CN113731671A - 基板处理方法以及基板处理装置 - Google Patents

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CN113731671A
CN113731671A CN202110585185.7A CN202110585185A CN113731671A CN 113731671 A CN113731671 A CN 113731671A CN 202110585185 A CN202110585185 A CN 202110585185A CN 113731671 A CN113731671 A CN 113731671A
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岩尾通矩
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Abstract

本申请提供在使用多种药液的基板处理中抑制药液间的混合的基板处理方法以及基板处理装置。本申请的基板处理方法具有：从第一喷嘴向基板喷出第一药液的工序；在喷出第一药液之后，抽吸第一喷嘴内的液体的工序；以及在第一喷嘴内的液体的抽吸停止之后，从第二喷嘴向基板喷出与第一药液不同的第二药液的工序。

Description

基板处理方法以及基板处理装置
技术领域
本申请的说明书所公开的技术涉及基板处理方法以及基板处理装置。作为处理对象的基板包括例如半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板、有机EL(electroluminescence：电致发光)显示装置等的平板显示器(flat panel display：FPD)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用玻璃基板、陶瓷基板、场致发射显示器(fieldemissiondisplay，即，FED)用基板或太阳能电池用基板等。
背景技术
以往，在半导体基板(以下，简称为“基板”)的制造工序中，使用基板处理装置对基板进行各种处理。
在基板处理中，一种或多种药液经由喷嘴向基板喷出，但为了抑制来自喷嘴的液体滴落等，有时进行抽吸喷嘴内的药液的抽吸动作(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献：日本特开2018-56550号公報
在按时间顺序喷出多种药液的情况下，有时在抽吸之前的药液的抽吸动作中会抽吸之后的药液(或其环境气体)。在这样的情况下，有时因药液间的混合(混触)而产生颗粒，最终导致产品不良的问题。
发明内容
本申请的说明书所公开的技术鉴于以上记载那样的问题而提出，是一种用于在使用多种药液的基板处理中抑制药液间的混合的技术。
用于解决问题的手段
本申请的说明书所公开的技术的第一方式的基板处理方法，具有：从第一喷嘴向基板喷出第一药液的工序；在喷出所述第一药液之后，抽吸所述第一喷嘴内的液体的工序；以及在所述第一喷嘴内的所述液体的抽吸停止之后，从第二喷嘴向所述基板喷出与所述第一药液不同的第二药液的工序。
本申请的说明书所公开的技术的第二方式的基板处理方法，在第一方式中，所述基板处理方法还具有：在喷出所述第一药液之后且在喷出所述第二药液之前，向所述基板喷出冲洗液的工序。
本申请的说明书所公开的技术的第三方式的基板处理方法，在第二方式中，抽吸所述第一喷嘴内的所述液体的工序比喷出所述冲洗液的工序先结束。
本申请的说明书所公开的技术的第四方式的基板处理方法，在第二方式或第三方式中，在抽吸所述第一喷嘴内的所述液体的工序之前，从所述第一喷嘴喷出所述冲洗液。
本申请的说明书所公开的技术的第五方式的基板处理方法，在第二方式至第四方式中的任一方式中，在抽吸所述第一喷嘴内的所述液体的工序期间，从所述第二喷嘴喷出所述冲洗液。
本申请的说明书所公开的技术的第六方式的基板处理方法，在第二方式至第五方式中的任一方式中，喷出所述冲洗液的工序在所述第一喷嘴以及所述第二喷嘴双方按时间顺序进行。
本申请的说明书所公开的技术的第七方式的基板处理方法，在第一方式至第六方式中的任一方式中，所述第一药液以及所述第二药液中的一方是酸性的液体，另一方是碱性的液体。
本申请的说明书所公开的技术的第八方式的基板处理方法，在第二方式至第六方式中的任一方式中，所述冲洗液是水。
本申请的说明书所公开的技术的第九方式的基板处理方法，在第一方式至第八方式中的任一方式中，所述第一喷嘴以及所述第二喷嘴共同设置于与所述基板相对地配置的遮断板的中央部。
本申请的说明书所公开的技术的第十方式的基板处理方法，在第一方式至第九方式中的任一方式中，所述第一喷嘴和所述第二喷嘴相互配置在附近。
本申请的说明书所公开的技术的第十一方式的基板处理方法，在第一方式至第十方式中的任一方式中，抽吸所述第一喷嘴内的液体的工序在所述基板的上方进行。
本申请的说明书所公开的技术的第十二方式的基板处理装置，具有：第一喷嘴，向基板喷出第一药液；抽吸机构，在喷出所述第一药液之后，抽吸所述第一喷嘴内的液体；以及第二喷嘴，在所述第一喷嘴内的所述液体的抽吸停止后，向所述基板喷出与所述第一药液不同的第二药液。
发明效果
根据本申请的说明书所公开的技术的第一方式至第十二方式，在经由第一喷嘴的第一药液的抽吸动作停止之后，开始从第二喷嘴供给第二药液。因此，能够抑制第二药液的环境气体被抽吸至第一喷嘴内。由此，能够充分地抑制第一药液和第二药液在第一喷嘴内混合。
另外，通过以下所示的详细说明和附图，使得本申请的说明书所公开的技术的目的、特征、局面、优点等更加清楚。
附图说明
图1是概略性地表示实施方式的基板处理装置的结构的例子的俯视图。
图2是概念性地表示图1例示的控制部的结构的例子的图。
图3是示意性地表示实施方式的处理单元的结构的例子的图。
图4是示意性地表示相对构件的结构的例子的剖视图。
图5是表示相对构件的例子的仰视图。
图6是示意性地表示图3以及图4例示的供给以及抽吸机构的结构的例子的图。
图7是用于说明基板处理装置的动作中特别是供给以及抽吸机构的动作的示意图。
图8是用于说明基板处理装置的动作中特别是供给以及抽吸机构的动作的示意图。
图9是用于说明基板处理装置的动作中特别是供给以及抽吸机构的动作的示意图。
图10是用于说明基板处理装置的动作中特别是供给以及抽吸机构的动作的示意图。
图11是示意性地表示实施方式的处理单元的结构的例子的图。
图12是示意性地表示相对构件的结构的例子的剖视图。
图13是表示相对构件的例子的仰视图。
图14是示意性地表示实施方式的处理单元的结构的例子的图。
图15是示意性地表示图14例示的供给以及抽吸机构的结构的例子的图。
图16是用于说明基板处理装置的动作中特别是供给以及抽吸机构的动作的示意图。
图17是用于说明基板处理装置的动作中特别是供给以及抽吸机构的动作的示意图。
图18是用于说明基板处理装置的动作中特别是供给以及抽吸机构的动作的示意图。
图19是用于说明基板处理装置的动作中特别是供给以及抽吸机构的动作的示意图。
图20是示意性地表示实施方式的处理单元的结构的例子的图。
图21是示意性地表示图20例示的供给以及抽吸机构的结构的例子的图。
图22是用于说明基板处理装置的动作中特别是从喷嘴供给处理液的动作的示意图。
图23是用于说明基板处理装置的动作中特别是从喷嘴供给处理液的动作的示意图。
图24是用于说明基板处理装置的动作中特别是从喷嘴供给处理液的动作的示意图。
图25是用于说明基板处理装置的动作中特别是从喷嘴供给处理液的动作的示意图。
附图标记的说明：
1 基板处理装置
5 旋转卡盘
8、10、12、13、21、310、312、314、316、400、402 喷嘴
14、15、16、30、38、39、330、332、334、336 供给以及抽吸机构
17 杯
17a 上端部
18 隔壁
19 FFU
20 排气管道
22 旋转马达
23 旋转轴
24 旋转基座
25 夹持构件
26、26A 相对构件
27、27A 遮断板
28 旋转轴
29 基板相对面
31 支撑臂
32 轴喷嘴
33 壳体
34 旋转机构
35 升降机构
36 非活性气体供给源
44 连接配管
45 排液配管
46 药液配管
47 冲洗液配管
48、49 抽吸配管
50、51、52、53、56 阀
54 调节阀
55、57 抽吸装置
80 腔室
90 控制部
91 CPU
92 ROM
93 RAM
94 存储装置
94P 处理程序
95 总线
96 输入部
97 显示部
98 通信部
108、110、112、113、121、320、322、324、326、401、403 配管
127 爪部
132 贯通孔
200、203 药液
201、202 冲洗液
300 喷嘴臂
300A 臂部
300B 轴体
300C 促动器
302 支撑部
具体实施方式
以下，一边参照附图一边说明实施方式。在以下的实施方式中，为了说明技术示出了详细的特征等，但那些是示例，为了能够实施实施方式，并不一定所有的特征都是必须的特征。
此外，附图是概略地表示的内容，为了便于说明，会在附图中适当地省略结构或者简化结构。另外，不同的附图中分别所示的结构等大小和位置之间的相互关系未必正确地记载，可以适当变更。另外，在非剖视图的俯视图等附图中，为了容易理解实施方式的内容，有时附加了阴影。
另外，在以下所示的说明中，对相同的结构构件标注相同的附图标记进行图示，将它们的名称和功能也设为相同。因此，为了避免重复，有时会省略对其的详细说明。
另外，在以下所记载的说明中，在记载了“具备”、“包括”或者“具有”某一结构构件等的情况下，除非另外指明，否则不是排除其他结构构件的存在的排他性的表述。
另外，在以下记载的说明中，即使有时使用了“第一”或“第二”等序数词，这些用语也是为了便于理解实施方式的内容而使用的，并不限定于由这些序数词产生的顺序等。
另外，在以下记载的说明中，即使有时使用表示“上”、“下”、“左”、“右”、“侧”、“底”、“表”或者“背”等的特定位置或者方向的术语，这些术语也是为了容易理解实施方式的内容而使用的，与实际实施时的位置或者方向无关。
另外，在以下记载的说明中，在记载为“…的上表面”或“…的下表面”等时，除了作为对象的结构构件的上表面自身或下表面自身之外，还包括在作为对象的结构构件的上表面或下表面形成有其他结构构件的状态。即，例如，在记载为“设置于甲的上表面的乙”的情况下，不妨碍其他结构构件“丙”介于甲与乙之间的情况。
＜第一实施方式＞
下面，对本实施方式的基板处理方法以及基板处理装置进行说明。
＜关于基板处理装置的结构＞
图1是概略性地表示本实施方式的基板处理装置1的结构的例子的俯视图。基板处理装置1具有装载埠LP、分度器机械手IR、中央机械手CR、控制部90、以及至少一个处理单元UTa(在图1中为四个处理单元)。
各个处理单元UTa是用于对基板W(晶片)进行处理的单元。处理单元UTa是能够用于基板处理的单张式的装置。
此外，处理单元UTa能够具有腔室80。在该情况下，通过由控制部90控制腔室80内的环境气体，处理单元UTa能够进行所需的环境气体中的基板处理。
控制部90能够控制基板处理装置1中的各个结构(后述的旋转卡盘5的旋转马达22、旋转机构34、升降机构35、供给以及抽吸机构14、供给以及抽吸机构15、供给以及抽吸机构16或供给以及抽吸机构30等)的动作。容纳架C是容纳基板W的容纳器。另外，装载埠LP是保持多个容纳架C的容纳器保持机构。分度器机械手IR能够在装载埠LP与基板载置部PS之间搬运基板W。中央机械手CR能够在基板载置部PS以及处理单元UTa之间搬运基板W。
通过以上的结构，分度器机械手IR、基板载置部PS以及中央机械手CR作为在各个处理单元UTa与装载埠LP之间搬运基板W的搬运机构发挥作用。
未处理的基板W由分度器机械手IR从容纳架C取出。然后，未处理的基板W经由基板载置部PS被交接至中央机械手CR。
中央机械手CR将该未处理的基板W搬入处理单元UTa。然后，处理单元UTa对基板W进行处理。
在处理单元UTa中处理完成的基板W由中央机械手CR从处理单元UTa取出。然后，处理完成的基板W根据需要经由其他处理单元UTa后，经由基板载置部PS被交接至分度器机械手IR。分度器机械手IR将处理完成的基板W搬入容纳架C。通过以上步骤，对基板W进行处理。
图2是概念性地表示图1例示的控制部90的结构的例子的图。控制部90可以由具有电路的一般的计算机构成。具体而言，控制部90具有中央运算处理装置(centralprocessing unit，即，CPU)91、只读存储器(read only memory，即，ROM)92、随机存取存储器(random access memory，即，RAM)93、存储装置94、输入部96、显示部97、通信部98以及将它们相互连接的总线95。
ROM92存储基本程序。RAM93用作CPU91进行规定的处理时的作业区域。存储装置94由闪存或硬盘装置等非易失性存储装置构成。输入部96由各种开关或触摸面板等构成，接受来自操作者的处理方案等输入设定指示。显示部97例如由液晶显示装置以及灯等构成，在CPU91的控制下显示各种信息。通信部98具有经由局域网(LAN:local area network)等的数据通信功能。
在存储装置94中预先设定有关于图1的基板处理装置1中的各个结构的控制的多个模式。通过CPU91执行处理程序94P，选择上述多个模式中的一个模式，在该模式下控制各个结构。此外，处理程序94P也可以存储于存储介质。若使用该存储介质，则能够将处理程序94P安装至控制部90。另外，控制部90执行的功能的一部分或全部未必需要由软件来实现，也可以由专用的逻辑电路等硬件来实现。
图3是示意性地表示本实施方式的处理单元UTa的结构的例子的图。处理单元UTa中的各个结构的动作由控制部90控制。另外，图4是示意性地表示相对构件26A的结构的例子的剖视图。
处理单元UTa具有：箱型的腔室80，具有内部空间；旋转卡盘5，一边在腔室80内以水平的姿势保持一张基板W，一边使基板W以通过基板W的中央部的铅垂的旋转轴线为中心旋转；配管108，连接有用于朝向被旋转卡盘5保持的基板W的上表面的中央部喷出处理液的喷嘴8；配管110，连接有用于朝向被旋转卡盘5保持的基板W的上表面的中央部喷出处理液的喷嘴10；配管112，连接有用于朝向被旋转卡盘5保持的基板W的上表面的中央部喷出处理液的喷嘴12；配管113，连接有用于朝向被旋转卡盘5保持的基板W的上表面的中央部喷出处理液的喷嘴13；配管121，连接有用于朝向被旋转卡盘5保持的基板W的上表面的中央部供给非活性气体的喷嘴21；供给以及抽吸机构14，用于向配管108选择性地供给例如碱性的药液以及冲洗液，并且用于抽吸喷嘴8内以及配管108内的该药液以及该冲洗液；供给以及抽吸机构15，用于向配管110选择性地供给例如酸性的药液以及冲洗液，并且抽吸喷嘴10内以及配管110内的该药液以及该冲洗液；供给以及抽吸机构16，用于向配管112供给例如IPA(异丙醇)等有机溶剂，并且抽吸喷嘴12内以及配管112内的该有机溶剂；供给以及抽吸机构30，用于向配管113供给例如疏水剂(SMT)，并且抽吸喷嘴13内以及配管113内的该疏水剂；非活性气体供给源36，用于向配管121供给非活性气体；以及筒状的杯17，包围旋转卡盘5。
上述的喷嘴8、喷嘴10、喷嘴13、喷嘴12以及喷嘴21相互配置于附近。在此，配置于附近包括相互配置于相同的腔室80内，特别是指多个喷嘴同时配置在被旋转卡盘5保持的基板W的上方。
上述的酸性的药液例如是HF、用纯水稀释氢氟酸(HF)而成的稀氢氟酸(DHF)、枸椽酸(柠檬酸)、硫酸和过氧化氢水的混合溶液(SPM)等，在“药液”中也包含其环境气体。另外，碱性的药液例如是氨水与过氧化氢水的混合液(SC1)、dNH4OH、四甲基氢氧化铵(TMAH)等，在“药液”中也包含其环境气体。另外，冲洗液例如是水，但在本实施方式中，水是纯水(去离子水)、碳酸水、电解离子水、氢水、臭氧水、以及稀释浓度(例如，10ppm以上且100ppm以下)的氨水中的任一种。另外，“冲洗液”也包含其环境气体。
另外，有机溶剂除了IPA以外，也可以是例如甲醇、乙醇、丙醇、EG(乙二醇)或(氢氟醚)等。另外，作为有机溶剂，不仅可以是由单体成分构成的情况，也可以是与其他成分混合的液体。例如，可以是IPA与丙醇的混合液，也可以是IPA与甲醇的混合液。另外，疏水剂可以是硅系的疏水剂，也可以是金属系的疏水剂。
此外，图3以及图4例示的喷嘴的数量并非是限定的，例如，可以进一步增加用于喷出药液的喷嘴。
腔室80具有：箱状的隔壁18，容纳旋转卡盘5或喷嘴等；FFU(风机过滤单元)19，从隔壁18的上部向隔壁18内输送由过滤器等过滤的清洁空气；排气管道20，从隔壁18的下部排出腔室80内的气体。
旋转卡盘5具有旋转马达22、由旋转马达22驱动的旋转轴23、大致水平地安装于旋转轴23的上端的圆板状的旋转基座24。在旋转基座24的上表面的周缘部配置有多个夹持构件25。多个夹持构件25在基板W的周向上隔开适当的间隔地配置。
此外，旋转卡盘5并不限定于夹持式的旋转卡盘，例如，也可以是对基板W的背面真空吸附的真空吸附式(即，真空卡盘)的旋转卡盘。
另外，处理单元UTa具有与被旋转卡盘5保持的基板W的上表面相对的相对构件26A。图5是表示相对构件26A的例子的仰视图。
相对构件26A具有遮断板27A、以及能够与遮断板27A一体旋转的旋转轴28。遮断板27A是具有比基板W大的直径的圆板状的结构。遮断板27A在其下表面具有与基板W的上表面整个区域相对的由圆形的平坦面构成的基板相对面29、在基板相对面29的周缘部朝向下方突出的环状的爪部127。在基板相对面29的中央部形成有沿上下贯通遮断板27A的圆筒状的贯通孔132。
旋转轴28能够以通过遮断板27A的中心且在铅垂方向上延伸的旋转轴线A2为中心旋转。此外，旋转轴线A2与基板W的旋转轴线A1一致。旋转轴28为圆筒状。旋转轴28的内部空间与遮断板27A的贯通孔132连通。旋转轴28被在遮断板27A的上方水平地延伸的支撑臂31支撑为能够相对旋转。在本实施方式中，支撑臂31至少在上下方向(铅垂方向)上能够移动。
在贯通孔132的内部设置有沿遮断板27A的旋转轴线A2在上下方向上延伸的轴喷嘴32。在轴喷嘴32的壳体33内配置有在上下方向(铅垂方向)上延伸的喷嘴8、喷嘴10、喷嘴12、喷嘴13以及喷嘴21。壳体33在贯通孔132的内部以与遮断板27A以及旋转轴28非接触的状态配置。
在遮断板27A上结合有包括电动马达等的旋转机构34。旋转机构34使遮断板27A以及旋转轴28相对于支撑臂31以旋转轴线A2为中心旋转。
在支撑臂31上结合有包括电动马达或滚珠丝杠等的升降机构35。升降机构35使相对构件26A、喷嘴8、喷嘴10、喷嘴12、喷嘴13以及喷嘴21与支撑臂31一起在铅垂方向上升降。升降机构35使遮断板27A、喷嘴8、喷嘴10、喷嘴12、喷嘴13以及喷嘴21在遮断板27A的基板相对面29接近被旋转卡盘5保持的基板W的上表面的接近位置与设置于接近位置的上方的退避位置之间升降。升降机构35在接近位置与退避位置之间的各个位置保持遮断板27A。
在升降机构35使相对构件26A下降时，遮断板27A以及轴喷嘴32被旋转基座24中的未图示的支撑部接受。并且，在支撑臂31侧和旋转轴28侧分离后，遮断板27A与旋转基座24的旋转同步地旋转。
如图3所例示，杯17相比被旋转卡盘5保持的基板W更靠外侧配置。杯17包围旋转基座24的周围。在旋转卡盘5使基板W旋转的状态下，在使处理液向基板W供给时，供给至基板W的处理液被甩向基板W的周围。在将处理液向基板W供给时，向上方打开的杯17的上端部17a相比旋转基座24更靠上方配置。因此，向基板W的周围排出的处理液(具体而言为药液、冲洗液、有机溶剂或疏水剂等)被杯17阻挡。然后，被杯17阻挡的处理液被送至回收装置或排液装置(在此未图示)等。
＜关于供给以及抽吸机构＞
图6是示意性地表示图3以及图4所例示的供给以及抽吸机构14的结构的例子的图。此外，供给以及抽吸机构15的结构、供给以及抽吸机构16的结构以及供给以及抽吸机构30的结构除了在各个结构中供给的处理液的种类以外，与图6所例示的结构相同。
如图6所例示，供给以及抽吸机构14具有与配管108的上游侧的端部连接的连接配管44、进一步与连接配管44连接的排液配管45、设置于排液配管45的阀51、与连接配管44的上游侧连接的药液配管46、设置于药液配管46的阀52、与连接配管44的上游侧连接的冲洗液配管47、设置于冲洗液配管47的阀53、设置于连接配管44的下游侧的配管108的阀50、从阀50的下游侧的配管108分支的抽吸配管48、设置于抽吸配管48的调节阀54、进一步与抽吸配管48连接的抽吸装置55、进一步与连接配管44连接的抽吸配管49、设置于抽吸配管49的阀56、进一步与抽吸配管49连接的抽吸装置57。此外，排液配管45与机器外部的排液设备连接。另外，抽吸装置55以及抽吸装置57可以是具有任意一方的情况。
抽吸装置55是虹吸式的抽吸装置。在此，虹吸式的抽吸装置是如下装置：用液体充满配管(抽吸配管48)内，利用虹吸的原理对配管108内的液体进行抽吸(排液)。根据虹吸式的抽吸装置，与真空产生器或吸气器等喷射式的抽吸装置相比，能够抑制用于抽吸的能量消耗。
抽吸装置57是喷射式的抽吸装置。喷射式的抽吸装置与虹吸式的抽吸装置相比，抽吸力强(抽吸速度快)，另外，能够抽吸的液流量多。
在其他阀关闭的状态下，若打开阀52以及阀50，则从药液配管46向配管108供给药液，从喷嘴8的喷出口朝向下方喷出药液。
另外，在其他阀关闭的状态下，若打开阀52以及阀51，则从药液配管46向排液配管45供给药液。由此，能够对药液配管46内的药液进行排液(废弃)。
另外，在其他阀关闭的状态下，若打开阀53以及阀50，则从阀53向配管108供给冲洗液，从喷嘴8的喷出口朝向下方喷出冲洗液。
另外，在其他阀关闭的状态下，若打开阀53以及阀51，则从阀53向排液配管45供给冲洗液。由此，能够对冲洗液配管47内的冲洗液进行排液(废弃)。
在抽吸装置55的动作状态下，若打开调节阀54，则抽吸装置55的动作变为有效，抽吸配管48的内部被抽吸。由此，包含于喷嘴8、配管108以及抽吸配管48的处理液(药液或冲洗液)被引入抽吸配管48。此外，抽吸装置55的抽吸力比较弱，因此，其抽吸速度比较慢。
另外，抽吸装置57例如始终为动作状态。另外，也可以通过阀动作开始抽吸。在抽吸装置57的动作状态下，若打开阀56，则抽吸装置57的动作变为有效，抽吸配管49的内部被抽吸。由此，包含于抽吸配管49、连接配管44、配管108以及喷嘴8的处理液(药液或冲洗液)被引入抽吸配管49。此外，抽吸装置57的抽吸力比抽吸装置55的情况强，因此，其抽吸速度比抽吸装置55的情况快。
＜关于基板处理装置的动作＞
接着，一边参照图7至图10一边说明本实施方式的基板处理装置的动作。在此，图7、图8、图9以及图10是用于说明基板处理装置的动作中特别是供给以及抽吸机构14以及供给以及抽吸机构15的动作的示意图。
本实施方式的基板处理装置的基板处理方法具有：对向处理单元UTa搬运的基板W进行药液处理的工序、对进行了药液处理的基板W进行清洗处理的工序、对进行了清洗处理的基板W进行干燥处理的工序、将进行了干燥处理的基板W从处理单元UTa搬出的工序。下面，对上述的基板处理装置的动作所包含的药液处理进行更详细的说明。
首先，如图7所例示，通过控制部90的控制使图6所示的阀50以及阀52打开，经由配管108供给药液200。这样一来，从喷嘴8的喷出口向基板W喷出药液200。
接着，如图8所例示，通过控制部90的控制使图6所示的阀50以及阀53打开，经由配管108供给冲洗液201。这样一来，从喷嘴8的喷出口向基板W喷出冲洗液201。喷出冲洗液201的时间例如为10秒以上且30秒以下。
接着，如图9所例示，停止冲洗液201的喷出，并且通过控制部90的控制使图6所示的阀50以及阀56打开，将抽吸配管49、连接配管44、配管108以及喷嘴8所包含的药液或冲洗液引入抽吸配管49。此时，由基板W和遮断板27A包围的密闭空间中的药液200以及冲洗液201的环境气体也能够经由位于基板W的上方的喷嘴8的喷出口被引入抽吸配管49。进行抽吸动作的时间例如为10秒以上且30秒以下。此外，抽吸动作例如也可以在由传感器等测量抽吸量而抽吸量超过了阈值的时刻结束。另外，通过使调节阀54一并打开，也可以将配管108以及喷嘴8所包含的药液200或冲洗液201引入抽吸配管48。
另一方面，如图9所例示，通过控制部90的控制使对应的阀打开，从而经由配管110供给冲洗液202。这样一来，从喷嘴10的喷出口向基板W喷出冲洗液202。此外，冲洗液202可以是与冲洗液201相同种类的液体，也可以是与冲洗液201不同种类的液体。另外，由基板W和遮断板27A包围的密闭空间中的冲洗液202的环境气体能够与上述同样地经由喷嘴8的喷出口被引入抽吸配管49。
接着，在喷嘴8中的抽吸动作被停止后，如图10所例示，通过控制部90的控制使对应的阀打开，从而经由配管110供给药液203。这样一来，从喷嘴10的喷出口向基板W喷出药液203。
根据以上方式，在经由喷嘴8的药液200等的抽吸动作被停止后，开始从喷嘴10供给药液203，因此，能够抑制由基板W和遮断板27A包围的密闭空间中的药液203的环境气体被抽吸至喷嘴8内以及配管108内。由此，能够充分地抑制药液200和药液203在喷嘴8内以及配管108内混合。
另外，在喷嘴8以及喷嘴10中，通过按照时间顺序进行冲洗液的喷出，能够在喷嘴8中的抽吸动作之前以及抽吸动作期间喷出冲洗液，因此，能够使残存于基板W的上表面的药液200的量减少，并且能够清洗基板W的上表面，而且，能够通过在基板W的上表面形成冲洗液的液膜来抑制基板W的污染。
此外，冲洗液也可以从与喷嘴8以及喷嘴10不同的其他喷嘴(例如，喷嘴12或喷嘴13)喷出。在该情况下，需要在各个喷嘴中进行抽吸动作，但期望在上述的其他喷嘴中的抽吸动作也被停止后，开始经由喷嘴10供给药液203。这是由于在药液203被抽吸至喷出冲洗液的喷嘴内的情况下，在后续的工序中从该喷嘴喷出其他药液时也会产生药液的混合。
在此，在本实施方式的基板处理方法中，若在喷嘴8中的抽吸动作被停止后开始经由喷嘴10供给药液203，则经由喷嘴8的冲洗液201的供给以及经由喷嘴10的冲洗液202的供给也可以都不进行。但是，通过在进行喷嘴8中的抽吸动作期间进行上述的冲洗液的供给，能够清洗基板W的上表面，另外，通过在基板W的上表面形成冲洗液的液膜，能够抑制基板W的污染。
通过上述方式，喷嘴8中的抽吸动作在进行冲洗液的供给的期间结束，即，优选喷嘴8中的抽吸动作比冲洗液的供给动作先结束。
另外，也可以进行经由喷嘴8的冲洗液201的供给以及经由喷嘴10的冲洗液202的供给中的任一方。
另外，在使用疏水剂作为药液的情况下，不能使疏水剂与纯水等冲洗液混合，因此，在抽吸作为药液的疏水剂的期间，使疏水剂在基板W浸置，同时，用非活性气体(N2)置换基板W上的环境气体。然后，在作为药液的疏水剂的抽吸停止后，开始其他药液的喷出。
＜第二实施方式＞
对本实施方式的基板处理方法以及基板处理装置进行说明。此外，在以下的说明中，对与在以上记载的实施方式中说明的结构构件相同的结构构件标注相同的附图标记来进行图示，并适当省略其详细的说明。
＜关于基板处理装置的结构＞
图11是示意性地表示本实施方式的处理单元UT的结构的例子的图。处理单元UT中的各个结构的动作由控制部90控制。另外，图12是示意性地表示相对构件26的结构的例子的剖视图。
处理单元UT具有腔室80、旋转卡盘5、配管108、配管110、配管112、配管113、配管121、供给以及抽吸机构14、供给以及抽吸机构15、供给以及抽吸机构16、供给以及抽吸机构30、非活性气体供给源36、以及杯17。
另外，处理单元UT具有与被旋转卡盘5保持的基板W的上表面相对的相对构件26。图13是表示相对构件26的例子的仰视图。
相对构件26具有遮断板27、以及能够与遮断板27一体旋转的旋转轴28。遮断板27是具有与基板W大致相同的直径或比基板的直径大的直径的圆板状的结构。遮断板27在其下表面具有与基板W的上表面整个区域相对的由圆形的平坦面构成的基板相对面29。在基板相对面29的中央部形成有将遮断板27沿上下贯通的圆筒状的贯通孔132。
旋转轴28能够以通过遮断板27的中心且在铅垂方向上延伸的旋转轴线A2为中心旋转。此外，旋转轴线A2与基板W的旋转轴线A1一致。旋转轴28为圆筒状。旋转轴28的内部空间与遮断板27的贯通孔132连通。旋转轴28被在遮断板27的上方水平地延伸的支撑臂31支撑为能够相对旋转。在本实施方式中，支撑臂31至少在上下方向(铅垂方向)上能够移动。
在贯通孔132的内部设置有沿遮断板27的旋转轴线A2在上下方向上延伸的轴喷嘴32。在轴喷嘴32的壳体33内配置有在上下方向(铅垂方向)上延伸的喷嘴8、喷嘴10、喷嘴12、喷嘴13以及喷嘴21。壳体33在贯通孔132的内部以与遮断板27以及旋转轴28非接触的状态配置。
在遮断板27上结合有包括电动马达等的旋转机构34。旋转机构34使遮断板27以及旋转轴28相对于支撑臂31以旋转轴线A2为中心旋转。
在支撑臂31上结合有包括电动马达或滚珠丝杠等的升降机构35。升降机构35使相对构件26、喷嘴8、喷嘴10、喷嘴12、喷嘴13以及喷嘴21与支撑臂31一起在铅垂方向上升降。升降机构35使遮断板27、喷嘴8、喷嘴10、喷嘴12、喷嘴13以及喷嘴21在遮断板27的基板相对面29接近被旋转卡盘5保持的基板W的上表面的接近位置与设置于接近位置的上方的退避位置之间升降。升降机构35在接近位置与退避位置之间的各个位置保持遮断板27。
＜关于基板处理装置的动作＞
接着，对本实施方式的基板处理装置的动作进行说明。本实施方式的基板处理装置的基板处理方法具有：对向处理单元UT搬运的基板W进行药液处理的工序、对进行了药液处理的基板W进行清洗处理的工序、对进行了清洗处理的基板W进行干燥处理的工序、将进行了干燥处理的基板W从处理单元UT搬出的工序。
上述的药液处理与第一实施方式所示的情况同样，首先，通过控制部90的控制使图6所示的阀50以及阀52打开，经由配管108供给药液200(但是，配管108与相对构件26连接)。这样一来，从喷嘴8的喷出口向基板W喷出药液200。
接着，通过控制部90的控制使图6所示的阀50以及阀53打开，经由配管108供给冲洗液201。这样一来，从喷嘴8的喷出口向基板W喷出冲洗液201。
接着，通过控制部90的控制使图6所示的阀50以及阀56打开，将抽吸配管49、连接配管44、配管108以及喷嘴8所包含的药液或冲洗液引入抽吸配管49。此时，由基板W和遮断板27包围的密闭空间中的药液200以及冲洗液201的环境气体也能够经由喷嘴8的喷出口被引入抽吸配管49。此外，通过使调节阀54一并打开，也可以将配管108以及喷嘴8所包含的药液或冲洗液引入抽吸配管48。
另一方面，通过控制部90的控制使对应的阀打开，从而经由配管110供给冲洗液202。这样一来，从喷嘴10的喷出口向基板W喷出冲洗液202。此外，由基板W和遮断板27包围的密闭空间中的冲洗液202的环境气体能够与上述同样地经由喷嘴8的喷出口被引入抽吸配管49。
接着，在喷嘴8中的抽吸动作被停止后，通过控制部90的控制使对应的阀打开，从而经由配管110供给药液203。这样一来，从喷嘴10的喷出口向基板W喷出药液203。
根据以上方式，在经由喷嘴8的药液200等的抽吸动作被停止后，开始从喷嘴10供给药液203，因此，能够抑制由基板W和遮断板27包围的密闭空间中的药液203的环境气体被抽吸至喷嘴8内以及配管108内。由此，能够充分地抑制药液200和药液203在喷嘴8内以及配管108内混合。
在此，在本实施方式的基板处理方法中，若在喷嘴8中的抽吸动作被停止后开始经由喷嘴10供给药液203，则经由喷嘴8的冲洗液201的供给以及经由喷嘴10的冲洗液202的供给也可以都不进行。但是，通过在进行喷嘴8中的抽吸动作期间进行上述的冲洗液的供给，能够清洗基板W的上表面，另外，通过在基板W的上表面形成冲洗液的液膜，能够抑制基板W的污染。
通过上述方式，喷嘴8中的抽吸动作在进行冲洗液的供给的期间结束，即，优选喷嘴8中的抽吸动作比冲洗液的供给动作先结束。
另外，也可以进行经由喷嘴8的冲洗液201的供给以及经由喷嘴10的冲洗液202的供给中的任一方。
＜第三实施方式＞
对本实施方式的基板处理方法以及基板处理装置进行说明。此外，在以下的说明中，对与在以上记载的实施方式中说明的结构构件相同的结构构件标注相同的附图标记来进行图示，并适当省略其详细的说明。
＜关于基板处理装置的结构＞
图14是示意性地表示本实施方式的处理单元UTb的结构的例子的图。处理单元UTb中的各个结构的动作由控制部90控制。
处理单元UTb具有腔室80、旋转卡盘5、供给以及抽吸机构14、供给以及抽吸机构15、供给以及抽吸机构16、供给以及抽吸机构30、供给以及抽吸机构38、供给以及抽吸机构39、非活性气体供给源36、以及杯17。
另外，处理单元UTb具有与被旋转卡盘5保持的基板W的上表面相对的相对构件26。
相对构件26具有遮断板27、以及能够与遮断板27一体旋转的旋转轴28。遮断板27在其下表面具有与基板W的上表面整个区域相对的由圆形的平坦面构成的基板相对面29。在基板相对面29的中央部形成有将遮断板27沿上下贯通的圆筒状的贯通孔132。
旋转轴28能够以通过遮断板27的中心且在铅垂方向上延伸的旋转轴线A2为中心旋转。旋转轴28被在遮断板27的上方水平地延伸的支撑臂31支撑为能够相对旋转。
在贯通孔132的内部设置有沿遮断板27的旋转轴线A2在上下方向上延伸的轴喷嘴32。
在遮断板27上结合有包括电动马达等的旋转机构34。旋转机构34使遮断板27以及旋转轴28相对于支撑臂31以旋转轴线A2为中心旋转。
升降机构35使遮断板27在遮断板27的基板相对面29接近被旋转卡盘5保持的基板W的上表面的接近位置与设置于接近位置的上方的退避位置之间升降。此外，在图14中，遮断板27位于上述中的退避位置。
喷嘴400以及喷嘴402分别与基板W的上表面相对地配置于基板W的上方。供给以及抽吸机构38向配管401以及喷嘴400选择性地供给例如碱性的药液以及冲洗液，并且抽吸配管401内以及喷嘴400内的该药液以及该冲洗液。供给以及抽吸机构39向配管403以及喷嘴402选择性地供给例如酸性的药液以及冲洗液，并且抽吸配管403内以及喷嘴402内的该药液以及该冲洗液。喷嘴400以及喷嘴402分别构成为能够在与基板W的上表面相对的处理位置(向基板W喷出处理液的位置)和退避位置(从基板W的上方退避的位置)之间摆动。
＜关于供给以及抽吸机构＞
图15是示意性地表示图14所例示的供给以及抽吸机构38的结构的例子的图。此外，供给以及抽吸机构39的结构除了供给的处理液的种类以外，与图15所例示的结构相同。
如图15所例示，供给以及抽吸机构38具有与配管401的上游侧的端部连接的连接配管44、进一步与连接配管44连接的排液配管45、设置于排液配管45的阀51、与连接配管44的上游侧连接的药液配管46、设置于药液配管46的阀52、与连接配管44的上游侧连接的冲洗液配管47、设置于冲洗液配管47的阀53、设置于连接配管44的下游侧的配管401的阀50、从阀50的下游侧的配管401分支的抽吸配管48、设置于抽吸配管48的调节阀54、进一步与抽吸配管48连接的抽吸装置55、进一步与连接配管44连接的抽吸配管49、设置于抽吸配管49的阀56、进一步与抽吸配管49连接的抽吸装置57。此外，排液配管45与机器外部的排液设备连接。另外，抽吸装置55以及抽吸装置57可以是具有任意一方的情况。
在其他阀关闭的状态下，若打开阀52以及阀50，则从药液配管46向配管401供给药液，从喷嘴400的喷出口朝向下方喷出药液。
另外，在其他阀关闭的状态下，若打开阀52以及阀51，则从药液配管46向排液配管45供给药液。由此，能够对药液配管46内的药液进行排液(废弃)。
另外，在其他阀关闭的状态下，若打开阀53以及阀50，则从阀53向配管401供给冲洗液，从喷嘴400的喷出口朝向下方喷出冲洗液。
另外，在其他阀关闭的状态下，若打开阀53以及阀51，则从阀53向排液配管45供给冲洗液。由此，能够对冲洗液配管47内的冲洗液进行排液(废弃)。
在抽吸装置55的动作状态下，若打开调节阀54，则抽吸装置55的动作变为有效，抽吸配管48的内部被抽吸。由此，包含于配管401、喷嘴400以及抽吸配管48的处理液(药液或冲洗液)被引入抽吸配管48。此外，抽吸装置55的抽吸力比较弱，因此，其抽吸速度比较慢。
另外，抽吸装置57例如始终为动作状态。另外，也可以通过阀动作开始抽吸。在抽吸装置57的动作状态下，若打开阀56，则抽吸装置57的动作变为有效，抽吸配管49的内部被抽吸。由此，包含于抽吸配管49、连接配管44、配管401以及喷嘴400的处理液(药液或冲洗液)被引入抽吸配管49。此外，抽吸装置57的抽吸力比抽吸装置55的情况强，因此，其抽吸速度比抽吸装置55的情况快。
＜关于基板处理装置的动作＞
接着，一边参照图16至图19一边说明本实施方式的基板处理装置的动作。在此，图16、图17、图18以及图19是用于说明基板处理装置的动作中特别是供给以及抽吸机构38以及供给以及抽吸机构39的动作的示意图。
本实施方式的基板处理装置的基板处理方法具有：对向处理单元UTb搬运的基板W进行药液处理的工序、对进行了药液处理的基板W进行清洗处理的工序、对进行了清洗处理的基板W进行干燥处理的工序、将进行了干燥处理的基板W从处理单元UTb搬出的工序。
在上述的药液处理中，首先，如图16所例示，通过控制部90的控制使图15所示的阀50以及阀52打开，经由配管401供给药液200。这样一来，从喷嘴400的喷出口向基板W喷出药液200。
接着，如图17所例示，通过控制部90的控制使图15所示的阀50以及阀53打开，经由配管401供给冲洗液201。这样一来，从喷嘴400的喷出口向基板W喷出冲洗液201。
接着，如图18所例示，停止冲洗液201的喷出，并且通过控制部90的控制使图15所示的阀50以及阀56打开，将抽吸配管49、连接配管44、配管401以及喷嘴400所包含的药液或冲洗液引入抽吸配管49。此时，腔室80内的药液200以及冲洗液201的环境气体也能够经由喷嘴400的喷出口被引入抽吸配管49。此外，通过使调节阀54一并打开，也可以将配管401以及喷嘴400所包含的药液200或冲洗液201引入抽吸配管48。
另一方面，如图18所例示，通过控制部90的控制使对应的阀打开，从而经由配管403供给冲洗液202。这样一来，从喷嘴402的喷出口向基板W喷出冲洗液202。此外，腔室80内的冲洗液202的环境气体能够与上述同样地经由喷嘴400的喷出口被引入抽吸配管49。
接着，在喷嘴400中的抽吸动作被停止后，如图19所例示，通过控制部90的控制使对应的阀打开，从而经由喷嘴402供给药液203。这样一来，从喷嘴402的喷出口向基板W喷出药液203。
在此，在本实施方式的基板处理方法中，若在喷嘴400中的抽吸动作被停止后开始经由喷嘴402供给药液203，则经由喷嘴400的冲洗液201的供给以及经由喷嘴402的冲洗液202的供给也可以都不进行。但是，通过在进行喷嘴400中的抽吸动作期间进行上述的冲洗液的供给，能够清洗基板W的上表面，另外，通过在基板W的上表面形成冲洗液的液膜，能够抑制基板W的污染。
另外，也可以进行经由喷嘴400的冲洗液201的供给以及经由喷嘴402的冲洗液202的供给中的任一方。
根据以上方式，在经由喷嘴400的药液200等的抽吸动作被停止后，开始从喷嘴402供给药液203，因此，能够抑制腔室80内的药液203的环境气体被抽吸至喷嘴400内以及配管401内。由此，能够充分地抑制药液200和药液203在喷嘴400内以及配管401内混合。
＜第四实施方式＞
对本实施方式的基板处理方法以及基板处理装置进行说明。此外，在以下的说明中，对与在以上记载的实施方式中说明的结构构件相同的结构构件标注相同的附图标记来进行图示，并适当省略其详细的说明。
＜关于基板处理装置的结构＞
图20是示意性地表示本实施方式的处理单元UTc的结构的例子的图。处理单元UTc中的各个结构的动作由控制部90控制。
处理单元UTc具有腔室80、旋转卡盘5、连接有用于朝向被旋转卡盘5保持的基板W的上表面的中央部喷出处理液的喷嘴310的配管320、连接有用于朝向被旋转卡盘5保持的基板W的上表面的中央部喷出处理液的喷嘴312的配管322、连接有用于朝向被旋转卡盘5保持的基板W的上表面的中央部喷出处理液的喷嘴314的配管324、连接有用于朝向被旋转卡盘5保持的基板W的上表面的中央部喷出处理液的喷嘴316的配管326、用于向配管320选择性地供给例如碱性的药液以及冲洗液并且抽吸喷嘴310内以及配管320内的该药液以及该冲洗液的供给以及抽吸机构330、用于向配管322选择性地供给例如酸性的药液以及冲洗液并且抽吸喷嘴312内以及配管322内的该药液以及该冲洗液的供给以及抽吸机构332、用于向配管324供给例如IPA(异丙醇)等有机溶剂并且抽吸喷嘴314内以及配管324内的该有机溶剂的供给以及抽吸机构334、用于向配管326供给例如其他药液并且抽吸喷嘴316内以及配管326内的该药液的供给以及抽吸机构336、一体地支撑喷嘴310、喷嘴312、喷嘴314以及喷嘴316的支撑部302、支撑部302安装于端部的喷嘴臂300、以及杯17。
喷嘴臂300具有臂部300A、轴体300B、以及促动器300C。促动器300C调整轴体300B的绕轴的角度。臂部300A的一侧的端部固定于轴体300B，臂部300A的另一侧的端部与轴体300B的轴分离地配置。另外，在臂部300A的另一侧的端部安装有支撑部302。通过这样的方式，支撑部302构成为在基板W的半径方向上能够在处理位置(向基板W喷出处理液的位置)与退避位置(从基板W的上方退避的位置)之间摆动。此外，由摆动带来的支撑部302的移动方向具有基板W的半径方向的成分即可，无需与基板W的半径方向严格地平行。在此，喷嘴臂300通过未图示的马达等在铅垂方向上能够升降。在该情况下，通过喷嘴臂300的升降能够调整安装于喷嘴臂300的端部的支撑部302与基板W的上表面之间的距离。
在基板W的上方，被支撑部302一体地支撑的喷嘴310、喷嘴312、喷嘴314以及喷嘴316分别与基板W的上表面相对地配置。供给以及抽吸机构330向配管320以及喷嘴310选择性地供给例如碱性的药液以及冲洗液，并且抽吸配管320内以及喷嘴310内的该药液以及该冲洗液。供给以及抽吸机构332向配管322以及喷嘴312选择性地供给例如酸性的药液以及冲洗液，并且抽吸配管322内以及喷嘴312内的该药液以及该冲洗液。
＜关于供给以及抽吸机构＞
图21是示意性地表示图20所例示的供给以及抽吸机构330的结构的例子的图。此外，供给以及抽吸机构332、供给以及抽吸机构334以及供给以及抽吸机构336的结构除了供给的处理液的种类以外，与图21所例示的结构相同。
如图21所例示，供给以及抽吸机构330具有与配管320的上游侧的端部连接的连接配管44、进一步与连接配管44连接的排液配管45、设置于排液配管45的阀51、与连接配管44的上游侧连接的药液配管46、设置于药液配管46的阀52、与连接配管44的上游侧连接的冲洗液配管47、设置于冲洗液配管47的阀53、设置于连接配管44的下游侧的配管320的阀50、从阀50的下游侧的配管320分支的抽吸配管48、设置于抽吸配管48的调节阀54、进一步与抽吸配管48连接的抽吸装置55、进一步与连接配管44连接的抽吸配管49、设置于抽吸配管49的阀56、进一步与抽吸配管49连接的抽吸装置57。此外，排液配管45与机器外部的排液设备连接。另外，抽吸装置55以及抽吸装置57可以是具有任意一方的情况。
在其他阀关闭的状态下，若打开阀52以及阀50，则从药液配管46向配管320供给药液，从喷嘴310的喷出口朝向下方喷出药液。
另外，在其他阀关闭的状态下，若打开阀52以及阀51，则从药液配管46向排液配管45供给药液。由此，能够对药液配管46内的药液进行排液(废弃)。
另外，在其他阀关闭的状态下，若打开阀53以及阀50，则从阀53向配管320供给冲洗液，从喷嘴310的喷出口朝向下方喷出冲洗液。
另外，在其他阀关闭的状态下，若打开阀53以及阀51，则从阀53向排液配管45供给冲洗液。由此，能够对冲洗液配管47内的冲洗液进行排液(废弃)。
在抽吸装置55的动作状态下，若打开调节阀54，则抽吸装置55的动作变为有效，抽吸配管48的内部被抽吸。由此，包含于配管320、喷嘴310以及抽吸配管48的处理液(药液或冲洗液)被引入抽吸配管48。此外，抽吸装置55的抽吸力比较弱，因此，其抽吸速度比较慢。
另外，抽吸装置57例如始终为动作状态。另外，也可以通过阀动作开始抽吸。在抽吸装置57的动作状态下，若打开阀56，则抽吸装置57的动作变为有效，抽吸配管49的内部被抽吸。由此，包含于抽吸配管49、连接配管44、配管320以及喷嘴310的处理液(药液或冲洗液)被引入抽吸配管49。此外，抽吸装置57的抽吸力比抽吸装置55的情况强，因此，其抽吸速度比抽吸装置55的情况快。
＜关于基板处理装置的动作＞
接着，一边参照图22至图25一边说明本实施方式的基板处理装置的动作。在此，图22、图23、图24以及图25是用于说明基板处理装置的动作中特别是从喷嘴310以及喷嘴312供给处理液的动作的示意图。
本实施方式的基板处理装置的基板处理方法具有：对向处理单元UTc搬运的基板W进行药液处理的工序、对进行了药液处理的基板W进行清洗处理的工序、对进行了清洗处理的基板W进行干燥处理的工序、将进行了干燥处理的基板W从处理单元UTc搬出的工序。
在上述的药液处理中，首先，如图22所例示，通过控制部90的控制使图21所示的阀50以及阀52打开，经由配管320供给药液200。这样一来，从喷嘴310的喷出口向基板W喷出药液200。
接着，如图23所例示，通过控制部90的控制使图21所示的阀50以及阀53打开，经由配管320供给冲洗液201。这样一来，从喷嘴310的喷出口向基板W喷出冲洗液201。
接着，如图24所例示，停止冲洗液201的喷出，并且通过控制部90的控制使图21所示的阀50以及阀56打开，将抽吸配管49、连接配管44、配管320以及喷嘴310所包含的药液或冲洗液引入抽吸配管49。此时，腔室80内的药液200以及冲洗液201的环境气体也能够经由喷嘴310的喷出口被引入抽吸配管49。此外，通过使调节阀54一并打开，也可以将配管320以及喷嘴310所包含的药液200或冲洗液201引入抽吸配管48。
另一方面，如图24所例示，通过控制部90的控制使对应的阀打开，从而经由配管322供给冲洗液202。这样一来，从喷嘴312的喷出口向基板W喷出冲洗液202。此外，腔室80内的冲洗液202的环境气体能够与上述同样地经由喷嘴310的喷出口被引入抽吸配管49。
接着，在喷嘴310中的抽吸动作被停止后，如图25所例示，通过控制部90的控制使对应的阀打开，从而经由喷嘴312供给药液203。这样一来，从喷嘴312的喷出口向基板W喷出药液203。
在此，在本实施方式的基板处理方法中，若在喷嘴310中的抽吸动作被停止后开始经由喷嘴312供给药液203，则经由喷嘴310的冲洗液201的供给以及经由喷嘴312的冲洗液202的供给也可以都不进行。但是，通过在进行喷嘴310中的抽吸动作期间进行上述的冲洗液的供给，能够清洗基板W的上表面，另外，通过在基板W的上表面形成冲洗液的液膜，能够抑制基板W的污染。
另外，也可以进行经由喷嘴310的冲洗液201的供给以及经由喷嘴312的冲洗液202的供给中的任一方。
根据以上方式，在经由喷嘴310的药液200等的抽吸动作被停止后，开始从位于喷嘴310的附近的喷嘴312供给药液203，因此，能够抑制腔室80内的药液203的环境气体被抽吸至喷嘴310内以及配管320内。由此，在喷嘴310内以及配管320内，能够充分地抑制药液200和药液203混合。
＜关于由以上记载的实施方式产生的效果＞
接着，示出了由以上记载的实施方式产生的效果的例子。并且，在以下的说明中，根据在以上记载的实施方式中例示的具体的结构描述该效果，但是在产生相同效果的范围内，可以与本申请说明书中例示出的其他具体的结构进行置换。
另外，该置换也可以跨多个实施方式进行。即，也可以是将在不同的实施方式中示出的各结构组合而产生同样的效果的情况。
根据以上记载的实施方式，在基板处理方法中，从第一喷嘴向基板W喷出第一药液。在此，第一喷嘴是与例如喷嘴8、喷嘴310以及喷嘴400等中任一个相对应的喷嘴(以下，为了便于说明，有时对应地记载它们中的任一个)。另外，第一药液是与例如药液200等相对应的药液。并且，在喷出药液200后，抽吸喷嘴8内的液体(例如，药液200或冲洗液201等)。然后，在停止喷嘴8内的液体的抽吸后，从第二喷嘴向基板W喷出与药液200不同的第二药液。在此，第二喷嘴是与例如喷嘴10、喷嘴312以及喷嘴402等中的任一个对应的喷嘴(以下，为了便于说明，有时对应地记载它们中的任一个)。另外，第二药液是与例如药液203等对应的药液。
根据这样的结构，在经由喷嘴8的药液200等的抽吸动作停止后，开始从喷嘴10供给药液203。因此，能够抑制药液203的环境气体被抽吸至喷嘴8内。由此，能够充分地抑制药液200和药液203在喷嘴8内混合。其结果，无需为了避免在多个喷嘴之间喷出的药液彼此的混触等而预先将喷嘴彼此分离地配置。即，能够提高喷嘴配置的自由度。
此外，在上述的结构适当地追加本申请说明书中例示的其他结构的情况下，即，适当地追加未被提及为上述的结构的本申请说明书中的其他结构的情况下，也可以产生相同的效果。
另外，在没有特别限制的情况下，可以改变进行各个处理的顺序。
另外，根据以上记载的实施方式，在基板处理方法中，在喷出药液200之后且在喷出药液203之前，向基板W喷出冲洗液201或冲洗液202。根据这样的结构，通过在进行喷嘴8中的抽吸动作期间进行冲洗液201或冲洗液202的供给，能够清洗基板W的上表面，另外，通过在基板W的上表面形成冲洗液的液膜，能够抑制基板W的污染。
另外，根据以上记载的实施方式，抽吸喷嘴8内的液体的工序比喷出冲洗液201或冲洗液202的工序先结束。根据这样的结构，在基板W的上表面形成冲洗液的液膜的期间，能够使抽吸喷嘴8内的液体的工序结束。由此，能够抑制基板W的污染。
另外，根据以上记载的实施方式，在抽吸喷嘴8内的液体的工序之前，从喷嘴8喷出冲洗液201。根据这样的结构，能够抽吸在进行基板W的上表面以及喷嘴8内的清洗后残留的药液200，因此，能够使残留的药液200的量减少。
另外，根据以上记载的实施方式，在抽吸喷嘴8内的液体的工序的期间，从喷嘴10喷出冲洗液202。根据这样的结构，通过在进行喷嘴8中的抽吸动作的期间进行经由喷嘴10的冲洗液202的供给，能够清洗基板W的上表面，另外，通过在基板W的上表面形成冲洗液的液膜，能够抑制基板W的污染。
另外，根据以上记载的实施方式，喷出冲洗液的工序在喷嘴8以及喷嘴10双方按时间顺序进行。根据这样的结构，能够在喷嘴8中的抽吸动作之前以及抽吸动作期间喷出冲洗液，因此，既能够使残留的药液200的量减少，又能够清洗基板W的上表面，而且，通过在基板W的上表面形成冲洗液的液膜，还能够抑制基板W的污染。
另外，根据以上记载的实施方式，药液200以及药液203中的一方是酸性的液体，另一方是碱性的液体。根据这样的结构，能够抑制药液间的混合(混触)即禁止混触。
另外，根据以上记载的实施方式，冲洗液201或冲洗液202是水(DIW)。根据这样的结构，能够有效地清洗喷嘴内以及基板W的上表面。
另外，根据以上记载的实施方式，喷嘴8以及喷嘴10共同设置于与基板W相对地配置的遮断板27(或遮断板27A)的中央部。根据这样的结构，容易经由喷嘴8的喷出口抽吸基板W与遮断板27(或遮断板27A)之间的(密闭)空间中的药液200的环境气体以及药液203的环境气体，但由于在停止经由喷嘴8的药液200等的抽吸动作之后，开始从喷嘴10供给药液203，因此，能够抑制药液203的环境气体被抽吸至喷嘴8内。
另外，根据以上记载的实施方式，喷嘴8以及喷嘴10(或喷嘴310以及喷嘴312)相互配置在附近。根据这样的结构，容易经由喷嘴8的喷出口抽吸药液200的环境气体以及经由位于附近的喷嘴10喷出的药液203的环境气体，但由于在经由喷嘴8的药液200等的抽吸动作停止后，开始从喷嘴10供给药液203，因此，能够抑制药液203的环境气体被抽吸至喷嘴8内。
根据以上记载的实施方式，基板处理装置具有喷嘴8、供给以及抽吸机构14、喷嘴10。喷嘴8向基板W喷出药液200。在喷出药液200之后，供给以及抽吸机构14抽吸喷嘴8内的液体。在喷嘴8内的液体的抽吸停止后，喷嘴10向基板W喷出与药液200不同的药液203。
根据这样的结构，在经由喷嘴8的药液200等的抽吸动作停止后，开始从喷嘴10供给药液203。因此，能够抑制药液203的环境气体被抽吸至喷嘴8内。由此，能够充分地抑制药液200和药液203在喷嘴8内混合。其结果，无需为了避免在多个喷嘴之间喷出的药液彼此的混触等而预先将喷嘴彼此分离地配置。即，能够提高喷嘴配置的自由度。
另外，在上述的结构适当地追加本申请说明书中例示的其他结构的情况下，即，适当地追加未被提及为上述的结构的本申请说明书中的其他结构的情况下，也可以产生相同的效果。
＜关于以上记载的实施方式的变形例＞
在以上记载的实施方式中，也有记载关于各个结构构件的尺寸、形状、相对配置关系或者实施的条件等的情况，但这些是所有的局面中的一个例子而已，并不局限于在本申请说明书中记载的内容。
因此，在本申请说明书中公开的技术范围内可以假定未例示的无数的变形例和等同物。例如，包括对至少一个结构构件进行变形的情况，追加的情况或者省略的情况，还包括提取至少一个实施方式中的至少一个结构构件并与其他实施方式中的结构构件组合的情况。
另外，在以上记载的实施方式中，在没有特别指定而记载了材料名等的情况下，只要不产生矛盾，则设为在该材料中包含其他添加物，例如包含合金等。
另外，只要不产生矛盾，在以上记载的实施方式中记载为具有“一个”的结构构件也可以具有“一个以上”。
而且，以上记载的实施方式中的各个结构构件是概念性的单位，在本说明书中公开的技术的范围内，包括一个结构构件由多个结构物构成的情况、一个结构构件对应于某一结构物的一部分的情况、以及多个结构构件设置于一个结构物的情况。
另外，以上记载的实施方式中的各个结构构件只要发挥相同的功能，则包括具有其他结构或形状的结构物。

Claims (12)

1.一种基板处理方法，其中，
具有：
从第一喷嘴向基板喷出第一药液的工序；
在喷出所述第一药液之后，抽吸所述第一喷嘴内的液体的工序；以及
在所述第一喷嘴内的所述液体的抽吸停止之后，从第二喷嘴向所述基板喷出与所述第一药液不同的第二药液的工序。
2.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，
所述基板处理方法还具有：在喷出所述第一药液之后且在喷出所述第二药液之前，向所述基板喷出冲洗液的工序。
3.如权利要求2所述的基板处理方法，其中，
抽吸所述第一喷嘴内的所述液体的工序比喷出所述冲洗液的工序先结束。
4.如权利要求2或3所述的基板处理方法，其中，
在抽吸所述第一喷嘴内的所述液体的工序之前，从所述第一喷嘴喷出所述冲洗液。
5.如权利要求2或3所述的基板处理方法，其中，
在抽吸所述第一喷嘴内的所述液体的工序的期间，从所述第二喷嘴喷出所述冲洗液。
6.如权利要求2或3所述的基板处理方法，其中，
喷出所述冲洗液的工序在所述第一喷嘴以及所述第二喷嘴双方按时间顺序进行。
7.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
所述第一药液以及所述第二药液中的一方是酸性的液体，另一方是碱性的液体。
8.如权利要求2或3所述的基板处理方法，其中，
所述冲洗液是水。
9.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
所述第一喷嘴以及所述第二喷嘴共同设置于与所述基板相对地配置的遮断板的中央部。
10.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
所述第一喷嘴和所述第二喷嘴相互配置在附近。
11.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
抽吸所述第一喷嘴内的液体的工序在所述基板的上方进行。
12.一种基板处理装置，其中，
具有：
第一喷嘴，向基板喷出第一药液；
抽吸机构，在喷出所述第一药液之后，抽吸所述第一喷嘴内的液体；以及
第二喷嘴，在所述第一喷嘴内的所述液体的抽吸停止后，向所述基板喷出与所述第一药液不同的第二药液。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201613016A (en) * 2014-08-15 2016-04-01 Screen Holdings Co Ltd Substrate treatment apparatus, and substrate treatment method
CN109155247A (zh) * 2016-05-25 2019-01-04 株式会社斯库林集团 基板处理装置及基板处理方法
CN109564860A (zh) * 2016-09-21 2019-04-02 株式会社斯库林集团 基板处理装置以及基板处理方法
WO2019208589A1 (ja) * 2018-04-25 2019-10-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理方法、遅延期間設定方法およびプログラム

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6432824B2 (ja) 2014-08-15 2018-12-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201613016A (en) * 2014-08-15 2016-04-01 Screen Holdings Co Ltd Substrate treatment apparatus, and substrate treatment method
US20170154796A1 (en) * 2014-08-15 2017-06-01 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treatment apparatus, and substrate treatment method
CN109155247A (zh) * 2016-05-25 2019-01-04 株式会社斯库林集团 基板处理装置及基板处理方法
CN109564860A (zh) * 2016-09-21 2019-04-02 株式会社斯库林集团 基板处理装置以及基板处理方法
WO2019208589A1 (ja) * 2018-04-25 2019-10-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理方法、遅延期間設定方法およびプログラム
TW202010577A (zh) * 2018-04-25 2020-03-16 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置、基板處理方法、延遲期間設定方法及記錄媒體

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