CN102544241A - 一种硅太阳能电池片还原成硅片的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种可将异常的硅太阳能电池片方便处理成满足再生产成太阳能电池片的硅片的方法，它包括以下步骤：1、将硅太阳能电池片置于混合酸溶液中进行化学清洗，除掉背电场中的铝和氮化硅膜至反应完全；2、取出并用水洗净；3、再将其置于酸溶液中洗掉电池片的银电极至反应完全；4、再取出并用水洗净；5、最后将其置于HF和HNO3的混合酸中，在6-20℃条件下进行化学清洗，以清洗去除背场残留的玻璃和氧化物的混合物、树脂及合金层，并去除扩散过程中形成的PN结；6、取出并用水洗净，获得所需硅片。本发明可以很好地洗净背场的残留物，同时保证一定的腐蚀厚度，腐蚀厚度可控制在12-20um，完全符合生产成太阳能电池片的需要，并能够实现批量还原。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种硅太阳能电池片还原成硅片的方法。
背景技术
太阳能电池行业中对于未进行金属化的不良半成品电池片都有对应的返工处理流程，经过返工处理后的硅片可以重新进行制程，最终可以再次做成合格的电池片，但对于那些由于过程中出现异常，在测试最终光电转换效率之前都未发现异常的金属化后的成品电池片，业内还没有一种好的还原方法。
对于氮化硅膜，业界普遍使用HF浸泡来清除，正面银电极都是使用较高浓度的硝酸来浸泡清除，铝/氧化铝层可以用盐酸或稀硫酸反应去除，合金层可以用用氢氟酸和硝酸的混合酸溶解。
但是由于基于对太阳能性能和工艺的需求，背场铝浆的生产过程中添加了一些有机溶剂，以及充当粘结剂的玻璃和氧化物，另外还有一些非挥发性的树脂载体，这些添加物仅仅靠盐酸或稀硫酸是无法去除的，且目前太阳能电池的面积越来越大，单片印刷的铝浆用量也较大，对从硅片上彻底清除这些杂质造成了较大的困难。
另一方面，从成本方面考虑，硅太阳电池片的厚度呈降低趋势，目前主流厚度为180-200微米，为了保证后续能够继续进行制程，还原后的电池片还必须保证有一定的厚度。
有关的现有技术，包括中国专利申请200610053795公开的“太阳能电池薄碎片或IC碎片回收的方法”，用于从太阳能电池薄碎片回收一些昂贵金属的方法，用这些方法可回收一些昂贵金属。
最接近的现有技术为中国专利申请CN1851016公开的“硅废弃片表面金属的去除和贵金属银铂金的回收方法”， 该方法着眼于“有效去除了废弃硅片表面的金属杂质和金属硅化物，处理后的硅片可作为太阳能硅单晶的原料，也可进一步加工成太阳能电池硅片，同时又回收了贵金属”，但该方法有以下不足：1、无法去除背场上浆料中残留的树脂，2、无法保证有一定的腐蚀厚度，以保证还原后的硅片后续能够继续较为方便地进行制成电池片。总之，以上方法均不能适用于目前光伏行业中硅太阳电池片处理成可方便再生产成电池片的要求。
目前还缺少一种这样的技术，可以很好地洗净背场的残留物，同时保证一定的腐蚀厚度，能够实现批量还原。
发明内容
本发明目的是提供一种可将异常的硅太阳能电池片方便处理成满足再生产成太阳能电池片的硅片的要求的太阳能电池片还原成硅片的方法。
本发明的技术解决方案如下：
一种硅太阳能电池片还原成硅片的方法，其特征是，包括以下步骤：
1、将硅太阳能电池片置于混合酸溶液中进行化学清洗，除掉背电场中的铝和氮化硅膜至反应完全；
2、取出并用水洗净；
3、再将其置于酸溶液中洗掉电池片的银电极至反应完全；
4、再取出并用水洗净；
5、最后将其置于体积百分含量为30%-70%的HF和HNO3的混合酸中，在6-20℃条件下进行化学清洗，以清洗去除背场残留的玻璃和氧化物的混合物、树脂及合金层，并去除扩散过程中形成的PN结；
6、待反应完全后取出并用水洗净，获得所需硅片。
作为优选，上述步骤1中，所述混合酸溶液为HF和HCL的混合酸溶液，其中，HCL和HF的体积比为1:0.5-4，HF和HCL的体积之和占整个混合酸溶液体积10%-30%。
作为优选，上述步骤3中，所述酸溶液为HNO3的水溶液，其中，HNO3占酸溶液的体积百分含量为30%-60%。
作为优选，上述步骤5中，所述所述混合酸中HF和HNO3的体积比为1:3-8。
当然，上述步骤1、3中，可采用包括现有技术在内的能够除掉背电场中的铝和氮化硅膜及银电极的所有酸溶液。
作为优选，上述步骤1、3中，均在20-40℃条件下进行化学清洗，直至反应完全。
上述温度有利于控制腐蚀厚度保证在所需的范围内。
本发明经过上述清洗步骤后，可以很好地洗净背场的残留物，同时保证一定的腐蚀厚度，电池片表面不再存在工艺过程杂质，腐蚀厚度可控制在12-20um，还原后硅片厚度在165um-185um，完全符合生产成太阳能电池片的需要，并能够实现批量还原。
经过以上还原工艺处理后得到的硅片，在经过正常的工艺流程后，最终所得电池片的转换效率为16.2%-16.8%。
以下将通过实验测试，步骤5中使用体积比1：4.5的HF和HNO3，在不同的温度和反应时间下，得到的平均腐蚀厚度。
实验数据如下表。
| 温度（℃） | 时间（min） | 平均腐蚀厚度（um） |
| 6 | 25 | 12 |
| 8 | 20 | 14 |
| 10 | 15 | 14 |
| 12 | 15 | 16 |
| 14 | 15 | 20 |
具体实施方式
下面结合具体实施案例对本发明做进一步的说明，以下试剂如无特别说明均为市售。
实施例1，将以下硅太阳能电池片还原成硅片：电池片为156*156多晶电池片，采用磷扩散，氮化硅镀膜钝化，正面所用银浆为杜邦PV17A（10片），9411（10片），背电极所用浆料均为ESL,背场所用浆料均为儒兴8252X，由于过程反片，导致转换效率极低。步骤如下：
1、将硅太阳能电池片置于混合酸溶液中进行化学清洗，所述混合酸溶液为HF和HCL的混合酸溶液，其中，HCL和HF的体积比为1:0.5，HF和HCL的体积之和占整个混合酸溶液体积10%，在20℃条件下进行化学清洗，除掉背电场中的铝和氮化硅膜至反应完全；
2、取出并用水洗净；
3、再将其置于酸溶液中洗掉电池片的银电极所述酸溶液为HNO3的水溶液，其中，HNO3占酸溶液的体积百分含量为30%；在20℃条件下进行化学清洗，至反应完全，
4、再取出并用水洗净；
5、最后将其置于体积百分含量为30%的HF和HNO3的混合酸中，HF和HNO3的体积比为1:3，在6℃条件下进行化学清洗，以清洗去除背场残留的玻璃和氧化物的混合物、树脂及合金层，并去除扩散过程中形成的PN结；
6、待反应完全后取出并用水洗净，获得所需硅片。其平均总腐蚀厚度在12um。
实施例2，将以下硅太阳能电池片还原成硅片：电池片为156*156多晶电池片，采用磷扩散，氮化硅镀膜钝化，正面所用银浆为杜邦PV17A（10片），9411（10片），背电极所用浆料均为ESL,背场所用浆料均为儒兴8252X，由于过程反片，导致转换效率极低。步骤如下：
1、将硅太阳能电池片置于混合酸溶液中进行化学清洗，所述混合酸溶液为HF和HCL的混合酸溶液，其中，HCL和HF的体积比为1: 4，HF和HCL的体积之和占整个混合酸溶液体积30%，在40℃条件下进行化学清洗，除掉背电场中的铝和氮化硅膜至反应完全；
2、取出并用水洗净；
3、再将其置于酸溶液中洗掉电池片的银电极所述酸溶液为HNO3的水溶液，其中，HNO3占酸溶液的体积百分含量为60%；在40℃条件下进行化学清洗，至反应完全，
4、再取出并用水洗净；
5、最后将其置于体积百分含量为70%的HF和HNO3的混合酸中，HF和HNO3的体积比为1: 8，在20℃条件下进行化学清洗，以清洗去除背场残留的玻璃和氧化物的混合物、树脂及合金层，并去除扩散过程中形成的PN结；
6、待反应完全后取出并用水洗净，获得所需硅片。其平均总腐蚀厚度在20um。
实施例3，将以下硅太阳能电池片还原成硅片：电池片为156*156多晶电池片，采用磷扩散，氮化硅镀膜钝化，正面所用银浆为杜邦PV17A（10片），9411（10片），背电极所用浆料均为ESL,背场所用浆料均为儒兴8252X，由于过程反片，导致转换效率极低。步骤如下：
1、将硅太阳能电池片置于混合酸溶液中进行化学清洗，所述混合酸溶液为HF和HCL的混合酸溶液，其中，HCL和HF的体积比为1:2，HF和HCL的体积之和占整个混合酸溶液体积20%，在25℃条件下进行化学清洗，除掉背电场中的铝和氮化硅膜至反应完全；
2、取出并用水洗净；
3、再将其置于酸溶液中洗掉电池片的银电极所述酸溶液为HNO3的水溶液，其中，HNO3占酸溶液的体积百分含量为40%；在25℃条件下进行化学清洗，至反应完全，
4、再取出并用水洗净；
5、最后将其置于体积百分含量为60%的HF和HNO3的混合酸中，HF和HNO3的体积比为1:5，在10℃条件下进行化学清洗，以清洗去除背场残留的玻璃和氧化物的混合物、树脂及合金层，并去除扩散过程中形成的PN结；
6、待反应完全后取出并用水洗净，获得所需硅片。其平均总腐蚀厚度在17um。
实施例4，将以下硅太阳能电池片还原成硅片：电池片为156*156多晶电池片，采用磷扩散，氮化硅镀膜钝化，正面所用银浆为杜邦PV17A（10片），9411（10片），背电极所用浆料均为ESL,背场所用浆料均为儒兴8252X，由于过程反片，导致转换效率极低。步骤如下：
1、将硅太阳能电池片置于混合酸溶液中进行化学清洗，所述混合酸溶液为HF和HCL的混合酸溶液，其中，HCL和HF的体积比为1: 4，HF和HCL的体积之和占整个混合酸溶液体积30%，在40℃条件下进行化学清洗，除掉背电场中的铝和氮化硅膜至反应完全；
2、取出并用水洗净；
3、再将其置于酸溶液中洗掉电池片的银电极所述酸溶液为HNO3的水溶液，其中，HNO3占酸溶液的体积百分含量为50%；在30℃条件下进行化学清洗，至反应完全，
4、再取出并用水洗净；
5、最后将其置于体积百分含量为70%的HF和HNO3的混合酸中，HF和HNO3的体积比为1:5，在20℃条件下进行化学清洗，以清洗去除背场残留的玻璃和氧化物的混合物、树脂及合金层，并去除扩散过程中形成的PN结；
6、待反应完全后取出并用水洗净，获得所需硅片。其平均总腐蚀厚度在19um。
实施例5，将以下硅太阳能电池片还原成硅片：电池片为156*156多晶电池片，采用磷扩散，氮化硅镀膜钝化，正面所用银浆为杜邦PV17A（10片），9411（10片），背电极所用浆料均为ESL,背场所用浆料均为儒兴8252X，由于过程反片，导致转换效率极低。步骤如下：
1、将硅太阳能电池片置于混合酸溶液中进行化学清洗，所述混合酸溶液为HF和HCL的混合酸溶液，其中，HCL和HF的体积比为1: 4，HF和HCL的体积之和占整个混合酸溶液体积10%%，在30℃条件下进行化学清洗，除掉背电场中的铝和氮化硅膜至反应完全；
2、取出并用水洗净；
3、再将其置于酸溶液中洗掉电池片的银电极所述酸溶液为HNO3的水溶液，其中，HNO3占酸溶液的体积百分含量为20%；在30℃条件下进行化学清洗，至反应完全，
4、再取出并用水洗净；
5、最后将其置于体积百分含量为30%的HF和HNO3的混合酸中，HF和HNO3的体积比为1:3，在20℃条件下进行化学清洗，以清洗去除背场残留的玻璃和氧化物的混合物、树脂及合金层，并去除扩散过程中形成的PN结；
6、待反应完全后取出并用水洗净，获得所需硅片。其平均总腐蚀厚度在16um。
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围。
Claims (5)
1.一种硅太阳能电池片还原成硅片的方法，其特征是，包括以下步骤：
(1)、将硅太阳能电池片置于混合酸溶液中进行化学清洗，除掉背电场中的铝和氮化硅膜至反应完全；
(2)、取出并用水洗净；
(3)、再将其置于酸溶液中洗掉电池片的银电极至反应完全；
(4)、再取出并用水洗净；
(5)、最后将其置于体积百分含量为30%-70%的HF和HNO3的混合酸中，在6-20℃条件下进行化学清洗，以清洗去除背场残留的玻璃和氧化物的混合物、树脂及合金层，并去除扩散过程中形成的PN结；
(6)、待反应完全后取出并用水洗净，获得所需硅片。
2.根据权利要求1所述的硅太阳能电池片还原成硅片的方法，其特征是，上述步骤1中，所述混合酸溶液为HF和HCL的混合酸溶液，其中，HCL和HF的体积比为1:0.5-4，HF和HCL的体积之和占整个混合酸溶液体积10%-30%。
3.根据权利要求1所述的硅太阳能电池片还原成硅片的方法，其特征是，上述步骤3中，所述酸溶液为HNO3的水溶液，其中，HNO3占酸溶液的体积百分含量为30%-60%。
4.根据权利要求1所述的硅太阳能电池片还原成硅片的方法，其特征是，上述步骤5中，所述所述混合酸中HF和HNO3的体积比为1:3-8。
5.根据权利要求1-4任一所述的硅太阳能电池片还原成硅片的方法，其特征是，上述步骤1、3中，均在20-40℃条件下进行化学清洗，直至反应完全。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
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| CN102544241A true CN102544241A (zh) | 2012-07-04 |
Family
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Family Applications (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN102544241A (zh) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103606595A (zh) * | 2013-11-21 | 2014-02-26 | 英利集团有限公司 | 烧结后不合格单晶硅电池片的再利用及其栅线回收方法 |
| CN104009122A (zh) * | 2014-05-26 | 2014-08-27 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | 一种丝网印刷返工硅片的处理方法 |
| CN104201244A (zh) * | 2014-09-11 | 2014-12-10 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池片丝网印刷后次品返工方法 |
| CN105047765A (zh) * | 2015-09-01 | 2015-11-11 | 无锡尚德太阳能电力有限公司 | 用于钝化发射极背面接触晶硅太阳电池的返工工艺 |
| CN108470799A (zh) * | 2018-05-17 | 2018-08-31 | 协鑫集成科技股份有限公司 | 背钝化晶体硅片的返工处理方法、太阳能电池及制备方法 |
| CN110128157A (zh) * | 2019-03-11 | 2019-08-16 | 中国航发北京航空材料研究院 | 一种去除SiCf/SiC复合材料残余硅的方法 |
| CN110911271A (zh) * | 2019-12-11 | 2020-03-24 | 西安黄河光伏科技股份有限公司 | 一种单晶硅电池片返工工艺 |
| CN111900232A (zh) * | 2020-08-03 | 2020-11-06 | 中威新能源(成都)有限公司 | 一种shj电池生产中不良返工方法 |
| CN115172533A (zh) * | 2022-08-12 | 2022-10-11 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 太阳电池的处理方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6156968A (en) * | 1997-04-23 | 2000-12-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Solar cell, a method of producing the same and a semiconductor producing apparatus |
| CN101217169A (zh) * | 2007-12-27 | 2008-07-09 | 江阴浚鑫科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池片印刷后次品返工方法 |
| CN201349007Y (zh) * | 2008-09-28 | 2009-11-18 | 宁波百事德太阳能科技有限公司 | 一种利用低效片重处理的太阳能电池片 |
| CN102290491A (zh) * | 2011-08-31 | 2011-12-21 | 无锡赛晶太阳能有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池片扩散层的刻蚀方法 |
| CN102306687A (zh) * | 2011-09-28 | 2012-01-04 | 湖南红太阳新能源科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池pecvd彩虹片返工方法 |
| CN102343352A (zh) * | 2010-07-26 | 2012-02-08 | 比亚迪股份有限公司 | 一种太阳能硅片的回收方法 |
-
2012
- 2012-03-19 CN CN2012100718446A patent/CN102544241A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6156968A (en) * | 1997-04-23 | 2000-12-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Solar cell, a method of producing the same and a semiconductor producing apparatus |
| CN101217169A (zh) * | 2007-12-27 | 2008-07-09 | 江阴浚鑫科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池片印刷后次品返工方法 |
| CN201349007Y (zh) * | 2008-09-28 | 2009-11-18 | 宁波百事德太阳能科技有限公司 | 一种利用低效片重处理的太阳能电池片 |
| CN102343352A (zh) * | 2010-07-26 | 2012-02-08 | 比亚迪股份有限公司 | 一种太阳能硅片的回收方法 |
| CN102290491A (zh) * | 2011-08-31 | 2011-12-21 | 无锡赛晶太阳能有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池片扩散层的刻蚀方法 |
| CN102306687A (zh) * | 2011-09-28 | 2012-01-04 | 湖南红太阳新能源科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池pecvd彩虹片返工方法 |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103606595A (zh) * | 2013-11-21 | 2014-02-26 | 英利集团有限公司 | 烧结后不合格单晶硅电池片的再利用及其栅线回收方法 |
| CN103606595B (zh) * | 2013-11-21 | 2016-04-06 | 英利集团有限公司 | 烧结后不合格单晶硅电池片的再利用及其栅线回收方法 |
| CN104009122A (zh) * | 2014-05-26 | 2014-08-27 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | 一种丝网印刷返工硅片的处理方法 |
| CN104009122B (zh) * | 2014-05-26 | 2016-05-18 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | 一种丝网印刷返工硅片的处理方法 |
| CN104201244B (zh) * | 2014-09-11 | 2016-08-24 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池片丝网印刷后次品返工方法 |
| CN104201244A (zh) * | 2014-09-11 | 2014-12-10 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池片丝网印刷后次品返工方法 |
| CN105047765A (zh) * | 2015-09-01 | 2015-11-11 | 无锡尚德太阳能电力有限公司 | 用于钝化发射极背面接触晶硅太阳电池的返工工艺 |
| CN108470799A (zh) * | 2018-05-17 | 2018-08-31 | 协鑫集成科技股份有限公司 | 背钝化晶体硅片的返工处理方法、太阳能电池及制备方法 |
| CN110128157A (zh) * | 2019-03-11 | 2019-08-16 | 中国航发北京航空材料研究院 | 一种去除SiCf/SiC复合材料残余硅的方法 |
| CN110911271A (zh) * | 2019-12-11 | 2020-03-24 | 西安黄河光伏科技股份有限公司 | 一种单晶硅电池片返工工艺 |
| CN111900232A (zh) * | 2020-08-03 | 2020-11-06 | 中威新能源(成都)有限公司 | 一种shj电池生产中不良返工方法 |
| CN111900232B (zh) * | 2020-08-03 | 2022-06-17 | 中威新能源(成都)有限公司 | 一种shj电池生产中不良返工方法 |
| CN115172533A (zh) * | 2022-08-12 | 2022-10-11 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 太阳电池的处理方法 |
| CN115172533B (zh) * | 2022-08-12 | 2024-05-14 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 太阳电池的处理方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20120704 |