CN107552481A - 一种硅片清洗工艺 - Google Patents

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CN107552481A CN201610514384.8A CN201610514384A CN107552481A CN 107552481 A CN107552481 A CN 107552481A CN 201610514384 A CN201610514384 A CN 201610514384A CN 107552481 A CN107552481 A CN 107552481A
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崔敏娟
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崔敏娟
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Abstract

本发明公开一种硅片清洗工艺,包括以下步骤:a、将硅片放入装有柠檬酸溶液的超声波清洗机中清洗;b、将步骤a清洗后的硅片放入装有去离子水的超声波清洗机中清洗;c、将步骤b清洗后的硅片放入烘箱进行干燥。所述一种硅片清洗工艺能够有效的去除附着在硅片表面的杂质,确保硅片表面的清洁度,从而大大提高了成品率,有效保证了产品的质量。

Description

一种硅片清洗工艺
技术领域
[0001] 本发明涉及一种光伏领域,尤其涉及一种硅片清洗工艺。
背景技术
[0002] 目前,硅片的清洗方法大多采用浸泡、喷淋的清洗方式,其清洗效果较差,清洗不 够彻底,进而导致硅片表面的化学物、金属杂质、酸碱残留等过多,会使硅片制绒时出现白 斑,产生色差现象,影响成品率及产品质量,由此,急需解决。
发明内容
[0003] 本发明的目的在于针对上述问题,提供一种硅片清洗工艺,以解决现有硅片采用 浸泡、喷淋的清洗方式,清洗效果差、清洗不够彻底,影响成品率及产品质量的问题。
[0004] 本发明的目的是通过以下技术方案来实现:
[0005] 一种硅片清洗工艺,包括以下步骤:
[0006] a、将硅片放入装有柠檬酸溶液的超声波清洗机中清洗;
[0007] b、将步骤a清洗后的硅片放入装有去离子水的超声波清洗机中清洗;
[0008] C、将步骤b清洗后的硅片放入烘箱进行干燥。
[0009] 作为本发明的一种优选方案,所述步骤a中柠檬酸的浓度为2〜4%。
[0010]作为本发明的一种优选方案,所述超声波清洗机的频率为90〜lOOKHz,温度为50 〜60。。。
[0011 ]作为本发明的一种优选方案,所述步骤c中,供箱的温度为90〜1 〇〇 °C,干燥时间为 10〜20min〇
[0012]本发明的有益效果为,所述一种硅片清洗工艺能够有效的去除附着在硅片表面的 杂质,确保硅片表面的清洁度,从而大大提高了成品率,有效保证了产品的质量。
具体实施方式
[0013]下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。可以理解的是,此处所 描述的实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。
[0014] 实施例1
[0015] 于本实施例中,一种硅片清洗工艺,包括以下步骤:
[0016] a、将硅片放入装有柠檬酸溶液的超声波清洗机中清洗,其中,柠檬酸的浓度为 2%;
[0017] b、将步骤a清洗后的桂片放入装有去罔子水的超声波清洗机中清洗.
[0018] c、将步骤b清洗后的硅片放入烘箱进行干燥,烘箱温度为9〇。(:,干燥时间为20min。
[0019] 上述一种硅片清洗工艺中所采用的超声波清洗机的频率为90KHz,温度为5(TC。
[0020] 实施例2
[0021]于本实施例中,一种桂片清洗工艺,包括以下步骤: 」a、将硅片放入装有柠檬酸溶液的超声波清洗机中清洗,其中,柠檬酸的浓度为 4% ;
[0023] b、将步骤a清洗后的硅片放入装有去离子水的超声波清洗机中清洗;
[0024] c、将步骤b清洗后的硅片放入烘箱进行干燥,烘箱温度为i〇〇 »c,干燥时间为 10min〇
[0025]上述一种硅片清洗工艺中所采用的超声波清洗机的频率s1〇〇KHz,温度为6〇。〇。 [0026]实施例3
[0027]于本实施例中,一种硅片清洗工艺,包括以下步骤:
[0028] a、将硅片放入装有柠檬酸溶液的超声波清洗机中清洗,其中,柠檬酸的浓度为 3%;
[0029] b、将步骤a清洗后的硅片放入装有去离子水的超声波清洗机中清洗;
[0030] C、将步骤b清洗后的硅片放入烘箱进行干燥,烘箱温度为95»c,千燥时间为15min。 [0031]上述一种鞋片清洗工艺中所采用的超声波清洗机的频率为95KHz,温度为55〇c。 [0032]以上实施例只是阐述了本发明的基本原理和特性,本发明不受上述实施例限制, 在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还有各种变化和改变,这些变化和改变都落 入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书i定。

Claims (4)

1. 一种硅片清洗工艺,其特征在于:包括以下步骤: a、 将硅片放入装有柠檬酸溶液的超声波清洗机中清洗; b、 将步骤a清洗后的硅片放入装有去离子水的超声波清洗机中清洗; c、 将步骤b清洗后的硅片放入烘箱进行干燥。
2. 根据权利要求1所述的一种娃片清洗工艺,其特征在于:所述步骤a中梓檬酸的浓度 为2〜4 % 〇
3.根据权利要求1所述的一种硅片清洗工艺,其特征在于:所述超声波清洗机的频率为 90 〜lOOKHz,温度为 50 〜60°C。
4.根据权利要求1所述的一种硅片清洗工艺,其特征在于:所述步骤c中,烘箱的温度为 90〜100°C,干燥时间为10〜20min。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108296216A (zh) * 2018-04-03 2018-07-20 湖州五石科技有限公司 一种硅片清洗方法

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