CN105789343B - 一种具有透明电极的n型双面太阳能电池及其制备方法 - Google Patents
一种具有透明电极的n型双面太阳能电池及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105789343B CN105789343B CN201610213468.8A CN201610213468A CN105789343B CN 105789343 B CN105789343 B CN 105789343B CN 201610213468 A CN201610213468 A CN 201610213468A CN 105789343 B CN105789343 B CN 105789343B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- transparent conductive
- heavily doped
- film
- region
- conductive film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 58
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 58
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 58
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 54
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 54
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 21
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 21
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 20
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 8
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 8
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 7
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000010146 3D printing Methods 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000007581 slurry coating method Methods 0.000 claims description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 claims description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 45
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 52
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 26
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 4
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 3
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 3
- ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N boron tribromide Chemical compound BrB(Br)Br ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910015845 BBr3 Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- -1 silver-aluminum Chemical compound 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
- H10F77/219—Arrangements for electrodes of back-contact photovoltaic cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/138—Manufacture of transparent electrodes, e.g. transparent conductive oxides [TCO] or indium tin oxide [ITO] electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/244—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers
- H10F77/254—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers comprising a metal, e.g. transparent gold
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开一种具有透明电极的N型双面太阳能电池及其制备方法，电池包括：正面金属电极、正面透明导电膜、减反射膜/正面钝化膜、P型层、N型硅基体、背面钝化膜、背面透明导电膜和背面金属电极；所述的P型层表面和N型硅基体背面设置有按照规则图案布置的局部重掺杂P+区和局部重掺杂N+区，所述的正面透明导电膜与局部重掺杂P+区直接接触，正面透明导电膜将局部重掺杂P+区及正面金属电极连接成为正面导电组合体背面透明导电膜将局部重掺杂N+区及背面金属电极连接成为背面导电组合体。该透明导电组合体采用与硅基体局部接触的透明导电膜作为太阳能电池的正面或背面透明电极，有利于透明导电膜与硅基体形成良好的欧姆接触。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域，特别涉及一种具有透明电极的N型双面太阳能电池及其制备方法。
背景技术
自1954年第一块太阳能电池在贝尔实验室诞生以来，晶体硅太阳能电池得到了广泛的应用，转换效率不断提升，生产成本持续下降。目前，晶体硅太阳能电池占太阳能电池全球市场总额的80％以上，晶体硅电池片的产线转换效率目前已突破20％，全球年新增装机容量约50GW且增速明显，与火力发电的度电成本不断缩小，在未来几年有望与之持平。晶体硅太阳能电池作为一种清洁能源在改变能源结构、缓解环境压力等方面的重要作用日益凸显。
按基材的掺杂类型，晶体硅太阳能电池分为P型晶体硅太阳能电池和N型晶体硅太阳能电池。与P型晶体硅太阳能电池相比，N型晶体硅太阳能电池具有更高的转换效率和杂质容忍度，且基本上无光致衰减。目前制约N型晶体硅太阳能电池大规模应用的主要原因是成本问题未能很好的解决。
N型晶体硅太阳能电池要想获得竞争力、获得更大的发展与应用，必须进一步提高转换效率，同时降低生产成本。由于N型晶体硅比P型晶体硅具有更长的少子寿命，所以N型晶硅电池通常可以做成双面受光型电池以增加电池的输出功率，增加值一般在20％以上。
目前N型晶体硅双面太阳能电池的电极多采用银铝浆丝网印刷的方式形成近百条细栅和若干条主栅，此工序使用的物料成本昂贵，且电极会造成电池片表面5％--7％的面积形成对光的遮挡，使双面电池在效率优势上未能充分体现。
如何在减少遮光面积与保持良好的导电性之间进行平衡，是目前N型晶硅双面电池研究的一个热点。由于浆料技术与印刷技术的进步，受光面电极细栅宽度不断减小，根据SEMI预测，到2020年细栅的宽度将减小至35微米以下，同时主栅采用多主栅及无主栅。在这个栅线细化技术过程中，电极的遮光面积有所下降，导电性有所提升，同时获得了效率的提升与成本的下降。但随着栅线宽度的不断减小，电极制备的工艺难度不断加大，进一步提高效率、降低生产成本的空间缩小。
透明导电膜同时具有良好的透光性与导电性，是N型晶体硅双面太阳能电池电极的理想材料，有望彻底解决金属电极的光遮挡及成本问题。
发明内容
本发明的目的是提供了一种具有透明电极的N型双面太阳能电池一种具有透明电极的N型双面太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池采用与硅基体局部接触的透明导电膜作为太阳能电池的正面或背面透明电极，局部接触区域为重掺杂，以有利于透明导电膜与硅基体形成良好的欧姆接触。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种具有透明电极的N型双面太阳能电池，包括：自上而下依次设置的正面金属电极、正面透明导电膜、减反射膜/正面钝化膜、P型层、N型硅基体、背面钝化膜和背面透明导电膜、背面金属电极；所述的P型层表面和N型硅基体背面设置有按照规则图案布置的局部重掺杂P+区和局部重掺杂N+区；所述的正面透明导电膜与局部重掺杂P+区直接接触，所述的正面金属电极位于正面透明导电膜之上，正面透明导电膜将按照规则图案布置的局部重掺杂P+区及正面金属电极连接成为正面导电组合体；所述的背面透明导电膜与局部重掺杂N+区直接接触，所述的背面金属电极位于背面透明导电膜之上，背面透明导电膜将按照规则图案布置的局部重掺杂N+区及背面金属电极连接成为背面导电组合体。
透明导电膜为ITO薄膜、AZO薄膜、GZO薄膜、FTO薄膜、IWO薄膜和石墨烯薄膜中的一种或多种叠层构成；透明导电膜的厚度为50～500nm。
局部重掺杂区采用阵列图案排布，其图案为一维、二维几何图形或一维与二维几何图形的组合；一维几何图形选自：线段、虚线段、弧线或栅线状；二维几何图形选自：圆形、椭圆形、纺锤形、环形、多边形、多角形或扇形。
所述一维几何图形的线宽为30～100um，长度为0.05～1.5mm；同一行中相邻两个线形的间距为0.5～2mm，同一列中相邻两个线形的间距为0.5～2mm；所述二维几何图形的尺寸均为30～200um，相邻两个图形中心距为0.8～2mm。
所述正面金属电极与背面金属电极为银电极、铝电极、镍电极、铜电极、合金电极或金属复合电极；正面金属电极与背面金属电极的几何图形为一组平行线段或多组平行线段的组合，线段的宽度为20～2000um，数量为5～100根，线长为2～156mm，相邻线段之间的距离为0.5～50mm。
一种具有透明电极的N型双面太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
1)将N型晶体硅片进行表面织构化处理，采用化学药液腐蚀、等离子刻蚀、纳米金属催化或激光刻蚀的方法进行表面织构化处理；
2)在N型晶体硅片的正面与背面分别采用低压扩散、常压扩散、离子注入或杂质浆料涂敷加热处理进行掺杂处理，正面的杂质源为含硼的掺杂剂，背面的杂质源为含磷掺杂剂；
3)刻蚀去掉N型晶体硅片正面的硼硅玻璃与背面的磷硅玻璃；
4)按规则的图形在N型晶体硅片的正面和背面形成局部重掺杂区，形成局部重掺杂区的方法为：
a)先在正面沉积或生长减反射膜/正面钝化膜，在背面沉积或生长背面钝化膜后，按规则图形采用印刷、喷涂或3D打印的方法将掺杂剂涂敷在减反射膜/正面钝化膜和背面钝化膜上，再采用激光对涂敷的掺杂剂进行脉冲加热，使杂质原子穿透减反射膜/正面钝化膜和背面钝化膜向硅基体扩散分别形成局部重掺杂P+区和局部重掺杂N+区；或者，
b)在经过热扩散的N型晶体硅片正面和背面按规则图形喷掩膜，采用湿法刻蚀的方法进行清洗，在喷掩膜的区域形成局部重掺杂P+区和局部重掺杂N+区；再对应制备减反射膜/正面钝化膜和背面钝化膜后，采用激光或化学腐蚀的方法去除局部重掺杂P+区和局部重掺杂N+区之上对应的减反射膜/钝化膜和背面钝化膜；
5)在减反射膜/正面钝化膜和背面钝化膜表面采用溅射、气相沉积、3D打印、印刷、喷涂工艺制作正面透明导电膜和背面透明导电膜，透明导电膜的厚度控制在50～500nm；再在正面透明导电膜和背面透明导电膜上分别制作正面金属电极和背面金属电极；正面透明导电膜和背面透明导电膜在重掺杂区域处与硅基体直接接触，并将局部重掺杂区及金属电极连接成为导电组合体。
局部重掺杂P+区和局部重掺杂N+区的方阻为5～50Ω/□。
所述的N型晶体硅片为N型的单晶硅或者N型多晶硅。
所述的N型晶体硅片正面和背表面为金字塔、倒金字塔或纳米/微米多孔结构。
正面钝化膜为氧化铝、氧化硅、非晶硅中的一种或多种叠层构成，厚度为5～50nm；减反射膜为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化钛、碳化硅中的一种或多种叠层构成，减反射膜整体厚度为50～100nm；背面的钝化膜为氮化硅、氧化硅、非晶硅、氮氧化硅的中的一种或多种叠层构成，钝化膜整体厚度为5～50nm。
与现有技术相比，本发明具有以下有益的技术效果：
本发明的具有透明电极的N型晶体硅双面太阳能电池结构，采用与硅基体局部接触的透明导电膜作为太阳能电池的正面和背面透明电极，并通过在透明导电膜制作用于导通电流及便于制作电池组金属电极。局部接触区域为重掺杂，以有利于透明导电膜与硅基体形成良好的欧姆接触。本发明采用透明导电膜将硅片表层的局部重掺杂区域结合为一个可作为N型晶硅双面电池电极的导电整体，使电池片的受光面积增加了4％～7％，同时保持了电极良好的导电性，使晶体硅电池的转换效率显著提升。本发明使制作太阳能电池电极的金属(银、铜、铝、镍等)使用量大幅降低，甚至可以完全不使用金属，避免了金属电极光遮挡造成的功率损失，很好的平衡了晶硅电极光遮挡与导电性之间的两难问题，使电池的转换效率提升、生产成本降低。
本发明提供的一种具有透明电极的N型双面太阳能电池结构形成方法，通过激光开模掺杂、二次扩散、离子注入、掩膜刻蚀、掺杂剂涂敷等方法在晶体硅片的正面和背面按特定的图形(可以是栅线状、点状阵列、线段状阵列及其他形状)形成局部重掺杂，透明导电膜在重掺杂区域与硅基体直接接触，金属电极位于透明导电膜之上，透明导电膜将重掺杂区及金属电极连接成为一个可作为N型晶体硅电池正面与背面电极的透明导电组合体。本发明所述的局部接触透明导电膜可以替代N型晶体硅双面太阳能电池电极的金属细栅和主栅，或者在优化主栅的情况下替代金属细栅线。
附图说明
图1是透明导电膜作为正面、背面电极的N型晶硅双面电池剖面示意图。
图2是透明导电膜协同金属主栅作为正面、背面电极的N型晶硅双面电池剖面示意图。
图3是点状局部重掺杂分布示意图；
图4是线段状局部重掺杂分布示意图；
其中，1、局部重掺杂P+区，2、正面透明导电膜，3、减反射膜/正面钝化膜，4、P型层，5、N型硅基体，6、背面钝化膜，7、背面透明导电膜，8、局部重掺杂N+区，9、正面主栅电极，10、背面主栅电极。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步说明。
本发明一种具有透明电极的N型双面太阳能电池，采用与硅基体局部接触的透明导电膜作为太阳能电池的正面和背面透明电极，局部接触区域为重掺杂，以有利于透明导电膜与硅基体形成良好的欧姆接触。通过激光开模掺杂、二次扩散、离子注入、掩膜刻蚀、掺杂剂涂敷等方法在晶体硅片的正面和背面按特定的图形(可以是栅线状、点状阵列、线段状阵列及其他形状)形成局部重掺杂，透明导电膜之上为金属电极，透明导电膜在重掺杂区域与硅基体直接接触，并将重掺杂区及金属电极连接成为一个可作为N型晶体硅电池正面与背面电极的透明导电组合体。本发明所述的局部接触透明导电膜可以替代N型晶体硅双面太阳能电池电极的金属细栅和主栅，或者在优化主栅的情况下替代细栅线。
如图1和图2所示，本发明提供的具有透明电极的N型晶体硅双面太阳能电池结构，采用透明导电膜将硅片表层的局部重掺杂区域及金属电极结合为一个可作为N型晶硅双面电池电极的导电整体，其结构自上而下包括：正面金属电极9、正面透明导电膜2、减反射膜/正面钝化膜3、P型层4、N型硅基体5、背面钝化膜6、背面透明导电膜7、背面金属电极10。采用与硅基体局部接触的透明导电膜作为太阳能电池的正面和背面透明电极，局部接触区域为重掺杂(P+区和N+区)，以有利于透明导电膜与硅基体形成良好的欧姆接触。如图1其中正面与背面的电极可以是透明导电膜，可以是如图2的透明导电膜协同金属主栅线。
本发明提供的N型晶体硅双面电池制备方法按如下步骤：
(1)将N型晶体硅片进行表面织构化处理，硅片可以是N型单晶硅片、N型多晶硅片，织构处理可以采用化学药液腐蚀、等离子刻蚀、金属催化、激光刻蚀等方法。
(2)在正面与背面分别进行掺杂处理，正面的杂质源可以是BBr3、BF3、B2H6、含硼掺杂剂等，背面的杂质源可以是POCl3、PH3、含磷掺杂剂等，掺杂的方法可以采用低压扩散、常压扩散、离子注入、杂质浆料涂敷加热处理等方式。
(3)刻蚀去掉正面的硼硅玻璃与背面的磷硅玻璃，刻蚀的方法可采用湿法刻蚀、干法刻蚀。
(4)在正面和背面分别沉积或生长5～50nm钝化膜和50～90nm左右的减反射膜，钝化膜和减反射膜可以是氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、碳化硅、氧化钛等。
(5)按特定的图形在硅片的正面和背面形成局部重掺杂，重掺杂图形可以是栅线状、点状阵列、线段状阵列及其他图形。如图3和图4所示，栅线状图形可以是任何一种生产实际中使用的受光面电极模板图案；点状图案的直径在50～200um之间，点与点之间的间距在0.8～2mm之间；线段状图案的线宽在40～100um之间，长度在0.05～1.5mm之间，线段在X、Y方向的间距为0.5～2mm。形成局部重掺杂的方法可以采用二次热扩散、激光开模掺杂、局域离子注入、掩膜反刻蚀、掺杂剂局域涂敷等，与此对应，局部重掺杂可以在形成PN结的工序中完成，也可以在刻蚀清洗的工序中完成，还可以与激光掺杂同时完成。
(6)在正面和背面制作透明导电膜，透明导电膜可以是ITO(铟锡氧化物)、AZO(掺铝氧化锌)、FTO(掺氟氧化锡)、IWO(掺钨氧化铟)、石墨烯、GZO(掺镓氧化锌)等，制作的方法可以采用溅射、印刷、气相沉积、喷涂、旋涂等，透明导电膜的厚度控制在50～500nm。再在正面透明导电膜和背面透明导电膜上分别制作正面金属电极和背面金属电极；正面透明导电膜和背面透明导电膜在重掺杂区域处与硅基体直接接触，并将局部重掺杂区及金属电极连接成为导电组合体。
下面结合具体实施例，对本发明的制备方法进行详细说明：
实施例1：
(1)将N型单晶硅片于80℃左右的KOH溶液中异向腐蚀，获得表面金字塔结构；
(2)以BBr3作为杂质，在950℃左右扩散形成80Ω/□的均匀扩散层；
(3)采用湿法刻蚀去掉硼硅玻璃及背结；
(4)在正面先后沉积25nm左右的氧化铝和80nm左右的氮化硅；
(5)在背面先后沉积30nm左右的氧化硅和80nm左右的氮化硅；
(6)在正面和背面按特定图形分别印刷含硼掺杂剂与含磷掺杂剂，印刷图形采用点状阵列，单个点的直径为50um，点与点之间的间距为0.8mm；
(7)采用激光按步骤(6)中所述的特定图形对掺杂剂进行脉冲加热，使正面的硼原子和背面的磷原子穿透减反射膜及钝化膜向硅基体扩散，在硅片的正面与背面形成点状阵列的局部重掺杂区域；
(8)采用溅射法在正面与背面分别制备100nm的AZO透明导电膜，再在正面透明导电膜和背面透明导电膜上采用丝网印刷的方法分别制作正面银电极和背面银电极；正面、背面银电极图案由1组等距平行的栅线构成，栅线数量为20根，栅线宽度为20um。正面透明导电膜和背面透明导电膜在重掺杂区域处与硅基体直接接触，并将局部重掺杂区及银电极连接成为可作为N型晶硅电池正面与背面电极的导电组合体。
实施例2：
(1)采用纳米金属颗粒催化化学刻蚀在N型单晶硅片的表面上形成倒金字塔结构；
(2)在硅片的正面与背面采用离子注入的方法分别掺入硼原子与磷原子，硼源采用BF3，磷源采用PH3，之后进行退火处理；
(3)清洗硅片的正面与背面；
(4)在正面先后沉积20nm左右的氧化铝和80nm左右的氧化硅；
(5)在背面沉积80nm左右的氧化硅；
(6)在正面和背面按特定图形分别喷涂含硼掺杂剂与含磷掺杂剂，喷涂图形采用点状阵列，单个点的直径为100um，点与点之间的间距为1.5mm；
(7)采用激光按步骤(6)中所述的特定图形对掺杂剂进行脉冲加热，使正面的硼原子和背面的磷原子穿透减反射膜及钝化膜向硅基体扩散，在硅片的正面与背面形成点状阵列的局部重掺杂区域；
(8)采用溅射法在正面与背面分别制备150nm的ITO透明导电膜，再在正面透明导电膜和背面透明导电膜上分别制作正面银电极和背面银电极；银电极由一组等距平行的细栅线与一组等距平行的主栅线构成，细栅线与主栅线垂直相交。细栅线为30根，截面宽度为30um；主栅为4根，截面宽度为1mm。正面透明导电膜和背面透明导电膜在重掺杂区域处与硅基体直接接触，并将局部重掺杂区及银电极连接成为可作为N型晶硅电池正面与背面电极的导电组合体。
实施例3：
(1)采用纳米金属颗粒催化化学刻蚀在N型单晶硅片的表面上形成倒金字塔结构；
(2)在硅片正面以BBr3作为杂质，在1000℃左右扩散形成40Ω/□的均匀扩散层；
(3)在硅片背面以POCl3作为杂质，在800℃左右扩散形成40Ω/□的均匀扩散层；
(4)在正面和背面的扩散层上按特定的图形分别喷掩膜，掩膜图形采用线段状阵列，线段的长度为50um，宽度为40um，线段与线段之间的间距为0.5mm；
(5)采用湿法刻蚀去掉正面和背面的硼硅玻璃/磷硅玻璃及掩膜，在喷有掩膜的区域形成重掺杂，在没有喷掩膜的区域形成轻掺杂；
(6)在正面和背面分别沉积90nm左右的氧化硅；
(7)采用掩膜及化学药剂腐蚀的方法按步骤(4)中所述的阵列图形对正面和背面的氧化硅进行开孔；
(8)采用溅射法在正面和背面制备100nm的IWO透明导电膜，再在正面透明导电膜和背面透明导电膜上分别制作正面银电极和背面银电极；银电极由10组相互平行的等距平行栅线构成，每组栅线为30根，截面宽度为20um，相邻两组平行栅线之间的间距为2mm。正面透明导电膜和背面透明导电膜在重掺杂区域处与硅基体直接接触，并将局部重掺杂区及银电极连接成为可作为N型晶硅电池正面与背面电极的导电组合体。
实施例4：
(1)将N型单晶硅片于80℃左右的NaOH溶液中异向腐蚀，获得表面金字塔结构；
(2)在硅片的正面和背面分别按特定图形印刷硼浆与磷浆，印刷图形为线段状阵列，线段的长度为1.5mm，宽度为100um，线段与线段之间的间距为2mm；
(3)在扩散炉中通入BBr3进行低压扩散，在印刷硼浆与磷浆的区域形成重掺杂，在没有印刷硼浆与磷浆的区域形成轻掺杂；
(4)采用湿法刻蚀去掉正面和背面的硼硅玻璃与磷硅玻璃；
(5)在正面先后沉积30nm左右的氧化铝和80nm左右的氮氧化硅；
(6)在背面沉积80nm左右的氮氧化硅；
(7)采用激光按步骤(2)中所述的阵列图形去掉正面和背面重掺区域的减反射膜；
(9)采用化学气相沉积在正面和背面沉积80nm的石墨烯透明导电膜，再在正面透明导电膜和背面透明导电膜上分别制作正面银电极和背面银电极；银电极由一组等距平行的细栅线与一组等距平行的主栅线构成，细栅线与主栅线垂直相交。细栅线为10根，截面宽度为40um；主栅为5根，截面宽度为1mm。正面透明导电膜和背面透明导电膜在重掺杂区域处与硅基体直接接触，并将局部重掺杂区及银电极连接成为可作为N型晶硅电池正面与背面电极的导电组合体。
实施例5：
(1)将N型多晶硅片于HF/HNO3的溶液体系中进行腐蚀，获得表面织构；
(2)在正面以BBr3作为杂质，在950℃左右扩散形成50Ω/□的均匀扩散层；
(3)在背面以POCl3作为杂质，在750℃左右扩散形成50Ω/□的均匀扩散层；
(4)在正面与背面的扩散层上按特定的图形喷掩膜，掩膜图形为栅线状，细栅由100条宽度为30um左右的等间距平行线组成，主栅由5条宽度为1mm的等间距平行线组成，细栅与主栅垂直相交。
(5)采用湿法刻蚀去掉硼硅玻璃、磷硅玻璃及掩膜，在喷有掩膜的区域形成重掺杂，在没有喷掩膜的区域形成轻掺杂；
(6)在正面先后沉积25nm左右的氧化硅和80nm左右的氮化硅；
(7)在背面沉积80nm左右的氮化硅；
(8)采用掩膜及化学药剂腐蚀的方法按步骤(4)中所述的图形去掉正面与背面重掺杂区域的减反射膜及钝化膜；
(9)采用溅射法在正面和背面分别沉积200nm的GZO透明导电膜，该透明导电膜与重掺区的硅基体直接接触形成N型晶硅电池的正面与背面电极。
实施例6：
(1)采用纳米金属颗粒催化化学刻蚀在N型单晶硅片的表面上形成倒金字塔结构；
(2)在硅片正面和背面按特定的图形喷涂含硼掺杂剂和含磷掺杂剂，喷涂图形为栅线状，细栅由80条宽度为60um左右的等间距平行线组成，主栅由3条宽度为1.5mm的等间距平行线组成，细栅与主栅垂直相交。
(3)在正面以BBr3作为杂质，在950℃左右扩散形成局域重掺杂的扩散层；
(4)在背面以POCl3作为杂质，在750℃左右扩散形成局域重掺杂的均匀扩散层；
(5)采用湿法刻蚀去掉正面与背面的硼硅玻璃、磷硅玻璃；
(6)在正面先后沉积35nm左右的氧化铝和70nm左右的氮化硅；
(7)在背面先后沉积35nm左右的氧化硅和70nm左右的氮化硅；
(8)采用激光按步骤(2)中所述的图形去掉正面和背面细栅状重掺杂区域的减反射膜及钝化膜；
(9)采用溅射法在正面和背面分别沉积100nm的AZO透明导电膜；
(10)按主栅状重掺杂区域在正面和背面的透明导电膜上的制作银主栅电极，正面透明导电膜和背面透明导电膜在重掺杂区域处与硅基体直接接触，并将局部重掺杂区及银主栅电极连接成为可作为N型晶硅电池正面与背面电极的导电组合体。
本发明一种具有透明电极的N型双面太阳能电池结构，采用与硅基体局部接触的透明导电膜作为太阳能电池的正面和背面透明电极，局部接触区域为重掺杂，以有利于透明导电膜与硅基体形成良好的欧姆接触。本发明使制作太阳能电池电极的金属(银、铜、铝、镍等)使用量大幅降低，甚至可以完全不使用金属，避免了金属电极光遮挡造成的功率损失，很好的平衡了晶硅电极光遮挡与导电性之间的两难问题，使电池的转换效率提升、生产成本降低。
以上所述仅为本发明的几种实施方式，不是全部或唯一的实施方式，本领域普通技术人员通过阅读本发明说明书而对本发明技术方案采取的任何等效的变换，均为本发明的权利要求所涵盖。
Claims (10)
1.一种具有透明电极的N型双面太阳能电池，其特征在于，包括：自上而下依次设置的正面金属电极(9)、正面透明导电膜(2)、减反射膜/正面钝化膜(3)、P型层(4)、N型硅基体(5)、背面钝化膜(6)、背面透明导电膜(7)和背面金属电极(10)；所述的P型层(4)表面和N型硅基体(5)背面设置有按照规则图案布置的局部重掺杂P+区(1)和局部重掺杂N+区(8)，所述的正面透明导电膜(2)穿透减反射膜/正面钝化膜(3)与局部重掺杂P+区(1)直接接触，正面透明导电膜(2)将局部重掺杂P+区(1)及正面金属电极(9)连接成为正面导电组合体；所述的背面透明导电膜(7)穿透背面钝化膜(6)与局部重掺杂N+区(8)直接接触，背面透明导电膜(7)将局部重掺杂N+区(8)及背面金属电极(10)连接成为背面导电组合体。
2.根据权利要求1所述的一种具有透明电极的N型双面太阳能电池，其特征在于，正面金属电极(9)与背面金属电极(10)为银电极、铝电极、镍电极、铜电极、合金电极或金属复合电极；正面金属电极(9)与背面金属电极(10)的排布图案为一组平行线段或多组平行线段的组合，线段的宽度为20～2000um，数量为5～100根，线长为2～156mm，相邻线段之间的距离为0.5～50mm。
3.根据权利要求1所述的一种具有透明电极的N型双面太阳能电池，其特征在于，正面透明导电膜(2)和背面透明导电膜(7)均为ITO薄膜、AZO薄膜、GZO薄膜、FTO薄膜、IWO薄膜和石墨烯薄膜中的一种或多种叠层构成；透明导电膜的厚度为50～500nm。
4.根据权利要求1所述的一种具有透明电极的N型双面太阳能电池，其特征在于，局部局部重掺杂P+区(1)和局部重掺杂N+区(8)均采用阵列图案排布，其图案为一维、二维几何图形或一维与二维几何图形的组合；一维几何图形选自：线段、虚线段、弧线或栅线状；二维几何图形选自：圆形、椭圆形、纺锤形、环形、多边形、多角形或扇形。
5.根据权利要求4所述的一种具有透明电极的N型双面太阳能电池，其特征在于，所述一维几何图形的线宽为30～100um，长度为0.05～1.5mm；同一行中相邻两个线形的间距为0.5～2mm，同一列中相邻两个线形的间距为0.5～2mm；所述二维几何图形的尺寸均为30～200um，相邻两个图形中心距为0.8～2mm。
6.权利要求1所述的一种具有透明电极的N型双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)将N型晶体硅片进行表面织构化处理，采用化学药液腐蚀、等离子刻蚀、纳米金属催化或激光刻蚀的方法进行表面织构化处理；
2)在N型晶体硅片的正面与背面分别采用低压扩散、常压扩散、离子注入或杂质浆料涂敷加热处理进行掺杂处理，正面的杂质源为含硼的掺杂剂，背面的杂质源为含磷掺杂剂；
3)刻蚀去掉N型晶体硅片正面的硼硅玻璃与背面的磷硅玻璃；
4)按规则的图形在N型晶体硅片的正面和背面形成局部重掺杂区，形成局部重掺杂区的方法为：
a)先在正面沉积或生长减反射膜/正面钝化膜(3)，在背面沉积或生长背面钝化膜(6)后，按规则图形采用印刷、喷涂或3D打印的方法将掺杂剂涂敷在减反射膜/正面钝化膜(3)和背面钝化膜(6)上，再采用激光对涂敷的掺杂剂进行脉冲加热，使杂质原子穿透减反射膜/正面钝化膜(3)和背面钝化膜(6)向硅基体扩散分别形成局部重掺杂P+区(1)和局部重掺杂N+区(8)；或者，
b)在经过热扩散的N型晶体硅片正面和背面按规则图形喷掩膜，采用湿法刻蚀的方法进行清洗，在喷掩膜的区域形成局部重掺杂P+区(1)和局部重掺杂N+区(8)；随后分别制备减反射膜/正面钝化膜(3)和背面钝化膜(6)，再采用激光或化学腐蚀的方法去除局部重掺杂P+区(1)和局部重掺杂N+区(8)之上对应的减反射膜/钝化膜(3)和背面钝化膜(6)；
5)在减反射膜/正面钝化膜(3)和背面钝化膜(6)表面采用溅射、气相沉积、3D打印、印刷、喷涂工艺制作正面透明导电膜(2)和背面透明导电膜(7)，透明导电膜的厚度控制在50～500nm；再在正面透明导电膜(2)和背面透明导电膜(7)上分别制作正面金属电极(9)和背面金属电极(10)；正面透明导电膜(2)和背面透明导电膜(7)在重掺杂区域处与硅基体直接接触，并将局部重掺杂区及金属电极连接成为导电组合体。
7.根据权利要求6所述的一种具有透明电极的N型双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，局部重掺杂P+区(1)和局部重掺杂N+区(8)的方阻为5～50Ω/□。
8.根据权利要求6所述的一种具有透明电极的N型双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述的N型晶体硅片为N型的单晶硅或者N型多晶硅。
9.根据权利要求6所述的一种具有透明电极的N型双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述的N型晶体硅片正面和背表面为金字塔、倒金字塔或纳米/微米多孔结构。
10.根据权利要求6所述的一种具有透明电极的N型双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，正面钝化膜为氧化铝、氧化硅、非晶硅中的一种或多种叠层构成，厚度为5～50nm；减反射膜为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化钛、碳化硅中的一种或多种叠层构成，减反射膜整体厚度为50～100nm；背面的钝化膜为氮化硅、氧化硅、非晶硅、氮氧化硅的中的一种或多种叠层构成，钝化膜整体厚度为5～50nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610213468.8A CN105789343B (zh) | 2016-04-07 | 2016-04-07 | 一种具有透明电极的n型双面太阳能电池及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610213468.8A CN105789343B (zh) | 2016-04-07 | 2016-04-07 | 一种具有透明电极的n型双面太阳能电池及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105789343A CN105789343A (zh) | 2016-07-20 |
| CN105789343B true CN105789343B (zh) | 2018-02-23 |
Family
ID=56396051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610213468.8A Active CN105789343B (zh) | 2016-04-07 | 2016-04-07 | 一种具有透明电极的n型双面太阳能电池及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105789343B (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106876488A (zh) * | 2017-01-25 | 2017-06-20 | 泰州乐叶光伏科技有限公司 | N型双面电池及其加工方法 |
| CN106784053A (zh) * | 2017-02-20 | 2017-05-31 | 泰州乐叶光伏科技有限公司 | 一种n型选择性发射极双面电池及其加工方法 |
| CN107706246A (zh) * | 2017-08-21 | 2018-02-16 | 无锡嘉瑞光伏有限公司 | 一种背面浆料直接烧穿的背钝化太阳能电池及其制造方法 |
| CN109671790A (zh) * | 2018-12-25 | 2019-04-23 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种n型双面太阳能电池及其制备方法 |
| CN109671806A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-04-23 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种n型双面电池的制备方法 |
| CN110491545B (zh) * | 2019-09-04 | 2021-05-18 | 南通天盛新能源股份有限公司 | 一种n型太阳能电池正面细栅浆料及其制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN205564767U (zh) * | 2016-04-07 | 2016-09-07 | 乐叶光伏科技有限公司 | 一种具有透明电极的n型晶体硅双面太阳能电池 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102376789A (zh) * | 2010-08-24 | 2012-03-14 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 选择性发射极太阳能电池及制备方法 |
| WO2014098016A1 (ja) * | 2012-12-18 | 2014-06-26 | ＰＶＧ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ株式会社 | 太陽電池セル及びその製造方法 |
| CN103227241A (zh) * | 2013-04-10 | 2013-07-31 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种双面晶体硅太阳能电池的制备方法 |
| CN103985778B (zh) * | 2014-05-21 | 2016-01-20 | 常州天合光能有限公司 | 具有选择性发射极的异质结太阳能电池及其制备方法 |
-
2016
- 2016-04-07 CN CN201610213468.8A patent/CN105789343B/zh active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN205564767U (zh) * | 2016-04-07 | 2016-09-07 | 乐叶光伏科技有限公司 | 一种具有透明电极的n型晶体硅双面太阳能电池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105789343A (zh) | 2016-07-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105762205B (zh) | 一种具有透明电极的p型晶体硅太阳能电池及其制备方法 | |
| CN106997910B (zh) | 无正面栅线的p型晶体硅背接触双面电池结构及制作方法 | |
| CN105789343B (zh) | 一种具有透明电极的n型双面太阳能电池及其制备方法 | |
| CN106876491B (zh) | 一种无正面栅线的p型晶体硅背接触电池结构及制作方法 | |
| CN105702757B (zh) | 一种晶体硅太阳能电池透明导电组合体及其制备方法 | |
| CN106409956B (zh) | 一种n型晶体硅双面太阳能电池结构及其制备方法 | |
| CN105826428B (zh) | 一种钝化接触n型晶体硅电池及制备方法和组件、系统 | |
| CN105914249B (zh) | 全背电极接触晶硅太阳能电池结构及其制备方法 | |
| CN103077975B (zh) | 一种低成本n型双面太阳电池及其制备方法 | |
| CN113809205A (zh) | 太阳能电池的制备方法 | |
| CN106098807A (zh) | 一种n型晶体硅太阳能电池结构及其制备方法 | |
| CN106129133A (zh) | 一种全背电极接触晶硅太阳能电池结构及其制备方法 | |
| WO2017020690A1 (zh) | 基于p型硅衬底的背接触式太阳能电池 | |
| CN105720114B (zh) | 一种用于晶体硅太阳能电池的量子裁剪透明电极 | |
| CN206672943U (zh) | 一种无正面栅线的p型晶体硅背接触双面电池结构 | |
| CN111524982A (zh) | 太阳电池 | |
| CN205564766U (zh) | 一种具有二维电极结构的 p 型晶体硅太阳能电池 | |
| CN103618025A (zh) | 一种晶体硅背结太阳能电池制备方法 | |
| CN103066135A (zh) | 一种前电极主栅线与硅衬底隔离的选择性发射极太阳电池及其制备方法 | |
| CN205564764U (zh) | 一种背面钝化接触电池结构 | |
| CN105870212B (zh) | 一种晶体硅太阳能电池二维电极及其制备方法 | |
| CN102683495A (zh) | 一种n型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法 | |
| JP2025065587A (ja) | 太陽電池及びその製造方法、光起電力モジュール | |
| CN104009120B (zh) | N型晶体硅刻槽埋栅电池的制备方法 | |
| CN107046070A (zh) | 一种p型晶体硅电池结构及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 710018 Shaanxi Province, Xi'an economic and Technological Development Zone is Jilu No. 8989 A block 6 layer Applicant after: Long base music Photovoltaic Technology Co., Ltd. Address before: 710199 No. 388, middle route, Xi'an, Shaanxi, Changan District Applicant before: LERRI SOLAR TECHNOLOGY CO., LTD. |
|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |