CN102082204B - 一种减少槽式去psg设备产生水渍的方法 - Google Patents
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Abstract
一种涉及太阳能电池硅片加工领域的减少槽式去PSG设备产生水渍的方法；所述的方法在不增加设备投资的情况下，通过工艺上的改进，利用具有快速挥发性的无水乙醇代替热水进行脱水，保证了硅片表面在经过脱水、烘干以及后道PECVD工序后，水渍比例由原来的0.9%降低到0%，保证了生产线的正常连续生产，同时有效的提高了生产效率。
Description
【技术领域】
本发明涉及太阳能电池硅片加工领域，尤其是涉及一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法。
【背景技术】
公知的，太阳能电池的制作流程一般为清洗制绒——扩散制结——边缘刻蚀——去磷硅玻璃——PECVD镀膜——丝网印刷——烧结——测试；在这些工序中，扩散制结工序对太阳能电池的效率起有比较重要的作用，因此扩散制结属于一道重要的工序；扩散过程中发生的反应如下： 4POCl3+5O2→P2O5+6Cl2，即由POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面，再使其与Si反应生成SiO2和磷原子：2P2O5+5Si→5SiO2+4P，这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，通称为磷硅玻璃，简称PSG；由于通过扩散在硅片表面形成的PSG严重阻碍后续的工艺,影响电池片的效率，因此必须对扩散后形成的PSG进行去除；
目前，常规的去PSG设备采用槽式去PSG隧道烘干设备，一般的流程为：HF酸浸泡——纯水冲洗——热水预脱水——烘干；在这个过程中，由于热水预脱水不可能完全的将水脱干，而未完全脱干的水在烘干后的硅片表面不能够被发现，但这些水份会造成硅片在后道工序PECVD镀膜时形成的蓝色Si3N4膜表面产生白色痕迹，这种白色的痕迹一般称为水渍，对电池片的外观影响极大，因此需要对此类硅片进行返工；由于在返工时，需要将这些返工硅片表面形成的Si3N4膜去掉，因此严重影响了生产线的正常生产，同时返工硅片的存在也导致了成本的大量增加；
针对槽式去PSG设备采用热水慢提拉产生水渍的问题，现有的解决办法是放弃隧道烘干，而采用甩干机进行甩干；甩干机是利用硅片高速旋转时产生的离心力将表面残留的水去掉，与此同时，再采用密闭腔体内喷水、喷氮的方法来保证硅片的洁净度；这种方法虽然能较好的解决水渍问题，但是由于现在市场上槽式去PSG设备一般都采用烘干，如改用甩干机的话就需要额外单独购买相应的甩干设备，这就相当于进行了二次投资，增加了设备成本。
【发明内容】
为了克服背景技术中的不足，本发明提供了一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，所述的方法在不增加设备投资的情况下，仅通过对现有工艺的改进，利用具有快速挥发性的无水乙醇代替热水进行脱水，从而有效的解决了去PSG产生水渍的问题。
为实现上述发明目的，本发明采用如下技术方案：
一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，所述的方法采用如下步骤：
a． 将表面有PSG的硅片放到硅片承载盒；
b． 将装有硅片的承载盒放入D-1清洗液中清洗去除硅片表面的PSG；
c． 将硅片放入18MΩ的纯水中冲洗去除硅片表面粘附的D-1清洗液；
d． 将硅片放入无水乙醇中脱水3-5分钟；
e． 将脱水后的硅片放入烘箱烘干；
f． 对烘干后的硅片进行后道工序的生产。
所述的减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，所述的D-1清洗液由氢氟酸：纯水按照1：10的体积比制成
所述的减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，将装有硅片的承载盒放入D-1清洗液中清洗去除表面的PSG，时间为3-7分钟；
所述的减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，将硅片放入18MΩ的纯水中冲洗去除硅片表面粘附的D-1清洗液，时间为5-15分钟；
所述的减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，将脱水后的硅片放入烘箱烘干，时间为5-10分钟，烘箱温度为70-100度。
由于采用如上所述的技术方案，本发明具有如下有益效果：
本发明所述的一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，所述的方法在不增加设备投资的情况下，仅通过对现有工艺的改进，利用具有快速挥发性的无水乙醇代替热水进行脱水，保证了硅片表面在经过脱水、烘干以及后道PECVD工序后，水渍比例由原来的0.9%降低到0 %，保证了生产线的正常连续生产；同时，由于无水乙醇的易挥发性，可以有效的将烘干的工艺时间由原先的600s缩短到300s，因此也将去PSG设备的产能由1200pcs/h提高到1450pcs/h，达到了有效提高生产效率的目的。
【具体实施方式】
通过下面的实施例可以更详细的解释本发明，公开本发明的目的旨在保护本发明范围内的一切变化和改进，本发明并不局限于下面的实施例；
实施实例1：
一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，步骤如下：
a． 将扩散后的表面有PSG的硅片放到相应的硅片承载盒；
b． 将装有硅片的承载盒放入D-1清洗液中清洗5分钟，以去除表面的PSG；
c． 将去除PSG的硅片放入18MΩ的纯水中冲洗15分钟，以去除硅片表面粘附的D-1清洗液；
d． 将去除表面D-1清洗液的硅片放入无水乙醇中脱水4分钟；
e． 将脱水后的硅片放入烘箱烘干8分钟，烘箱温度为90度；
f． 去PSG工艺完成，对烘干后的硅片进行后道工序的生产。
实施实例2：
一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，步骤如下：
a． 将表面有PSG的硅片放到相应的硅片承载盒；
b． 将装有硅片的承载盒放入D-1清洗液中清洗7分钟，以去除表面的PSG；
c． 将去除PSG后的硅片放入18MΩ的纯水中冲洗20分钟，以去除硅片表面粘附的D-1清洗液；
d． 将去除表面D-1清洗液的硅片放入无水乙醇中脱水4分钟；
e． 将脱水后的硅片放入烘箱烘干10分钟，烘箱温度为75度；
f． 去PSG工艺完成，对烘干后的硅片进行后道工序的生产。
实施实例3：
一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，步骤如下：
a． 将表面有PSG的硅片放到相应的硅片承载盒；
b． 将装有硅片的承载盒放入D-1清洗液中清洗3分钟，以去除表面的PSG；
c． 将去除PSG后的硅片放入18MΩ的纯水中冲洗10分钟，以去除硅片表面粘附的D-1清洗液；
d． 将去除表面D-1清洗液的硅片放入无水乙醇中脱水3分钟；
e． 将脱水后的硅片放入烘箱烘干5分钟，烘箱温度为95度；
f． 去PSG工艺完成，对烘干后的硅片进行后道工序的生产。
Claims (5)
1.一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，其特征是：所述的方法采用如下步骤：
A、将表面有PSG的硅片放到硅片承载盒；
B、将装有硅片的承载盒放入D-1清洗液中清洗去除硅片表面的PSG；
C、将硅片放入18MΩ的纯水中冲洗去除硅片表面粘附的D-1清洗液；
D、将硅片放入无水乙醇中脱水3-5分钟；
E、将脱水后的硅片放入烘箱烘干；
F、去PSG工艺完成，对烘干后的硅片进行后道工序的生产。
2.根据权利要求1所述的一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，其特征是：所述的D-1清洗液由氢氟酸：纯水按照1：10的体积比制成。
3.根据权利要求1所述的一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，其特征是：将装有硅片的承载盒放入D-1清洗液中清洗去除表面的PSG，时间为3-7分钟。
4.根据权利要求1所述的一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，其特征是：将硅片放入18MΩ的纯水中冲洗去除硅片表面粘附的D-1清洗液，时间为5-15分钟。
5.根据权利要求1所述的一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，其特征是：将脱水后的硅片放入烘箱烘干，时间为5-10分钟，烘箱温度为70-100度。
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