測位置42配置有用以檢測有機溶劑下游側部分40的內部是否存在液體之第一液體偵測感測器43。第一液體偵測感測器43係檢測第一檢測位置42中的有機溶劑配管34的內部是否存在液體，並將因應檢測結果的訊號發送至控制裝置3。在有機溶劑配管34的內部的液體的前端前進至超過第一檢測位置42(位於第一噴嘴9側)時，液體被第一液體偵測感測器43檢測出。在有機溶劑配管34的內部的液體的前端後退超過第一檢測位置42(位於有機溶劑供給源側)時，液體未被第一液體偵測感測器43檢測出。
如圖2B所示，在有機溶劑下游側部分40中，於比第二有機溶劑閥36的夾設位置還下游側的預定的第二檢測位置44配置有用以檢測有機溶劑下游側部分40的內部是否存在液體之第二液體偵測感測器45。第二液體偵測感測器45係 檢測第二檢測位置44中的有機溶劑配管34的內部是否存在液體，並將因應檢測結果的訊號輸送至控制裝置3。在有機溶劑配管34的內部的液體的前端前進至超過第二檢測位置44(位於第一噴嘴9側)時，液體被第二液體偵測感測器45檢測出。在有機溶劑配管34的內部的液體的前端後退超過第二檢測位置44(位於有機溶劑供給源側)時，液體未被第二液體偵測感測器45檢測出。
第一液體偵測感測器43及第二液體偵測感測器45係分別為例如液體偵測用的光纖感測器(例如日本KEYENCE CORPORATION製的FU95S)，並直接安裝配置或接近配置於有機溶劑配管34的外周壁。第一液體偵測感測器43及/或第二液體偵測感測器45亦可例如藉由電容量型的感測器所構成。
如圖2B所示，成為來自水供給源的水(例如碳酸水)供給至第一水配管39。於第一水配管39的中途部夾設有用以將第一水配管39予以開閉之第一水閥46。當第一水閥46被開啟時，從第一水配管39朝有機溶劑下游側部分40供給。此外，當第一水閥46被關閉時，停止從第一水配管39朝有機溶劑下游側部分40供給水。從第一水配管39朝有機溶劑配管34所供給的水係例如為碳酸水。第一水配管39及第一水閥46係包含於置換用水供給單元(第一水供給單元)47。
如圖2B所示，於設定在第一水配管39的中途部(亦即第一分歧位置38與第一水閥46之間)之第二分歧位置48分歧連接有吸引配管49。在以下的說明中，將第一水配管39中 之比第二分歧位置48還下游側的下游側部分50稱為「水下游側部分50」。
如圖2B所示，於吸引配管49的中途部夾設有用以將吸引配管49予以開閉之吸引閥51。於吸引配管49的前端連接有吸引裝置52。如圖2A所示，吸引裝置52係例如包含有真空產生器53以及用以使真空產生器53作動之驅動閥54。吸引裝置52並未限定於藉由真空產生而產生吸引力的吸引裝置，例如亦可為吸引器(aspirator)等。
如圖2B所示，在吸引裝置52(真空產生器53)的動作狀態中，當在第一有機溶劑閥35及第一水閥46被關閉且第二有機溶劑閥36被開啟的狀態下吸引閥51被開啟時，吸引裝置52的作動被有效化，有機溶劑下游側部分40及水下游側部分50的內部被排氣，有機溶劑下游側部分40及水下游側部分50所含有的液體(水或有機溶劑)係被吸入至吸引配管49。吸引裝置52及吸引閥51係包含於吸引單元55。
如圖2B所示，清洗用水供給單元13係包含有：第二水配管56，係連接至第二噴嘴11，且內部連通至第二噴出口10；以及第二水閥57，係將第二水配管56予以開閉，用以切換從第二水配管56朝第二噴嘴11供給水以及停止供給水。當第二水閥57被開啟時，來自水供給源的水係被供給至第二水配管56，並從第二噴出口10朝基板W的上表面中央部噴出。
如圖2A所示，處理單元2係進一步包含有：惰性氣體配管58，係將惰性氣體供給至罩殼30的外周與阻隔板26的 內周之間的筒狀的空間；以及惰性氣體閥59，夾設於惰性氣體配管58。當惰性氣體閥59被開啟時，來自惰性氣體供給源的惰性氣體係通過罩殼30的外周與阻隔板26的內周之間，並從阻隔板26的下表面中央部朝下方噴出。因此，當在阻隔板26配置於接近位置的狀態下惰性氣體閥59被開啟時，從阻隔板26的下表面中央部噴出的惰性氣體係在基板W的上表面與阻隔板26的基板對向面6之間朝外側(從旋轉軸線A1離開的方向)擴展，且基板W與阻隔板26之間的空氣係被置換成惰性氣體。在惰性氣體配管58內流動的惰性氣體係例如為氮氣。惰性氣體並未限定於氮氣，亦可為氦氣或氬氣等其他的惰性氣體。
如圖2A所示，硫酸含有液供給單元14係包含有：硫酸含有液噴嘴60；硫酸含有液配管61，係連接至硫酸含有液噴嘴60；硫酸含有液閥62，係夾設於硫酸含有液配管61；以及第一噴嘴移動單元63，係使硫酸含有液噴嘴60移動。第一噴嘴移動單元63係包含有馬達等。於第一噴嘴移動單元63係結合有噴嘴退避感測器64，該噴嘴退避感測器64係用以檢測硫酸含有液噴嘴60位於退避位置之情況。
在第一噴嘴移動單元63例如藉由步進馬達(stepping motor)所構成的情形中，噴嘴退避感測器64係能參照從馬達控制部所輸出之用以控制該步進馬達且已因應硫酸含有液噴嘴60的移動量(手臂的搖動角度)之編碼器訊號來檢測硫酸含有液噴嘴60是否位於退避位置。
硫酸含有液噴嘴60係例如為用以在連續流動的狀態下 噴出液體之直式噴嘴(straight nozzle)。於硫酸含有液配管61供給有來自硫酸含有液供給源的硫酸含有液。在本實施形態中，於硫酸含有液配管61供給有作為硫酸含有液之高溫(例如約170℃至約200℃)的硫酸過氧化氫混合液(SPM)。藉由硫酸與過氧化氫水的反應熱升溫達至前述高溫的SPM係被供給至硫酸含有液配管61。
當硫酸含有液閥62被開啟時，從硫酸含有液配管61供給至硫酸含有液噴嘴60之高溫的SPM係從硫酸含有液噴嘴60朝下方噴出。當硫酸含有液閥62被關閉時，停止從硫酸含有液噴嘴60噴出高溫的SPM。第一噴嘴移動單元63係使硫酸含有液噴嘴60在處理位置與退避位置之間移動，該處理位置係從硫酸含有液噴嘴60噴出之高溫的SPM被供給至基板W的上表面之位置，該退避位置係俯視觀看時硫酸含有液噴嘴60已退避至自轉夾具5的側方之位置。
如圖2A所示，洗淨藥液供給單元15係包含有：洗淨藥液噴嘴65；洗淨藥液配管66，係連接至洗淨藥液噴嘴65；洗淨藥液閥67，係夾設於洗淨藥液配管66；以及第二噴嘴移動單元68，係使洗淨藥液噴嘴65移動。洗淨藥液噴嘴65係例如為用以在連續流動的狀態下噴出液體之直式噴嘴。於洗淨藥液配管66供給有來自洗淨藥液供給源的洗淨藥液(例如SC1)。
當洗淨藥液閥67被開啟時，從洗淨藥液配管66供給至洗淨藥液噴嘴65的SC1係從洗淨藥液噴嘴65朝下方噴出。當洗淨藥液閥67被關閉時，停止從洗淨藥液噴嘴65噴出洗 淨藥液。第二噴嘴移動單元68係使洗淨藥液噴嘴65在處理位置與退避位置之間移動，該處理位置係從洗淨藥液噴嘴65噴出的SC1被供給至基板W的上表面之位置，該退避位置係俯視觀看時洗淨藥液噴嘴65已退避至自轉夾具5的側方之位置。再者，第二噴嘴移動單元68係使洗淨藥液噴嘴65在中央位置與周緣位置之間水平地移動，該中央位置係從洗淨藥液噴嘴65噴出的洗淨藥液著液至基板W的上表面中央部之位置，該周緣位置係從洗淨藥液噴嘴65噴出的洗淨藥液著液至基板W的上表面周緣部之位置。中央位置及周緣位置皆為處理位置。
圖2C係將處理單元2的下部的構成例放大顯示之示意性的剖視圖。
如圖2A及圖2C所示，處理罩16係包含有圍繞自轉夾具5且用以接住飛散至基板W的周圍的處理液(洗淨藥液及清洗液)之第一防護罩(guard)71及第二防護罩72、以及用以使各個第一防護罩71及第二防護罩72獨立地升降之防護罩升降單元73。防護罩升降單元73係使各個第一防護罩71及第二防護罩72獨立地升降。此外，防護罩升降單元73係例如為包含有滾珠螺桿機構之構成。
處理罩16係可以於上下方向重疊之方式收容，且藉由防護罩升降單元73使兩個第一防護罩71及第二防護罩72中的至少一個升降而進行處理罩16的展開及收容。
內側的第一防護罩71係圍繞自轉夾具5的周圍，且具有相對於自轉夾具5所致使的基板W的旋轉軸線A1大致旋轉 對稱的形狀。如圖2C所示，第一防護罩71係一體性地具備有：底部74，係俯視觀看時呈圓環狀；圓筒狀的內壁部75，係從該底部74內周緣朝上方立起；圓筒狀的外壁部76，係從底部74的外周緣朝上方立起；以及圓筒狀的導引部77，係在內周緣與外周緣之間從所對應的底部74的一部分朝上方立起。
導引部77係包含有：圓筒狀的本體部78，係從底部74立起；以及筒狀的上端部79，係從該本體部78的上端描繪出圓滑的圓弧，並朝中心側(接近旋轉軸線A1之方向)斜上方延伸。
內壁部75與導引部77之間係被第一排液槽80區劃，該第一排液槽80係用以收集已使用於基板W的處理之處理液(硫酸含有液、洗淨藥液以及水)並予以排液。於第一排液槽80的底部的最低的部位連接有從未圖示的負壓源延伸之排氣排液配管81。藉此，第一排液槽80的內部係被強制性地排氣，於第一排液槽80所收集的處理液以及第一排液槽80內的氛圍係經由排氣排液配管81排出。與氛圍一起排出的處理液係藉由夾設於排氣排液配管81的中途部的氣液分離器97而從氛圍分離。於排氣排液配管81經由氣液分離器97並分別經由排液分歧閥85連接有複數個排液分歧配管(硫酸含有液用分歧配管82、洗淨藥液用分歧配管83以及水用分歧配管84)。於各個排液分歧閥85分別包含有用以偵測該排液分歧閥85處於閉狀態的狀況之第二閥關閉感測器95。
在後述的硫酸含有液步驟(圖4的步驟S3)中，僅排液分 歧閥85中之硫酸含有液用分歧配管82用的排液分歧閥85被開啟，流通於排氣排液配管81之處理液係被供給至硫酸含有液用分歧配管82後，輸送至用以將硫酸含有液予以排液處理之處理裝置(未圖示)。
此外，在後述的第一清洗步驟及第二清洗步驟(圖4的步驟S4及步驟S6)中，僅排液分歧閥85中之水用分歧配管84用的排液分歧閥85被開啟，流通於排氣排液配管81之處理液係被供給至水用分歧配管84後，輸送至用以將水予以排液處理之處理裝置(未圖示)。
此外，在後述的洗淨藥液步驟(圖4的步驟S5)中，僅排液分歧閥85中之洗淨藥液用分歧配管83用的排液分歧閥85被開啟，流通於排氣排液配管81之處理液係被供給至洗淨藥液用分歧配管83後，輸送至用以將洗淨藥液予以排液處理之處理裝置(未圖示)。
此外，導引部77與外壁部76之間係作為用以收集並回收已使用於基板W的處理的有機溶劑之第二排液槽86。在第二排液槽86中，例如於底部連接有排氣配管87的一端。藉此，第二排液槽86的內部係被強制性地排氣，第二排液槽86內的氛圍係經由排氣配管87排出。
排氣配管87的另一端係連接至未圖示的負壓源。於排氣配管87夾設有用以將排氣配管87予以開閉之排氣閥101。於排氣閥101設置有用以偵測該排氣閥101處於開啟狀態的情況之閥開啟感測器21。
外側的第二防護罩72係具有相對於旋轉軸線A1大致旋 轉對稱的形狀。第二防護罩72係在第一防護罩71的導引部77的外側中圍繞自轉夾具5的周圍。於第二防護罩72的上端部88形成有直徑比被自轉夾具5所保持的基板W還大之開口89，第二防護罩72的上端90係成為用以區劃開口89之開口端。
第二防護罩72係具有：下端部91，係作成與導引部77同軸圓筒狀；筒狀的上端部88，係從下端部91的上端描繪出圓滑的圓弧，並朝中心側(接近旋轉軸線A1的方向)斜上方延伸；以及折返部92，係將上端部88的前端部朝下方折返而形成。
下端部91係位於第二排液槽86上，並在第一防護罩71與第二防護罩72最接近的狀態下形成為收容於第二排液槽86之長度。此外，上端部88係以與第一防護罩71的導引部77的上端部79在上下方向重疊之方式設置，並以在第一防護罩71與第二防護罩72最接近的狀態下相對於導引部77的上端部79保持非常微小的間隙而接近之方式形成。折返部92係以第一防護罩71與第二防護罩72最接近的狀態下與導引部77的上端部79於水平方向重疊之方式形成。
如圖2A所示，防護罩升降單元73係在上位置與下位置之間使各個第一防護罩71及第二防護罩72升降，該上位置係防護罩的上端部位於比基板W還上方之位置，該下位置係防護罩的上端部位於比基板W還下方之位置。防護罩升降單元73係可在上位置與下位置之間的任意的位置保持各個第一防護罩71及第二防護罩72。朝基板W供給處理液以及基 板W的乾燥係在第一防護罩71及第二防護罩72中的任一者與基板W的周端面相對向的狀態下進行。
如圖5A等所示，在使內側的第一防護罩71與基板W的周端面相對向之情形中，第一防護罩71及第二防護罩72皆配置於上位置。在此狀態下，折返部92係與導引部77的上端部79於水平方向重疊。
與第一防護罩71關連地設置有：防護罩上位置感測器93，係用以檢測朝向第一防護罩71的上位置的配置；以及防護罩下位置感測器94，係用以檢測朝向第一防護罩71的上位置的配置。
另一方面，如圖2A及圖5G等所示，在使外側的第二防護罩72與基板W的周端面相對向之情形中，第二防護罩72係配置於上位置，且第一防護罩71係配置於下位置。
圖3係用以說明基板處理裝置1的主要部分的電性構成之方塊圖。
控制裝置3係例如使用微電腦(microcomputer)所構成。控制裝置3係具備有CPU(Central Processing Unit；中央處理器)等運算單元、固態記憶體器件(solid-state memory device)、硬碟驅動器等記憶單元以及輸入輸出單元。於記憶單元記憶有用以讓運算單元執行之程式。
控制第二噴嘴移動單元63、68、阻隔板旋轉單元31、阻隔板升降單元32以及防護罩升降單元73等的動作。此外，控制裝置3係將第一有機溶劑閥35、第二有機溶劑閥36、第一水閥46、吸引閥51、驅動閥54、第二水閥57、惰性氣體 閥59、硫酸含有液閥62、洗淨藥液閥67、排液分歧閥85等予以開閉。再者，於控制裝置3輸入有第一閥開啟感測器21的檢測輸出、阻隔板接近位置感測器33的檢測輸出、閥關閉感測器37的檢測輸出、第一液體偵測感測器43的檢測輸出、第二液體偵測感測器45的檢測輸出、噴嘴退避感測器64的檢測輸出、防護罩上位置感測器93的檢測輸出、防護罩下位置感測器94的檢測輸出以及第二閥關閉感測器95的檢測輸出等。
圖4係用以說明處理單元2所為之第一基板處理例之流程圖。圖5A至圖5H係用以說明第一基板處理例之示意性的圖。
以下，參照圖2A至圖4說明第一基板處理例。適當地參照圖5A至圖5H。第一基板處理例係用以去除已形成於基板W的上表面的阻劑(resist)之阻劑去除處理。如以下所述，第一基板處理例係包含有：硫酸含有液步驟S3，係使用SPM等硫酸含有液來處理基板W；以及有機溶劑步驟S7，係使用IPA等液體的有機溶劑來處理基板W。硫酸含有液與有機溶劑係接觸而伴隨著危險(在此情形中為急遽的反應)之藥劑流體(藥液或者是含有藥劑成分的氣體)的組合。
在藉由處理單元2對基板W施予阻劑去除處理時，以高劑量進行離子植入處理後的基板W係搬入至處理腔室4的內部(圖4的步驟S1)。被搬入的基板W係未接受用以將阻劑予以灰化(ashing)之處理的基板。此外，於基板W的表面形成有細微且高縱橫比(aspect ratio)的細微圖案。
具體而言，控制裝置3係使對向構件7(亦即阻隔板26及中心軸噴嘴29)退避至退避位置，並使全部的移動噴嘴(亦即硫酸含有液體噴嘴60及洗淨藥液噴嘴65)從自轉夾具5的上方退避，且使第一防護罩71及第二防護罩72下降至下位置。結果，第一防護罩71及第二防護罩72的上端皆配置於比基板W的保持位置還下方。在此狀態下，使正保持著基板W的基板搬運機器人CR(參照圖1)的手部H(參照圖1)進入至處理腔室4的內部，藉此基板W係在基板W的表面(阻劑形成面)朝向上方的狀態下被授受至自轉夾具5。之後，基板W被保持於自轉夾具5(基板保持步驟)。
之後，控制裝置3係藉由自轉馬達22使基板W開始旋轉。基板W係上升達至預先設定的液體處理速度(在1rpm至500rpm的範圍內，例如約100rpm)，並維持於該液體處理速度。此外，控制裝置3係控制防護罩升降單元73，並使第一防護罩71及第二防護罩72分別上升至上位置，且使第一防護罩71與基板W的周端面相對向。
當基板W的旋轉速度達至液體處理速度時，接著進行除電步驟(圖4的步驟S2)，該除電步驟係用以將碳酸水供給至基板W的上表面並將基板W予以除電。具體而言，控制裝置3係將第二水閥57開啟。藉此，如圖5A所示，從第二噴嘴11的第二噴出口10朝基板W的上表面中央部噴出碳酸水。從第二噴嘴11噴出的碳酸水係著液至基板W的上表面中央部，並承受基板W的旋轉所致使的離心力而在基板W的上表面上朝基板W的周緣部流動。
此外，在本實施形態中，除電步驟S2係藉由下述方式而實現：不僅是從第二噴嘴11噴出碳酸水，亦從第一噴嘴9的第一噴出口8噴出碳酸水。亦即，除電步驟S2係包含有第一水置換步驟T1，該第一水置換步驟T1係用以以碳酸水置換有機溶劑配管34的內部。具體而言，控制裝置3係與除電步驟S2的開始同步地，將第二有機溶劑閥36開啟並將第一有機溶劑閥35及吸引閥51關閉，且將第一水閥46開啟。藉此，來自第一水配管39的碳酸水係被供給至有機溶劑下游側部分40。在於有機溶劑下游側部分40的內壁附著有已於前次的阻劑去除處理時所使用的IPA的液滴之情形中，該IPA的液滴係被碳酸水置換。供給至有機溶劑下游側部分40的碳酸水係從第一噴嘴9噴出並著液至基板W的上表面中央部，並承受基板W的旋轉所致使的離心力而從基板W的上表面上朝基板W的周緣部流動。此外，在已於前次的阻劑去除處理時所使用的IPA氛圍混入至有機溶劑下游側部分40的管內之情形中，亦藉由碳酸水去除。
被供給至基板W的上表面之碳酸水係從基板W的周緣部朝基板W的側方飛散，並被第一防護罩71的內壁接住。接著，於第一防護罩71的內壁流動並流下的碳酸水係被收集至第一排液槽80後，被導引至排氣排液配管81。在除電步驟S2中，將水用分歧配管84用的排液分歧閥85開啟且將硫酸含有液用分歧配管82用的排液分歧閥85及洗淨藥液用分歧配管83用的排液分歧閥85關閉，藉此通過排氣排液配管81之液體的流通目的地係被設定至水用分歧配管84。因此， 在除電步驟S2中，導引至排氣排液配管81的碳酸水係通過水用分歧配管84，並被導引至用以將碳酸水予以排液處理之處理裝置(未圖示)。在已於前次的阻劑去除處理時使用的IPA的液滴附著於第一防護罩71的內壁、第一排液槽80以及/或者排氣排液配管81的管壁之情形中，該IPA的液滴係被碳酸水沖洗。
藉由朝基板W的上表面供給碳酸水，於基板W的上表面形成有碳酸水的液膜。碳酸水的液膜係接液至基板W的上表面，藉此對被保持於自轉夾具5的基板W進行除電。在本實施形態中，由於除電步驟S2包含有第一水置換步驟T1，因此與以與除電步驟S2不同的時序進行第一水置換步驟T1的情形相比，能縮短阻劑去除處理整體的處理時間。
接著，當從碳酸水開始噴出經過預定時間時，如圖5B所示，控制裝置3係一邊將第二水閥57維持在開啟的狀態一邊將第一水閥46關閉，且一邊維持從第二噴嘴11噴出碳酸水一邊使第一噴嘴9停止噴出碳酸水。
停止從第一噴嘴9噴出碳酸水後，執行用以吸引有機溶劑配管34內的碳酸水之第一水吸引步驟T2(第一吸引步驟)。該第一水吸引步驟T2係用以藉由吸引單元55吸引在第一水置換步驟T1後存在於有機溶劑配管34的內部的碳酸水。
具體而言，控制裝置3係在第一水置換步驟T1結束後，將第二有機溶劑閥36開啟且將第一有機溶劑閥35及第一水閥46關閉，並將吸引閥51開啟。藉此，如圖5B所示，有機溶劑下游側部分40及水下游側部分50的內部係被排氣， 且存在於有機溶劑下游側部分40及水下游側部分50的碳酸水係被吸入(吸引)至吸引配管49。碳酸水的吸引係進行至碳酸水的前端面後退至配管內的預定的待機位置(例如設定於吸引配管49或水下游側部分50)為止。當碳酸水的前端面後退至待機位置時，控制裝置3係將吸引閥51關閉。藉此，結束第一水置換步驟T1。
於第一水置換步驟T1結束後執行第一水吸引步驟T2，藉此於第一水吸引步驟T2執行後不會於有機溶劑配管34的內部存在碳酸水。藉此，能抑制或防止第一水置換步驟T1結束後碳酸水從第一噴嘴9落液。
當從碳酸水開始噴出經過預定時間時，控制裝置3係將第一水閥46關閉，停止從第二噴嘴11噴出碳酸水。藉此，結束除電步驟S2。
此外，在本實施形態中，由於並行地進行第一水吸引步驟T2與除電步驟S2的一部分(從第二噴嘴9噴出碳酸水)，因此與除電步驟S2結束後另外進行第一水吸引步驟T2的情形相比，能縮短阻劑去除處理整體的處理時間。接著，控制裝置3係進行硫酸含有液步驟(第二處理步驟，圖4的步驟S3)，該硫酸含有液步驟係將高溫的SPM供給至基板W的上表面。在硫酸含有液步驟S3中，控制裝置3係將來自硫酸含有液噴嘴60的高溫的SPM供給至基板W的上表面中央部，俾從基板W的表面剝離阻劑。
具體而言，在硫酸含有液步驟S3中，控制裝置3係控制第一噴嘴移動單元63，藉此使硫酸含有液噴嘴60從退避位 置移動至中央位置。藉此，硫酸含有液噴嘴60係配置於基板W的中央部的上方。之後，控制裝置3係將硫酸含有液閥62開啟。藉此，高溫(例如約170℃至約200℃)的SPM係從硫酸含有液配管61供給至硫酸含有液噴嘴60，並從該硫酸含有液噴嘴60的噴出口噴出高溫的SPM。從硫酸含有液噴嘴60噴出的高溫的SPM係著液至基板W的上表面的中央部，並受基板W的旋轉所為之離心力，且沿著基板W的上表面朝外側流動。藉此，如圖5C所示，基板W的上表面全域係被SPM的液膜覆蓋。藉由高溫的SPM，阻劑係從基板W的表面剝離並從該基板W的表面去除。
供給至基板W的上表面的SPM係從基板W的周緣部朝基板W的側方飛散，並被第一防護罩71的內壁接住。接著，於第一防護罩71的內壁流動並流下的SPM係被收集至第一排液槽80後，被導引至排氣排液配管81。在硫酸含有液步驟S3中，將硫酸含有液用分歧配管82用的排液分歧閥85開啟，且將洗淨藥液用分歧配管83用的排液分歧閥85及水用分歧配管84用的排液分歧閥85關閉，藉此通過排氣排液配管81之液體的流通目的地係被設定至硫酸含有液用分歧配管82。因此，在除電步驟S2中，被導引至排氣排液配管81之SPM係通過硫酸含有液用分歧配管82，並被導引至用以將硫酸含有液予以排液處理之處理裝置(未圖示)。因此，於硫酸含有液步驟S3後，於第一防護罩71的內壁、第一排液槽80以及/或者排氣排液配管81的管壁附著有SPM的液滴。
在硫酸含有液步驟S3中，藉由朝基板W供給高溫的SPM，於基板W的上表面的周圍產生大量的SPM的霧氣(nozzle)。在硫酸含有液步驟S3中，雖然阻隔板26及中心軸噴嘴29隔著退避位置(例如阻隔板26的基板對向面6從自轉基座24的上表面隔著充分的間隔(列如約150mm)位於上方)，但由於在硫酸含有液步驟S3中所使用的SPM為非常高溫(例如約170℃至約200℃)，因此在硫酸含有液步驟S3中產生大量的SPM的霧氣，結果該SPM的霧氣從第一噴出口8進入至有機溶劑配管34的內部，並進入至有機溶劑配管34的內部(達至深處)。
在此情形中，當在前次的阻劑去除處理中所使用的IPA殘存於有機溶劑配管34的內部時(亦包括IPA的液滴附著至有機溶劑配管34的內部)，在硫酸含有液步驟S3中，有已進入至有機溶劑配管34內的SPM的霧氣在有機溶劑配管34的內部與IPA接觸之虞。當SPM的霧氣在有機溶劑配管34的內部中與IPA接觸時，會有產生微粒而使有機溶劑配管34的內部成為微粒產生源之虞。
然而，在本實施形態中，由於在硫酸含有液步驟S3之前執行第一水置換步驟T1，因此在硫酸含有液步驟S3開始時，不會於有機溶劑配管34的內部殘留IPA。因此，在硫酸含有液步驟S3中，即使SPM的霧氣進入至有機溶劑配管34內，亦不會在有機溶劑配管34的內部與IPA接觸。因此，能防止在硫酸含有液步驟S3中IPA與SPM接觸，藉此能抑制或防止有機溶劑配管34的內部成為微粒產生源。
在硫酸含有液步驟S3中，當開始噴出高溫的SPM經過預先設定的期間時，結束硫酸含有液步驟S3。具體而言，控制裝置3係將硫酸含有液閥62關閉，使硫酸含有液噴嘴60停止噴出高溫的SPM後，控制第一噴嘴移動單元63，使硫酸含有液噴嘴60退避至退避位置。
接著，進行用以將作為清洗液的碳酸水供給至基板W的上表面之第一清洗步驟(圖4的步驟S4)。具體而言，控制裝置3係將第二水閥57開啟。藉此，如圖5D所示，從第二噴嘴11的第二噴出口10朝基板W的上表面中央部噴出碳酸水。從第二噴嘴11噴出的碳酸水係著液至基板W的上表面中央部，並承受基板W的旋轉所致使的離心力，且於基板W的上表面上朝基板W的周緣部流動。
此外，在本實施形態中，第一清洗步驟S4係藉由下述方式而實現：不僅從第二噴嘴11噴出碳酸水，亦從第一噴嘴9的第一噴出口8噴出碳酸水。亦即，第一清洗步驟S4係包含有第二水置換步驟T3，該第二水置換步驟T3係與從第二噴嘴11噴出碳酸水並行地以碳酸水置換有機溶劑配管34的內部。具體而言，控制裝置3係與第一清洗步驟S4的開始同部地將第二有機溶劑閥36開啟且將第一有機溶劑閥35及吸引閥51關閉，並將第一水閥46開啟。藉此，來自第一水配管39的碳酸水係被供給至有機溶劑下游側部分40，且附著至有機溶劑下游側部分40的內壁之SPM的液滴係被碳酸水置換。供給至有機溶劑下游側部分40的碳酸水係從第一噴嘴9噴出並著液至基板W的上表面中央部，並承受基板W的旋 轉所致使的離心力，且於基板W的上表面上朝基板W的周緣部流動。
供給至基板W的上表面的碳酸水係從基板W的周緣部朝基板W的側方飛散，並被第一防護罩71的內壁接住。接著，於第一防護罩71的內壁流動並流下的碳酸水係被收集至第一排液槽80後，被導引至排氣排液配管81。在第一清洗步驟S4中，將水用分歧配管84用的排液分歧閥85開啟，且將硫酸含有液用分歧配管82用的排液分歧閥85及洗淨藥液用分歧配管83用的排液分歧閥85關閉，藉此通過排氣排液配管81之液體的流通目的地係被設定至水用分歧配管84。因此，被導引至排氣排液配管81的碳酸水係通過水用分歧配管84導引至用以將水予以排液處理之處理裝置(未圖示)。在已於硫酸含有液步驟S3中所使用之SPM的液滴附著於第一防護罩71的內壁、第一排液槽80以及/或者排氣排液配管81的管壁之情形中，該SPM的液滴係被碳酸水沖洗。
藉由供給至基板W的上表面的碳酸水將基板W上的SPM朝外側推流並排出至基板W的周圍，且基板W上的SPM的液膜係被置換成用以覆蓋基板W的上表面全域之碳酸水的液膜。亦即，藉由作為清洗液的碳酸水從基板W的上表面沖洗SPM。接著，當從開始噴出碳酸水經過預定時間時，控制裝置3係分別將第一水閥46及第二水閥57關閉，停止從第一噴嘴9及第二噴嘴11噴出碳酸水。藉此，結束第一清洗步驟。
此外，在本實施形態中，由於第一清洗步驟S4包含有 第二水置換步驟T3，因此與在以與第一清洗步驟S4不同的時序進行第一水置換步驟T1的情形相比，能縮短阻劑去除處理整體的處理時間。
此外，在第一清洗步驟S4中，無須同步地使第一噴嘴9停止噴出碳酸水與使第二噴嘴11停止噴出碳酸水，亦可在第二噴嘴11停止噴出碳酸水之前先使第一噴嘴9停止噴出碳酸水。
第一噴嘴9及第二噴嘴11停止噴出碳酸水後，控制裝置3係進行用以將SC1供給至基板W的上表面之洗淨藥液步驟(第一處理步驟，圖4的步驟S5)。在洗淨藥液步驟S5中，控制裝置3係將來自洗淨藥液噴嘴65的SC1供給至基板W的上表面，俾從基板W的表面去除在硫酸含有液步驟S3後存在於基板W的表面的阻劑殘渣。
具體而言，在洗淨藥液步驟S5中，控制裝置3係控制第二噴嘴移動單元68，藉此使洗淨藥液噴嘴65從退避位置移動至處理位置。之後，控制裝置3係將洗淨藥液閥67開啟。藉此，如圖5E所示，從洗淨藥液配管66朝洗淨藥液噴嘴65供給SC1，並從洗淨藥液噴嘴65的噴出口噴出SC1。此外，控制裝置3係與從洗淨藥液噴嘴65噴出SC1並行地控制第二噴嘴移動單元68，使洗淨藥液噴嘴65在中央位置與周緣位置之間往復移動(半掃描(half scan))。藉此，能使來自洗淨藥液噴嘴65的SC1的著液位置在基板W的上表面中央部與基板W的上表面周緣部之間往復移動，藉此能使SC1的著液位置掃描基板W的上表面的全域。藉由對基板W的上表面 供給SC1，能從基板W的表面去除阻劑殘渣。
供給至基板W的上表面的SC1係從基板W的周緣部朝基板W的側方飛散，並被第一防護罩71的內壁接住。接著，於第一防護罩71的內壁流動並流下的SC1係被收集至第一排液槽80後，被導引至排氣排液配管81。在洗淨藥液步驟S5中，將洗淨藥液用分歧配管83用的排液分歧閥85開啟，且將硫酸含有液用分歧配管82用的排液分歧閥85及水用分歧配管84用的排液分歧閥85關閉，藉此通過排氣排液配管81之液體的流通目的地係被設定至洗淨藥液用分歧配管83。因此，被導引至排氣排液配管81的SC1係通過洗淨藥液用分歧配管83並被導引至用以將洗淨藥液予以排液處理之處理裝置(未圖示)。
此外，與洗淨藥液步驟S5並行地進行用以吸引有機溶劑配管34內的碳酸水之第二水吸引步驟T4(第一吸引步驟)。該第二水吸引步驟T4係用以藉由吸引單元55吸引在有機溶劑步驟S7後存在於有機溶劑配管34的內部的碳酸水。
具體而言，控制裝置3係於第二水置換步驟T3結束後，將第二有機溶劑閥36開啟且將第一有機溶劑閥35及第一水閥46關閉，並將吸引閥51開啟。藉此，如圖5E所示，有機溶劑下游側部分40及水下游側部分50的內部係被排氣，且存在於有機溶劑下游側部分40及水下游側部分50的碳酸水係被吸入(吸引)至吸引配管49。碳酸水的吸引係被進行直至碳酸水的前端面後退至配管內的預定的待機位置(例如設定於吸引配管49或水下游側部分50)為止。當碳酸水的前端面 後退至待機位置時，控制裝置3係將吸引閥51關閉。藉此，結束第二水吸引步驟T4。
於第二水置換步驟T3結束後執行第二水吸引步驟T4，藉此於第二水吸引步驟T4的執行後不會於有機溶劑配管34的內部存在碳酸水。藉此，能抑制或防止第二水置換步驟T3結束後碳酸水從第一噴嘴9落液。
此外，在本實施形態中，由於與洗淨藥液步驟S5並行地執行第二水吸引步驟T4，因此與在以與洗淨藥液步驟S5不同的時序進行第二水置換步驟T4的情形相比，能縮短阻劑去除處理整體的處理時間。
當從SC1開始噴出經過預先設定的期間時，結束洗淨藥液步驟S5。具體而言，控制裝置3係將洗淨藥液閥67關閉，使洗淨藥液噴嘴65停止噴出SC1後，控制第二噴嘴移動單元68，使洗淨藥液噴嘴65退避至退避位置。
接著，進行用以將作為清洗液的碳酸水供給至基板W的上表面之第二清洗步驟(圖4的步驟S6)。具體而言，控制裝置3係將第二水閥57開啟。藉此，如圖5F所示，從第二噴嘴11的第二噴出口10朝基板W的上表面中央部噴出碳酸水。從第二噴嘴11噴出的碳酸水係著液至基板W的上表面中央部，並承受基板W的旋轉所致使的離心力，從基板W的上表面上朝基板W的周緣部流動。
供給至基板W的上表面的碳酸水係從基板W的周緣部朝基板W的側方飛散，並被第一防護罩71的內壁接住。接著，於第一防護罩71的內壁流動並流下的碳酸水係被收集至 第一排液槽80後，被導引至排氣排液配管81。在第二清洗步驟S6中，將水用分歧配管84用的排液分歧閥85開啟，且將硫酸含有液用分歧配管82用的排液分歧閥85及洗淨藥液用分歧配管83用的排液分歧閥85關閉，藉此通過排氣排液配管81之液體的流通目的地係被設定至水用分歧配管84。因此，在第二清洗步驟S6中，被導引至排氣排液配管81的碳酸水係通過水用分歧配管84，並被導引至用以將水予以排液處理之處理裝置(未圖示)。
基板W上的SC1係被供給至基板W的上表面之碳酸水朝外側推流並被排出至基板W的周圍，且基板W上的SC1的液膜係被置換成用以覆蓋基板W的上表面全域之碳酸水的液膜。亦即，SC1係被作為清洗液的碳酸水從基板W的上表面沖洗。接著，當第二水閥57被開啟經過預定時間時，控制裝置3係將第二水閥57關閉，使第二噴嘴11停止噴出碳酸水。藉此，結束第二清洗步驟S6。
接著，進行用以將作為有機溶劑的IPA供給至基板W的上表面之有機溶劑步驟(圖4的步驟S7)。具體而言，控制裝置3係控制阻隔板升降單元32，將阻隔板26配置於接近位置。在阻隔板26位於接近位置時，阻隔板26係將基板W的上表面與基板W的周圍的空間阻隔。
此外，控制裝置3係控制防護罩升降單元73，在將第一防護罩71配置於下位置的狀態下將第二防護罩72配置於上位置，使第二防護罩72與基板W的周端面相對向。此外，控制裝置3係將基板W的旋轉減速至預定的覆漿(paddle)速 度。所謂覆漿速度係指以覆漿速度使基板W旋轉時作用於基板W的上表面的液體之離心力比在清洗液與基板W的上表面之間作用的表面張力還小或者前述離心力與前述表面張力大致相抗衡般的速度。
接著，控制裝置3係將第二有機溶劑閥36開啟且將第一水閥46及吸引閥51關閉，並將第一有機溶劑閥35開啟。藉此，如圖5G所示，來自有機溶劑供給源的IPA係被供給至第二噴嘴11，IPA係從第二噴嘴11噴出並著液至基板W的上表面。
在硫酸含有液步驟S3中進入至有機溶劑配管34內之SPM的霧氣係藉由凝結而液化並形成SPM的液滴。當在有機溶劑步驟S7開始前於有機溶劑配管34的內部存在SPM的液滴時，有在有機溶劑步驟S7中被供給至有機溶劑配管34的IPA在有機溶劑配管34的內部與SPM接觸之虞。當IPA在有機溶劑配管34的內部與SPM的液滴接觸時會產生微粒，會有有機溶劑配管34的內部成為微粒產生源之虞。
然而，在本實施形態中，由於在有機溶劑步驟S7之前執行第二水置換步驟T3，因此在有機溶劑步驟S7開始時不會於有機溶劑配管34的內部殘留SPM的液滴。因此，即使在該有機溶劑步驟S7中對有機溶劑配管34供給IPA，亦不會在有機溶劑配管34的內部與SPM接觸。因此，能有效地抑制或防止隨著IPA與SPM之間的接觸產生微粒，藉此能抑制或防止有機溶劑配管34的內部成為微粒產生源。
在有機溶劑步驟S7中，藉由從第一噴嘴9噴出IPA，基 板W的上表面的液膜所含有的碳酸水係依序被置換成IPA。藉此，用以覆蓋基板W的上表面全域之IPA的液膜係在基板W的上表面保持成覆漿狀。在基板W的上表面全域的液膜大致被置換成IPA的液膜後，亦持續進行朝基板W的上表面供給IPA。因此，從基板W的周緣部排出IPA。
從基板W的周緣部排出的IPA係被第二防護罩72的內壁接住。接著，於第二防護罩72的內壁流動並流下的IPA係被收集至第二排液槽86後，並被導引至排氣配管87。因此，在有機溶劑步驟S7後，於第二防護罩72的內壁、第二排液槽86以及/或者排氣配管87的管壁附著有IPA的液滴。
當從IPA開始噴出經過預先設定的期間時，控制裝置3係將第一有機溶劑閥35關閉，使第一噴嘴9停止噴出IPA。藉此，結束有機溶劑步驟S7。
接著，進行用以使基板W乾燥之離心法脫水(spin-drying)步驟(圖4的步驟S8)。具體而言，控制裝置3係控制阻隔板升降單元32，將阻隔板26配置於接近位置。此外，在此狀態下，控制裝置3係控制自轉馬達22，藉此如圖5H所示，使基板W加速達至比從硫酸含有液步驟S3至有機溶劑步驟S7為止的各個步驟中的旋轉速度還大之乾燥旋轉速度(例如數千rpm)，並以該乾燥旋轉速度使基板W旋轉。藉此，大的離心力係施加至基板W上的液體，附著至基板W的液體係被甩離至基板W的周圍。如此，從基板W去除液體，使基板W乾燥。此外，控制裝置3係控制阻隔板旋轉單元31， 使阻隔板26於基板W的旋轉方向高速地旋轉。
此外，與離心力脫水法步驟S8並行地執行用以吸引有機溶劑配管34內的有機溶劑之有機溶劑吸引步驟T5(第二吸引步驟)。該有機溶劑吸引步驟T5係用以藉由吸引單元55吸引在有機溶劑步驟S7後存在於有機溶劑配管34的內部的有機溶劑。
具體而言，控制裝置3係在有機溶劑步驟S7結束後，將第二有機溶劑閥36開啟且將第一有機溶劑閥35及第一水閥46關閉，並將吸引閥51開啟。藉此，有機溶劑下游側部分40及水下游側部分50的內部係被排氣，且如圖5H所示，存在於有機溶劑下游側部分40及水下游側部分50的IPA係被吸入(吸引)至吸引配管49。IPA的吸引係進行直至IPA的前端面後退至配管內的預定的待機位置(例如設定於吸引配管49或水下游側部分50)為止。當IPA的前端面後退至待機位置時，控制裝置3係將吸引閥51關閉。
當從基板W的加速經過預定時間時，控制裝置3係控制自轉馬達22使自轉夾具5停止旋轉基板W，且控制阻隔板旋轉單元31使阻隔板26停止旋轉。
之後，從處理腔室4內搬出基板W(圖4的步驟S9)。具體而言，控制裝置3使阻隔板26配置於退避位置且將第二防護罩72下降至下位置，並將第一防護罩71及第二防護罩72配置於比基板W的保持位置還下方。之後，控制裝置3係使基板搬運機器人CR的手部H進入至處理腔室4的內部。接著，控制裝置3係使基板搬運機器人CR的手部保持自轉夾 具5上的基板W，並使基板搬運機器人CR的手部H從處理腔室4內退避。藉此，從處理腔室4搬出已從表面去除阻劑的基板W。
此外，如圖4中的二點鍊線所示，有在有機溶劑吸引步驟T5開始之前執行用以將有機溶劑配管34置換成新的IPA之有機溶劑預分配(pre-dispense)(圖4的步驟S10)之情形。於有機溶劑吸引步驟T5開始前，有機溶劑配管34的IPA的前端面係位於有機溶劑上流側部分41內。此時，有機溶劑配管34內(有機溶劑上游側部分41內)的IPA經時變化(溫度變化或成分變化)之情形。
在進行有機溶劑預分配之情形中，控制裝置3係將第二有機溶劑閥36及第一水閥46關閉，並將第一有機溶劑閥35及吸引閥51開啟，來自有機溶劑供給源的IPA係通過有機溶劑上游側部分41及水下游側部分50吸入(吸引)至吸引配管49。藉此，存在於有機溶劑上游側部分41之經過經時變化的IPA係被置換成新鮮的IPA。當從第一有機溶劑閥35開啟經過預先設定的期間時，控制裝置3係將第一有機溶劑閥35及吸引閥51關閉。
圖6係用以說明第一基板處理例的主要的步驟中之第一液體偵測感測器43及第二液體偵測感測器45所為之監視狀況之示意性的圖。
如圖6所示，在有機溶劑步驟S7(有機溶劑噴出中)中，控制裝置3係不參照配置於比第二有機溶劑閥36還上游側的第一液體偵測感測器43的檢測輸出以及配置於比第二有機 溶劑閥36還下游側的第二液體偵測感測器45的檢測輸出的雙方。換言之，在有機溶劑步驟S7中，控制裝置3係無視第一檢測位置42及第二檢測位置44雙方中是否存在液體。
如圖6所示，在有機溶劑吸引步驟T5中，控制裝置3係參照配置於比第二有機溶劑閥36還上游側的第一液體偵測感測器43的檢測輸出以及配置於比第二有機溶劑閥36還下游側的第二液體偵測感測器45的檢測輸出的雙方。換言之，控制裝置3係監視第一檢測位置42及第二檢測位置44雙方中是否存在液體。在有機溶劑吸引步驟T5中，在依據第一液體偵測感測器43及第二液體偵測感測器45雙方的檢測輸出未檢測到第一檢測位置42及第二檢測位置44雙方中未存在液體(亦即IPA)之情形中，控制裝置3係偵測到IPA的吸引已結束。
此外，在第一基板處理例中，控制裝置3不僅是在有機溶劑吸引步驟T5中，在其他的吸引步驟(例如第一水吸引步驟T2或第二水吸引步驟T4)中亦監視第一檢測位置42及第二檢測位置44雙方中是否存在液體。
此外，在有機溶劑預分配步驟S10中，控制裝置3係僅參照配置於比第二有機溶劑閥36還上游側的第二液體偵測感測器45的檢測輸出，且不參照配置於比第二有機溶劑閥36還下游側的第一液體偵測感測器43的檢測輸出。換言之，控制裝置3雖然監視第二檢測位置44中是否存在液體，但無視第一檢測位置42中是否存在液體。不論第二有機溶劑閥36是否已被控制成閉狀態，在第二液體偵測感測器45檢測 到第二檢測位置44中存在液體(亦即IPA)之情形中，如圖6所示，控制裝置3係能偵測從第二有機溶劑閥36漏出有機溶溶劑(亦即IPA)之流出錯誤。
此外，在第一基板處理例中，除了特別提到的各個步驟，控制裝置3係僅參照配置於比第二有機溶劑閥36還下游側的第二液體偵測感測器45的檢測輸出，並不參照配置於比第二有機溶劑閥36還上游側的第一液體偵測感測器43的檢測輸出。換言之，控制裝置3雖然監視第二檢測位置44中是否存在液體，但無視第一檢測位置42中是否存在液體。不論第二有機溶劑閥36是否已被控制成閉狀態，在第二液體偵測感測器45檢測到第二檢測位置44中存在液體(亦即IPA)之情形中，如圖6所示，控制裝置3係能偵測從第二有機溶劑閥36漏出有機溶劑(亦即IPA)之流出錯誤。
表1係用以說明第一基板處理例中的硬聯鎖之圖。
硬聯鎖處理係在依循保存於控制裝置3的記憶體之配方(recipe)進行一連串的基板處理之過程中，於各個步驟的開始時被執行。
在硫酸含有液步驟S3開始時，分別調查是否存在(3)、(5)、(6)的情形：(3)防護罩下位置感測器94的檢測輸出是否 為導通(ON)，亦即第一防護罩71是否配置於下位置；(5)第一液體偵測感測器43及第二液體偵測感測器45的檢測輸出是否為關斷(OFF)，亦即IPA的前端面是否後退至吸引配管49或水下游側部分50；(6)閥關閉感測器37的檢測輸出是否為導通，亦即第一有機溶劑閥35是否處於閉狀態。在全部滿足這些(3)、(5)、(6)的條件之情形中，控制裝置3係容許硫酸含有液閥62的開啟動作。亦即，在(3)、(5)、(6)的條件中的一個條件未滿足之情形中，控制裝置3係禁止硫酸含有液閥62的開啟動作。藉由此種硬聯鎖，能確實地防止從第一噴嘴9開始噴出IPA時在處理腔室4內中IPA與SPM產生接觸。
此外，在有機溶劑步驟S7開始時，分別調查是否存在(1)、(2)、(4)、(8)的情形：(1)阻隔板接近位置感測器33的檢測輸出是否為導通，亦即阻隔板26是否配置於接近位置；(2)噴嘴退避感測器64的檢測輸出是否為導通，亦即硫酸含有液噴嘴60是否位於退避位置；(4)防護罩上位置感測器93的檢測輸出是否為導通，亦即第一防護罩71是否配置於上位置；(8)第一閥開啟感測器21的檢測輸出是否為導通，亦即用以將排氣配管100予以開閉之排氣閥101是否處於開啟狀態。在全部滿足這些(1)、(2)、(4)、(8)的條件之情形中，控制裝置3係容許第一有機溶劑閥35的開啟動作。亦即，在(1)、(2)、(4)、(8)的條件中的一個條件未滿足之情形中，控制裝置3係禁止第一有機溶劑閥35的開啟動作。藉由此種硬聯鎖，能確實地防止從硫酸含有液噴嘴60開始噴出SPM時於處理腔室4內產生SPM與IPA的接觸。
此外，調查在除電步驟S2開始時、硫酸含有液步驟S3開始時、第一清洗步驟S4開始時、洗淨藥液步驟S5開始時或者第二清洗步驟S6開始時，是否存在(7)之情形：(7)與噴出對象的處理液以外的處理液對應之第二閥關閉感測器95的檢測輸出是否全部導通，亦即與噴出對象的處理液以外的處理對應之排液分歧閥85是否已關閉。
具體而言，在除電步驟S2、第一清洗步驟S4以及第二清洗步驟S6中，分別調查與硫酸含有液用分歧配管82用的排液分歧閥85對應的第二閥關閉感測器95以及與洗淨藥液用分歧配管83用的排液分歧閥85對應的第二閥關閉感測器95的檢測輸出。在硫酸含有液步驟S3中，分別調查與洗淨藥液用分歧配管83用的排液分歧閥85對應的第二閥關閉感測器95以及與水用分歧配管84用的排液分歧閥85對應的第二閥關閉感測器95的檢測輸出。在洗淨藥液步驟S5中，分別調查與硫酸含有液用分歧配管82用的排液分歧閥85對應的第二閥關閉感測器95以及與水用分歧配管84用的排液分歧閥85對應的第二閥關閉感測器95的檢測輸出。
在滿足該條件(7)之情形中，控制裝置3係在各個步驟S2至步驟S6開始時將與噴出對象的處理液對應之噴出開閉用的閥(亦即第一水閥46、硫酸含有液閥62以及洗淨藥液閥67中的任一個)開啟。亦即，在未滿足(7)的條件之情形中，控制裝置3係禁止第一水閥46、硫酸含有液閥62、洗淨藥液閥67的開啟動作。
如上所述，依據本實施形態，在硫酸含有液步驟S3之 前執行第一水置換步驟T1。當在硫酸含有液步驟S3開始前於有機溶劑配管34的內部殘存有已在前次的阻劑去除處理所使用的IPA時，會有在硫酸含有液步驟S3中已進入至有機溶劑配管34內之SPM的霧氣在有機溶劑配管34的內部與IPA接觸之虞。然而，在硫酸含有液步驟S3之前以碳酸水置換有機溶劑配管34的內部，藉此在硫酸含有液步驟S3開始時不會於有機溶劑配管34的內部殘留IPA。因此，即使在硫酸含有液步驟S3中SPM的霧氣進入至有機溶劑配管34內，亦不會在有機溶劑配管34的內部與IPA接觸。因此，能防止在硫酸含有液步驟S3中IPA與SPM接觸，藉此能抑制或防止有機溶劑配管34的內部成為微粒產生源。
此外，在硫酸含有液步驟S3之後且在有機溶劑步驟S7之前執行第二水置換步驟T3。當在硫酸含有液步驟S3中進入至有機溶劑配管34內且藉由凝結而液化的SPM的液滴在有機溶劑步驟S7的開始前存在於有機溶劑配管34的內部時，會有在有機溶劑步驟S7中已供給至有機溶劑配管34的IPA在有機溶劑配管34的內部與SPM接觸之虞。然而，在有機溶劑步驟S7之前以碳酸水置換有機溶劑配管34的內部，藉此在有機溶劑步驟S7開始時不會於有機溶劑配管34的內部殘留SPM的液滴。因此，即使在該有機溶劑步驟S7中IPA被供給至有機溶劑配管34，亦不會在有機溶劑配管34的內部與SPM接觸。因此，能有效地抑制或防止隨著IPA與SPM的接觸產生微粒，藉此能抑制或防止有機溶劑配管34的內部成為微粒產生源。
圖7係用以說明處理單元2所為之第二基板處理例之示意性的圖。圖8係用以說明處理單元2所為之第三基板處理例之示意性的圖。第二基板處理例及第三基板處理例與圖4等所示的第一基板處理例的差異點在於：在第二清洗步驟S6結束之前對第一噴嘴9供給IPA。除此之外，第二基板處理例及第三基板處理例並無與第一基板處理例有差異。
在圖7所示的第二基板處理例中，控制裝置3係在第二清洗步驟S6的執行中(與第二清洗步驟S6並行地)將第二有機溶劑閥36開啟並將第一有機溶劑閥35開啟。藉此，來自有機溶劑供給源的IPA係朝第一噴嘴9供給。然而，在從第一噴出口8噴出IPA之前的時序，控制裝置3係將第二水閥57關閉。藉此，不會從第一噴出口8噴出IPA。亦即，在第二清洗步驟S6的執行中，不從第一噴出口8噴出IPA，且有機溶劑下游側部分40的內部及第一噴嘴9的噴嘴配管的內部係被IPA填充。
之後，當第二清洗步驟S6結束且變成開始有機溶劑步驟S7之時序時，控制裝置3係將第一有機溶劑閥35開啟，藉此從有機溶劑供給源再次開始朝第一噴嘴9供給IPA，並從第一噴出口8噴出IPA。
依據該第二基板處理例，能在第二清洗步驟S6結束後立即從第一噴出口8噴出IPA。亦即，能在第二清洗步驟S6結束後立即開始有機溶劑步驟S7。藉此，與第一基板處理例相比，能縮短阻劑去除處理整體的處理時間。
與圖7所示的第二基板處理例不同，在圖8所示的第三 基板處理例中，控制裝置3係在第二清洗步驟S6的執行中(與第二清洗步驟S6並行地)從第一噴出口8噴出IPA。
具體而言，控制裝置3係在第二清洗步驟S6的執行中將第二有機溶劑閥36開啟並將第一有機溶劑閥35開啟。藉此，來自有機溶劑供給源的IPA係朝第一噴嘴9供給，並從第一噴出口8噴出。亦即，控制裝置3係在第二清洗步驟S6結束前開始有機溶劑步驟S7。
在第三基板處理例中，與來自第二噴出口10的碳酸水的噴出流量相比，來自第一噴出口8的IPA的噴出流量為小流量(例如約1/10)。因此，幾乎不會對針對基板W的清洗處理造成不良影響。與第二基板處理例同樣地，在第三基板處理例中，由於從第二清洗步驟S6結束後直至有機溶劑步驟S7開始為止不存在休止區間(interval)，因此與第一基板處理例相比，能縮短阻劑去除處理整體的處理時間。
以上雖已說明本發明的實施形態之一，但本發明亦能進一步以其他的形態來實施。
例如雖然已說明在第一基板處理例至第三基板處理例的第一水吸引步驟T2及第二水吸引步驟T4中進行碳酸水的吸引直至碳酸水的前端面後退至吸引配管49或水下游側部分50，但是吸引後的碳酸水的前端面亦可位於有機溶劑配管34的內部。
在第一基板處理例至第三基板處理例中，亦可以與除電步驟S2不同的時序進行第一水置換步驟T1。此外，亦可以與第一清洗步驟S4不同的時序進行第二水置換步驟T3。亦 可在除電步驟S2結束後進行第一水吸引步驟T2。亦可以與洗淨藥液步驟S5不同的時序進行第二水吸引步驟T4。
此外，在第一基板處理例至第三基板處理例中，作為水置換步驟，執行在硫酸含有液步驟S3之前所執行的第一水置換步驟T1以及在硫酸含有液步驟S3之後且在有機溶劑步驟S7之前所執行的第二水置換步驟T3。然而，水置換步驟只要在有機溶劑步驟S7執行前及/或執行後以及/或者硫酸含有液步驟S3執行前及/或執行後中至少執行一次以上即可。
此外，在第一基板處理例至第三基板處理例中，亦可在洗淨藥液步驟S5的執行之前或者在洗淨藥液步驟S5的執行之後進行用以將過氧化氫水(H2O2)供給至基板W的上表面(表面)之過氧化氫水供給步驟。
此外，在前述實施形態中，雖然將SPM例示作為第一藥劑流體的一例所使用的硫酸含有液，但除此之外亦可使用硫酸或SOM(Sulfuric acid Ozone Mixture；硫酸臭氧混合物)作為硫酸含有液。
在前述實施形態中，已說明使用下述類型的處理罩16作為處理罩：在內部不進行氛圍與處理液的氣液分離，而是使用外部的氣液分離器(氣液分離器97)進行氛圍與處理液的氣液分離。然而，亦可使用可在內部進行氛圍與處理液的氣液分離之類型的處理罩作為處理罩。
該類型的處理罩係包含有：一個或複數個罩，係配置成圍繞自轉夾具5；以及排液配管，係連接至各個罩。此外， 在具有該類型的處理罩之處理腔室4中，於隔壁18的側壁下部或隔壁18的底部開口有排氣口，且該排氣口的內部係被連接至該排氣口的排氣導管吸引，藉此將處理腔室4的下部空間的氛圍排氣。
此外，在前述實施形態中，設置用以將複數種類的處理液(硫酸含有液、洗淨藥液以及水)予以排液之共通的排液槽(排液槽80)，並因應該排液(處理液)的種類在複數個硫酸含有液用分歧配管82、洗淨藥液用分歧配管83以及水用分歧配管84間切換來自排液槽80的排液(處理液)的流通目的地。
然而，亦可在處理罩16中以一對一對應的方式於各種類的處理液設置有排液槽。亦即，亦可個別地設置有硫酸含有液的排液槽、洗淨藥液用的排液槽以及水用的排液槽。在此情形中，無須在複數個排液分歧配管之間切換排液(處理液)的流通目的地。
此外，在前述實施形態中，雖已例示IPA作為第二藥劑流體的一例所使用的有機溶劑的一例，但除此之外亦可例示甲醇、乙醇、HFE(hydrofluoroether；氫氟醚)、丙酮等作為有機溶劑。此外，有機溶劑並未限定於僅由單體成分所構成的情形，有機溶劑亦可為與其他成分混合的液體。例如，亦可為IPA與丙酮的混合液，或亦可為IPA與甲醇的混合液。
在前述實施形態中，雖然例示SPM等硫酸含有液及IPA等有機溶劑的組合作為接觸而伴隨著危險之藥液的組合，但除此之外亦可例示王水及硫酸的組合等作為接觸而伴隨 著危險之組合。
此外，本發明亦可廣泛地應用於前述之酸與鹼的組合般之藉由接觸生成生成物(例如鹽)之組合，亦即亦可廣泛地應用於不適合接觸的藥劑流體的組合。
在前述說明中，雖然已說明第一藥劑流體(含有藥劑成分的流體)為液體(亦即含有藥劑成分的液體)，但亦可採用氣體(亦即含有藥劑成分的氣體)作為第一藥劑流體。
此外，雖然已說明第二藥劑流體為液體，亦可採用氣體作為第二藥劑流體。此外，雖然已例示碳酸水作為用以置換藥劑流體配管(有機溶劑配管34)的內部之水，但該水並未限定於碳酸水，亦可為去離子水(DIW；deionized water)、電解離子水、氫水、臭氧水以及稀釋濃度(例如10ppm至100ppmm左右)的鹽酸水的任一者。
雖然已詳細地說明本發明的實施形態，但這些實施形態僅為用以明瞭本發明的技術性內容之具體例，本發明不應被解釋成侷限於這些具體例，本發明的範圍僅被申請專利範圍所界定。
本申請案係與2016年5月25日於日本特許廳所提出的特願2016-104600號對應，該申請案的全部揭示係被引用並寫入於本申請案中。

Claims (19)

  1. 一種基板處理裝置，係包含有：處理腔室；基板保持單元，係配置於前述處理腔室內，用以保持基板；第一噴嘴，係具有用以朝被前述基板保持單元所保持的基板的主面噴出流體之噴出口；第一藥劑流體供給單元，係連接至前述第一噴嘴，且內部具有連通至前述噴出口之藥劑流體配管，用以經由前述藥劑流體配管對前述第一噴嘴供給第一藥劑流體；第一水供給單元，係具有分歧連接至前述藥劑流體配管的水配管，用以經由前述水配管對前述藥劑流體配管供給水；第二藥劑流體供給單元，係具有用以對被前述基板保持單元所保持的基板的主面供給第二藥劑流體的第二噴嘴，該第二藥劑流體為與前述第一藥劑流體不同種類的流體；以及控制裝置，係控制前述第一藥劑流體供給單元、前述第二藥劑流體供給單元以及前述第一水供給單元；前述控制裝置係執行：第一處理步驟，係將前述第一藥劑流體供給至前述藥劑流體配管，藉此從前述第一噴嘴朝被前述基板保持單元所保持的基板的主面噴出前述第一藥劑流體， 並對被前述基板保持單元所保持的基板施予使用了前述第一藥劑流體的處理；第二處理步驟，係在已將前述第一噴嘴配置於基板上方的狀態下，將前述第二藥劑流體從前述第二噴嘴供給至被前述基板保持單元所保持的基板的主面，並對被前述基板保持單元所保持的基板施予使用了前述第二藥劑流體的處理；以及第一水置換步驟，係在前述第一處理步驟的執行後且前述第二處理步驟的執行前，將來自前述第一水供給單元的水供給至前述藥劑流體配管，並以水置換前述藥劑流體配管的內部。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有對向構件，該對向構件係具有與被前述基板保持單元所保持之基板的主面相對向之基板對向面；前述第一噴嘴的前述噴出口係設置於前述基板對向面。
  3. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中進一步包含有：吸引單元，係用以吸引前述藥劑流體配管的內部；前述控制裝置係進一步控制前述吸引單元；前述控制裝置係在前述第一水置換步驟結束後進一步執行用以吸引前述藥劑流體配管的內部之第一吸引步驟。
  4. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述控制裝置係進一步執行以下步驟：第三處理步驟，係將前述第一藥劑流體供給至前述藥劑流體配管，藉此從前述第一噴嘴朝被前述基板保持單元所保持的基板的主面噴出前述第一藥劑流體，而對被前述基板保持單元所保持的基板施予使用了前述第一藥劑流體之處理；以及第二水置換步驟，係在前述第二處理步驟之後且在前述第三處理步驟之前，將來自前述第一水供給單元的水供給至前述藥劑流體配管，並以水置換前述藥劑流體配管的內部。
  5. 如請求項4所記載之基板處理裝置，其中前述控制裝置係在前述第三處理步驟之前，進一步執行用以對被前述基板保持單元所保持的基板的主面供給水之第一水供給步驟，俾在前述第二處理步驟之後從被前述基板保持單元所保持的基板的主面以水沖洗前述第二藥劑流體；前述控制裝置係執行前述第二水置換步驟作為前述第一水供給步驟。
  6. 如請求項4所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：第三噴嘴，係與前述第一噴嘴為不同的噴嘴，用以朝被前述基板保持單元所保持的基板的主面噴出流體；以及 第二水供給單元，係用以對前述第三噴嘴供給水；前述控制裝置係進一步控制前述第二水供給單元；前述控制裝置係在前述第二處理步驟結束後開始前述第三處理步驟，並在前述第二處理步驟之後且在前述第三處理步驟開始之前執行第二水供給步驟，該第二水供給步驟係對前述第三噴嘴供給水，藉此從前述第三噴嘴朝被前述基板保持單元所保持的基板的主面開始噴出水；前述控制裝置係在前述第二水供給步驟結束之前開始朝前述第三處理步驟中的前述藥劑流體配管供給前述第一藥劑流體。
  7. 如請求項6所記載之基板處理裝置，其中前述控制裝置係在前述第二水供給步驟結束之前開始前述第三處理步驟。
  8. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述控制裝置係進一步在前述第一處理步驟中之來自前述第一噴嘴的前述第一藥劑流體的噴出結束後執行用以吸引前述藥劑流體配管的內部之第二吸引步驟。
  9. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述水係包含有碳酸水。
  10. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述第一藥劑流體係包含有有機溶劑； 前述第二藥劑流體係包含有硫酸含有液。
  11. 一種基板處理方法，係包含有：基板保持步驟，係在處理腔室內藉由基板保持單元保持基板；第一處理步驟，係經由連接至第一噴嘴的藥劑流體配管將第一藥劑流體供給至前述第一噴嘴，藉此從前述第一噴嘴朝被前述基板保持單元所保持的基板的主面噴出前述第一藥劑流體，並對被前述基板保持單元所保持的基板施予使用了前述第一藥劑流體的處理；第二處理步驟，係在已將前述第一噴嘴配置於被前述基板保持單元所保持的基板上方的狀態下，將與前述第一藥劑流體不同種類的流體之第二藥劑流體從第二噴嘴供給至被前述基板保持單元所保持的基板的主面，並對被前述基板保持單元所保持的基板施予使用了前述第二藥劑流體的處理；以及第一水置換步驟，係在前述第一處理步驟執行後且前述第二處理步驟執行前，經由分歧連接至前述藥劑流體配管的水配管將水供給至前述藥劑流體配管，並以水置換前述藥劑流體配管的內部；在前述第二處理步驟中，前述藥劑流體配管的內部係被置換成水之後的狀態。
  12. 如請求項11所記載之基板處理方法，其中進一步包含有在前述第一水置換步驟結束後用以吸引前述藥劑流體配管的內部之第一吸引步驟。
  13. 如請求項11或12所記載之基板處理方法，其中進一步包含有：第三處理步驟，係將前述第一藥劑流體供給至前述藥劑流體配管，藉此從前述第一噴嘴朝被前述基板保持單元所保持的基板的主面噴出前述第一藥劑流體，並對被前述基板保持單元所保持的基板施予使用了前述第一藥劑流體之處理；以及第二水置換步驟，係在前述第二處理步驟之後且在前述第一處理步驟之前所執行，將水供給至前述藥劑流體配管，並以水置換前述藥劑流體配管的內部。
  14. 如請求項13所記載之基板處理方法，其中進一步包含有在前述第三處理步驟之前用以對被前述基板保持單元所保持的基板的主面供給水之第一水供給步驟，俾在前述第二處理步驟之後從被前述基板保持單元所保持的基板的主面以水沖洗前述第二藥劑流體；前述第一水供給步驟係包含有前述第二水置換步驟。
  15. 如請求項13所記載之基板處理方法，其中前述第三處理步驟係包含有在前述第二處理步驟結束後開始之步驟； 前述基板處理方法係進一步包含有第二水供給步驟，該第二水供給步驟係在前述第二處理步驟之後且在前述第三處理步驟之前對與前述第一噴嘴不同的噴嘴之第三噴嘴供給水，藉此從前述第三噴嘴朝被前述基板保持單元所保持的基板的主面噴出水；前述第三處理步驟係在前述第二水供給步驟結束之前開始執行朝前述藥劑流體配管供給前述第一藥劑流體。
  16. 如請求項15所記載之基板處理方法，其中與前述第二水供給步驟並行地執行前述第三處理步驟。
  17. 如請求項11或12所記載之基板處理方法，其中進一步包含第二吸引步驟，該第二吸引步驟係用以在前述第一處理步驟中之來自前述第一噴嘴的前述第一藥劑流體的噴出結束後吸引前述藥劑流體配管的內部。
  18. 如請求項11或12所記載之基板處理方法，其中前述水係包含有碳酸水。
  19. 如請求項11或12所記載之基板處理方法，其中前述第一藥劑流體係包含有有機溶劑；前述第二藥劑流體係包含有硫酸含有液。
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