CN108511365B - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够减少供给至基板(W)的旋转基座(11)侧的面的处理液附着于基板(W)的相反一侧的面的技术。多个卡盘销(12)分别具有：基板把持部(20)，通过按压基板(W)的周端面来把持所述基板；支柱部(18)，设置于旋转基座(11)，以使基板把持部(20)向上侧离开旋转基座(11)的方式支撑所述基板把持部(20)；以及下游侧檐部(21)，为从基板把持部(20)向旋转方向(RDr)的下游侧延伸的部分，所述下游侧檐部(21)具有：内向面(210S)，朝向旋转基座(11)的内侧；以及檐下表面(211S)，朝向旋转基座(11)侧即下侧。下游侧檐部(21)的檐下表面(211S)相比被基板把持部(20)把持的基板(W)的上表面更靠下侧。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及利用处理液处理基板的技术。作为处理对象的基板例如包括半导体晶圆、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、FED(场发射显示器，Field EmissionDisplay)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等。
背景技术
在半导体装置、液晶显示装置等的制造工序中，使用一张一张地处理基板的单片型的基板处理装置、一并处理多张基板的批量型的基板处理装置。
例如，专利文献1所记载的单片型的基板处理装置具有保持基板的旋转基座、设置在旋转基座上的多个卡盘销、使旋转基座旋转的旋转马达、从旋转基座的中央部朝向基板的上表面侧的中央部和下表面侧的中央部喷出处理液的处理液喷嘴、以及包围被旋转基座保持的基板的周围的杯。
在该基板处理装置中，在多个卡盘销以水平的姿势把持基板的状态下，电动马达使旋转基座旋转。然后，从处理液喷嘴喷出的处理液供给至旋转状态的基板的上表面或下表面。供给至基板的上表面或者下表面的处理液因基板的旋转的离心力而向基板的外侧蔓延。然后，到达基板的周缘部的处理液被甩向基板的周围，并被杯挡住。
在专利文献1的基板处理装置中设置有引导构件，该引导构件配置于各卡盘销的上方，将从基板排出的处理液向基板的周围引导。引导构件为在旋转基座的旋转方向的上游侧沿周向(绕基板旋转轴线的方向)扩展的部件。引导构件的引导内缘相比容纳基板的周端部的容纳槽更靠内侧，引导构件的引导外缘配置在比引导内缘更靠下方的高度，并且配置在相比卡盘销更靠外侧的位置。
在专利文献1中，通过设置引导构件，到达了卡盘销的附近的处理液进入由基板、卡盘销、以及引导构件形成的收集槽内，因此，能够减少处理液向基板的再次附着。
另外，在专利文献2中公开有一种卡盘销，该卡盘销利用宽度逐渐地减少的接触部支撑基板的周端部。通过利用这样的卡盘销支撑基板，处理液被顺利地供给至基板和卡盘销接触的区域，因此，能够在基板的整体区域使工序均匀度提高。
专利文献1：日本特开2014-179497号公报
专利文献2：日本特开2009-094514号公报然而，供给至基板的下表面侧(旋转基座侧)的处理液因与支撑基板的周缘部的卡盘销发生碰撞，从而变成飞沫(液滴、水雾)，可能附着于基板的上表面侧。特别地，如图10中的箭头FDr所示，在从上方观察旋转基座911时，供给至基板W的下表面侧的处理液以向与基板W的旋转方向RDr相反的方向旋转的旋涡状蔓延。因此，处理液可主要从旋转方向RDr的下游侧(前侧)与各个卡盘销912碰撞。因此，尤其在卡盘销912的下游侧，容易产生处理液的飞沫，该飞沫可能蔓延至基板的上表面侧并附着于基板的上表面。
即使假设设置专利文献1的引导构件，也很难抑制与卡盘销912碰撞的处理液向基板W的上侧移动。这是由于专利文献1的引导构件的内缘相比基板更靠上侧。因此，很难利用引导构件抑制在基板的下表面侧产生的处理液的飞沫蔓延至上表面侧。另外，该引导构件相比把持基板的把持部更向旋转方向的上游侧(近前侧)扩展。如上所述，由于处理液容易在把持部的下游侧产生，因此，很难利用向上游侧扩展的引导构件抑制与卡盘销912碰撞的处理液蔓延至基板W的上表面侧。
发明内容
因此，本发明的目的在于，提供一种能够减少供给至基板的旋转基座侧的面的处理液附着于基板的相反一侧的面的技术。
为了解决上述问题，第一技术方案提供一种基板处理装置，利用处理液处理基板，其中，所述基板处理装置具有：具有：旋转基座，以基板旋转轴线为中心旋转；旋转马达，使所述旋转基座以所述基板旋转轴线为中心向规定的旋转方向旋转；多个卡盘销，分别设置于所述旋转基座，以使所述基板向上侧离开所述旋转基座的方式把持所述基板；以及处理液供给部，向被所述多个卡盘销把持的所述基板与所述旋转基座之间供给处理液，所述多个卡盘销分别具有：基板把持部，通过按压所述基板的周端面来把持所述基板；支撑部，设置于所述旋转基座，以使所述基板把持部向上侧离开所述旋转基座的方式支撑所述基板把持部；以及下游侧檐部，该下游侧檐部为从所述基板把持部向所述旋转方向的下游侧延伸的部分，所述下游侧檐部具有：内向面，朝向所述旋转基座的内侧；檐下表面，位于所述内向面的下端且朝向所述旋转基座侧即下侧，所述下游侧檐部的所述檐下表面相比被所述基板把持部把持的所述基板的上表面更靠下侧。
第二技术方案，在第一技术方案的基板处理装置中，所述下游侧檐部的所述檐下表面相比被所述基板把持部把持的所述基板的下表面更靠上侧。
第三技术方案，在第一技术方案或第二技术方案的基板处理装置中，所述下游侧檐部的朝向所述上侧的檐上表面相比被所述基板把持部把持的所述基板的上表面更靠上侧。
第四技术方案，在第一技术方案至第三技术方案中的任一个技术方案的基板处理装置中，所述卡盘销还具有上游侧檐部，所述上游侧檐部是从所述基板把持部向所述旋转方向的上游侧延伸的部分，所述上游侧檐部具有：内向面，朝向所述旋转基座的内侧；檐下表面，朝向所述旋转基座侧即下侧，所述上游侧檐部的所述檐下表面相比被所述基板把持部把持的所述基板的上表面更靠下侧。
第五技术方案，在第一技术方案至第四技术方案中的任一个技术方案的基板处理装置中，所述下游侧檐部的所述内向面从上侧朝向下侧向所述旋转基座的外侧倾斜。
第六技术方案，在第一技术方案至第五技术方案中的任一个技术方案的基板处理装置中，所述支撑部包括支柱部，所述支柱部形成为从下侧向上侧延伸的棒状，在所述支柱部的上侧的端部支撑所述基板把持部，所述支柱部的外形包括形成为圆形状的部分。
第七技术方案，在第一技术方案至第六技术方案中的任一个技术方案的基板处理装置中，所述下游侧檐部中的所述内向面与所述檐下表面的边界部分在以所述基板旋转轴线为中心的周向上形成为弯折的角状。
第八技术方案提供一种基板处理方法，利用处理液处理基板，其中，所述基板处理方法包括：(a)把持工序，利用在以基板旋转轴线为中心旋转的旋转基座上设置的多个卡盘销，以使基板向上侧离开所述旋转基座的方式把持所述基板；(b)旋转工序，在所述把持工序后，通过使所述旋转基座以基板旋转轴线为中心向规定的旋转方向旋转，来使所述基板旋转；以及(c)处理液供给工序，向利用所述旋转工序旋转的基板与所述旋转基座之间供给处理液，所述多个卡盘销分别具有：基板把持部，通过按压所述基板的周端面来把持所述基板；支撑部，设置于所述旋转基座，以使所述基板把持部向上侧离开所述旋转基座的方式支撑所述基板把持部；以及下游侧檐部，该下游侧檐部为从所述基板把持部向所述旋转方向的下游侧延伸的部分，所述下游侧檐部具有：内向面，朝向所述旋转基座的内侧；檐下表面，位于所述内向面的下端且朝向所述旋转基座侧即下侧，所述把持工序是所述下游侧檐部的所述内向面与所述基板的所述周端面相对，并且所述下游侧檐部的所述檐下表面相比被所述基板把持部把持的所述基板的上表面更靠下侧的工序。
根据第一技术方案至第七技术方案的基板处理装置，供给至旋转的基板与旋转基座之间的处理液以向与旋转方向相反的方向旋转的旋涡状蔓延，从而能够主要与支撑部的旋转方向的下游侧(前侧)碰撞。下游侧檐部在比基板把持部靠旋转方向的下游侧遮挡处理液向基板的上表面侧的移动。因此，能够有效地减少供给至基板的下表面侧的处理液附着于基板的上表面。
根据第二技术方案的基板处理装置，下游侧檐部的檐下表面相比基板的下表面更靠上侧，从而通过基板的下表面周缘部附近的处理液容易通过檐下表面的下侧。由此，处理液很难与下游侧檐部发生碰撞，因此，能够减少处理液附着于基板的上表面。
根据第三技术方案的基板处理装置，通过以使下游侧檐部的檐上表面相比基板的上表面更靠上侧的方式使下游侧檐部的厚度变大，能够提高下游侧檐部的强度。
根据第四技术方案的基板处理装置，上游侧檐部在比基板把持部靠旋转方向的上游侧遮挡处理液向基板的上表面侧的移动。因此，能够有效地减少供给至基板的下表面侧的处理液附着于基板的上表面。
根据第五技术方案的基板处理装置，由于下游侧檐部的内向面从上侧朝向下侧向旋转基座的外侧倾斜，因此，在旋转基座的旋转中，能够将附着于下游侧檐部的内向面的处理液向下侧引导，从而能够良好地进行排液。
根据第六技术方案的基板处理装置，通过将支撑部中的支柱部形成为圆形状，使得与支柱部碰撞的处理液容易沿支柱部的外周面向旋转基座的外侧移动。因此，能够减少与支柱部发生碰撞后的处理液附着于基板的上表面。
根据第七技术方案的基板处理装置，通过将下游侧檐部的内向面和檐下表面的边界部分变为角状，能够将与该边界部分发生碰撞后的处理液分离至上侧和旋转基座的外侧，因此，能够减少飞沫的产生。
根据第八技术方案的基板处理方法，供给至旋转的基板与旋转基座之间的处理液以向与旋转方向相反的方向旋转的旋涡状蔓延，从而能够主要与支撑部的旋转方向的下游侧(前侧)碰撞。下游侧檐部在比基板把持部靠旋转方向的下游侧遮挡处理液向基板的上表面侧的移动。因此，能够有效地减少供给至基板的下表面侧的处理液附着于基板的上表面。
附图说明
图1是表示第一实施方式的基板处理装置1的整体概略图。
图2是表示第一实施方式的旋转卡盘5的俯视图。
图3是表示第一实施方式的卡盘销12的立体图。
图4是表示第一实施方式的卡头部17的三视图(俯视图、主视图以及侧视图)。
图5是表示第一实施方式的卡盘销12位于关闭位置的状态的俯视图。
图6是表示第一实施方式的卡盘销12位于打开位置的状态的俯视图。
图7是表示第一实施方式的卡头部17把持基板W的情况的侧视图。
图8是表示第二实施方式的卡盘销12A的立体图。
图9是表示变形例的卡盘销12B的立体图。
图10是表示以往的旋转基座911的俯视图。
附图标记的说明：
1 基板处理装置
5 旋转卡盘
6 处理液供给装置
11 旋转基座
12、12A、12B 卡盘销
13 卡盘开闭机构
15 旋转马达
16 底座部
17 卡头部
18、18A 支柱部
20 基板把持部
20S 抵接面
21 下游侧檐部
210S、250S 内向面
211S、251S 檐下表面
25 上游侧檐部
42 下表面喷嘴(处理液供给部)
A1 基板旋转轴线
A2 销旋转轴线
RDr 旋转方向
W 基板
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。应予说明，该实施方式所记载的构成要素仅是例示，并不意味着将本发明的范围仅限于此。在附图中，为了易于理解，存在根据需要夸张或者简化图示各部的尺寸、个数的情况。
(1.第一实施方式)
图1是表示第一实施方式的基板处理装置1的整体概略图。图2是表示第一实施方式的旋转卡盘5的俯视图。
如图1所示，基板处理装置1是一张一张地处理半导体晶圆等圆板状的基板W的单片型装置。基板处理装置1包括向基板W供给处理液的多个处理单元2、以及控制基板处理装置1所具有的装置的动作、阀的开闭的控制部3。
各处理单元2是一张一张地处理基板W的单片型的单元。各处理单元2包括：箱形的腔室4，具有内部空间；旋转卡盘5，在腔室4内以水平的姿势保持一张基板W，并使基板W以通过基板W的中心的铅垂的基板旋转轴线A1为中心旋转；处理液供给装置6，向旋转卡盘5所保持的基板W供给处理液；以及筒状的杯7，围绕基板旋转轴线A1包围旋转卡盘5。
腔室4包括：箱形的隔壁8，容纳旋转卡盘5等；作为送风单元的FFU(风机过滤单元)9，从隔壁8的上部向隔壁8内送入清洁空气(被过滤器过滤后的空气)；以及排气管道10，从杯7的下部排出腔室4内的气体。FFU9配置于隔壁8的上方。FFU9从隔壁8的顶部向腔室4内朝下送入清洁空气。排气管道10与杯7的底部连接，朝向设置有基板处理装置1的工厂所设置的排气设备引导腔室4内的气体。因此，通过FFU9以及排气管道10形成在腔室4内向下方流动的下降气流(下降流)。基板W的处理在腔室4内形成有下降气流的状态下进行。
旋转卡盘5包括：圆板状的旋转基座11，以水平的姿势被保持；多个卡盘销12，从旋转基座11的上表面外周部向上方突出；以及卡盘开闭机构13，使多个卡盘销12开闭。旋转卡盘5还包括：旋转轴14，从旋转基座11的中央部向下方延伸；以及旋转马达15，通过使旋转轴14旋转，来使旋转基座11以及卡盘销12以基板旋转轴线A1为中心旋转。
旋转基座11的外径比基板W的直径大。旋转基座11的中心线配置在基板旋转轴线A1上。多个卡盘销12在旋转基座11的外周部被旋转基座11所保持。多个卡盘销12在周向X1(围绕基板旋转轴线A1的方向)上隔开间隔地配置。各卡盘销12按压基板W的周缘部。由此，在基板W的下表面和旋转基座11的上表面在上下方向上分离的状态下水平地保持基板W。即，卡盘销12以使基板W向上侧离开旋转基座11的方式把持该基板W。在由多个卡盘销12夹持基板W的状态下，若旋转马达15使旋转轴14旋转，则基板W与旋转基座11以及卡盘销12一同以基板旋转轴线A1为中心旋转。
如图1所示，处理液供给装置6包括：作为上表面喷嘴的药液喷嘴34，朝向基板W的上表面喷出药液；上药液配管35，与药液喷嘴34连接；以及上药液阀36，安装于上药液配管35。若上药液阀36打开，则从上药液配管35供给至药液喷嘴34的药液从药液喷嘴34向下方喷出，若上药液阀36关闭，则停止从药液喷嘴34喷出药液。向药液喷嘴34供给的药液的一个例子是包括硫酸、乙酸、硝酸、盐酸、氟酸、氨水、过氧化氢水、有机酸(例如柠檬酸、草酸等)、有机碱(例如，TMAH：四甲基氢氧化铵等)、表面活性剂、以及防腐剂中的至少一个的液体。
药液喷嘴34是一边以处理液着落于基板W的上表面的着落位置在中央部与周缘部之间移动的方式移动一边喷出处理液的扫描喷嘴。如图1所示，处理单元2包括药液喷嘴移动部37，该药液喷嘴移动部37通过使药液喷嘴34移动，来使药液的着落位置在基板W的上表面内移动。而且，药液喷嘴移动部37使药液喷嘴34在处理位置与退避位置之间移动，上述处理位置是指从药液喷嘴34喷出的药液着落于基板W的上表面的位置，上述退避位置是指药液喷嘴34退避至旋转卡盘5的周围的位置。
如图1所示，处理液供给装置6包括：作为上表面喷嘴的冲洗液喷嘴38，朝向基板W的上表面喷出冲洗液；上冲洗液配管39，与冲洗液喷嘴38连接；以及上冲洗液阀40，安装于上冲洗液配管39。若上冲洗液阀40打开，则从上冲洗液配管39供给至冲洗液喷嘴38的冲洗液从冲洗液喷嘴38向下方喷出，若上冲洗液阀40关闭，则停止从冲洗液喷嘴38喷出冲洗液。向冲洗液喷嘴38供给的冲洗液是纯水(去离子水：Deionized Water)。向冲洗液喷嘴38供给的冲洗液并不局限于纯水，也可以是碳酸水、电解离子水、氢水、臭氧水、IPA(异丙醇)、以及稀释浓度(例如10～100ppm左右)的盐酸水的任意一种。
冲洗液喷嘴38是扫描喷嘴。如图1所示，处理单元2包括冲洗液喷嘴移动部41，该冲洗液喷嘴移动部41通过使冲洗液喷嘴38移动，来使冲洗液的着落位置在基板W的上表面内移动。而且，冲洗液喷嘴移动部41使冲洗液喷嘴38在处理位置与退避位置之间移动，上述处理位置是指从冲洗液喷嘴38喷出的冲洗液着落于基板W的上表面的位置，上述退避位置是指冲洗液喷嘴38退避至旋转卡盘5的周围的位置。
如图1所示，处理液供给装置6包括：下表面喷嘴42，朝向基板W的下表面中央部喷出处理液；下药液配管43，与下表面喷嘴42连接；下药液阀44，安装于下药液配管43；下冲洗液配管45，与下表面喷嘴42连接；以及下冲洗液阀46，安装于下冲洗液配管45。下表面喷嘴42从旋转基座11的上表面中央部向上方突出。在基板W在支撑位置或者把持位置被旋转卡盘5保持的状态下，下表面喷嘴42的喷出口位于旋转基座11的上表面与基板W的下表面之间，与基板W的下表面中央部在上下方向上相对。在该状态下，若下药液阀44或者下冲洗液阀46打开，则从下表面喷嘴42向上方喷出的药液或者冲洗液供给至基板W的下表面中央部。下表面喷嘴42是向基板W与旋转基座11之间供给处理液的处理液供给部的一个例子。
不必一定构成为，下表面喷嘴42朝向基板W的下表面中央部喷出处理液。例如，也可以构成为下表面喷嘴42向从旋转基座11的中央朝向外侧的方向、或者朝向旋转基座11的外侧的方向与朝向基板W的下表面的方向的合成方向喷出处理液。也可以构成为下表面喷嘴42以处理液与旋转的基板W的下表面相切方式向基板W与旋转基座11之间供给处理液。
如图1所示，杯7相比被旋转卡盘5保持的基板W更靠外侧(远离基板旋转轴线A1的方向)。杯7包括包围旋转卡盘5的筒状的外壁47、配置在旋转卡盘5与外壁47之间的多个处理液杯(第一处理液杯48、第二处理液杯49、第三处理液杯50)、挡住向基板W的周围飞散的处理液的多个挡板(第一挡板51、第二挡板52、第三挡板53、第四挡板54)、使多个挡板分别独立地升降的挡板升降部55。
如图1所示，各处理液杯48～50在旋转卡盘5与外壁47之间包围旋转卡盘5。从内侧数第二个的第二处理液杯49相比第一处理液杯48更靠外侧，第三处理液杯50相比第二处理液杯49更靠外侧。第三处理液杯50与第二挡板52是一体的，与第二挡板52一同升降。各处理液杯48～50形成向上开口的环状的槽。各挡板51～54基于向基板W供给的处理液的种类等，通过挡板升降部55的控制分别被任意地升降驱动，从而能够将使用过的处理液引导至与处理液的种类等相对应的任意的处理液杯48～50。被引导至各处理液杯48～50的处理液通过各处理液杯48～50的槽被送至未图示的回收装置或者废液装置。
如图1所示，各挡板51～54在旋转卡盘5与外壁47之间包围旋转卡盘5。内侧的三个挡板51～53是被外侧的三个挡板52～54中的至少一个包围的内挡板，外侧的三个挡板52～54是包围内侧的三个挡板51～53中的至少一个的外挡板。
如图1所示，各挡板51～54包括斜上地向内侧延伸的圆筒状的倾斜部56和从倾斜部56的下端向下方延伸的圆筒状的引导部57。各倾斜部56的上端部构成挡板51～54的上端部，具有比基板W以及旋转基座11大的直径。四个倾斜部56上下重合，四个引导部57同轴配置。除最外侧的引导部57以外的三个引导部57分别能够在多个处理液杯48～50内进出。即，杯7能够折叠，通过挡板升降部55使四个挡板51～54的至少一个升降，来进行杯7的展开以及折叠。
如图1所示，挡板升降部55使各挡板51～54在挡板的上端位于基板W的上方的上位置与挡板的上端位于基板W的下方的下位置之间升降。挡板升降部55能够将各挡板51～54保持在上位置与下位置之间的任意的位置。向基板W供给处理液、基板W的干燥在任意一个挡板51～54与基板W的周端面相对的状态下进行。例如，在使从内侧数第三个的第三挡板53与基板W的周端面相对的情况下，第一挡板51以及第二挡板52配置于下位置，第三挡板53以及第四挡板54配置于上位置。另外，在使最外侧的第四挡板54与基板W的周端面相对的情况下，第四挡板54配置于上位置，其他的三个挡板51～53配置于下位置。
(卡盘销12)
接下来，对卡盘销12的详细的结构进行说明。图3是表示第一实施方式的卡盘销12的立体图。图4是表示第一实施方式的卡头部17的三视图(俯视图、主视图以及侧视图)。图5是表示第一实施方式的卡盘销12位于关闭位置的状态的俯视图。图6是表示第一实施方式的卡盘销12位于打开位置的状态的俯视图。图7是表示第一实施方式的卡头部17把持基板W的情况的侧视图。
卡盘销12在把持基板W的位置(关闭位置)与解除基板W的把持的位置(打开位置)之间进行位移。在以下的说明中，只要不特别声明，对卡盘销12位于关闭位置的状态进行说明。
卡盘销12具有底座部16和卡头部17。卡头部17包括支柱部18、基板载置部19、基板把持部20、以及下游侧檐部21。底座部16设置于旋转基座11的上表面。卡头部17的支柱部18设置于底座部16的上表面。基板把持部20以及下游侧檐部21设置于支柱部18的上侧端部。底座部16以及支柱部18是以使基板把持部20向上侧离开旋转基座11的方式支撑该基板把持部20的支撑部的一个例子。
基板载置部19设置于支柱部18的基板旋转轴线A1侧。底座部16、卡头部17(支柱部18、基板载置部19、基板把持部20以及下游侧檐部21)成为一体。底座部16通过卡盘开闭机构13与卡头部17一同以与基板旋转轴线A1平行的销旋转轴线A2为中心旋转。
基板把持部20通过按压基板W的周端面来把持基板W。基板把持部20具有抵接面20S，该抵接面20S是与基板旋转轴线A1平行的平坦面，并且朝向基板旋转轴线A1侧。基板载置部19的上表面为支撑基板W的下表面周缘部的载置面19S。载置面19S相比抵接面20S更靠下侧。
如图5以及图6所示，各卡盘销12能够在基板把持部20的抵接面20S按压基板W的周端面的关闭位置与基板把持部20的抵接面20S远离基板W的周端面的打开位置之间，相对于旋转基座11以销旋转轴线A2为中心旋转。卡盘开闭机构13使各卡盘销12在关闭位置与打开位置之间以销旋转轴线A2为中心旋转。关闭位置是基板W被多个卡盘销12把持的位置，打开位置是多个卡盘销12对基板W的把持被解除的位置。控制部3通过控制卡盘开闭机构13，在多个卡盘销12把持基板W的关闭状态与多个卡盘销12对基板W的把持被解除的打开状态之间切换多个卡盘销12的状态。
在基板W被搬入至旋转卡盘5时，控制部3使各卡盘销12退避至打开位置。在该状态下，控制部3使搬运机械手将基板W载置于多个卡盘销12。由此，如图6中的双点划线所示，各个基板载置部19的载置面19S分别与基板W的下表面周缘部接触，基板W在比旋转基座11的上表面更靠上方的支撑位置以水平的姿势被支撑。
在底座部16的上表面上的比支柱部18更靠基板旋转轴线A1侧的位置设置有基板支撑部22。基板支撑部22包括设置于底座部16的上表面的基部23和设置于基部23的上表面中央部的突起部24。突起部24是与基板旋转轴线A1平行地延伸的形成为棒状的部分。突起部24的上表面为平坦的水平面，比基部23的上表面窄(面积小)。突起部24的上表面的高度与基板载置部19的载置面19S的高度大致相同。在基板W被搬入至旋转卡盘5时，基板W被基板载置部19的载置面19S支撑，并且也被基板支撑部22的突起部24的上表面支撑。
销旋转轴线A2被设定为与突起部24的水平方向的中心一致。即，卡盘销12通过以突起部24为中心旋转来进行开闭。在卡盘销12从开启状态切换至关闭状态时，基板W的下表面与突起部24的上表面滑动接触。由于突起部24的直径比基部23的直径小，因此，能够减小基板W的下表面与其他的部件滑动接触的范围。另外，由于仅突起部24自身以销旋转轴线A2为中心旋转，因此，能够将基板W的下表面中的与突起部24滑动接触的区域抑制为最小限度。应予说明，不必须设置基板支撑部22，也能够省略。
在基板W被载置于基板载置部19后，控制部3使各卡盘销12从打开位置移动至关闭位置。若各卡盘销12朝向关闭位置移动，则基板把持部20接近基板W的周端面，从而基板W的周缘部与抵接面20S抵接。由此，如图5以及图7所示，基板W在比支撑位置更靠上方的把持位置以水平的姿势被把持。应予说明，也可以在抵接面20S的垂直方向中央形成水平线状的槽。通过在抵接面20S设置槽，能够最佳地将基板W引导至既定的把持位置。这样，利用多个卡盘销12的各个基板把持部20把持基板W的工序相当于把持工序。并且，通过使旋转基座11旋转来使被各个基板把持部20把持的基板W旋转的工序相当于旋转工序。而且，从下表面喷嘴42朝向该旋转的基板W的下表面喷出处理液的工序相当于向旋转的基板W与旋转基座11之间供给处理液的处理液供给工序。
(下游侧檐部21)
下游侧檐部21是从基板把持部20向旋转方向RDr的下游侧(旋转方向RDr的前侧，即表示旋转方向RDr的箭头的箭头前侧)延伸的部分。下游侧檐部21具有：内向面210S，朝向旋转基座11的内侧(基板旋转轴线A1侧)；檐下表面211S，处于内向面210S的下端且朝向旋转基座11侧即下侧。
如图7所示，在基板W被各基板把持部20把持时，内向面210S与基板W的周端面相对。另外，如图4或图7所示，下游侧檐部21的檐下表面211S与底座部16的上表面相对。即，在下游侧檐部21的檐下表面211S与底座部16的上表面之间形成有空间。该空间是从下表面喷嘴42供给至基板W的下表面的处理液朝向旋转基座11的外侧移动时通过的空间。
基板把持部20以及下游侧檐部21的各上表面对齐而形成水平面。下游侧檐部21具有水平方向的宽度随着朝向径向外侧而变窄的形状。下游侧檐部21的旋转方向RDr的下游侧的外缘以随着朝向径向外侧而朝向旋转方向RDr的上游侧(近前侧)的方式弯曲延伸。
如图7所示，在基板W被各基板把持部20把持时，下游侧檐部21的檐下表面211S位于基板W的上表面(表面)的下侧。其中，下游侧檐部21的内向面210S的下端位于被基板把持部20把持的基板W的上表面的下侧。
如图2所示，若从下表面喷嘴42朝向旋转中的基板W的下表面喷出处理液，则该处理液因基板W(以及旋转基座11)的旋转的离心力向基板W的外侧蔓延。并且，如图7所示，可能与卡盘销12中的卡头部17的支柱部18的外壁碰撞，并成为飞沫(液滴或水雾)而朝向各个方向反弹。特别地，如图2中的箭头FDr所示，由于处理液以向与旋转方向相反的方向旋转的旋涡状向外侧蔓延，因此，能够主要与支柱部18的旋转方向RDr的下游侧的面碰撞。
如图7所示，与支柱部18碰撞产生的处理液的飞沫向基板W的周缘部附近飞散。与此相对，在支柱部18的旋转方向RDr的下游侧设置有下游侧檐部21。下游侧檐部21的檐下表面211S的水平面2110S配置于比基板W的上表面更靠下侧的位置。因此，与支柱部18碰撞后朝向基板W的上表面侧的处理液的进路(例如图7中用箭头DR1表示的处理液的进路)被下游侧檐部21遮挡。由此，能够减少供给至基板W的下表面的处理液蔓延至基板W的上表面侧。因此，能够有效地降低处理液附着于基板W的上表面。
另外，如图7所示，在基板W被各基板把持部20把持时，下游侧檐部21的朝向上侧的檐上表面212S相比基板W的上表面更靠上侧。以檐上表面212S配置于该位置的方式使下游侧檐部21具有厚度，因此，能够提高下游侧檐部21的强度。
如图4或图7所示，下游侧檐部21的内向面210S为从上侧朝向下侧以恒定的斜率向旋转基座11的外侧倾斜的倾斜面。通过内向面210S像这样倾斜，能够向下侧引导在旋转基座11以及基板W的旋转中附着于内向面210S的处理液。因此，能够良好地去除附着于内向面210S的处理液。
如图7所示，在基板W被各基板把持部20把持时，下游侧檐部21的檐下表面211S位于相比基板W的下表面(背面)更靠上侧。其中，下游侧檐部21的内向面210S的上侧端部相比基板载置部19的载置面19S更靠上侧。因此，能够减少向外侧蔓延的处理液中的通过基板W的下表面附近的处理液与内向面210S发生碰撞。因此，能够减少处理液的飞沫的产生，还能够减少供给至基板W的下表面的处理液附着于基板W的上表面。
另外，下游侧檐部21的内向面210S与檐下表面211S的边界部分(内向面210S的下侧端部或者檐下表面211S的基板旋转轴线A1侧的端部)在整个周向X1上形成为弯折的角状。在假定将内向面210S与檐下表面211S的边界部分弄圆的情况下，与该边界部分碰撞后的处理液向原始的方向反弹，从而处理液的飞沫可能变多。与此相对，通过使内向面210S以及檐下表面211S的边界部分变为角状，能够将与边界部分碰撞后的处理液分离为上方向和旋转基座11的外侧方向，因此，能够减少飞沫的产生。另外，与该角状的边界部分碰撞后的处理液中的向上侧行进的处理液能够被作为倾斜面的内向面210S向下方引导。因此，能够减少反弹的处理液附着于基板W的上侧。
如图4或图7所示，针对下游侧檐部21的檐下表面211S在基板旋转轴线A1侧为水平面2110S(与基板旋转轴线A1正交的平面)而言，与基板旋转轴线A1相反的一侧为朝向远离基板旋转轴线A1的方向(径向Y1的外侧方向)向上侧倾斜的倾斜面2111S。
由于檐下表面211S形成倾斜面2111S，因此，随着朝向径向Y1的外侧，下游侧檐部21与底座部16之间的间隔扩大。因此，与支柱部18碰撞而向旋转基座11的外侧反弹的处理液如箭头DR2、DR3所示那样，能够不被下游侧檐部21妨碍移动地向旋转基座11的外侧移动。
在本例中，支柱部18形成为圆柱状，支柱部18的外周面的剖面视形状(从铅垂方向观察以水平面切断后的剖面的形状)为圆形。因此，与支柱部18发生碰撞后的处理液容易沿支柱部18的外周面向旋转基座11的外侧移动。因此，能够减少与支柱部18碰撞的处理液附着于基板W的上表面。特别地，处理液主要与支柱部18的旋转方向RDr的下游侧碰撞。因此，使支柱部18的旋转方向RDr下游侧的外周面部分(位于下游侧檐部21的下方的外周面部分)的剖面视形状变为圆形状那样的弯曲形状即可。
(2.第二实施方式)
接下来，对第二实施方式进行说明。应予说明，在以下的说明中，存在如下情况，即，对与已经说明的构件具有相同的功能的构件标注相同的附图标记或者标注追加字母文字的附图标记，并省略详细的说明。
图8是表示第二实施方式的卡盘销12A的立体图。卡盘销12A相比第一实施方式的卡盘销12，还具有上游侧檐部25。具体而言，上游侧檐部25是从基板把持部20向旋转方向RDr的上游侧延伸的部分。上游侧檐部25从基板把持部20中的下游侧檐部21的相反一侧的部分延伸。
上游侧檐部25具有：内向面250S，朝向旋转基座11的内侧；檐下表面251S，位于内向面250S的下端且朝向旋转基座11侧即下侧。内向面250S与下游侧檐部21的内向面210S相同，在基板W被各基板把持部20把持时，与基板W的周端面相对。檐下表面251S与下游侧檐部21的檐下表面211S相同，与底座部16的上表面相对。在檐下表面251S与底座部16的上表面之间形成有空间，该空间为从下表面喷嘴42喷出的处理液向旋转基座11的外侧移动时通过的空间。
另外，虽然省略图示，但在基板W被各基板把持部20把持时，上游侧檐部25的檐下表面251S与下游侧檐部21的檐下表面211S相同，相比基板W的上表面更靠下方侧。
通过设置上游侧檐部25，能够抑制在基板把持部20的旋转方向RDr的上游侧与支柱部18等发生碰撞产生的处理液的飞沫从基板W的下表面侧向上表面侧飞散。因此，能够减少处理液附着于基板W的上表面。
(3.变形例)
以上，对实施方式进行了说明，但本发明并不局限于上述那样的实施方式，能够进行各种变形。
下游侧檐部21与基板把持部20以及支柱部18一体形成，但也可以为与基板把持部20以及支柱部18独立的部件。
在上述实施方式中，支柱部18沿基板旋转轴线A1具有均匀的大小，但这不是必须的。图9是表示变形例的卡盘销12B的图。卡盘销12B的支柱部18A的基部(与底座部16连接的部分)的剖面面积比靠近顶端部(设置有基板把持部20的部分)的剖面面积大。这样，通过将支柱部18A的基部形成得较粗，能够提高支柱部18A的强度。另外，通过使前端部比基部细，能够确保下游侧檐部21的正下方的空间，因此，能够减少与支柱部18A发生碰撞后的处理液向基板W的上侧扩散。
详细地说明了本发明，但上述的说明在全部的方面是例示，本发明并不局限于此。当然，在不脱离本发明的范围内，能够假定未例示的无数的变形例。在上述各实施方式以及各变形例中说明的各结构只要不相互矛盾，就能够适当地组合或省略。

Claims (8)

1.一种基板处理装置，利用处理液处理基板，其中，
具有：
旋转基座，以基板旋转轴线为中心旋转；
旋转马达，使所述旋转基座以所述基板旋转轴线为中心向规定的旋转方向旋转；
多个卡盘销，分别设置于所述旋转基座，以使所述基板向上侧离开所述旋转基座的方式把持所述基板；以及
处理液供给部，向被所述多个卡盘销把持的所述基板与所述旋转基座之间供给处理液，
所述多个卡盘销分别具有：
基板把持部，通过按压所述基板的周端面来把持所述基板；
支撑部，设置于所述旋转基座，以使所述基板把持部向上侧离开所述旋转基座的方式支撑所述基板把持部；以及
下游侧檐部，该下游侧檐部为从所述基板把持部向所述旋转方向的下游侧延伸的部分，所述下游侧檐部具有：内向面，朝向所述旋转基座的内侧，并且与被所述基板把持部把持的所述基板的周端面相对；檐下表面，位于所述内向面的下端且朝向所述旋转基座侧即下侧，
所述下游侧檐部的所述檐下表面相比被所述基板把持部把持的所述基板的上表面更靠下侧。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述下游侧檐部的所述檐下表面相比被所述基板把持部把持的所述基板的下表面更靠上侧。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述下游侧檐部的朝向所述上侧的檐上表面相比被所述基板把持部把持的所述基板的上表面更靠上侧。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述卡盘销还具有上游侧檐部，所述上游侧檐部是从所述基板把持部向所述旋转方向的上游侧延伸的部分，所述上游侧檐部具有：内向面，朝向所述旋转基座的内侧；檐下表面，朝向所述旋转基座侧即下侧，
所述上游侧檐部的所述檐下表面相比被所述基板把持部把持的所述基板的上表面更靠下侧。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述下游侧檐部的所述内向面从上侧朝向下侧向所述旋转基座的外侧倾斜。
6.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述支撑部包括支柱部，所述支柱部形成为从下侧向上侧延伸的棒状，在所述支柱部的上侧的端部支撑所述基板把持部，
所述支柱部的外形包括形成为圆形状的部分。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述下游侧檐部中的所述内向面与所述檐下表面的边界部分在以所述基板旋转轴线为中心的周向上形成为弯折的角状。
8.一种基板处理方法，利用处理液处理基板，其中，
所述基板处理方法包括：
把持工序，利用在以基板旋转轴线为中心旋转的旋转基座上设置的多个卡盘销，以使基板向上侧离开所述旋转基座的方式把持所述基板；
旋转工序，在所述把持工序后，通过使所述旋转基座以基板旋转轴线为中心向规定的旋转方向旋转，来使所述基板旋转；以及
处理液供给工序，向利用所述旋转工序旋转的基板与所述旋转基座之间供给处理液，
所述多个卡盘销分别具有：
基板把持部，通过按压所述基板的周端面来把持所述基板；
支撑部，设置于所述旋转基座，以使所述基板把持部向上侧离开所述旋转基座的方式支撑所述基板把持部；以及
下游侧檐部，下游侧檐部为从所述基板把持部向所述旋转方向的下游侧延伸的部分，所述下游侧檐部具有：内向面，朝向所述旋转基座的内侧，并且与被所述基板把持部把持的所述基板的周端面相对；檐下表面，位于所述内向面的下端且朝向所述旋转基座侧即下侧，
所述把持工序是所述下游侧檐部的所述内向面与所述基板的所述周端面相对，并且所述下游侧檐部的所述檐下表面相比被所述基板把持部把持的所述基板的上表面更靠下侧的工序。
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