CN102306687A - 一种晶体硅太阳能电池pecvd彩虹片返工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及太阳能电池片的加工，具体的说本发明是一种晶体硅太阳能电池片等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)彩虹片返工方法，即等离子体增强化学气相沉积法制备晶体硅太阳能电池片中因放电异常导致的表面有彩虹膜层的电池片的清洗处理方法，经过该方法处理后的电池片进行重新镀膜，印刷，烧结后，电池片的转换效率可以达到正常电池片的水平，而且外观也与正常电池片无异，达到了返工清洗的目的。

Description

一种晶体硅太阳能电池PECVD彩虹片返工方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池片的加工，具体的说本发明是一种晶体硅太阳能电池片等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)彩虹片返工方法，即等离子体增强化学气相沉积法制备晶体硅太阳能电池片中因放电异常导致的表面有彩虹膜层的电池片的清洗处理方法。
背景技术
目前，晶体硅太阳能电池片对外观要求较高，正常生产中由于设备稳定性原因导致的PE镀膜异常片很难用常规清洗方法清洗干净。这些异常片包括色差，斑点，膜厚不均，放电异常导致的彩虹片等，其中彩虹片最难清除。这些异常片经后工序到成品会严重影响最终的成品率和合格率。其中彩虹片清洗不彻底会影响后工序中铝背场的完整性，严重的会导致部分铝背场脱落，从而导致电池片报废。
因此，解决电池片生产过程中的PECVD次品率问题，可以有效地提高产品合格率。
目前，已有的返工技术方案是使用HF清洗液清洗，然后用HCl清洗。由于返工片种类不同，有些部分常规清洗方案难以清洗干净，而如果加大HF浓度并保持5-6分钟清洗时间，因为高浓度的HF与硅片本身能逐渐反应，势必对硅片表面平整度有影响。从而影响后工序中丝印及成品的合格率。
发明内容
本发明的目的在于，针对现有技术的不足，提出了一种晶体硅太阳能电池片PECVD彩虹片返工方法，该方法解决了PECVD中出现的返工片问题，降低不合格率，提高成品率。
本发明采用的技术方案是：一种晶体硅太阳能电池PECVD彩虹片返工方法，其特征是，该方法包含以下步骤：
A.用HF清洗液清洗晶体硅太阳能电池片；
B.用高效清洗液针对性清洗晶体硅太阳能电池片上残存的彩虹状膜，所述高效清洗液由H2O∶HF∶HNO3按照60∶100∶1的体积比例配制；
C.用HCl清洗液晶体硅太阳能电池片。
所述HF清洗液由HF与纯水按照12∶100的体积比例配制。
所述HCl清洗液由HCl与去离子水按照1∶4的体积比例配制。
本发明的原理是利用二种化学试剂、分三步来去除放电异常的彩虹片以及后续的去金属离子清洗：
第一步，用HF液，去除电池片正常Si3N4膜，化学反应式为：
Si3N4+4HF+9H2O＝＝＝＝＝3H2SiO3(沉淀)+4NH4F
第二步：用高效清洗液对硅片上残留的彩虹状异物进行深度清洗，彻底去除干净。
第三步：表面清洗干净的硅片再经HCl液，去金属离子等杂质。
上述高效清洗液由H2O∶HF∶HNO3按照60∶100∶1的体积比例配制。H2O的体积比例为60，HF的体积比例为100，HNO3的体积比例为1。
经过以上返工方法处理后的电池片进行重新镀膜，印刷，烧结后，电池片的转换效率可以达到正常电池片的水平，而且外观也与正常电池片无异，达到了返工清洗的目的。电池片PECVD的不合格率由原来的1％降低到0.05％，从而提升了硅太阳能电池片的合格率和成品率。
具体实施方式
第一步，用HF液，去除电池片正常Si3N4膜；
第一步具体的工艺过程是：
A、将HF与纯水按照12∶100的体积比例，配成HF常规清洗液；
B、将PECVD返工片放入HF液中，清除正常Si3N4膜；
C、用去离子水漂洗干净。
第二步：用高效清洗液对硅片上残留的彩虹状异物进行深度清洗，彻底去除干净。
第二步具体的工艺过程是：
A、将H2O∶HF∶HNO3按照60∶100∶1的体积比例，配成高效清洗液。H2O的体积比例为60，HF的体积比例为100，HNO3的体积比例为1；
B、将通过第一步清洗后电池片，放入高效清洗液中。在硝酸的辅助下残留的痕迹能快速有效的清洗干净，再经去离子水去除表面的酸残留。
第三步：用HCl清洗液，去除电池片表面金属离子等杂质残留；
第三步具体的工艺过程是：
A、将HCl与去离子水按照1∶4的体积比例，配成HCl清洗液；
B、将完成高效清洗的电池片放入HCl清洗液中进行清洗，去除表面金属离子等杂质；
C、清洗后的电池片经去离子水冲洗；
D、电池片干燥处理。

Claims (3)

1.一种晶体硅太阳能电池PECVD彩虹片返工方法，其特征是，该方法包含以下步骤：
A.用HF清洗液清洗晶体硅太阳能电池片；
B.用高效清洗液针对性清洗晶体硅太阳能电池片上残存的彩虹状膜，所述高效清洗液由H2O∶HF∶HNO3按照60∶100∶1的体积比例配制；
C.用HCl清洗液晶体硅太阳能电池片。
2.根据权利要求1所述一种晶体硅太阳能电池PECVD彩虹片返工方法，其特征是，所述HF清洗液由HF与纯水按照12∶100的体积比例配制。
3.根据权利要求1所述一种晶体硅太阳能电池PECVD彩虹片返工方法，其特征是，所述HCl清洗液由HCl与去离子水按照1∶4的体积比例配制。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102544241A (zh) * 2012-03-19 2012-07-04 泰州德通电气有限公司 一种硅太阳能电池片还原成硅片的方法
CN102634800A (zh) * 2012-04-21 2012-08-15 湖南红太阳光电科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池较难清洗返工片的清洗方法
CN102921665A (zh) * 2012-09-27 2013-02-13 英利能源（中国）有限公司 硅片表面的氮化硅膜的清洗液及清除方法
CN103400890A (zh) * 2013-07-08 2013-11-20 浙江晶科能源有限公司 一种晶硅太阳电池pecvd色差片去膜重镀的返工工艺
CN103715304A (zh) * 2013-12-24 2014-04-09 天津英利新能源有限公司 一种基于湿法刻蚀机实现色差片处理的方法
CN104485388A (zh) * 2014-12-11 2015-04-01 东方日升新能源股份有限公司 一种晶硅太阳能电池pecvd镀膜后不良片的返工方法
CN104716206A (zh) * 2015-03-23 2015-06-17 中建材浚鑫科技股份有限公司 一种提高电池镀减反射膜后不良品返工转换效率的方法
CN104952969A (zh) * 2014-03-24 2015-09-30 吉林庆达新能源电力股份有限公司 多晶硅镀膜异常硅片表面的处理方法
CN105514222A (zh) * 2016-03-01 2016-04-20 尚德太阳能电力有限公司 太阳能电池酸腐返工方法及使用的链式设备
CN108470799A (zh) * 2018-05-17 2018-08-31 协鑫集成科技股份有限公司 背钝化晶体硅片的返工处理方法、太阳能电池及制备方法
CN108538966A (zh) * 2018-04-18 2018-09-14 晋能光伏技术有限责任公司 一种高效异质结电池cvd后制程不良返工工艺方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6068788A (en) * 1995-11-15 2000-05-30 Daikin Industries, Ltd. Wafer-cleaning solution and process for the production thereof
CN1810394A (zh) * 2005-12-19 2006-08-02 刘培东 应用集成电路废弃硅片生产太阳能电池用硅片的制造方法
CN101150148A (zh) * 2007-11-02 2008-03-26 宁波杉杉尤利卡太阳能科技发展有限公司 新型铝背发射结n型单晶硅太阳电池
CN101217169A (zh) * 2007-12-27 2008-07-09 江阴浚鑫科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池片印刷后次品返工方法
CN101784477A (zh) * 2007-08-22 2010-07-21 瓦克化学股份公司 纯化多晶硅的方法
CN101974785A (zh) * 2010-11-03 2011-02-16 天津市环欧半导体材料技术有限公司 一种硅多晶原料的清洗方法
CN102185015A (zh) * 2010-12-02 2011-09-14 江阴浚鑫科技有限公司 硅片的返工处理方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6068788A (en) * 1995-11-15 2000-05-30 Daikin Industries, Ltd. Wafer-cleaning solution and process for the production thereof
CN1810394A (zh) * 2005-12-19 2006-08-02 刘培东 应用集成电路废弃硅片生产太阳能电池用硅片的制造方法
CN101784477A (zh) * 2007-08-22 2010-07-21 瓦克化学股份公司 纯化多晶硅的方法
CN101150148A (zh) * 2007-11-02 2008-03-26 宁波杉杉尤利卡太阳能科技发展有限公司 新型铝背发射结n型单晶硅太阳电池
CN101217169A (zh) * 2007-12-27 2008-07-09 江阴浚鑫科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池片印刷后次品返工方法
CN101974785A (zh) * 2010-11-03 2011-02-16 天津市环欧半导体材料技术有限公司 一种硅多晶原料的清洗方法
CN102185015A (zh) * 2010-12-02 2011-09-14 江阴浚鑫科技有限公司 硅片的返工处理方法

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102544241A (zh) * 2012-03-19 2012-07-04 泰州德通电气有限公司 一种硅太阳能电池片还原成硅片的方法
CN102634800A (zh) * 2012-04-21 2012-08-15 湖南红太阳光电科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池较难清洗返工片的清洗方法
CN102921665A (zh) * 2012-09-27 2013-02-13 英利能源（中国）有限公司 硅片表面的氮化硅膜的清洗液及清除方法
CN103400890A (zh) * 2013-07-08 2013-11-20 浙江晶科能源有限公司 一种晶硅太阳电池pecvd色差片去膜重镀的返工工艺
CN103715304B (zh) * 2013-12-24 2016-09-07 天津英利新能源有限公司 一种基于湿法刻蚀机实现色差片处理的方法
CN103715304A (zh) * 2013-12-24 2014-04-09 天津英利新能源有限公司 一种基于湿法刻蚀机实现色差片处理的方法
CN104952969A (zh) * 2014-03-24 2015-09-30 吉林庆达新能源电力股份有限公司 多晶硅镀膜异常硅片表面的处理方法
CN104485388A (zh) * 2014-12-11 2015-04-01 东方日升新能源股份有限公司 一种晶硅太阳能电池pecvd镀膜后不良片的返工方法
CN104716206A (zh) * 2015-03-23 2015-06-17 中建材浚鑫科技股份有限公司 一种提高电池镀减反射膜后不良品返工转换效率的方法
CN104716206B (zh) * 2015-03-23 2017-06-16 中建材浚鑫科技股份有限公司 一种提高镀减反射膜后电池片返工品转换效率的方法
CN105514222A (zh) * 2016-03-01 2016-04-20 尚德太阳能电力有限公司 太阳能电池酸腐返工方法及使用的链式设备
CN105514222B (zh) * 2016-03-01 2017-05-10 尚德太阳能电力有限公司 太阳能电池酸腐返工方法及使用的链式设备
CN108538966A (zh) * 2018-04-18 2018-09-14 晋能光伏技术有限责任公司 一种高效异质结电池cvd后制程不良返工工艺方法
CN108538966B (zh) * 2018-04-18 2023-11-03 晋能光伏技术有限责任公司 一种高效异质结电池cvd后制程不良返工工艺方法
CN108470799A (zh) * 2018-05-17 2018-08-31 协鑫集成科技股份有限公司 背钝化晶体硅片的返工处理方法、太阳能电池及制备方法

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