CN103996744A - 采用新型掺杂方式的pert晶体硅太阳电池的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，包括硅片单面制绒，清洗；正面沉积磷硅玻璃；背面沉积硼硅玻璃；高温退火，正面形成n+掺杂层，背面形成p+掺杂层；等离子刻边；清洗去除硅片表面残留的磷硅玻璃和硼硅玻璃；背面单面沉积氧化铝/氮化硅叠层膜；正面沉积氮化硅减反射膜；背面局部打开薄膜，露出硼掺杂层；背面印刷背电极和铝层，正面印刷银栅线；烧结，测试。本发明步骤简单、易于操作，是一种可量产高效晶硅太阳能电池的制备方法，其主要特点为在商业化的工业设备基础上，充分利用目前企业生产线已具备的常规电池生产设备，充分减少设备投资，且不增加电池每瓦制造成本。
Description
技术领域
本发明属于晶体硅太阳能电池制造领域，涉及到一种背面整面掺杂，以及背钝化背点接触的高效晶体硅太阳能电池的制作方法，特别涉及一种采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法。
背景技术
在能源匮乏、资源短缺以及环境污染等问题日益突出的背景下，利用自然资源太阳能发电，已被当作解决全球变暖以及化石燃料枯竭问题的对策,受到世界各国的青睐。然而较高的生产成本制约着其应用范围，且随着政府补贴大幅削减，降低电池片的生产成本，提高发电效率成为各生产厂家迫在眉睫的问题。
现代化太阳能电池工业化生产朝着高效低成本化方向发展，背面掺杂结合背面钝化点接触作为高效低成本发展方向的代表，其优势在于：
（1）优异的背反射器：由于电池背面介质膜的存在使得内背反射从常规全铝背场65%增加到92-95%。一方面增加的长波光的吸收，另一方面尤其对未来薄片电池的趋势提供了技术上的保证；
（2）介质薄膜优越的背面钝化技术：由于背面介质膜的良好的钝化作用，介质薄膜区域的背面复合速率降低至10-50cm/s；
（3）背面全面掺杂：有效地解决了背面点接触带来的背面电流拥挤的现象，且提供全背场的钝化作用。
虽然该电池结构，澳大利亚新南威尔士大学早在上世纪九十年代就已经提出，但是一种适合工业化生产的工艺方法并没有确定。
发明内容
发明目的：本发明的目的在于针对目前现有技术中的不足，提出一种可量产的采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法。
技术方案：为实现上述目的，本发明采取了如下的技术方案：
一种采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，包括以下步骤：
（1）硅片单面制绒，清洗：选择P型硅片，对选择的P型硅片的一面在碱液下进行表面绒面化，然后在酸性条件下进行化学清洗，除去表面杂质；
（2）正面沉积磷硅玻璃：在硅片的正面沉积5-500nm的磷硅玻璃层；
（3）背面沉积硼硅玻璃：在硅片的背面沉积10-400nm的硼硅玻璃层；
（4）高温退火，正面形成n+掺杂层，背面形成p+掺杂层：在高温炉中对硅片进行退火共扩散，使硅片的正面形成n+掺杂层，背面形成p+掺杂层；
（5）等离子刻边；
（6）清洗去除硅片表面残留的磷硅玻璃和硼硅玻璃；
（7）背面单面沉积氧化铝/氮化硅叠层膜；
（8）正面沉积氮化硅减反射膜；
（9）背面局部打开薄膜，露出硼掺杂层：背面进行金属化接触，具体采用激光在背面局部打开薄膜，露出硼掺杂层，进行局域硅铝接触；
（10）背面印刷背电极和铝层，正面印刷银栅线；
（11）烧结，测试。
所述步骤1中的制绒，清洗具体为：用质量分数为0.5-2%的氢氧化钠或氢氧化钾溶液在75-85℃下对P型硅片表面进行化学腐蚀，制备出金字塔形状的绒面，随后用质量分数为0.5-30%的氢氟酸进行清洗。
所述步骤2中是采用常压化学气相沉积的方法沉积磷硅玻璃，采用丝网印刷的方式印刷磷浆，喷涂质量分数为0.5-50%的磷酸水溶液。
所述步骤3中是采用常压化学气相沉积的方法沉积硼硅玻璃，采用丝网印刷的方式印刷硼浆，喷涂质量分数为0.5-50%的硼酸水溶液。
步骤4中的高温退火具体为在链式高温炉或管式炉管中，在600-1000℃对硅片进行高温退火共扩散，最终正面形成方阻为30-140 ohm/sq的n+掺杂层，背面形成
方阻为50-200 ohm/sq的p+掺杂层。
所述步骤6中采用质量分数为0.5-30%的氢氟酸溶液清洗去除硅片表面残留的磷硅玻璃和硼硅玻璃。
所述步骤7中沉积的氧化铝膜的厚度为1-50nm，氮化硅膜的厚度为10-200nm，步骤8中沉积的氮化硅减反射膜的厚度为50-120nm。
所述步骤7和步骤8的顺序可以颠倒。
所述步骤9中采用点阵或线阵进行局域硅铝接触，采用点阵时，点的直径为30um-1mm，间距为50 um-2mm；采用线阵时，线宽为5-150 um，间距为200 um-5mm。
有益效果：采用上述技术方案的本发明具有以下优点：
具体而言，与现有技术相比，本发明采取的技术方案具有以下突出的优势：
1、本发明步骤简单、易于操作，是一种可量产高效晶硅太阳能电池的制备方法，其主要特点为在商业化的工业设备基础上，充分利用目前企业生产线已具备的常规电池生产设备，充分减少设备投资，且不增加电池每瓦制造成本；
2、采用本发明技术方案制备出的晶硅太阳能电池转换效率批次平均效率达到20.4%，并且光衰减，正面主栅，背面电极和铝背场拉力，以及组件端可靠性测试均符合TUV标准；
3、本发明正面沉积n型扩散源，背面沉积P型扩散源，背面正面掺杂，高温共退火后形成N+PP+结构，一步到位即可形成完整的，减少的工序，节约了成本，提高了效率。
附图说明
图1为本发明的PERT晶体硅太阳电池的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图并通过具体的实施例对本发明做进一步阐述。
图1是采用本发明的技术方案制备出的PERT晶体硅太阳电池的结构示意图，图中
1-正面Ag电极、2-SiNx减反膜、3-磷掺杂层、4-P型硅基体、5-氧化铝保护膜、6-背面Al层、7-硼掺杂层。
实施例1：
一种采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，包括以下步骤：
（1）硅片单面制绒，清洗：选择P型硅片，以156mm P型单晶硅片为基体材料,对选择的P型硅片的一面用质量分数为0.6%的氢氧化钠或氢氧化钾溶液在76℃下进行化学腐蚀，制备出金字塔形状的绒面，随后用质量分数为5%的氢氟酸进行清洗，除去表面杂质；
（2）正面沉积磷硅玻璃：是采用常压化学气相沉积（APCVD）的方法在硅片的正面沉积磷硅玻璃（PSD），采用丝网印刷的方式印刷磷浆，喷涂质量分数为5%的磷酸水溶液，最终在在硅片的正面沉积50nm的磷硅玻璃层；
（3）背面沉积硼硅玻璃：是采用常压化学气相沉积（APCVD）的方法在硅片的正面沉积硼硅玻璃（BSD），采用丝网印刷的方式印刷硼浆，喷涂质量分数为5%的硼酸水溶液，最终在硅片的背面沉积30nm的硼硅玻璃层；
（4）高温退火，正面形成n+掺杂层，背面形成p+掺杂层：在链式高温炉或管式炉管中，在650℃对硅片进行高温退火共扩散，最终正面形成方阻为40 ohm/sq的n+掺杂层，背面形成方阻为70 ohm/sq的p+掺杂层；
（5）等离子刻边：采用等离子体对硅片的侧面进行刻蚀，除去硅片周边形成的短路环；
（6）清洗去除硅片表面残留的磷硅玻璃和硼硅玻璃：采用质量分数为5%的氢氟酸溶液清洗去除硅片表面残留的磷硅玻璃和硼硅玻璃；
（7）背面单面沉积氧化铝/氮化硅叠层膜，沉积的氧化铝膜的厚度为5nm，氮化硅膜的厚度为50nm；
（8）正面沉积氮化硅减反射膜，沉积的氮化硅减反射膜的厚度为55nm；
（9）背面局部打开薄膜，露出硼掺杂层：背面进行金属化接触，具体采用激光通过线阵的方式在背面局部打开薄膜，露出硼掺杂层，进行局域硅铝接触，线阵的线宽为15um，间距为500 um；
（10）背面印刷背电极和铝层，正面印刷银栅线；
（11）烧结，测试：在烧结炉中进行烧结，烧结的温度为450℃，形成完整的电池片N+PP+结构，结束后，对制备出的电池进行性能测试。
本实施例中步骤7和步骤8的顺序可以颠倒。
实施例2：
一种采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，包括以下步骤：
（1）硅片单面制绒，清洗：选择P型硅片，以156mm P型单晶硅片为基体材料,对选择的P型硅片的一面用质量分数为1%的氢氧化钠或氢氧化钾溶液在80℃下进行化学腐蚀，制备出金字塔形状的绒面，随后用质量分数为10%的氢氟酸进行清洗，除去表面杂质；
（2）正面沉积磷硅玻璃：是采用常压化学气相沉积（APCVD）的方法在硅片的正面沉积磷硅玻璃（PSD），采用丝网印刷的方式印刷磷浆，喷涂质量分数为10%的磷酸水溶液，最终在在硅片的正面沉积200nm的磷硅玻璃层；
（3）背面沉积硼硅玻璃：是采用常压化学气相沉积（APCVD）的方法在硅片的正面沉积硼硅玻璃（BSD），采用丝网印刷的方式印刷硼浆，喷涂质量分数为10%的硼酸水溶液，最终在硅片的背面沉积120nm的硼硅玻璃层；
（4）高温退火，正面形成n+掺杂层，背面形成p+掺杂层：在链式高温炉或管式炉管中，在870℃对硅片进行高温退火共扩散，最终正面形成方阻为70 ohm/sq的n+掺杂层，背面形成方阻为120 ohm/sq的p+掺杂层；
（5）等离子刻边：采用等离子体对硅片的侧面进行刻蚀，除去硅片周边形成的短路环；
（6）清洗去除硅片表面残留的磷硅玻璃和硼硅玻璃：采用质量分数为10%的氢氟酸溶液清洗去除硅片表面残留的磷硅玻璃和硼硅玻璃；
（7）背面单面沉积氧化铝/氮化硅叠层膜，沉积的氧化铝膜的厚度为10nm，氮化硅膜的厚度为100nm；
（8）正面沉积氮化硅减反射膜，沉积的氮化硅减反射膜的厚度为78nm；
（9）背面局部打开薄膜，露出硼掺杂层：背面进行金属化接触，具体采用激光通过线阵的方式在背面局部打开薄膜，露出硼掺杂层，进行局域硅铝接触，线阵的线宽为40 um，间距为1mm；
（10）背面印刷背电极和铝层，正面印刷银栅线；
（11）烧结，测试：在烧结炉中进行烧结，烧结的温度为600℃，形成完整的电池片N+PP+结构，结束后，对制备出的电池进行性能测试。
本实施例中步骤7和步骤8的顺序可以颠倒。
实施例3：
一种采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，包括以下步骤：
（1）硅片单面制绒，清洗：选择P型硅片，以156mm P型单晶硅片为基体材料,对选择的P型硅片的一面用质量分数为1.8%的氢氧化钠或氢氧化钾溶液在85℃下进行化学腐蚀，制备出金字塔形状的绒面，随后用质量分数为25%的氢氟酸进行清洗，除去表面杂质；
（2）正面沉积磷硅玻璃：是采用常压化学气相沉积（APCVD）的方法在硅片的正面沉积磷硅玻璃（PSD），采用丝网印刷的方式印刷磷浆，喷涂质量分数为45%的磷酸水溶液，最终在在硅片的正面沉积450nm的磷硅玻璃层；
（3）背面沉积硼硅玻璃：是采用常压化学气相沉积（APCVD）的方法在硅片的正面沉积硼硅玻璃（BSD），采用丝网印刷的方式印刷硼浆，喷涂质量分数为45%的硼酸水溶液，最终在硅片的背面沉积270nm的硼硅玻璃层；
（4）高温退火，正面形成n+掺杂层，背面形成p+掺杂层：在链式高温炉或管式炉管中，在980℃对硅片进行高温退火共扩散，最终正面形成方阻为135 ohm/sq的n+掺杂层，背面形成方阻为190 ohm/sq的p+掺杂层；
（5）等离子刻边：采用等离子体对硅片的侧面进行刻蚀，除去硅片周边形成的短路环；
（6）清洗去除硅片表面残留的磷硅玻璃和硼硅玻璃：采用质量分数为25%的氢氟酸溶液清洗去除硅片表面残留的磷硅玻璃和硼硅玻璃；
（7）背面单面沉积氧化铝/氮化硅叠层膜，沉积的氧化铝膜的厚度为48nm，氮化硅膜的厚度为190nm；
（8）正面沉积氮化硅减反射膜，沉积的氮化硅减反射膜的厚度为115nm；
（9）背面局部打开薄膜，露出硼掺杂层：背面进行金属化接触，具体采用激光通过线阵的方式在背面局部打开薄膜，露出硼掺杂层，进行局域硅铝接触，线阵的线宽为145 um，间距为4mm；
（10）背面印刷背电极和铝层，正面印刷银栅线；
（11）烧结，测试：在烧结炉中进行烧结，烧结的温度为780℃，形成完整的电池片N+PP+结构，结束后，对制备出的电池进行性能测试。
本实施例中步骤7和步骤8的顺序可以颠倒。
实施例4：
一种采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，包括以下步骤：
（1）硅片单面制绒，清洗：选择P型硅片，以156mm P型单晶硅片为基体材料,对选择的P型硅片的一面用质量分数为0.5%的氢氧化钠或氢氧化钾溶液在75℃下进行化学腐蚀，制备出金字塔形状的绒面，随后用质量分数为1%的氢氟酸进行清洗，除去表面杂质；
（2）正面沉积磷硅玻璃：是采用常压化学气相沉积（APCVD）的方法在硅片的正面沉积磷硅玻璃（PSD），采用丝网印刷的方式印刷磷浆，喷涂质量分数为1%的磷酸水溶液，最终在在硅片的正面沉积10nm的磷硅玻璃层；
（3）背面沉积硼硅玻璃：是采用常压化学气相沉积（APCVD）的方法在硅片的正面沉积硼硅玻璃（BSD），采用丝网印刷的方式印刷硼浆，喷涂质量分数为1%的硼酸水溶液，最终在硅片的背面沉积12nm的硼硅玻璃层；
（4）高温退火，正面形成n+掺杂层，背面形成p+掺杂层：在链式高温炉或管式炉管中，在600℃对硅片进行高温退火共扩散，最终正面形成方阻为30 ohm/sq的n+掺杂层，背面形成方阻为50 ohm/sq的p+掺杂层；
（5）等离子刻边：采用等离子体对硅片的侧面进行刻蚀，除去硅片周边形成的短路环；
（6）清洗去除硅片表面残留的磷硅玻璃和硼硅玻璃：采用质量分数为1%的氢氟酸溶液清洗去除硅片表面残留的磷硅玻璃和硼硅玻璃；
（7）正面沉积氮化硅减反射膜，沉积的氮化硅减反射膜的厚度为50nm；
（8）背面单面沉积氧化铝/氮化硅叠层膜，沉积的氧化铝膜的厚度为2nm，氮化硅膜的厚度为20nm；
（9）背面局部打开薄膜，露出硼掺杂层：背面进行金属化接触，具体采用激光采用点阵的方式在背面局部打开薄膜，露出硼掺杂层，进行局域硅铝接触，点阵的点的直径为40um，间距为70 um；
（10）背面印刷背电极和铝层，正面印刷银栅线；
（11）烧结，测试：在烧结炉中进行烧结，烧结的温度为400℃，形成完整的电池片N+PP+结构，结束后，对制备出的电池进行性能测试。
本实施例中步骤7和步骤8的顺序可以颠倒。
实施例5：
一种采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，包括以下步骤：
（1）硅片单面制绒，清洗：选择P型硅片，以156mm P型单晶硅片为基体材料,对选择的P型硅片的一面用质量分数为1%的氢氧化钠或氢氧化钾溶液在80℃下进行化学腐蚀，制备出金字塔形状的绒面，随后用质量分数为10%的氢氟酸进行清洗，除去表面杂质；
（2）正面沉积磷硅玻璃：是采用常压化学气相沉积（APCVD）的方法在硅片的正面沉积磷硅玻璃（PSD），采用丝网印刷的方式印刷磷浆，喷涂质量分数为10%的磷酸水溶液，最终在在硅片的正面沉积200nm的磷硅玻璃层；
（3）背面沉积硼硅玻璃：是采用常压化学气相沉积（APCVD）的方法在硅片的正面沉积硼硅玻璃（BSD），采用丝网印刷的方式印刷硼浆，喷涂质量分数为10%的硼酸水溶液，最终在硅片的背面沉积120nm的硼硅玻璃层；
（4）高温退火，正面形成n+掺杂层，背面形成p+掺杂层：在链式高温炉或管式炉管中，在870℃对硅片进行高温退火共扩散，最终正面形成方阻为70 ohm/sq的n+掺杂层，背面形成方阻为120 ohm/sq的p+掺杂层；
（5）等离子刻边：采用等离子体对硅片的侧面进行刻蚀，除去硅片周边形成的短路环；
（6）清洗去除硅片表面残留的磷硅玻璃和硼硅玻璃：采用质量分数为8%的氢氟酸溶液清洗去除硅片表面残留的磷硅玻璃和硼硅玻璃；
（7）正面沉积氮化硅减反射膜，沉积的氮化硅减反射膜的厚度为78nm；
（8）背面单面沉积氧化铝/氮化硅叠层膜，沉积的氧化铝膜的厚度为10nm，氮化硅膜的厚度为100nm；
（9）背面局部打开薄膜，露出硼掺杂层：背面进行金属化接触，具体采用激光采用点阵的方式在背面局部打开薄膜，露出硼掺杂层，进行局域硅铝接触，点阵的点的直径为300um，间距为900 um；
（10）背面印刷背电极和铝层，正面印刷银栅线；
（11）烧结，测试：在烧结炉中进行烧结，烧结的温度为600℃，形成完整的电池片N+PP+结构，结束后，对制备出的电池进行性能测试。
本实施例中步骤7和步骤8的顺序可以颠倒。
实施例6：
一种采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，包括以下步骤：
（1）硅片单面制绒，清洗：选择P型硅片，以156mm P型单晶硅片为基体材料,对选择的P型硅片的一面用质量分数为2%的氢氧化钠或氢氧化钾溶液在85℃下进行化学腐蚀，制备出金字塔形状的绒面，随后用质量分数为30%的氢氟酸进行清洗，除去表面杂质；
（2）正面沉积磷硅玻璃：是采用常压化学气相沉积（APCVD）的方法在硅片的正面沉积磷硅玻璃（PSD），采用丝网印刷的方式印刷磷浆，喷涂质量分数为50%的磷酸水溶液，最终在在硅片的正面沉积500nm的磷硅玻璃层；
（3）背面沉积硼硅玻璃：是采用常压化学气相沉积（APCVD）的方法在硅片的正面沉积硼硅玻璃（BSD），采用丝网印刷的方式印刷硼浆，喷涂质量分数为50%的硼酸水溶液，最终在硅片的背面沉积400nm的硼硅玻璃层；
（4）高温退火，正面形成n+掺杂层，背面形成p+掺杂层：在链式高温炉或管式炉管中，在1000℃对硅片进行高温退火共扩散，最终正面形成方阻为140 ohm/sq的n+掺杂层，背面形成方阻为200 ohm/sq的p+掺杂层；
（5）等离子刻边：采用等离子体对硅片的侧面进行刻蚀，除去硅片周边形成的短路环；
（6）清洗去除硅片表面残留的磷硅玻璃和硼硅玻璃：采用质量分数为30%的氢氟酸溶液清洗去除硅片表面残留的磷硅玻璃和硼硅玻璃；
（7）正面沉积氮化硅减反射膜，沉积的氮化硅减反射膜的厚度为120nm；
（8）背面单面沉积氧化铝/氮化硅叠层膜，沉积的氧化铝膜的厚度为50nm，氮化硅膜的厚度为200nm；
（9）背面局部打开薄膜，露出硼掺杂层：背面进行金属化接触，具体采用激光采用点阵的方式在背面局部打开薄膜，露出硼掺杂层，进行局域硅铝接触，点阵的点的直径为900 um，间距为1.8mm；
（10）背面印刷背电极和铝层，正面印刷银栅线；
（11）烧结，测试：在烧结炉中进行烧结，烧结的温度为800℃，形成完整的电池片N+PP+结构，结束后，对制备出的电池进行性能测试。
本实施例中步骤7和步骤8的顺序可以颠倒。
采用上述实施的技术方案制备出的晶硅太阳能电池转换效率批次平均效率达到20.4%，并且光衰减，正面主栅，背面电极和铝背场拉力，以及组件端可靠性测试均符合TUV标准。
以上所述是本发明的较为优选的实施例，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
Claims (9)
1.一种采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
（1）硅片单面制绒，清洗：选择P型硅片，对选择的P型硅片的一面在碱液下进行表面绒面化，然后在酸性条件下进行化学清洗，除去表面杂质；
（2）正面沉积磷硅玻璃：在硅片的正面沉积5-500nm的磷硅玻璃层；
（3）背面沉积硼硅玻璃：在硅片的背面沉积10-400nm的硼硅玻璃层；
（4）高温退火，正面形成n+掺杂层，背面形成p+掺杂层：在高温炉中对硅片进行退火共扩散，使硅片的正面形成n+掺杂层，背面形成p+掺杂层；
（5）等离子刻边；
（6）清洗去除硅片表面残留的磷硅玻璃和硼硅玻璃；
（7）背面单面沉积氧化铝/氮化硅叠层膜；
（8）正面沉积氮化硅减反射膜；
（9）背面局部打开薄膜，露出硼掺杂层：背面进行金属化接触，具体采用激光在背面局部打开薄膜，露出硼掺杂层，进行局域硅铝接触；
（10）背面印刷背电极和铝层，正面印刷银栅线；
（11）烧结，测试。
2.根据权利要求1所述的采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于：步骤1中的制绒，清洗具体为：用质量分数为0.5-2%的氢氧化钠或氢氧化钾溶液在75-85℃下对P型硅片表面进行化学腐蚀，制备出金字塔形状的绒面，随后用质量分数为0.5-30%的氢氟酸进行清洗。
3.根据权利要求1所述的采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于：步骤2中是采用常压化学气相沉积的方法沉积磷硅玻璃，采用丝网印刷的方式印刷磷浆，喷涂质量分数为0.5-50%的磷酸水溶液。
4.根据权利要求1所述的采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于：步骤3中是采用常压化学气相沉积的方法沉积硼硅玻璃，采用丝网印刷的方式印刷硼浆，喷涂质量分数为0.5-50%的硼酸水溶液。
5.根据权利要求1所述的采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于：步骤4中的高温退火具体为在链式高温炉或管式炉管中，在600-1000℃对硅片进行高温退火共扩散，最终正面形成方阻为30-140 ohm/sq的n+掺杂层，背面形成
方阻为50-200 ohm/sq的p+掺杂层。
6.根据权利要求1所述的采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于：步骤6中采用质量分数为0.5-30%的氢氟酸溶液清洗去除硅片表面残留的磷硅玻璃和硼硅玻璃。
7.根据权利要求1所述的采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于：步骤7中沉积的氧化铝膜的厚度为1-50nm，氮化硅膜的厚度为10-200nm，步骤8中沉积的氮化硅减反射膜的厚度为50-120nm。
8.根据权利要求1所述的采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于：所述步骤7和步骤8的顺序可以颠倒。
9.根据权利要求1所述的采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于：步骤9中采用点阵或线阵进行局域硅铝接触，采用点阵时，点的直径为30um-1mm，间距为50 um-2mm；采用线阵时，线宽为5-150 um，间距为200 um-5mm。
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