CN104091774A - 一种用于湿法单片机的清洗装置 - Google Patents

一种用于湿法单片机的清洗装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104091774A
CN104091774A CN201410339805.9A CN201410339805A CN104091774A CN 104091774 A CN104091774 A CN 104091774A CN 201410339805 A CN201410339805 A CN 201410339805A CN 104091774 A CN104091774 A CN 104091774A
Authority
CN
China
Prior art keywords
chip microcomputer
cleaning device
liquid spray
hydrojet
termination
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410339805.9A
Other languages
English (en)
Inventor
宋振伟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Original Assignee
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huali Microelectronics Corp filed Critical Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority to CN201410339805.9A priority Critical patent/CN104091774A/zh
Publication of CN104091774A publication Critical patent/CN104091774A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

一种用于湿法单片机的清洗装置，包括：喷液管壁，所述喷液管壁呈柱状设计，并用于容置和传输酸液；喷液端头，所述喷液端头设置在所述喷液管壁之端部，并在所述喷液端头上间隔设置通孔。本发明用于湿法单片机的清洗装置通过在所述喷液管壁之端部设置喷液端头，且所述喷液端头上间隔设置通孔，在酸液压力条件一定的情况下，本发明所述用于湿法单片机的清洗装置之酸液喷射具有较大的压强，极大的增加了酸液达到硅片表面的速度，在不增加酸液消耗量的同时改善了硅片清洗效果，减少了缺陷，提高了产品良率。

Description

一种用于湿法单片机的清洗装置
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种用于湿法单片机的清洗装置。
背景技术
在半导体制造工艺技术领域，湿法清洗/刻蚀在集成电路制造中必不可少。现有成熟的湿法清洗制程是酸槽清洗，即硅片依次通过酸液槽、清洗槽最后经过干燥槽进行清洗/刻蚀。但是，所述清洗方式势必会造成各酸液槽之间的交叉污染，增加了硅片表面的缺陷，降低了清洗效率，不利于硅片器件性能和良率的提高。
另一方面，单片机清洗由于其制程在各独立的腔室内完成，有效的避免了酸液之间的相互污染，提高了硅片的清洗效率，在45～40nm以下的集成制程中被越来越多的应用。所述单片机清洗模式以在高速旋转的硅片上方喷射酸液，最后经过干燥完成。
然而，现有的单片机喷射酸液的喷液管均为空心设计，例如HF、SPM酸等，所述设计导致在实际操作中很难通过调节酸液的压力来改善清洗或者刻蚀效果。如果酸液压力过大，则酸液流量大，酸液消耗大，而且对清洗效果改善有限；如果压力小，则酸液流量小，很容易产生缺陷。
故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本发明一种用于湿法单片机的清洗装置。
发明内容
本发明是针对现有技术中，传统的单片机喷射酸液的喷液管均为空心设计，所述设计导致在实际操作中很难通过调节酸液的压力来改善清洗或者刻蚀效果等缺陷提供一种用于湿法单片机的清洗装置。
为了解决上述问题，本发明提供一种用于湿法单片机的清洗装置，所述用于湿法单片机的清洗装置，包括：喷液管壁，所述喷液管壁呈柱状设计，并用于容置和传输酸液；喷液端头，所述喷液端头设置在所述喷液管壁之端部，并在所述喷液端头上间隔设置通孔。
可选地，所述喷液端头上间隔设置的所述通孔之孔径大小根据各工艺制程要求设置。
可选地，所述喷液端头上间隔设置的所述通孔之孔径大小为0.1～0.5mm之间的任一数值取值。
综上所述，本发明用于湿法单片机的清洗装置通过在所述喷液管壁之端部设置喷液端头，且所述喷液端头上间隔设置通孔，在酸液压力条件一定的情况下，本发明所述用于湿法单片机的清洗装置之酸液喷射具有较大的压强，极大的增加了酸液达到硅片表面的速度，在不增加酸液消耗量的同时改善了硅片清洗效果，减少了缺陷，提高了产品良率。
附图说明
图1所示为本发明用于湿法单片机的清洗装置之截面图；
图2所示为本发明用于湿法单片机的清洗装置之立体结构示意图。
具体实施方式
为详细说明本发明创造的技术内容、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。
请参阅图1、图2，图1所示为本发明用于湿法单片机的清洗装置之截面图。图2所示为本发明用于湿法单片机的清洗装置之立体结构示意图。所述用于湿法单片机的清洗装置1，包括：喷液管壁11，所述喷液管壁11呈柱状设计，并用于容置和传输酸液；喷液端头12，所述喷液端头12设置在所述喷液管壁11之端部，并在所述喷液端头12上间隔设置通孔121。
作为本领域技术人员，容易理解地，较现有湿法单片机之清洗装置，在酸液压力条件一定的情况下，本发明所述用于湿法单片机的清洗装置1之酸液喷射具有较大的压强，极大的增加了酸液达到硅片表面的速度，改善了硅片清洗效果。
为了更好的实施本发明之技术方案，作为具体的实施方式，所述喷液端头12上间隔设置的所述通孔121之孔径大小可根据各工艺制程要求设置。优选地，所述喷液端头12上间隔设置的所述通孔121之孔径大小为0.1～0.5mm之间的任一数值取值。更优选地，为了保证酸液喷射的均匀性及喷液的流畅性，在每次酸洗后，对所述喷液端头12之通孔121进行清洗，防止其堵塞。
综上所述，本发明用于湿法单片机的清洗装置通过在所述喷液管壁之端部设置喷液端头，且所述喷液端头上间隔设置通孔，在酸液压力条件一定的情况下，本发明所述用于湿法单片机的清洗装置之酸液喷射具有较大的压强，极大的增加了酸液达到硅片表面的速度，在不增加酸液消耗量的同时改善了硅片清洗效果，减少了缺陷，提高了产品良率。
本领域技术人员均应了解，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变型。因而，如果任何修改或变型落入所附权利要求书及等同物的保护范围内时，认为本发明涵盖这些修改和变型。

Claims (3)

1.一种用于湿法单片机的清洗装置，其特征在于，所述用于湿法单片机的清洗装置，包括：
喷液管壁，所述喷液管壁呈柱状设计，并用于容置和传输酸液；
喷液端头，所述喷液端头设置在所述喷液管壁之端部，并在所述喷液端头上间隔设置通孔。
2.如权利要求1所述的用于湿法单片机的清洗装置，其特征在于，所述喷液端头上间隔设置的所述通孔之孔径大小根据各工艺制程要求设置。
3.如权利要求2所述的用于湿法单片机的清洗装置，其特征在于，所述喷液端头上间隔设置的所述通孔之孔径大小为0.1～0.5mm之间的任一数值取值。
CN201410339805.9A 2014-07-17 2014-07-17 一种用于湿法单片机的清洗装置 Pending CN104091774A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410339805.9A CN104091774A (zh) 2014-07-17 2014-07-17 一种用于湿法单片机的清洗装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410339805.9A CN104091774A (zh) 2014-07-17 2014-07-17 一种用于湿法单片机的清洗装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104091774A true CN104091774A (zh) 2014-10-08

Family

ID=51639478

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410339805.9A Pending CN104091774A (zh) 2014-07-17 2014-07-17 一种用于湿法单片机的清洗装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104091774A (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002246355A (ja) * 2001-02-14 2002-08-30 Sony Corp 半導体ウェーハ洗浄装置及び半導体ウェーハ洗浄方法
US20100099050A1 (en) * 2008-10-17 2010-04-22 Canon Kabushiki Kaisha Liquid recovery apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
CN102696092A (zh) * 2009-12-23 2012-09-26 吉布尔·施密德有限责任公司 用于处理硅基底的方法和装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002246355A (ja) * 2001-02-14 2002-08-30 Sony Corp 半導体ウェーハ洗浄装置及び半導体ウェーハ洗浄方法
US20100099050A1 (en) * 2008-10-17 2010-04-22 Canon Kabushiki Kaisha Liquid recovery apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
CN102696092A (zh) * 2009-12-23 2012-09-26 吉布尔·施密德有限责任公司 用于处理硅基底的方法和装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103241958B (zh) 一种液晶显示器玻璃基板的蚀刻方法
CN106783538B (zh) 一种应用于单片清洗工艺的水痕及颗粒消除方法
US20140311531A1 (en) Gas-liquid two-phase atomizing cleaning device and cleaning method
WO2007143476A3 (en) Apparatus and method for single substrate processing
CN105321797A (zh) 一种清洗硅片的方法
CN109427579A (zh) 高深宽比结构的制备方法及结构
CN104091774A (zh) 一种用于湿法单片机的清洗装置
CN103361734B (zh) 一种提高多晶硅产出效率的方法
CN203124337U (zh) 晶圆清洗装置
CN109979799A (zh) 半导体晶片的脱胶方法
CN104613732A (zh) 一种外延前抛光片清洗后的快速干燥方法
CN205803604U (zh) 酸洗装置
CN104465367A (zh) 一种对场氧化层进行处理的方法及应用
CN103962345B (zh) 晶圆的碎屑的清除方法
KR20110056975A (ko) 기판 세정용 혼합유체 분사노즐
CN102437021A (zh) 化学机械研磨中的清洗方法
CN205496157U (zh) 去除弹性纤维表面粉尘的设备
KR20080099625A (ko) 웨이퍼 제조 공정에서 약액을 공급하는 노즐 및 웨이퍼세정 장치
CN103972074A (zh) 一种去除晶圆背面掩膜层的方法
CN107552481A (zh) 一种硅片清洗工艺
CN105097426A (zh) 一种消除湿法清洗中的图形损坏缺陷的方法
CN203721680U (zh) 晶圆背面清洗装置
CN209094013U (zh) 一种湿法清洗装置
CN205752214U (zh) 一种光伏硅片均匀刻蚀装置
CN104900493A (zh) 一种晶圆表面大深宽比tsv盲孔的清洗方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20141008