CN109155247A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

基板处理装置及基板处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109155247A
CN109155247A CN201780026979.1A CN201780026979A CN109155247A CN 109155247 A CN109155247 A CN 109155247A CN 201780026979 A CN201780026979 A CN 201780026979A CN 109155247 A CN109155247 A CN 109155247A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
water
processing
fluid
medicament fluid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201780026979.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109155247B (zh
Inventor
林昌之
远藤亨
河原启之
岩田敬次
根来世
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Publication of CN109155247A publication Critical patent/CN109155247A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109155247B publication Critical patent/CN109155247B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

基板处理装置包括：处理腔室；基板保持单元，配置在所述处理腔室内，用于保持基板；第一喷嘴，具有用于朝被所述基板保持单元保持的基板的主面喷出流体的喷出口。在基板处理装置中执行：第一处理步骤，将第一药剂流体从所述第一喷嘴朝所述基板的主面喷出，对所述基板实施使用了所述第一药剂流体的处理；第二处理步骤，将第二药剂流体供给至所述基板的主面，对所述基板实施使用了所述第二药剂流体的处理；以及水置换步骤，在所述第一处理步骤执行前及/或执行后，以及/或者，在所述第二处理步骤的执行前及/或执行后，将来自所述第一水供给单元的水供给至所述药剂流体配管，并以水置换所述药剂流体配管的内部。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种用于使用第一药剂流体及第二药剂流体处理基板的基板处理装置及基板处理方法。作为所述基板的例子，包括半导体晶片、液晶显示设备用基板、等离子体显示器用基板、FED(Field Emission Dispyay：场发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模(photomask)用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等。
背景技术
在半导体装置或液晶显示设备的制造步骤中，为了对半导体晶片或液晶显示面板用玻璃基板等基板的表面利用药液实施处理，而使用单张式的基板处理装置，该单张式的基板处理装置用于逐片处理基板。单张式的基板处理装置具备：旋转卡盘(spin chuck)，在被间隔壁划分成的处理腔室(processing chamber)的内部将基板大致保持成水平并使基板旋转；第一药液喷嘴，对被旋转卡盘保持的基板的上表面供给第一药液；以及第二药液喷嘴，对被旋转卡盘保持的基板的上表面供给第二药液。第一药液喷嘴具有喷出口，且在第一药液喷嘴连接有药液配管，该药液配管用于将来自药液供给源的药液供给至第一药液喷嘴。
在此种基板处理装置中，会有第一药液与第二药液是接触而伴随着危险的组合(即，不适合接触的组合)的情形。在一个处理腔室进行使用了此种不适合接触的组合的药液的处理的情形中，提出执行联锁(interlock)处理，即，以不会在处理腔室的内部接触的方式，在供给一种药液时禁止另一种药液用的阀的新开启，或者在基板的旋转速度的检测值变成转速范围外时禁止药液用的阀的开启(参照例如专利文献1、2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第4917469号公报；
专利文献2：日本特许第4917470号公报。
发明内容
发明所要解决的课题
然而，当在使用了第二药剂流体(第二药液)的处理中，在旋转卡盘的周边配置有第一喷嘴时，含有第二药剂流体的环境气体经由喷出口会进入至药剂流体配管(药液配管)。含有第二药剂流体的环境气体进入至药剂流体配管的内部会成为第一药剂流体与第二药剂流体接触的原因。
因此，本发明的目的在于提供一种基板处理装置及基板处理方法，即使使用在基板处理的多种药剂流体的组合为不适合接触的组合，也能防止在药剂流体配管的内部中发生这些药剂流体的接触，并能在一个处理腔室中完成使用了该多种药剂流体的处理。
用于解决课题的手段
本发明是提供一种基板处理装置，包括：处理腔室；基板保持单元，配置在所述处理腔室内，用于保持基板；第一喷嘴，具有用于朝被所述基板保持单元保持的基板的主面喷出流体的喷出口；第一药剂流体供给单元，具有连接至所述第一喷嘴且内部连通至所述喷出口的药剂流体配管；用于对所述药剂流体配管供给第一药剂流体；第一水供给单元，用于对所述药剂流体配管供给水；第二药剂流体供给单元，用于对被所述基板保持单元保持的基板的主面供给第二药剂流体，该第二药剂流体为与所述第一药剂流体不同种类的流体；以及控制装置，控制所述第一药剂流体供给单元、所述第二药剂流体供给单元以及所述第一水供给单元；所述控制装置执行：第一处理步骤，将所述第一药剂流体供给至所述药剂流体配管，由此从所述第一喷嘴朝所述基板的主面喷出所述第一药剂流体，并对所述基板实施使用了所述第一药剂流体的处理；第二处理步骤，将所述第二药剂流体供给至所述基板的主面，并对所述基板实施使用了所述第二药剂流体的处理；以及水置换步骤，在所述第一处理步骤的执行前及/或执行后，以及/或者，在所述第二处理步骤的执行前及/或执行后，将来自所述第一水供给单元的水供给至所述药剂流体配管，并以所述水置换所述药剂流体配管的内部。
依据此构成，在共通的处理腔室内执行使用第一药剂流体的第一处理步骤以及使用第二药剂流体的第二药液供给步骤。在第一处理步骤中，将第一药剂流体供给至药剂流体配管，由此从第一喷嘴朝基板的主面喷出第一药剂流体。
此外，在第一处理步骤的执行前及/或执行后，以及/或者，在所述第二处理步骤的执行前及/或执行后，执行用于以水置换药剂流体配管的内部的水置换步骤。
有在第一处理步骤结束后及/或第二处理步骤开始前在药剂流体配管的内部残留有第一药剂流体的情形。在此情形中，在第一处理步骤结束后及/或第二处理步骤开始前以水置换药剂流体配管的内部，由此能从药剂流体配管去除第一药剂流体。因此，在第二处理步骤开始时不会在药剂流体配管的内部残留第一药剂流体。因此，即使在该第二处理步骤中第二药剂流体进入至药剂流体配管内，该第二药剂流体也不会与第一药剂流体接触。由此，能防止药剂流体配管的内部中的第一药剂流体与第二药剂流体接触。
此外，有在第一处理步骤开始前及/或第二处理步骤结束后在药剂流体配管的内部附着有第二药剂流体的情形。在此情形中，在第一处理步骤开始前及/或第二处理步骤结束后以水置换药剂流体配管的内部，由此能从药剂流体配管去除第二药剂流体。因此，在第一处理步骤开始时不会在药剂流体配管的内部残留第二药剂流体。因此，即使在该第一处理步骤中第一药剂流体被供给至药剂流体配管内，该第一药剂流体也不会与第二药剂流体接触。由此，能防止药剂流体配管的内部中的第一药剂流体与第二药剂流体接触。
如上所述，本发明能提供一种基板处理装置，即使使用在基板处理的多种药剂流体(第一药剂流体及第二药剂流体)的组合为不适合接触的组合，也能防止在药剂流体配管的内部中发生这些药剂流体的接触，并能在一个处理腔室中完成使用了该多种药剂流体的处理。
此外，在本说明书中，所谓“不适合接触的组合”不只是指“接触而伴随着危险的组合”，也包含了“通过接触生成生成物的组合」的含意。在「通过接触生成生成物的组合”也包含了酸与碱的组合。
在本发明的一个实施方式中，还具备：相向构件，具有与被所述基板保持单元保持的基板的主面相向的基板相向面；所述第一喷嘴的所述喷出口在所述基板相向面开口。
依据此构成，设置有与基板的主面相相向的相向构件，且第一喷嘴的喷出口在相向构件的基板相向面开口。因此，在第二处理步骤中，随着第二药剂流体供给至基板的主面而使第二药剂流体从喷出口进入至药剂流体配管的内部。含有第二药剂流体的环境气体进入至药剂流体配管的内部会成为第一药剂流体与第二药剂流体接触的原因。
然而，在第一处理步骤执行前及/或执行后，以及/或者，所述第二处理步骤执行前及/或执行后，以水置换药剂流体配管的内部。因此，即使在设置有与基板的主面相向的相向构件且第一喷嘴的喷出口在该相向构件的基板相向面呈开口的情形中，也能防止药剂流体配管的内部中的第一药剂流体与第二药剂流体接触。
此外，所述基板处理装置也可进一步包括：吸引单元，用于吸引所述药剂流体配管的内部。所述控制装置还可控制所述吸引单元，并在所述水置换步骤结束后还执行用于吸引所述药剂流体配管的内部的第一吸引步骤。
依据此构成，在水置换步骤结束后吸引药剂流体配管的内部。通过该吸引来从药剂流体配管的内部去除水，在吸引后不会在药剂流体配管的内部残存水，或者残存在药剂流体配管的内部的水的量少。由此，能抑制或防止在水置换步骤结束后水从第一喷嘴落液，因此能抑制或防止基板的主面的颗粒(particle)污染。
所述控制装置也可在所述第二处理步骤结束后开始所述第一处理步骤。所述控制装置也可执行在所述第二处理步骤之前所执行的第一水置换步骤作为所述水置换步骤。
依据此构成，在第二处理步骤之前执行第一水置换步骤。在第二处理步骤开始前在前次处理所使用的第一药剂流体会残存在药剂流体配管的内部。然而，在第二处理步骤之前以水置换药剂流体配管的内部，由此在第二处理步骤开始时不会在药剂流体配管的内部残留第一药剂流体。因此，即使在该第二处理步骤中第二药剂流体进入至药剂流体配管内，也不会在药剂流体配管的内部与第一药剂流体接触。由此，能防止在第二处理步骤中在药剂流体配管的内部的第一药剂流体与第二药剂流体接触。
此外，所述控制装置也可在所述第二处理步骤结束后开始所述第一处理步骤。所述控制装置也可执行在所述第二处理步骤之后且在所述第一处理步骤之前所执行的第二水置换步骤作为所述水置换步骤。
依据此构成，在第二处理步骤之后且在第一处理步骤之前执行第二水置换步骤。在第二处理步骤结束后且在第一处理步骤开始前，在第二处理步骤所使用的第二药剂流体会进入至药剂流体配管内并残存在该药剂流体配管的内部。然而，在第一处理步骤之前以水置换药剂流体配管的内部，由此在第一处理步骤开始时不会在药剂流体配管的内部残留第二药剂流体。因此，即使在该第一处理步骤中对药剂流体配管供给第一药剂流体，也不会与第二药剂流体接触。由此，能防止在第一处理步骤中在药剂流体配管的内部的第一药剂流体与第二药剂流体接触。
此外，所述控制装置也可在所述第一处理步骤之前还执行用于对所述基板的主面供给水的第一水供给步骤，以在所述第二处理步骤之后从所述基板的主面以水冲洗所述第二药剂流体。所述控制装置也可在所述第一水供给步骤中执行所述第二水置换步骤。
依据此构成，与用于在第二处理步骤之后从基板的主面以水冲洗第二药剂流体的第一水供给步骤并行地执行用于以水置换药剂流体配管的内部的第二水置换步骤。由此，与在第二水置换步骤后的的时机进行第一水供给步骤的情形相比，能缩短整体的处理时间。
此外，所述基板处理装置也可进一步具备有：第二喷嘴，是与所述第一喷嘴不同的喷嘴，用于朝被所述基板保持单元保持的基板的主面喷出流体；以及第二水供给单元，用于对所述第二喷嘴供给水。所述控制装置也可进一步控制所述第二水供给单元。所述控制装置也可在所述第二处理步骤结束后开始所述第一处理步骤，并在所述第二处理步骤之后且在所述第一处理步骤开始之前执行第二水供给步骤，在该第二水供给步骤中，对所述第二喷嘴供给水，由此从所述第二喷嘴朝所述基板的主面开始喷出水。所述控制装置也可在所述第二水供给步骤结束之前开始所述第一处理步骤中的朝所述药剂流体配管供给所述第一药剂流体。
依据此构成，能在第二水供给结束后立即从喷出口喷出第一药剂流体。即，能在第二水供给步骤结束后立即开始第一处理步骤。由此，能缩短整体的处理时间。
此外，所述控制装置也可在所述第二水供给步骤结束之前开始所述第一处理步骤。
依据此构成，能从第二水供给步骤结束前从喷出口喷出第一药剂流体。由此，能进一步缩短整体的处理时间。
此外，所述控制装置也可进一步在所述一处理步骤中的来自所述第一喷嘴的第一药剂流体的喷出结束后执行用于吸引所述药剂流体配管的内部的第二吸引步骤。
此外，所述清洗液也可包括碳酸水。
此外，所述第一药剂流体也可包括硫酸含有液，所述第二药剂流体也可包括有机溶剂。
本发明是提供一种基板处理方法，包括：基板保持步骤，在处理腔室内保持基板；第一处理步骤，将第一药剂流体供给至连接至第一喷嘴的药剂流体配管，由此从所述第一喷嘴朝所述基板的主面喷出所述第一药剂流体，并对所述基板实施使用了所述第一药剂流体的处理；第二处理步骤，将与所述第一药剂流体不同种类的流体即第二药剂流体供给至所述基板的主面，并对所述基板实施使用了所述第二药剂流体的处理；以及水置换步骤，在所述第一处理步骤执行前及/或执行后，以及/或者，在所述第二处理步骤执行前及/或执行后，将来自所述第一水供给单元的水供给至所述药剂流体配管，并以所述水置换所述药剂流体配管的内部。
依据此方法，在共通的处理腔室内执行使用第一药剂流体的第一处理步骤以及使用第二药剂流体的第二药液供给步骤。在第一处理步骤中，将第一药剂流体供给至药剂流体配管，由此从第一喷嘴朝基板的主面喷出第一药剂流体。
此外，在第一处理步骤的执行前及/或执行后，以及/或者，在所述第二处理步骤的执行前及/或执行后，执行用于以水置换药剂流体配管的内部的水置换步骤。
有在第一处理步骤结束后及/或第二处理步骤开始前在药剂流体配管的内部残留有第一药剂流体的情形。在此情形中，在第一处理步骤结束后及/或第二处理步骤开始前以水置换药剂流体配管的内部，由此能从药剂流体配管去除第一药剂流体。因此，在第二处理步骤开始时不会在药剂流体配管的内部残留第一药剂流体。因此，即使在该第二处理步骤中第二药剂流体进入至药剂流体配管内，该第二药剂流体也不会与第一药剂流体接触。由此，能防止药剂流体配管的内部中的第一药剂流体与第二药剂流体接触。
此外，有在第一处理步骤开始前及/或第二处理步骤结束后在药剂流体配管的内部附着有第二药剂流体的情形。在此情形中，在第一处理步骤开始前及/或第二处理步骤结束后以水置换药剂流体配管的内部，由此能从药剂流体配管去除第二药剂流体。因此，在第一处理步骤开始时不会在药剂流体配管的内部残留第二药剂流体。因此，即使在该第一处理步骤中第一药剂流体被供给至药剂流体配管内，该第一药剂流体也不会与第二药剂流体接触。由此，能防止药剂流体配管的内部中的第一药剂流体与第二药剂流体接触。
如上所述，本发明能提供一种基板处理装置，即使使用在基板处理的多种药剂流体(第一药剂流体及第二药剂流体)的组合为不适合接触的组合，也能防止在药剂流体配管的内部中发生这些药剂流体的接触，并能在一个处理腔室中完成使用了该多种药剂流体的处理。
此外，在本说明书中，所谓“不适合接触的组合”不只是指“接触而伴随着危险的组合”，也包含了“通过接触生成生成物的组合”的含意。在“通过接触生成生成物的组合”也包含了酸与碱的组合。
在本发明的一个实施方式中，所述基板处理方法是还包括在所述水置换步骤结束后用于吸引所述药剂流体配管的内部的第一吸引步骤。
依据此方法，在水置换步骤结束后吸引药剂流体配管的内部。通过该吸引从药剂流体配管的内部去除水，在吸引后不会在药剂流体配管的内部残存水，或者残存在药剂流体配管的内部的水的量少。由此，能抑制或防止在水置换步骤结束后水从第一喷嘴落液，因此能抑制或防止基板的主面的颗粒污染。
此外，所述第一处理步骤也可包括在所述第二处理步骤结束后开始的步骤。所述水置换步骤也可包括在所述第二处理步骤之前所执行的第一水置换步骤。
依据此方法，在第二处理步骤之前执行第一水置换步骤。在第二处理步骤开始前在前次处理所使用的第一药剂流体会残存在药剂流体配管的内部。然而，在第二处理步骤之前以水置换药剂流体配管的内部，由此在第二处理步骤开始时不会在药剂流体配管的内部残留第一药剂流体。因此，即使在该第二处理步骤中第二药剂流体进入至药剂流体配管内，也不会在药剂流体配管的内部与第一药剂流体接触。由此，能防止在第二处理步骤中在药剂流体配管的内部的第一药剂流体与第二药剂流体接触。
此外，所述第一处理步骤也可包括在所述第二处理步骤结束后开始的步骤。所述水置换步骤也可包括在所述第二处理步骤之后且在所述第一处理步骤之前所执行的第二水置换步骤。
依据此方法，在第二处理步骤之后且在第一处理步骤之前执行第二水置换步骤。在第二处理步骤结束后且在第一处理步骤开始前，在第二处理步骤所使用的第二药剂流体会进入至药剂流体配管内并残存在该药剂流体配管的内部。然而，在第一处理步骤之前以水置换药剂流体配管的内部，由此在第一处理步骤开始时不会在药剂流体配管的内部残留第二药剂流体。因此，即使在该第一处理步骤中对药剂流体配管供给第一药剂流体，也不会与第二药剂流体接触。由此，能防止在第一处理步骤中在药剂流体配管的内部的第一药剂流体与第二药剂流体接触。
此外，所述基板处理方法也可在所述第一处理步骤之前还包括用于对所述基板的主面供给水的第一水供给步骤，以在所述第二处理步骤之后从所述基板的主面以水冲洗掉所述第二药剂流体。所述第一水供给步骤也可包括所述第二水置换步骤。
依据此方法，与用于在第二处理步骤之后从基板的主面以水冲洗掉第二药剂流体的第一水供给步骤并行地执行用于以水置换药剂流体配管的内部的第二水置换步骤。由此，与在第二水置换步骤后的时机进行第一水供给步骤的情形相比，能缩短整体的处理时间。
此外，所述第一处理步骤也可包括在所述第二处理步骤结束后开始的步骤。所述基板处理方法也可在所述第二处理步骤之后且在所述第一处理步骤开始之前还包括第二水供给步骤，在该第二水供给步骤中，从与所述第一喷嘴不同的喷嘴的第二喷嘴朝所述基板的主面喷出水。所述第一处理步骤也可在所述第二水供给步骤结束之前开始执行朝所述药剂流体配管供给所述第一药剂流体。
依据此方法，能在第二水供给步骤结束后立即从喷出口喷出第一药剂流体。即，能在第二水供给步骤结束后立即开始第一处理步骤。由此，能缩短整体的处理时间。
此外，所述基板处理方法也可在所述第二处理步骤之后还包括用于从所述第二喷嘴将水供给至所述基板的主面的第二水供给步骤。所述基板处理方法也可与所述第二水供给步骤并行地执行所述第一处理步骤。
依据此方法，能从第二水供给步骤结束前从喷出口喷出第一药剂流体。由此，能进一步缩短整体的处理时间。
此外，所述基板处理方法也可进一步在所述一处理步骤中的来自所述第一喷嘴的第一药剂流体的喷出结束后执行用于吸引所述药剂流体配管的内部的第二吸引步骤。
此外，所述清洗液也可包括碳酸水。
此外，所述第一药剂流体也可包括硫酸含有液，所述第二药剂流体也可包括有机溶剂。
本发明的上述目的、特征及效果以及其他的目的、特征及效果能通过参照附图以及下述的实施方式的说明而明了。
附图说明
图1是用于说明本发明的一个实施方式的基板处理装置的内部的布局的示意性的俯视图。
图2A是用于说明所述基板处理装置所具备的处理单元的结构例的示意性的剖视图。
图2B是用于具体地说明所述处理单元所含有的相向构件的周边的结构的图。
图2C是将所述处理单元的下部的结构例放大显示的示意性的剖视图。
图3是用于说明所述基板处理装置的主要部分的电气结构的框图。
图4是用于说明所述处理单元的第一基板处理例的流程图。
图5A至图5B是用于说明所述第一基板处理例的示意性的图。
图5C至图5D是用于说明接续图5B的步骤的示意性的图。
图5E至图5F是用于说明接续图5D的步骤的示意性的图。
图5G至图5H是用于说明接续图5F的步骤的示意性的图。
图6是用于说明所述第一基板处理例的主要的步骤中的第一液体检测传感器及第二液体检测传感器的监视状况的示意性的图。
图7是用于说明所述第一基板处理例的硬连锁的示意性的图。
图8是用于说明所述处理单元的第二基板处理例的示意性的图。
图9是用于说明所述处理单元的第三基板处理例的示意性的图。
具体实施方式
图1是用于说明本发明的第一实施方式的基板处理装置1的内部的布局的示意性的俯视图。基板处理装置1是用于逐片处理硅晶片等基板W的单张式的装置。在本实施方式中，基板W为圆板状的基板。基板处理装置1包括：多个处理单元2，以处理液处理基板W；装载埠(load port)LP，用于载置承载器(carrier)C，该承载器C用于收容在处理单元2处理的多张基板W；搬运机械手IR及搬运机械手CR，用于在装载端口LP与处理单元2之间搬运基板W；以及控制装置3，控制基板处理装置1。搬运机械手IR在承载器C与基板搬运机械手CR之间搬运基板W。基板搬运机械手CR在搬运机械手IR与处理单元2之间搬运基板W。多个处理单元2例如具有同样的结构。
图2A用于说明处理单元2的结构例的示意性的剖视图。
处理单元2包括：箱形的处理腔室4；旋转卡盘(基板保持单元)5，在处理腔室4内将一张基板W保持为水平的姿势，并使基板W绕着通过基板W的中心的铅垂的旋转轴线A1旋转；以及相向构件7，具有基板相向面6，该基板相向面6与被旋转卡盘5所保持的基板W的上表面(主面)相向。相向构件7包括：第一喷嘴9，具有第一喷出口(喷出口)8，该第一喷出口8用于朝被旋转卡盘5保持的基板W的上表面的中央部喷出流体；第二喷嘴11，具有第二喷出口10，该第二喷出口10用于朝被旋转卡盘5所保持的基板W的上表面的中央部喷出流体；有机溶剂供给单元(第一药剂流体供给单元)12，用于将作为第一药剂流体的液体的有机溶剂(具有低表面张力的有机溶剂)的一例的异丙醇(isopropyl alcohol；IPA)供给至第一喷嘴9；冲洗(rinse)用水供给单元(第二水供给单元)13，用于将作为冲洗液的水(例如碳酸水)供给至第二喷嘴11；硫酸含有液供给单元(第二药剂流体供给单元)14，用于将作为第二药剂流体的硫酸含有液的一例的硫酸过氧化氢混合液(sulfuric acid/hydrogen peroxidemixture；SPM)供给至被旋转卡盘5所保持的基板W的上表面；清洗药液供给单元15，用于将清洗药液的一例的SC1(包括NH4OH以及H2O2的液体)供给至被旋转卡盘5所保持的基板W的上表面；以及筒状的处理杯(processing cup)16，包围旋转卡盘5。
处理腔室4包括：箱状的间隔壁18，收容旋转卡盘5和喷嘴；以及作为送风单元的FFU(fan filter unit；风机过滤单元)19，用于将清洁空气(通过过滤器所过滤的空气)从间隔壁18的上部输送至间隔壁18内。
FFU19配置在间隔壁18的上方，并安装至间隔壁18的顶板。FFU19从间隔壁18的顶板将清洁空气朝下地输送至处理腔室4内。此外，在处理杯16的底部连接有排气排液配管81，排气排液配管81用于将处理腔室4内的气体导出至设置有基板处理装置1的工厂所设置的排气处理设备。因此，在处理腔室4内朝下方流动的下降流(down flow)通过FFU19以及排气排液配管81所形成。基板W的处理在处理腔室4内形成有下降流的状态下进行。
作为旋转卡盘5，采用用于在水平方向夹着基板W并水平地保持基板W的夹持式的卡盘。具体而言，旋转卡盘5包括：旋转马达(spin motor)22；下旋转轴23，与该旋转马达22的驱动轴一体化；以及圆板状的旋转基座(spin base)24，大致水平地安装至下旋转轴23的上端。
在旋转基座24的上表面的周缘部配置有多个(三个以上，例如六个)夹持构件25。多个夹持构件25在旋转基座24的上表面周缘部中，在与基板W的外周形状对应的圆周上隔着适当的间隔配置。
此外，作为旋转卡盘5，并未限定在夹持式的旋转卡盘，例如也可采用真空吸附式的旋转卡盘(真空卡盘)，该真空吸附式的旋转卡盘对基板W的背面真空吸附，由此以水平的姿势保持基板W，并在此状态下进一步使基板W绕着铅垂的旋转轴线旋转，由此使被旋转卡盘5保持的基板W旋转。
图2B用于具体地说明处理单元2所含有的相向构件7的周边的结构的图。
如图2A及图2B所示，相向构件7包括阻隔板26以及同轴地设置在阻隔板26的上旋转轴27。阻隔板26为具有与基板W大致相同直径或者其以上的直径的圆板状。基板相向面6形成阻隔板26的下表面，且为与基板W的整个上表面相向的圆形。
在基板相向面6的中央部形成有圆筒状的贯通孔28，该贯通孔28上下地贯通阻隔板26以及上旋转轴27。贯通孔28的内周壁被圆筒面划分。在贯通孔28的内部插通有第一喷嘴9以及第二喷嘴11。第一喷嘴9及第二喷嘴11分别沿着上旋转轴27的旋转轴线A2(与旋转轴线A1同轴)在上下方向延伸。
具体而言，在贯通孔28的内部插通有中心轴喷嘴29，该中心轴喷嘴29沿着阻隔板26的旋转轴线A2上下地延伸。如图2B所示，中心轴喷嘴29包括第一喷嘴9、第二喷嘴11以及包围第一喷嘴9与第二喷嘴11的筒状的罩壳(casing)30。在本实施方式中，第一喷嘴9及第二喷嘴11分别为内管)。第一喷出口8形成在第一喷嘴9的下端。第二喷出口10形成在第二喷嘴11的下端。罩壳30沿着旋转轴线A2在上下方向延伸。罩壳30以非接触状态插入至贯通孔28的内部。因此，阻隔板26的内周在径向隔着间隔包围罩壳30的外周。
如图2A所示，在上旋转轴27结合有阻隔板旋转单元31。阻隔板旋转单元31使上旋转轴27与阻隔板26一起绕着旋转轴线A2旋转。在阻隔板26结合有包含电动马达、滚珠螺杆等的结构的阻隔板升降单元32。阻隔板升降单元32使阻隔板26与中心轴喷嘴29一起在铅垂方向升降。阻隔板升降单元32使阻隔板26及中心轴喷嘴29在接近位置(参照图5A等)与设置在接近位置的上方的退避位置(参照图2A或图5G等)之间升降，该接近位置是阻隔板26的基板相向面6接近被旋转卡盘5保持的基板W的上表面的位置。阻隔板升降单元32可在接近位置与退避位置之间的各位置保持阻隔板26。
此外，设置有阻隔板接近位置传感器33(在图2A至图2C中未图示)，该阻隔板接近位置传感器33与阻隔板26关连，用于检测阻隔板26朝向接近位置的配置。
如图2B所示，有机溶剂供给单元12包括：有机溶剂配管(药剂流体配管)34，连接至第一喷嘴9，且内部连通至第一喷出口8；第一有机溶剂阀35，安装在有机溶剂配管34，并将有机溶剂予以开闭；第二有机溶剂阀36，安装在比第一有机溶剂阀35靠下游侧的有机溶剂配管34，并将有机溶剂予以开闭；以及阀关闭传感器37，检测第一有机溶剂阀35是否处在关闭状态。
如图2B所示，在有机溶剂配管34上，在设定在第一有机溶剂阀35与第二有机溶剂阀36之间的第一分支位置38连接有第一水配管39。在以下的说明中，将有机溶剂配管34中的比第一分支位置38靠下游侧的下游侧部分40称为“有机溶剂下游侧部分40”。将有机溶剂配管34中的比第一分支位置38靠上游侧的上游侧部分41称为“有机溶剂上游侧部分41”。在本实施方式中，第一分支位置38设定在接近有机溶剂配管34的上端的位置。因此，在有机溶剂未存在于有机溶剂下游侧部分40的状态下，第一有机溶剂阀35开启后直至有机溶剂到达至第二喷嘴11(第二喷出口10)的时间变长(例如约3秒)。
当第一有机溶剂阀35被开启时，来自有机溶剂供给源的有机溶剂被供给至第二有机溶剂阀36。当在此状态下第二有机溶剂阀36被开启时，供给至第二有机溶剂阀36的有机溶剂从第一喷出口8朝基板W的上表面中央部喷出。
如图2B所示，在有机溶剂下游侧部分40中，在比第二有机溶剂阀36的安装位置靠上游侧的预定的第一检测位置42配置有用于检测有机溶剂下游侧部分40的内部是否存在液体的第一液体检测传感器43。第一液体检测传感器43检测第一检测位置42处的有机溶剂配管34的内部是否存在液体，并将与检测结果相应的信号发送至控制装置3。在有机溶剂配管34的内部的液体的前端比第一检测位置42(位于第一喷嘴9侧)更靠前时，液体被第一液体检测传感器43检测出。在有机溶剂配管34的内部的液体的前端比第一检测位置42(位于有机溶剂供给源侧)靠后时，液体未被第一液体检测传感器43检测出。
如图2B所示，在有机溶剂下游侧部分40中，在比第二有机溶剂阀36的安装位置靠下游侧的预定的第二检测位置44配置有用于检测有机溶剂下游侧部分40的内部是否存在液体的第二液体检测传感器45。第二液体检测传感器45检测第二检测位置44处的有机溶剂配管34的内部是否存在液体，并将与检测结果相应的信号输送至控制装置3。在有机溶剂配管34的内部的液体的前端比第二检测位置44(位于第一喷嘴9侧)更靠前时，液体被第二液体检测传感器45检测出。在有机溶剂配管34的内部的液体的前端比第二检测位置44(位于有机溶剂供给源侧)更靠后时，液体未被第二液体检测传感器45检测出。
第一液体检测传感器43及第二液体检测传感器45分别为例如液体检测用的光纤传感器(例如日本KEYENCE CORPORATION制的FU95S)，并直接安装配置或接近配置在有机溶剂配管34的外周壁。第一液体检测传感器43及/或第二液体检测传感器45也可例如通过静电容量型的传感器构成。
如图2B所示，来自水供给源的水(例如碳酸水)供给至第一水配管39。在第一水配管39的中途部安装有用于将第一水配管39予以开闭的第一水阀46。当第一水阀46被开启时，从第一水配管39朝有机溶剂下游侧部分40供给。此外，当第一水阀46被关闭时，停止从第一水配管39朝有机溶剂下游侧部分40供给水。从第一水配管39朝有机溶剂配管34所供给的水例如为碳酸水。第一水配管39及第一水阀46包含在置换用水供给单元(第一水供给单元)47。
如图2B所示，在设定在第一水配管39的中途部(即第一分支位置38与第一水阀46之间)的第二分支位置48分支连接有吸引配管49。在以下的说明中，将第一水配管39中的比第二分支位置48靠下游侧的下游侧部分50称为“水下游侧部分50”。
如图2B所示，在吸引配管49的中途部安装有用于将吸引配管49予以开闭的吸引阀51。在吸引配管49的前端连接有吸引装置52。如图2A所示，吸引装置52例如包括真空产生器53以及用于使真空产生器53动作的驱动阀54。吸引装置52并未限定于通过产生真空而产生吸引力的吸引装置，例如也可为吸引器(aspirator)等。
如图2B所示，在吸引装置52(真空产生器53)的动作状态中，当在第一有机溶剂阀35及第一水阀46被关闭且第二有机溶剂阀36被开启的状态下，吸引阀51被开启时，吸引装置52的动作被有效化，有机溶剂下游侧部分40及水下游侧部分50的内部被排气，有机溶剂下游侧部分40及水下游侧部分50所含有的液体(水或有机溶剂)被吸入至吸引配管49。吸引装置52及吸引阀51包含在吸引单元55。
如图2B所示，冲洗用水供给单元13包括：第二水配管56，连接至第二喷嘴11，且内部连通至第二喷出口10；以及第二水阀57，将第二水配管56予以开闭，用于切换从第二水配管56朝第二喷嘴11供给水以及停止供给水。当第二水阀57被开启时，来自水供给源的水被供给至第二水配管56，并从第二喷出口10朝基板W的上表面中央部喷出。
如图2A所示，处理单元2进一步包括：非活性气体配管58，将非活性气体供给至罩壳30的外周与阻隔板26的内周之间的筒状的空间；以及非活性气体阀59，安装在非活性气体配管58。当非活性气体阀59被开启时，来自非活性气体供给源的非活性气体通过罩壳30的外周与阻隔板26的内周之间，并从阻隔板26的下表面中央部朝下方喷出。因此，当在阻隔板26配置在接近位置的状态下非活性气体阀59被开启时，从阻隔板26的下表面中央部喷出的非活性气体在基板W的上表面与阻隔板26的基板相向面6之间朝外侧(从旋转轴线A1离开的方向)扩展，且基板W与阻隔板26之间的空气被置换成非活性气体。在非活性气体配管58内流动的非活性气体例如为氮气。非活性气体并未限定于氮气，也可为氦气或氩气等其他的非活性气体。
如图2A所示，硫酸含有液供给单元14包括：硫酸含有液喷嘴60；硫酸含有液配管61，连接至硫酸含有液喷嘴60；硫酸含有液阀62，安装在硫酸含有液配管61；以及第一喷嘴移动单元63，使硫酸含有液喷嘴60移动。第一喷嘴移动单元63包括马达等。在第一喷嘴移动单元63结合有喷嘴退避传感器64，该喷嘴退避传感器64用于检测硫酸含有液喷嘴60是否位于退避位置。
在第一喷嘴移动单元63例如由步进马达构成的情形中，喷嘴退避传感器64能参照从用于控制该步进马达的马达控制部所输出的与硫酸含有液喷嘴60的移动量(臂部的摆动角度)相应的编码器信号，来检测硫酸含有液喷嘴60是否位于退避位置。
硫酸含有液喷嘴60例如为用于在连续流动的状态下喷出液体的直式喷嘴(straight nozzle)。在硫酸含有液配管61供给有来自硫酸含有液供给源的硫酸含有液。在本实施方式中，在硫酸含有液配管61供给有作为硫酸含有液的高温(例如约170℃至约200℃)的硫酸过氧化氢混合液(SPM)。通过硫酸与过氧化氢水的反应热而升温达至所述高温的SPM被供给至硫酸含有液配管61。
当硫酸含有液阀62被开启时，从硫酸含有液配管61供给至硫酸含有液喷嘴60的高温的SPM从硫酸含有液喷嘴60朝下方喷出。当硫酸含有液阀62被关闭时，停止从硫酸含有液喷嘴60喷出高温的SPM。第一喷嘴移动单元63使硫酸含有液喷嘴60在处理位置与退避位置之间移动，该处理位置是从硫酸含有液喷嘴60喷出的高温的SPM被供给至基板W的上表面的位置，该退避位置是在俯视下硫酸含有液喷嘴60已退避至旋转卡盘5的侧方的位置。
如图2A所示，清洗药液供给单元15包括：清洗药液喷嘴65；清洗药液配管66，连接至清洗药液喷嘴65；清洗药液阀67，安装在清洗药液配管66；以及第二喷嘴移动单元68，使清洗药液喷嘴65移动。清洗药液喷嘴65例如为用于在连续流动的状态下喷出液体的直式喷嘴。在清洗药液配管66供给有来自清洗药液供给源的清洗药液(例如SC1)。
当清洗药液阀67被开启时，从清洗药液配管66供给至清洗药液喷嘴65的SC1从清洗药液喷嘴65朝下方喷出。当清洗药液阀67被关闭时，停止从清洗药液喷嘴65喷出清洗药液。第二喷嘴移动单元68使清洗药液喷嘴65在处理位置与退避位置之间移动，该处理位置是从清洗药液喷嘴65喷出的SC1被供给至基板W的上表面的位置，该退避位置是在俯视下清洗药液喷嘴65已退避至旋转卡盘5的侧方的位置。再者，第二喷嘴移动单元68使清洗药液喷嘴65在中央位置与周缘位置之间水平地移动，该中央位置是从清洗药液喷嘴65喷出的清洗药液着落至基板W的上表面中央部的位置，该周缘位置是从清洗药液喷嘴65喷出的清洗药液着落至基板W的上表面周缘部的位置。中央位置及周缘位置皆为处理位置。
图2C是将处理单元2的下部的结构例放大显示的示意性的剖视图。
如图2A及图2C所示，处理杯16包括包围旋转卡盘5且用于接住飞散至基板W的周围的处理液(清洗药液及冲洗液)的第一挡板(guard)71及第二挡板72、以及用于使各个第一挡板71及第二挡板72独立地升降的挡板升降单元73。挡板升降单元73使各个第一挡板71及第二挡板72独立地升降。此外，挡板升降单元73例如为包括滚珠螺杆机构的结构。
处理杯16可以在上下方向重叠的方式收容，且通过挡板升降单元73使两个第一挡板71及第二挡板72中的至少一个升降而进行处理杯16的展开及收容。
内侧的第一挡板71包围旋转卡盘5的周围，且具有相对于旋转卡盘5使基板W旋转的旋转轴线A1大致旋转对称的形状。如图2C所示，第一挡板71一体地具备有：底部74，在俯视下呈圆环状；圆筒状的内壁部75，从该底部74内周缘朝上方立起；圆筒状的外壁部76，从底部74的外周缘朝上方立起；以及圆筒状的导引部77，在内周缘与外周缘之间从所对应的底部74的一部分朝上方立起。
导引部77包括：圆筒状的本体部78，从底部74立起；以及筒状的上端部79，从该本体部78的上端描绘出圆滑的圆弧，并朝中心侧(接近旋转轴线A1的方向)斜上方延伸。
内壁部75与导引部77之间划分形成第一排液槽80，该第一排液槽80用于收集已使用于基板W的处理的处理液(硫酸含有液、清洗药液以及水)并予以排液。在第一排液槽80的底部的最低的部位连接有从未图示的负压源延伸的排气排液配管81。由此，第一排液槽80的内部被强制性地排气，在第一排液槽80所收集的处理液以及第一排液槽80内的环境气体经由排气排液配管81排出。与环境气体一起排出的处理液通过安装在排气排液配管81的中途部的气液分离器97而从环境气体分离。在排气排液配管81经由气液分离器97分别连接有多个排液分支配管(硫酸含有液用分支配管82、清洗药液用分支配管83以及水用分支配管84)，在多个排液分支配管分别安装有排液分支阀85。在各个排液分支阀85分别包括用于检测该排液分支阀85是否处在关闭状态的第二阀关闭传感器95。
在后述的硫酸含有液步骤(图4的步骤S3)中，排液分支阀85中的仅硫酸含有液用分支配管82用的排液分支阀85被开启，流通在排气排液配管81的处理液被供给至硫酸含有液用分支配管82后，输送至用于将硫酸含有液予以排液处理的处理装置(未图标)。
此外，在后述的第一冲洗步骤及第二冲洗步骤(图4的步骤S4及步骤S6)中，排液分支阀85中的仅水用分支配管84用的排液分支阀85被开启，流通在排气排液配管81的处理液被供给至水用分支配管84后，输送至用于将水予以排液处理的处理装置(未图标)。
此外，在后述的清洗药液步骤(图4的步骤S5)中，排液分支阀85中的仅清洗药液用分支配管83用的排液分支阀85被开启，流通在排气排液配管81的处理液被供给至清洗药液用分支配管83后，输送至用于将清洗药液予以排液处理的处理装置(未图标)。
此外，导引部77与外壁部76之间作为用于收集并回收已使用于基板W的处理的有机溶剂的第二排液槽86。在第二排液槽86中，例如在底部连接有排气配管87的一端。由此，第二排液槽86的内部被强制性地排气，第二排液槽86内的环境气体经由排气配管87排出。
排气配管87的另一端连接至未图示的负压源。在排气配管87安装有用于将排气配管87予以开闭的排气阀101。在排气阀101设置有用于检测该排气阀101是否处在开启状态的阀开启传感器21。
外侧的第二挡板72具有相对于旋转轴线A1大致旋转对称的形状。第二挡板72在第一挡板71的导引部77的外侧包围旋转卡盘5的周围。在第二挡板72的上端部88形成有直径比被旋转卡盘5所保持的基板W大的开口89，第二挡板72的上端90成为用于划分形成开口89的开口端。
第二挡板72具有：下端部91，呈与导引部77同轴的圆筒状；筒状的上端部88，从下端部91的上端描绘出圆滑的圆弧，并朝中心侧(接近旋转轴线A1的方向)斜上方延伸；以及折返部92，将上端部88的前端部朝下方折返而形成。
下端部91位于第二排液槽86上，并形成为如下长度，即，在第一挡板71与第二挡板72最接近的状态下，收容在第二排液槽86。此外，上端部88以与第一挡板71的导引部77的上端部79在上下方向重叠的方式设置，并以在第一挡板71与第二挡板72最接近的状态下，与导引部77的上端部79保持非常微小的间隙而接近的方式形成。折返部92以第一挡板71与第二挡板72最接近的状态下与导引部77的上端部79在水平方向重叠的方式形成。
如图2A所示，挡板升降单元73在上位置与下位置之间使各个第一挡板71及第二挡板72升降，该上位置是挡板的上端部比基板W靠上方的位置，该下位置是挡板的上端部比基板W靠下方的位置。挡板升降单元73可在上位置与下位置之间的任意的位置保持各个第一挡板71及第二挡板72。朝基板W供给处理液以及基板W的干燥在第一挡板71及第二挡板72中的任一者与基板W的周端面相向的状态下进行。
如图5A等所示，在使内侧的第一挡板71与基板W的周端面相向的情形中，第一挡板71及第二挡板72皆配置在上位置。在此状态下，折返部92与导引部77的上端部79在水平方向重叠。
与第一挡板71关连地设置有：挡板上位置传感器93，用于检测第一挡板71朝向上位置的配置；以及挡板下位置传感器94，用于检测第一挡板71朝向上位置的配置。
另一方面，如图2A及图5G等所示，在使外侧的第二挡板72与基板W的周端面相向的情形中，第二挡板72配置在上位置，且第一挡板71配置在下位置。
图3是用于说明基板处理装置1的主要部分的电气结构的框图。
控制装置3例如使用微型计算机构成。控制装置3具备有CPU(Central ProcessingUnit；中央处理器)等运算单元、固态内存器件(solid-state memory device)、硬盘驱动器等存储单元以及输入输出单元。在存储单元存储有用于让运算单元执行的程序。
控制第二喷嘴移动单元63、68、阻隔板旋转单元31、阻隔板升降单元32以及挡板升降单元73等的动作。此外，控制装置3将第一有机溶剂阀35、第二有机溶剂阀36、第一水阀46、吸引阀51、驱动阀54、第二水阀57、非活性气体阀59、硫酸含有液阀62、清洗药液阀67、排液分支阀85等予以开闭。再者，向控制装置3输入有第一阀开启传感器21的检测输出、阻隔板接近位置传感器33的检测输出、阀关闭传感器37的检测输出、第一液体检测传感器43的检测输出、第二液体检测传感器45的检测输出、喷嘴退避传感器64的检测输出、挡板上位置传感器93的检测输出、挡板下位置传感器94的检测输出以及第二阀关闭传感器95的检测输出等。
图4是用于说明处理单元2的第一基板处理例的流程图。图5A至图5H是用于说明第一基板处理例的示意性的图。
以下，参照图2A至图4说明第一基板处理例。适当地参照图5A至图5H。第一基板处理例是用于去除已形成在基板W的上表面的抗蚀剂(resist)的抗蚀剂去除处理。如以下所述，第一基板处理例包括：硫酸含有液步骤S3，使用SPM等硫酸含有液来处理基板W；以及有机溶剂步骤S7，使用IPA等液体的有机溶剂来处理基板W。硫酸含有液与有机溶剂是接触而伴随着危险(在此情形中为急剧的反应)的药剂流体(药液或者含有药剂成分的气体)的组合。
在通过处理单元2对基板W实施抗蚀剂去除处理时，以高剂量进行离子注入处理后的基板W搬入至处理腔室4的内部(图4的步骤S1)。被搬入的基板W是未接受用于将抗蚀剂予以灰化(ashing)的处理的基板。此外，在基板W的表面形成有微细且高纵横比(aspectratio)的微细图案。
具体而言，控制装置3使相向构件7(即阻隔板26及中心轴喷嘴29)退避至退避位置，并使全部的移动喷嘴(也即硫酸含有液体喷嘴60及清洗药液喷嘴65)从旋转卡盘5的上方退避，且使第一挡板71及第二挡板72下降至下位置。结果，第一挡板71及第二挡板72的上端皆配置在比基板W的保持位置还下方的位置。在此状态下，使正保持着基板W的基板搬运机械手CR(参照图1)的手部H(参照图1)进入至处理腔室4的内部，由此基板W在基板W的表面(抗蚀剂形成面)朝向上方的状态下被交给至旋转卡盘5。之后，基板W被保持在旋转卡盘5(基板保持步骤)。
之后，控制装置3通过旋转马达22使基板W开始旋转。将基板W上升至预先设定的液体处理速度(在1rpm至500rpm的范围内，例如约100rpm)，并维持在该液体处理速度。此外，控制装置3控制挡板升降单元73，并使第一挡板71及第二挡板72分别上升至上位置，且使第一挡板71与基板W的周端面相向。
当基板W的旋转速度达到液体处理速度时，接着进行除电步骤(图4的步骤S2)，该除电步骤用于将碳酸水供给至基板W的上表面并将基板W予以除电。具体而言，控制装置3将第二水阀57开启。由此，如图5A所示，从第二喷嘴11的第二喷出口10朝基板W的上表面中央部喷出碳酸水。从第二喷嘴11喷出的碳酸水着落至基板W的上表面中央部，并受到基板W的旋转产生的离心力而在基板W的上表面上朝基板W的周缘部流动。
此外，在本实施方式中，除电步骤S2通过下述方式而实现：不仅从第二喷嘴11喷出碳酸水，也从第一喷嘴9的第一喷出口8喷出碳酸水。也即，除电步骤S2包括第一水置换步骤T1，该第一水置换步骤T1用于以碳酸水置换有机溶剂配管34的内部。具体而言，控制装置3与除电步骤S2的开始同步地，将第二有机溶剂阀36开启并将第一有机溶剂阀35及吸引阀51关闭，且将第一水阀46开启。由此，来自第一水配管39的碳酸水被供给至有机溶剂下游侧部分40。在有机溶剂下游侧部分40的内壁附着有在前次的抗蚀剂去除处理时所使用的IPA的液滴的情形中，该IPA的液滴被碳酸水置换。供给至有机溶剂下游侧部分40的碳酸水从第一喷嘴9喷出并着落至基板W的上表面中央部，并受到基板W的旋转产生的离心力而从基板W的上表面上朝基板W的周缘部流动。此外，在前次的抗蚀剂去除处理时所使用的IPA环境气体混入至有机溶剂下游侧部分40的管内的情形下，也通过碳酸水去除。
被供给至基板W的上表面的碳酸水从基板W的周缘部朝基板W的侧方飞散，并被第一挡板71的内壁接住。接着，在第一挡板71的内壁流动并流下的碳酸水被收集至第一排液槽80后，被导引至排气排液配管81。在除电步骤S2中，将水用分支配管84用的排液分支阀85开启且将硫酸含有液用分支配管82用的排液分支阀85及清洗药液用分支配管83用的排液分支阀85关闭，由此通过排气排液配管81的液体的流通目的地被设定为水用分支配管84。因此，在除电步骤S2中，导引至排气排液配管81的碳酸水通过水用分支配管84，并被导引至用于将碳酸水予以排液处理的处理装置(未图标)。在前次的抗蚀剂去除处理时使用的IPA的液滴附着在第一挡板71的内壁、第一排液槽80以及/或者排气排液配管81的管壁的情形下，该IPA的液滴被碳酸水冲洗掉。
通过朝基板W的上表面供给碳酸水，在基板W的上表面形成有碳酸水的液膜。碳酸水的液膜与基板W的上表面接触，由此对被保持在旋转卡盘5的基板W进行除电。在本实施方式中，由在除电步骤S2包括第一水置换步骤T1，因此在与以与除电步骤S2不同的时机进行第一水置换步骤T1的情形相比，能缩短抗蚀剂去除处理整体的处理时间。
接着，当从碳酸水开始喷出经过预定时间时，如图5B所示，控制装置3一边将第二水阀57维持在开启的状态一边将第一水阀46关闭，且一边维持从第二喷嘴11喷出碳酸水一边使第一喷嘴9停止喷出碳酸水。
停止从第一喷嘴9喷出碳酸水后，执行用于吸引有机溶剂配管34内的碳酸水的第一水吸引步骤T2(第一吸引步骤)。该第一水吸引步骤T2用于通过吸引单元55吸引在第一水置换步骤T1后存在于有机溶剂配管34的内部的碳酸水。
具体而言，控制装置3在第一水置换步骤T1结束后，将第二有机溶剂阀36开启且将第一有机溶剂阀35及第一水阀46关闭，并将吸引阀51开启。由此，如图5B所示，有机溶剂下游侧部分40及水下游侧部分50的内部被排气，且存在于有机溶剂下游侧部分40及水下游侧部分50的碳酸水被吸入(吸引)至吸引配管49。碳酸水的吸引进行至碳酸水的前端面后退至配管内的预定的待机位置(例如设定在吸引配管49或水下游侧部分50)为止。当碳酸水的前端面后退至待机位置时，控制装置3将吸引阀51关闭。由此，结束第一水置换步骤T1。
在第一水置换步骤T1结束后执行第一水吸引步骤T2，由此在第一水吸引步骤T2执行后不会在有机溶剂配管34的内部存在碳酸水。由此，能抑制或防止第一水置换步骤T1结束后碳酸水从第一喷嘴9落液。
当从碳酸水开始喷出起经过预定时间时，控制装置3将第一水阀46关闭，停止从第二喷嘴11喷出碳酸水。由此，结束除电步骤S2。
此外，在本实施方式中，由在并行地进行第一水吸引步骤T2与除电步骤S2的一部分(从第二喷嘴9喷出碳酸水)，因此与除电步骤S2结束后另外进行第一水吸引步骤T2的情形相比，能缩短抗蚀剂去除处理整体的处理时间。
接着，控制装置3进行硫酸含有液步骤(第二处理步骤，图4的步骤S3)，该硫酸含有液步骤将高温的SPM供给至基板W的上表面。在硫酸含有液步骤S3中，控制装置3将来自硫酸含有液喷嘴60的高温的SPM供给至基板W的上表面中央部，以从基板W的表面剥离抗蚀剂。
具体而言，在硫酸含有液步骤S3中，控制装置3控制第一喷嘴移动单元63，由此使硫酸含有液喷嘴60从退避位置移动至中央位置。由此，硫酸含有液喷嘴60配置在基板W的中央部的上方。之后，控制装置3将硫酸含有液阀62开启。由此，高温(例如约170℃至约200℃)的SPM从硫酸含有液配管61供给至硫酸含有液喷嘴60，并从该硫酸含有液喷嘴60的喷出口喷出高温的SPM。从硫酸含有液喷嘴60喷出的高温的SPM着落至基板W的上表面的中央部，并受到基板W的旋转产生的离心力，沿着基板W的上表面朝外侧流动。由此，如图5C所示，基板W的整个上表面被SPM的液膜覆盖。通过高温的SPM，抗蚀剂从基板W的表面剥离并从该基板W的表面去除。
供给至基板W的上表面的SPM从基板W的周缘部朝基板W的侧方飞散，并被第一挡板71的内壁接住。接着，在第一挡板71的内壁流动并流下的SPM被收集至第一排液槽80后，被导引至排气排液配管81。在硫酸含有液步骤S3中，将硫酸含有液用分支配管82用的排液分支阀85开启，且将清洗药液用分支配管83用的排液分支阀85及水用分支配管84用的排液分支阀85关闭，由此通过排气排液配管81的液体的流通目的地被设定为硫酸含有液用分支配管82。因此，在除电步骤S2中，被导引至排气排液配管81的SPM通过硫酸含有液用分支配管82，并被导引至用于将硫酸含有液予以排液处理的处理装置(未图示)。因此，在硫酸含有液步骤S3后，在第一挡板71的内壁、第一排液槽80以及/或者排气排液配管81的管壁附着有SPM的液滴。
在硫酸含有液步骤S3中，通过朝基板W供给高温的SPM，在基板W的上表面的周围产生大量的SPM的雾气(nozzle)。在硫酸含有液步骤S3中，虽然阻隔板26及中心轴喷嘴29位于退避位置(例如阻隔板26的基板相向面6从旋转基座24的上表面向上方隔着充分的间隔(例如约150mm)，但由于在硫酸含有液步骤S3中所使用的SPM为非常高温(例如约170℃至约200℃)，因此在硫酸含有液步骤S3中产生大量的SPM的雾气，结果，该SPM的雾气从第一喷出口8进入至有机溶剂配管34的内部，并进入至有机溶剂配管34的内部(达到深处)。
在此情形中，当在前次的抗蚀剂去除处理中所使用的IPA残存于有机溶剂配管34的内部时(也包括IPA的液滴附着至有机溶剂配管34的内部)，在硫酸含有液步骤S3中，有进入至有机溶剂配管34内的SPM的雾气在有机溶剂配管34的内部与IPA接触的担心。当SPM的雾气在有机溶剂配管34的内部中与IPA接触时，会产生颗粒而使有机溶剂配管34的内部成为颗粒产生源。
然而，在本实施方式中，由于在硫酸含有液步骤S3之前执行第一水置换步骤T1，因此在硫酸含有液步骤S3开始时，不会在有机溶剂配管34的内部残留IPA。因此，在硫酸含有液步骤S3中，即使SPM的雾气进入至有机溶剂配管34内，也不会在有机溶剂配管34的内部与IPA接触。因此，能防止在硫酸含有液步骤S3中IPA与SPM接触，由此能抑制或防止有机溶剂配管34的内部成为颗粒产生源。
在硫酸含有液步骤S3中，当从开始喷出高温的SPM起经过预先设定的期间时，结束硫酸含有液步骤S3。具体而言，控制装置3将硫酸含有液阀62关闭，使硫酸含有液喷嘴60停止喷出高温的SPM后，控制第一喷嘴移动单元63，使硫酸含有液喷嘴60退避至退避位置。
接着，进行用于将作为冲洗液的碳酸水供给至基板W的上表面的第一冲洗步骤(图4的步骤S4)。具体而言，控制装置3将第二水阀57开启。由此，如图5D所示，从第二喷嘴11的第二喷出口10朝基板W的上表面中央部喷出碳酸水。从第二喷嘴11喷出的碳酸水着落至基板W的上表面中央部，并受到基板W的旋转产生的离心力，在基板W的上表面上朝基板W的周缘部流动。
此外，在本实施方式中，第一冲洗步骤S4通过下述方式而实现：不仅从第二喷嘴11喷出碳酸水，也从第一喷嘴9的第一喷出口8喷出碳酸水。即，第一冲洗步骤S4包括第二水置换步骤T3，该第二水置换步骤T3与从第二喷嘴11喷出碳酸水并行地以碳酸水置换有机溶剂配管34的内部。具体而言，控制装置3与第一冲洗步骤S4的开始同步地将第二有机溶剂阀36开启且将第一有机溶剂阀35及吸引阀51关闭，并将第一水阀46开启。由此，来自第一水配管39的碳酸水被供给至有机溶剂下游侧部分40，附着至有机溶剂下游侧部分40的内壁的SPM的液滴被碳酸水置换。供给至有机溶剂下游侧部分40的碳酸水从第一喷嘴9喷出并着落至基板W的上表面中央部，受到基板W的旋转产生的离心力，在基板W的上表面上朝基板W的周缘部流动。
供给至基板W的上表面的碳酸水从基板W的周缘部朝基板W的侧方飞散，并被第一挡板71的内壁接住。接着，在第一挡板71的内壁流动并流下的碳酸水被收集至第一排液槽80后，被导引至排气排液配管81。在第一冲洗步骤S4中，将水用分支配管84用的排液分支阀85开启，且将硫酸含有液用分支配管82用的排液分支阀85及清洗药液用分支配管83用的排液分支阀85关闭，由此通过排气排液配管81的液体的流通目的地被设定为水用分支配管84。因此，被导引至排气排液配管81的碳酸水通过水用分支配管84导引至用于将水予以排液处理的处理装置(未图示)。在硫酸含有液步骤S3中所使用的SPM的液滴附着在第一挡板71的内壁、第一排液槽80以及排气排液配管81的管壁的情形中，该SPM的液滴被碳酸水冲洗掉。
通过供给至基板W的上表面的碳酸水将基板W上的SPM朝外侧推动并排出至基板W的周围，且基板W上的SPM的液膜被置换成用于覆盖基板W的整个上表面的碳酸水的液膜。即，通过作为冲洗液的碳酸水从基板W的上表面冲洗掉SPM。接着，当从开始喷出碳酸水起经过预定时间时，控制装置3分别将第一水阀46及第二水阀57关闭，停止从第一喷嘴9及第二喷嘴11喷出碳酸水。由此，结束第一冲洗步骤。
此外，在本实施方式中，由于第一冲洗步骤S4包括第二水置换步骤T3，因此与在以与第一冲洗步骤S4不同的时机进行第一水置换步骤T1的情形相比，能缩短抗蚀剂去除处理整体的处理时间。
此外，在第一冲洗步骤S4中，无须同步地使第一喷嘴9停止喷出碳酸水与使第二喷嘴11停止喷出碳酸水，也可在第二喷嘴11停止喷出碳酸水之前先使第一喷嘴9停止喷出碳酸水。
第一喷嘴9及第二喷嘴11停止喷出碳酸水后，控制装置3进行用于将SC1供给至基板W的上表面的清洗药液步骤(第一处理步骤，图4的步骤S5)。在清洗药液步骤S5中，控制装置3将来自清洗药液喷嘴65的SC1供给至基板W的上表面，以从基板W的表面去除在硫酸含有液步骤S3后存在于基板W的表面的抗蚀剂残渣。
具体而言，在清洗药液步骤S5中，控制装置3控制第二喷嘴移动单元68，由此使清洗药液喷嘴65从退避位置移动至处理位置。之后，控制装置3将清洗药液阀67开启。由此，如图5E所示，从清洗药液配管66朝清洗药液喷嘴65供给SC1，并从清洗药液喷嘴65的喷出口喷出SC1。此外，控制装置3与从清洗药液喷嘴65喷出SC1并行地控制第二喷嘴移动单元68，使清洗药液喷嘴65在中央位置与周缘位置之间往复移动(半扫描(half scan))。由此，能使来自清洗药液喷嘴65的SC1的着落位置在基板W的上表面中央部与基板W的上表面周缘部之间往复移动，由此能使SC1的着落位置扫描基板W的整个上表面。通过对基板W的上表面供给SC1，能从基板W的表面去除抗蚀剂残渣。
供给至基板W的上表面的SC1从基板W的周缘部朝基板W的侧方飞散，并被第一挡板71的内壁接住。接着，在第一挡板71的内壁流动并流下的SC1被收集至第一排液槽80后，被导引至排气排液配管81。在清洗药液步骤S5中，将清洗药液用分支配管83用的排液分支阀85开启，且将硫酸含有液用分支配管82用的排液分支阀85及水用分支配管84用的排液分支阀85关闭，由此通过排气排液配管81的液体的流通目的地被设定为清洗药液用分支配管83。因此，被导引至排气排液配管81的SC1通过清洗药液用分支配管83并被导引至用于将清洗药液予以排液处理的处理装置(未图示)。
此外，与清洗药液步骤S5并行地进行用于吸引有机溶剂配管34内的碳酸水的第二水吸引步骤T4(第一吸引步骤)。该第二水吸引步骤T4用于通过吸引单元55吸引在有机溶剂步骤S7后存在于有机溶剂配管34的内部的碳酸水。
具体而言，控制装置3在第二水置换步骤T3结束后，将第二有机溶剂阀36开启且将第一有机溶剂阀35及第一水阀46关闭，并将吸引阀51开启。由此，如图5E所示，有机溶剂下游侧部分40及水下游侧部分50的内部被排气，且存在于有机溶剂下游侧部分40及水下游侧部分50的碳酸水被吸入(吸引)至吸引配管49。碳酸水的吸引被进行直至碳酸水的前端面后退至配管内的预定的待机位置(例如设定在吸引配管49或水下游侧部分50)为止。当碳酸水的前端面后退至待机位置时，控制装置3将吸引阀51关闭。由此，结束第二水吸引步骤T4。
在第二水置换步骤T3结束后执行第二水吸引步骤T4，由此在第二水吸引步骤T4的执行后不会在有机溶剂配管34的内部存在碳酸水。由此，能抑制或防止第二水置换步骤T3结束后碳酸水从第一喷嘴9落液。
此外，在本实施方式中，由于与清洗药液步骤S5并行地执行第二水吸引步骤T4，因此与在以与清洗药液步骤S5不同的时机进行第二水置换步骤T4的情形相比，能缩短抗蚀剂去除处理整体的处理时间。
当从SC1开始喷出起经过预先设定的期间时，结束清洗药液步骤S5。具体而言，控制装置3将清洗药液阀67关闭，使清洗药液喷嘴65停止喷出SC1后，控制第二喷嘴移动单元68，使清洗药液喷嘴65退避至退避位置。
接着，进行用于将作为冲洗液的碳酸水供给至基板W的上表面的第二冲洗步骤(图4的步骤S6)。具体而言，控制装置3将第二水阀57开启。由此，如图5F所示，从第二喷嘴11的第二喷出口10朝基板W的上表面中央部喷出碳酸水。从第二喷嘴11喷出的碳酸水着落至基板W的上表面中央部，受到基板W的旋转所产生的离心力，从基板W的上表面上朝基板W的周缘部流动。
供给至基板W的上表面的碳酸水从基板W的周缘部朝基板W的侧方飞散，并被第一挡板71的内壁接住。接着，在第一挡板71的内壁流动并流下的碳酸水被收集至第一排液槽80后，被导引至排气排液配管81。在第二冲洗步骤S6中，将水用分支配管84用的排液分支阀85开启，且将硫酸含有液用分支配管82用的排液分支阀85及清洗药液用分支配管83用的排液分支阀85关闭，由此通过排气排液配管81的液体的流通目的地被设定为水用分支配管84。因此，在第二冲洗步骤S6中，被导引至排气排液配管81的碳酸水通过水用分支配管84，并被导引至用于将水予以排液处理的处理装置(未图示)。
基板W上的SC1被供给至基板W的上表面的碳酸水朝外侧推动并被排出至基板W的周围，且基板W上的SC1的液膜被置换成用于覆盖基板W的整个上表面的碳酸水的液膜。即，SC1被作为冲洗液的碳酸水从基板W的上表面冲洗掉。接着，当第二水阀57被开启经过预定时间时，控制装置3将第二水阀57关闭，使第二喷嘴11停止喷出碳酸水。由此，结束第二冲洗步骤S6。
接着，进行用于将作为有机溶剂的IPA供给至基板W的上表面的有机溶剂步骤(图4的步骤S7)。具体而言，控制装置3控制阻隔板升降单元32，将阻隔板26配置在接近位置。在阻隔板26位于接近位置时，阻隔板26将基板W的上表面与基板W的周围的空间阻隔。
此外，控制装置3控制挡板升降单元73，在将第一挡板71配置在下位置的状态下将第二挡板72配置在上位置，使第二挡板72与基板W的周端面相向。此外，控制装置3将基板W的旋转减速至预定的浸液(paddle)速度。所谓浸液速度指，以浸液速度使基板W旋转时作用在基板W的上表面的液体的离心力比在冲洗液与基板W的上表面之间作用的表面张力还小或者所述离心力与所述表面张力大致相抗衡的速度。
接着，控制装置3将第二有机溶剂阀36开启且将第一水阀46及吸引阀51关闭，并将第一有机溶剂阀35开启。由此，如图5G所示，来自有机溶剂供给源的IPA被供给至第二喷嘴11，IPA从第二喷嘴11喷出并着落至基板W的上表面。
在硫酸含有液步骤S3中进入至有机溶剂配管34内的SPM的雾气通过凝结而液化并形成SPM的液滴。当在有机溶剂步骤S7开始前在有机溶剂配管34的内部存在SPM的液滴时，有在有机溶剂步骤S7中被供给至有机溶剂配管34的IPA在有机溶剂配管34的内部与SPM接触的可能。当IPA在有机溶剂配管34的内部与SPM的液滴接触时会产生颗粒，有机溶剂配管34的内部成为颗粒产生源。
然而，在本实施方式中，由于在有机溶剂步骤S7之前执行第二水置换步骤T3，因此在有机溶剂步骤S7开始时不会在有机溶剂配管34的内部残留SPM的液滴。因此，即使在该有机溶剂步骤S7中对有机溶剂配管34供给IPA，也不会在有机溶剂配管34的内部与SPM接触。因此，能有效地抑制或防止随着IPA与SPM之间的接触产生颗粒，由此能抑制或防止有机溶剂配管34的内部成为颗粒产生源。
在有机溶剂步骤S7中，通过从第一喷嘴9喷出IPA，基板W的上表面的液膜所含有的碳酸水依次被置换成IPA。由此，用于覆盖基板W的整个上表面的IPA的液膜在基板W的上表面保持成浸液状。在基板W的整个上表面的液膜大致被置换成IPA的液膜后，也持续进行朝基板W的上表面供给IPA。因此，从基板W的周缘部排出IPA。
从基板W的周缘部排出的IPA被第二挡板72的内壁接住。接着，在第二挡板72的内壁流动并流下的IPA被收集至第二排液槽86后，并被导引至排气配管87。因此，在有机溶剂步骤S7后，在第二挡板72的内壁、第二排液槽86以及排气配管87的管壁附着有IPA的液滴。
当从IPA开始喷出起经过预先设定的期间时，控制装置3将第一有机溶剂阀35关闭，使第一喷嘴9停止喷出IPA。由此，结束有机溶剂步骤S7。
接着，进行用于使基板W干燥的旋转干燥(spin-drying)步骤(图4的步骤S8)。具体而言，控制装置3控制阻隔板升降单元32，将阻隔板26配置在接近位置。此外，在此状态下，控制装置3控制旋转马达22，由此如图5H所示，使基板W加速到达比从硫酸含有液步骤S3至有机溶剂步骤S7为止的各个步骤中的旋转速度还大的干燥旋转速度(例如数千rpm)，并以该干燥旋转速度使基板W旋转。由此，大的离心力施加至基板W上的液体，附着至基板W的液体被甩离至基板W的周围。如此，从基板W去除液体，使基板W干燥。此外，控制装置3控制阻隔板旋转单元31，使阻隔板26在基板W的旋转方向高速地旋转。
此外，与离心力脱水法步骤S8并行地执行用于吸引有机溶剂配管34内的有机溶剂的有机溶剂吸引步骤T5(第二吸引步骤)。该有机溶剂吸引步骤T5用于通过吸引单元55吸引在有机溶剂步骤S7后存在于有机溶剂配管34的内部的有机溶剂。
具体而言，控制装置3在有机溶剂步骤S7结束后，将第二有机溶剂阀36开启且将第一有机溶剂阀35及第一水阀46关闭，并将吸引阀51开启。由此，有机溶剂下游侧部分40及水下游侧部分50的内部被排气，且如图5H所示，存在于有机溶剂下游侧部分40及水下游侧部分50的IPA被吸入(吸引)至吸引配管49。IPA的吸引进行直至IPA的前端面后退至配管内的预定的待机位置(例如设定在吸引配管49或水下游侧部分50)为止。当IPA的前端面后退至待机位置时，控制装置3将吸引阀51关闭。
当从基板W的加速起经过预定时间时，控制装置3控制旋转马达22使旋转卡盘5停止旋转基板W，且控制阻隔板旋转单元31使阻隔板26停止旋转。
之后，从处理腔室4内搬出基板W(图4的步骤S9)。具体而言，控制装置3使阻隔板26配置在退避位置且将第二挡板72下降至下位置，并将第一挡板71及第二挡板72配置在比基板W的保持位置更下方的位置。之后，控制装置3使基板搬运机械手CR的手部H进入至处理腔室4的内部。接着，控制装置3使基板搬运机械手CR的手部保持旋转卡盘5上的基板W，并使基板搬运机械手CR的手部H从处理腔室4内退避。由此，从处理腔室4搬出已从表面去除抗蚀剂的基板W。
此外，如图4中的双点划线所示，在有机溶剂吸引步骤T5开始之前执行用于将有机溶剂配管34置换成新的IPA的有机溶剂预分配(pre-dispense)(图4的步骤S10)。在有机溶剂吸引步骤T5开始前，有机溶剂配管34的IPA的前端面位于有机溶剂上流侧部分41内。此时，有机溶剂配管34内(有机溶剂上游侧部分41内)的IPA会随时间变化(温度变化或成分变化)。
在进行有机溶剂预分配的情形中，控制装置3将第二有机溶剂阀36及第一水阀46关闭，并将第一有机溶剂阀35及吸引阀51开启，来自有机溶剂供给源的IPA通过有机溶剂上游侧部分41及水下游侧部分50吸入(吸引)至吸引配管49。由此，存在于有机溶剂上游侧部分41的随时间变化的IPA被置换成新鲜的IPA。当从第一有机溶剂阀35开启起经过预先设定的期间时，控制装置3将第一有机溶剂阀35及吸引阀51关闭。
图6用于说明第一基板处理例的主要的步骤中的第一液体检测传感器43及第二液体检测传感器45的监视状况的示意性的图。
如图6所示，在有机溶剂步骤S7(有机溶剂喷出期间)中，控制装置3不参照配置在比第二有机溶剂阀36靠上游侧的第一液体检测传感器43的检测输出以及配置在比第二有机溶剂阀36靠下游侧的第二液体检测传感器45的检测输出的双方。换言之，在有机溶剂步骤S7中，控制装置3无视第一检测位置42及第二检测位置44双方中是否存在液体。
如图6所示，在有机溶剂吸引步骤T5中，控制装置3参照配置在比第二有机溶剂阀36靠上游侧的第一液体检测传感器43的检测输出以及配置在比第二有机溶剂阀36靠下游侧的第二液体检测传感器45的检测输出的双方。换言之，控制装置3监视第一检测位置42及第二检测位置44双方中是否存在液体。在有机溶剂吸引步骤T5中，在依据第一液体检测传感器43及第二液体检测传感器45双方的检测输出检测到第一检测位置42及第二检测位置44双方中未存在液体(也即IPA)的情形中，控制装置3检测到IPA的吸引已结束。
此外，在第一基板处理例中，控制装置3不仅在有机溶剂吸引步骤T5中，在其他的吸引步骤(例如第一水吸引步骤T2或第二水吸引步骤T4)中也监视第一检测位置42及第二检测位置44双方中是否存在液体。
此外，在有机溶剂预分配步骤S10中，控制装置3仅参照配置在比第二有机溶剂阀36靠上游侧的第二液体检测传感器45的检测输出，且不参照配置在比第二有机溶剂阀36靠下游侧的第一液体检测传感器43的检测输出。换言之，控制装置3虽然监视第二检测位置44中是否存在液体，但无视第一检测位置42中是否存在液体。虽然第二有机溶剂阀36已被控制成关闭状态，但在第二液体检测传感器45检测到第二检测位置44中存在液体(即IPA)的情形中，如图6所示，控制装置3能检测从第二有机溶剂阀36漏出有机溶溶剂(即IPA)的流出错误。
此外，在第一基板处理例中，除了特别提到的各个步骤，控制装置3仅参照配置在比第二有机溶剂阀36靠下游侧的第二液体检测传感器45的检测输出，并不参照配置在比第二有机溶剂阀36靠上游侧的第一液体检测传感器43的检测输出。换言之，控制装置3虽然监视第二检测位置44中是否存在液体，但无视第一检测位置42中是否存在液体。虽然第二有机溶剂阀36被控制成关闭状态，但在第二液体检测传感器45检测到第二检测位置44中存在液体(即IPA)的情形中，如图6所示，控制装置3能检测从第二有机溶剂阀36漏出有机溶剂(即IPA)的流出错误。
图7是用于说明第一基板处理例中的硬联锁的图。
该硬联锁处理在根据保存在控制装置3的存储器中的规程(recipe)进行一连串的基板处理的过程中，在各个步骤的开始时被执行。
在硫酸含有液步骤S3开始时，分别调查是否存在(3)、(5)、(6)的情形：(3)挡板下位置传感器94的检测输出是否为导通(ON)，也即第一挡板71是否配置在下位置；(5)第一液体检测传感器43及第二液体检测传感器45的检测输出是否为关断(OFF)，也即IPA的前端面是否后退至吸引配管49或水下游侧部分50；(6)阀关闭传感器37的检测输出是否为导通，也即第一有机溶剂阀35是否处在闭状态。在全部满足这些(3)、(5)、(6)的条件的情形中，控制装置3容许硫酸含有液阀62的开启动作。也即，在(3)、(5)、(6)的条件中的一个条件未满足的情形中，控制装置3禁止硫酸含有液阀62的开启动作。通过此种硬联锁，能确实地防止从第一喷嘴9开始喷出IPA时在处理腔室4内中IPA与SPM产生接触。
此外，在有机溶剂步骤S7开始时，分别调查是否存在(1)、(2)、(4)、(8)的情形：(1)阻隔板接近位置传感器33的检测输出是否为导通，即阻隔板26是否配置在接近位置；(2)喷嘴退避传感器64的检测输出是否为导通，即硫酸含有液喷嘴60是否位于退避位置；(4)挡板上位置传感器93的检测输出是否为导通，即第一挡板71是否配置在上位置；(8)第一阀开启传感器21的检测输出是否为导通，即用于将排气配管100予以开闭的排气阀101是否处在开启状态。在全部满足这些(1)、(2)、(4)、(8)的条件的情形中，控制装置3容许第一有机溶剂阀35的开启动作。即，在(1)、(2)、(4)、(8)的条件中的一个条件未满足的情形中，控制装置3禁止第一有机溶剂阀35的开启动作。通过此种硬联锁，能确实地防止从硫酸含有液喷嘴60开始喷出SPM时在处理腔室4内产生SPM与IPA的接触。
此外，在除电步骤S2开始时、硫酸含有液步骤S3开始时、第一冲洗步骤S4开始时、清洗药液步骤S5开始时或者第二冲洗步骤S6开始时，调查是否存在(7)的情形：(7)与喷出对象的处理液以外的处理液对应的第二阀关闭传感器95的检测输出是否全部导通，即与喷出对象的处理液以外的处理对应的排液分支阀85是否已关闭。
具体而言，在除电步骤S2、第一冲洗步骤S4以及第二冲洗步骤S6中，分别调查与硫酸含有液用分支配管82用的排液分支阀85对应的第二阀关闭传感器95以及与清洗药液用分支配管83用的排液分支阀85对应的第二阀关闭传感器95的检测输出。在硫酸含有液步骤S3中，分别调查与清洗药液用分支配管83用的排液分支阀85对应的第二阀关闭传感器95以及与水用分支配管84用的排液分支阀85对应的第二阀关闭传感器95的检测输出。在清洗药液步骤S5中，分别调查与硫酸含有液用分支配管82用的排液分支阀85对应的第二阀关闭传感器95以及与水用分支配管84用的排液分支阀85对应的第二阀关闭传感器95的检测输出。
在满足该条件(7)的情形中，控制装置3在各个步骤S2至步骤S6开始时将与喷出对象的处理液对应的喷出开闭用的阀(即第一水阀46、硫酸含有液阀62以及清洗药液阀67中的任一个)开启。即，在未满足(7)的条件的情形中，控制装置3禁止第一水阀46、硫酸含有液阀62、清洗药液阀67的开启动作。
如上所述，依据本实施方式，在硫酸含有液步骤S3之前执行第一水置换步骤T1。当在硫酸含有液步骤S3开始前在有机溶剂配管34的内部残存有在前次的抗蚀剂去除处理所使用的IPA时，在硫酸含有液步骤S3中，进入至有机溶剂配管34内的SPM的雾气会在有机溶剂配管34的内部与IPA接触。然而，在硫酸含有液步骤S3之前以碳酸水置换有机溶剂配管34的内部，由此在硫酸含有液步骤S3开始时不会在有机溶剂配管34的内部残留IPA。因此，即使在硫酸含有液步骤S3中SPM的雾气进入至有机溶剂配管34内，也不会在有机溶剂配管34的内部与IPA接触。因此，能防止在硫酸含有液步骤S3中IPA与SPM接触，由此能抑制或防止有机溶剂配管34的内部成为颗粒产生源。
此外，在硫酸含有液步骤S3之后且在有机溶剂步骤S7之前执行第二水置换步骤T3。当在硫酸含有液步骤S3中进入至有机溶剂配管34内且通过凝结而液化的SPM的液滴在有机溶剂步骤S7的开始前存在于有机溶剂配管34的内部时，在有机溶剂步骤S7中，供给至有机溶剂配管34的IPA在有机溶剂配管34的内部会与SPM接触。然而，在有机溶剂步骤S7之前以碳酸水置换有机溶剂配管34的内部，由此在有机溶剂步骤S7开始时不会在有机溶剂配管34的内部残留SPM的液滴。因此，即使在该有机溶剂步骤S7中IPA被供给至有机溶剂配管34，也不会在有机溶剂配管34的内部与SPM接触。因此，能有效地抑制或防止随着IPA与SPM的接触产生颗粒，由此能抑制或防止有机溶剂配管34的内部成为颗粒产生源。
图8是用于说明处理单元2的第二基板处理例的示意性的图。图9是用于说明处理单元2的第三基板处理例的示意性的图。第二基板处理例及第三基板处理例与图4等所示的第一基板处理例的差异点在于：在第二冲洗步骤S6结束之前对第一喷嘴9供给IPA。除此之外，第二基板处理例及第三基板处理例并无与第一基板处理例有差异。
在图8所示的第二基板处理例中，控制装置3在第二冲洗步骤S6的执行中(与第二冲洗步骤S6并行地)将第二有机溶剂阀36开启并将第一有机溶剂阀35开启。由此，来自有机溶剂供给源的IPA朝第一喷嘴9供给。然而，在从第一喷出口8喷出IPA刚刚之前的时机，控制装置3将第二水阀57关闭。由此，不会从第一喷出口8喷出IPA。即，在第二冲洗步骤S6的执行中，不从第一喷出口8喷出IPA，且有机溶剂下游侧部分40的内部及第一喷嘴9的喷嘴配管的内部被IPA填充。
之后，当第二冲洗步骤S6结束且变成开始有机溶剂步骤S7的时机时，控制装置3将第一有机溶剂阀35开启，由此从有机溶剂供给源再次开始朝第一喷嘴9供给IPA，并从第一喷出口8喷出IPA。
依据该第二基板处理例，能在第二冲洗步骤S6刚结束后立即从第一喷出口8喷出IPA。即，能在第二冲洗步骤S6结束后立即开始有机溶剂步骤S7。由此，与第一基板处理例相比，能缩短抗蚀剂去除处理整体的处理时间。
与图8所示的第二基板处理例不同，在图9所示的第三基板处理例中，控制装置3在第二冲洗步骤S6的执行中(与第二冲洗步骤S6并行地)从第一喷出口8喷出IPA。
具体而言，控制装置3在第二冲洗步骤S6的执行中将第二有机溶剂阀36开启并将第一有机溶剂阀35开启。由此，来自有机溶剂供给源的IPA朝第一喷嘴9供给，并从第一喷出口8喷出。即，控制装置3在第二冲洗步骤S6结束前开始有机溶剂步骤S7。
在第三基板处理例中，与来自第二喷出口10的碳酸水的喷出流量相比，来自第一喷出口8的IPA的喷出流量为小流量(例如约1/10)。因此，几乎不会对针对基板W的冲洗处理造成不良影响。与第二基板处理例同样地，在第三基板处理例中，由在从第二冲洗步骤S6结束后至有机溶剂步骤S7开始为止不存在休止区间(interval)，因此与第一基板处理例相比，能缩短抗蚀剂去除处理整体的处理时间。
以上虽已说明本发明的一个实施方式，但本发明也能进一步以其他的方式来实施。
例如虽然已说明在第一基板处理例至第三基板处理例的第一水吸引步骤T2及第二水吸引步骤T4中进行碳酸水的吸引直至碳酸水的前端面后退至吸引配管49或水下游侧部分50，但吸引后的碳酸水的前端面也可位于有机溶剂配管34的内部。
在第一基板处理例至第三基板处理例中，也可以在与除电步骤S2不同的时机进行第一水置换步骤T1。此外，也可以在与第一冲洗步骤S4不同的时机进行第二水置换步骤T3。也可在除电步骤S2结束后进行第一水吸引步骤T2。也可以与清洗药液步骤S5不同的时机进行第二水吸引步骤T4。
此外，在第一基板处理例至第三基板处理例中，作为水置换步骤，执行在硫酸含有液步骤S3之前所执行的第一水置换步骤T1以及在硫酸含有液步骤S3之后且在有机溶剂步骤S7之前所执行的第二水置换步骤T3。然而，水置换步骤只要在有机溶剂步骤S7执行前及/或执行后，以及/或者，硫酸含有液步骤S3执行前及/或执行后中至少执行一次以上即可。
此外，在第一基板处理例至第三基板处理例中，也可在清洗药液步骤S5的执行之前或者在清洗药液步骤S5的执行之后进行用于将过氧化氢水(H2O2)供给至基板W的上表面(表面)的过氧化氢水供给步骤。
此外，在所述实施方式中，虽然将SPM例示作为第一药剂流体的一例所使用的硫酸含有液，但除此之外也可使用硫酸或SOM(Sulfuric acid Ozone Mixture；硫酸臭氧混合物)作为硫酸含有液。
在所述实施方式中，已说明使用下述类型的处理杯16作为处理杯：在内部不进行环境气体与处理液的气液分离，而使用外部的气液分离器(气液分离器97)进行环境气体与处理液的气液分离。然而，也可使用可在内部进行环境气体与处理液的气液分离的类型的处理杯作为处理杯。
该类型的处理杯包括：一个或多个杯，配置成包围旋转卡盘5；以及排液配管，连接至各个杯。此外，在具有该类型的处理杯的处理腔室4中，在间隔壁18的侧壁下部或间隔壁18的底部开口有排气口，且该排气口的内部被连接至该排气口的排气导管吸引，由此将处理腔室4的下部空间的环境气体排气。
此外，在所述实施方式中，设置用于将多种类的处理液(硫酸含有液、清洗药液以及水)予以排液的共用的排液槽(排液槽80)，并根据该排液(处理液)的种类在多个硫酸含有液用分支配管82、清洗药液用分支配管83以及水用分支配管84间切换来自排液槽80的排液(处理液)的流通目的地。
然而，也可在处理杯16中以一对一对应的方式在各种类的处理液设置有排液槽。即，也可个别地设置有硫酸含有液的排液槽、清洗药液用的排液槽以及水用的排液槽。在此情形中，无须在多个排液分支配管之间切换排液(处理液)的流通目的地。
此外，在所述实施方式中，虽已例示IPA作为第二药剂流体的一例所使用的有机溶剂的一例，但除此的外也可例示甲醇、乙醇、HFE(hydrofluoroether；氢氟醚)、丙酮等作为有机溶剂。此外，有机溶剂并未限定在仅由单体成分构成的情形，有机溶剂也可为与其他成分混合的液体。例如，也可为IPA与丙酮的混合液，或也可为IPA与甲醇的混合液。
在所述实施方式中，虽然例示SPM等硫酸含有液及IPA等有机溶剂的组合作为接触而伴随着危险的药液的组合，但除此之外也可例示王水及硫酸的组合等作为接触而伴随着危险的组合。
此外，本发明也可广泛地应用在所述的酸与碱的组合那样的通过接触生成生成物(例如盐)的组合，即也可广泛地应用在不适合接触的药剂流体的组合。
在所述说明中，虽然已说明第一药剂流体(含有药剂成分的流体)为液体(即含有药剂成分的液体)，但也可采用气体(即含有药剂成分的气体)作为第一药剂流体。
此外，虽然已说明第二药剂流体为液体，也可采用气体作为第二药剂流体。
此外，虽然已例示碳酸水作为用于置换药剂流体配管(有机溶剂配管34)的内部的水，但该水并未限定在碳酸水，也可为去离子水(DIW；deionized water)、电解离子水、氢水、臭氧水以及稀释浓度(例如10ppm至100ppmm左右)的盐酸水的任一者。
虽然已详细地说明本发明的实施方式，但这些实施方式仅为用于明了本发明的技术性内容的具体例，本发明不应被解释成局限在这些具体例，本发明的范围仅被权利要求书所界定。
本申请案与2016年5月25日在日本特许厅所提出的特愿2016-104600号对应，该申请案的全部揭示被引用并写入在本申请案中。
附图标记的说明
1 基板处理装置
4 处理腔室
5 旋转卡盘(基板保持单元)
6 基板相向面
7 相向构件
8 第一喷出口
9 第一喷嘴
11 第二喷嘴
12 有机溶剂供给单元(第一药剂流体供给单元)
13 冲洗用水供给单元(第二水供给单元)
14 硫酸含有液供给单元(第二药剂流体供给单元)
15 清洗药液供给单元
16 处理杯
34 有机溶剂配管(药剂流体配管)
35 第一有机溶剂阀
36 第二有机溶剂阀
37 阀关闭传感器
39 第一水配管
40 有机溶剂下游侧部分
43 第一液体检测传感器
45 第二液体检测传感器
46 第一水阀
47 置换用水供给单元(第一水供给单元)
49 吸引配管
51 吸引阀
52 吸引装置
53 真空产生器
54 驱动阀
55 吸引单元
56 第二水配管
57 第二水阀
A1 旋转轴线
A2 旋转轴线
W 基板

Claims (21)

1.一种基板处理装置，包括：
处理腔室；
基板保持单元，配置在所述处理腔室内，用于保持基板；
第一喷嘴，具有用于朝被所述基板保持单元保持的基板的主面喷出流体的喷出口；
第一药剂流体供给单元，具有连接至所述第一喷嘴且内部连通至所述喷出口的药剂流体配管，用于经由所述药剂流体配管对所述第一喷嘴供给第一药剂流体；
第一水供给单元，具有分支连接至所述药剂流体配管的水配管，用于经由所述水配管对所述药剂流体配管供给水；
第二药剂流体供给单元，用于对被所述基板保持单元保持的基板的主面供给第二药剂流体，该第二药剂流体为与所述第一药剂流体不同种类的流体；以及
控制装置，控制所述第一药剂流体供给单元、所述第二药剂流体供给单元以及所述第一水供给单元；
所述控制装置执行：
第一处理步骤，将所述第一药剂流体供给至所述药剂流体配管，由此从所述第一喷嘴朝所述基板的主面喷出所述第一药剂流体，并对所述基板实施使用了所述第一药剂流体的处理；
第二处理步骤，将所述第二药剂流体供给至所述基板的主面，并对所述基板实施使用了所述第二药剂流体的处理；以及
水置换步骤，在所述第一处理步骤的执行前及/或执行后，以及/或者，在所述第二处理步骤的执行前及/或执行后，将来自所述第一水供给单元的水供给至所述药剂流体配管，并以水对所述药剂流体配管的内部进行置换。
2.如权利要求1所记载的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还包括相向构件，该相向构件具有与被所述基板保持单元保持的基板的主面相向的基板相向面；
所述第一喷嘴的所述喷出口设置在所述基板相向面。
3.如权利要求1或2所记载的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还包括吸引单元，该吸引单元用于对所述药剂流体配管的内部进行吸引；
所述控制装置还控制所述吸引单元；
所述控制装置在所述水置换步骤结束后还执行用于对所述药剂流体配管的内部进行吸引的第一吸引步骤。
4.如权利要求1或2所记载的基板处理装置，其中，
所述控制装置在所述第二处理步骤结束后开始所述第一处理步骤；
所述控制装置执行在所述第二处理步骤之前所执行的第一水置换步骤作为所述水置换步骤。
5.如权利要求1或2所记载的基板处理装置，其中，
所述控制装置在所述第二处理步骤结束后开始所述第一处理步骤；
所述控制装置执行在所述第二处理步骤之后且在所述第一处理步骤之前所执行的第二水置换步骤作为所述水置换步骤。
6.如权利要求5所记载的基板处理装置，其中，
所述控制装置在所述第一处理步骤之前还执行用于对所述基板的主面供给水的第一水供给步骤，以在所述第二处理步骤之后从所述基板的主面以水冲洗掉所述第二药剂流体；
所述控制装置执行所述第二水置换步骤作为所述第一水供给步骤。
7.如权利要求1或2所记载的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还包括：
第二喷嘴，是与所述第一喷嘴不同的喷嘴，用于朝被所述基板保持单元保持的基板的主面喷出流体；以及
第二水供给单元，用于对所述第二喷嘴供给水；
所述控制装置还控制所述第二水供给单元；
所述控制装置在所述第二处理步骤结束后开始所述第一处理步骤，并在所述第二处理步骤之后且在所述第一处理步骤开始之前执行第二水供给步骤，在该第二水供给步骤中，对所述第二喷嘴供给水，由此从所述第二喷嘴朝所述基板的主面开始喷出水；
所述控制装置在所述第二水供给步骤结束之前开始所述第一处理步骤中的朝所述药剂流体配管供给所述第一药剂流体。
8.如权利要求1或2所记载的基板处理装置，其中，
所述控制装置在所述第二水供给步骤结束之前开始所述第一处理步骤。
9.如权利要求1或2所记载的基板处理装置，其中，
所述控制装置在所述一处理步骤中的来自所述第一喷嘴的第一药剂流体的喷出结束后，还执行用于对所述药剂流体配管的内部进行吸引的第二吸引步骤。
10.如权利要求1或2所记载的基板处理装置，其中，
所述清洗液包括碳酸水。
11.如权利要求1或2所记载的基板处理装置，其中，
所述第一药剂流体包括硫酸含有液；
所述第二药剂流体包括有机溶剂。
12.一种基板处理方法，包括：
基板保持步骤，在处理腔室内保持基板；
第一处理步骤，经由连接至第一喷嘴的药剂流体配管将第一药剂流体供给至所述第一喷嘴，由此从所述第一喷嘴朝所述基板的主面喷出所述第一药剂流体，并对所述基板实施使用了所述第一药剂流体的处理；
第二处理步骤，将与所述第一药剂流体不同种类的流体即第二药剂流体供给至所述基板的主面，并对所述基板实施使用了所述第二药剂流体的处理；以及
水置换步骤，在所述第一处理步骤执行前及/或执行后，以及/或者，在所述第二处理步骤执行前及/或执行后，经由分支连接至所述药剂流体配管的水配管将水供给至所述药剂流体配管，并以水对所述药剂流体配管的内部进行置换。
13.如权利要求12所记载的基板处理方法，其中，
该基板处理方法还包括在所述水置换步骤结束后用于对所述药剂流体配管的内部进行吸引的第一吸引步骤。
14.如权利要求12或13所记载的基板处理方法，其中，
所述第一处理步骤包括在所述第二处理步骤结束后开始的步骤；
所述水置换步骤包括在所述第二处理步骤之前所执行的第一水置换步骤。
15.如权利要求12或13所记载的基板处理方法，其中，
所述第一处理步骤包括在所述第二处理步骤结束后开始的步骤；
所述水置换步骤包括在所述第二处理步骤之后且在所述第一处理步骤之前所执行的第二水置换步骤。
16.如权利要求15所记载的基板处理方法，其中，
在所述第一处理步骤之前还包括用于对所述基板的主面供给水的第一水供给步骤，以在所述第二处理步骤之后从所述基板的主面以水冲洗掉所述第二药剂流体；
所述第一水供给步骤包括所述第二水置换步骤。
17.如权利要求12或13所记载的基板处理方法，其中，
所述第一处理步骤包括在所述第二处理步骤结束后开始的步骤；
在所述第二处理步骤之后且在所述第一处理步骤之前还包括第二水供给步骤，在该第二水供给步骤中，对与所述第一喷嘴不同的喷嘴的第二喷嘴供给水，由此从所述第二喷嘴朝所述基板的主面喷出水；
在所述第一处理步骤中，在所述第二水供给步骤结束之前开始执行朝所述药剂流体配管供给所述第一药剂流体。
18.如权利要求12或13所记载的基板处理方法，其中，
在所述第二处理步骤之后还包括用于从所述第二喷嘴将水供给至所述基板的主面的第二水供给步骤；
与所述第二水供给步骤并行地执行所述第一处理步骤。
19.如权利要求12或13所记载的基板处理方法，其中，
在所述一处理步骤中的来自所述第一喷嘴的第一药剂流体的喷出结束后，还包括用于对所述药剂流体配管的内部进行吸引的第二吸引步骤。
20.如权利要求12或13所记载的基板处理方法，其中，
所述清洗液包括碳酸水。
21.如权利要求12或13所记载的基板处理方法，其中，
所述第一药剂流体包括硫酸含有液；
所述第二药剂流体包括有机溶剂。
CN201780026979.1A 2016-05-25 2017-05-18 基板处理装置及基板处理方法 Active CN109155247B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-104600 2016-05-25
JP2016104600A JP2017212335A (ja) 2016-05-25 2016-05-25 基板処理装置および基板処理方法
PCT/JP2017/018735 WO2017204088A1 (ja) 2016-05-25 2017-05-18 基板処理装置および基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109155247A true CN109155247A (zh) 2019-01-04
CN109155247B CN109155247B (zh) 2023-07-21

Family

ID=60412259

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780026979.1A Active CN109155247B (zh) 2016-05-25 2017-05-18 基板处理装置及基板处理方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP2017212335A (zh)
KR (2) KR102223972B1 (zh)
CN (1) CN109155247B (zh)
TW (1) TWI643259B (zh)
WO (1) WO2017204088A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112570331A (zh) * 2019-09-27 2021-03-30 株式会社斯库林集团 基板处理装置
CN113731671A (zh) * 2020-05-29 2021-12-03 株式会社斯库林集团 基板处理方法以及基板处理装置
TWI836216B (zh) 2020-05-29 2024-03-21 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法以及基板處理裝置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7487006B2 (ja) 2020-05-19 2024-05-20 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013077624A (ja) * 2011-09-29 2013-04-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
CN105244299A (zh) * 2014-07-02 2016-01-13 斯克林集团公司 基板处理装置以及基板处理方法
JP2016042517A (ja) * 2014-08-15 2016-03-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
TW201613016A (en) * 2014-08-15 2016-04-01 Screen Holdings Co Ltd Substrate treatment apparatus, and substrate treatment method
JP2016063049A (ja) * 2014-09-17 2016-04-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4917469B1 (zh) 1970-05-28 1974-05-01
JPS4917470B1 (zh) 1970-12-25 1974-05-01
JP4763563B2 (ja) * 2006-09-20 2011-08-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法
JP5031671B2 (ja) * 2008-06-03 2012-09-19 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP5613636B2 (ja) * 2011-07-27 2014-10-29 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理装置の制御方法、コンピュータプログラム、及びコンピュータ可読記憶媒体
JP5963075B2 (ja) * 2012-03-29 2016-08-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
TWI630652B (zh) * 2014-03-17 2018-07-21 斯克林集團公司 基板處理裝置及使用基板處理裝置之基板處理方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013077624A (ja) * 2011-09-29 2013-04-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
CN105244299A (zh) * 2014-07-02 2016-01-13 斯克林集团公司 基板处理装置以及基板处理方法
JP2016042517A (ja) * 2014-08-15 2016-03-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
TW201613016A (en) * 2014-08-15 2016-04-01 Screen Holdings Co Ltd Substrate treatment apparatus, and substrate treatment method
JP2016063049A (ja) * 2014-09-17 2016-04-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112570331A (zh) * 2019-09-27 2021-03-30 株式会社斯库林集团 基板处理装置
CN113731671A (zh) * 2020-05-29 2021-12-03 株式会社斯库林集团 基板处理方法以及基板处理装置
TWI836216B (zh) 2020-05-29 2024-03-21 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法以及基板處理裝置

Also Published As

Publication number Publication date
TWI643259B (zh) 2018-12-01
JP2017212335A (ja) 2017-11-30
TW201806019A (zh) 2018-02-16
KR102223972B1 (ko) 2021-03-05
KR20200130515A (ko) 2020-11-18
WO2017204088A1 (ja) 2017-11-30
KR20180128957A (ko) 2018-12-04
CN109155247B (zh) 2023-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI546881B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
TWI547984B (zh) Liquid processing apparatus and liquid processing method
US20090056764A1 (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
KR20030082422A (ko) 액처리장치 및 액처리방법
CN109564862A (zh) 基板处理装置及基板处理方法
TWI723347B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
US20180085795A1 (en) Recovery piping cleaning method and substrate processing apparatus
CN109155247A (zh) 基板处理装置及基板处理方法
KR20160033358A (ko) 기판 처리 장치
JP6432824B2 (ja) 基板処理装置
CN108713239B (zh) 基板处理方法及基板处理装置
JP6502037B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TW202046400A (zh) 基板處理裝置以及基板處理方法
TWI697948B (zh) 基板處理方法以及基板處理裝置
JP7002605B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN110364454B (zh) 基板处理方法以及基板处理装置
JP2008124503A (ja) 液処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant