CN103887369B - 一种硅片镀膜色差片的返工方法 - Google Patents
一种硅片镀膜色差片的返工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103887369B CN103887369B CN201410087084.7A CN201410087084A CN103887369B CN 103887369 B CN103887369 B CN 103887369B CN 201410087084 A CN201410087084 A CN 201410087084A CN 103887369 B CN103887369 B CN 103887369B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon chip
- ventilation
- time
- plated film
- wet etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 51
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 51
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 230000004075 alteration Effects 0.000 title claims abstract description 24
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims abstract description 15
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 15
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 abstract description 11
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 abstract description 11
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 6
- 239000012634 fragment Substances 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02079—Cleaning for reclaiming
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02096—Cleaning only mechanical cleaning
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Weting (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种硅片镀膜色差片的返工方法，包括湿法刻蚀、水洗、干燥、管式PECVD镀膜和印刷烧结；湿法刻蚀工序为：将色差片用质量浓度为8%‑15%的HF溶液进行表面刻蚀，除去硅片表面的氮化硅；管式PECVD镀膜工序分为两次镀膜，第一次镀膜时间为100‑160s，SiH4通气量为1000‑1300 mL/min，NH3通气量为4700‑5700 mL/min；第二次镀膜时间为600‑680s，SiH4通气量为600‑770 mL/min，NH3通气量为6800‑7500 mL/min。本发明对洗膜工艺进行了优化，从而可以减少了制绒、扩散步骤，降低了对硅片的损伤和硅片碎片率，减少了原料消耗，降低了生产成本，提高了工作效率。
Description
技术领域
本发明涉及硅片镀膜色差片的返工方法。
背景技术
太阳能电池主要是将太阳光转换为电能，在实际生活中属于一种绿色能源。太阳能电池片是由原硅片经过清洗硅片表面、制绒、扩散形成PN结、去除磷硅玻璃、沉积氮化硅、印刷、烧结形成的。清洗硅片表面主要是在电池生产工序的第一步，主要是利用在切割硅片过程中形成的损伤层，通过化学药液将硅片表面进行腐蚀，从而在硅片表面形成高低不平的表面以及大量孔洞，从而降低硅片表面的反射率，提升电池转换效率。
因为氮化硅的沉积大部分使用的管式PECVD（ 等离子体增强化学气相沉积法），管式PECVD对于膜厚的均匀性有一定影响，硅片沉积的氮化硅的厚度不同，则呈现的颜色不同，经常造成色差片。色差片出现后，需要用高浓度的HF酸进行干燥，将硅片表面的的氮化硅、PN结去除干净，然后重新制绒、然后扩散、去除磷硅玻璃层、沉积氮化硅、印刷烧结从而形成电池。色差片需要先经过高浓度的酸洗除去硅片表面的氮化硅和PN结，除去硅片的厚度约为5μm，重新经过制绒，制绒的深度为2-4μm，扩散工序经过800℃以上温度进行反应，均会造成硅片损伤，从而提升硅片的碎片率，增加消耗，提高生产成本。
发明内容
本发明提供一种硅片镀膜色差片的返工方法，对洗膜工艺进行了优化，从而可以减少了制绒、扩散步骤，降低了对硅片的损伤和硅片碎片率，减少了原料消耗，降低了生产成本，提高了工作效率。
本发明所采取的技术方案是：
一种硅片镀膜色差片的返工方法，包括湿法刻蚀、水洗、干燥、管式PECVD镀膜和印刷烧结；
湿法刻蚀工序为：将色差片用质量浓度为8%-15%的HF溶液进行表面刻蚀，除去硅片表面的氮化硅。
优选的，管式PECVD镀膜工序分为两次镀膜，第一次镀膜时间为100-160s，SiH4通气量为1000-1300 mL/min，NH3通气量为4700-5700 mL/min；第二次镀膜时间为600-680s，SiH4通气量为600-770 mL/min，NH3通气量为6800-7500 mL/min。
优选的，湿法刻蚀工序的带速为1-1.5m/min。
优选的，湿法刻蚀工序中采用质量浓度为10%-12%的HF溶液进行表面刻蚀。
优选的，湿法刻蚀工序中HF溶液刻蚀时间为10-30s。
优选的，干燥工序采用甩干的方法，甩干的时间为50-100s。
清洗后硅片的干燥采用甩干方法，根据甩干设备的具体情况，甩干时间为50-100s ，使硅片表面完全干燥。
传统工艺对镀膜色差片的处理采用重新制绒和扩散的方式，但是制绒的腐蚀深度为3-5μm，重新制绒，将会对硅片表面再次腐蚀，再经过800℃以上的高温扩散，会大大增加硅片的损伤程度，从而提升硅片的碎片率，增加消耗，提高生产成本。本申请降低HF溶液的浓度，清洗时只清洗氮化硅层，不会破坏PN结，因此不用重新制绒和扩散，从根本上降低碎片率，降低消耗。
采用上述技术方案所产生的有益效果在于：
1、本发明对洗膜工艺进行了优化，从而可以减少了制绒、扩散步骤，降低了对硅片的损伤和硅片碎片率，减少了原料消耗，降低了生产成本，提高了工作效率。
2、根据洗膜工艺重新优化镀膜工艺，从而达到降低色差片，提升电池合格率的目的。
具体实施方式
实施例1
硅片镀膜色差片的返工方法，按照下述步骤进行：
湿法刻蚀：将色差片用质量浓度为8%的HF溶液进行表面刻蚀30s，除去硅片表面的氮化硅，清洗完毕后用纯水进行表面清洗，去除残液，然后进行甩干100s。
将甩干的硅片进行管式PECVD镀膜，采用两次镀膜工艺：第一次镀膜时间为160s，SiH4通气量为1000 mL/min，NH3通气量为5700 mL/min；第二次镀膜时间为650s，SiH4通气量为700 mL/min，NH3通气量为7300 mL/min。镀膜之后的硅片进行印刷烧结，得到成品。
实施例2
硅片镀膜色差片的返工方法，按照下述步骤进行：
湿法刻蚀：将色差片用质量浓度为15%的HF溶液进行表面刻蚀10s，除去硅片表面的氮化硅，清洗完毕后用纯水进行表面清洗，去除残液，然后进行甩干50s。
将甩干的硅片进行管式PECVD镀膜，采用两次镀膜工艺：第一次镀膜时间为100s，SiH4通气量为1300 mL/min，NH3通气量为4700 mL/min；第二次镀膜时间为630s，SiH4通气量为650 mL/min，NH3通气量为7000 mL/min。镀膜之后的硅片进行印刷烧结，得到成品。
实施例3
硅片镀膜色差片的返工方法，按照下述步骤进行：
湿法刻蚀：将色差片用质量浓度为10%的HF溶液进行表面刻蚀20s，除去硅片表面的氮化硅，清洗完毕后用纯水进行表面清洗，去除残液，然后进行甩干80s。
将甩干的硅片进行管式PECVD镀膜，采用两次镀膜工艺：第一次镀膜时间为120s，SiH4通气量为1100 mL/min，NH3通气量为5500 mL/min；第二次镀膜时间为600s，SiH4通气量为770 mL/min，NH3通气量为6800mL/min。镀膜之后的硅片进行印刷烧结，得到成品。
实施例4
硅片镀膜色差片的返工方法，按照下述步骤进行：
湿法刻蚀：将色差片用质量浓度为12%的HF溶液进行表面刻蚀15s，除去硅片表面的氮化硅，清洗完毕后用纯水进行表面清洗，去除残液，然后进行甩干70s。
将甩干的硅片进行管式PECVD镀膜，采用两次镀膜工艺：第一次镀膜时间为140s，SiH4通气量为1200 mL/min，NH3通气量为5000mL/min；第二次镀膜时间为680s，SiH4通气量为600 mL/min，NH3通气量为7500 mL/min。镀膜之后的硅片进行印刷烧结，得到成品。
Claims (2)
1.一种硅片镀膜色差片的返工方法，其特征在于包括湿法刻蚀、水洗、干燥、管式PECVD镀膜和印刷烧结；
所述湿法刻蚀工序为：将色差片用质量浓度为8%-12%的HF溶液进行表面刻蚀，除去硅片表面的氮化硅；
所述湿法刻蚀工序中HF溶液刻蚀时间为10-30s；所述湿法刻蚀工序的带速为1-1.5m/min；
所述管式PECVD镀膜工序分为两次镀膜，第一次镀膜时间为100-160s，SiH4通气量为1000-1300 mL/min，NH3通气量为4700-5700 mL/min；第二次镀膜时间为600-680s，SiH4通气量为600-770 mL/min，NH3通气量为6800-7500 mL/min。
2.根据权利要求１所述的一种硅片镀膜色差片的返工方法，其特征在于所述干燥工序采用甩干的方法，甩干的时间为50-100s。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410087084.7A CN103887369B (zh) | 2014-03-11 | 2014-03-11 | 一种硅片镀膜色差片的返工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410087084.7A CN103887369B (zh) | 2014-03-11 | 2014-03-11 | 一种硅片镀膜色差片的返工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103887369A CN103887369A (zh) | 2014-06-25 |
| CN103887369B true CN103887369B (zh) | 2016-10-26 |
Family
ID=50956184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410087084.7A Expired - Fee Related CN103887369B (zh) | 2014-03-11 | 2014-03-11 | 一种硅片镀膜色差片的返工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103887369B (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105575759A (zh) * | 2014-10-08 | 2016-05-11 | 浙江鸿禧能源股份有限公司 | 一种pecvd返工片处理方法 |
| CN106384757A (zh) * | 2016-08-29 | 2017-02-08 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | 一种改善处理镀膜后脏片的方法 |
| CN106098861A (zh) * | 2016-08-29 | 2016-11-09 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | 一种太阳能电池返工片镀膜工艺 |
| CN107507762B (zh) * | 2017-09-04 | 2019-05-03 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 一种提高氮化硅薄膜富含氢的方法 |
| CN108091728A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-05-29 | 天津市职业大学 | 一种太阳电池玻璃失效减反射膜的重涂修复和增效方法 |
| CN109216503A (zh) * | 2018-08-11 | 2019-01-15 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种新的多晶镀膜异常片返工的方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101527326A (zh) * | 2009-03-02 | 2009-09-09 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种应用于冶金硅太阳电池的减反射膜及其制备方法 |
| CN102629644A (zh) * | 2012-04-21 | 2012-08-08 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种成品晶硅太阳能电池片的返工工艺 |
| CN103400890A (zh) * | 2013-07-08 | 2013-11-20 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种晶硅太阳电池pecvd色差片去膜重镀的返工工艺 |
-
2014
- 2014-03-11 CN CN201410087084.7A patent/CN103887369B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101527326A (zh) * | 2009-03-02 | 2009-09-09 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种应用于冶金硅太阳电池的减反射膜及其制备方法 |
| CN102629644A (zh) * | 2012-04-21 | 2012-08-08 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种成品晶硅太阳能电池片的返工工艺 |
| CN103400890A (zh) * | 2013-07-08 | 2013-11-20 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种晶硅太阳电池pecvd色差片去膜重镀的返工工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103887369A (zh) | 2014-06-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103887369B (zh) | 一种硅片镀膜色差片的返工方法 | |
| TWI511196B (zh) | Method of Polishing Silica Flocking Cleaning Process | |
| CN102751377B (zh) | 一种用于高效晶硅太阳电池制作的表面湿法处理工艺 | |
| CN103394484B (zh) | 多晶硅太阳能电池硅片酸制绒后的清洗工艺 | |
| WO2017049801A1 (zh) | 硅片表面钝化方法及n型双面电池的制作方法 | |
| CN107523881A (zh) | 一种制备单晶硅绒面的预处理方法 | |
| CN102154711A (zh) | 一种单晶硅清洗液及预清洗工艺 | |
| CN102296369B (zh) | 一种多晶硅酸法制绒工艺 | |
| CN103700733B (zh) | 太阳能电池的n型晶体硅衬底的清洗处理方法 | |
| CN103400890A (zh) | 一种晶硅太阳电池pecvd色差片去膜重镀的返工工艺 | |
| CN102185013A (zh) | 一种硅片手指印去除方法及清洗方法 | |
| CN106952805A (zh) | 一种石墨舟清洗工艺 | |
| CN107611220B (zh) | 一种太阳能电池片制备方法 | |
| CN104009125B (zh) | 多晶硅片的制绒工艺 | |
| CN106711280B (zh) | 一种n型双面电池的制作方法 | |
| CN101777605A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池边缘刻蚀工艺 | |
| CN107195728A (zh) | 一种太阳能电池返工片的处理方法 | |
| CN104716206B (zh) | 一种提高镀减反射膜后电池片返工品转换效率的方法 | |
| WO2019042084A1 (zh) | 一种在晶体硅片表面选择性制备绒面的方法 | |
| CN104157739B (zh) | 对不合格硅片的处理方法 | |
| CN104613732A (zh) | 一种外延前抛光片清洗后的快速干燥方法 | |
| CN104103716A (zh) | 一种实现多晶硅太阳能电池蜂窝陷光绒面的方法 | |
| CN106847991B (zh) | 一种光伏硅片扩散后蓝黑点的去除方法 | |
| CN103715304B (zh) | 一种基于湿法刻蚀机实现色差片处理的方法 | |
| JP2016032073A5 (zh) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20161026 Termination date: 20170311 |