CN107331734A - 一种电池片pecvd镀膜后返工片的处理方法 - Google Patents
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- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 5
- 230000004075 alteration Effects 0.000 abstract description 19
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract description 17
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 abstract description 8
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000012634 fragment Substances 0.000 abstract description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 241001269238 Data Species 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种电池片PECVD镀膜后返工片的处理方法，包括以下步骤：S1、氮化硅切割：使用玻璃刀对电池片表面氮化硅进行切割去除，S1的具体步骤为：使用玻璃刀切割时，若玻璃刀的切割面位于电池片与氮化硅接触面上，则直接进行步骤S2；S2、切割后镀膜：采用管式PECVD镀膜工序对电池片表面进行重新镀膜。本发明的处理方法可以在不使用HF酸液或者少量HF酸液的情况下，很好的去除掉氮化硅，且不影响制绒面和PN结，然后重新在电池片上进行PECVD镀膜，能够有效降低对电池片的损伤和电池片碎片率，减少了原料酸液的消耗，降低了生产成本，提高了工作效率，很好的对色差返工片进行处理，十分有效。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池片制造技术领域，具体为一种电池片PECVD镀膜后返工片的处理方法。
背景技术
太阳能电池主要是将太阳光转换为电能，在实际生活中属于一种绿色能源，太阳能电池片是由原硅片经过清洗硅片表面、制绒、扩散形成PN结、去除磷硅玻璃、沉积氮化硅、印刷、烧结形成的。
因为氮化硅的沉积大部分使用的管式PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)，管式PECVD对于膜厚的均匀性有一定影响，硅片沉积的氮化硅的厚度不同，则呈现的颜色不同，经常造成色差片，现有技术中，色差片出现后，需要用高浓度的HF酸进行干燥，将硅片表面的的氮化硅、PN结去除干净，然后重新制绒、然后扩散、去除磷硅玻璃层、沉积氮化硅、印刷烧结从而形成电池，十分麻烦。
目前公开号为CN 1038873699 A的“一种硅片镀膜色差片的返工方法”、以及公开号为CN 105575759 A的“一种PECVD返工片处理方法”两个专利，为了解决对色差片返工处理过程中步骤复杂麻烦的问难，上述两个专利均简化了色差片返工处理的步骤，只采用HF酸对氮化硅进行去除，其中“一种硅片镀膜色差片的返工方法”使用HF酸浓度为10％～12％，“一种PECVD返工片处理方法”使用HF量为32L的酸洗槽，然后重新对电池片进行优化镀膜，从而达到降低色差片、提升电池合格率的目的。
但是上述两个专利的色差片返工处理方法还存在较为明显的缺陷：在使用HF酸液对色差片的处理过程中，正常氮化硅的厚度为3～5μm，完全采用HF溶液去除则需要大量的、高浓度的HF酸液，十分浪费酸液材料。
色差片需要先经过高浓度的酸洗除去硅片表面的氮化硅和PN结，除去硅片的厚度约为5μm，重新经过制绒，制绒的深度为2-4μm，扩散工序经过800℃以上温度进行反应，均会造成硅片损伤，从而提升硅片的碎片率，增加消耗，提高生产成本。
发明内容
本发明的目的在于提供一种电池片PECVD镀膜后返工片的处理方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种电池片PECVD镀膜后返工片的处理方法，包括以下步骤：
S1、氮化硅切割：使用玻璃刀对电池片表面氮化硅进行切割去除；
S2、切割后镀膜：采用管式PECVD镀膜工序对电池片表面进行重新镀膜。
优选的，S1的具体步骤为：使用玻璃刀切割时，若玻璃刀的切割面位于电池片与氮化硅接触面上，则直接进行步骤S2。
优选的，S1的具体步骤为：使用玻璃刀切割时，若玻璃刀的切割面位于氮化硅内，则首先使用浓度为5％～7％的HF溶液对电池片表面上切割剩余的氮化硅进行去除，控制去除反应时间为5～10s，然后进行水洗、干燥，最后进行步骤S2。
优选的，所述切割面与接触面始终保持平行。
优选的，步骤S1中，保持氮化硅切割始终在显微镜下进行。
优选的，选用HF溶液的浓度为5％，去除反应时间控制为5s。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明对色差片的氮化硅采用切割去除，对氮化硅首先采用玻璃刀进行切割，如若切割面与接触面重合，则刚好将氮化硅完全去除，直接进行重新PECVD镀膜即可，免去了HF溶液的使用；如若切割面处于氮化硅内，则部分厚度的氮化硅被切割去除，然后配合着更低浓度的HF酸液，对剩余氮化硅进行腐蚀，可以很好的减少HF酸液的使用量和使用浓度，非常有效。
本发明的处理方法可以在不使用HF酸液或者少量HF酸液的情况下，很好的去除掉氮化硅，且不影响制绒面和PN结，然后重新在电池片上进行PECVD镀膜，能够有效降低对电池片的损伤和电池片碎片率，减少了原料酸液的消耗，降低了生产成本，提高了工作效率，很好的对色差返工片进行处理，十分有效。
附图说明
图1为本发明处理方法的流程框图；
图2为本发明实施例一中切割面与接触面的结构示意图；
图3为本发明实施例二中切割面与接触面的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-3，本发明提供一种技术方案：
实施例一：
一种电池片PECVD镀膜后返工片的处理方法，包括以下步骤：
S1、氮化硅切割：使用玻璃刀对电池片表面氮化硅进行切割去除；
首先将色差返工片置于洁净的环境中，避免对电池片造成污染，由于电池片厚度是以微米为单位，肉眼难以去分辨，所以可以将硅片置于显微镜下进行操作。
如说明书附图2所示，图中粗虚线为电池片与沉积的氮化硅接触面，然后控制玻璃刀对齐接触面，玻璃刀的切割面与接触面要始终保持平行，本实施例中使切割面与接触面重合，图中细实线为切割面线，重合后玻璃刀可以将氮化硅完全切割去除掉，还不会破坏PN结和制绒面。
S2、切割后镀膜：采用管式PECVD镀膜工序对电池片表面进行重新镀膜；
然后直接使用管式PECVD镀膜工序对电池片进行重新镀膜，将色差返工片处理成正常片。
将镀膜之后的正常电池片进行印刷烧结，得到成品。
实施例二：
一种电池片PECVD镀膜后返工片的处理方法，包括以下步骤：
S1、氮化硅切割：使用玻璃刀对电池片表面氮化硅进行切割去除；
首先将色差返工片置于洁净的环境中，避免对电池片造成污染，由于电池片厚度是以微米为单位，肉眼难以去分辨，所以可以将硅片置于显微镜下进行操作。
如说明书附图3所示，图中粗虚线仍为电池片与沉积的氮化硅接触面，然后控制玻璃刀对齐氮化硅，玻璃刀的切割面与接触面要始终保持平行，本实施例中使切割面位于氮化硅内，图中细实线为切割面线，玻璃刀可以将部分厚度的氮化硅切割去除掉，然后对于剩余部分的氮化硅，首先使用浓度为5％的HF溶液对电池片表面上切割剩余的氮化硅进行去除，控制去除反应时间为5s，然后进行水洗，并且进行电池片的甩干，仍然不会破坏PN结和制绒面。
S2、切割后镀膜：采用管式PECVD镀膜工序对电池片表面进行重新镀膜；
然后直接使用管式PECVD镀膜工序对电池片进行重新镀膜，将色差返工片处理成正常片。
将镀膜之后的正常电池片进行印刷烧结，得到成品。
对比例：
选用同一批尺寸大小相同的色差片，分别采用原有电池色差片的返工工艺、实施例一返工工艺、以及实施例二返工工艺进行返工处理，然后将实施例一、实施例二和对比例这三个返工处理方法所使用的HF溶液数据进行统计，统计结果如下表1所示：
| Type | HF酸液浓度 | HF酸液腐蚀时间 |
| 对比例 | 15％ | 12s |
| 实施例一 | 0 | 0 |
| 实施例二 | 5％ | 5s |
表1
综合上表1内数据可知，本发明的实施例一和实施例二的处理方法所使用的HF酸液浓度以及使用腐蚀时间均明显低于原有技术的对比例的数据，节约了大量材料和成本。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (6)
1.一种电池片PECVD镀膜后返工片的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、氮化硅切割：使用玻璃刀对电池片表面氮化硅进行切割去除；
S2、切割后镀膜：采用管式PECVD镀膜工序对电池片表面进行重新镀膜。
2.根据权利要求1所述的一种电池片PECVD镀膜后返工片的处理方法，其特征在于，S1的具体步骤为：使用玻璃刀切割时，若玻璃刀的切割面位于电池片与氮化硅接触面上，则直接进行步骤S2。
3.根据权利要求1所述的一种电池片PECVD镀膜后返工片的处理方法，其特征在于，S1的具体步骤为：使用玻璃刀切割时，若玻璃刀的切割面位于氮化硅内，则首先使用浓度为5％～7％的HF溶液对电池片表面上切割剩余的氮化硅进行去除，控制去除反应时间为5～10s，然后进行水洗、干燥，最后进行步骤S2。
4.根据权利要求2或3所述的一种电池片PECVD镀膜后返工片的处理方法，其特征在于：所述切割面与接触面始终保持平行。
5.根据权利要求1所述的一种电池片PECVD镀膜后返工片的处理方法，其特征在于：步骤S1中，保持氮化硅切割始终在显微镜下进行。
6.根据权利要求3所述的一种电池片PECVD镀膜后返工片的处理方法，其特征在于：选用HF溶液的浓度为5％，去除反应时间控制为5s。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710689676.XA CN107331734B (zh) | 2017-08-14 | 2017-08-14 | 一种电池片pecvd镀膜后返工片的处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710689676.XA CN107331734B (zh) | 2017-08-14 | 2017-08-14 | 一种电池片pecvd镀膜后返工片的处理方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107331734A true CN107331734A (zh) | 2017-11-07 |
| CN107331734B CN107331734B (zh) | 2018-09-04 |
Family
ID=60225940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710689676.XA Active CN107331734B (zh) | 2017-08-14 | 2017-08-14 | 一种电池片pecvd镀膜后返工片的处理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN107331734B (zh) |
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| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |