CN104218113A - 一种n型perc晶体硅太阳能电池及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种N型PERC晶体硅太阳能电池及其制备方法，以电阻率为0.5-12ohm?cm的N型硅片作为基体，正面设有硼扩散P性发射结并设有丝网印刷的银铝电极，背面从上至下依次设有氧化铝钝化膜和蒸镀铝层，所述氧化铝钝化膜上设有点阵或者线阵型镂空，所述蒸镀铝层通过氧化铝钝化膜与硅基体局域接触。由于氧化铝钝化膜上的镂空，使得部分硅基极露出，该部分硅基体与蒸镀铝层局域接触。本发明通过采用将背钝化与金属化区域局域接触相结合，且巧妙利用氧化铝双面沉积，简化了背面再次沉积薄膜的步骤，同时背面氧化铝中的负固定电荷能在N型硅基体上诱导一层反型层，耗尽表面多数载流子达到良好的背表面钝化效果。具有高效低成本等特点，且制备方法步骤简单，操作方便，具有良好的经济效益。
Description
技术领域
本发明属于光伏技术领域，具体涉及一种N型PERC晶体硅太阳能电池及其制备方法。
背景技术
相对于P型硅片，N型硅片具有更高的少数载流子寿命，且对金属杂质的敏感性较弱，另外对于基体中没有人为掺杂的硼原子，不会形成硼氧复合对，所以N型电池无光致衰减，上述原因使N型硅片成为高校晶硅电池宠儿，但有利有弊，N型硅片的工艺制程相对比较复杂，制备成本比较高，所以目前产业化的仍旧是P型电池。
目前，背钝化电池技术在P型电池上已经较为成熟，但在N型电池上用于工业化生产的技术方案仍然比较稀缺。
故需要一种新的技术方案，已解决上述问题。
发明内容
发明目的：针对上述现有技术存在的问题和不足，本发明的目的是提供了一种N型PERC晶体硅太阳能电池及其制备方法。
技术方案：本发明公开了一种N型PERC晶体硅太阳能电池，以电阻率为0.5-12 ohmcm 的N型硅片作为基体，正面设有硼扩散P性发射结并设有丝网印刷的银铝电极，背面从上至下依次设有氧化铝钝化膜和蒸镀铝层，所述氧化铝钝化膜上设有点阵或者线阵型镂空，所述蒸镀铝层通过氧化铝钝化膜与硅基体局域接触。由于氧化铝钝化膜上的镂空，使得部分硅基极露出，该部分硅基体与蒸镀铝层局域接触。
本发明通过在电池背面设有钝化膜，有效增加对长波光的吸收，对未来薄片电池提供了技术保证。
本发明还公开了一种N型PERC晶体硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
（1）.硅片去损伤并制绒；
（2）.电池正面通过硼扩散形成P型发射结；
（3）.利用扩散自然形成的硼硅玻璃作为电池正面掩膜，实现硅片背面去除反射结以及抛光的目的，同时，去除硅片正面制绒面的硼硅玻璃并进行清洗；
（4）. 电池两表面对称生长氧化铝钝化膜；
（5）.电池正面生长氮化硅作为减反膜；
（6）.硅片正面印刷银铝浆栅线并烧结金属即电极金属化；
（7）. 硅片背面用激光在氧化铝薄膜上开孔；
（8）.硅片背面蒸镀铝层；
（9）.在forming gas气氛下退火；
其中：步骤（1）所述的硅片采用N型单晶硅片作为基体，电阻率控制在0.5-12 ohmcm；
步骤（2）采用管式硼扩散；
步骤（3）采用湿法设备对硅片背面进行硼硅玻璃去除，采用溶液浓度为0.1-20%的氢氟酸溶液进行清洗；
步骤（5）硅片正面采用PECVD的方法生长氮化硅减反膜。
上述介质薄膜生长部分顺序可以改变。
本发明所述的步骤（2）中的硼扩散方阻控制在45-140 ohm/sq。
本发明所述的步骤（4）中的钝化膜厚度控制在2-40nm。
本发明所述的步骤（5）中正面氮化硅减反膜厚度控制在50-90nm。
本发明所述的步骤（5）中正面氮化硅减反膜折射率控制在1.9-2.3。
本发明所述的步骤（7）中激光刻蚀为线阵列或点阵列，刻蚀线宽控制在10-100um，间距控制在0.3-2.5mm。
本发明所述的步骤（8）中蒸镀的铝层厚度控制在0.5-3um。
本发明所述的步骤(9)的退火温度控制在200-400℃，时间控制在5-60分钟。
有益效果：本发明与现有技术相比，具有以下优点：
1、本发明通过采用将背钝化与金属化区域局域接触相结合，且巧妙利用氧化铝双面沉积，简化了背面再次沉积薄膜的步骤，同时背面氧化铝中的负固定电荷能在N型硅基体上诱导一层反型层，耗尽表面多数载流子达到良好的背表面钝化效果。具有高效低成本等特点，且制备方法步骤简单，操作方便，具有良好的经济效益；
2、本发明通过采用电池背面介质膜，使内背反射从65%增加到92-95%，提高对长波光的吸收，为薄片电池提高了技术保证；
3、本发明通过采用背钝化，能有效降低介质薄膜区域的背面符合速率至10-50 cm/s。
4、本发明能够直接在现行的工业化太阳电池生产线上实现。
附图说明
图1为本发明的电池截面结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，本发明的一种N型PERC晶体硅太阳能电池，以电阻率为0.5-12 ohmcm 的N型硅片作为基体，正面设有硼扩散3P性发射结并设有丝网印刷的银铝电极1，背面设有钝化膜氧化铝5并设有蒸镀铝层6，所述蒸镀铝层6与硅基体4为局域接触。
下面结合实施例进一步阐明本发明。
实施例1：
本实施例以156mm N型单晶硅片为基体材料，对N型硅片去损伤、制绒、清洗；采用管式硼扩散形成P型发射结，扩散方阻控制在80 ohm/sq，利用扩散自然形成的硼硅玻璃作为电池正面掩膜，实现硅片背面去除反射结以及抛光的目的，同时，利用溶液浓度为5%的氢氟酸溶液去除硅片正面制绒面的硼硅玻璃并利用溶液浓度为1%的氢氟酸溶液进行清洗。在硅片正面和背面对称生长厚度为15nm的氧化铝钝化膜，利用PECVD的方法在硅片正面生长折射率为2.10，厚度为68nm的氮化硅减反膜，介质薄膜生长结束后，在硅片的正面印刷银铝浆栅线并烧结金属使电极金属化，在硅片背面用线阵列激光刻蚀氧化铝薄膜，其刻蚀线宽为35um，间距为1.1mm。而后，在硅片背面蒸镀厚度为1.8um的铝层，蒸镀铝层完成后，在forming gas，温度控制在400℃的气氛下进行退火，时间为20分钟。
本实施例利用目前市售的氧化铝工业设备，在硅片两个表面自然生长出对称的氧化铝薄膜，这样的氧化铝薄膜在N型硅片表面具有良好的钝化效果，实验结果显示硅片表面复合速率低于1cm/s，单晶电池转换效率平均效率达到20.2%，无光衰减，本实施例利用前表面生长氧化铝工艺步骤中在背面生长出的氧化铝副产物作为背面钝化膜，无须另外生长介质薄膜，有效节约工艺步骤，降低成本的同时能够达到更优的技术效果。
实施例2：
本实施例以156mm N型单晶硅片为基体材料，对N型硅片去损伤、制绒、清洗；采用管式硼扩散形成P型发射结，扩散方阻控制在45 ohm/sq，利用扩散自然形成的硼硅玻璃作为电池正面掩膜，实现硅片背面去除反射结以及抛光的目的，同时，利用溶液浓度为5%的氢氟酸溶液去除硅片正面制绒面的硼硅玻璃并利用溶液浓度为1%的氢氟酸溶液进行清洗。在硅片正面和背面对称生长厚度为2nm的氧化铝钝化膜，利用PECVD的方法在硅片正面生长折射率为1.9，厚度为90nm的氮化硅减反膜，介质薄膜生长结束后，在硅片的正面印刷银铝浆栅线并烧结金属使电极金属化，在硅片背面用线阵列激光刻蚀氧化铝薄膜，其刻蚀线宽为10um，间距为0.3mm。而后，在硅片背面蒸镀厚度为0.5um的铝层，蒸镀铝层完成后，在forming gas，温度控制在200℃的气氛下进行退火，时间为60分钟。
本实施例利用目前市售的氧化铝工业设备，在硅片两个表面自然生长出对称的氧化铝薄膜，这样的氧化铝薄膜在N型硅片表面具有良好的钝化效果，实验结果显示硅片表面复合速率低于2cm/s，单晶电池转换效率平均效率达到19.9%，无光衰减，本实施例利用前表面生长氧化铝工艺步骤中在背面生长出的氧化铝副产物作为背面钝化膜，无须另外生长介质薄膜，有效节约工艺步骤，降低成本的同时能够达到更优的技术效果。
实施例3：
本实施例以156mm N型单晶硅片为基体材料，对N型硅片去损伤、制绒、清洗；采用管式硼扩散形成P型发射结，扩散方阻控制在140 ohm/sq，利用扩散自然形成的硼硅玻璃作为电池正面掩膜，实现硅片背面去除反射结以及抛光的目的，同时，利用溶液浓度为5%的氢氟酸溶液去除硅片正面制绒面的硼硅玻璃并利用溶液浓度为1%的氢氟酸溶液进行清洗。在硅片正面和背面对称生长厚度为40nm的氧化铝钝化膜，利用PECVD的方法在硅片正面生长折射率为2.3，厚度为50nm的氮化硅减反膜，介质薄膜生长结束后，在硅片的正面印刷银铝浆栅线并烧结金属使电极金属化，在硅片背面用线阵列激光刻蚀氧化铝薄膜，其刻蚀线宽为100um，间距为2.5mm。而后，在硅片背面蒸镀厚度为3.0um的铝层，蒸镀铝层完成后，在forming gas，温度控制在400℃的气氛下进行退火，时间为5分钟。
本实施例利用目前市售的氧化铝工业设备，在硅片两个表面自然生长出对称的氧化铝薄膜，这样的氧化铝薄膜在N型硅片表面具有良好的钝化效果，实验结果显示硅片表面复合速率低于5cm/s，单晶电池转换效率平均效率达到19.6%，无光衰减，本实施例利用前表面生长氧化铝工艺步骤中在背面生长出的氧化铝副产物作为背面钝化膜，无须另外生长介质薄膜，有效节约工艺步骤，降低成本的同时能够达到更优的技术效果。
Claims (9)
1.一种N型PERC晶体硅太阳能电池，其特征在于：以电阻率为0.5-12 ohm•cm 的N型硅片作为基体，正面设有硼扩散（3）P性发射结并设有丝网印刷的银铝电极（1），背面从上至下依次设有氧化铝钝化膜（5）和蒸镀铝层（6），所述氧化铝钝化膜（5）上设有点阵或者线阵型镂空，所述蒸镀铝层（6）通过氧化铝钝化膜（5）与硅基体（4）局域接触。
2.一种N型PERC晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
（1）.硅片去损伤并制绒；
（2）.电池正面通过硼扩散形成P型发射结；
（3）.利用扩散自然形成的硼硅玻璃作为电池正面掩膜，实现硅片背面去除反射结以及抛光的目的，同时，去除硅片正面制绒面的硼硅玻璃并进行清洗；
（4）.电池两表面对称生长氧化铝钝化膜；
（5）.电池正面生长氮化硅作为减反膜；
（6）.硅片正面印刷银铝浆栅线并烧结；
（7）.硅片背面用激光在氧化铝钝化膜上开孔；
（8）.硅片背面蒸镀铝层；
（9）.在forming gas气氛下退火；
其中：步骤（1）所述的硅片采用N型单晶硅片作为基体，电阻率控制在0.5-12 ohm•cm；
步骤（2）采用管式硼扩散；
步骤（3）采用湿法设备对硅片背面进行硼硅玻璃去除，采用溶液浓度为0.1-20%的氢氟酸溶液进行清洗；
步骤（5）硅片正面采用PECVD的方法生长氮化硅减反膜。
3.根据权利要求2所述的一种N型PERC晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中的硼扩散方阻控制在45-140
ohm/sq。
4.根据权利要求2所述的一种N型PERC晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤（4）中的钝化膜厚度控制在2-40nm。
5.根据权利要求2所述的一种N型PERC晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤（5）中正面氮化硅减反膜厚度控制在50-90nm。
6.根据权利要求5所述的一种N型PERC晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤（5）中正面氮化硅减反膜折射率控制在1.9-2.3。
7.根据权利要求2所述的一种N型PERC晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤（7）中的激光刻蚀为线阵列或点阵列，刻蚀线宽控制在10-100um，间距控制在0.3-2.5mm。
8.根据权利要求2所述的一种N型PERC晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤（8）中蒸镀的铝层厚度控制在0.5-3um。
9.根据权利要求2所述的一种N型PERC晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(9)的退火温度控制在200-400℃，时间控制在5-60℃。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105552139A (zh) * | 2015-12-18 | 2016-05-04 | 河北大学 | 一种n型硅太阳能电池及其制备方法 |
| CN106469766A (zh) * | 2016-11-30 | 2017-03-01 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种perc电池的制作方法 |
| CN107394008A (zh) * | 2017-08-02 | 2017-11-24 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种n型双面太阳能电池片及其制作方法 |
| CN107978645A (zh) * | 2017-11-24 | 2018-05-01 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种n型晶硅电池的制备方法 |
| WO2018157493A1 (zh) * | 2017-03-03 | 2018-09-07 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | P型perc双面太阳能电池及其制备方法、组件和系统 |
| CN109461783A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-03-12 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 一种双面晶硅太阳能电池及其制作方法 |
| CN112614917A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-06 | 中建材浚鑫科技有限公司 | 一种perc单晶双面太阳能电池背面制备的方法 |
| CN113241389A (zh) * | 2021-04-25 | 2021-08-10 | 天津爱旭太阳能科技有限公司 | 提高光电转换效率的perc电池的制作方法和电池 |
| CN113488547A (zh) * | 2021-01-09 | 2021-10-08 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 隧穿氧化层钝化结构及其制作方法与应用 |
| CN114284370A (zh) * | 2022-01-07 | 2022-04-05 | 江西中弘晶能科技有限公司 | 一种提高perc电池效率及降低成本的方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101853899A (zh) * | 2010-03-31 | 2010-10-06 | 晶澳(扬州)太阳能光伏工程有限公司 | 一种利用局域背场制备太阳能电池的方法 |
| CN102157624A (zh) * | 2011-03-14 | 2011-08-17 | 中节能太阳能科技有限公司 | 一种硅太阳能电池及其制备方法 |
| US20120091566A1 (en) * | 2009-06-16 | 2012-04-19 | Q-Cells Se | Semiconductor apparatus and method of fabrication for a semiconductor apparatus |
| CN103996747A (zh) * | 2014-05-23 | 2014-08-20 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | 背面单层氧化铝作为钝化膜的晶体硅太阳能电池制备方法 |
-
2014
- 2014-09-15 CN CN201410467137.8A patent/CN104218113A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120091566A1 (en) * | 2009-06-16 | 2012-04-19 | Q-Cells Se | Semiconductor apparatus and method of fabrication for a semiconductor apparatus |
| CN101853899A (zh) * | 2010-03-31 | 2010-10-06 | 晶澳(扬州)太阳能光伏工程有限公司 | 一种利用局域背场制备太阳能电池的方法 |
| CN102157624A (zh) * | 2011-03-14 | 2011-08-17 | 中节能太阳能科技有限公司 | 一种硅太阳能电池及其制备方法 |
| CN103996747A (zh) * | 2014-05-23 | 2014-08-20 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | 背面单层氧化铝作为钝化膜的晶体硅太阳能电池制备方法 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105552139A (zh) * | 2015-12-18 | 2016-05-04 | 河北大学 | 一种n型硅太阳能电池及其制备方法 |
| CN106469766A (zh) * | 2016-11-30 | 2017-03-01 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种perc电池的制作方法 |
| WO2018157493A1 (zh) * | 2017-03-03 | 2018-09-07 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | P型perc双面太阳能电池及其制备方法、组件和系统 |
| CN107394008A (zh) * | 2017-08-02 | 2017-11-24 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种n型双面太阳能电池片及其制作方法 |
| CN107978645A (zh) * | 2017-11-24 | 2018-05-01 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种n型晶硅电池的制备方法 |
| CN109461783A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-03-12 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 一种双面晶硅太阳能电池及其制作方法 |
| CN112614917A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-06 | 中建材浚鑫科技有限公司 | 一种perc单晶双面太阳能电池背面制备的方法 |
| CN113488547A (zh) * | 2021-01-09 | 2021-10-08 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 隧穿氧化层钝化结构及其制作方法与应用 |
| CN113241389A (zh) * | 2021-04-25 | 2021-08-10 | 天津爱旭太阳能科技有限公司 | 提高光电转换效率的perc电池的制作方法和电池 |
| CN114284370A (zh) * | 2022-01-07 | 2022-04-05 | 江西中弘晶能科技有限公司 | 一种提高perc电池效率及降低成本的方法 |
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