CN101635319A - 一种制作背面铝扩散的n型太阳能电池的方法 - Google Patents

一种制作背面铝扩散的n型太阳能电池的方法 Download PDF

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Abstract

一种制作背面铝扩散的N型太阳能电池的方法，该方法工艺流程为：1)N型硅片化学处理，正面制绒；2)在N型硅片背面镀一层氮化硅隔离膜；3)在N型硅片正面进行磷扩散形成N+层；4)对N型硅片周边刻蚀，去除边缘导电层；5)去除氮化硅隔离膜；6)在N型硅片正面制作氮化硅减反射膜；7)制作背面铝扩散P层及正负电极。本发明利用常规P型太阳能电池设备制作N型太阳能电池的过程中涉及到磷、铝两次扩散掺杂，在磷扩散前在背面镀一层氮化硅膜阻止磷原子扩散到硅，然后在去磷硅玻璃的时候同时去掉氮化硅隔离膜，使得本发明无需对常规P型太阳能的产线进行改造就可以生产N型电池，解决了生产N型电池与P型电池共线生产的关键问题。

Description

一种制作背面铝扩散的N型太阳能电池的方法
技术领域
本发明涉及硅太阳能电池，尤其涉及一种制作背面铝扩散的N型太阳能电池的方法。
背景技术
太阳能是人类取之不尽、用之不竭的可再生能源，是清洁能源，使用太阳能可以有效减轻环境污染。近年来硅太阳能电池发展迅速，在中国年产量更突破2000MW，其中主要都以P型太阳能电池为主。由于物理性质上的差异，在掺杂合适的情况下，N型硅片比P型硅片更适合制造太阳能电池，N型太阳能电池具有P型太阳能电池所不具备的抗衰减性能，在P型硅片原料持续紧缺的情况下，发展N型电池成为降低成本的另一条道路。
目前，典型的N型太阳能电池采用的是硼扩散来制作PN结，这就涉及到硼扩散炉及其一系列的相关设备，几乎等于一条新的生产线。如果在原有的P型太阳能电池生产线上制作N型电池，正面磷扩散就会对背面铝扩散产生影响，导致电池效率大幅降低。
发明内容
本发明的目的是为了解决上述背景技术存在的不足，提供一种在不对现有P型太阳能电池产线作出巨大改动的前提下制作背面铝扩散的N型太阳能电池的方法。
为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：一种制作背面铝扩散的N型太阳能电池的方法，该方法工艺流程为：
1)N型硅片化学处理，正面制绒；
2)在N型硅片背面镀一层氮化硅隔离膜；
3)在N型硅片正面进行磷扩散形成N+层；
4)对N型硅片周边刻蚀，去除边缘导电层；
5)去除氮化硅隔离膜；
6)在N型硅片正面制作氮化硅减反射膜；
7)制作背面铝扩散P层及正负电极。
在上述工序2)中，所述氮化硅隔离膜的厚度可以为10-100nm。
在上述工序5)中，最好利用氢氟酸同时去除N型硅片正面的磷硅玻璃和背面的氮化硅隔离膜。
上述氢氟酸的浓度优选为2-10％。
在上述工序3)中，所述在N型硅片正面进行磷扩散形成N+层的方阻R＝20～60ohm。
在上述工序6)中，所述氮化硅减反射膜厚度最好为80nm。
本发明主要利用常规P型太阳能电池设备和工艺制作N型太阳能电池，在制作工艺过程中涉及到磷、铝两次扩散掺杂。由于本发明采用在N型硅片正面进行磷扩散前，在背面镀一层氮化硅膜阻止磷原子扩散到硅片，然后在去除磷硅玻璃的时候同时去掉氮化硅隔离膜的方法，使得本发明无需对常规P型太阳能的生产线进行改造就可以生产N型电池，解决了生产N型电池与P型电池共线生产的关键问题之一。
本发明涉及到的工艺设备都是P型太阳能电池上的设备，可以在常规P型太阳能电池线上实现大规模生产。
附图说明
图1是本发明工艺流程图。
具体实施方式
以下结合图1详细描述本发明实施例。本实施例工艺流程如下：
1)将电阻率0.2～15ohm·cm的N型硅片1放入超声清洗机中清洗，然后用0.5％～2％的NaOH或KOH溶液加入适量异丙醇和硅酸钠进行绒面2腐蚀，然后酸洗、清洗，烘干；
2)将制绒N型硅片1放入PECVD，在背面制作一层10-100nm的氮化硅隔离膜3；
3)再将N型硅片1放入磷扩散炉，在正面扩散一层方阻R＝20～60ohm磷扩散层即N+层4；
4)利用等离子刻蚀机去处边缘导电层5；
5)利用2-10％氢氟酸去除背面氮化硅隔离膜3及表面磷硅玻璃；
6)利用PECVD在正面沉积一层厚度为80nm左右的氮化硅减反射膜6；
7)利用丝网印刷机在背面印刷一层铝浆，用烧结炉对其进行铝扩散，制作背面铝扩散P层7，利用丝网印刷机印刷正电极8、负电极9，并烘干烧结，制成正电极8、负电极9。
用本发明所述方法无需对现有P型太阳能电池产线作很大调整，并且制作的N型电池性能良好，并且背电极的欧姆接触和焊接性能都能满足组件生产需要。

Claims (6)

1.一种制作背面铝扩散的N型太阳能电池的方法，该方法工艺流程为：
1)N型硅片化学处理，正面制绒；
2)在N型硅片背面镀一层氮化硅隔离膜；
3)在N型硅片正面进行磷扩散形成N+层；
4)对N型硅片周边刻蚀，去除边缘导电层；
5)去除氮化硅隔离膜；
6)在N型硅片正面制作氮化硅减反射膜；
7)制作背面铝扩散P层及正负电极。
2.根据权利要求书1所述的一种制作背面铝扩散的N型太阳能电池的方法，其特征是在工序2)中，所述氮化硅隔离膜的厚度为10-100nm。
3.根据权利要求书1所述的一种制作背面铝扩散的N型太阳能电池的方法，其特征是在工序5)中，利用氢氟酸同时去除N型硅片正面的磷硅玻璃和背面的氮化硅隔离膜。
4.根据权利要求书3所述的一种制作背面铝扩散的N型太阳能电池的方法，其特征是所述氢氟酸的浓度为2-10％。
5.根据权利要求书1所述的一种制作背面铝扩散的N型太阳能电池的方法，其特征是在工序3)中，所述在N型硅片正面进行磷扩散形成N+层的方阻R＝20～60ohm。
6.根据权利要求书1所述的一种制作背面铝扩散的N型太阳能电池的方法，其特征是在工序6)中，所述氮化硅减反射膜厚度为80nm。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101882651A (zh) * 2010-07-16 2010-11-10 山东力诺太阳能电力股份有限公司 一种掩膜阻挡边缘扩散的太阳能电池制作工艺
CN102315337A (zh) * 2011-09-19 2012-01-11 东旭集团有限公司 基于蒙砂处理提高导电基板光电转换率的工艺及导电玻璃
CN103000502A (zh) * 2012-10-29 2013-03-27 江苏卡迪诺节能保温材料有限公司 一种在硅片上实施铝扩散的方法
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CN104465868A (zh) * 2014-11-21 2015-03-25 广东爱康太阳能科技有限公司 一种晶硅太阳能电池及其制备方法
CN106784131A (zh) * 2016-11-11 2017-05-31 揭阳中诚集团有限公司 基于n型硅片的太阳能电池片及其制备方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101882651A (zh) * 2010-07-16 2010-11-10 山东力诺太阳能电力股份有限公司 一种掩膜阻挡边缘扩散的太阳能电池制作工艺
CN102315337A (zh) * 2011-09-19 2012-01-11 东旭集团有限公司 基于蒙砂处理提高导电基板光电转换率的工艺及导电玻璃
CN102315337B (zh) * 2011-09-19 2013-09-25 东旭集团有限公司 基于蒙砂处理提高导电基板光电转换率的工艺及导电玻璃
CN103000502A (zh) * 2012-10-29 2013-03-27 江苏卡迪诺节能保温材料有限公司 一种在硅片上实施铝扩散的方法
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CN104409564A (zh) * 2014-10-31 2015-03-11 浙江大学 一种n型纳米黑硅的制备方法以及太阳能电池的制备方法
CN104409564B (zh) * 2014-10-31 2017-01-11 浙江大学 一种n型纳米黑硅的制备方法以及太阳能电池的制备方法
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CN104465868B (zh) * 2014-11-21 2017-01-04 广东爱康太阳能科技有限公司 一种晶硅太阳能电池及其制备方法
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