CN110575995A - 一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺 - Google Patents

一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN110575995A
CN110575995A CN201910920073.5A CN201910920073A CN110575995A CN 110575995 A CN110575995 A CN 110575995A CN 201910920073 A CN201910920073 A CN 201910920073A CN 110575995 A CN110575995 A CN 110575995A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cleaning
monocrystalline silicon
solution
silicon wafer
ultrasonic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910920073.5A
Other languages
English (en)
Inventor
张大鹏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nantong Jingyao New Energy Co Ltd
Original Assignee
Nantong Jingyao New Energy Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nantong Jingyao New Energy Co Ltd filed Critical Nantong Jingyao New Energy Co Ltd
Priority to CN201910920073.5A priority Critical patent/CN110575995A/zh
Publication of CN110575995A publication Critical patent/CN110575995A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity, by vibration
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity, by vibration
    • B08B3/12Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity, by vibration by sonic or ultrasonic vibrations

Abstract

本发明公开了一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺,包括以下步骤:一)超声波清洗:将线割机切割下来的单晶硅片浸泡在装有自来水的超声清洗机内进行超声波清洗,清洗时间为10~15min,水温为30~35℃;二)放水:将步骤一)中清洗后的自来水排出,经过过滤净化处理后进行储存;三)碱性清洗:往步骤一)中超声清洗机内添加APM溶液,单晶硅片在APM溶液中清洗5~10min,清洗温度为45~55℃。本发明同样选用APM溶液和HPM溶液利用湿式化学法对单晶硅片进行清洗,但本发明一方面增加清洗液设计,使其在APM溶液之后使用,可以对单晶硅片的表面有机物进行清理,同时可以对APM溶液清理后残留的微粒再次进行清理,从而提高清洗效果。

Description

一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺
技术领域
本发明涉及单晶硅制备技术领域,具体为一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺。
背景技术
单晶硅太阳能电池转换效率最高,技术也最为成熟,在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位。其中,硅片表面的洁净度及表面态对高质量的光伏器件至关重要。硅片经过线切割加工,钢线的磨损、碳化硅的磨削以及切割液的残留,都不可避免的造成了硅片表面的脏污。硅片清洗的目的就在于清除晶片表面的颗粒、金属和有机物等脏污,如果硅片的清洗效果达不到要求,无论其他工序工艺条件多么优越,都无法最终制造出高品质的光伏电池器件。
目前的单晶硅片的清洗方法主要有湿式化学清洗、机械式清洗和干式化学清洗等清洗方法,其中湿式化学清洗是目前应用最广泛的清洗方法,需要根据硅片选择适合的试剂和洗液,APM试剂用于清洗微粒,HPM试剂用于清洗金属和有机物,但是目前的湿式清洗方法简单,只能对单晶硅片进行浅中度清洗,在采用APM清洗和HPM清洗过程中,利用浸泡清洗法或超声波清洗法对单晶硅片进行清洗,但是对于1um的微粒去除效果一般,并且对于大块污染和颗粒无法得到有效的清除,因此本发明人提出一种可以对单晶硅片进行深度清理的方法。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本发明提供了一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺,解决了上述背景技术中提出问题。
(二)技术方案
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺,包括以下步骤:
一)超声波清洗:将线割机切割下来的单晶硅片浸泡在装有自来水的超声清洗机内进行超声波清洗,清洗时间为10~15min,水温为30~35℃;
二)放水:将步骤一)中清洗后的自来水排出,经过过滤净化处理后进行储存;
三)碱性清洗:往步骤一)中超声清洗机内添加APM溶液,单晶硅片在APM溶液中清洗5~10min,清洗温度为45~55℃;
四)排液和冲洗:将步骤三)清洗后的废液排出,并将步骤2)储存的自来水加加入到超声清洗机内进行冲洗,冲洗完成后再加入纯水对其再次进行冲洗操作;
五)清洗液清洗:将清洗液加入步骤四)中的超声清洗机内,单晶硅片在清洗液中清洗20~30min,清洗温度为60~75℃;
六)等离子水一次冲洗:将步骤五)中清洗后的单晶硅片冲超声波清洗内取出并放入进清洗槽内,利用等离子水对清洗槽内的单晶硅片进行循环冲洗,冲洗时间为10~15min;
七)酸性清洗:往步骤六)中的单晶硅片取出放入进兆声波清洗机中,并加入HPM溶液进行清洗,清洗时间为8~15min,清洗温度为80~120℃;
八)等离子水二次冲洗:往步骤七)中加入等离子水对单晶硅片进行循环冲洗,冲洗时间为5~10min;
九)烘干:将步骤八)冲洗后的单晶硅片从兆声波清洗机中取出并烘干,可以得到清洗后的单晶硅片。
优选的,所述步骤三)中APM溶液包括如下质量百分比的各组分:
NH4OH溶液 0.05%~0.4%;
H2O2溶液 1.2%~3.0%;
纯水 96.6%~98.75%。
优选的,所述步骤五)中清洗液由包括如下质量百分比的各组分:
KOH溶液 0.6~1.2%;
异构醇聚氧乙烯醚 1.1%~2.1%;
丙酮 1.5%~2.4%;
纯水 94.3%~96.8%。
优选的,所述超声清洗机的超声波频率为40KHz,所述兆声波清洗机的高频为850KHz。
优选的,所述步骤七)中HPM溶液包括如下质量百分比的各组分:
HCL溶液 0.15%~0.3%;
H2O2溶液 1.8%~2.6%;
纯水 97.1%~98.05%。
(三)有益效果
与现有技术相比,本发明提供了一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺,具备以下有益效果:
1、该用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺,同样选用APM溶液和HPM溶液利用湿式化学法对单晶硅片进行清洗,但本发明一方面增加清洗液设计,使其在APM溶液之后使用,可以对单晶硅片的表面有机物进行清理,同时可以对APM溶液清理后残留的微粒再次进行清理,从而提高清洗效果,一方面通过HPM试剂与兆声波清洗机的配合,HPM试剂用于将金属离子转换成可溶性络合物,然后通过去离子水冲走,可以提高对单晶硅片的清洗效果,彻底清除单晶硅片的表面脏污,从而可以提高后续单晶硅片的制绒效果,提高了单晶硅片的质量。
2、该用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺,在清洗前通过自来水对单晶硅片进行预处理,主要将单晶硅片附着性低的大颗粒杂质进行清除,并且将废水进行处理后用于对碱性处理后的单晶硅片进行初次冲洗,具有节约了水源和提高了清理效果的作用。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步解说。
实施例1
本发明提供一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺,包括以下步骤:
一)超声波清洗:将线割机切割下来的单晶硅片浸泡在装有自来水的超声清洗机内进行超声波清洗,清洗时间为14min,水温为31℃;
二)放水:将步骤一)中清洗后的自来水排出,经过过滤净化处理后进行储存;
三)碱性清洗:往步骤一)中超声清洗机内添加APM溶液,单晶硅片在APM溶液中清洗8min,清洗温度为47℃;
四)排液和冲洗:将步骤三)清洗后的废液排出,并将步骤2)储存的自来水加加入到超声清洗机内进行冲洗,冲洗完成后再加入纯水对其再次进行冲洗操作;
五)清洗液清洗:将清洗液加入步骤四)中的超声清洗机内,单晶硅片在清洗液中清洗23min,清洗温度为68℃;
六)等离子水一次冲洗:将步骤五)中清洗后的单晶硅片冲超声波清洗内取出并放入进清洗槽内,利用等离子水对清洗槽内的单晶硅片进行循环冲洗,冲洗时间为12min;
七)酸性清洗:往步骤六)中的单晶硅片取出放入进兆声波清洗机中,并加入HPM溶液进行清洗,清洗时间为11min,清洗温度为95℃;
八)等离子水二次冲洗:往步骤七)中加入等离子水对单晶硅片进行循环冲洗,冲洗时间为10min;
九)烘干:将步骤八)冲洗后的单晶硅片从兆声波清洗机中取出并烘干,可以得到清洗后的单晶硅片。
具体的,步骤三)中APM溶液包括如下质量百分比的各组分:
NH4OH溶液 0.35%;
H2O2溶液 2.7%;
纯水 96.95%。
具体的,步骤五)中清洗液由包括如下质量百分比的各组分:
KOH溶液 1.2%;
异构醇聚氧乙烯醚 1.9%;
丙酮 2.1%;
纯水 94.8%。
具体的,超声清洗机的超声波频率为40KHz,兆声波清洗机的高频为850KHz。
具体的,步骤七)中HPM溶液包括如下质量百分比的各组分:
HCL溶液 0.25%;
H2O2溶液 2.2%;
纯水 97.55%。
实施例2
本发明提供一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺,包括以下步骤:
一)超声波清洗:将线割机切割下来的单晶硅片浸泡在装有自来水的超声清洗机内进行超声波清洗,清洗时间为14min,水温为35℃;
二)放水:将步骤一)中清洗后的自来水排出,经过过滤净化处理后进行储存;
三)碱性清洗:往步骤一)中超声清洗机内添加APM溶液,单晶硅片在APM溶液中清洗8min,清洗温度为53℃;
四)排液和冲洗:将步骤三)清洗后的废液排出,并将步骤2)储存的自来水加加入到超声清洗机内进行冲洗,冲洗完成后再加入纯水对其再次进行冲洗操作;
五)清洗液清洗:将清洗液加入步骤四)中的超声清洗机内,单晶硅片在清洗液中清洗28min,清洗温度为72℃;
六)等离子水一次冲洗:将步骤五)中清洗后的单晶硅片冲超声波清洗内取出并放入进清洗槽内,利用等离子水对清洗槽内的单晶硅片进行循环冲洗,冲洗时间为12min;
七)酸性清洗:往步骤六)中的单晶硅片取出放入进兆声波清洗机中,并加入HPM溶液进行清洗,清洗时间为11min,清洗温度为95℃;
八)等离子水二次冲洗:往步骤七)中加入等离子水对单晶硅片进行循环冲洗,冲洗时间为6min;
九)烘干:将步骤八)冲洗后的单晶硅片从兆声波清洗机中取出并烘干,可以得到清洗后的单晶硅片。
具体的,步骤三)中APM溶液包括如下质量百分比的各组分:
NH4OH溶液 0.25%;
H2O2溶液 1.7%;
纯水 98.05%。
具体的,步骤五)中清洗液由包括如下质量百分比的各组分:
KOH溶液 1.1%;
异构醇聚氧乙烯醚 1.9%;
丙酮 2.2%;
纯水 94.8%。
具体的,超声清洗机的超声波频率为40KHz,兆声波清洗机的高频为850KHz。
具体的,步骤七)中HPM溶液包括如下质量百分比的各组分:
HCL溶液 0.21%;
H2O2溶液 2.1%;
纯水 97.69%。
实施例3
本发明提供一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺,包括以下步骤:
一)超声波清洗:将线割机切割下来的单晶硅片浸泡在装有自来水的超声清洗机内进行超声波清洗,清洗时间为15min,水温为32℃;
二)放水:将步骤一)中清洗后的自来水排出,经过过滤净化处理后进行储存;
三)碱性清洗:往步骤一)中超声清洗机内添加APM溶液,单晶硅片在APM溶液中清洗8min,清洗温度为50℃;
四)排液和冲洗:将步骤三)清洗后的废液排出,并将步骤2)储存的自来水加加入到超声清洗机内进行冲洗,冲洗完成后再加入纯水对其再次进行冲洗操作;
五)清洗液清洗:将清洗液加入步骤四)中的超声清洗机内,单晶硅片在清洗液中清洗23min,清洗温度为64℃;
六)等离子水一次冲洗:将步骤五)中清洗后的单晶硅片冲超声波清洗内取出并放入进清洗槽内,利用等离子水对清洗槽内的单晶硅片进行循环冲洗,冲洗时间为12min;
七)酸性清洗:往步骤六)中的单晶硅片取出放入进兆声波清洗机中,并加入HPM溶液进行清洗,清洗时间为10min,清洗温度为95℃;
八)等离子水二次冲洗:往步骤七)中加入等离子水对单晶硅片进行循环冲洗,冲洗时间为7min;
九)烘干:将步骤八)冲洗后的单晶硅片从兆声波清洗机中取出并烘干,可以得到清洗后的单晶硅片。
具体的,步骤三)中APM溶液包括如下质量百分比的各组分:
NH4OH溶液 0.23%;
H2O2溶液 1.8%;
纯水 97.97%。
具体的,步骤五)中清洗液由包括如下质量百分比的各组分:
KOH溶液 0.7%;
异构醇聚氧乙烯醚 1.3%;
丙酮 1.9%;
纯水 96.1%。
具体的,超声清洗机的超声波频率为40KHz,兆声波清洗机的高频为850KHz。
具体的,步骤七)中HPM溶液包括如下质量百分比的各组分:
HCL溶液 0.19%;
H2O2溶液 2.1%;
纯水 97.71%。
实验例4
本发明提供一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺,包括以下步骤:
一)超声波清洗:将线割机切割下来的单晶硅片浸泡在装有自来水的超声清洗机内进行超声波清洗,清洗时间为11min,水温为33℃;
二)放水:将步骤一)中清洗后的自来水排出,经过过滤净化处理后进行储存;
三)碱性清洗:往步骤一)中超声清洗机内添加APM溶液,单晶硅片在APM溶液中清洗6min,清洗温度为48℃;
四)排液和冲洗:将步骤三)清洗后的废液排出,并将步骤2)储存的自来水加加入到超声清洗机内进行冲洗,冲洗完成后再加入纯水对其再次进行冲洗操作;
五)清洗液清洗:将清洗液加入步骤四)中的超声清洗机内,单晶硅片在清洗液中清洗22min,清洗温度为63℃;
六)等离子水一次冲洗:将步骤五)中清洗后的单晶硅片冲超声波清洗内取出并放入进清洗槽内,利用等离子水对清洗槽内的单晶硅片进行循环冲洗,冲洗时间为12min;
七)酸性清洗:往步骤六)中的单晶硅片取出放入进兆声波清洗机中,并加入HPM溶液进行清洗,清洗时间为12min,清洗温度为105℃;
八)等离子水二次冲洗:往步骤七)中加入等离子水对单晶硅片进行循环冲洗,冲洗时间为7min;
九)烘干:将步骤八)冲洗后的单晶硅片从兆声波清洗机中取出并烘干,可以得到清洗后的单晶硅片。
具体的,步骤三)中APM溶液包括如下质量百分比的各组分:
NH4OH溶液 0.22%;
H2O2溶液 2.4%;
纯水 97.38%。
具体的,步骤五)中清洗液由包括如下质量百分比的各组分:
KOH溶液 0.8%;
异构醇聚氧乙烯醚 1.6%;
丙酮 1.7%;
纯水 95.9%。
具体的,超声清洗机的超声波频率为40KHz,兆声波清洗机的高频为850KHz。
具体的,步骤七)中HPM溶液包括如下质量百分比的各组分:
HCL溶液 0.26%;
H2O2溶液 2.3%;
纯水 97.44%。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非是对本发明作任何其他形式的限制,而依据本发明的技术实质所作的任何修改或等同变化,仍属于本发明所要求保护的范围。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (5)

1.一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺,其特征在于,包括以下步骤:
超声波清洗:将线割机切割下来的单晶硅片浸泡在装有自来水的超声清洗机内进行超声波清洗,清洗时间为10~15min,水温为30~35℃;
放水:将步骤一)中清洗后的自来水排出,经过过滤净化处理后进行储存;
碱性清洗:往步骤一)中超声清洗机内添加APM溶液,单晶硅片在APM溶液中清洗5~10min,清洗温度为45~55℃;
排液和冲洗:将步骤三)清洗后的废液排出,并将步骤2)储存的自来水加加入到超声清洗机内进行冲洗,冲洗完成后再加入纯水对其再次进行冲洗操作;
清洗液清洗:将清洗液加入步骤四)中的超声清洗机内,单晶硅片在清洗液中清洗20~30min,清洗温度为60~75℃;
等离子水一次冲洗:将步骤五)中清洗后的单晶硅片冲超声波清洗内取出并放入进清洗槽内,利用等离子水对清洗槽内的单晶硅片进行循环冲洗,冲洗时间为10~15min;
酸性清洗:往步骤六)中的单晶硅片取出放入进兆声波清洗机中,并加入HPM溶液进行清洗,清洗时间为8~15min,清洗温度为80~120℃;
等离子水二次冲洗:往步骤七)中加入等离子水对单晶硅片进行循环冲洗,冲洗时间为5~10min;
烘干:将步骤八)冲洗后的单晶硅片从兆声波清洗机中取出并烘干,可以得到清洗后的单晶硅片。
2.根据权利要求1所述的一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺,其特征在于,所述步骤三)中APM溶液包括如下质量百分比的各组分:
NH4OH溶液 0.05%~0.4%;
H2O2溶液 1.2%~3.0%;
纯水 96.6%~98.75%。
3.根据权利要求1所述的一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺,其特征在于,所述步骤五)中清洗液由包括如下质量百分比的各组分:
KOH溶液 0.6~1.2%;
异构醇聚氧乙烯醚 1.1%~2.1%;
丙酮 1.5%~2.4%;
纯水 94.3%~96.8%。
4.根据权利要求1所述的一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺,其特征在于,所述超声清洗机的超声波频率为40KHz,所述兆声波清洗机的高频为850KHz。
5.根据权利要求1所述的一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺,其特征在于,所述步骤七)中HPM溶液包括如下质量百分比的各组分:
HCL溶液 0.15%~0.3%;
H2O2溶液 1.8%~2.6%;
纯水 97.1%~98.05%。
CN201910920073.5A 2019-09-26 2019-09-26 一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺 Pending CN110575995A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910920073.5A CN110575995A (zh) 2019-09-26 2019-09-26 一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910920073.5A CN110575995A (zh) 2019-09-26 2019-09-26 一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110575995A true CN110575995A (zh) 2019-12-17

Family

ID=68813652

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910920073.5A Pending CN110575995A (zh) 2019-09-26 2019-09-26 一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110575995A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111085497A (zh) * 2019-12-18 2020-05-01 武汉百臻半导体科技有限公司 一种多晶硅片清洗系统及其清洗方法
CN111440675A (zh) * 2020-03-12 2020-07-24 济南德锡科技有限公司 一种新型环保硅晶片清洗试剂及其制备方法及其应用

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111085497A (zh) * 2019-12-18 2020-05-01 武汉百臻半导体科技有限公司 一种多晶硅片清洗系统及其清洗方法
CN111440675A (zh) * 2020-03-12 2020-07-24 济南德锡科技有限公司 一种新型环保硅晶片清洗试剂及其制备方法及其应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110575995A (zh) 一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺
CN101700520B (zh) 单晶/多晶硅片的清洗方法
CN102832101B (zh) 晶体硅清洗方法
CN103464415B (zh) 太阳能单晶硅片清洗液及清洗方法
CN103087850B (zh) 一种单晶硅片预清洗液及其清洗方法
CN102306687B (zh) 一种晶体硅太阳能电池pecvd彩虹片返工方法
CN101531366A (zh) 多晶硅硅料的清洗方法
CN103111434A (zh) 一种蓝宝石加工最终清洗工艺
CN100428405C (zh) 半导体管芯总成去杂质离子的清洗方法
CN109004062A (zh) 利用臭氧实现碱性体系对硅片刻蚀抛光的方法及设备
CN102403251A (zh) 一种晶体硅片预清洗液及其预清洗工艺
CN101367622B (zh) 一种改良的玻璃深化加工方法
CN105887206A (zh) 单晶硅线切割碎片清洗处理方法
CN111508824A (zh) 一种制绒清洗方法及异质结电池
CN102698989A (zh) 硅片预清洗方法
CN103878148A (zh) 一种对晶圆表面硅晶渣进行清洗的方法
CN104393094B (zh) 一种用于hit电池的n型硅片清洗制绒方法
CN105154268A (zh) 一种可减少硅片表面损伤层厚度的清洗液及清洗方法
CN102486994B (zh) 一种硅片清洗工艺
CN102698983A (zh) 一种太阳能级硅片的清洗方法
JP2008166804A (ja) 太陽電池用基板の洗浄方法
CN104190652A (zh) 一种中大尺寸蓝宝石晶圆图案化制程蚀刻后清洗装置及方法
CN109585272B (zh) 一种提高光电效率的硅片清洗方法
CN102151668A (zh) 一种清洗废弃硅材料小方片的方法
CN101875048A (zh) 一种去除硅片表面杂质的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication