JP6443806B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。

特許文献１には、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が開示されている。この基板処理装置は、スピンチャックに保持されている基板の上面に向けて処理液を吐出する３つの処理液ノズルと、待機位置に位置する３つの処理液ノズルに向けて斜め下方に洗浄液を吐出するアーム洗浄部のシャワーノズルと、３つの処理液ノズルを鉛直に移動させる昇降駆動部とを備えている。

特開２０１３−２６３６９号公報

特許文献１の処理液ノズルは、Ｌ字状のノズルアームを備えている。ノズルアームは、水平方向に延びる水平部と、水平部から鉛直下方に延びる鉛直部とを含む。昇降駆動部は、アーム洗浄部のシャワーノズルが斜め下方に洗浄液を吐出している状態で、３つのノズルアームを昇降させる。互いに平行な３つの水平部は、洗浄液の液流に順次交わる。これにより、３つの水平部が順次洗浄される。

しかしながら、３つのノズルアームの鉛直部は、平面視で洗浄液の吐出方向に並んでおり、シャワーノズルから見ると、後側の２つの鉛直部が前側の鉛直部で隠れる。後側の２つの鉛直部に向かって飛散する洗浄液は、前側の鉛直部によって遮られる。そのため、洗浄液が後側の２つの鉛直部に直接当たらず、これらの鉛直部の清浄度をさらに高めることが難しい。

そこで、本発明の目的の一つは、処理液ノズルの清浄度を高めることである。

前記目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板を水平に保持しながら回転させる基板保持手段と、水平な長手方向に延びる複数の水平部と、鉛直に延びる複数の鉛直部と、前記複数の鉛直部の下方に配置された複数の処理液吐出口とを含み、前記基板保持手段に保持されている基板に向けて前記複数の処理液吐出口から処理液を吐出する複数の処理液ノズルと、前記複数の処理液ノズルに向けて斜め下方に洗浄液を吐出することにより、シート状の液流を形成する少なくとも一つの第１洗浄液吐出口を含み、前記シート状の液流が前記複数の水平部の少なくとも一つと前記複数の鉛直部の全てに当たる位置に配置された洗浄ノズルと、前記複数の処理液ノズルを移動させるノズル移動手段と、前記洗浄ノズルに洗浄液を吐出させながら、前記複数の処理液ノズルが前記シート状の液流を通るように、前記ノズル移動手段に前記複数の処理液ノズルを移動させる第１洗浄工程を実行する制御装置とを含む、基板処理装置である。

少なくとも一つの第１洗浄液吐出口は、直線状に並んだ複数の吐出口であってもよいし、直線状に延びるスリット状の吐出口であってもよい。
この構成によれば、洗浄ノズルが、処理液ノズルの水平部および鉛直部に向けて洗浄液を斜め下方に吐出する。これにより、洗浄ノズルから斜め下方に飛散するシート状の液流が、洗浄液によって形成される。複数の水平部は、複数の処理液ノズルの移動によりシート状の液流を通る。また、シート状の液流は、全ての鉛直部に当たる。鉛直部に対して洗浄液が当たる位置は、複数の処理液ノズルの移動により移動する。これにより、鉛直部の広い範囲に洗浄液が直接当たる。

このように、水平部だけでなく、全ての鉛直部に洗浄液を直接当てることができるので、複数の処理液ノズルの清浄度を高めることができる。さらに、水平部および鉛直部を同時に洗浄できるので、処理液ノズルの洗浄時間を短縮できる。さらにまた、水平部および鉛直部を同じ洗浄ノズルから吐出された洗浄液で洗浄するので、水平部および鉛直部にそれぞれ対応する別々のノズルが設けられている場合と比較して、部品点数を減らすことができる。

請求項２に記載の発明は、前記ノズル移動手段は、前記複数の処理液ノズルを水平に移動させる水平駆動手段を含み、前記制御装置は、前記洗浄ノズルに洗浄液を吐出させながら、前記複数の処理液ノズルが前記シート状の液流を通るように、前記ノズル移動手段に前記複数の処理液ノズルを水平に移動させる前記第１洗浄工程を実行する、請求項１に記載の基板処理装置である。

この構成によれば、洗浄ノズルが洗浄液を斜め下方に吐出しているときに、ノズル移動手段が、複数の処理液ノズルを水平に移動させる。鉛直部に対して洗浄液が当たる位置は、複数の処理液ノズルが水平に移動するのに伴って、鉛直に移動する。複数の水平部は、複数の処理液ノズルが水平に移動するのに伴って、シート状の液流を水平に通過する。これにより、洗浄液が複数の処理液ノズルの広い範囲に直接当たる。さらに、複数の処理液ノズルを鉛直に移動させる場合と比較して（図１１参照）、洗浄ノズルから複数の処理液ノズルまでの距離の変動を抑えることができ、洗浄液の圧力変化を抑えることができる。

請求項３に記載の発明は、前記基板処理装置は、前記複数の処理液吐出口を収容する有底筒状の待機ポットと、前記待機ポット内で洗浄液を吐出する第２洗浄液吐出口とをさらに含み、前記ノズル移動手段は、前記複数の処理液吐出口が前記待機ポットの上方に位置する待機上位置と、前記複数の処理液吐出口が前記待機ポット内に位置する待機下位置との間で、前記複数の処理液ノズルを鉛直に移動させる鉛直駆動手段を含み、前記制御装置は、前記第２洗浄液吐出口に洗浄液を吐出させながら、前記ノズル移動手段に前記複数の処理液ノズルを前記待機上位置と前記待機下位置との間で鉛直に移動させる第２洗浄工程をさらに実行する、請求項１または２に記載の基板処理装置である。

待機ポットは、全ての処理液吐出口を収容する１つの収容空間を形成していてもよいし、複数の処理液吐出口をそれぞれ収容する複数の収容空間を形成していてもよい。
第２洗浄液吐出口から吐出される洗浄液は、洗浄ノズルの第１洗浄液吐出口から吐出される洗浄液と同種の液体であってもよいし、異なる種類の液体であってもよい。
この構成によれば、洗浄液を吐出する第２洗浄液吐出口が、待機ポットに配置されている。複数の処理液吐出口が待機ポット内に入ると、第２洗浄液吐出口から吐出された洗浄液が、鉛直部等に供給される。基板を処理するとき、鉛直部や処理液吐出口は、水平部よりも基板の近くに配置される。そのため、処理液の飛沫や汚染が比較的付着し易い。したがって、飛沫等が付着し易い部分を効率的に洗浄できる。

請求項４に記載の発明は、前記第２洗浄液吐出口は、斜め上方に洗浄液を吐出する、請求項３に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、待機ポットよりも上方に位置する洗浄ノズルが、斜め下方に洗浄液を吐出し、待機ポット内に位置する第２洗浄液吐出口が、斜め上方に洗浄液を吐出する。洗浄ノズルから吐出された洗浄液は、処理液ノズルの下面に当たり難い。その一方で、第２洗浄液吐出口から吐出された洗浄液は、処理液ノズルの下面に当たり易い。したがって、処理液ノズルをさらに均一に洗浄することができる。

請求項５に記載の発明は、前記基板処理装置は、少なくとも前記水平部に向けて乾燥ガスを吐出する第１ガス吐出口を含む乾燥ノズルをさらに含み、前記ノズル移動手段は、前記複数の処理液ノズルを水平に移動させる水平駆動手段を含み、前記制御装置は、前記第１洗浄工程の後に、前記第１ガス吐出口に乾燥ガスを吐出させながら、前記ノズル移動手段に前記複数の処理液ノズルを水平に移動させる第１乾燥工程をさらに実行する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置である。

水平駆動手段は、鉛直線まわりに複数の処理液ノズルを回動させる旋回ユニットであってもよいし、水平方向に複数の処理液ノズルを平行移動させるスライドユニットであってもよい。
この構成によれば、乾燥ノズルの第１ガス吐出口から吐出された窒素ガスが、処理液ノズルに吹き付けられる。この状態で、複数の処理液ノズルが水平に駆動される。それに伴って、複数の処理液ノズルに対して窒素ガスが当たる位置が、水平に移動する。これにより、洗浄液などの液体が処理液ノズルから除去され、処理液ノズルが乾燥する。そのため、基板を処理する際に、洗浄液が処理液ノズルから基板に落下することを抑制または防止できる。

請求項６に記載の発明は、前記基板処理装置は、前記複数の処理液吐出口を収容する有底筒状の待機ポットと、前記待機ポット内で乾燥ガスを吐出する第２ガス吐出口とをさらに含み、前記ノズル移動手段は、前記複数の処理液吐出口が前記待機ポットの上方に位置する待機上位置と、前記複数の処理液吐出口が前記待機ポット内に位置する待機下位置との間で、前記複数の処理液ノズルを鉛直に移動させる鉛直駆動手段を含み、前記制御装置は、前記第１洗浄工程の後に、前記第２ガス吐出口に乾燥ガスを吐出させながら、前記ノズル移動手段に前記複数の処理液ノズルを前記待機上位置と前記待機下位置との間で鉛直に移動させる第２乾燥工程をさらに実行する、請求項５に記載の基板処理装置である。

第２ガス吐出口から吐出される乾燥ガスは、乾燥ノズルの第１ガス吐出口から吐出される乾燥ガスと同種のガスであってもよいし、異なる種類のガスであってもよい。
この構成によれば、窒素ガスを吐出する第２ガス吐出口が、待機ポットに配置されている。複数の処理液吐出口が待機ポット内に入ると、第２ガス吐出口から吐出された窒素ガスが、鉛直部等に吹き付けられる。鉛直部に対して窒素ガスが当たる位置は、処理液ノズルの昇降によって鉛直に移動する。これにより、洗浄液などの液体が、水平部だけでなく、鉛直部等からも確実に除去される。

請求項７に記載の発明は、前記制御装置は、前記第１乾燥工程の後に、前記第２乾燥工程を実行する、請求項６に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、待機ポットよりも上方に位置する乾燥ノズルから吐出された窒素ガスが、複数の処理液ノズルに吹き付けられた後に、待機ポット内に位置する第２ガス吐出口から吐出された窒素ガスが、複数の処理液ノズルに吹き付けられる。第２ガス吐出口が先に窒素ガスの吐出を終了する場合、水平部から鉛直部に流れた洗浄液が鉛直部に残るかもしれない。したがって、処理液ノズルに対する液体の残留量をさらに減らすことができる。

請求項８に記載の発明は、前記複数の水平部は、互いに平行であり、前記洗浄ノズルは、前記複数の水平部と平行である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、各水平部が洗浄ノズルと平行なので、両者の間隔がいずれの位置でも等しいまたは概ね等しい。したがって、洗浄ノズルから吐出された洗浄液は、概ね等しい圧力で水平部の各部に供給される。これにより、水平部をさらに均一に洗浄することができる。

請求項９に記載の発明は、前記複数の処理液ノズルの少なくとも一つは、平面視で前記鉛直部から突出しており、前記複数の処理液吐出口の１つ以上が下面に設けられたノズルヘッドをさらに含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、平面視で鉛直部よりも大きいノズルヘッドが、複数の処理液ノズルの少なくとも一つに設けられている。ノズルヘッドは、ノズルヘッドの下面に設けられた処理液吐出口から処理液を吐出する。ノズルヘッドが設けられることにより、処理液の飛沫などが付着できる部分の面積が広がる。しかしながら、洗浄ノズルから吐出された洗浄液で処理液ノズルを効率的に洗浄できるので、このような場合でも、処理液ノズルを清浄に維持できる。

請求項１０に記載の発明は、前記複数の処理液吐出口の２つ以上が前記ノズルヘッドの下面に設けられている、請求項９に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、２つ以上の処理液吐出口が、同じ処理液ノズルに設けられている。したがって、１つの処理液ノズルに対して１つの処理液吐出口しか設けられていない場合と比較して、処理液吐出口の数を増加させることができる。これにより、基板の処理の均一性を高めることができる。

請求項１１に記載の発明は、前記複数の鉛直部は、平面視で前記長手方向に対して傾いた方向に直線状に並んでいる、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、複数の鉛直部が平面視で長手方向に直交する方向に直線状に並んでいる場合と比較して、複数の処理液ノズル全体の幅を低減しながら、複数の処理液吐出口を平面視で径方向（基板の回転半径方向）に並べることができる。

本発明の一実施形態に係る基板処理装置に備えられた処理ユニットの内部を示す模式的な正面図である。 処理ユニットの内部を示す模式的な平面図である。 処理位置に位置する複数の処理液ノズルを水平に見た模式図である。 処理位置に位置する複数の処理液ノズルを上から見た模式図である。 図６に示す矢印Ｖの方向に見た複数の処理液ノズル、洗浄ノズル、および乾燥ノズルの模式図である。 複数の処理液ノズル、洗浄ノズル、および乾燥ノズルを上から見た模式図である。 複数の処理液ノズルと洗浄ノズルとを複数の処理液ノズルの長手方向に見た模式図である。 図６に示すＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う待機ポットの断面を示す模式図である。 待機ポットを上から見た模式図である。 複数の処理液ノズルを洗浄し、その後、乾燥させるときのフローチャートである。 本発明の他の実施形態に係る複数の処理液ノズルの動作を説明するための模式図である。 本発明のさらに他の実施形態に係る複数の処理液ノズルと洗浄ノズルを上から見た模式図である。

以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１に備えられた処理ユニット２の内部を示す模式的な正面図である。図２は、処理ユニット２の内部を示す模式的な平面図である。
図１に示すように、基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、処理液で基板Ｗを処理する処理ユニット２と、処理ユニット２に基板Ｗを搬送する搬送ロボット（図示せず）と、基板処理装置１を制御する制御装置３とを含む。制御装置３は、演算部と記憶部とを含むコンピュータである。

処理ユニット２は、箱型のチャンバー７と、チャンバー７内で基板Ｗを水平に保持しながら基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック１１と、基板Ｗから排出された処理液を受け止める筒状のカップ１５と含む。
図２に示すように、チャンバー７は、基板Ｗが通過する搬入搬出口８ａが設けられた箱型の隔壁８と、搬入搬出口８ａを開閉するシャッター９とを含む。シャッター９は、搬入搬出口８ａが開く開位置と、搬入搬出口８ａが閉じられる閉位置（図２に示す位置）との間で、隔壁８に対して移動可能である。図示しない搬送ロボットは、搬入搬出口８ａを通じてチャンバー７に基板Ｗを搬入し、搬入搬出口８ａを通じてチャンバー７から基板Ｗを搬出する。

図１に示すように、スピンチャック１１は、水平な姿勢で保持された円板状のスピンベース１２と、スピンベース１２の上方で基板Ｗを水平な姿勢で保持する複数のチャックピン１３と、複数のチャックピン１３を回転させることにより回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンモータ１４とを含む。スピンチャック１１は、複数のチャックピン１３を基板Ｗの周端面に接触させる挟持式のチャックに限らず、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面（下面）をスピンベース１２の上面に吸着させることにより基板Ｗを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。

カップ１５は、スピンチャック１１を回転軸線Ａ１まわりに取り囲む筒状のスプラッシュガード１７と、スプラッシュガード１７を回転軸線Ａ１まわりに取り囲む円筒状の外壁１６とを含む。処理ユニット２は、スプラッシュガード１７の上端がスピンチャック１１による基板Ｗの保持位置よりも上方に位置する上位置（図１に示す位置）と、スプラッシュガード１７の上端がスピンチャック１１による基板Ｗの保持位置よりも下方に位置する下位置との間で、スプラッシュガード１７を鉛直に昇降させるガード昇降ユニット１８を含む。

処理ユニット２は、スピンチャック１１に保持されている基板Ｗの上面に向けてリンス液を下方に吐出するリンス液ノズル２１を含む。リンス液ノズル２１は、リンス液バルブ２３が介装されたリンス液配管２２に接続されている。処理ユニット２は、処理位置と待機上位置との間でリンス液ノズル２１を移動させるノズル移動ユニットを備えていてもよい。

リンス液バルブ２３が開かれると、リンス液が、リンス液配管２２からリンス液ノズル２１に供給され、リンス液ノズル２１から吐出される。リンス液は、たとえば、純水（脱イオン水：Ｄeionized water）である。リンス液は、純水に限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。

処理ユニット２は、処理液の一例である薬液を下方に吐出する複数の処理液ノズル２６（第１処理液ノズル２６Ａ、第２処理液ノズル２６Ｂ、第３処理液ノズル２６Ｃ、および第４処理液ノズル２６Ｄ）と、複数の処理液ノズル２６のそれぞれを保持するホルダ２５と、ホルダ２５を移動させることにより複数の処理液ノズル２６を移動させるノズル移動ユニット２４とを含む。

複数の処理液ノズル２６は、薬液バルブ５１が介装された薬液配管５０に接続されている。薬液バルブ５１が開かれると、処理液の一例である薬液が、複数の処理液ノズル２６に供給され、複数の処理液ノズル２６から吐出される。薬液の代表例は、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）などのエッチング液や、ＳＰＭ（硫酸および過酸化水素水を含む混合液）などのレジスト剥離液である。薬液は、ＴＭＡＨおよびＳＰＭに限らず、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、ＴＭＡＨ以外の有機アルカリ、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも１つを含む液であってもよい。

各処理液ノズル２６は、ホルダ２５によって片持ち支持されたノズルアーム２７を含む。ノズルアーム２７は、ホルダ２５から水平な長手方向Ｄ１に延びる水平部２８と、水平部２８の先端２８ａから下方に延びる鉛直部２９とを含む。複数の水平部２８は、互いに平行であり、複数の鉛直部２９は、互いに平行である。水平部２８の先端２８ａは、平面視においてホルダ２５から長手方向Ｄ１に最も遠い部分を意味する。

図２に示すように、複数の水平部２８は、第１処理液ノズル２６Ａ〜第４処理液ノズル２６Ｄの順番で、長手方向Ｄ１に直交する水平な配列方向Ｄ２に並んでいる。複数の水平部２８は、同じ高さに配置されている。配列方向Ｄ２に隣接する２つの水平部２８の間隔は、他のいずれの間隔と同じであってもよいし、他の間隔の少なくとも一つと異なっていてもよい。図２は、複数の水平部２８が等間隔で配置されている例を示している。

長手方向Ｄ１への複数の水平部２８の長さは、第１処理液ノズル２６Ａ〜第４処理液ノズル２６Ｄの順番で短くなっている。複数の処理液ノズル２６の先端（複数の水平部２８の先端２８ａ）は、長手方向Ｄ１に関して第１処理液ノズル２６Ａ〜第４処理液ノズル２６Ｄの順番で並ぶように長手方向Ｄ１にずれている。複数の処理液ノズル２６の先端は、平面視で直線状に並んでいる。

ノズル移動ユニット２４は、ホルダ２５を水平に移動させることにより、処理位置（図２で二点鎖線で示す位置）と待機上位置（図２で実線で示す位置）との間で複数の処理液ノズル２６を水平に移動させる水平駆動ユニット２４ａと、ホルダ２５を鉛直に移動させることにより、待機上位置と待機下位置（図５で二点鎖線で示す位置）との間で複数の処理液ノズル２６を鉛直に移動させる鉛直駆動ユニット２４ｂとを含む。処理ユニット２は、待機下位置に位置する複数の処理液ノズル２６が差し込まれる有底筒状の待機ポット３５を含む。待機ポット３５は、平面視でカップ１５のまわりに配置されている。

図１に示すように、水平駆動ユニット２４ａは、カップ１５のまわりで鉛直に延びるノズル回動軸線Ａ２まわりに複数の処理液ノズル２６を水平に移動させる旋回ユニットである。水平駆動ユニット２４ａは、鉛直駆動ユニット２４ｂを介してホルダ２５を支持している。水平駆動ユニット２４ａは、ノズル回動軸線Ａ２まわりに鉛直駆動ユニット２４ｂを回動させることにより、ホルダ２５を水平に移動させる。これにより、処理位置と待機上位置との間で複数の処理液ノズル２６が水平に移動する。

処理位置は、複数の処理液ノズル２６から吐出された薬液が基板Ｗの上面に着液する位置である。処理位置では、複数の処理液ノズル２６と基板Ｗとが平面視で重なり、複数の処理液ノズル２６の先端が、平面視において、回転軸線Ａ１側から第１処理液ノズル２６Ａ〜第４処理液ノズル２６Ｄの順番で径方向Ｄｒに並ぶ。このとき、第１処理液ノズル２６Ａの先端は、平面視で基板Ｗの中央部に重なり、第４処理液ノズル２６Ｄの先端は、平面視で基板Ｗの周縁部に重なる。

待機上位置は、複数の処理液ノズル２６と基板Ｗとが平面視で重ならないように、複数の処理液ノズル２６が退避した位置である。待機上位置では、複数の処理液ノズル２６の先端が、平面視でカップ１５の外周面（外壁１６の外周面）に沿うようにカップ１５の外側に位置し、第１処理液ノズル２６Ａ〜第４処理液ノズル２６Ｄの順番で周方向（回転軸線Ａ１まわりの方向）に並ぶ。複数の処理液ノズル２６は、第１処理液ノズル２６Ａ〜第４処理液ノズル２６Ｄの順番で、回転軸線Ａ１から遠ざかるように配置される。

待機下位置は、待機上位置の下方の位置である。待機上位置および待機下位置では、複数の処理液ノズル２６の先端が、平面視で待機ポット３５に重なる。待機上位置では、複数の処理液ノズル２６の下端部が、待機ポット３５の上方に位置する。待機下位置では、複数の処理液ノズル２６の下端部が、待機ポット３５内に差し込まれる。制御装置３は、処理液ノズル２６から吐出された薬液を基板Ｗに供給する前に、待機上位置または待機下位置で処理液ノズル２６に薬液を吐出させる。これにより、処理液ノズル２６や薬液配管５０内に残留している処理液が、待機ポット３５内に排出される（プリディスペンス工程）。

処理ユニット２で基板Ｗを処理するとき、制御装置３は、スピンチャック１１に基板Ｗを保持させながら回転させる。この状態で、制御装置３は、薬液バルブ５１を開くことにより、回転している基板Ｗの上面に向けて処理位置に位置する複数の処理液ノズル２６に薬液を吐出させる。これにより、薬液が基板Ｗの上面全域に供給される（薬液供給工程）。また、基板Ｗの周囲に飛散した薬液は、上位置に位置するスプラッシュガード１７の内周面に受け止められる。

制御装置３は、複数の処理液ノズル２６からの薬液の吐出を停止させた後、リンス液バルブ２３を開くことにより、リンス液の一例である純水を回転している基板Ｗに向けてリンス液ノズル２１に吐出させる。これにより、純水が基板Ｗの上面全域に供給され、基板Ｗに付着している薬液が洗い流される（リンス液供給工程）。また、基板Ｗの周囲に飛散した純水は、上位置に位置するスプラッシュガード１７の内周面に受け止められる。

制御装置３は、リンス液ノズル２１からの純水の吐出を停止させた後、スピンチャック１１に基板Ｗを高速回転させる。これにより、基板Ｗに付着している純水が遠心力によって基板Ｗの周囲に振り切られる。そのため、基板Ｗから純水が除去され、基板Ｗが乾燥する（乾燥工程）。そして、制御装置３は、基板Ｗの回転を停止させた後、搬送ロボット（図示せず）に基板Ｗをチャンバーから搬出させる。

次に、処理液ノズル２６について詳細に説明する。
図３は、処理位置に位置する複数の処理液ノズル２６を水平に見た模式図である。図４は、処理位置に位置する複数の処理液ノズル２６を上から見た模式図である。
図３に示すように、ノズルアーム２７は、処理液を案内する樹脂チューブ３０と、樹脂チューブ３０を取り囲む断面筒状の芯金３１と、芯金３１の外面を覆う断面筒状の樹脂コーティング３２とを含む。第１処理液ノズル２６Ａ以外の各処理液ノズル２６は、さらに、ノズルアーム２７の鉛直部２９に取り付けられたノズルヘッド３３を含む。

ノズルアーム２７は、ノズルアーム２７に沿って延びる１つの流路４８を形成している。ノズルヘッド３３は、ノズルアーム２７から供給された処理液を案内する複数の流路５２を形成している。ノズルアーム２７の流路４８は、ノズルアーム２７の下面で開口する処理液吐出口３４（第１処理液ノズル２６Ａ参照）を形成している。ノズルヘッド３３の複数の流路５２は、ノズルヘッド３３の下面で開口する複数の処理液吐出口３４を形成している（第１処理液ノズル２６Ａ以外の各処理液ノズル２６参照）。

図３および図４は、複数の処理液ノズル２６に設けられた処理液吐出口３４の総数が、１０個である例を示している。第１処理液ノズル２６Ａは、ノズルアーム２７に設けられた１つの処理液吐出口３４を含む。第１処理液ノズル２６Ａ以外の各処理液ノズル２６は、ノズルヘッド３３に設けられた３つの処理液吐出口３４を含む。同一のノズルヘッド３３に設けられた３つの処理液吐出口３４は、３つの処理液吐出口３４のうちで回転軸線Ａ１に最も近い内側吐出口と、３つの処理液吐出口３４のうちで回転軸線Ａ１から最も遠い外側吐出口と、内側吐出口と外側吐出口との間に配置された中間吐出口とによって構成されている。

図４に示すように、複数の処理液吐出口３４は、平面視で直線状に並んでいる。両端の２つの処理液吐出口３４の間隔は、基板Ｗの半径以下である。隣接する２つの処理液吐出口３４の間隔は、他のいずれの間隔と同じであってもよいし、他の間隔の少なくとも一つと異なっていてもよい。また、複数の処理液吐出口３４は、同じ高さに配置されていてもよいし、２つ以上の異なる高さに配置されていてもよい。

複数の処理液ノズル２６が処理位置に配置されると、複数の処理液吐出口３４は、回転軸線Ａ１からの距離（平面視での最短距離）が異なる複数の位置にそれぞれ配置される。このとき、複数の処理液吐出口３４のうちで回転軸線Ａ１に最も近い最内吐出口（第１処理液ノズル２６Ａの処理液吐出口３４）は、基板Ｗの中央部の上方に配置され、複数の処理液吐出口３４のうちで回転軸線Ａ１から最も遠い最外吐出口（第４処理液ノズル２６Ｄの処理液吐出口３４）は、基板Ｗの周縁部の上方に配置される。複数の処理液吐出口３４は、平面視で径方向Ｄｒに並ぶ。各処理液吐出口３４は、基板Ｗの上面に対して垂直な吐出方向に薬液を吐出する。

次に、複数の処理液ノズル２６を洗浄する洗浄ノズル６１について説明する。
図５は、図６に示す矢印Ｖの方向に見た複数の処理液ノズル２６、洗浄ノズル６１、および乾燥ノズル６６の模式図である。図６は、複数の処理液ノズル２６、洗浄ノズル６１、および乾燥ノズル６６を上から見た模式図である。図７は、複数の処理液ノズル２６と洗浄ノズル６１とを複数の処理液ノズル２６の長手方向Ｄ１に見た模式図である。

図７（ａ）は、複数の処理液ノズル２６が後述する第１折り返し位置に位置している状態を示しており、図７（ｃ）は、複数の処理液ノズル２６が後述する第２折り返し位置に位置している状態を示している。図７（ｂ）は、複数の処理液ノズル２６が第１折り返し位置および第２折り返し位置の間に位置している状態を示している。図６では、第１折り返し位置に相当する待機上位置に位置する複数の処理液ノズル２６を実線で示しており、第２折り返し位置に位置する複数の処理液ノズル２６を二点鎖線で示している。図５では、待機上位置に位置する複数の処理液ノズル２６を実線で示しており、待機下位置に位置する複数の処理液ノズル２６を二点鎖線で示している。

図５に示すように、処理ユニット２は、洗浄液の一例である純水を複数の処理液ノズル２６に向けて吐出することにより、複数の処理液ノズル２６を洗浄する洗浄ノズル６１を含む。洗浄ノズル６１は、第１洗浄液バルブ６５が介装された第１洗浄液配管６４に接続されている。洗浄ノズル６１は、複数の処理液ノズル２６に向けて純水を吐出する複数の第１洗浄液吐出口６２と、複数の第１洗浄液吐出口６２に純水を供給する第１洗浄液供給路６３とを含む。

洗浄ノズル６１は、待機上位置に位置する複数の処理液ノズル２６よりも上方に配置されている。複数の処理液ノズル２６は、処理位置と待機上位置との間を移動する際に、洗浄ノズル６１の下を通る。洗浄ノズル６１は、チャンバー７に対して固定されている。図６に示すように、洗浄ノズル６１は、平面視で、待機上位置に位置する複数の処理液ノズル２６の側方に配置されている。洗浄ノズル６１は、待機上位置に位置する複数の処理液ノズル２６の長手方向Ｄ１と平行な軸方向Ｄａに延びている。洗浄ノズル６１は、平面視で、待機上位置に位置する複数の処理液ノズル２６に対してカップ１５側に配置されている。洗浄ノズル６１は、平面視で待機ポット３５、外壁１６、およびスプラッシュガード１７に重なっている。

図７（ａ）〜図７（ｃ）に示すように、洗浄ノズル６１は、複数の第１洗浄液吐出口６２から純水を斜め下方に吐出するシャワーノズルである。洗浄ノズル６１は、純水を吐出することにより、洗浄ノズル６１から斜め下方に流れるシート状の液流ＬＣを形成する。洗浄ノズル６１は、液流ＬＣの厚みが一定となるように純水を吐出してもよいし、洗浄ノズル６１から離れるにしたがって液流ＬＣの厚みが増加するように純水を吐出してもよい。

図７（ａ）に示すように、第１洗浄液吐出口６２は、洗浄ノズル６１の外面で開口している。第１洗浄液吐出口６２は、水平面に対して下方に傾いた第１洗浄液吐出方向ＤＬ１に純水を吐出する。図６に示すように、第１洗浄液吐出方向ＤＬ１は、たとえば、待機上位置に位置する複数の処理液ノズル２６の長手方向Ｄ１に平面視で直交する方向である。図５に示すように、複数の第１洗浄液吐出口６２は、洗浄ノズル６１の軸方向Ｄａに等間隔で直線状に並んでいる。複数の第１洗浄液吐出口６２は、同じ高さに配置されている。

洗浄ノズル６１から見ると、待機上位置に位置する複数の処理液ノズル２６は、概ね図５に示すように見える。洗浄ノズル６１は、複数の処理液ノズル２６が待機上位置から待機下位置までの任意の位置に位置しているときに、全ての鉛直部２９と第１処理液ノズル２６Ａの水平部２８とが見える位置に配置されている。その一方で、洗浄ノズル６１から見ると、第２処理液ノズル２６Ｂ、第３処理液ノズル２６Ｃ、および第４処理液ノズル２６Ｄの水平部２８は、第１処理液ノズル２６Ａの水平部２８で隠れる。

図７（ａ）に示すように、第１洗浄液吐出口６２は、待機上位置に位置する複数の処理液ノズル２６の下端部に向けて純水を斜め下方に吐出する。複数の処理液ノズル２６の下端部は、鉛直部２９の下端部とノズルヘッド３３とを含む部分である。洗浄ノズル６１から吐出された純水は、複数の処理液ノズル２６が静止している状態で、全ての処理液ノズル２６の鉛直部２９に直接当たる。

洗浄ノズル６１から吐出された純水で複数の処理液ノズル２６を洗浄するとき、制御装置３は、ノズル移動ユニット２４の水平駆動ユニット２４ａに複数の処理液ノズル２６を２つの折り返し位置の間でノズル回動軸線Ａ２まわりに水平に移動させる。折り返し位置は、処理位置および待機上位置と高さが等しい位置である。
２つの折り返し位置の一方（第１折り返し位置）は、洗浄ノズル６１から吐出された純水が主として複数の処理液ノズル２６の下端部に当たる位置である（図７（ａ）に示す位置）。２つの折り返し位置の他方（第２折り返し位置）は、洗浄ノズル６１から吐出された純水が主として第４処理液ノズル２６Ｄの水平部２８に当たる位置である（図７（ｃ）に示す位置）。

第１折り返し位置（図７（ａ）に示す位置）は、たとえば待機上位置であり、第２折り返し位置（図７（ｃ）に示す位置）は、たとえば処理位置および待機上位置の間の位置である。図６では、第２折り返し位置を二点鎖線で示している。図７（ｂ）に示す位置は、第１折り返し位置および第２折り返し位置の間の位置である。
図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、水平駆動ユニット２４ａは、複数の処理液ノズル２６を第１折り返し位置（待機上位置）から第２折り返し位置側に水平に移動させることにより、鉛直部２９に対して純水が当たる位置を鉛直に移動させる。さらに、図７（ｂ）および図７（ｃ）に示すように、水平駆動ユニット２４ａは、複数の処理液ノズル２６を第２折り返し位置まで水平に移動させることにより、複数の水平部２８にシート状の液流ＬＣを順次通過させる。水平駆動ユニット２４ａが第２折り返し位置から第１折り返し位置まで複数の処理液ノズル２６を水平に移動させると、これと逆の順番で、純水が複数の処理液ノズル２６の各部に当たる。

次に、複数の処理液ノズル２６を乾燥させる乾燥ノズル６６について説明する。
図５に示すように、処理ユニット２は、乾燥ガスの一例である窒素ガスを複数の処理液ノズル２６に向けて吐出することにより、複数の処理液ノズル２６を乾燥させる乾燥ノズル６６を含む。乾燥ノズル６６は、第１ガスバルブ７０が介装された第１ガス配管６９に接続されている。乾燥ノズル６６は、複数の処理液ノズル２６に向けて窒素ガスを吐出する複数（たとえば、２つ）の第１ガス吐出口６７と、複数の第１ガス吐出口６７に窒素ガスを供給する第１ガス供給路６８とを含む。

図５に示すように、第１ガス吐出口６７は、待機上位置に位置する第１処理液ノズル２６Ａの鉛直部２９に水平に対向している。第１ガス吐出口６７は、鉛直部２９に対して水平部２８とは反対側に配置されている。上側の第１ガス吐出口６７は、水平部２８と等しい高さに配置されている。下側の第１ガス吐出口６７は、水平部２８よりも下方に配置されている。第１ガス吐出口６７は、チャンバー７に対して固定された待機ポット３５よりも上方に配置されている。図６に示すように、乾燥ノズル６６は、平面視でカップ１５のまわりに位置している。乾燥ノズル６６は、チャンバー７に対して固定されている。

図５に示すように、複数の処理液ノズル２６が待機上位置に位置するとき、乾燥ノズル６６から吐出された窒素ガスは、主として、第１処理液ノズル２６Ａに当たる。具体的には、上側の第１ガス吐出口６７から吐出された窒素ガスは、第１処理液ノズル２６Ａの鉛直部２９の上端部に当たり、下側の第１ガス吐出口６７から吐出された窒素ガスは、第１処理液ノズル２６Ａの鉛直部２９の下端部に当たる。また、上側の第１ガス吐出口６７から吐出された窒素ガスは、第１処理液ノズル２６Ａの鉛直部２９に当たった後、第１処理液ノズル２６Ａの水平部２８に沿って水平部２８の根元側に流れる。

乾燥ノズル６６の第１ガス吐出口６７は、第１ガス吐出方向ＤＧ１に窒素ガスを吐出する。第１ガス吐出方向ＤＧ１は、平面視で、待機上位置に位置する複数の処理液ノズル２６の長手方向Ｄ１と平行であってもよいし、平面視で、待機上位置に位置する複数の処理液ノズル２６の長手方向Ｄ１に対して傾いていてもよい。また、第１ガス吐出方向ＤＧ１は、水平であってもよいし、水平面に対して上方または下方に傾いていてもよい。また、乾燥ノズル６６は、線状の気流を形成するノズルであってもよいし、乾燥ノズル６６から離れるにしたがって直径が増加する円錐状の気流を形成するノズルであってもよい。

乾燥ノズル６６から吐出された窒素ガスで複数の処理液ノズル２６を乾燥させるとき、制御装置３は、水平駆動ユニット２４ａに複数の処理液ノズル２６を前述の２つの折り返し位置の間でノズル回動軸線Ａ２まわりに水平に移動させる。図６に示すように、水平駆動ユニット２４ａが複数の処理液ノズル２６を第１折り返し位置（実線で示す位置）からカップ１５側に水平に移動させると、複数の処理液ノズル２６に対して窒素ガスが当たる位置が、第４処理液ノズル２６Ｄ側に移動する。第２折り返し位置（二点鎖線で示す位置）では、乾燥ノズル６６から吐出された窒素ガスは、主として第４処理液ノズル２６Ｄに当たる。したがって、乾燥ノズル６６から吐出された窒素ガスは、複数の処理液ノズル２６の回動により、全ての処理液ノズル２６に直接当たる。

次に、待機ポット３５に設けられた第２洗浄液吐出口７１および第２ガス吐出口７５について説明する。
図８は、図６に示すＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う待機ポット３５の断面を示す模式図である。図９は、待機ポット３５を上から見た模式図である。図８では、待機上位置に位置する複数の処理液ノズル２６を実線で示しており、待機下位置に位置する複数の処理液ノズル２６を二点鎖線で示している。

図８に示すように、待機ポット３５は、洗浄液の一例である純水を待機ポット３５内で吐出する複数の第２洗浄液吐出口７１と、複数の第２洗浄液吐出口７１に純水を供給する第２洗浄液供給路７２とを含む。待機ポット３５は、さらに、乾燥ガスの一例である窒素ガスを待機ポット３５内で吐出する複数の第２ガス吐出口７５と、複数の第２ガス吐出口７５に窒素ガスを供給する第２ガス供給路７６とを含む。第２洗浄液供給路７２は、第２洗浄液バルブ７４が介装された第２洗浄液配管７３に接続されている。第２ガス供給路７６は、第２ガスバルブ７８が介装された第２ガス配管７７に接続されている。

図８に示すように、待機ポット３５は、待機下位置（二点鎖線で示す位置）に位置する複数の処理液ノズル２６の鉛直部２９を取り囲む筒状の周壁８１と、周壁８１の下端を閉じる底壁８２とを含む。待機ポット３５の内面は、複数の処理液ノズル２６の鉛直部２９が配置される収容空間ＳＰを形成している。待機ポット３５の内面は、待機ポット３５の上面に設けられた開口の縁から下方に延びる内周面８３ａと、内周面８３ａの下端を閉じる底面８３ｂとを含む。図５に示すように、待機ポット３５の底面８３ｂは、待機ポット３５の内面で開口する排出口８３ｃに向かって斜め下方に延びている。待機ポット３５の排出口８３ｃは、待機ポット３５内の液体を排出する排液配管８４に接続されている。

図８に示すように、第２洗浄液吐出口７１および第２ガス吐出口７５は、待機ポット３５の内周面８３ａで開口している。第２洗浄液供給路７２および第２ガス供給路７６は、待機ポット３５の周壁８１の内部に設けられている。第２洗浄液吐出口７１は、第２ガス吐出口７５の下方に配置されている。第２洗浄液供給路７２は、第２ガス供給路７６の下方に配置されている。

図９に示すように、第２ガス吐出口７５は、平面視で第２洗浄液吐出口７１に重なっており、第２ガス供給路７６は、平面視で第２洗浄液供給路７２に重なっている。複数の第２洗浄液吐出口７１は、待機ポット３５の周方向に配列されている。同様に、複数の第２ガス吐出口７５は、待機ポット３５の周方向に配列されている。複数の第２洗浄液吐出口７１は、平面視で互いに異なる３つ以上の方向に純水を吐出する。複数の第２ガス吐出口７５は、平面視で互いに異なる３つ以上の方向に窒素ガスを吐出する。

図９に示すように、第２洗浄液供給路７２は、複数の第２洗浄液吐出口７１に供給される純水を案内する第１洗浄液流路７２ａと、第１洗浄液流路７２ａから分岐した２つの第２洗浄液流路７２ｂと、２つの第２洗浄液流路７２ｂから分岐した複数の第３洗浄液流路７２ｃとを含む。同様に、第２ガス供給路７６は、複数の第２ガス吐出口７５に供給される窒素ガスを案内する第１ガス流路７６ａと、第１ガス流路７６ａから分岐した２つの第２ガス流路７６ｂと、２つの第２ガス流路７６ｂから分岐した複数の第３ガス流路７６ｃとを含む。

図８に示すように、第２洗浄液供給路７２の第３洗浄液流路７２ｃは、第２洗浄液吐出口７１に向かって斜め上方に延びている。第２洗浄液吐出口７１は、水平面に対して上方に傾いた第２洗浄液吐出方向ＤＬ２に純水を吐出する。第２洗浄液吐出口７１から吐出された純水は、待機下位置に位置する複数の処理液ノズル２６の下面（鉛直部２９の下面またはノズルヘッド３３の下面）よりも上方の位置で、複数の処理液ノズル２６に当たる。

第２ガス供給路７６の第３ガス流路７６ｃは、第２ガス吐出口７５に向かって水平に延びている。第２ガス吐出口７５は、水平な第２ガス吐出方向ＤＧ２に窒素ガスを吐出する。第２ガス吐出口７５から吐出された窒素ガスは、待機下位置に位置する複数の処理液ノズル２６の下面（鉛直部２９の下面またはノズルヘッド３３の下面）よりも上方の位置で、複数の処理液ノズル２６に当たる。

次に、処理液ノズル２６の洗浄および乾燥について説明する。
図１０は、複数の処理液ノズル２６を洗浄し、その後、乾燥させるときのフローチャートである。制御装置３（図１参照）は、基板処理装置１を制御することにより、以下の各工程を実行する。処理液ノズル２６の洗浄および乾燥は、１枚の基板Ｗの処理が完了する度に実行されてもよいし、２枚以上の所定枚数の基板Ｗの処理が完了する度に実行されてもよいし、所定時間ごとに実行されてもよい。

複数の処理液ノズル２６を洗浄するときは、洗浄ノズル６１から吐出された純水で複数の処理液ノズル２６を洗浄する第１洗浄工程が実行される。
具体的には、第１洗浄液バルブ６５が開かれる。これにより、洗浄ノズル６１が純水の吐出を開始する（ステップＳ１）。そのため、洗浄ノズル６１から複数の処理液ノズル２６に向かって流れるシート状の液流ＬＣが、待機ポット３５よりも上方の空間に形成される。この状態で、ノズル移動ユニット２４の水平駆動ユニット２４ａは、第１折り返し位置（図７（ａ）に示す位置）と第２折り返し位置（図７（ｃ）に示す位置）との間で、複数の処理液ノズル２６をノズル回動軸線Ａ２まわりに水平に移動させる（ステップＳ２）。

シート状の液流ＬＣは、全ての処理液ノズル２６の鉛直部２９に直接当たる。複数の処理液ノズル２６に対してシート状の液流ＬＣが当たる位置は、複数の処理液ノズル２６の水平移動に伴って、鉛直に移動する（図７（ａ）および図７（ｂ）参照）。これにより、複数の処理液ノズル２６の鉛直部２９の広い範囲が純水によって直接洗浄される。また、鉛直部２９に沿って純水が下方に流れるので、純水が直接当たらなかった部分も、純水によって洗浄される。

その一方で、複数の処理液ノズル２６の水平部２８が同じ高さに配置されているので、シート状の液流ＬＣは、全ての処理液ノズル２６の水平部２８に同時に当たり難い。たとえば、複数の処理液ノズル２６が図７（ｂ）に示す位置に位置しているとき、シート状の液流ＬＣが、第１処理液ノズル２６Ａの水平部２８に当たるものの、第４処理液ノズル２６Ｄの水平部２８には当たり難い。

しかしながら、複数の処理液ノズル２６が図７（ｂ）に示す位置から図７（ｃ）に示す位置側に移動すると、複数の処理液ノズル２６に対してシート状の液流ＬＣが当たる位置が、第４処理液ノズル２６Ｄの方に移動する。これにより、４つの水平部２８がシート状の液流ＬＣを順次通過し、水平部２８の広い範囲が純水によって直接洗浄される。また、水平部２８に沿って純水が下方に流れるので、純水が直接当たらなかった部分も、純水によって洗浄される。

このようにして、洗浄ノズル６１から吐出された純水によって複数の処理液ノズル２６が洗浄される。第１洗浄液バルブ６５が開かれてから所定時間が経過すると、水平駆動ユニット２４ａが、複数の処理液ノズル２６の回動を停止し、複数の処理液ノズル２６を待機上位置に位置させる（ステップＳ３）。その後、第１洗浄液バルブ６５が閉じられ、洗浄ノズル６１からの純水の吐出が停止される（ステップＳ４）。これにより、第１洗浄工程が終了する。

次に、待機ポット３５内に位置する第２洗浄液吐出口７１から吐出された純水で複数の処理液ノズル２６を洗浄する第２洗浄工程が実行される。
具体的には、第２洗浄液バルブ７４が開かれる。これにより、待機ポット３５の内面で開口する複数の第２洗浄液吐出口７１が純水の吐出を開始する（ステップＳ５）。そのため、第２洗浄液吐出口７１から内方に流れる線状の液流が、待機ポット３５内に形成される（図８参照）。この状態で、ノズル移動ユニット２４の鉛直駆動ユニット２４ｂが、待機上位置と待機下位置との間で複数の処理液ノズル２６を昇降させる（ステップＳ６）。

複数の処理液ノズル２６が待機ポット３５に入るとき、および待機ポット３５から出るとき、複数の処理液ノズル２６の下端部は、複数の液流を鉛直に通過する。第２洗浄液吐出口７１から吐出された純水は、待機上位置と待機下位置との間で昇降する複数の処理液ノズル２６の鉛直部２９およびノズルヘッド３３に直接当たる。鉛直部２９に対して純水が当たる位置は、複数の処理液ノズル２６の昇降に伴って鉛直に移動する。これにより、鉛直部２９およびノズルヘッド３３が確実に洗浄される。特に、第２洗浄液吐出口７１が斜め上方に純水を吐出するので、基板Ｗを処理する際に処理液の飛沫等が付着し易い複数の処理液ノズル２６の下面（鉛直部２９の下面またはノズルヘッド３３の下面）が、純水によって直接洗浄される。

このようにして、第２洗浄液吐出口７１から吐出された純水によって複数の処理液ノズル２６が洗浄される。第２洗浄液バルブ７４が開かれてから所定時間が経過すると、鉛直駆動ユニット２４ｂが、複数の処理液ノズル２６の昇降を停止し、複数の処理液ノズル２６を待機上位置に位置させる（ステップＳ７）。その後、第２洗浄液バルブ７４が閉じられ、第２洗浄液吐出口７１からの純水の吐出が停止される（ステップＳ８）。これにより、第２洗浄工程が終了する。

次に、乾燥ノズル６６から吐出された窒素ガスで複数の処理液ノズル２６を乾燥させる第１乾燥工程が実行される。
具体的には、第１ガスバルブ７０が開かれる。これにより、乾燥ノズル６６が窒素ガスの吐出を開始する（ステップＳ９）。そのため、第１ガス吐出口６７から複数の処理液ノズル２６に向かって流れる線状の液流が、待機ポット３５よりも上方の空間に形成される（図５参照）。この状態で、水平駆動ユニット２４ａは、第１折り返し位置（図６で実線で示す位置）と第２折り返し位置（図６で二点鎖線で示す位置）との間で、複数の処理液ノズル２６をノズル回動軸線Ａ２まわりに水平に移動させる（ステップＳ１０）。

乾燥ノズル６６の上側の第１ガス吐出口６７は、いずれかの処理液ノズル２６の水平部２８に向けて窒素ガスを吐出する（図５参照）。複数の処理液ノズル２６がノズル回動軸線Ａ２まわりに回動するので、上側の第１ガス吐出口６７から吐出された窒素ガスは、全ての処理液ノズル２６の水平部２８に吹き付けられる。これにより、純水などの液体が水平部２８から除去される。

また、乾燥ノズル６６の下側の第１ガス吐出口６７は、いずれかの処理液ノズル２６の鉛直部２９に向けて窒素ガスを吐出する（図５参照）。複数の処理液ノズル２６がノズル回動軸線Ａ２まわりに回動するので、下側の第１ガス吐出口６７から吐出された窒素ガスは、全ての処理液ノズル２６の鉛直部２９に吹き付けられる。これにより、純水などの液体が鉛直部２９から除去される。

このようにして、乾燥ノズル６６から吐出された窒素ガスが複数の処理液ノズル２６に吹き付けられ、純水などの液体が複数の処理液ノズル２６から除去される。そして、第１ガスバルブ７０が開かれてから所定時間が経過すると、水平駆動ユニット２４ａが、複数の処理液ノズル２６の回動を停止し、複数の処理液ノズル２６を待機上位置に位置させる（ステップＳ１１）。その後、第１ガスバルブ７０が閉じられ、乾燥ノズル６６からの窒素ガスの吐出が停止される（ステップＳ１２）。これにより、第１乾燥工程が終了する。

次に、待機ポット３５内に位置する第２ガス吐出口７５から吐出された窒素ガスで複数の処理液ノズル２６を乾燥させる第２乾燥工程が実行される。
具体的には、第２ガスバルブ７８が開かれる。これにより、待機ポット３５の内面で開口する複数の第２ガス吐出口７５が窒素ガスの吐出を開始する（ステップＳ１３）。そのため、第２ガス吐出口７５から内方に流れる線状の気流が、待機ポット３５内に形成される（図８参照）。この状態で、鉛直駆動ユニット２４ｂが、待機上位置と待機下位置との間で複数の処理液ノズル２６を昇降させる（ステップＳ１４）。

複数の処理液ノズル２６が待機ポット３５に入るとき、および待機ポット３５から出るとき、複数の処理液ノズル２６の下端部は、複数の気流を鉛直に通過する。第２ガス吐出口７５から吐出された窒素ガスは、待機上位置と待機下位置との間で昇降する複数の処理液ノズル２６の鉛直部２９およびノズルヘッド３３に直接当たる。鉛直部２９に対して窒素ガスが当たる位置は、複数の処理液ノズル２６の昇降に伴って鉛直に移動する。これにより、窒素ガスが複数の処理液ノズル２６の下端部に直接吹き付けられる。特に、複数の第２ガス吐出口７５が平面視で互いに異なる３つ以上の方向に窒素ガスを吐出するので、複数の処理液ノズル２６のより広い範囲に窒素ガスを直接当てることができる。

このようにして、第２ガス吐出口７５から吐出された窒素ガスが複数の処理液ノズル２６に吹き付けられ、純水などの液体が複数の処理液ノズル２６から除去される。そして、第２ガスバルブ７８が開かれてから所定時間が経過すると、鉛直駆動ユニット２４ｂが、複数の処理液ノズル２６の昇降を停止し、待機上位置から待機下位置までの任意の位置に複数の処理液ノズル２６を位置させる（ステップＳ１５）。その後、第２ガスバルブ７８が閉じられ、第２ガス吐出口７５からの窒素ガスの吐出が停止される（ステップＳ１６）。これにより、第２乾燥工程が終了する。

以上のように本実施形態では、洗浄ノズル６１が、処理液ノズル２６の水平部２８および鉛直部２９に向けて純水を斜め下方に吐出する。これにより、洗浄ノズル６１から斜め下方に飛散するシート状の液流ＬＣが、純水によって形成される。複数の水平部２８は、複数の処理液ノズル２６の移動によりシート状の液流ＬＣを通る。また、シート状の液流ＬＣは、全ての鉛直部２９に当たる。鉛直部２９に対して純水が当たる位置は、複数の処理液ノズル２６の移動により移動する。これにより、鉛直部２９の広い範囲に純水が直接当たる。

このように、水平部２８だけでなく、全ての鉛直部２９に純水を直接当てることができるので、複数の処理液ノズル２６の清浄度を高めることができる。さらに、水平部２８および鉛直部２９を同時に洗浄できるので、処理液ノズル２６の洗浄時間を短縮できる。さらにまた、水平部２８および鉛直部２９を同じ洗浄ノズル６１から吐出された純水で洗浄するので、水平部２８および鉛直部２９にそれぞれ対応する別々のノズルが設けられている場合と比較して、部品点数を減らすことができる。

また本実施形態では、洗浄ノズル６１が純水を斜め下方に吐出しているときに、ノズル移動ユニット２４が、複数の処理液ノズル２６を水平に移動させる。鉛直部２９に対して純水が当たる位置は、複数の処理液ノズル２６が水平に移動するのに伴って、鉛直に移動する。複数の水平部２８は、複数の処理液ノズル２６が水平に移動するのに伴って、シート状の液流ＬＣを水平に通過する。これにより、純水が複数の処理液ノズル２６の広い範囲に直接当たる。さらに、複数の処理液ノズル２６を鉛直に移動させる場合と比較して（図１１参照）、洗浄ノズル６１から複数の処理液ノズル２６までの距離の変動を抑えることができ、純水の圧力変化を抑えることができる。

また本実施形態では、純水を吐出する第２洗浄液吐出口７１が、待機ポット３５に配置されている。複数の処理液吐出口３４が待機ポット３５内に入ると、第２洗浄液吐出口７１から吐出された純水が、鉛直部２９等に供給される。基板Ｗを処理するとき、鉛直部２９や処理液吐出口３４は、水平部２８よりも基板Ｗの近くに配置される。そのため、処理液の飛沫や汚染が比較的付着し易い。したがって、飛沫等が付着し易い部分を効率的に洗浄できる。

また本実施形態では、待機ポット３５よりも上方に位置する洗浄ノズル６１が、斜め下方に純水を吐出し、待機ポット３５内に位置する第２洗浄液吐出口７１が、斜め上方に純水を吐出する。洗浄ノズル６１から吐出された純水は、処理液ノズル２６の下面に当たり難い。その一方で、第２洗浄液吐出口７１から吐出された純水は、処理液ノズル２６の下面に当たり易い。したがって、処理液ノズル２６をさらに均一に洗浄することができる。

また本実施形態では、乾燥ノズル６６の第１ガス吐出口６７から吐出された窒素ガスが、処理液ノズル２６に吹き付けられる。この状態で、複数の処理液ノズル２６が水平に駆動される。それに伴って、複数の処理液ノズル２６に対して窒素ガスが当たる位置が、水平に移動する。これにより、純水などの液体が処理液ノズル２６から除去され、処理液ノズル２６が乾燥する。そのため、基板Ｗを処理する際に、純水が処理液ノズル２６から基板Ｗに落下することを抑制または防止できる。

また本実施形態では、窒素ガスを吐出する第２ガス吐出口７５が、待機ポット３５に配置されている。複数の処理液吐出口３４が待機ポット３５内に入ると、第２ガス吐出口７５から吐出された窒素ガスが、鉛直部２９等に吹き付けられる。鉛直部２９に対して窒素ガスが当たる位置は、処理液ノズル２６の昇降によって鉛直に移動する。これにより、純水などの液体が、水平部２８だけでなく、鉛直部２９等からも確実に除去される。

また本実施形態では、待機ポット３５よりも上方に位置する乾燥ノズル６６から吐出された窒素ガスが、複数の処理液ノズル２６に吹き付けられた後に、待機ポット３５内に位置する第２ガス吐出口７５から吐出された窒素ガスが、複数の処理液ノズル２６に吹き付けられる。第２ガス吐出口７５が先に窒素ガスの吐出を終了する場合、水平部２８から鉛直部２９に流れた純水が鉛直部２９に残るかもしれない。したがって、処理液ノズル２６に対する液体の残留量をさらに減らすことができる。

また本実施形態では、各水平部２８が洗浄ノズル６１と平行なので、両者の間隔がいずれの位置でも等しいまたは概ね等しい。したがって、洗浄ノズル６１から吐出された純水は、概ね等しい圧力で水平部２８の各部に供給される。これにより、水平部２８をさらに均一に洗浄することができる。
また本実施形態では、ノズルヘッド３３が、第１処理液ノズル２６Ａ以外の処理液ノズル２６に設けられている。ノズルヘッド３３の上面と鉛直部２９の外面とは、ノズルヘッド３３と鉛直部２９との結合部に段差を形成している。ノズルヘッド３３は、ノズルヘッド３３の下面に設けられた処理液吐出口３４から処理液を吐出する。ノズルヘッド３３が設けられることにより、処理液の飛沫などが付着できる部分の面積が広がる。しかしながら、洗浄ノズル６１から吐出された純水で処理液ノズル２６を効率的に洗浄できるので、このような場合でも、処理液ノズル２６を清浄に維持できる。

また本実施形態では、複数の処理液吐出口３４が、ノズルヘッド３３の下面に設けられている。つまり、２つ以上の処理液吐出口３４が、同じ処理液ノズル２６に設けられている。したがって、１つの処理液ノズル２６に対して１つの処理液吐出口３４しか設けられていない場合と比較して、処理液吐出口３４の数を増加させることができる。これにより、基板Ｗの処理の均一性を高めることができる。

また本実施形態では、複数の鉛直部２９が、平面視で長手方向Ｄ１に対して傾いた方向に直線状に並んでいる。この構成では、複数の鉛直部２９が平面視で長手方向Ｄ１に直交する方向に直線状に並んでいる場合（図１２参照）と比較して、複数の処理液ノズル２６全体の幅を低減しながら、複数の処理液吐出口３４を平面視で径方向Ｄｒに並べることができる（図４参照）。

本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の範囲内において種々の変更が可能である。
たとえば、洗浄液は、純水に限らず、薬液濃度が低い水溶液（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度の水溶液）であってもよい。また、乾燥ガスは、窒素ガス以外の不活性ガスであってもよいし、クリーンエアーであってもよいし、ドライエアーであってもよい。

洗浄ノズル６１は、複数の第１洗浄液吐出口６２に代えて、洗浄ノズル６１の軸方向Ｄａに延びるスリット状の吐出口を備えていてもよい。
図１１に示すように、ノズル移動ユニット２４は、複数の処理液ノズル２６を待機上位置（実線で示す位置）と待機下位置（二点鎖線で示す位置）との間で鉛直に移動させることにより、複数の処理液ノズル２６にシート状の液流ＬＣを鉛直に通過させてもよい。

この場合、制御装置３は、洗浄ノズル６１に純水を吐出させながら、待機ポット３５内に位置する第２洗浄液吐出口７１に純水を吐出させてもよい。すなわち、制御装置３は、第１洗浄工程と第２洗浄工程とを並行して実行してもよい。
制御装置３は、第２洗浄工程を実行した後に、第１洗浄工程を実行してもよい。同様に、制御装置３は、第２乾燥工程を実行した後に、第１乾燥工程を実行してもよい。また、第２洗浄工程および第２乾燥工程の少なくとも一つが省略されてもよい。

複数の水平部２８は、互いに平行でなくてもよい。洗浄ノズル６１は、平面視で、待機上位置に位置する複数の処理液ノズル２６の水平部２８に対して傾いていてもよい。
複数の鉛直部２９は、互いに平行でなくてもよい。図１２に示すように、複数の鉛直部２９は、平面視で長手方向Ｄ１に直交する方向（配列方向Ｄ２）に直線状に並んでいてもよい。

第２洗浄液吐出口７１は、第２ガス吐出口７５よりも上方に配置されていてもよいし、第２ガス吐出口７５と等しい高さに配置されていてもよい。
第２洗浄液吐出口７１から吐出された純水が待機ポット３５の開口から飛び出さないのであれば、第２洗浄液吐出方向ＤＬ２（第２洗浄液吐出口７１が純水を吐出する方向）は、水平であってもよいし、水平面に対して下方に傾いていてもよい。

第２ガス吐出方向ＤＧ２（第２ガス吐出口７５が窒素ガスを吐出する方向）は、水平面に対して上方または下方に傾いていてもよい。ただし、第２ガス吐出方向ＤＧ２は、第２ガス吐出口７５から吐出された窒素ガスが待機ポット３５の開口から飛び出す角度であってもよい。
ノズルヘッド３３が、第２処理液ノズル２６Ｂ、第３処理液ノズル２６Ｃ、および第４処理液ノズル２６Ｄに加えて、第１処理液ノズル２６Ａに設けられていてもよい。これとは反対に、ノズルヘッド３３が、いずれの処理液ノズル２６にも設けられていなくてもよい。

処理ユニット２は、４以外の複数本の処理液ノズル２６を備えていてもよい。また、処理液ノズル２６は、液体および気体を衝突させることにより基板Ｗに衝突する複数の液滴を生成する二流体ノズルであってもよい。
前述の全ての構成の２つ以上が組み合わされてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

１ ：基板処理装置
３ ：制御装置
１１ ：スピンチャック（基板保持手段）
２４ ：ノズル移動ユニット（ノズル移動手段）
２４ａ ：水平駆動ユニット（水平駆動手段）
２４ｂ ：鉛直駆動ユニット（鉛直駆動手段）
２６ ：処理液ノズル
２６Ａ ：第１処理液ノズル
２６Ｂ ：第２処理液ノズル
２６Ｃ ：第３処理液ノズル
２６Ｄ ：第４処理液ノズル
２７ ：ノズルアーム
２８ ：水平部
２９ ：鉛直部
３３ ：ノズルヘッド
３４ ：処理液吐出口
３５ ：待機ポット
５０ ：薬液配管
５１ ：薬液バルブ
６１ ：洗浄ノズル
６２ ：第１洗浄液吐出口
６３ ：第１洗浄液供給路
６４ ：第１洗浄液配管
６５ ：第１洗浄液バルブ
６６ ：乾燥ノズル
６７ ：第１ガス吐出口
６８ ：第１ガス供給路
６９ ：第１ガス配管
７０ ：第１ガスバルブ
７１ ：第２洗浄液吐出口
７２ ：第２洗浄液供給路
７３ ：第２洗浄液配管
７４ ：第２洗浄液バルブ
７５ ：第２ガス吐出口
７６ ：第２ガス供給路
７７ ：第２ガス配管
７８ ：第２ガスバルブ
Ｄ１ ：長手方向
ＤＧ１ ：第１ガス吐出方向
ＤＧ２ ：第２ガス吐出方向
ＤＬ１ ：第１洗浄液吐出方向
ＤＬ２ ：第２洗浄液吐出方向
ＬＣ ：液流
Ｗ ：基板

Claims (11)

1. 基板を水平に保持しながら回転させる基板保持手段と、
   水平な長手方向に延びる複数の水平部と、鉛直に延びる複数の鉛直部と、前記複数の鉛直部の下方に配置された複数の処理液吐出口とを含み、前記基板保持手段に保持されている基板に向けて前記複数の処理液吐出口から処理液を吐出する複数の処理液ノズルと、
   前記複数の処理液ノズルに向けて斜め下方に洗浄液を吐出することにより、シート状の液流を形成する少なくとも一つの第１洗浄液吐出口を含み、前記シート状の液流が前記複数の水平部の少なくとも一つと前記複数の鉛直部の全てに当たる位置に配置された洗浄ノズルと、
   前記複数の処理液ノズルを移動させるノズル移動手段と、
   前記洗浄ノズルに洗浄液を吐出させながら、前記複数の処理液ノズルが前記シート状の液流を通るように、前記ノズル移動手段に前記複数の処理液ノズルを移動させる第１洗浄工程を実行する制御装置とを含む、基板処理装置。
2. 前記ノズル移動手段は、前記複数の処理液ノズルを水平に移動させる水平駆動手段を含み、
   前記制御装置は、前記洗浄ノズルに洗浄液を吐出させながら、前記複数の処理液ノズルが前記シート状の液流を通るように、前記ノズル移動手段に前記複数の処理液ノズルを水平に移動させる前記第１洗浄工程を実行する、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記基板処理装置は、前記複数の処理液吐出口を収容する有底筒状の待機ポットと、前記待機ポット内で洗浄液を吐出する第２洗浄液吐出口とをさらに含み、
   前記ノズル移動手段は、前記複数の処理液吐出口が前記待機ポットの上方に位置する待機上位置と、前記複数の処理液吐出口が前記待機ポット内に位置する待機下位置との間で、前記複数の処理液ノズルを鉛直に移動させる鉛直駆動手段を含み、
   前記制御装置は、前記第２洗浄液吐出口に洗浄液を吐出させながら、前記ノズル移動手段に前記複数の処理液ノズルを前記待機上位置と前記待機下位置との間で鉛直に移動させる第２洗浄工程をさらに実行する、請求項１または２に記載の基板処理装置。
4. 前記第２洗浄液吐出口は、斜め上方に洗浄液を吐出する、請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記基板処理装置は、少なくとも前記水平部に向けて乾燥ガスを吐出する第１ガス吐出口を含む乾燥ノズルをさらに含み、
   前記ノズル移動手段は、前記複数の処理液ノズルを水平に移動させる水平駆動手段を含み、
   前記制御装置は、前記第１洗浄工程の後に、前記第１ガス吐出口に乾燥ガスを吐出させながら、前記ノズル移動手段に前記複数の処理液ノズルを水平に移動させる第１乾燥工程をさらに実行する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記基板処理装置は、前記複数の処理液吐出口を収容する有底筒状の待機ポットと、前記待機ポット内で乾燥ガスを吐出する第２ガス吐出口とをさらに含み、
   前記ノズル移動手段は、前記複数の処理液吐出口が前記待機ポットの上方に位置する待機上位置と、前記複数の処理液吐出口が前記待機ポット内に位置する待機下位置との間で、前記複数の処理液ノズルを鉛直に移動させる鉛直駆動手段を含み、
   前記制御装置は、前記第１洗浄工程の後に、前記第２ガス吐出口に乾燥ガスを吐出させながら、前記ノズル移動手段に前記複数の処理液ノズルを前記待機上位置と前記待機下位置との間で鉛直に移動させる第２乾燥工程をさらに実行する、請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記制御装置は、前記第１乾燥工程の後に、前記第２乾燥工程を実行する、請求項６に記載の基板処理装置。
8. 前記複数の水平部は、互いに平行であり、
   前記洗浄ノズルは、前記複数の水平部と平行である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
9. 前記複数の処理液ノズルの少なくとも一つは、平面視で前記鉛直部から突出しており、前記複数の処理液吐出口の１つ以上が下面に設けられたノズルヘッドをさらに含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
10. 前記複数の処理液吐出口の２つ以上が前記ノズルヘッドの下面に設けられている、請求項９に記載の基板処理装置。
11. 前記複数の鉛直部は、平面視で前記長手方向に対して傾いた方向に直線状に並んでいる、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。

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