CN102332495A - 一种晶体硅太阳能电池的制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的制作方法，在清洗制绒后的p型晶体硅片或n型晶体硅片的一个表面沉积含磷的氮化硅薄膜，另一个表面沉积氮化硼薄膜或者含硼的氮化硅薄膜，然后将该沉积薄膜的晶体硅片进行高温退火处理，使薄膜中的磷元素与硼元素扩散进入晶体硅片内部，从而使p型晶体硅片形成N⁺PP⁺结构，n型晶体硅片形成P⁺NN⁺结构，接着制作金属电极，完成电池制作。与现有的制作方法相比，本发明将高温扩散掺杂形成PN结的工艺与减反射膜的制备工艺合二为一、避免了边缘结刻蚀工艺，并且减少了磷源与硼源的使用量，因此极大地简化了工艺流程，降低了制作成本，在太阳能电池制作技术领域具有广阔的应用前景。

Description

一种晶体硅太阳能电池的制作方法

技术领域

本发明涉及晶体硅太阳能电池技术领域，具体涉及一种晶体硅太阳能电池的制作方法。

背景技术

太阳能电池作为太阳能应用的重要方式之一，已经引起世界各国的广泛关注。经过多年发展，多种太阳能电池材料已经被研究开发出来。其中，晶体硅太阳能电池因其光电转换效率较高、技术成熟并且原材料充足，占据了光伏市场80％以上的市场份额。

目前，晶体硅太阳能电池的制作工艺主要包括：(1)清洗制绒处理，即清洗去除晶体硅片表面的损伤层，然后对单晶硅片表面进行碱腐蚀或者多晶硅片表面进行酸腐蚀得到表面绒面结构；(2)高温扩散掺杂形成PN结，通常对p型硅片掺杂磷元素；去除表面磷硅玻璃以及边缘PN结；(3)在发射极表面镀减反射膜；(4)制备金属电极，通常通过丝网印刷技术在减反射膜上印刷银栅线，在背面印刷全背接触铝背场(Al-BSF)，然后高温烧结得到电池片。

上述常规制作工艺存在如下缺点：(1)在晶体硅片的一个表面通过高温扩散掺杂形成PN结时，通常会在晶体硅片的另一面产生寄生扩散，从而需要进行去背结工艺，导致工艺流程复杂化；(2)PN结扩散过程中将会形成较厚的磷硅玻璃，其中含有大量的磷原子，需要通过高污染的氢氟酸溶液去除，因此一方面导致大量磷源浪费，另一方面由于使用大量高污染的氢氟酸溶液而需要处理工艺废液，导致成本提高。

因此，如何改进制作方法，以简化工艺流程、降低制作成本是促进晶体硅太阳能电池进行大规模生产应用的重要研究课题。

发明内容

本发明的技术目的是针对上述技术现状，提供一种新型的晶体硅太阳能电池的制作方法，能够简化工艺流程，降低制作成本。

本发明实现上述技术目的所采用的技术方案为：一种新型的晶体硅太阳能电池的制作方法，首先，对p型晶体硅片或n型晶体硅片进行清洗制绒处理；然后，利用薄膜沉积技术，在p型晶体硅片的前表面沉积含磷的氮化硅(SiN_x:P)薄膜，背表面沉积氮化硼薄膜或者含硼的氮化硅(SiN_x:B)薄膜，或者在n型晶体硅片的前表面沉积氮化硼(BN_x)薄膜或者含硼的氮化硅(SiN_x:B)薄膜，背表面沉积含磷的氮化硅薄膜；接着，将该沉积薄膜的p型晶体硅片或n型晶体硅片进行高温退火处理，使氮化硅薄膜中的磷元素，以及氮化硼薄膜或者含硼的氮化硅薄膜中的硼元素扩散进入晶体硅片内部，从而使p型晶体硅片形成N⁺PP⁺结构，n型晶体硅片形成P⁺NN⁺结构；最后，制备金属电极完成电池制作。

所述的薄膜沉积技术包括现有的薄膜沉积技术，优选等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)。

所述的高温退火处理的优选温度为750℃～1200℃。

所述的p型晶体硅片前表面的含磷氮化硅薄膜的厚度优选为60nm～90nm、背表面的含硼氮化硅薄膜或者氮化硼薄膜的厚度优选为50nm～200nm；所述的n型晶体硅片前表面的含硼氮化硅薄膜或者氮化硼薄膜的厚度优选为60nm～90nm、背表面的含磷氮化硅薄膜的厚度优选为50nm～200nm。

所述的N⁺PP⁺结构中，N型发射极的方块电阻优选为50～200欧姆/方块；所述的P⁺NN⁺结构中，P型发射极的方块电阻优选为50～200欧姆/方块。

通常，金属电极制作的步骤是：通过丝网印刷技术在减反射膜上印刷银栅线，在背面印刷全背接触铝背场(Al-BSF)，然后高温烧结得到电池片。但是，通过丝网印刷工艺形成的铝背场的表面复合比较大，而且内反射率比较低，所以电池的红光响应比较差，因此极大地限制了电池光电转化效率的提高。

本发明优选的金属电极制作工艺如下：

p型晶体硅片经过上述技术方案形成为N⁺PP⁺结构后，采用如下两种方法制作金属电极。

第一种方法为：首先，在沉积着含硼的氮化硅薄膜或氮化硼薄膜的背表面进行图形化开孔，该孔穿透含硼的氮化硅薄膜或氮化硼薄膜，与p型晶体硅片相连通；然后，通过丝网印刷工艺在沉积着含磷的氮化硅薄膜的前表面丝网印刷银栅线，在所述的背表面丝网印刷铝浆及背银电极；最后进行高温烧结，形成前栅电极及背面局部点接触式电极。

第二种方法为：首先，通过丝网印刷工艺在沉积着含磷的氮化硅薄膜的前表面丝网印刷银栅线后高温烧结形成前栅电极；然后，通过溅射或蒸镀方法在沉积着含硼的氮化硅薄膜或氮化硼薄膜的背表面沉积Al层；最后，在覆盖有Al层的氮化硅薄膜或氮化硼薄膜上进行图形化激光烧蚀，从而使Al层直接在所述的背表面上形成局部点接触式电极。

上述两种制作金属电极的方法中，优选采用激光处理工艺或者光刻工艺进行图形化开孔，孔间距优选为200μm～2mm。

n型晶体硅片经过上述技术方案形成为P⁺NN⁺结构后，采用如下两种方法方法制作金属电极：

第一种方法为：首先，通过丝网印刷工艺在沉积着含磷的氮化硅薄膜的背表面丝网印刷银栅线，然后进行高温烧结，形成背电极种子层；然后，在沉积着含硼的氮化硅薄膜或氮化硼薄膜的前表面进行激光开槽并获得选择性硼重掺杂区域；最后，通过电镀工艺，在所述的选择性硼重掺杂区域及背电极种子层位置电镀铜、镍或锡，形成前栅电极及背面局部线接触式电极，完成电池制作。

第二种方法为：首先，在沉积着含硼的氮化硅薄膜或氮化硼薄膜的前表面进行激光开槽并获得选择性硼重掺杂区域，以及在沉积着含磷的氮化硅薄膜的背表面进行激光开槽并获得选择性磷重掺杂区域；然后，通过电镀工艺，在所述的选择性硼重掺杂区域，以及所述的选择性磷重掺杂位置电镀铜、镍或锡，从而形成前栅电极及背面局部线接触式电极。

作为优选，将表面沉积介质层的晶体硅片进行高温退火处理的过程结合在金属电极制作时的高温烧结过程中完成，从而可以进一步简化工艺流程，降低电池的制作成本。

与现有技术相比，本发明提供的晶体硅太阳能电池的制作方法直接在p型晶体硅片或者n型晶体硅片的前、背表面沉积含磷的介质层与含硼的介质层，然后通过高温退火工艺使磷原子或者硼原子扩散进入该晶体硅片内部，从而分别得到N⁺PP⁺结构或P⁺NN⁺结构，具有如下优点：

(1)将高温退火掺杂形成PN结的工艺与减反射膜的制备工艺合二为一，极大地简化了工艺流程，降低了制作成本；

(2)在晶体硅片的前表面与背表面制备含磷与含硼的介质层后进行高温退火处理，由于高温退火过程中的自补偿效应，省去了去除边缘PN结的等离子体刻蚀或湿法刻蚀等工艺，从而进一步简化了工艺流程；

(3)本制作方法中，磷元素与硼元素的使用量小，并且避免了传统工艺需要采用氢氟酸溶液去除表面磷硅玻璃或硼硅玻璃所引起的不足，极大地降低了晶体硅太阳能电池制作中产生的间接材料成本；

(4)对于p型硅片形成的N⁺PP⁺结构，由于在背面沉积了含硼的氮化硅或氮化硼，在高温处理过程中，硼元素将扩散进入p型硅片，从而形成P⁺型硅表面，形成背场效应，起到钝化作用；同理对于n型硅片形成的P⁺NN⁺结构，由于在背面沉积了含磷氮化硅，在高温处理过程中，磷元素将扩散进入n型硅片，从而形成N⁺型硅表面，形成背场效应，起到钝化作用；

(5)通过优选的金属电极制作方法，制得的电池具有背表面局部接触式结构，从而可以进一步减小背表面的复合速率；

(6)优选将表面沉积介质层的晶体硅片进行高温退火处理的过程结合在金属电极制作时的高温烧结过程中完成，从而可以进一步简化工艺流程，降低电池的制作成本。

因此，本发明的晶体硅太阳能电池的制作方法极大地简化了工艺流程，降低了制作成本，在太阳能电池的制作技术领域具有广阔的应用前景。

附图说明

图1a是本发明p型晶体硅片表面沉积含磷与含硼的介质层后形成的结构；

图1b是本发明n型晶体硅片表面沉积含硼与含磷的介质层后形成的结构；

图2a是图1a的p型晶体硅片结构经高温退火处理后形成的N⁺PP⁺结构；

图2b是图1b的n型晶体硅片结构经高温退火处理后形成的P⁺NN⁺结构；

图3是本发明实施例1中制作的晶体硅电池的立体剖面图；

图4是本发明实施例4中制作的晶体硅电池的立体剖面图；

图5是图3的背表面介质开孔点阵图形；

图6是图5中的背表面电极线图形。

具体实施方式

下面结合附图与实施例对本发明作进一步详细描述，需要指出的是，以下所述实施例旨在便于对本发明的理解，而对其不起任何限定作用。

附图的标记为1：含磷的氮化硅薄膜，2：p型晶体硅衬底，3：含硼的氮化硅薄膜或氮化硼薄膜，4：n型晶体硅衬底，5：n⁺型掺杂区域，6：p⁺型掺杂区域，7：前栅电极，8：背表面局部点接触式电极，9：点阵开孔区域，10：背表面局部线接触式电极，11：电极细线，12：电极主线。

本发明涉及一种晶体硅太阳能电池的制作方法中，晶体硅片包括p型晶体硅片或者n型晶体硅片。

对于p型晶体硅片：如图1a所示，利用薄膜沉积技术，在经过清洗制绒处理的p型晶体硅衬底2的前表面沉积含磷的氮化硅薄膜1，背表面沉积氮化硼薄膜或者含硼的氮化硅薄膜3。然后，将该前、背表面沉积着薄膜的p型晶体硅衬底2进行高温退火处理，使前表面含磷的氮化硅薄膜1中的磷元素扩散进入p型晶体硅衬底2内部，形成n⁺型掺杂区域5，使背表面氮化硼薄膜或者含硼的氮化硅薄膜3中的硼元素扩散进入p型晶体硅衬底2内部，形成p⁺型掺杂区域6，从而使p型晶体硅衬底2形成N⁺PP⁺结构，如图2a所示。之后进行金属电极制备工艺，完成电池制作。

对于n型晶体硅片：如图1b所示，利用薄膜沉积技术，在经过清洗制绒处理的n型晶体硅衬底4的前表面沉积氮化硼薄膜或者含硼的氮化硅薄膜3，背表面沉积含磷的氮化硅薄膜1。然后，将该前、背表面沉积着薄膜的n型晶体硅衬底4进行高温退火处理，使前表面氮化硼薄膜或者含硼的氮化硅薄膜3中的硼元素扩散进入n型晶体硅衬底4内部，形成p⁺型掺杂区域6，使背表面含磷的氮化硅薄膜1中的磷元素扩散进入n型晶体硅衬底4内部，形成n⁺型掺杂区域5，从而使n型晶体硅衬底4形成N⁺PP⁺结构，如图2b所示，。之后进行金属电极制备工艺，完成电池制作。

实施例1：

本实施例中，p型晶体硅衬底2采用p型单晶硅片，含硼的氮化硅薄膜或氮化硼薄膜3采用含硼的氮化硅薄膜，利用本发明的制作方法得到的晶体硅太阳能电池的立体剖面图如图3所示，具体制作过程如下：

步骤1：用常规清洗方法清洗p型晶体硅衬底2，并采用碱溶液进行绒面制作；

步骤2：把p型晶体硅衬底2放在PECVD反应腔内，通入硅烷、氨气及少量磷烷，在300℃的反应温度下在p型晶体硅衬底2的前表面沉积含磷的氮化硅薄膜1，含磷的氮化硅薄膜1的厚度为70nm；

步骤3：将沉积有含磷的氮化硅薄膜1的p型晶体硅衬底2取出后放入另一个PECVD反应腔内，通入硅烷、氨气及少量硼烷，在350℃的反应温度下在p型晶体硅衬底2的背表面沉积含硼的氮化硅薄膜3，含硼的氮化硅薄膜3的厚度为150nm，然后取出；

步骤4：将前表面沉积有含磷的氮化硅薄膜1，背表面沉积有含硼的氮化硅薄膜3的p型晶体硅衬底2进行30分钟的高温退火处理，温度为900℃，形成N⁺PP⁺结构；

步骤5：采用波长为532nm的绿色激光，按图5所示开孔点阵图，在含硼的氮化硅薄膜3上进行图形化开孔，形成点阵排列的开孔区域9，孔间距为1mm；

步骤6：通过丝网印刷工艺在沉积着含磷的氮化硅薄膜1的前表面丝网印刷银浆栅线，在沉积着含硼的氮化硅薄膜3的背表面丝网印刷铝浆及背银电极；

步骤7：通过高温烧结工艺在850℃温度下进行烧结，形成前栅电极7及背点接触式电极8，完成电池制作。

实施例2：

本实施例中，p型晶体硅衬底2采用p型单晶硅片，含硼的氮化硅薄膜或氮化硼薄膜3采用氮化硼薄膜，利用本发明的制作方法得到的晶体硅太阳能电池的立体剖面图类似图3所示，具体制作过程如下：

晶体硅太阳能电池的具体制作方法包括如下步骤：

步骤1：用常规清洗方法清洗p型晶体硅衬底2，并采用碱溶液进行绒面制作；

步骤2：把p型晶体硅衬底2放在PECVD反应腔内，通入硅烷、氨气及少量磷烷，在300℃的反应温度下在p型晶体硅衬底2的前表面沉积含磷的氮化硅薄膜1，含磷的氮化硅薄膜1的厚度为80nm；

步骤3：将沉积有含磷的氮化硅薄膜1的p型晶体硅衬底2取出后放入另一个PECVD反应腔内，通入氨气及硼烷，在300℃的反应温度下在p型晶体硅衬底2的背表面沉积氮化硼薄膜3，氮化硼薄膜3的厚度为100nm，然后取出；

步骤4：将前表面沉积有含磷的氮化硅薄膜1、背表面沉积有氮化硼薄膜3的p型晶体硅衬底2进行30分钟的高温退火处理，温度为950℃，形成N⁺PP⁺结构；

步骤5：通过丝网印刷工艺在沉积着含磷的氮化硅薄膜1的前表面丝网印刷银浆栅线，并通过高温烧结形成前栅电极7；

步骤6：通过溅射方法在氮化硼薄膜3表面沉积Al层，Al层厚度为2微米，并采用波长为532nm的绿色激光，按图5所示点阵图，在覆盖有Al层的氮化硼薄膜3表面进行激光烧蚀，从而使Al直接在硅表面形成背点接触式电极8；

步骤7：对电池片进行退火处理，以提高前栅电极7与背点接触式电极8的接触性能，热退火处理温度为300℃，从而完成电池制作。

实施例3：

本实施例中，p型晶体硅衬底2采用p型单晶硅片，含硼的氮化硅薄膜或氮化硼薄膜3采用氮化硼薄膜，利用本发明的制作方法得到的晶体硅太阳能电池的立体剖面图如图3所示，具体制作过程如下：

步骤1：用常规清洗方法清洗p型晶体硅衬底2，并采用碱溶液进行绒面制作；

步骤2：把p型晶体硅衬底2放在PECVD反应腔内，通入硅烷、氨气及少量磷烷，在350℃的反应温度下在p型晶体硅衬底2的前表面沉积含磷的氮化硅薄膜1，含磷的氮化硅薄膜1的厚度为70nm；

步骤3：将沉积有含磷的氮化硅薄膜1的p型晶体硅衬底2取出后放入另一个PECVD反应腔内，通入氨气及硼烷，在300℃的反应温度下在p型晶体硅衬底2的背表面沉积氮化硼薄膜3，氮化硼薄膜3的厚度为200nm，然后取出；

步骤4：采用波长为1064nm的红色激光，按图5所示开孔点阵图，在氮化硼薄膜3上进行图形化开孔，形成开孔区域，孔间距为2mm；

步骤5：通过丝网印刷工艺在沉积着含磷的氮化硅薄膜1的前表面丝网印刷银浆栅线，在沉积着氮化硼薄膜3的背表面丝网印刷铝浆及背银电极；

步骤6：通过高温烧结工艺在900℃温度下进行烧结，在此高温下形成N⁺PP⁺结构并形成前栅电极及背点接触式电极，完成电池制作。

实施例4：

本实施例中，n型晶体硅衬底4采用n型单晶硅片，含硼的氮化硅薄膜或氮化硼薄膜3采用含硼的氮化硅薄膜，利用本发明的制作方法得到的晶体硅太阳能电池的立体剖面图如图4所示，具体制作过程如下：

步骤1：用常规清洗方法清洗n型晶体硅衬底4，并采用碱溶液进行绒面制作；

步骤2：把n型晶体硅衬底4放在PECVD反应腔内，通入硅烷、氨气及少量硼烷，在350℃的反应温度下在n型晶体硅衬底4的前表面沉积含硼的氮化硅薄膜3，其厚度为70nm；

步骤3：将沉积有含硼的氮化硅薄膜3的n型晶体硅衬底4取出后放入另一个PECVD反应腔内，通入硅烷、氨气及少量磷烷，在300℃的反应温度下在n型晶体硅衬底4的背表面沉积含磷的氮化硅薄膜1，其厚度为150nm，然后取出；

步骤4：将前表面沉积有含硼的氮化硅薄3、背表面沉积有含磷的氮化硅薄膜1的n型晶体硅衬底4进行15分钟的高温退火处理，温度为1000℃，形成P⁺NN⁺结构；

步骤5：通过丝网印刷工艺在沉积有含磷的氮化硅薄膜的背表面丝网印刷银浆，形成电极细线11与电极主线12，如图6所示；然后通过高温烧结工艺在850℃温度下进行烧结，从而形成背电极种子层；

步骤6：采用波长为532nm的绿色激光，在沉积有含硼的氮化硅薄膜3的前表面开槽并获得选择性硼重掺杂区域，开槽图形如图6所示；

步骤7：通过电镀工艺，在前表面的选择性重掺杂位置以及背表面银线电极种子层位置电镀铜，从而形成前栅电极7及背表面局部线接触式电极10，完成电池制作。

实施例5：

本实施例中，n型晶体硅衬底采用n型单晶硅片，含硼的氮化硅薄膜或氮化硼薄膜3采用氮化硼薄膜，利用本发明的制作方法得到的晶体硅太阳能电池的立体剖面图类似图4所示，具体制作过程如下：

具体制作方法包括如下步骤：

步骤1：用常规清洗方法清洗n型晶体硅衬底4，并采用碱溶液进行绒面制作；

步骤2：把n型晶体硅衬底4放在PECVD反应腔内，通入氨气及硼烷，在350℃的反应温度下在n型晶体硅衬底4的前表面沉积氮化硼薄膜3，其厚度为70nm；

步骤3：将沉积有氮化硼薄膜3的n型晶体硅衬底4取出后放入另一个PECVD反应腔内，通入硅烷、氨气及少量磷烷，在350℃的反应温度下在n型晶体硅衬底4的背表面沉积含磷的氮化硅薄膜1，其厚度为200nm，然后取出；

步骤4：将前表面沉积有氮化硼薄膜3，背表面沉积有含磷的氮化硅薄膜1的n型晶体硅衬底4进行20分钟的高温退火处理，温度为900℃，形成P⁺NN⁺结构；

步骤5：采用波长为532nm的绿色激光，在沉积有氮化硼薄膜3的前表面开槽并获得选择性硼重掺杂区域，在沉积有含磷的氮化硅薄膜1的背表面开槽并获得选择性磷重掺杂区域，开槽图形如图6所示；

步骤6：通过电镀工艺，在前表面的选择性硼重掺杂位置以及背表面的选择性磷重掺杂位置电镀镍，从而形成前栅电极7及背表面局部线接触式电极10，完成电池制作。

实施例6：

本实施例中，n型晶体硅衬底4采用n型多晶硅片，含硼的氮化硅薄膜或氮化硼薄膜3采用氮化硼薄膜，利用本发明的制作方法得到的晶体硅太阳能电池的立体剖面图类似图4所示，具体制作过程如下：

具体制作方法包括如下步骤：

步骤1：用常规清洗方法清洗n型晶体硅衬底4，并采用酸溶液进行绒面制作；

步骤2：把n型多晶硅衬底4放在PECVD反应腔内，通入氨气及硼烷，在300℃的反应温度下在n型多晶硅衬底4的前表面沉积氮化硼薄膜3，其厚度为60nm；

步骤3：将沉积有氮化硼薄膜3的n型多晶硅衬底4取出后放入另一个PECVD反应腔内，通入硅烷、氨气及少量磷烷，在350℃的反应温度下在n型晶体硅衬底4的背表面沉积含磷的氮化硅薄膜1，其厚度为100nm；

步骤4：通过丝网印刷工艺在沉积着含磷的氮化硅薄膜1的背表面丝网印刷银浆，形成电极细线11与电极主线12，如图6所示；然后通过高温烧结工艺在850℃温度下进行烧结，从而形成背电极种子层；

步骤5：采用波长为532nm的绿色激光，在沉积着氮化硼薄膜3的前表面开槽并获得选择性硼重掺杂区域，开槽图形如图6所示；

步骤6：通过电镀工艺，在前表面的选择性重掺杂位置以及背表面银线电极种子层位置电镀锡，从而形成前栅电极7及背表面局部线接触式电极10，完成电池制作。

以上所述的实施例对本发明的技术方案和有益效果进行了详细说明，应理解的是以上所述仅为本发明的具体实施例，并不用于限制本发明，凡在本发明的原则范围内所做的任何修改和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种晶体硅太阳能电池的制作方法，首先，对p型晶体硅片或n型晶体硅片进行清洗制绒处理；然后，利用薄膜沉积技术，在p型晶体硅片的前表面沉积含磷的氮化硅薄膜，背表面沉积氮化硼薄膜或者含硼的氮化硅薄膜，或者在n型晶体硅片的前表面沉积氮化硼薄膜或者含硼的氮化硅薄膜，背表面沉积含磷的氮化硅薄膜；接着，将该沉积薄膜的p型晶体硅片或n型晶体硅片进行高温退火处理，使氮化硅薄膜中的磷元素，以及氮化硼薄膜或者含硼的氮化硅薄膜中的硼元素扩散进入晶体硅片内部，从而使p型晶体硅片形成N⁺PP⁺结构，n型晶体硅片形成P⁺NN⁺结构；最后，制备金属电极完成电池制作。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征是：所述的薄膜沉积技术采用等离子体增强化学气相沉积法。

3.根据权利要求1或2所述的晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征是：所述的高温退火处理的温度为750℃～1200℃。

4.根据权利要求1或2所述的晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征是：所述的p型晶体硅片前表面的含磷氮化硅薄膜的厚度为60nm～90nm、背表面的含硼氮化硅薄膜或者氮化硼薄膜的厚度为50nm～200nm；所述的n型晶体硅片前表面的含硼氮化硅薄膜或者氮化硼薄膜的厚度为60nm～90nm、背表面的含磷氮化硅薄膜的厚度为50nm～200nm。

5.根据权利要求1或2所述的晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征是：所述的N⁺PP⁺结构中，N型发射极的方块电阻为50～200欧姆/方块；所述的P⁺NN⁺结构中，P型发射极的方块电阻为50～200欧姆/方块。

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