CN103394484B - 多晶硅太阳能电池硅片酸制绒后的清洗工艺 - Google Patents
多晶硅太阳能电池硅片酸制绒后的清洗工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103394484B CN103394484B CN201310332052.4A CN201310332052A CN103394484B CN 103394484 B CN103394484 B CN 103394484B CN 201310332052 A CN201310332052 A CN 201310332052A CN 103394484 B CN103394484 B CN 103394484B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cleaning
- silicon chip
- acid
- mass parts
- changes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000002253 acid Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 54
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 42
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 42
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 241000628997 Flos Species 0.000 title claims abstract description 28
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 21
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 title claims abstract description 20
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 48
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 43
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 27
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 25
- SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N sodium hypochlorite Chemical group [Na+].Cl[O-] SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 abstract description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 239000002932 luster Substances 0.000 abstract description 2
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 7
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 7
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 5
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Detergent Compositions (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种多晶硅太阳能电池硅片酸制绒后的清洗工艺，对酸制绒后的多晶硅片，用含氧化剂的酸溶液或碱溶液进行清洗。本发明提供的清洗工艺，优化硅片表面结构，去除硅片表面残留成分，既能清洗掉硅片制绒后表面残留的制绒液，也能去除多孔硅，从而大大减少硅片表面的复合中心，提升短路电流和开压，达到提高太阳能电池光电转换效率的效果。采用这种清洗工艺后，可以去除酸制绒后产生的多孔硅，减少绒面中的尖锐结构，硅片外观色泽均匀，不同晶粒间的差异小，不会导致多晶化程度加强。此外，本发明的工艺简单易操作，与现行工艺兼容，重复性好。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池硅片的清洗工艺，具体涉及一种多晶硅太阳能电池硅片酸制绒后的清洗工艺。
背景技术
在多晶硅太阳电池制造过程中，硅片表面制绒是关键的环节。制绒的效果直接影响了最终电池片的转换效率。利用多晶硅在氢氟酸和硝酸的各向同性腐蚀，把硅片表面织构化，是提高效率的非常重要的途径。然而硅片制绒后，其表面会残留很多制绒液，必须要经过碱清洗来中和这些制绒后表面残留的酸。另外，利用酸性制绒液对多晶硅片进行制绒后，会在绒面表面形成一层多孔硅，这层多孔硅会对后续的扩散等工艺造成危害，严重影响电池的光电转换效率。因此，在酸制绒后，需要利用碱溶液（目前工业生产中主要是NaOH或KOH溶液）对表面的多孔硅进行清洗。由于受到目前工业生产中设备等限制，传统的碱清洗工艺力度不够，表面多孔硅也没有完全去除。而且工艺特别难控制，硅片在碱槽中的时间稍微长一点，就会造成硅片表面抛光，加工成的电池片全部降级。
故需要一种新型的清洗工艺，能克服现有技术中存在的不足，既能清洗掉硅片制绒后表面残留的制绒液，也能去除多孔硅，进一步提高电池的转换效率，该清洗工艺将具有重要的意义。
发明内容
本发明的目的在于提供一种多晶硅太阳能电池硅片酸制绒后的清洗工艺，该清洗工艺既能清洗掉硅片制绒后表面残留的制绒液，也能去除多孔硅，从而减少硅片表面的复合中心，提升短路电流和开压，达到提高太阳能电池光电转换效率的效果。
为实现上述目的，本发明的技术方案是设计一种多晶硅太阳能电池硅片酸制绒后的清洗工艺，对酸制绒后的多晶硅片，用含氧化剂的酸溶液或碱溶液进行清洗。
优选的，所述酸溶液中配入的氧化剂为NaClO、H2O2、NH4NO3或HNO3；所述碱溶液中配入的氧化剂为NaClO、H2O2或NH4NO3。
优选的，所述酸溶液中配入了0.1%-15%的氟化氢(HF)水溶液和1%-15%的HCl水溶液；所述氟化氢(HF)水溶液中含有49%的HF，所述HCl水溶液中含有37%的HCl；其中，所述百分比为质量百分比。
优选的，所述碱溶液中配入了0.1%-10%的碱，所述碱包括NaOH和/或KOH；其中，所述百分比为质量百分比。
优选的，所述以NaClO为氧化剂的酸溶液或碱溶液中配入了2%-10%的NaClO水溶液，所述NaClO水溶液中含有10%的NaClO；酸溶液清洗温度为10-30℃；碱溶液清洗温度为20-50℃。
优选的，所述以H2O2为氧化剂的酸溶液或碱溶液中配入了5%-10%的H2O2水溶液，所述H2O2水溶液中含有30%的H2O2；酸溶液清洗温度为10-30℃，碱溶液清洗温度为30-70℃。
优选的，所述以NH4NO3为氧化剂的酸溶液或碱溶液中配入了2%-5%的NH4NO3；清洗温度为10-30℃。
优选的，所述以HNO3为氧化剂的酸溶液中配入了3%-10%的HNO3水溶液，所述HNO3水溶液中含有69%的HNO3；清洗温度为10-20℃。
本发明的优点和有益效果在于：提供一种多晶硅太阳能电池硅片酸制绒后的清洗工艺，优化硅片表面结构，去除硅片表面残留成分，该清洗工艺既能清洗掉硅片制绒后表面残留的制绒液，也能去除多孔硅，从而大大减少硅片表面的复合中心，提升短路电流和开压，达到提高太阳能电池光电转换效率的效果。
采用这种清洗工艺后，可以去除酸制绒后产生的多孔硅，减少绒面中的尖锐结构，硅片外观色泽均匀，不同晶粒间的差异小，多晶化程度弱，光电转换效率提高。此外，本发明的工艺简单易操作，与现行工艺兼容，重复性好。
具体实施方式
下面结合实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
本发明具体实施的技术方案是：
实施例1
一种多晶硅太阳能电池硅片酸制绒后的清洗工艺，采取如下工艺步骤：1）将0.1质量份的HF水溶液（HF水溶液中HF的质量百分含量为49%），15质量份的HCl水溶液（HCl水溶液中HCl质量百分含量为37%），2质量份的NaClO水溶液（NaClO水溶液中NaClO质量百分含量为10%），溶于去离子水中，得到100质量份的酸溶液；2）对酸制绒后的硅片通过上述酸溶液进行腐蚀清洗，清洗温度为10℃，清洗时间为25s。
实施例2
在实施例1的基础上，HF水溶液改为15质量份，HCl水溶液改为1质量份，NaClO水溶液改为10质量份的，清洗温度改为30℃，清洗时间改为15s，其他不变。
实施例3
在实施例1的基础上，HF水溶液改为5质量份，HCl水溶液改为8质量份，NaClO水溶液改为6质量份的，清洗温度改为25℃，清洗时间改为20s，其他不变。
实施例4
一种多晶硅太阳能电池硅片酸制绒后的清洗工艺，采取如下工艺步骤：1）将0.1质量份的碱（碱由NaOH和KOH组成），2质量份的NaClO水溶液（NaClO水溶液中NaClO质量百分含量为10%），溶于去离子水中，得到100质量份的碱溶液；2）对酸制绒后的硅片通过上述碱溶液进行腐蚀清洗，清洗温度为20℃，清洗时间为30s；
实施例5
在实施例4的基础上，碱改为NaOH，碱的用量改为10质量份，NaClO水溶液改为10质量份的，清洗温度改为50℃，清洗时间改为20s，其他不变。
实施例6
在实施例4的基础上，碱改为KOH，碱的用量改为6质量份，NaClO水溶液改为5质量份的，清洗温度改为35℃，清洗时间改为25s，其他不变。
实施例7
一种多晶硅太阳能电池硅片酸制绒后的清洗工艺，采取如下工艺步骤：1）将15质量份的HF水溶液（HF水溶液中HF的质量百分含量为49%），8质量份的HCl水溶液（HCl水溶液中HCl质量百分含量为37%），6质量份的H2O2水溶液（H2O2水溶液中H2O2质量百分含量为30%），溶于去离子水中，得到100质量份的酸溶液；2）对酸制绒后的硅片通过上述酸溶液进行腐蚀清洗，清洗温度为25℃，清洗时间为30s；
实施例8
在实施例7的基础上，HF水溶液改为5质量份，HCl水溶液改为15质量份，H2O2水溶液改为10质量份的，清洗温度改为10℃，清洗时间改为25s，其他不变。
实施例9
在实施例7的基础上，HF水溶液改为0.1质量份，HCl水溶液改为1质量份，H2O2水溶液改为5质量份的，清洗温度改为30℃，清洗时间改为20s，其他不变。
实施例10
一种多晶硅太阳能电池硅片酸制绒后的清洗工艺，采取如下工艺步骤：1）将0.1质量份的碱（碱由NaOH和KOH组成），7质量份的H2O2水溶液（H2O2水溶液中H2O2质量百分含量为30%），溶于去离子水中，得到100质量份的碱溶液；2）对酸制绒后的硅片通过上述碱溶液进行腐蚀清洗，清洗温度为50℃，清洗时间为25s；
实施例11
在实施例10的基础上，碱改为NaOH，碱的用量改为10质量份，H2O2水溶液改为10质量份的，清洗温度改为30℃，清洗时间改为30s，其他不变。
实施例12
在实施例10的基础上，碱改为KOH，碱的用量改为6质量份，H2O2水溶液改为5质量份的，清洗温度改为70℃，清洗时间改为20s，其他不变。
实施例13
一种多晶硅太阳能电池硅片酸制绒后的清洗工艺，采取如下工艺步骤：1）将6质量份的HF水溶液（HF水溶液中HF的质量百分含量为49%），1质量份的HCl水溶液（HCl水溶液中HCl质量百分含量为37%），4质量份的NH4NO3，溶于去离子水中，得到100质量份的酸溶液；2）对酸制绒后的硅片通过上述酸溶液进行腐蚀清洗，清洗温度为10℃，清洗时间为30s；
实施例14
在实施例13的基础上，HF水溶液改为0.1质量份，HCl水溶液改为8质量份，NH4NO3改为2质量份的，清洗温度改为20℃，清洗时间改为35s，其他不变。
实施例15
在实施例13的基础上，HF水溶液改为15质量份，HCl水溶液改为15质量份，NH4NO3改为5质量份的，清洗温度改为30℃，清洗时间改为20s，其他不变。
实施例16
一种多晶硅太阳能电池硅片酸制绒后的清洗工艺，采取如下工艺步骤：1）将10质量份的碱（碱由NaOH和KOH组成），2质量份的NH4NO3，溶于去离子水中，得到100质量份的碱溶液；2）对酸制绒后的硅片通过上述碱溶液进行腐蚀清洗，清洗温度为20℃，清洗时间为20s；
实施例17
在实施例16的基础上，碱改为NaOH，碱的用量改为0.1质量份，NH4NO3改为5质量份的，清洗温度改为10℃，清洗时间改为30s，其他不变。
实施例18
在实施例16的基础上，碱改为KOH，碱的用量改为4质量份，NH4NO3改为3质量份的，清洗温度改为30℃，清洗时间改为35s，其他不变。
实施例19
一种多晶硅太阳能电池硅片酸制绒后的清洗工艺，采取如下工艺步骤：1）将0.1质量份的HF水溶液（HF水溶液中HF的质量百分含量为49%），7质量份的HCl水溶液（HCl水溶液中HCl质量百分含量为37%），3质量份的HNO3水溶液（HNO3水溶液中HNO3质量百分含量为69%），溶于去离子水中，得到100质量份的酸溶液；2）对酸制绒后的硅片通过上述酸溶液进行腐蚀清洗，清洗温度为15℃，清洗时间为30s；
实施例20
在实施例19的基础上，HF水溶液改为9质量份，HCl水溶液改为1质量份，HNO3水溶液改为6质量份的，清洗温度改为10℃，清洗时间改为25s，其他不变。
实施例21
在实施例19的基础上，HF水溶液改为15质量份，HCl水溶液改为15质量份，HNO3水溶液改为10质量份的，清洗温度改为20℃，清洗时间改为20s，其他不变。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (1)
1.多晶硅太阳能电池硅片酸制绒后的清洗工艺，其特征在于，对酸制绒后的多晶硅片，用含氧化剂的酸溶液或碱溶液进行清洗；
所述氧化剂为NaClO或NH4NO3；
所述以NaClO为氧化剂的酸溶液或碱溶液中配入了2%-10%的NaClO水溶液，酸溶液清洗温度为10-30℃，碱溶液清洗温度为20-50℃；所述NaClO水溶液中含有10%的NaClO；
所述以NH4NO3为氧化剂的酸溶液或碱溶液中配入了2%-5%的NH4NO3，清洗温度为10-30℃；
所述酸溶液中配入了0.1%-15%的HF水溶液和1%-15%的HCl水溶液；所述HF水溶液中含有49%的HF，所述HCl水溶液中含有37%的HCl；
所述碱溶液中配入了0.1%-10%的碱，所述碱包括NaOH和/或KOH；
前述所有的百分比都为质量百分比。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310332052.4A CN103394484B (zh) | 2013-08-02 | 2013-08-02 | 多晶硅太阳能电池硅片酸制绒后的清洗工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310332052.4A CN103394484B (zh) | 2013-08-02 | 2013-08-02 | 多晶硅太阳能电池硅片酸制绒后的清洗工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103394484A CN103394484A (zh) | 2013-11-20 |
| CN103394484B true CN103394484B (zh) | 2016-08-10 |
Family
ID=49558313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310332052.4A Expired - Fee Related CN103394484B (zh) | 2013-08-02 | 2013-08-02 | 多晶硅太阳能电池硅片酸制绒后的清洗工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103394484B (zh) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104120040B (zh) * | 2014-08-08 | 2017-08-01 | 常州时创能源科技有限公司 | 多晶硅链式制绒设备的清洗液添加剂及其应用 |
| CN104741335A (zh) * | 2015-04-02 | 2015-07-01 | 中建材浚鑫科技股份有限公司 | 扩散用石英舟的清洗方法 |
| CN105951184A (zh) * | 2016-05-12 | 2016-09-21 | 华南师范大学 | 一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法 |
| CN107658348A (zh) * | 2017-09-20 | 2018-02-02 | 贵州大学 | 硅基微纳光伏结构及其光子制备方法 |
| CN108054236A (zh) * | 2017-12-06 | 2018-05-18 | 苏州润阳光伏科技有限公司 | 单晶硅片清洗制绒方法 |
| CN108231540A (zh) * | 2017-12-20 | 2018-06-29 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种应用于太阳能电池制绒的后清洗工艺 |
| CN108615788A (zh) * | 2018-03-30 | 2018-10-02 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种黑硅的碱修饰方法 |
| CN108831937A (zh) * | 2018-06-25 | 2018-11-16 | 江苏顺风光电科技有限公司 | 一种n型太阳能电池的绒面修饰方法 |
| CN110165018A (zh) * | 2019-04-18 | 2019-08-23 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种下降漏电提升效率的多晶清洗工艺 |
| CN111341884A (zh) * | 2020-03-20 | 2020-06-26 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种硅片及其表面倒金字塔结构制备方法 |
| CN112436074A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-03-02 | 中建材浚鑫科技有限公司 | 一种适用于双面硅太阳能电池的制绒清洗工艺 |
| CN112670166B (zh) * | 2020-12-28 | 2023-07-28 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种perc电池pecvd镀膜不良片的返工清洗方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1614789A (zh) * | 2004-09-30 | 2005-05-11 | 无锡尚德太阳能电力有限公司 | 一种制备多晶硅绒面的方法 |
| CN101876088A (zh) * | 2010-03-19 | 2010-11-03 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 多晶硅片制绒方法 |
| CN102703916A (zh) * | 2012-05-14 | 2012-10-03 | 晶澳太阳能有限公司 | 一种用于晶体硅太阳能电池的硅片碱制绒后清洗的清洗液 |
| CN102938431A (zh) * | 2012-10-19 | 2013-02-20 | 上海中智光纤通讯有限公司 | 一种太阳电池的硅片清洗制绒方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2741194B1 (fr) * | 1995-11-13 | 1998-01-30 | Photowatt Int | Cellule solaire comportant du silicium multicristallin et procede de texturisation de la surface du silicium multicristallin de type p |
| US8759231B2 (en) * | 2009-12-29 | 2014-06-24 | Intermolecular, Inc. | Silicon texture formulations with diol additives and methods of using the formulations |
| CN101976700B (zh) * | 2010-07-28 | 2011-12-07 | 常州天合光能有限公司 | 太阳能电池用多晶硅片的后清洗工艺 |
| KR101129110B1 (ko) * | 2011-01-17 | 2012-03-23 | 회명산업 주식회사 | 다결정 실리콘 웨이퍼의 표면처리용 텍스쳐링 방법 |
| KR20120117687A (ko) * | 2011-04-14 | 2012-10-24 | 선프림, 리미티드 | 텍스쳐링된 실리콘 웨이퍼를 세정하는 방법 |
-
2013
- 2013-08-02 CN CN201310332052.4A patent/CN103394484B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1614789A (zh) * | 2004-09-30 | 2005-05-11 | 无锡尚德太阳能电力有限公司 | 一种制备多晶硅绒面的方法 |
| CN101876088A (zh) * | 2010-03-19 | 2010-11-03 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 多晶硅片制绒方法 |
| CN102703916A (zh) * | 2012-05-14 | 2012-10-03 | 晶澳太阳能有限公司 | 一种用于晶体硅太阳能电池的硅片碱制绒后清洗的清洗液 |
| CN102938431A (zh) * | 2012-10-19 | 2013-02-20 | 上海中智光纤通讯有限公司 | 一种太阳电池的硅片清洗制绒方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103394484A (zh) | 2013-11-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103394484B (zh) | 多晶硅太阳能电池硅片酸制绒后的清洗工艺 | |
| TWI511196B (zh) | Method of Polishing Silica Flocking Cleaning Process | |
| TWI526522B (zh) | Polycrystalline silicon wafer velvet additive, velveteen and its velvet method | |
| CN107706087B (zh) | 硅片的清洗方法 | |
| CN103087850B (zh) | 一种单晶硅片预清洗液及其清洗方法 | |
| CN102185035B (zh) | 一种二次制绒法制备晶体硅太阳能电池的工艺 | |
| CN103199005B (zh) | 一种晶体硅片的清洗工艺方法 | |
| CN102296369B (zh) | 一种多晶硅酸法制绒工艺 | |
| CN102593268B (zh) | 采用绒面光滑圆整技术的异质结太阳电池清洗制绒方法 | |
| CN103346204B (zh) | 一种多晶链式多步制绒工艺 | |
| CN101515611A (zh) | 酸碱结合的太阳电池制绒工艺 | |
| CN109585583A (zh) | 一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺 | |
| CN107675263A (zh) | 单晶硅金字塔结构绒面的优化方法 | |
| CN103111434A (zh) | 一种蓝宝石加工最终清洗工艺 | |
| CN104362221A (zh) | 一种rie制绒的多晶硅太阳电池的制备方法 | |
| CN104009125B (zh) | 多晶硅片的制绒工艺 | |
| CN103789839B (zh) | 一种弱氧化单晶硅片的制绒方法 | |
| CN103924305B (zh) | 一种准单晶硅片绒面的制备方法 | |
| CN104060325A (zh) | 一种多晶硅制绒溶液及制绒方法 | |
| CN103981575A (zh) | 一种单晶硅片的退火制绒方法 | |
| CN109326660A (zh) | 太阳电池单晶硅基绒面生成工艺 | |
| CN1983644A (zh) | 制作单晶硅太阳电池绒面的方法 | |
| CN102364697B (zh) | 一种去除rie制绒后晶体硅表面的微损伤层的方法 | |
| CN103184523A (zh) | 一种单晶硅制绒剂及绒面单晶硅的制备方法 | |
| CN105633196B (zh) | 一种晶硅太阳能电池钝化工艺中的硅片表面处理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: Liyang City, Jiangsu province 213300 Li Cheng Zhen Wu Changzhou city Tandu Road No. 8 Patentee after: Changzhou Shichuang Energy Co.,Ltd. Address before: 213300 Jiangsu city of Changzhou province Liyang Liyang Town of Wuhu Shanghai Road No. 168 building C Patentee before: CHANGZHOU SHICHUANG ENERGY TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| CP03 | Change of name, title or address | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20160810 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |