JP2002246355A - 半導体ウェーハ洗浄装置及び半導体ウェーハ洗浄方法 - Google Patents
半導体ウェーハ洗浄装置及び半導体ウェーハ洗浄方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェーハ上に形成されているパターン
を、変形や損傷を加えることなく高い洗浄力で洗浄力す
ると共に、洗浄工程のスループットを高める。 【解決手段】 薬液ノズルスキャン機構１は、薬液吐出
機構２を首振り運動させる薬液吐出機構２のシャワーヘ
ッドノズル２１が吐出する薬液４は、図示しないメガソ
ニック機構により超音波振動を加えられている。シャワ
ーヘッドノズル２１の内部には、薬液４を整流するオリ
フィスと薬液４を分散する分散板が備えられ、かつシャ
ワーヘッドノズル２１の開口部は複数の開口を備えてい
るので、薬液４は、直線上の複数本の流れとなって吐出
される。これにより、メガソニック機構による薬液の超
音波振動がウェーハ上面に与える機械的な悪影響（即
ち、パターンの変形や損傷）を除去する。
を、変形や損傷を加えることなく高い洗浄力で洗浄力す
ると共に、洗浄工程のスループットを高める。 【解決手段】 薬液ノズルスキャン機構１は、薬液吐出
機構２を首振り運動させる薬液吐出機構２のシャワーヘ
ッドノズル２１が吐出する薬液４は、図示しないメガソ
ニック機構により超音波振動を加えられている。シャワ
ーヘッドノズル２１の内部には、薬液４を整流するオリ
フィスと薬液４を分散する分散板が備えられ、かつシャ
ワーヘッドノズル２１の開口部は複数の開口を備えてい
るので、薬液４は、直線上の複数本の流れとなって吐出
される。これにより、メガソニック機構による薬液の超
音波振動がウェーハ上面に与える機械的な悪影響（即
ち、パターンの変形や損傷）を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハ洗
浄装置及び半導体ウェーハ洗浄方法に関し、特に、超音
波振動を加えた洗浄用の薬液を、ノズルから、自転また
は公転する半導体ウェーハ上に吹き付けて、半導体ウェ
ーハの上面を洗浄する半導体ウェーハ洗浄装置及び半導
体ウェーハ洗浄方法に関する。
浄装置及び半導体ウェーハ洗浄方法に関し、特に、超音
波振動を加えた洗浄用の薬液を、ノズルから、自転また
は公転する半導体ウェーハ上に吹き付けて、半導体ウェ
ーハの上面を洗浄する半導体ウェーハ洗浄装置及び半導
体ウェーハ洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウェーハの上面を洗浄する
装置として、洗浄対象となる半導体ウェーハに、自転ま
たは公転の回転を加える自転／公転式洗浄装置（以下、
「スピンプロセッサー」と呼称する）が使用されてい
る。
装置として、洗浄対象となる半導体ウェーハに、自転ま
たは公転の回転を加える自転／公転式洗浄装置（以下、
「スピンプロセッサー」と呼称する）が使用されてい
る。
【０００３】また、このスピンプロセッサーの使用の際
に、洗浄力を強化するために、半導体ウェーハ上に吹き
付ける洗浄用の薬液に対して、メガソニック機構により
超音波振動を加えておく方法（以下、「メガソニック洗
浄法」と呼称する）が使用されている。
に、洗浄力を強化するために、半導体ウェーハ上に吹き
付ける洗浄用の薬液に対して、メガソニック機構により
超音波振動を加えておく方法（以下、「メガソニック洗
浄法」と呼称する）が使用されている。
【０００４】このメガソニック洗浄法では、洗浄用薬液
の洗浄力を強化できることの他、メカニカルな洗浄効果
も得られるので、半導体ウェーハ上面の洗浄能力を高め
る上で有効な洗浄方法であった。
の洗浄力を強化できることの他、メカニカルな洗浄効果
も得られるので、半導体ウェーハ上面の洗浄能力を高め
る上で有効な洗浄方法であった。
【０００５】なお、従来の半導体ウェーハ洗浄装置及び
半導体ウェーハ洗浄方法では、半導体ウェーハ上面に吹
き付ける洗浄用の薬液を、１本のノズル（即ち、１つの
開口（吐出口）を有する１つの開口部）から吐出してい
た。
半導体ウェーハ洗浄方法では、半導体ウェーハ上面に吹
き付ける洗浄用の薬液を、１本のノズル（即ち、１つの
開口（吐出口）を有する１つの開口部）から吐出してい
た。
【０００６】図３は、従来の半導体ウェーハ洗浄装置の
全体構成を示す外観図である。図３に示す従来の半導体
ウェーハ洗浄装置では、薬液吐出機構９２は薬液ノズル
スキャン機構９１に係留され、薬液吐出機構９２に備え
られている１つのノズル９２１は、細く尖った１つの開
口部（薬液吐出口）を備え、開口部からは、１本の直線
状に薬液９４が吐出されて、ウェーハ９３の上面（洗浄
すべき面）に吹き付けられていた。
全体構成を示す外観図である。図３に示す従来の半導体
ウェーハ洗浄装置では、薬液吐出機構９２は薬液ノズル
スキャン機構９１に係留され、薬液吐出機構９２に備え
られている１つのノズル９２１は、細く尖った１つの開
口部（薬液吐出口）を備え、開口部からは、１本の直線
状に薬液９４が吐出されて、ウェーハ９３の上面（洗浄
すべき面）に吹き付けられていた。
【０００７】このノズル９２１を含む薬液吐出機構９２
は、首振り運動をする薬液ノズルスキャン機構９１に係
留されており、これにより、ノズル９２１は、薬液ノズ
ルスキャン機構９１の首振り運動に連動して、ウェーハ
９３の上面をスキャンする仕組みになっていた。
は、首振り運動をする薬液ノズルスキャン機構９１に係
留されており、これにより、ノズル９２１は、薬液ノズ
ルスキャン機構９１の首振り運動に連動して、ウェーハ
９３の上面をスキャンする仕組みになっていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の半導
体ウェーハ洗浄装置では、薬液に超音波振動を加えるメ
ガソニック洗浄法を採用した場合に、１本だけの直線状
となった薬液９４がウェーハ９３の上面に吐出されるた
め、メガソニック機構により加えられる超音波振動を有
する薬液９４の応力が局所的に大きくなり過ぎて、ウェ
ーハ９３の上面に形成されているパターンに対して機械
的な影響を与えてしまうといった問題が生じていた。
体ウェーハ洗浄装置では、薬液に超音波振動を加えるメ
ガソニック洗浄法を採用した場合に、１本だけの直線状
となった薬液９４がウェーハ９３の上面に吐出されるた
め、メガソニック機構により加えられる超音波振動を有
する薬液９４の応力が局所的に大きくなり過ぎて、ウェ
ーハ９３の上面に形成されているパターンに対して機械
的な影響を与えてしまうといった問題が生じていた。
【０００９】特に、ウェーハ９３の上面に形成されてい
るパターンが、部分的に、細くて高い立ち上がり部分を
有する構造を備えている場合には（即ち、アスペクト比
が高く、かつ脆いパターンを形成するような加工（例え
ば、Ｐｏｌｙ加工）がなされた後等の工程において
は）、メガソニックによる薬液９４の局所的な応力は、
上記パターンの細くて高い立ち上がり部分を倒してしま
う（即ち、パターン倒れを発生させてしまう）可能性が
あった。
るパターンが、部分的に、細くて高い立ち上がり部分を
有する構造を備えている場合には（即ち、アスペクト比
が高く、かつ脆いパターンを形成するような加工（例え
ば、Ｐｏｌｙ加工）がなされた後等の工程において
は）、メガソニックによる薬液９４の局所的な応力は、
上記パターンの細くて高い立ち上がり部分を倒してしま
う（即ち、パターン倒れを発生させてしまう）可能性が
あった。
【００１０】また、従来の半導体ウェーハ洗浄装置で
は、薬液９４がウェーハ９３の上面に突き当たるポイン
トは、小さな面積（点）であるために、ウェーハ９３の
上面全体をスキャンするためには、ノズル９２１の首振
り角を大きくする必要が有り、そのため、ウェーハ９３
の上面全体をスキャンするために必要な所要時間が掛か
り過ぎて、洗浄工程のスループットを低下させてしまう
といった問題点も有していた。
は、薬液９４がウェーハ９３の上面に突き当たるポイン
トは、小さな面積（点）であるために、ウェーハ９３の
上面全体をスキャンするためには、ノズル９２１の首振
り角を大きくする必要が有り、そのため、ウェーハ９３
の上面全体をスキャンするために必要な所要時間が掛か
り過ぎて、洗浄工程のスループットを低下させてしまう
といった問題点も有していた。
【００１１】特に、従来、このスループットを低下させ
てしまう問題点は、ウェーハ９３が大口径ウェーハであ
る場合に無視できない問題点となっていた。即ち、ウェ
ーハ９３が２００（ｍｍ）程度であれば、ウェーハ９３
の上面全体をスキャンするのに必要な時間は問題となら
ないが、ウェーハ９３が３００（ｍｍ）程度であれば、
スキャンするのに必要な時間がスループットに与える影
響は顕著となる。
てしまう問題点は、ウェーハ９３が大口径ウェーハであ
る場合に無視できない問題点となっていた。即ち、ウェ
ーハ９３が２００（ｍｍ）程度であれば、ウェーハ９３
の上面全体をスキャンするのに必要な時間は問題となら
ないが、ウェーハ９３が３００（ｍｍ）程度であれば、
スキャンするのに必要な時間がスループットに与える影
響は顕著となる。
【００１２】近年は、ウェーハが大型化する傾向がある
ので、このようなスループットに与える影響について
も、何らかの対策が必要であった。本発明は、以上のよ
うな従来の半導体ウェーハ洗浄装置における問題点に鑑
みてなされたものであり、半導体ウェーハ上に形成され
ているパターンを、変形や損傷を加えることなく高い洗
浄力で洗浄力すると共に、洗浄工程のスループットを高
めることができる半導体ウェーハ洗浄装置を提供するこ
とを目的とする。
ので、このようなスループットに与える影響について
も、何らかの対策が必要であった。本発明は、以上のよ
うな従来の半導体ウェーハ洗浄装置における問題点に鑑
みてなされたものであり、半導体ウェーハ上に形成され
ているパターンを、変形や損傷を加えることなく高い洗
浄力で洗浄力すると共に、洗浄工程のスループットを高
めることができる半導体ウェーハ洗浄装置を提供するこ
とを目的とする。
【００１３】本発明の他の目的は、半導体ウェーハ上に
形成されているパターンを、変形や損傷を加えることな
く高い洗浄力で洗浄すると共に、洗浄工程のスループッ
トを高めることができる半導体ウェーハ洗浄方法を提供
することを目的とする。
形成されているパターンを、変形や損傷を加えることな
く高い洗浄力で洗浄すると共に、洗浄工程のスループッ
トを高めることができる半導体ウェーハ洗浄方法を提供
することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明では上記の課題を
解決するために、洗浄対象となるウェーハを自転または
公転させると共に、超音波振動を加えた薬液を、前記ウ
ェーハ上面を走査可能に設置されたノズルから前記ウェ
ーハ上面に吐出して前記ウェーハ上面を洗浄する半導体
ウェーハ洗浄装置において、前記ノズルは、シャワーヘ
ッド状の形状を備え、かつ所定の表面積を有する先端開
口部を備え、かつ前記先端開口部は、前記薬液を通過さ
せるための複数の開口を備えていることを特徴とする半
導体ウェーハ洗浄装置が提供される。
解決するために、洗浄対象となるウェーハを自転または
公転させると共に、超音波振動を加えた薬液を、前記ウ
ェーハ上面を走査可能に設置されたノズルから前記ウェ
ーハ上面に吐出して前記ウェーハ上面を洗浄する半導体
ウェーハ洗浄装置において、前記ノズルは、シャワーヘ
ッド状の形状を備え、かつ所定の表面積を有する先端開
口部を備え、かつ前記先端開口部は、前記薬液を通過さ
せるための複数の開口を備えていることを特徴とする半
導体ウェーハ洗浄装置が提供される。
【００１５】また、洗浄対象となるウェーハを自転また
は公転させると共に、超音波振動を加えた薬液を、前記
ウェーハ上面を走査可能に設置されたノズルから前記ウ
ェーハ上面に吐出して前記ウェーハ上面を洗浄する半導
体ウェーハ洗浄方法において、前記ノズルとして、シャ
ワーヘッド状の形状を備え、かつ所定の表面積を有する
先端開口部を備え、かつ前記先端開口部に前記薬液を通
過させるための複数の開口を備えているノズルを使用す
ることを特徴とする半導体ウェーハ洗浄方法が提供され
る。
は公転させると共に、超音波振動を加えた薬液を、前記
ウェーハ上面を走査可能に設置されたノズルから前記ウ
ェーハ上面に吐出して前記ウェーハ上面を洗浄する半導
体ウェーハ洗浄方法において、前記ノズルとして、シャ
ワーヘッド状の形状を備え、かつ所定の表面積を有する
先端開口部を備え、かつ前記先端開口部に前記薬液を通
過させるための複数の開口を備えているノズルを使用す
ることを特徴とする半導体ウェーハ洗浄方法が提供され
る。
【００１６】即ち、本発明では、メガソニック機構等に
より超音波振動を加えた薬液を洗浄液として使用し、薬
液をノズルから吐出してウェーハ上面を洗浄する半導体
ウェーハ洗浄装置において、ノズルを、複数の開口を有
する開口部を備えたシャワーヘッド状の形状とすると共
に、シャワーヘッドノズルの内部に、薬液の流れを整流
するための薬液整流手段と、薬液の均一性を保つための
薬液分散手段とを備えることで、薬液をシャワーヘッド
ノズルの開口部から複数本の直線状として吐出させ、こ
れにより、メガソニック機構による薬液の超音波振動が
ウェーハ上面に与える機械的な悪影響（即ち、パターン
の変形や損傷）を除去している。
より超音波振動を加えた薬液を洗浄液として使用し、薬
液をノズルから吐出してウェーハ上面を洗浄する半導体
ウェーハ洗浄装置において、ノズルを、複数の開口を有
する開口部を備えたシャワーヘッド状の形状とすると共
に、シャワーヘッドノズルの内部に、薬液の流れを整流
するための薬液整流手段と、薬液の均一性を保つための
薬液分散手段とを備えることで、薬液をシャワーヘッド
ノズルの開口部から複数本の直線状として吐出させ、こ
れにより、メガソニック機構による薬液の超音波振動が
ウェーハ上面に与える機械的な悪影響（即ち、パターン
の変形や損傷）を除去している。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は、本発明の実施の形態に係
る半導体ウェーハ洗浄装置の全体構成を示す外観図であ
る。
を参照して説明する。図１は、本発明の実施の形態に係
る半導体ウェーハ洗浄装置の全体構成を示す外観図であ
る。
【００１８】本実施の形態に係る半導体ウェーハ洗浄装
置は、後述する薬液吐出機構２に首振り運動をさせるた
めの薬液ノズルスキャン機構１と、薬液ノズルスキャン
機構１に係留された薬液吐出機構２と、後述する回転す
るウェーハ載置台に載置されたウェーハ３と、シャワー
ヘッドノズル２１から吐出（噴射）される薬液４と、薬
液吐出機構２に含まれるシャワーヘッドノズル２１を含
む。
置は、後述する薬液吐出機構２に首振り運動をさせるた
めの薬液ノズルスキャン機構１と、薬液ノズルスキャン
機構１に係留された薬液吐出機構２と、後述する回転す
るウェーハ載置台に載置されたウェーハ３と、シャワー
ヘッドノズル２１から吐出（噴射）される薬液４と、薬
液吐出機構２に含まれるシャワーヘッドノズル２１を含
む。
【００１９】このシャワーヘッドノズル２１は、首振り
運動をする薬液ノズルスキャン機構１に係留されてお
り、従って、シャワーヘッドノズル２１は、薬液ノズル
スキャン機構１の首振り運動に連動してウェーハ３の上
部をスキャンする。
運動をする薬液ノズルスキャン機構１に係留されてお
り、従って、シャワーヘッドノズル２１は、薬液ノズル
スキャン機構１の首振り運動に連動してウェーハ３の上
部をスキャンする。
【００２０】また、薬液４には、図示しないメガソニッ
ク機構により超音波振動が加えられる。なお、この超音
波振動を加える超音波振動子は、シャワーヘッドノズル
２１の内部または薬液４の供給ライン中に設置すること
ができる。
ク機構により超音波振動が加えられる。なお、この超音
波振動を加える超音波振動子は、シャワーヘッドノズル
２１の内部または薬液４の供給ライン中に設置すること
ができる。
【００２１】また、薬液４は、ウェーハ３の洗浄に必要
な薬液であるものとするが、具体例としては、次工程で
ＳｉＯ2（２酸化シリコン）をエッチングする場合に
は、フッ酸等を使用することができる。
な薬液であるものとするが、具体例としては、次工程で
ＳｉＯ2（２酸化シリコン）をエッチングする場合に
は、フッ酸等を使用することができる。
【００２２】図２は、本発明の実施の形態に係る半導体
ウェーハ洗浄装置の薬液吐出機構とウェーハ及びウェー
ハ載置台の構造を示す断面図である。シャワーヘッドノ
ズル２１の内部は、薬液４のシャワーヘッドノズル２１
内部での流れを整流するためのリング状のオリフィス２
２と、複数の開口を有するシャワーヘッド開口部２３
と、シャワーヘッドノズル２１内部での薬液４の均一性
を保つために薬液４のシャワーヘッドノズル２１内部で
の流れを分散する分散板２４を備える。
ウェーハ洗浄装置の薬液吐出機構とウェーハ及びウェー
ハ載置台の構造を示す断面図である。シャワーヘッドノ
ズル２１の内部は、薬液４のシャワーヘッドノズル２１
内部での流れを整流するためのリング状のオリフィス２
２と、複数の開口を有するシャワーヘッド開口部２３
と、シャワーヘッドノズル２１内部での薬液４の均一性
を保つために薬液４のシャワーヘッドノズル２１内部で
の流れを分散する分散板２４を備える。
【００２３】ウェーハ３は、ウェーハ載置台３１の上に
載置され、ウェーハ載置台３１は、モータ３２の作用に
よって回転運動（自転）させられているものとする。な
お、このオリフィス２２は、一般的な水道の蛇口部に具
備されている整流板と同様の構造及び機能を有する。
載置され、ウェーハ載置台３１は、モータ３２の作用に
よって回転運動（自転）させられているものとする。な
お、このオリフィス２２は、一般的な水道の蛇口部に具
備されている整流板と同様の構造及び機能を有する。
【００２４】但し、シャワーヘッドノズル２１内部での
薬液４の均一性を保てる何らかの根拠が存在する場合
（例えば、薬液４の粘性が十分に高い場合）には、上記
のオリフィス２２または分散板２４の、少なくともいず
れか一つを省略することができる。
薬液４の均一性を保てる何らかの根拠が存在する場合
（例えば、薬液４の粘性が十分に高い場合）には、上記
のオリフィス２２または分散板２４の、少なくともいず
れか一つを省略することができる。
【００２５】以下、図１，２を参照して、本実施の形態
に係る半導体ウェーハ洗浄装置の機能を説明する。シャ
ワーヘッドノズル２１の内部では、図１に示す薬液４が
流れており、この薬液４の流れは、オリフィス２２によ
り整流される。また、整流された薬液４の流れは、分散
板２４によりシャワーヘッドノズル２１のシャワーヘッ
ド開口部２３の全面に分散された後、シャワーヘッド開
口部２３に含まれる複数の開口から、複数本の直線状の
薬液４となってウェーハ３の上面（洗浄すべき面）に吹
き付けられる。この直線状の薬液４の本数は、シャワー
ヘッド開口部２３が備える開口数に相当する。
に係る半導体ウェーハ洗浄装置の機能を説明する。シャ
ワーヘッドノズル２１の内部では、図１に示す薬液４が
流れており、この薬液４の流れは、オリフィス２２によ
り整流される。また、整流された薬液４の流れは、分散
板２４によりシャワーヘッドノズル２１のシャワーヘッ
ド開口部２３の全面に分散された後、シャワーヘッド開
口部２３に含まれる複数の開口から、複数本の直線状の
薬液４となってウェーハ３の上面（洗浄すべき面）に吹
き付けられる。この直線状の薬液４の本数は、シャワー
ヘッド開口部２３が備える開口数に相当する。
【００２６】このような仕組みにより、直線状の薬液４
が、シャワーヘッド開口部２３の開口数に相当する複数
本に分かれて吐出され、ウェーハ３の上面（洗浄すべき
面）に吹き付けられることにより、前述の図示しないメ
ガソニック機構により超音波振動が伝えられていた薬液
４が有する機械的な応力を分散することができて、ウェ
ーハ３の上面に形成されているパターンを変形させたり
損傷させたりする可能性が有る機械的な応力の悪影響を
除去することができる。
が、シャワーヘッド開口部２３の開口数に相当する複数
本に分かれて吐出され、ウェーハ３の上面（洗浄すべき
面）に吹き付けられることにより、前述の図示しないメ
ガソニック機構により超音波振動が伝えられていた薬液
４が有する機械的な応力を分散することができて、ウェ
ーハ３の上面に形成されているパターンを変形させたり
損傷させたりする可能性が有る機械的な応力の悪影響を
除去することができる。
【００２７】また、このような仕組みにより、薬液４
を、ウェーハ３上面の広い範囲にわたって吐出すること
ができるので、シャワーヘッドノズル２１の洗浄効率を
高めることができて、これにより、半導体ウェーハ洗浄
装置のスループットを向上させることができる。
を、ウェーハ３上面の広い範囲にわたって吐出すること
ができるので、シャワーヘッドノズル２１の洗浄効率を
高めることができて、これにより、半導体ウェーハ洗浄
装置のスループットを向上させることができる。
【００２８】なお、ウェーハ載置台３１は、他の図示し
ない機構により公転させられるものであってもよいもの
とする。
ない機構により公転させられるものであってもよいもの
とする。
【００２９】
【発明の効果】以上に説明したとおり、本発明では、メ
ガソニック機構により超音波振動を加えた薬液を洗浄液
として使用し、薬液をノズルから吐出してウェーハ上面
を洗浄する洗浄手段において、ノズルを、複数の開口を
有する開口部を備えたシャワーヘッド状の形状とすると
共に、シャワーヘッドノズルの内部に、薬液の流れを整
流するための薬液整流手段と、薬液の均一性を保つため
の薬液分散手段とを備える構成としたので、薬液をシャ
ワーヘッドノズルの開口部から複数本の直線状として吐
出させることが可能となり、これにより、メガソニック
機構による薬液の超音波振動がウェーハ上面に与える機
械的な悪影響（即ち、パターンの変形や損傷）を除去す
ることができる。
ガソニック機構により超音波振動を加えた薬液を洗浄液
として使用し、薬液をノズルから吐出してウェーハ上面
を洗浄する洗浄手段において、ノズルを、複数の開口を
有する開口部を備えたシャワーヘッド状の形状とすると
共に、シャワーヘッドノズルの内部に、薬液の流れを整
流するための薬液整流手段と、薬液の均一性を保つため
の薬液分散手段とを備える構成としたので、薬液をシャ
ワーヘッドノズルの開口部から複数本の直線状として吐
出させることが可能となり、これにより、メガソニック
機構による薬液の超音波振動がウェーハ上面に与える機
械的な悪影響（即ち、パターンの変形や損傷）を除去す
ることができる。
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体ウェーハ洗浄
装置の全体構成を示す外観図である。
装置の全体構成を示す外観図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る半導体ウェーハ洗浄
装置の薬液吐出機構とウェーハ及びウェーハ載置台の構
造を示す断面図である。
装置の薬液吐出機構とウェーハ及びウェーハ載置台の構
造を示す断面図である。
【図３】従来の半導体ウェーハ洗浄装置の全体構成を示
す外観図である。
す外観図である。
１……薬液ノズルスキャン機構、２……薬液吐出機構、
３……ウェーハ、４……薬液、２１……シャワーヘッド
ノズル、２２……オリフィス、２３……シャワーヘッド
開口部、２４……分散板、３１……ウェーハ載置台、３
２……モータ
３……ウェーハ、４……薬液、２１……シャワーヘッド
ノズル、２２……オリフィス、２３……シャワーヘッド
開口部、２４……分散板、３１……ウェーハ載置台、３
２……モータ
Claims (6)
- 【請求項１】 洗浄対象となるウェーハを自転または公
転させると共に、超音波振動を加えた薬液を、前記ウェ
ーハ上面を走査可能に設置されたノズルから前記ウェー
ハ上面に吐出して前記ウェーハ上面を洗浄する半導体ウ
ェーハ洗浄装置において、 前記ノズルは、 シャワーヘッド状の形状を備え、 かつ所定の表面積を有する先端開口部を備え、 かつ前記先端開口部は、前記薬液を通過させるための複
数の開口を備えていることを特徴とする半導体ウェーハ
洗浄装置。 - 【請求項２】 前記ノズルの内部は、前記薬液の流れを
整流するための薬液整流手段を備えていることを特徴と
する請求項１記載の半導体ウェーハ洗浄装置。 - 【請求項３】 前記薬液整流手段は、前記薬液を整流す
るためのオリフィスを備えていることを特徴とする請求
項２記載の半導体ウェーハ洗浄装置。 - 【請求項４】 前記ノズルの内部は、前記薬液の均一性
を保つための薬液分散手段を備えていることを特徴とす
る請求項１記載の半導体ウェーハ洗浄装置。 - 【請求項５】 前記薬液分散手段は、前記薬液を分散す
るための分散板を備えていることを特徴とする請求項４
記載の半導体ウェーハ洗浄装置。 - 【請求項６】 洗浄対象となるウェーハを自転または公
転させると共に、超音波振動を加えた薬液を、前記ウェ
ーハ上面を走査可能に設置されたノズルから前記ウェー
ハ上面に吐出して前記ウェーハ上面を洗浄する半導体ウ
ェーハ洗浄方法において、 前記ノズルとして、シャワーヘッド状の形状を備え、か
つ所定の表面積を有する先端開口部を備え、かつ前記先
端開口部に前記薬液を通過させるための複数の開口を備
えているノズルを使用することを特徴とする半導体ウェ
ーハ洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001036739A JP2002246355A (ja) | 2001-02-14 | 2001-02-14 | 半導体ウェーハ洗浄装置及び半導体ウェーハ洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001036739A JP2002246355A (ja) | 2001-02-14 | 2001-02-14 | 半導体ウェーハ洗浄装置及び半導体ウェーハ洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002246355A true JP2002246355A (ja) | 2002-08-30 |
Family
ID=18899973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001036739A Pending JP2002246355A (ja) | 2001-02-14 | 2001-02-14 | 半導体ウェーハ洗浄装置及び半導体ウェーハ洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002246355A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008501517A (ja) * | 2004-06-11 | 2008-01-24 | コーニング インコーポレイテッド | 混合および圧力降下を最適化するための微小構造設計 |
| JP2011066301A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
| CN104091774A (zh) * | 2014-07-17 | 2014-10-08 | 上海华力微电子有限公司 | 一种用于湿法单片机的清洗装置 |
| CN104241095A (zh) * | 2014-07-31 | 2014-12-24 | 上海华力微电子有限公司 | 清洗水枪 |
| JP2016225548A (ja) * | 2015-06-02 | 2016-12-28 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
-
2001
- 2001-02-14 JP JP2001036739A patent/JP2002246355A/ja active Pending
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