CN104485388A - 一种晶硅太阳能电池pecvd镀膜后不良片的返工方法 - Google Patents
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Abstract
一种晶硅太阳能电池PECVD镀膜后不良片的返工方法，依次包括以下步骤：第一步，去除硅片表面沉积的SiNx膜层并清洗；第二步，对硅片进行彻底的清洗；第三步，对清洗后的硅片进行PECVD镀膜、丝网印刷、烧结并测试分选。其有益效果：不需要对不良片进行重新制绒，能保证小绒面，确保镀膜后的外观及效率；减少制绒、扩散以及刻蚀等工序，减少破片，并降低成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种晶硅太阳能电池的加工方法，尤其是一种晶硅太阳能电池PECVD镀膜后不良片的返工方法。
背景技术
目前常规的P型晶硅太阳能电池使用氮化硅膜作为发射极钝化层。氮化硅主流生长方式之一为PECVD法，即等离子增强化学气相沉积法，由于镀膜设备的限制和制程控制问题，均存在一定比例的镀膜返工片，主要表现为厚度不均匀、折射率异常和外观不良等，镀膜返工片比例约为1％～5％。对于镀膜返工片的处理，一般采用的工艺步骤为：(1)去膜：将返工片浸泡在质量浓度为30wt％～40wt％HF溶液中，去除硅片表面沉积的SiNx膜层，用清水冲洗一次300s，用甩干机进行甩干；(2)重新制绒；(3)经由扩散、清洗刻边、PECVD和丝网印刷工序重新制备得到电池片，具体工艺流程图如图1所示。相较于原片制备的电池片，采用此种方法清洗后的返工片后制备的电池片花片比例高，不良片占到20％的比例，电性能较差，将会影响产线良率。究其原因，常规镀膜返工片需要去膜后重新制绒再去除表面P-N结后重新扩散，由于多晶酸制绒的绒面建立在损伤层上，第一次制绒基本已经将损伤层去除干净，第二次制绒后无法形成小绒面，造成晶界明显，影响外观，且绒面尺寸过大，影响限光效应，造成短路电流下降，影响效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶硅太阳能电池PECVD镀膜后不良片的返工方法，不但生产流程简单，而且可有效去除SiNx膜层和硅片表面残留的颗粒，优化返工片制备电池的外观及性能，提高了生产率和产品率。
为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：一种晶硅太阳能电池PECVD镀膜后不良片的返工方法，依次包括以下步骤：第一步，去除硅片表面沉积的SiNx膜层并清洗；第二步，对硅片进行彻底的清洗；第三步，对清洗后的硅片进行PECVD镀膜、丝网印刷、烧结并测试分选。
上述第一步具体步骤为：将硅片浸泡在HF溶液中，待完全去除硅片表面沉积的SiNx膜层后用纯水冲洗，洗好之后甩干。
其中，所述HF溶液的质量浓度为15wt％～25wt％，浸泡在HF溶液中的时间为720s～900s；所述纯水冲洗5次，每次冲洗时间为300s，共1500s；所述甩干用甩干机甩360s～600s，保证硅片表面水分被甩干。
上述第二步具体步骤为：先用质量浓度为1％～5％的KOH溶液进行清洗，清洗时间为10s～60s，洗去硅片上残留的HF溶液；然后用质量浓度为5％～10％HNO3l与HF的混合酸液进行清洗，清洗时间也为10s～60s；最后用纯水进行冲洗，将硅片冲洗干净。
其中，上述第二步需要屏蔽掉硅片上的刻边槽，不需要做刻边工艺。
经过大量试验可知，PECVD镀膜时间可以减少30s～50s，而且制得成品率高达95％以上，不良片仅为2％，远远优于背景技术中采用的返工方法得到的成品率。
本发明与现有技术相比，具有如下有益效果：1、不需要对不良片进行重新制绒，能保证小绒面，确保镀膜后的外观及效率；2、减少制绒、扩散以及刻蚀等工序，减少破片，并降低成本；3、PECVD镀膜时间降低，提高了工作效率并降低了生产成本。
附图说明
图1是背景技术中的不良片返工方法的工艺流程图。
图2是本发明PECVD镀膜后不良片的返工方法的工艺流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
实施例1：
如图1所示，本发明一种晶硅太阳能电池PECVD镀膜后不良片的返工方法，依次包括以下步骤：第一步，去除硅片表面沉积的SiNx膜层并清洗，具体为：将硅片浸泡在浓度为15wt％HF溶液中，浸泡900s，完全去除硅片表面沉积的SiNx膜层后用纯水冲洗5次，每次冲洗300s，共1500s，洗好之后用甩干机甩600s，保证硅片表面水分被甩干；
第二步，对硅片进行彻底的清洗，具体为：先用质量浓度为5％的KOH溶液进行清洗，清洗时间为10s，洗去硅片上残留的HF溶液；然后用质量浓度为5％HNO3与HF的混合酸液进行清洗，清洗时间也为60s；最后用纯水进行冲洗，将硅片冲洗干净，本实施中，在该步骤中需要屏蔽掉硅片上的刻边槽，不需要做刻边工艺；
第三步，对清洗后的硅片进行PECVD镀膜、丝网印刷、烧结并测试分选。
实施例2：
一种晶硅太阳能电池PECVD镀膜后不良片的返工方法，依次包括以下步骤：第一步，去除硅片表面沉积的SiNx膜层并清洗，具体为：将硅片浸泡在浓度为30wt％HF溶液中，浸泡720s，完全去除硅片表面沉积的SiNx膜层后用纯水冲洗5次，每次冲洗300s，共1500s，洗好之后用甩干机甩600s，保证硅片表面水分被甩干；
第二步，对硅片进行彻底的清洗，具体为：先用质量浓度为1％的KOH溶液进行清洗，清洗时间为60s，洗去硅片上残留的HF溶液；然后用质量浓度为10％HNO3与HF的混合酸液进行清洗，清洗时间也为10s；最后用纯水进行冲洗，将硅片冲洗干净，本实施中，在该步骤中需要屏蔽掉硅片上的刻边槽，不需要做刻边工艺；
第三步，对清洗后的硅片进行PECVD镀膜、丝网印刷、烧结并测试分选。
实施例3：
一种晶硅太阳能电池PECVD镀膜后不良片的返工方法，依次包括以下步骤：第一步，去除硅片表面沉积的SiNx膜层并清洗，具体为：将硅片浸泡在浓度为20wt％HF溶液中，浸泡780s，完全去除硅片表面沉积的SiNx膜层后用纯水冲洗5次，每次冲洗300s，共1500s，洗好之后用甩干机甩600s，保证硅片表面水分被甩干；
第二步，对硅片进行彻底的清洗，具体为：先用质量浓度为1％的KOH溶液进行清洗，清洗时间为60s，洗去硅片上残留的HF溶液；然后用质量浓度为5％HNO3与HF的混合酸液进行清洗，清洗时间也为30s；最后用纯水进行冲洗，将硅片冲洗干净，本实施中，在该步骤中需要屏蔽掉硅片上的刻边槽，不需要做刻边工艺；
第三步，对清洗后的硅片进行PECVD镀膜、丝网印刷、烧结并测试分选。
根据实施例1、实施例2、实施例3所测试分选出来的结果可知，采用本发明的返工方法可以使PECVD镀膜时间减少30s～50s，而且最终制得成品的比例高达95％以上，且不良片的比例仅为2％，远远优于背景技术中采用的返工方法所制得的成品比例。
Claims (7)
1.一种晶硅太阳能电池PECVD镀膜后不良片的返工方法，其特征在于，依次包括以下步骤：第一步，去除硅片表面沉积的SiNx膜层并清洗；第二步，对硅片进行彻底的清洗；第三步，对清洗后的硅片进行PECVD镀膜、丝网印刷、烧结并测试分选。
2.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池PECVD镀膜后不良片的返工方法，其特征在于，上述第一步具体步骤为：将硅片浸泡在HF溶液中，待完全去除硅片表面沉积的SiNx膜层后用纯水冲洗，洗好之后甩干。
3.根据权利要求2所述的晶硅太阳能电池PECVD镀膜后不良片的返工方法，其特征在于，所述HF溶液的质量浓度为15wt％～25wt％，浸泡在HF溶液中的时间为720s～900s。
4.根据权利要求2所述的晶硅太阳能电池PECVD镀膜后不良片的返工方法，其特征在于，所述纯水冲洗5次，每次冲洗时间为300s。
5.根据权利要求2所述的晶硅太阳能电池PECVD镀膜后不良片的返工方法，其特征在于，所述甩干用甩干机甩360s～600s。
6.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池PECVD镀膜后不良片的返工方法，其特征在于，上述第二步具体步骤为：先用质量浓度为1％～5％的KOH溶液进行清洗，清洗时间为10s～60s；然后用质量浓度为5％～10％HNO3与HF的混合酸液进行清洗，清洗时间也为10s～60s；最后用纯水进行冲洗。
7.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池PECVD镀膜后不良片的返工方法，其特征在于，上述第二步需要屏蔽掉硅片上的刻边槽。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20150401 |
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |