CN105321797A - 一种清洗硅片的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种微电子制作工艺技术领域，尤其涉及一种清洗硅片的方法。包括步骤1、将硅片放入盛有去离子水的超声波清洗机中震荡清洗；步骤2、将硅片放入盛有丙酮溶液的超声波清洗机中震荡清洗；步骤3、将硅片放入盛有乙醇溶液的超声波清洗机中震荡清洗；步骤4、取出硅片，用流动的去离子水进行冲洗；步骤5、对硅片进行干燥处理。本发明首先通过去离子水进行震荡清洗，能够去除残留在硅片表面的大颗粒的杂质，通过丙酮溶液能够有效去除硅片上的有机杂质，通过乙醇能够有效的起到助溶的作用以及稀释残留丙酮的作用，通过本发明所述的清洗方法能够有效地去除附着在硅片上的杂质，确保硅片表面的清洁度。
Description
技术领域
本发明涉及一种微电子制作工艺技术领域，尤其涉及一种清洗硅片的方法。
背景技术
伴随集成电路制造工艺的不断进步，半导体器件的体积正变得越来越小，这导致了非常微小的颗粒也变得足以影响半导体器件的制造和性能，所以，硅片清洗工艺也变得越来越重要。对于这些微小的颗粒，传统的流体清洗方法并不能够非常有效地去除它们。
发明内容
本发明的目的在于提出一种清洗硅片的方法，能够有效去除残留在硅片表面上的有机杂质及无机杂质等。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
一种清洗硅片的方法，包括：
步骤1、将硅片放入盛有去离子水的超声波清洗机中震荡清洗；
步骤2、将硅片放入盛有丙酮溶液的超声波清洗机中震荡清洗；
步骤3、将硅片放入盛有乙醇溶液的超声波清洗机中震荡清洗；
步骤4、取出硅片，用流动的去离子水进行冲洗；
步骤5、对硅片进行干燥处理。
其中，所述超声波清洗机的工作频率为80-120KHz，功率为200-300W，温度为40-60℃。
其中，所述步骤1中震荡清洗的时间为5-10mins。
其中，所述步骤2中震荡清洗的时间为3-5mins。
其中，所述步骤3中震荡清洗的时间为5-8mins。
其中，所述步骤4中用流动的去离子水进行冲洗的时间为3-5mins。
其中，所述步骤5中对硅片进行干燥处理的方式为用烘箱烘10-15mins，烘箱的温度为110℃。
其中，所述步骤5中对硅片进行干燥处理的方式为用喷雾干燥机吹3-5mins。
有益效果：
与现有技术相比，本发明所述的一种清洗硅片的方法，包括步骤1、将硅片放入盛有去离子水的超声波清洗机中震荡清洗；步骤2、将硅片放入盛有丙酮溶液的超声波清洗机中震荡清洗；步骤3、将硅片放入盛有乙醇溶液的超声波清洗机中震荡清洗；步骤4、取出硅片，用流动的去离子水进行冲洗；步骤5、对硅片进行干燥处理。为了改善现有技术存在的问题，超声波被引入了半导体清洗工艺，超声波的能量可以在水中产生微小的气泡，当气泡爆开时所产生的震动将有助于剥离那些附着在硅片上的微小颗粒，从而清洗硅片。本发明首先通过去离子水进行震荡清洗，能够去除残留在硅片表面的大颗粒的杂质，通过丙酮溶液能够有效去除硅片上的有机杂质，通过乙醇能够有效的起到助溶的效果以及稀释残留丙酮的作用，通过本发明所述的清洗方法能够有效地去除附着在硅片上的杂质，确保硅片表面的清洁度，不需要有相当大的清洗装置、清洗液，也不需要消耗大量的电力及花费多的时间，该方法能够有效节约成本、节约能源、节约时间，能够有效去除残留在硅片表面上的有机杂质及无机杂质等。
具体实施方式
下面结合具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
一种清洗硅片的方法，包括：
步骤1、将硅片放入盛有去离子水的超声波清洗机中震荡清洗；
步骤2、将硅片放入盛有丙酮溶液的超声波清洗机中震荡清洗；
步骤3、将硅片放入盛有乙醇溶液的超声波清洗机中震荡清洗；
步骤4、取出硅片，用流动的去离子水进行冲洗；
步骤5、对硅片进行干燥处理。
为了改善现有技术存在的问题，超声波被引入了半导体清洗工艺。超声波的能量可以在水中产生微小的气泡，当气泡爆开时所产生的震动将有助于剥离那些附着在硅片上的微小颗粒，从而清洗硅片。本发明所述的一种清洗硅片的方法，首先通过去离子水进行震荡清洗，能够去除残留在硅片表面的大颗粒的杂质，通过丙酮溶液能够有效去除硅片上的有机杂质，通过乙醇能够有效的起到助溶的效果以及稀释残留丙酮的作用，通过本发明所述的清洗方法能够有效地去除附着在硅片上的杂质，确保硅片表面的清洁度，不需要有相当大的清洗装置、清洗液，也不需要消耗大量的电力及花费多的时间，该方法能够有效节约成本、节约能源、节约时间，能够有效去除残留在硅片表面上的有机杂质及无机杂质等。
根据相似相溶规则，有机物如胶水、合成蜡、油脂等残留杂质容易溶于丙酮，而很难溶于水，因此本发明丙酮的量不能太少，太少的话不能有效清洗掉硅片上的有机物杂质，又因为乙醇能与水以任何比例相溶，所以先用丙酮溶液进行震荡清洗后，再用乙醇溶液进行震荡清洗不仅可以通过丙酮将有机杂质完全除去，而且通过乙醇也能把残留在硅片上的丙酮清洗干净，因此，乙醇的量也不能太少，如果太少则丙酮就容易残留下来。
所述超声波清洗机的工作频率为80-120KHz，功率为200-300W，温度为40-60℃。
所述步骤1中震荡清洗的时间为5-10mins。
所述步骤2中震荡清洗的时间为3-5mins。
所述步骤3中震荡清洗的时间为5-8mins。
所述步骤4中用流动的去离子水进行冲洗的时间为3-5mins。
当然，以上所述的震荡清洗时间也可以根据硅片的大小、超声波清洗机中溶液的多少进行选择其他的震荡清洗时间。
所述步骤5中对硅片进行干燥处理的方式为用烘箱烘10-15mins，烘箱的温度为110℃。
所述步骤5中对硅片进行干燥处理的方式为用喷雾干燥机吹3-5mins。
除了上述两种对硅片进行干燥处理的方式之外，还可以有其他的干燥方式。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种清洗硅片的方法，其特征在于，包括：
步骤1、将硅片放入盛有去离子水的超声波清洗机中震荡清洗；
步骤2、将硅片放入盛有丙酮溶液的超声波清洗机中震荡清洗；
步骤3、将硅片放入盛有乙醇溶液的超声波清洗机中震荡清洗；
步骤4、取出硅片，用流动的去离子水进行冲洗；
步骤5、对硅片进行干燥处理。
2.根据权利要求1所述的一种清洗硅片的方法，其特征在于，所述超声波清洗机的工作频率为80-120KHz，功率为200-300W，温度为40-60℃。
3.根据权利要求1所述的一种清洗硅片的方法，其特征在于，所述步骤1中震荡清洗的时间为5-10mins。
4.根据权利要求1所述的一种清洗硅片的方法，其特征在于，所述步骤2中震荡清洗的时间为3-5mins。
5.根据权利要求1所述的一种清洗硅片的方法，其特征在于，所述步骤3中震荡清洗的时间为5-8mins。
6.根据权利要求1所述的一种清洗硅片的方法，其特征在于，所述步骤4中用流动的去离子水进行冲洗的时间为3-5mins。
7.根据权利要求1所述的一种清洗硅片的方法，其特征在于，所述步骤5中对硅片进行干燥处理的方式为用烘箱烘10-15mins，烘箱的温度为110℃。
8.根据权利要求1所述的一种清洗硅片的方法，其特征在于，所述步骤5中对硅片进行干燥处理的方式为用喷雾干燥机吹3-5mins。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2014
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| PB01 | Publication | ||
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| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
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