CN105575759A - 一种pecvd返工片处理方法 - Google Patents

一种pecvd返工片处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105575759A
CN105575759A CN201410524017.7A CN201410524017A CN105575759A CN 105575759 A CN105575759 A CN 105575759A CN 201410524017 A CN201410524017 A CN 201410524017A CN 105575759 A CN105575759 A CN 105575759A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pecvd
over again
processing method
rework
sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410524017.7A
Other languages
English (en)
Inventor
赵丽艳
徐杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ZHEJIANG FORTUNE ENERGY Co Ltd
Original Assignee
ZHEJIANG FORTUNE ENERGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ZHEJIANG FORTUNE ENERGY Co Ltd filed Critical ZHEJIANG FORTUNE ENERGY Co Ltd
Priority to CN201410524017.7A priority Critical patent/CN105575759A/zh
Publication of CN105575759A publication Critical patent/CN105575759A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种PECVD返工片处理方法，采用的技术解决方案是将PECVD返工片经过HF去膜，水洗后，直接进行PECVD镀膜以及丝网印刷，完成电池片的制备工艺。本发明的有益效果是该PECVD返工片处理方式，不仅简化了返工工序，为公司节省了人力和物力，而且优化后的工艺，对绒面和PN结几乎没有影响，对最终的电池片效率的影响也很小。

Description

一种PECVD返工片处理方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池片制造领域，具体地涉及一种PECVD返工片处理方法。
背景技术
由于氮化硅具有很好的钝化、隔绝金属离子和绝缘等作用而广泛地被应用于太阳能电池的镀膜工艺。而目前太阳能电池工艺中沉积氮化硅膜大部分使用管式PECVD设备，管式PECVD设备在沉积氮化硅时，需要用到石墨舟作为载体。将刻蚀后的硅片插到石墨舟内，进入炉管沉积氮化硅薄膜，由于石墨舟作为电极与硅片相链接，所以石墨舟片的好与坏、新与旧直接关系到硅片表面氮化硅薄膜的均匀性。一般膜厚均匀性大于1.5%时容易产生跳色，组件层压后会产生色差。一般在PECVD生产环节，对跳色片进行筛选，把跳色的硅片做返工处理，每个公司由于机台、石墨舟、工艺等不同，返工比例也不尽相同，但大部分公司的返工比例维持在1.5～2.0%之间，这样会给公司带来很大的制造成本。
通常情况下PECVD工序的返工流程如附图1所示，依次为：PECVD色差返工片经过HF去膜、水洗后，再依次经过制绒、扩散、刻蚀、PECVD、丝网制备出太阳能电池片。该返工流程为二次制绒、扩散、刻蚀，所以返工片做出来的绒面比正常绒面大，且工序多，会对生产产能和碎片造成负面影响。
发明内容
本发明的目的是提供一种PECVD返工片处理方法，提高生产效率。
本发明采用的技术解决方案是将PECVD返工片进行去膜、水洗后，直接进行PECVD镀膜以及丝网印刷，完成电池片的制备工艺。
本发明的有益效果是该PECVD返工片处理方式，不仅简化了返工工序，为公司节省了人力和物力，而且优化后的工艺，对绒面和PN结几乎没有影响，对最终的电池片效率的影响也很小。
附图说明
图1原PECVD返工片处理工艺流程示意图
图2本发明提供的PECVD返工片处理工艺流程示意图
图3本发明提供的具体实施方式中反射率测试结果图。
具体实施方式
下面结合附图2对本发明提供的技术解决方案作进一步详细说明。
在本发明的具体实施方式中，采用两种实验方案，即正常返工流程和本发明提供的技术方案。采用本发明提供的技术方案中，依次将PECVD返工片经过酸洗槽和连续三次水洗槽处理：返工片经过酸洗槽时，HF的体积为32L，H2O的体积为128L，时间为600S；然后经过第一个水洗槽，H2O的体积为150L，时间为360S；最后依次经过第二个和第三个水洗槽，H2O的体积均为150L，时间均为300S。
通过对采用上述两种实验方案制备的太阳能电池片的电性能进行测试，反射率的测试结果如图3所示。实验结果分析可知由于本发明提供的PECVD返工流程没有重新制绒工序，本发明提供的技术方案处理的返工片的平均反射率为21.36%，正常返工流程处理的返工片的平均反射率为26.84%，所以绒面的反射率降低。通过电性能测试结果可知，短路电流提高了0.0296，光电转换效率提高了0.058%。
采用两种实验方案处理的返工片的电性能测试结果：
Type Uoc Isc Rs Rsh FF NCell Irev2
原技术方案 0.6337 8.5719 0.00266 198.52 78.45 17.525% 0.1279
本发明提供技术方案 0.6331 8.6015 0.00273 173.56 78.46 17.583% 0.1536

Claims (1)

1.一种PECVD返工片处理方法，其特征在于：将PECVD返工片经过HF去膜，水洗后，直接进行PECVD镀膜以及丝网印刷，完成电池片的制备工艺。
CN201410524017.7A 2014-10-08 2014-10-08 一种pecvd返工片处理方法 Pending CN105575759A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410524017.7A CN105575759A (zh) 2014-10-08 2014-10-08 一种pecvd返工片处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410524017.7A CN105575759A (zh) 2014-10-08 2014-10-08 一种pecvd返工片处理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105575759A true CN105575759A (zh) 2016-05-11

Family

ID=55885774

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410524017.7A Pending CN105575759A (zh) 2014-10-08 2014-10-08 一种pecvd返工片处理方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105575759A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107331734A (zh) * 2017-08-14 2017-11-07 通威太阳能（安徽）有限公司 一种电池片pecvd镀膜后返工片的处理方法
CN108470799A (zh) * 2018-05-17 2018-08-31 协鑫集成科技股份有限公司 背钝化晶体硅片的返工处理方法、太阳能电池及制备方法
CN108538966A (zh) * 2018-04-18 2018-09-14 晋能光伏技术有限责任公司 一种高效异质结电池cvd后制程不良返工工艺方法
CN115440855A (zh) * 2022-10-12 2022-12-06 通威太阳能（安徽）有限公司 电池片的返工处理方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080318343A1 (en) * 2007-06-25 2008-12-25 Krishna Vepa Wafer reclaim method based on wafer type
CN102185015A (zh) * 2010-12-02 2011-09-14 江阴浚鑫科技有限公司 硅片的返工处理方法
CN103887369A (zh) * 2014-03-11 2014-06-25 衡水英利新能源有限公司 一种硅片镀膜色差片的返工方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080318343A1 (en) * 2007-06-25 2008-12-25 Krishna Vepa Wafer reclaim method based on wafer type
CN102185015A (zh) * 2010-12-02 2011-09-14 江阴浚鑫科技有限公司 硅片的返工处理方法
CN103887369A (zh) * 2014-03-11 2014-06-25 衡水英利新能源有限公司 一种硅片镀膜色差片的返工方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107331734A (zh) * 2017-08-14 2017-11-07 通威太阳能（安徽）有限公司 一种电池片pecvd镀膜后返工片的处理方法
CN107331734B (zh) * 2017-08-14 2018-09-04 通威太阳能（安徽）有限公司 一种电池片pecvd镀膜后返工片的处理方法
CN108538966A (zh) * 2018-04-18 2018-09-14 晋能光伏技术有限责任公司 一种高效异质结电池cvd后制程不良返工工艺方法
CN108538966B (zh) * 2018-04-18 2023-11-03 晋能光伏技术有限责任公司 一种高效异质结电池cvd后制程不良返工工艺方法
CN108470799A (zh) * 2018-05-17 2018-08-31 协鑫集成科技股份有限公司 背钝化晶体硅片的返工处理方法、太阳能电池及制备方法
CN115440855A (zh) * 2022-10-12 2022-12-06 通威太阳能（安徽）有限公司 电池片的返工处理方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Edler et al. Metallization‒induced recombination losses of bifacial silicon solar cells
CN109216509A (zh) 一种叉指型背接触异质结太阳电池制备方法
CN105575759A (zh) 一种pecvd返工片处理方法
JP2014183312A5 (zh)
MY191131A (en) Photovoltaic devices and method of manufacturing
CN105810771A (zh) 一种背结晶硅异质结双面太阳电池及制备方法
JP2015533261A (ja) 太陽電池向けの縁なしパルスめっき及び金属洗浄方法
Wang et al. Laser-doped metal-plated bifacial silicon solar cells
Li et al. A comprehensive evaluation of contact recombination and contact resistivity losses in industrial silicon solar cells
CN104485388A (zh) 一种晶硅太阳能电池pecvd镀膜后不良片的返工方法
CN105047765A (zh) 用于钝化发射极背面接触晶硅太阳电池的返工工艺
Yu et al. Selective tunnel oxide passivated contact on the emitter of large-size n-type TOPCon bifacial solar cells
CN104112795B (zh) 一种硅异质结太阳能电池的制作方法
Li et al. Optimization of efficiency enhancement of TOPCon cells with boron selective emitter
JP5817046B2 (ja) 背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法
CN106299023A (zh) 一种抗pid太阳能电池返工片的处理方法
CN111799339A (zh) 适用于太阳能电池的硅片的表面处理方法
CN103531667A (zh) 一种不合格太阳能电池片处理方法
Geerligs et al. LPCVD polysilicon passivating contacts
CN108257898A (zh) 修补破损的石墨舟叶片的方法
CN106298982B (zh) 一种n型双面电池的制作方法
CN102354716A (zh) 一种激光打孔后硅片的处理方法
Mai et al. Rear junction laser doped solar cells on CZ n-type silicon
CN109355642A (zh) 一种改善管式pecvd色差降级的镀膜方法
CN103018564B (zh) 一种测试成品电池片扩散层电阻的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20160511

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication