TW202201515A - 基板處理方法以及基板處理裝置 - Google Patents

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安田周一
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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

本案說明書中所揭示的技術為用以在使用複數個藥液之基板處理中抑制藥液間的混合之技術。本案說明書中所揭示的技術的基板處理方法係具備下述步驟：從第一噴嘴對基板噴出第一藥液；在噴出第一藥液後，吸引第一噴嘴內的液體；以及在停止吸引第一噴嘴內的液體後，從第二噴嘴對基板噴出與第一藥液不同的第二藥液。

Description

基板處理方法以及基板處理裝置
本案說明書中所揭示的技術係有關於一種基板處理方法以及基板處理裝置。成為處理對象之基板係例如包括半導體晶圓、液晶顯示裝置用玻璃基板、有機EL(electroluminescence；電致發光)顯示裝置等平面顯示器(FPD；flat panel display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩(photomask)用玻璃基板、陶瓷基板、場發射顯示器(FED；field emission display)用基板或者太陽電池用基板等。
以往，在半導體基板(以下簡稱為「基板」)的製造步驟中，使用基板處理裝置對基板進行各種處理。
在基板處理中會有下述情形：雖然經由噴嘴對基板噴出一種或者複數種藥液，然而為了控制來自噴嘴的垂液等，進行用以吸引噴嘴內的藥液之吸引動作(參照例如專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2018-56550號公報。
[發明所欲解決之課題]
在以時間順序依序噴出複數種藥液之情形中，會有在用以吸引先前的藥液之吸引動作中吸引到後面的藥液(或者藥液的氛圍(atmosphere))之情形。在此種情形中，會有因為藥液間的混合(混合接觸)而產生微粒(particle)之情形，最終會有導致製品不良之問題。
本案說明書中所揭示的技術係有鑑於以上所說明的問題而研創，且為下述技術：用以在使用複數種藥液之基板處理中抑制藥液間的混合。 [用以解決課題之手段]
本案說明書中所揭示的技術的第一態樣為一種基板處理方法，係具備下述步驟：從第一噴嘴對基板噴出第一藥液；在噴出前述第一藥液後，吸引前述第一噴嘴內的液體；以及在停止吸引前述第一噴嘴內的前述液體後，從第二噴嘴對前述基板噴出與前述第一藥液不同的第二藥液。
本案說明書中所揭示的技術的第二態樣係與第一態樣關連，其中進一步具備下述步驟：在噴出前述第一藥液後且在噴出前述第二藥液前，對前述基板噴出清洗(rinse)液。
本案說明書中所揭示的技術的第三態樣係與第二態樣關連，其中用以吸引前述第一噴嘴內的前述液體之步驟係比用以噴出前述清洗液之步驟還先結束。
本案說明書中所揭示的技術的第四態樣係與第二態樣或者第三態樣關連，其中前述清洗液係在用以吸引前述第一噴嘴內的前述液體之步驟之前從前述第一噴嘴噴出。
本案說明書中所揭示的技術的第五態樣係與第二態樣至第四態樣中任一態樣關連，其中前述清洗液係在用以吸引前述第一噴嘴內的前述液體之步驟的期間從前述第二噴嘴噴出。
本案說明書中所揭示的技術的第六態樣係與第二態樣至第五態樣中任一態樣關連，其中用以噴出前述清洗液之步驟係在前述第一噴嘴以及前述第二噴嘴雙方以時間順序依序進行。
本案說明書中所揭示的技術的第七態樣係與第一態樣至第六態樣中任一態樣關連，其中前述第一藥液以及前述第二藥液的一方為酸性的液體且另一方為鹼性的液體。
本案說明書中所揭示的技術的第八態樣係與第二態樣至第六態樣中任一態樣關連，其中前述清洗液為水。
本案說明書中所揭示的技術的第九態樣係與第一態樣至第八態樣中任一態樣關連，其中前述第一噴嘴以及前述第二噴嘴係共通地設置於與前述基板對向地配置之阻隔板的中央部。
本案說明書中所揭示的技術的第十態樣係與第一態樣至第九態樣中任一態樣關連，其中前述第一噴嘴與前述第二噴嘴係彼此配置於附近。
本案說明書中所揭示的技術的第十一態樣係與第一態樣至第十態樣中任一態樣關連，其中用以吸引前述第一噴嘴內的液體之步驟係在前述基板的上方進行。
本案說明書中所揭示的技術的第十二態樣為一種基板處理裝置，係具備：第一噴嘴，係對基板噴出第一藥液；吸引機構，係在噴出前述第一藥液後，吸引前述第一噴嘴內的液體；以及第二噴嘴，係在停止吸引前述第一噴嘴內的前述液體後，對前述基板噴出與前述第一藥液不同的第二藥液。 [發明功效]
依據本案說明書中所揭示的技術的第一態樣至第十二態樣，在停止經由第一噴嘴的第一藥液的吸引動作後，開始從第二噴嘴供給第二藥液。因此，在第一噴嘴內吸引第二藥液的氛圍之情形被抑制。因此，在第一噴嘴內第一藥液與第二藥液混合之情形被充分地抑制。
此外，藉由以下所示的詳細的說明以及隨附圖式可更明瞭與本案說明書所揭示的技術關連之目的、特徵、態樣以及優點。
以下參照隨附的圖式說明實施形態。雖然在以下的實施形態中為了說明技術亦顯示了詳細的特徵等，然而這些詳細的特徵等僅為例示，這些詳細的特徵等並非全部皆是為了能夠實現實施形態所必須的特徵。
此外，圖式為概略性地顯示之圖，為了方便說明，在圖式中適當地將構成省略或者將構成簡化。此外，於不同的圖式分別顯示的構成等之大小以及位置的相互關係並未正確地記載，會適當地變更。此外，為了容易理解實施形態的內容，亦會有在非為剖視圖之俯視圖等圖式中附上陰影線之情形。
此外，在以下所示的說明中，於同樣的構成要素附上相同的元件符號來圖示，且這些構成要素的名稱以及功能皆視為相同。因此，會有為了避免重複而省略這些構成要素的詳細說明之情形。
此外，在以下所記載的說明中，在記載成「具備」、「包含」或者「具有」某個構成要素等之情形中，只要未特別說明則此種記載並非是將其他的構成要素的存在予以排除之排他式的表現。
此外，在以下所記載的說明中，即使在使用了「第一」或者「第二」等排序數字之情形中，這些用語亦為為了容易理解實施形態的內容而適宜使用的用語，而非是限定於這些排序數字所產生的順序等。
此外，在以下所記載的說明中，即使在使用了表示「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「表」或者「背」等特定的位置或者方向之用語的情形中，這些用語亦為為了容易理解實施形態的內容而適宜使用的用語，而與實際實施時的位置或者方向無關。
此外，在以下所記載的說明中，在記載成「…的上表面」或者「…的下表面」等之情形中，除了成為對象之構成要素的上表面本體或者下表面本體之外，亦包含了於成為對象之構成要素的上表面或者下表面形成有其他的構成要素之狀態。亦即，例如在記載成「設置於甲的上表面之乙」之情形中，亦不會妨礙於甲與乙之間夾著其他的構成要素的「丙」。
[第一實施形態] 以下，說明本實施形態的基板處理方法以及基板處理裝置。
[針對基板處理裝置的構成] 圖1係概略性地顯示實施形態的基板處理裝置1的構成的例子之俯視圖。基板處理裝置1係具備裝載埠(load port)LP、索引機器人(indexer robot)IR、中心機器人(center robot)CR、控制部90以及至少一個處理單元UTa(在圖1中為四個處理單元UTa)。
各個處理單元UTa係用以處理基板W(晶圓)。處理單元UTa為葉片式的裝置，能使用於基板處理。
此外，處理單元UTa係能具有腔室(chamber)80。在此情形中，藉由控制部90控制腔室80內的氛圍，藉此處理單元UTa係能進行期望的氛圍中的基板處理。
控制部90係能控制基板處理裝置1中的各個構成(後述的自轉夾具(spin chuck)5的自轉馬達(spin motor)22、旋轉機構34、升降機構35、供給及吸引機構14、供給及吸引機構15、供給及吸引機構16或者供給及吸引機構30等)的動作。承載器(carrier)C為用以收容基板W之收容器。此外，裝載埠LP為用以保持複數個承載器C之收容器保持機構。索引機器人IR係能在裝載埠LP與基板載置部PS之間搬運基板W。中心機器人CR係能在基板載置部PS與處理單元UTa之間搬運基板W。
藉由以上的構成，索引機器人IR、基板載置部PS以及中心機器人CR係作為用以在各個處理單元UTa與裝載埠LP之間搬運基板W之搬運機構而發揮作用。
未處理的基板W係被索引機器人IR從承載器C取出。接著，未處理的基板W係經由基板載置部PS被傳遞至中心機器人CR。
中心機器人CR係將該未處理的基板W搬入至處理單元UTa。接著，處理單元UTa係對基板W進行處理。
在處理單元UTa中處理完畢的基板W係被中心機器人CR從處理單元UTa取出。接著，處理完畢的基板W係因應需要經由其他的處理單元UTa後再經由基板載置部PS被傳遞至索引機器人IR。索引機器人IR係將處理完畢的基板W搬入至承載器C。藉由上述動作，對基板W進行處理。
圖2係概略性地顯示圖1的例子所示的控制部90的構成的例子之圖。控制部90亦可藉由具有電性電路之一般的電腦所構成。具體而言，控制部90係具備中央運算處理裝置(亦即CPU(central processing unit；中央處理單元))91、唯讀記憶體(ROM；read only memory)92、隨機存取記憶體(RAM；random access memory)93、記憶裝置94、輸入部96、顯示部97、通訊部98以及用以將這些構件相互地連接之匯流排線(bus line)95。
ROM92係儲存基本程式。RAM93係作為CPU91進行預定的處理時之作業區域來使用。記憶裝置94係藉由快閃記憶體(flash memory)或者硬碟裝置等之非揮發性記憶裝置所構成。輸入部96係藉由各種開關或者觸摸面板(touch panel)等所構成，且從作業員(operator)接收處理處方(processing recipe)等輸入設定指示。顯示部97係例如藉由液晶顯示裝置以及燈等所構成，且在CPU91的控制下顯示各種資訊。通訊部98係具有經由區域網路(LAN；local area network)等的資料通訊功能。
於記憶裝置94預先設定有複數個模式，該複數個模式係針對圖1的基板處理裝置1中的各個構成的控制。CPU91係執行處理程式94P，藉此選擇上述複數個模式中的一個模式並以該模式控制各個構成。此外，處理程式94P亦可記憶於記錄媒體。若使用此記錄媒體，能將處理程式94P裝載(install)至控制部90。此外，控制部90所執行的功能的一部分或者全部並不一定需要藉由軟體來實現，亦可藉由專用的邏輯電路等硬體來實現。
圖3係示意性地顯示本實施形態的處理單元UTa的構成的例子之圖。處理單元UTa中的各個構成的動作係被控制部90控制。此外，圖4係示意性地顯示對向構件26A的構成的例子之剖視圖。
處理單元UTa係具備：箱形的腔室80，係具有內部空間；自轉夾具5，係在腔室80內一邊以水平的姿勢保持一片基板W，一邊使基板W繞著通過基板W的中央部之鉛直的旋轉軸線旋轉；配管108，係連接有噴嘴8，噴嘴8係用以朝向被自轉夾具5保持的基板W的上表面的中央部噴出處理液；配管110，係連接有噴嘴10，噴嘴10係用以朝向被自轉夾具5保持的基板W的上表面的中央部噴出處理液；配管112，係連接有噴嘴12，噴嘴12係朝向被自轉夾具5保持的基板W的上表面的中央部噴出處理液；配管113，係連接有噴嘴13，噴嘴13係用以朝向被自轉夾具5保持的基板W的上表面的中央部噴出處理液；配管121，係連接有噴嘴21，噴嘴21係用以朝向被自轉夾具5保持的基板W的上表面的中央部噴出惰性氣體；供給及吸引機構14，係將例如鹼性的藥液以及清洗液選擇性地供給至配管108，且吸引噴嘴8內以及配管108內的該藥液以及該清洗液；供給及吸引機構15，係將例如酸性的藥液以及清洗液選擇性地供給至配管110，且吸引噴嘴10內以及配管110內的該藥液以及該清洗液；供給及吸引機構16，係將例如IPA(isopropyl alcohol；異丙醇)等有機溶劑供給至配管112，且吸引噴嘴12內以及配管112內的該有機溶劑；供給及吸引機構30，係將例如疏水化劑(SMT)供給至配管113，且吸引噴嘴13內以及配管113內的該疏水化劑；惰性氣體供給源36，係用以將惰性氣體供給至配管121；以及筒狀的罩(cup)17，係圍繞自轉夾具5。
上述噴嘴8、噴嘴10、噴嘴13、噴嘴12以及噴嘴21係彼此配置於附近。在此，所謂配置於附近係指：包含彼此配置於相同的腔室80內之情形，尤其是複數個噴嘴同時地配置於被自轉夾具5保持的基板W的上方之情形。
上述酸性的藥液係例如為HF(hydrofluoric acid；氫氟酸)、已經以純水將氫氟酸(HF)稀釋的稀釋氫氟酸(DHF；dilute hydrofluoric acid)、檸檬酸 (citric acid；亦稱為枸椽酸)、硫酸與過氧化氫水的混合溶液(SPM；sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture；硫酸過氧化氫混合液)等，於「藥液」亦包含藥液的氛圍。此外，鹼性的藥液係例如為氨(ammonia)與過氧化氫水的混合液(SC1；Standard clean-1；第一標準清洗液，亦即氨水過氧化氫水混和液(ammonia-hydrogen peroxide))、dNH4 OH、氫氧化四甲銨(TMAH；tetramethyl ammonium hydroxide)等，於「藥液」亦包含藥液的氛圍。此外，清洗液係例如為水，然而在本實施形態中水為純水(去離子水(DIW；deionized water))、碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水以及稀釋濃度(例如10ppm以上至100ppm以下)的氨水中的任一種。此外，於「清洗液」亦包含清洗液的氛圍。
此外，有機溶劑係除了IPA之外亦可為例如甲醇(methanole)、乙醇(ethanol)、丙酮(acetone)、EG(ethylene glycol；乙二醇)或者氫氟醚(hydrofluoroether)等。此外，作為有機溶劑，不僅是僅由單體成分所構成之情形，亦可為與其他的成分混合之液體。例如，亦可為IPA與丙酮的混合液，亦可為IPA與甲醇的混合液。此外，疏水化劑係可為矽系的疏水化劑，亦可為金屬系的疏水化劑。
此外，圖3以及圖4的例子所示的噴嘴的數量並非是限定性的，例如亦可進一步追加用以噴出藥液之噴嘴。
腔室80係具備：箱狀的隔壁18，係收容自轉夾5或者噴嘴等；風扇過濾器單元(FFU；fan filter unit)19，係將已藉由過濾器等過濾過的清淨空氣從隔壁18的上部輸送至隔壁18內；以及排氣導管20，係從隔壁18的下部將腔室80內的氣體排出。
自轉夾具5係具備：自轉馬達22；自轉軸(spin axis)23，係藉由自轉馬達22而驅動；以及圓板狀的自轉基座(spin base)24，係略水平地安裝於自轉軸23的上端。於自轉基座24的上表面的周緣部配置有複數個夾持構件25。複數個夾持構件25係隔著適當的間隔配置於基板W的周方向。
此外，自轉夾具5並未限定於夾持式的夾具，例如亦可為用以真空吸附基板W的背面之真空吸附式(亦即真空夾具)的夾具。
此外，處理單元UTa係具備：對向構件26A，係與被自轉夾具5保持的基板W的上表面對向。圖5係顯示對向構件26A的例子之仰視圖。
對向構件26A係具備：阻隔板27A；以及旋轉軸28，係能夠與阻隔板27A一體性地旋轉。阻隔板27A為具有比基板W還大的直徑之圓板狀的構成。於阻隔板27A的下表面具有：基板對向面29，係由圓形的平坦面所構成，並與基板W的上表面全域對向；以及環狀的爪部127，係在基板對向面29的周緣部中朝向下方突出。於基板對向面29的中央部形成有上下地貫通阻隔板27A之圓筒狀的貫通孔132。
旋轉軸28係通過阻隔板27A的中心，並能夠繞著於鉛直方向延伸的旋轉軸線A2旋轉。此外，旋轉軸線A2係與基板W的旋轉軸線A1一致。旋轉軸28為圓筒狀。旋轉軸28的內部空間係連通於阻隔板27A的貫通孔132。旋轉軸28係能夠相對旋轉地被支撐臂31支撐，支撐臂31係在阻隔板27A的上方水平地延伸。在本實施形態中，支撐臂31係能夠至少於上下方向(鉛直方向)移動。
於貫通孔132的內部設置有軸噴嘴32，軸噴嘴32係沿著阻隔板27A的旋轉軸線A2上下地延伸。於軸噴嘴32的罩殼(casing)33內配置有於上下方向(鉛直方向)延伸的噴嘴8、噴嘴10、噴嘴12、噴嘴13以及噴嘴21。罩殼33係在貫通孔132的內部中以與阻隔板27A以及旋轉軸28非接觸的狀態配置。
於阻隔板27A結合有包含電動馬達等之旋轉機構34。旋轉機構34係使阻隔板27A以及旋轉軸28相對於支撐臂31繞著旋轉軸線A2旋轉。
於支撐臂31結合有包含電動馬達或者滾珠螺桿(ball screw)等之升降機構35。升降機構35係將對向構件26A、噴嘴8、噴嘴10、噴嘴12、噴嘴13以及噴嘴21與支撐臂31一起於鉛直方向升降。升降機構35係使阻隔板27A、噴嘴8、噴嘴10、噴嘴12、噴嘴13以及噴嘴21在接近位置與退避位置之間升降，接近位置為阻隔板27A的基板對向面29接近被自轉夾具5保持的基板W的上表面之位置，退避位置為設置於接近位置的上方之位置。升降機構35係在接近位置與退避位置之間的各個位置保持阻隔板27A。
當升降機構35使對向構件26A下降時，阻隔板27A以及軸噴嘴32係被自轉基座24中的未圖示的支撐部接住。而且，在支撐臂31側與旋轉軸28側分離後，阻隔板27A係與自轉基座24的旋轉同步地旋轉。
如圖3的例子所示，罩17係配置於比被自轉夾具5保持的基板W還外側。罩17係圍繞自轉基座24的周圍。當在自轉夾具5使基板W旋轉的狀態下對基板W供給處理液時，被供給至基板W的處理液係被甩離至基板W的周圍。在對基板W供給處理液時，朝向上方開放的罩17的上端部17a係配置於比自轉基座24還上方。因此，被排出至基板W的周圍的處理液(具體而言為藥液、清洗液、有機溶劑或者疏水化劑等)係被罩17接住。而且，被罩17接住的處理液係被輸送至回收裝置或者排液裝置(在此未圖示)等。
[針對供給及吸引機構] 圖6係示意性地顯示圖3以及圖4的例子所示的供給及吸引機構14的構成的例子之圖。此外，供給及吸引機構15的構成、供給及吸引機構16的構成以及供給及吸引機構30的構成係除了以各個機構所供給的處理液的種類除外，與圖6的例子所示的構成相同。
如圖6的例子所示，供給及吸引機構14係具備：連接配管44，係連接於配管108的上游側的端部；排液配管45，係進一步地連接於連接配管44；閥51，係設置於排液配管45；藥液配管46，係連接於連接配管44的上游側；閥52，係設置於藥液配管46；清洗液配管47，係連接於連接配管44的上游側；閥53，係設置於清洗液配管47；閥50，係設置於比連接配管44還下游側的配管108；吸引配管48，係從比閥50還下游側的配管108分歧；調整閥54，係設置於吸引配管48；吸引裝置55，係進一步地連接於吸引配管48；吸引配管49，係進一步地連接於連接配管44；閥56，係設置於吸引配管49；以及吸引裝置57，係進一步地連接於吸引配管49。排液配管45係連接於機外的排液設備。此外，亦可為具備吸引裝置55以及吸引裝置57中的任一者。
吸引裝置55為虹吸(siphon)式的吸引裝置。在此，所謂虹吸式的吸引裝置係下述裝置：以液體填滿配管(吸引配管48)內，並利用虹吸的原理吸引(排液)配管108內的液體。與真空產生器或者吸引器(aspirator)等之抽氣器(ejector)式的吸引裝置相比，依據虹吸式的吸引裝置能抑制用以吸引的能量消耗。
吸引裝置57為抽氣器式的吸引裝置。與虹吸式的吸引裝置相比，抽氣器式的吸引裝置係吸引力強(吸引速度快)且能夠吸引的液流量多。
當在其他的閥關閉的狀態下閥52以及閥50打開時，從藥液配管46對配管108供給藥液，並從噴嘴8的噴出口朝向下方噴出藥液。
此外，當在其他的閥關閉的狀態下閥52以及閥51打開時，從藥液配管46對排液配管45供給藥液。藉此，能將藥液配管46內的藥液予以排液(廢棄)。
此外，當在其他的閥關閉的狀態下閥53以及閥50打開時，從閥53對配管108供給清洗液，並從噴嘴8的噴出口朝向下方噴出清洗液。
此外，當在其他的閥關閉的狀態下閥53以及閥51打開時，從閥53對排液配管45供給清洗液。藉此，能將清洗液配管47內的清洗液予以排液(廢棄)。
當在吸引裝置55的作動狀態中調整閥54打開時，吸引裝置55的動作變成有效，吸引配管48的內部被吸引。因此，噴嘴8、配管108以及吸引配管48所含有的處理液(藥液或者清洗液)係被引入至吸引配管48。此外，由於吸引裝置55的吸引力較弱，因此吸引裝置55的吸引速度係較慢。
此外，吸引裝置57係設定成例如常態作動狀態。此外，亦可藉由閥動作開始吸引。當在吸引裝置57的作動狀態中閥56打開時，吸引裝置57的動作係變成有效，吸引配管49的內部被吸引。因此，吸引配管49、連接配管44、配管108以及噴嘴8所含有的處理液(藥液或者清洗液)係被引入至吸引配管49。此外，由於與吸引裝置55的情形相比吸引裝置57的吸引力較強，因此與吸引裝置55的情形相比吸引裝置57的吸引速度較快。
[針對基板處理裝置的動作] 接著，一邊參照圖7至圖10一邊說明本實施形態的基板處理裝置的動作。在此，圖7、圖8、圖9以及圖10係用以說明基板處理裝置的動作中之尤其是供給及吸引機構14以及供給及吸引機構15的動作之示意圖。
本實施形態的基板處理裝置所為之基板處理方法係具備下述步驟：對已搬運至處理單元UTa的基板W進行藥液處理；對已進行了藥液處理的基板W進行洗淨處理；對已進行了洗淨處理的基板W進行乾燥處理；以及將已進行了乾燥處理的基板W從處理單元UTa搬出。以下，更詳細地說明上述基板處理裝置的動作所含有的藥液處理。
首先，如圖7的例子所示，藉由控制器90的控制將圖6所示的閥50以及閥52開放，經由配管108供給藥液200。如此，從噴嘴8的噴出口對基板W噴出藥液200。
接著，如圖8的例子所示，藉由控制部90的控制將圖6所示的閥50以及閥53開放，經由配管108供給清洗液201。如此，從噴嘴8的噴出口對基板W噴出清洗液201。噴出清洗液201的時間係例如為10秒以上至30秒以下。
接著，如圖9的例子所示，停止噴出清洗液201且藉由控制部90的控制將圖6所示的閥50以及閥56開放，將吸引配管49、連接配管44、配管108以及噴嘴8所含有的藥液或者清洗液朝吸引配管49引入。此時，被基板W與阻隔板27A圍繞的密閉空間中的藥液200以及清洗液201的氛圍亦會經由位於基板W的上方之噴嘴8的噴出口朝吸引配管49引入。進行吸引動作的時間係例如為10秒以上至30秒以下。此外，吸引動作的結束亦可例如為藉由感測器等測量吸引量並在吸引量超過臨限的時間點結束。此外，亦可一併開放調整閥54，藉此將配管108以及噴嘴8所含有的藥液200或者清洗液201朝吸引配管48引入。
另一方面，如圖9的例子所示，藉由控制部90的控制將對應的閥開放，經由配管110供給清洗液202。如此，從噴嘴10的噴出口對基板W噴出清洗液202。此外，清洗液202係可為與清洗液201相同種類的液體，亦可為不同種類的液體。此外，與上述同樣地，被基板W與阻隔板27A圍繞的密閉空間中的清洗液202的氛圍係會經由噴嘴8的噴出口朝吸引配管49引入。
接著，如圖10的例子所示，在停止噴嘴8中的引吸動作後，藉由控制部90的控制將對應的閥開放，經由配管110供給藥液203。如此，從噴嘴10的噴出口對基板W噴出藥液203。
依據上述，由於在停止經由噴嘴8的藥液200等之吸引動作後開始從噴嘴10供給藥液203，因此抑制被基板W與阻隔板27A圍繞的密閉空間中的藥液203的氛圍被吸引至噴嘴8內以及配管108內。因此，在噴嘴8內以及配管108內藥液200與藥液203混合之情形係被充分地抑制。
此外，在噴嘴8以及噴嘴10雙方中以時間順序依序進行清洗液的噴出，藉此能在噴嘴8中的吸引動作之前以及吸引動作之後噴出清洗液，因此能使殘存於基板W的上表面的藥液200的量減少並能洗淨基板W的上表面，且進一步地於基板W的上表面形成有清洗液的液膜，藉此能抑制基板W的污染。
此外，亦可藉由與噴嘴8以及噴嘴10不同的其他的噴嘴(例如噴嘴12或者噴嘴13)噴出清洗液。在此情形中，雖然需要在各個噴嘴中進行吸引動作，然而期望亦在停止上述其他的噴嘴中的吸引動作後開始經由噴嘴10供給藥液203。此原因在於：即使在藥液203被吸引至用以噴出清洗液之噴嘴內之情形中，在後續之步驟中從該噴嘴噴出其他的藥液時仍然會產生藥液的混合。
在此，在本實施形態的基板處理方法中，只要在停止噴嘴8中的吸引動作後開始經由噴嘴10供給藥液203，則亦可皆不進行經由噴嘴8供給清洗液201以及經由噴嘴10供給清洗液202。然而，藉由在進行噴嘴8中的吸引動作之期間進行上述清洗液的供給，除了能洗淨基板W的上表面之外還能藉由於基板W的上表面形成清洗液的液膜來抑制基板W的污染。
依據上述，期望噴嘴8中的吸引動作係在進行清洗液的供給之期間結束，亦即期望噴嘴8中的吸引動作係比清洗液的供給動作還先結束。
此外，亦可進行經由噴嘴8供給清洗液201以及經由噴嘴10供給清洗液202中的任一者。
此外，在使用疏水化劑作為藥液之情形中，由於無法使疏水化劑與純水等清洗液混合，因此在吸引作為藥液的疏水化劑之期間在基板W上預先攪拌(paddling)疏水化劑 ，同時以惰性氣體(氮氣(N2 ))置換基板W上的氛圍。而且，在停止吸引作為藥液的疏水化劑後，開始噴出其他的藥液。
[第二實施形態] 說明本實施形態的基板處理方法以及基板處理裝置。此外，在以下的說明中，針對在與以上所記載的實施形態中所說明的構成要素同樣的構成要素附上相同的元件符號來顯示，並適當地省略詳細的說明。
[針對基板處理裝置的構成] 圖11係示意性地顯示本實施形態的處理單元UT的構成的例子之圖。處理單元UT中的各個構成的動作係被控制部90控制。此外，圖12係示意性地顯示對向構件26的構成的例子之剖視圖。
處理單元UT係具備腔室80、自轉夾具5、配管108、配管110、配管112、配管113、配管121、供給及吸引機構14、供給及吸引機構15、供給及吸引機構16、供給及吸引機構30、惰性氣體供給源36以及罩17。
此外，處理單元UT係具備對向構件26，對向構件26係與被自轉夾具5保持的基板W的上表面對向。圖13係顯示對向構件26的例子之仰視圖。
對向構件26係具備：阻隔板27；以及旋轉軸28，係能夠與阻隔板27一體性地旋轉。阻隔板27為具有與基板W大致相同的直徑或者比基板W還大的直徑之圓板狀的構成。於阻隔板27的下表面具有：基板對向面29，係由圓形的平坦面所構成，並與基板W的上表面全域對向。於基板對向面29的中央部形成有上下地貫通阻隔板27之圓筒狀的貫通孔132。
旋轉軸28係通過阻隔板27的中心，並能夠繞著於鉛直方向延伸的旋轉軸線A2旋轉。此外，旋轉軸線A2係與基板W的旋轉軸線A1一致。旋轉軸28為圓筒狀。旋轉軸28的內部空間係連通於阻隔板27A的貫通孔132。旋轉軸28係能夠相對旋轉地被支撐臂31支撐，支撐臂31係在阻隔板27的上方水平地延伸。在本實施形態中，支撐臂31係能夠至少於上下方向(鉛直方向)移動。
於貫通孔132的內部設置有軸噴嘴32，軸噴嘴32係沿著阻隔板27的旋轉軸線A2上下地延伸。於軸噴嘴32的罩殼33內配置有於上下方向(鉛直方向)延伸的噴嘴8、噴嘴10、噴嘴12、噴嘴13以及噴嘴21。罩殼33係在貫通孔132的內部中以與阻隔板27以及旋轉軸28非接觸的狀態配置。
於阻隔板27結合有包含電動馬達等之旋轉機構34。旋轉機構34係使阻隔板27以及旋轉軸28相對於支撐臂31繞著旋轉軸線A2旋轉。
於支撐臂31結合有包含電動馬達或者滾珠螺桿等之升降機構35。升降機構35係將對向構件26、噴嘴8、噴嘴10、噴嘴12、噴嘴13以及噴嘴21與支撐臂31一起於鉛直方向升降。升降機構35係使阻隔板27、噴嘴8、噴嘴10、噴嘴12、噴嘴13以及噴嘴21在接近位置與退避位置之間升降，接近位置為阻隔板27的基板對向面29接近被自轉夾具5保持的基板W的上表面之位置，退避位置為設置於接近位置的上方之位置。升降機構35係在接近位置與退避位置之間的各個位置保持阻隔板27。
[針對基板處理裝置的動作] 接著，說明本實施形態的基板處理裝置的動作。本實施形態的基板處理裝置所為之基板處理方法係具備下述步驟：對已搬運至處理單元UT的基板W進行藥液處理；對已進行了藥液處理的基板W進行洗淨處理；對已進行了洗淨處理的基板W進行乾燥處理；以及將已進行了乾燥處理的基板W從處理單元UT搬出。
上述藥液處理係與第一實施形態所示的情形相同地，首先，藉由控制器90的控制將圖6所示的閥50以及閥52開放，經由配管108供給藥液200(然而，配管108係連接於對向構件26)。如此，從噴嘴8的噴出口對基板W噴出藥液200。
接著，藉由控制部90的控制將圖6所示的閥50以及閥53開放，經由配管108供給清洗液201。如此，從噴嘴8的噴出口對基板W噴出清洗液201。
接著，藉由控制部90的控制將圖6所示的閥50以及閥56開放，將吸引配管49、連接配管44、配管108以及噴嘴8所含有的藥液或者清洗液朝吸引配管49引入。此時，被基板W與阻隔板27圍繞的密閉空間中的藥液200以及清洗液201的氛圍亦會經由噴嘴8的噴出口朝吸引配管49引入。此外，亦可一併開放調整閥54，藉此將配管108以及噴嘴8所含有的藥液或者清洗液朝吸引配管48引入。
另一方面，藉由控制部90的控制將對應的閥開放，經由配管110供給清洗液202。如此，從噴嘴10的噴出口對基板W噴出清洗液202。此外，與上述同樣地，被基板W與阻隔板27圍繞的密閉空間中的清洗液202的氛圍係會經由噴嘴8的噴出口朝吸引配管49引入。
接著，在停止噴嘴8中的引吸動作後，藉由控制部90的控制將對應的閥開放，經由配管110供給藥液203。如此，從噴嘴10的噴出口對基板W噴出藥液203。
依據上述，由於在停止經由噴嘴8的藥液200等之吸引動作後開始從噴嘴10供給藥液203，因此抑制被基板W與阻隔板27圍繞的密閉空間中的藥液203的氛圍被吸引至噴嘴8內以及配管108內。因此，在噴嘴8內以及配管108內藥液200與藥液203混合之情形係被充分地抑制。
此外，在本實施形態的基板處理方法中，只要在停止噴嘴8中的吸引動作後開始經由噴嘴10供給藥液203，則亦可皆不進行經由噴嘴8供給清洗液201以及經由噴嘴10供給清洗液202。然而，在進行噴嘴8中的吸引動作之期間進行清洗液的供給，藉此能洗淨基板W的上表面，且進一步地於基板W的上表面形成有液膜，藉此能抑制基板W的污染。
依據上述，期望噴嘴8中的吸引動作係在進行清洗液的供給之期間結束，亦即期望噴嘴8中的吸引動作係比清洗液的供給動作還先結束。
此外，亦可進行經由噴嘴8供給清洗液201以及經由噴嘴10供給清洗液202中的任一者。
[第三實施形態] 說明本實施形態的基板處理方法以及基板處理裝置。此外，在以下的說明中，針對在與以上所記載的實施形態中所說明的構成要素同樣的構成要素附上相同的元件符號來顯示，並適當地省略詳細的說明。
[針對基板處理裝置的構成] 圖14係示意性地顯示本實施形態的處理單元UTb的構成的例子之圖。處理單元UTb中的各個構成的動作係被控制部90控制。
處理單元UTb係具備腔室80、自轉夾具5、供給及吸引機構14、供給及吸引機構15、供給及吸引機構16、供給及吸引機構30、供給及吸引機構38、供給及吸引機構39、惰性氣體供給源36以及罩17。
此外，處理單元UTb係具備對向構件26，對向構件26係與被自轉夾具5保持的基板W的上表面對向。
對向構件26係具備：阻隔板27；以及旋轉軸28，係能夠與阻隔板27一體性地旋轉。於阻隔板27的下表面具有：基板對向面29，係由圓形的平坦面所構成，並與基板W的上表面全域對向。於基板對向面29的中央部形成有上下地貫通阻隔板27之圓筒狀的貫通孔132。
旋轉軸28係通過阻隔板27的中心，並能夠繞著於鉛直方向延伸的旋轉軸線A2旋轉。旋轉軸28係能夠相對旋轉地被支撐臂31支撐，支撐臂31係在阻隔板27的上方水平地延伸。
於貫通孔132的內部設置有軸噴嘴32，軸噴嘴32係沿著阻隔板27的旋轉軸線A2上下地延伸。
於阻隔板27結合有包含電動馬達等之旋轉機構34。旋轉機構34係使阻隔板27以及旋轉軸28相對於支撐臂31繞著旋轉軸線A2旋轉。
升降機構35係使阻隔板27在接近位置與退避位置之間升降，接近位置為阻隔板27的基板對向面29接近被自轉夾具5保持的基板W的上表面之位置，退避位置為設置於接近位置的上方之位置。此外，在圖14中阻隔板27係位於上述說明中的退避位置。
在基板W的上方，噴嘴400以及噴嘴402係分別於基板W的上表面對向地配置。供給及吸引機構38係將例如鹼性的藥液以及清洗液選擇性地供給至配管401以及噴嘴400，且吸引配管401內以及噴嘴400內的該藥液以及該清洗液。供給及吸引機構39係將例如酸性的藥液以及清洗液選擇性地供給至配管403以及噴嘴402，且吸引配管403內以及噴嘴402內的該藥液以及該清洗液。噴嘴400以及噴嘴402係構成為能夠分別在與基板W的上表面對向之處理位置(對基板W噴出處理液之位置)與退避位置(從基板W的上方退避之位置)之間擺動。
[針對供給及吸引機構] 圖15係示意性地顯示圖14的例子所示的供給及吸引機構38的構成的例子之圖。此外，供給及吸引機構39的構成係除了所供給的處理液的種類除外亦與圖15的例子所示的構成同樣。
如圖15的例子所示，供給及吸引機構38係具備：連接配管44，係連接於配管401的上游側的端部；排液配管45，係進一步地連接於連接配管44；閥51，係設置於排液配管45；藥液配管46，係連接於連接配管44的上游側；閥52，係設置於藥液配管46；清洗液配管47，係連接於連接配管44的上游側；閥53，係設置於清洗液配管47；閥50，係設置於比連接配管44還下游側的配管401；吸引配管48，係從比閥50還下游側的配管401分歧；調整閥54，係設置於吸引配管48；吸引裝置55，係進一步地連接於吸引配管48；吸引配管49，係進一步地連接於連接配管44；閥56，係設置於吸引配管49；以及吸引裝置57，係進一步地連接於吸引配管49。此外，排液配管45係連接於機外的排液設備。此外，亦可為具備吸引裝置55以及吸引裝置57中的任一者之情形。
當在其他的閥關閉的狀態下閥52以及閥50打開時，從藥液配管46對配管401供給藥液，並從噴嘴400的噴出口朝向下方噴出藥液。
此外，當在其他的閥關閉的狀態下閥52以及閥51打開時，從藥液配管46對排液配管45供給藥液。藉此，能將藥液配管46內的藥液予以排液(廢棄)。
此外，當在其他的閥關閉的狀態下閥53以及閥50打開時，從閥53對配管401供給清洗液，並從噴嘴400的噴出口朝向下方噴出清洗液。
此外，當在其他的閥關閉的狀態下閥53以及閥51打開時，從閥53對排液配管45供給清洗液。藉此，能將清洗液配管47內的清洗液予以排液(廢棄)。
當在吸引裝置55的作動狀態中調整閥54打開時，吸引裝置55的動作變成有效，吸引配管48的內部被吸引。因此，配管401、噴嘴400以及吸引配管48所含有的處理液(藥液或者清洗液)係被引入至吸引配管48。此外，由於吸引裝置55的吸引力較弱，因此吸引裝置55的吸引速度係較慢。
此外，吸引裝置57係設定成例如常態作動狀態。此外，亦可藉由閥動作開始吸引。當在吸引裝置57的作動狀態中閥56打開時，吸引裝置57的動作係變成有效，吸引配管49的內部被吸引。因此，吸引配管49、連接配管44、配管401以及噴嘴400所含有的處理液(藥液或者清洗液)係被引入至吸引配管49。此外，由於與吸引裝置55的情形相比吸引裝置57的吸引力較強，因此與吸引裝置55的情形相比吸引裝置57的吸引速度較快。
[針對基板處理裝置的動作] 接著，一邊參照圖16至圖19一邊說明本實施形態的基板處理裝置的動作。在此，圖16、圖17、圖18以及圖19係用以說明基板處理裝置的動作中之尤其是供給及吸引機構38以及供給及吸引機構39的動作之示意圖。
本實施形態的基板處理裝置所為之基板處理方法係具備下述步驟：對已搬運至處理單元UTb的基板W進行藥液處理；對已進行了藥液處理的基板W進行洗淨處理；對已進行了洗淨處理的基板W進行乾燥處理；以及將已進行了乾燥處理的基板W從處理單元UTb搬出。
首先，如圖16的例子所示，在上述所說明的藥液處理中，藉由控制器90的控制將圖15所示的閥50以及閥52開放，經由配管401供給藥液200。如此，從噴嘴400的噴出口對基板W噴出藥液200。
接著，如圖17的例子所示，藉由控制部90的控制將圖15所示的閥50以及閥53開放，經由配管401供給清洗液201。如此，從噴嘴400的噴出口對基板W噴出清洗液201。
接著，如圖18的例子所示，停止噴出清洗液201且藉由控制部90的控制將圖15所示的閥50以及閥56開放，將吸引配管49、連接配管44、配管401以及噴嘴400所含有的藥液或者清洗液朝吸引配管49引入。此時，腔室80內的藥液200以及清洗液201的氛圍亦會經由噴嘴400的噴出口朝吸引配管49引入。此外，亦可一併開放調整閥54，藉此將配管401以及噴嘴400所含有的藥液200或者清洗液201朝吸引配管48引入。
另一方面，如圖18的例子所示，藉由控制部90的控制將對應的閥開放，經由配管403供給清洗液202。如此，從噴嘴402的噴出口對基板W噴出清洗液202。此外，與上述同樣地，腔室80內的清洗液202的氛圍係會經由噴嘴400的噴出口朝吸引配管49引入。
接著，如圖19的例子所示，在停止噴嘴400中的引吸動作後，藉由控制部90的控制將對應的閥開放，經由噴嘴402供給藥液203。如此，從噴嘴402的噴出口對基板W噴出藥液203。
在此，在本實施形態的基板處理方法中，只要在停止噴嘴400中的吸引動作後開始經由噴嘴402供給藥液203，則亦可皆不進行經由噴嘴400供給清洗液201以及經由噴嘴402供給清洗液202。然而，藉由在進行噴嘴400中的吸引動作之期間進行上述清洗液的供給，除了能洗淨基板W的上表面之外還能藉由於基板W的上表面形成液膜來抑制基板W的污染。
此外，亦可進行經由噴嘴400供給清洗液201以及經由噴嘴402供給清洗液202中的任一者。
依據上述，由於在停止經由噴嘴400的藥液200等之吸引動作後開始從噴嘴402供給藥液203，因此抑制腔室80內的藥液203的氛圍被吸引至噴嘴400內以及配管401內。因此，在噴嘴400內以及配管401內藥液200與藥液203混合之情形係被充分地抑制。
[第四實施形態] 說明本實施形態的基板處理方法以及基板處理裝置。此外，在以下的說明中，針對在與以上所記載的實施形態中所說明的構成要素同樣的構成要素附上相同的元件符號來顯示，並適當地省略詳細的說明。
[針對基板處理裝置的構成] 圖20係示意性地顯示本實施形態的處理單元UTc的構成的例子之圖。處理單元UTc中的各個構成的動作係被控制部90控制。
處理單元UTc係具備：腔室80；自轉夾具5；配管320，係連接有噴嘴310，噴嘴310係用以朝向被自轉夾具5保持的基板W的上表面的中央部噴出處理液；配管322，係連接有噴嘴312，噴嘴312係用以朝向被自轉夾具5保持的基板W的上表面的中央部噴出處理液；配管324，係連接有噴嘴314，噴嘴314係用以朝向被自轉夾具5保持的基板W的上表面的中央部噴出處理液；配管326，係連接有噴嘴316，噴嘴316係用以朝向被自轉夾具5保持的基板W的上表面的中央部噴出處理液；供給及吸引機構330，係用以將例如鹼性的藥液以及清洗液選擇性地供給至配管320，且吸引噴嘴310內以及配管320內的該藥液以及該清洗液；供給及吸引機構332，係用以將例如酸性的藥液以及清洗液選擇性地供給至配管322，且吸引噴嘴312內以及配管322內的該藥液以及該清洗液；供給及吸引機構334，係將例如異丙醇(IPA)等有機溶劑供給至配管324，且吸引噴嘴314內以及配管324內的該有機溶劑；供給及吸引機構336，係將例如其他的藥液供給至配管326，且吸引噴嘴316內以及配管326內的該有機溶劑；支撐部302，係一體性地支撐噴嘴310、噴嘴312、噴嘴314以及噴嘴316；噴嘴臂300，係於端部安裝有支撐部302；以及罩17。
噴嘴臂300係具備臂部300A、軸體300B以及致動器(actuator)300C。致動器300C係調整軸體300B繞著軸的角度。臂部300A的一方的端部係被固定於軸體300B，臂部300A的另一方的端部係配置成遠離軸體300B的軸。此外，於臂部300A的另一方的端部安裝有支撐部302。如此，支撐部302係能夠在處理位置(對基板W噴出處理液之位置)與退避位置(從基板W的上方退避之位置)之間於基板W的半徑方向擺動。此外，擺動所致使的支撐部302的移動方向只要具有基板W的半徑方向的成分即可，無須嚴格地與基板W的半徑方向平行。在此，噴嘴臂300亦可藉由未圖示的馬達等而能夠於鉛直方向升降。在此情形中，能夠藉由噴嘴臂300的升降來調整安裝於噴嘴臂300的端部的支撐部302與基板W的上表面之間的距離。
於基板W的上方，被支撐部302一體性地支撐的噴嘴310、噴嘴312、噴嘴314以及噴嘴316係分別與基板W的上表面對向地配置。供給及吸引機構330係將例如鹼性的藥液以及清洗液選擇性地供給至配管320以及噴嘴310，且吸引配管320內以及噴嘴310內的該藥液以及該清洗液。供給及吸引機構332係將例如酸性的藥液以及清洗液選擇性地供給至配管322以及噴嘴312，且吸引配管322內以及噴嘴312內的該藥液以及該清洗液。
[針對供給及吸引機構] 圖21係示意性地顯示圖20的例子所示的供給及吸引機構330的構成的例子之圖。此外，供給及吸引機構332、供給及吸引機構334、供給及吸引機構336的構成係除了所供給的處理液的種類除外亦與圖21的例子所示的構成同樣。
如圖21的例子所示，供給及吸引機構330係具備：連接配管44，係連接於配管320的上游側的端部；排液配管45，係進一步地連接於連接配管44；閥51，係設置於排液配管45；藥液配管46，係連接於連接配管44的上游側；閥52，係設置於藥液配管46；清洗液配管47，係連接於連接配管44的上游側；閥53，係設置於清洗液配管47；閥50，係設置於比連接配管44還下游側的配管320；吸引配管48，係從比閥50還下游側的配管320分歧；調整閥54，係設置於吸引配管48；吸引裝置55，係進一步地連接於吸引配管48；吸引配管49，係進一步地連接於連接配管44；閥56，係設置於吸引配管49；以及吸引裝置57，係進一步地連接於吸引配管49。此外，排液配管45係連接於機外的排液設備。此外，亦可為具備吸引裝置55以及吸引裝置57中的任一者之情形。
當在其他的閥關閉的狀態下閥52以及閥50打開時，從藥液配管46對配管320供給藥液，並從噴嘴310的噴出口朝向下方噴出藥液。
此外，當在其他的閥關閉的狀態下閥52以及閥51打開時，從藥液配管46對排液配管45供給藥液。藉此，能將藥液配管46內的藥液予以排液(廢棄)。
此外，當在其他的閥關閉的狀態下閥53以及閥50打開時，從閥53對配管320供給清洗液，並從噴嘴310的噴出口朝向下方噴出清洗液。
此外，當在其他的閥關閉的狀態下閥53以及閥51打開時，從閥53對排液配管45供給清洗液。藉此，能將清洗液配管47內的清洗液予以排液(廢棄)。
當在吸引裝置55的作動狀態中調整閥54打開時，吸引裝置55的動作變成有效，吸引配管48的內部被吸引。因此，配管320、噴嘴310以及吸引配管48所含有的處理液(藥液或者清洗液)係被引入至吸引配管48。此外，由於吸引裝置55的吸引力較弱，因此吸引裝置55的吸引速度係較慢。
此外，吸引裝置57係設定成例如常態作動狀態。此外，亦可藉由閥動作開始吸引。當在吸引裝置57的作動狀態中閥56打開時，吸引裝置57的動作係變成有效，吸引配管49的內部被吸引。因此，吸引配管49、連接配管44、配管320以及噴嘴310所含有的處理液(藥液或者清洗液)係被引入至吸引配管49。此外，由於與吸引裝置55的情形相比吸引裝置57的吸引力較強，因此與吸引裝置55的情形相比吸引裝置57的吸引速度較快。
[針對基板處理裝置的動作] 接著，一邊參照圖22至圖25一邊說明本實施形態的基板處理裝置的動作。在此，圖22、圖23、圖24以及圖25係用以說明基板處理裝置的動作中之尤其是從噴嘴310以及噴嘴312供給處理液的動作之示意圖。
本實施形態的基板處理裝置所為之基板處理方法係具備下述步驟：對已搬運至處理單元UTc的基板W進行藥液處理；對已進行了藥液處理的基板W進行洗淨處理；對已進行了洗淨處理的基板W進行乾燥處理；以及將已進行了乾燥處理的基板W從處理單元UTc搬出。
首先，如圖22的例子所示，在上述所說明的藥液處理中，藉由控制器90的控制將圖21所示的閥50以及閥52開放，經由配管320供給藥液200。如此，從噴嘴310的噴出口對基板W噴出藥液200。
接著，如圖23的例子所示，藉由控制部90的控制將圖21所示的閥50以及閥53開放，經由配管320供給清洗液201。如此，從噴嘴310的噴出口對基板W噴出清洗液201。
接著，如圖24的例子所示，停止噴出清洗液201且藉由控制部90的控制將圖21所示的閥50以及閥56開放，將吸引配管49、連接配管44、配管320以及噴嘴310所含有的藥液或者清洗液朝吸引配管49引入。此時，腔室80內的藥液200以及清洗液201的氛圍亦會經由噴嘴310的噴出口朝吸引配管49引入。此外，亦可一併開放調整閥54，藉此將配管320以及噴嘴310所含有的藥液200或者清洗液201朝吸引配管48引入。
另一方面，如圖24的例子所示，藉由控制部90的控制將對應的閥開放，經由配管322供給清洗液202。如此，從噴嘴312的噴出口對基板W噴出清洗液202。此外，與上述同樣地，腔室80內的清洗液202的氛圍係會經由噴嘴310的噴出口朝吸引配管49引入。
接著，如圖25的例子所示，在停止噴嘴310中的引吸動作後，藉由控制部90的控制將對應的閥開放，經由噴嘴312供給藥液203。如此，從噴嘴312的噴出口對基板W噴出藥液203。
在此，在本實施形態的基板處理方法中，只要在停止噴嘴310中的吸引動作後開始經由噴嘴312供給藥液203，則亦可皆不進行經由噴嘴310供給清洗液201以及經由噴嘴312供給清洗液202。然而，藉由在進行噴嘴310中的吸引動作之期間進行上述清洗液的供給，除了能洗淨基板W的上表面之外還能藉由於基板W的上表面形成液膜來抑制基板W的污染。
此外，亦可進行經由噴嘴310供給清洗液201以及經由噴嘴312供給清洗液202中的任一者。
依據上述，由於在停止經由噴嘴310的藥液200等之吸引動作後開始從位於噴嘴310附近的噴嘴312供給藥液203，因此抑制腔室80內的藥液203的氛圍被吸引至噴嘴310內以及配管320內。因此，在噴嘴310內以及配管320內藥液200與藥液203混合之情形係被充分地抑制。
[針對藉由以上所記載的實施形態所產生的功效] 接著，顯示藉由以上所說明的實施形態所產生的功效的例子。此外，在以下的說明中，雖然依據以上所說明的實施形態的例子所示的具體性的構成記載了該功效，然而亦可在產生同樣的功效的範圍內與本發明說明書的例子所示的其他的具體性的構成置換。
此外，該置換亦可跨越複數個實施形態。亦即，亦可有組合在不同的實施形態中的例子所示的各個構成來產生同樣的功效之情形。
依據以上所記載的實施形態，在基板處理方法中從第一噴嘴對基板W噴出第一藥液。在此，第一噴嘴係與例如噴嘴8、噴嘴310以及噴嘴400等中的任一者對應(以下為了方便說明，會有使這些噴嘴中的其中一個噴嘴對應地記載之情形)。此外，第一藥液係例如與藥液200等對應。而且，在噴出藥液200後，吸引噴嘴8內的液體(例如藥液200或者清洗液201等)。而且，在停止吸引噴嘴8內的液體後，從第二噴嘴對基板W噴出與藥液200不同的第二藥液。在此，第二噴嘴係與例如噴嘴10、噴嘴312以及噴嘴402等中的任一者對應(以下為了方便說明，會有使這些噴嘴中的其中一個噴嘴對應地記載之情形)。此外，第二藥液係例如與藥液203等對應。
依據此種構成，停止經由噴嘴8吸引藥液200等的吸引動作後，開始從噴嘴10供給藥液203。因此，抑制藥液203的氛圍被吸引至噴嘴8內。因此，在噴嘴8內藥液200與藥液203混合之情形被充分地抑制。結果，變成無須下述情形：為了避免複數個噴嘴間所噴出的藥液彼此的混合接觸等，預先將噴嘴彼此分離地配置。亦即，噴嘴配置的自由度提升。
此外，在於上述構成適當地追加了本發明說明書的例子所示的其他的構成之情形中，亦即在適當地追加了上述構成所未言及的本發明說明書中的其他的構成之情形中，亦能產生同樣的功效。
此外，在沒有特別限制的情形中，進行各種處理之順序係能變更。
此外，依據以上所記載的實施形態，在基板處理方法中，在噴出藥液200後且在噴出藥液203前，對基板W噴出清洗液201或者清洗液202。依據此種構成，藉由在進行噴嘴8中的吸引動作之期間進行清洗液201或者清洗液202的供給，除了能洗淨基板W的上表面之外還能藉由於基板W的上表面形成清洗液的液膜來抑制基板W的污染。
此外，依據以上所記載的實施形態，用以吸引噴嘴8內的液體之步驟係比用以噴出清洗液201或者清洗液202之步驟還先結束。依據此種構成，能在於基板W的上表面形成有清洗液的液膜之期間使用以吸引噴嘴8內的液體之步驟結束。因此，能抑制基板W的污染。
此外，依據以上所記載的實施形態，在用以吸引噴嘴8內的液體之步驟之前，從噴嘴8噴出清洗液201。依據此種構成，由於能在進行了基板W的上表面以及噴嘴8內的洗淨後吸引殘存的藥液200，因此能使殘存的藥液200的量減少。
此外，依據以上所記載的實施形態，在用以吸引噴嘴8內的液體之步驟的期間，從噴嘴10噴出清洗液202。依據此種構成，藉由在進行噴嘴8中的吸引動作的期間進行經由噴嘴10供給清洗液202，除了能洗淨基板W的上表面之外還能藉由於基板W的上表面形成清洗液的液膜來抑制基板W的污染。
此外，依據以上所記載的實施形態，用以噴出清洗液之步驟係在噴嘴8以及噴嘴10雙方中以時間順序依序進行。依據此種構成，由於能在噴嘴8中的吸引動作之前以及吸引動作的期間噴出清洗液，因此能使殘存的藥液200的量減少並能洗淨基板W的上表面，且進一步地於基板W的上表面形成有清洗液的液膜，藉此能抑制基板W的污染。
此外，依據以上所記載的實施形態，藥液200以及藥液203的一方為酸性的液體且另一方為鹼性的液體。依據此種構成，能抑制禁止混合接觸的藥液間的混合(混合接觸)。
此外，依據以上所記載的實施形態，清洗液201或者清洗液202為水(DIW)。依據此種構成，能有效地洗淨噴嘴內以及基板W的上表面。
此外，依據以上所記載的實施形態，噴嘴8以及噴嘴10係共通地設置於與基板W對向地配置之阻隔板27(或者阻隔板27A)的中央部。依據此種構成，雖然變得容易經由噴嘴8的噴出口吸引基板W與阻隔板27(或者阻隔板27A)之間的(密閉)空間中的藥液200的氛圍且進一步地吸引藥液203的氛圍，然而由於在停止經由噴嘴8吸引藥液200等之吸引動作後開始從噴嘴10供給藥液203，因此抑制藥液203的氛圍被吸引至噴嘴8內。
此外，依據以上所記載的實施形態，噴嘴8以及噴嘴10(或者噴嘴310以及噴嘴312)係彼此配置於附近。依據此種構成，雖然變得容易經由噴嘴8的噴出口吸引藥液200的氛圍且進一步地吸引從位於附近的噴嘴10噴出的藥液203的氛圍，然而由於在停止經由噴嘴8吸引藥液200等之吸引動作後開始從噴嘴10供給藥液203，因此抑制藥液203的氛圍被吸引至噴嘴8內。
此外，依據以上所記載的實施形態，在基板處理裝置中具備噴嘴8、供給及吸引機構14以及噴嘴10。噴嘴8係對基板W噴出藥液200。供給及吸引機構14係在噴出藥液200後吸引噴嘴8內的液體。噴嘴10係在停止吸引噴嘴8內的液體後，對基板W噴出與藥液200不同的藥液203。
依據此種構成，停止經由噴嘴8吸引藥液200等的吸引動作後，開始從噴嘴10供給藥液203。因此，抑制藥液203的氛圍被吸引至噴嘴8內。因此，在噴嘴8內藥液200與藥液203混合之情形被充分地抑制。結果，變成無須下述情形：為了避免複數個噴嘴間所噴出的藥液彼此的混合接觸等，預先將噴嘴彼此分離地配置。亦即，噴嘴配置的自由度提升。
此外，在於上述構成適當地追加了本發明說明書的例子所示的其他的構成之情形中，亦即在適當地追加了上述構成所未言及的本發明說明書中的其他的構成之情形中，亦能產生同樣的功效。
[針對以上所記載的實施形態的變化例] 雖然在以上所記載的實施形態中亦會有針對各個構成要素的尺寸、形狀、相對性的配置關係或者實施的條件等記載之情形，然而這些所有的實施形態僅為一個例子，並非是限定性的事項。
因此，在本發明說明書所揭示的技術的範圍內假想未顯示例子的無數個變化例以及均等物。例如包含下述情形：在將至少一個構成要素變化之情形；追加或者省略至少一個構成要素之情形；抽出至少一個實施形態中的至少一個構成要素並與其他的實施形態中的構成要素組合之情形。
此外，在以上所記載的實施形態中未特別指定地記載有材料名稱等之情形中，只要未產生矛盾則亦包含於該材料包含有其他的添加物之情形，例如於該材料包含有合金等。
此外，只要未產生矛盾，則在以上所記載的實施形態中記載成具備「一個」構成要素亦可具備「一個以上」。
再者，於以上所記載的實施形態中的各個構成要素係概念性的單元，於本發明所說明所揭示的技術的範圍內包含下述情形：一個構成要素由複數個構造物所構成之情形；一個構成要素係與某個構造物的一部分對應之情形；一個構造物具備有複數個構成要素之情形。
此外，只要發揮相同的功能，亦可於以上所記載的實施形態中的各個構成要素包含具有其他的構造或者形狀之構造物。
1:基板處理裝置 5:自轉夾具 8,10,12,13,21,310,312,314,316,400,402:噴嘴 14,15,16,30,38,39,330,332,334,336:供給及吸引機構 17:罩 17a:上端部 18:隔壁 19:風扇過濾器單元 20:排氣導管 22:自轉馬達 23:自轉軸 24:自轉基座 25:夾持構件 26,26A:對向構件 27,27A:阻隔板 28:旋轉軸 29:基板對向面 31:支撐臂 32:軸噴嘴 33:罩殼 34:旋轉機構 35:升降機構 36:惰性氣體供給源 44:連接配管 45:排液配管 46:藥液配管 47:清洗液配管 48,49:吸引配管 50,51,52,53,56:閥 54:調整閥 55,57:吸引裝置 80:腔室 90:控制部 91:CPU 92:ROM 93:RAM 94:記憶裝置 94P:處理程式 95:匯流排線 96:輸入部 97:顯示部 98:通訊部 108,110,112,113,121,320,322,324,326,401,403:配管 127:爪部 132:貫通孔 200,203:藥液 201,202:清洗液 300:噴嘴臂 300A:臂部 300B:軸部 300C:致動器 302:支撐部 A1,A2:旋轉軸線 C:承載器 CR:中心機器人 IR:索引機器人 LP:裝載埠 PS:基板載置部 UT,UTa,UTb,UTc:處理單元 W:基板
[圖1]係概略性地顯示實施形態的基板處理裝置的構成的例子之俯視圖。 [圖2]係概念性地顯示圖1的例子所示的控制部的構成的例子之圖。 [圖3]係示意性地顯示實施形態的處理單元的構成的例子之圖。 [圖4]係示意性地顯示對向構件的構成的例子之剖視圖。 [圖5]係顯示對向構件的例子之仰視圖。 [圖6]係示意性地顯示圖3以及圖4的例子所示的供給及吸引機構的構成的例子之圖。 [圖7]係用以說明基板處理裝置的動作中之尤其是供給及吸引機構的動作之示意圖。 [圖8]係用以說明基板處理裝置的動作中之尤其是供給及吸引機構的動作之示意圖。 [圖9]係用以說明基板處理裝置的動作中之尤其是供給及吸引機構的動作之示意圖。 [圖10]係用以說明基板處理裝置的動作中之尤其是供給及吸引機構的動作之示意圖。 [圖11]係示意性地顯示實施形態的處理單元的構成的例子之圖。 [圖12]係示意性地顯示對向構件的構成的例子之剖視圖。 [圖13]係顯示對向構件的例子之仰視圖。 [圖14]係示意性地顯示實施形態的處理單元的構成的例子之圖。 [圖15]係示意性地顯示圖14的例子所示的供給及吸引機構的構成的例子之圖。 [圖16]係用以說明基板處理裝置的動作中之尤其是供給及吸引機構的動作之示意圖。 [圖17]係用以說明基板處理裝置的動作中之尤其是供給及吸引機構的動作之示意圖。 [圖18]係用以說明基板處理裝置的動作中之尤其是供給及吸引機構的動作之示意圖。 [圖19]係用以說明基板處理裝置的動作中之尤其是供給及吸引機構的動作之示意圖。 [圖20]係示意性地顯示實施形態的處理單元的構成的例子之圖。 [圖21]係示意性地顯示圖20的例子所示的供給及吸引機構的構成的例子之圖。 [圖22]係用以說明基板處理裝置的動作中之尤其是從噴嘴供給處理液的動作之示意圖。 [圖23]係用以說明基板處理裝置的動作中之尤其是從噴嘴供給處理液的動作之示意圖。 [圖24]係用以說明基板處理裝置的動作中之尤其是從噴嘴供給處理液的動作之示意圖。 [圖25]係用以說明基板處理裝置的動作中之尤其是從噴嘴供給處理液的動作之示意圖。
5:自轉夾具
8,10:噴嘴
14,15:供給及吸引機構
24:自轉基座
25:夾持構件
26A:對向構件
27A:阻隔板
28:旋轉軸
108,110:配管
127:爪部
203:藥液
W:基板

Claims (12)

  1. 一種基板處理方法，係具備下述步驟： 從第一噴嘴對基板噴出第一藥液； 在噴出前述第一藥液後，吸引前述第一噴嘴內的液體；以及 在停止吸引前述第一噴嘴內的前述液體後，從第二噴嘴對前述基板噴出與前述第一藥液不同的第二藥液。
  2. 如請求項1所記載之基板處理方法，其中進一步具備下述步驟：在噴出前述第一藥液後且在噴出前述第二藥液前，對前述基板噴出清洗液。
  3. 如請求項2所記載之基板處理方法，其中用以吸引前述第一噴嘴內的前述液體之步驟係比用以噴出前述清洗液之步驟還先結束。
  4. 如請求項2或3所記載之基板處理方法，其中前述清洗液係在用以吸引前述第一噴嘴內的前述液體之步驟之前從前述第一噴嘴噴出。
  5. 如請求項2或3所記載之基板處理方法，其中前述清洗液係在用以吸引前述第一噴嘴內的前述液體之步驟的期間從前述第二噴嘴噴出。
  6. 如請求項2或3所記載之基板處理方法，其中用以噴出前述清洗液之步驟係在前述第一噴嘴以及前述第二噴嘴雙方以時間順序依序進行。
  7. 如請求項1或2所記載之基板處理方法，其中前述第一藥液以及前述第二藥液的一方為酸性的液體且另一方為鹼性的液體。
  8. 如請求項2或3所記載之基板處理方法，其中前述清洗液為水。
  9. 如請求項1或2所記載之基板處理方法，其中前述第一噴嘴以及前述第二噴嘴係共通地設置於與前述基板對向地配置之阻隔板的中央部。
  10. 如請求項1或2所記載之基板處理方法，其中前述第一噴嘴與前述第二噴嘴係彼此配置於附近。
  11. 如請求項1或2所記載之基板處理方法，其中用以吸引前述第一噴嘴內的液體之步驟係在前述基板的上方進行。
  12. 一種基板處理裝置，係具備： 第一噴嘴，係對基板噴出第一藥液； 吸引機構，係在噴出前述第一藥液後，吸引前述第一噴嘴內的液體；以及 第二噴嘴，係在停止吸引前述第一噴嘴內的前述液體後，對前述基板噴出與前述第一藥液不同的第二藥液。
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