发明内容
本发明的目的在于提供一种利用局域背场制备太阳能电池的方法,该方法首先利用化学抛光的方法取代了等离子刻蚀,省去了等离子边缘刻蚀工艺,避免了刻蚀过程中叠片所导致的漏电问题。其次,采用背面激光开孔,能提高制作速度,减少工艺步骤,避免腐蚀浆料带来的污染。
为达到上述目的,本发明提供的利用局域背场制备太阳能电池的方法,选取硅片制绒,然后进行硼或磷扩散,清洗掉扩散后硅片表面残留的硼硅玻璃层或磷硅玻璃层后,接着在硅片正面利用PECVD沉积氮化硅薄膜,再采用热碱液抛光背面,并在抛光后的背面上沉积钝化膜、进行激光开孔和溅射铝层,最后在硅片正面丝网印刷银电极,进行烧结并测试分选即可。
优选的,本发明提供的利用局域背场制备太阳能电池的方法,包括以下步骤:
(1)硅片选取、制绒和清洗
选取N型或P型单晶硅片,置于碱液中腐蚀形成金字塔型绒面,然后将碱液洗掉;
(2)磷或硼的扩散掺杂
对N型硅片采用三溴化硼液态源扩散或三氯氧磷液态源扩散,对P型硅片采用三氯氧磷液态源扩散,经扩散后硼或磷源进入硅片中;
(3)清洗除去硼硅玻璃层或者磷硅玻璃层
将扩散后的硅片浸入体积百分含量为5~15%的氢氟酸中清洗掉残留在硅片表面的硼硅玻璃层或磷硅玻璃层;
(4)SiNx膜沉积
将清洗过硼硅玻璃层或磷硅玻璃层的硅片,利用PECVD正面沉积氮化硅薄膜;
(5)背表面化学抛光
将硅片置于50~90℃的碱液中,对氮化硅薄膜的另一面即背面进行化学腐蚀抛光,将背面的绒面腐蚀掉得台阶式的平面,然后用酸将残留的碱液洗掉;
(6)背面沉积钝化膜
利用PECVD在背面沉积钝化膜;
(7)激光背面开孔
调节激光参数和打点距离,在背面烧蚀穿钝化膜进行开孔;
(8)溅射铝背场
采用溅射工艺在开孔后的硅片背面溅射金属铝膜;
(9)印刷正电极,烧结,分选
将溅射好Al背场的硅片进行印刷正面银电极,烧结并测试分选即可。
在上述步骤中:
步骤(1)中所述的碱液为氢氧化钠水溶液,其重量百分含量为0.5~3%。
步骤(5)中所述的碱液为无机碱液,所述无机碱液为氢氧化钠或氢氧化钾水溶液,其重量百分含量为5~50%。
步骤(5)中所述的碱液为有机碱液,所述有机碱液为四甲基氢氧化铵或乙二胺的水溶液,其重量百分含量为5~50%。
步骤(6)中所述的钝化膜为SiNx单层膜,其膜厚为50~200nm。
步骤(6)中所述的钝化膜还可以是SiOx单层膜,其厚度为50~250nm。
步骤(6)中所述的钝化膜还可以是SiOx/SiNx双层膜,SiOx的膜厚为50~250nm,SiNx的膜厚为50~200nm。
步骤(7)中激光开孔的参数为:采用锁模或Q开关类型,功率为1~50W,激光波长为500~550nm,脉冲宽度2~200ns,频率为10~100MHz;或采用锁模或Q开关类型,功率为1~50W,激光波长为325~375nm,脉冲宽度为0.1~20ps,频率为10~100MHz。
步骤(8)中背面溅射金属铝膜的厚度为0.5~10μm。
本发明的有益效果是:
(1)利用化学抛光的方法取代了等离子刻蚀,省去了等离子边缘刻蚀工艺,避免了刻蚀过程中叠片所导致的漏电问题;
(2)背面钝化膜采用了PECVD制备SiNx单层钝化膜或SiOx单层钝化膜或SiOx/SiNx叠层钝化膜,PECVD生长钝化层温度较低,比热氧生长SiO2工艺更简单,也没有高温过程,更适合大规模生产。
(3)采用背面激光开孔,大大提高了制作速度,减少了工艺步骤,避免腐蚀浆料带来的污染,且Al层通过小孔可以很好的与硅烧结接触,这样使得金属与背表面硅接触面积更小,减少了背表面的载流子复合速率。
具体实施方式
以下列举具体实施例对本发明进行说明。需要指出的是,以下实施例只用于对本发明作进一步说明,不代表本发明的保护范围,其他人根据本发明的提示做出的非本质的修改和调整,仍属于本发明的保护范围。
实施例1
本实施例提供的利用局域背场制备太阳能电池的方法为:首先选取N型或P型硅片制绒,然后对N型硅片进行硼扩散或磷扩散,对P型硅片进行磷扩散,清洗掉扩散后硅片表面残留的硼硅玻璃或磷硅玻璃层后,接着在硅片正面利用PECVD沉积氮化硅薄膜,再采用热碱液抛光背面,并在抛光后的背面上沉积钝化膜、进行激光开孔和溅射铝层,最后在硅片正面丝网印刷银电极,进行烧结并测试分选即可。
背面抛光采用的碱液为无机碱液,该无机碱液为氢氧化钠或氢氧化钾水溶液,其重量百分含量为5~50%,温度为50~90℃;背面抛光采用的碱液还可以为有机碱液,该有机碱液为四甲基氢氧化铵或乙二胺的水溶液,其重量百分含量为5~50%,温度为50~90℃。
激光开孔的参数为采用锁模或Q开关类型,功率为1~50W,激光波长为500~550nm,脉冲宽度2~200ns,频率为10~100MHz;或采用锁模或Q开关类型,功率为1~50W,激光波长为325~375nm,脉冲宽度为0.1~20ps,频率为10~100MHz。
实施例2
本实施例提供的利用局域背场制备太阳能电池的方法,包括以下步骤:
(1)硅片选取、制绒和清洗
选取N型单晶硅片,采用重量百分含量为0.5~3%的氢氧化钠水溶液制绒获得金字塔型绒面,然后将碱液洗掉;
(2)磷或硼的扩散掺杂
对N型硅片采用三溴化硼液态源扩散,扩散后硼源扩散进入硅片中;
(3)去除硼硅玻璃
将扩散后的硅片浸入体积百分含量为5~15%的氢氟酸中清洗掉残留在硅片表面的硼硅玻璃;
(4)SiNx膜沉积
将清洗过硼硅玻璃的硅片,利用PECVD正面沉积氮化硅薄膜;
(5)背表面化学抛光
将硅片置于重量百分含量为5~50%的氢氧化钠水溶液中,在温度为50~90℃的条件下对氮化硅薄膜的另一面即背面进行化学腐蚀抛光,将背面的绒面腐蚀掉,得到台阶式的平面,然后用酸将残留的碱液洗掉;
(6)背面沉积钝化膜
利用PECVD在背面沉积钝化膜,该钝化膜为SiNx单层膜,膜厚为50~200nm。
(7)激光背面开孔
调节激光参数和打点距离,在背面烧蚀穿钝化膜进行开孔,激光开孔的参数为:采用锁模或Q开关类型,功率为1~50W,激光波长为500~550nm,脉冲宽度2~200ns,频率为10~100MHz。
(8)溅射铝背场
采用溅射工艺在开孔后的硅片背面溅射金属铝膜,背面溅射金属铝膜的厚度为0.5~10μm。
(9)印刷正电极,烧结,分选即可。
实施例3
本实施例提供的利用局域背场制备太阳能电池的方法,包括以下步骤:
(1)硅片选取、制绒和清洗
选取P型单晶硅片,采用重量百分含量为0.5~3%的氢氧化钠水溶液制绒获得金字塔型绒面,然后将碱液洗掉;
(2)磷或硼的扩散掺杂
对P型硅片采用三氯氧磷液态源扩散,扩散后磷源扩散进入硅片中;
(3)去除磷硅玻璃
将扩散后的硅片浸入体积百分含量为5~15%的氢氟酸中清洗掉残留在硅片表面的磷硅玻璃;
(4)SiNx膜沉积
将清洗过磷硅玻璃的硅片,利用PECVD正面沉积氮化硅薄膜;
(5)背表面化学抛光
将硅片置于重量百分含量为5~50%的四甲基氢氧化铵的水溶液中,在50~90℃的条件下对氮化硅薄膜的另一面即背面进行化学腐蚀抛光,将背面的绒面腐蚀掉,得到台阶式的平面,然后用酸将残留的碱液洗掉;
(6)背面沉积钝化膜
利用PECVD在背面沉积钝化膜,该钝化膜为SiOx/SiNx双层膜,SiOx的膜厚为50~250nm,SiNx的膜厚为50~200nm;
(7)激光背面开孔
调节激光参数和打点距离,在背面烧蚀穿钝化膜进行开孔,激光开孔的参数为:采用锁模或Q开关类型,功率为1~50W,激光波长为325~375nm,脉冲宽度0.1~20ps,频率为10~100MHz。
(8)溅射铝背场
采用溅射工艺在开孔后的硅片背面溅射金属铝膜,背面溅射金属铝膜的厚度为0.5~10μm。
(9)印刷正电极,烧结,分选即可。
实施例4
(1)硅片制绒、清洗
选择电阻率为0.5~10Ω·cm的P型或N型单晶硅片,放入重量百分含量为0.5~3%的氢氧化钠水溶液中,在50~100℃的温度下进行化学反应10~60min后金字塔绒面即被腐蚀成型,然后将碱液清洗掉,传入扩散工艺段;
(2)磷或硼的扩散掺杂
对于P型硅采用三氯氧磷液态源扩散,对于N型硅片采用三溴化硼液态源扩散。将扩散炉的恒温区控制在700~1000℃的范围内,制绒后的硅片插入石英舟放入扩散炉中,经过40~180min后,磷或硼源已经扩散进入硅片中并达到0.2~0.6μm;
(3)去除硼硅玻璃或者磷硅玻璃
将扩散后的硅片浸入体积百分含量为5~15%氢氟酸中清洗,洗掉残留在硅片表面的硼硅玻璃或者磷硅玻璃。
(4)SiNx膜沉积
利用PECVD设备,将洗过硼硅玻璃或者磷硅玻璃的硅片的正表面沉积氮化硅薄膜;
(5)背表面化学抛光
将乙二胺配制成重量百分含量为5~50%的溶液,在50~90℃条件下,将硅片置于其溶液中进行腐蚀抛光,然后用酸将残留的碱液洗掉;
(6)在背面沉积钝化膜
利用PECVD设备,在背面沉积一层SiOx薄膜,该薄膜的厚度为50~250nm。
(7)激光烧蚀穿钝化膜进行背面开孔
调节激光参数和打点距离在背面烧蚀穿钝化膜进行开孔,激光开孔的参数为:采用锁模或Q开关类型,功率为1~50W,激光波长为500~550nm,脉冲宽度2~200ns,频率为10~100MHz;或采用锁模或Q开关类型,功率为1~50W,激光波长为325~375nm,脉冲宽度为0.1~20ps,频率为10~100MHz。
(8)溅射Al背场
用磁控溅射炉采用溅射工艺将背面溅射厚度为0.5~10μm的金属铝膜,然后在200~500℃下退火;
(9)印刷正电极,烧结,分选
将溅射好Al背场的硅片再进行印刷正面电极,烧结并测试分选即可。