CN101695696B - 一种硅片清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及硅片加工方法，特别涉及硅片清洗方法；其特征在于如下步骤：将硅片放入煤油浸泡；将硅片放入氢氧化钠溶液超声洗，冲洗，将硅片放入BS-1溶液超声洗，将硅片放入无水乙醇脱水，脱水后硅片放入烘箱烘；本发明有效地去除附着在硅片上的残留研磨砂和杂质，确保硅片表面清洁度，不需要有相当大的清洗装置和大量的清洗液，消耗大量的电力以及花费许多时间，该方法可以有效的节约空间、节约成本、节约能源、节约时间及良好的清洗效果。

Description

一种硅片清洗方法
一、技术领域：
本发明涉及硅片加工方法，特别涉及硅片清洗方法。
二、背景技术
硅片就是以硅为材料制造的片状物体，一般是指纯度很高的结晶硅(单晶硅)制成的，单晶硅的分子结构非常稳定，很少有自由电子产生，因此其导电能力很差。若在单晶硅中掺入某些3或5价的元素，分子结构将发生很大改变，其导电能力将得到很大的提高，但与金属等导体的导电能力比还是较低，因此称为半导体。根据掺杂元素的不同，可以制造出N型和P型半导体，它们都是制造电子元件的主要材料。随着科学技术的发展，在硅片可以直接制造出完成各种功能的电子线路，将能够完成某些功能的电子线路在硅片制造出来就称为半导体芯片了。
生产硅片时需要对硅片进行清洗，以去除各种污染物。化学湿法清洗由于能够简单而且批量地除去各种污染物，所以得到广泛采用。例如，利用硫酸与过氧化氢混合溶液(SPM，H2SO4/H2O2)除去有机物，利用APM除去微粒，利用HPM除去金属，然后利用稀释氢氟酸(DHF，HF/H2O)除去自然氧化膜和化学氧化膜。考虑到清洗效果，可以建立这样的清洗顺序：SPM→水洗→DHF→水洗→APM→水洗→DHF→水洗→HPM→水洗→DHF→水洗→干燥。这是一种实际使用的清洗顺序。从清除污染物的角度来看，可以说是一种万全的清洗顺序。
但是应该看到，为了完成这样长的清洗过程，需要有相当大的清洗装置和大量的清洗液，并且消耗大量的电力以及花费许多时间。特别值得注意的是装置的大小。可以说超净室中占据空间最大的就是清洗装置。所以，在权衡节约空间、节约成本、节约能源、节约时间及清洗效果这些因素后，需要一种新的清洗方法。
三、发明内容：
技术目的
本发明提供一种硅片清洗方法，去除附著在硅片上的残留研磨砂和杂质，确保硅片表面清洁度，该方法可以有效的节约空间、节约成本、节约能源、节约时间及良好的清洗效果。
技术方案
本发明有如下步骤完成，其特征在于：
a.先将硅片放入煤油浸泡1-2小时；
b.将硅片放入氢氧化钠溶液超声洗30分钟，超声波功率设为100W，温度为50-70℃；
c.硅片冷却至室温，用流动水冲洗1分钟；
d.将硅片放入BS-1溶液超声洗30分钟，超声波功率设为100W，温度为40-60℃；
e.硅片冷却至室温，用流动水冲洗1分钟；
f.将硅片放入纯净水超声洗30分钟，超声波功率设为100W，温度为30-50℃；
g.硅片冷却至室温，用流动水冲洗1分钟；
h.将硅片放入无水乙醇脱水3-5分钟；
i.将脱水后硅片放入烘箱烘30-50分钟，烘箱温度为70-80℃；
k.成品
所述的BS-1溶液为1000ml水中含有3.26g乙酸钠和10ml冰醋酸配制而成；所述的氢氧化钠溶液由氢氧化钠∶SDS∶纯净水＝400g∶60g∶16L配制而成，所述的SDS为十二烷基磺酸钠；
作为一种优化方式，所述将硅片放入BS-1溶液超声洗30分钟，超声波功率设为100W，温度为50℃。；将硅片放入纯净水超声洗30分钟，超声波功率设为100W，温度为40℃。
有益效果
1.采用BS-1溶液代替硫酸与过氧化氢混合溶液，有效清除杂质，且条件温和。
2.所述的氢氧化钠溶液由氢氧化钠∶SDS∶纯净水＝400g∶60g∶16L配制而成，清洗效果良好，不要大量纯净水进行洗涤。
3.本发明有效地去除附著在硅片上的残留研磨砂和杂质，确保硅片表面清洁度，不需要有相当大的清洗装置和大量的清洗液，消耗大量的电力以及花费许多时间，该方法可以有效的节约空间、节约成本、节约能源、节约时间及良好的清洗效果。
四、具体实施方式
实施例1
一种硅片清洗方法，有如下步骤完成：
a.先将硅片放入煤油浸泡1-2小时；
b.将硅片放入氢氧化钠溶液超声洗30分钟，超声波功率设为100W，温度为60℃；
c.硅片冷却至室温，用流动水冲洗1分钟；
d.将硅片放入BS-1溶液超声洗30分钟，超声波功率设为100W，温度为50℃；
e.硅片冷却至室温，用流动水冲洗1分钟；
f.将硅片放入纯净水超声洗30分钟，超声波功率设为100W，温度为40℃；
g.硅片冷却至室温，用流动水冲洗1分钟；
h.将硅片放入无水乙醇脱水3-5分钟；
i.将脱水后硅片放入烘箱烘30-50分钟，烘箱温度为70-80℃；
k.成品。
实施例2
一种硅片清洗方法，有如下步骤完成：
a.先将硅片放入煤油浸泡1-2小时；
b.将硅片放入氢氧化钠溶液超声洗30分钟，超声波功率设为100W，温度为70℃；
c.硅片冷却至室温，用流动水冲洗1分钟；
d.将硅片放入BS-1溶液超声洗30分钟，超声波功率设为100W，温度为40℃；
e.硅片冷却至室温，用流动水冲洗1分钟；
f.将硅片放入纯净水超声洗30分钟，超声波功率设为100W，温度为30℃；
g.硅片冷却至室温，用流动水冲洗1分钟；
h.将硅片放入无水乙醇脱水3-5分钟；
i.将脱水后硅片放入烘箱烘30-50分钟，烘箱温度为70-80℃；
k.成品。
实施例3
一种硅片清洗方法，有如下步骤完成：
a.先将硅片放入煤油浸泡1-2小时；
b.将硅片放入氢氧化钠溶液超声洗30分钟，超声波功率设为100W，温度为50℃；
c.硅片冷却至室温，用流动水冲洗1分钟；
d.将硅片放入BS-1溶液超声洗30分钟，超声波功率设为100W，温度为60℃；
e.硅片冷却至室温，用流动水冲洗1分钟；
f.将硅片放入纯净水超声洗30分钟，超声波功率设为100W，温度为40℃；
g.硅片冷却至室温，用流动水冲洗1分钟；
h.将硅片放入无水乙醇脱水3-5分钟；
i.将脱水后硅片放入烘箱烘30-50分钟，烘箱温度为70-80℃；
k.成品。

Claims (3)

1.一种硅片清洗的方法，其特征在于如下步骤：
a.先将硅片放入煤油浸泡1-2小时；
b.将硅片放入氢氧化钠溶液超声洗30分钟，超声波功率设为100W，温度为50-70℃；
c.硅片冷却至室温，用流动水冲洗1分钟；
d.将硅片放入BS-1溶液超声洗30分钟，超声波功率设为100W，温度为40-60℃；
e.硅片冷却至室温，用流动水冲洗1分钟；
f.将硅片放入纯净水超声洗30分钟，超声波功率设为100W，温度为30-50℃；
g.硅片冷却至室温，用流动水冲洗1分钟；
h.将硅片放入无水乙醇脱水3-5分钟；
i.将脱水后硅片放入烘箱烘30-50分钟，烘箱温度为70-80℃；
k.成品。
2.根据权利要求1所述的硅片清洗的方法，其特征在于：所述的氢氧化钠溶液由氢氧化钠∶SDS∶纯净水＝400g∶60g∶16L配制而成。
3.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，步骤b进一步具体为：将硅片放入氢氧化钠溶液超声洗30分钟，超声波功率设为100W，温度为60℃。
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