CN110128157A - 一种去除SiCf/SiC复合材料残余硅的方法 - Google Patents

一种去除SiCf/SiC复合材料残余硅的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110128157A
CN110128157A CN201910180150.8A CN201910180150A CN110128157A CN 110128157 A CN110128157 A CN 110128157A CN 201910180150 A CN201910180150 A CN 201910180150A CN 110128157 A CN110128157 A CN 110128157A
Authority
CN
China
Prior art keywords
composite material
sic
silicon
ceramic matrix
matrix composite
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910180150.8A
Other languages
English (en)
Inventor
齐哲
刘虎
房昺
焦健
吕晓旭
杨金华
周怡然
姜卓钰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AECC Beijing Institute of Aeronautical Materials
Original Assignee
AECC Beijing Institute of Aeronautical Materials
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AECC Beijing Institute of Aeronautical Materials filed Critical AECC Beijing Institute of Aeronautical Materials
Priority to CN201910180150.8A priority Critical patent/CN110128157A/zh
Publication of CN110128157A publication Critical patent/CN110128157A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C04B35/806—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/53—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone involving the removal of at least part of the materials of the treated article, e.g. etching, drying of hardened concrete
    • C04B41/5315—Cleaning compositions, e.g. for removing hardened cement from ceramic tiles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/91—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics involving the removal of part of the materials of the treated articles, e.g. etching

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

本发明涉及一种去除SiCf/SiC复合材料残余硅的方法，包括以下步骤：(1)将通过熔渗工艺制备的具有一定残余硅含量的SiCf/SiC复合材料在室温下浸没于氢氟酸与一种氧化性强酸的混合溶液中；(2)将经酸溶液浸渍后的复合材料超声处理，然后真空干燥处理；(3)将干燥处理后的复合材料真空浸渍于液态聚碳硅烷中，然后在1000～1500℃下高温热处理；(4)通过化学气相沉积工艺在高温热处理后的复合材料表面制备一层厚度为10～200μm的碳化硅封闭层。该方法可将熔渗工艺制备的SiCf/SiC复合材料中的残余硅质量分数降低至0.05％以内，提高了复合材料在高温环境下的抗蠕变性，同时提升了复合材料的使用温度和抗氧化性，具有良好的应用价值。

Description

一种去除SiCf/SiC复合材料残余硅的方法
技术领域
本发明涉及一种去除SiCf/SiC复合材料残余硅的方法，属于复合材料领域。
背景技术
SiCf/SiC复合材料是以连续SiC纤维为增强相、以SiC陶瓷为基体构成的材料，具有耐高温、低密度、抗氧化、对裂纹不敏感、不易发生灾难性破碎等优点，从而在航空航天等领域具有广泛应用。该材料的制备工艺主要有化学气相渗透法、聚合物浸渍-裂解法、纳米浸渍与瞬态共晶法、熔渗法等。其中熔渗法具有制造周期短、成本低以及可实现近净成型等优势，因而得到广泛研究和应用。
但熔渗法制备的SiCf/SiC复合材料不可避免地在基体中残余一定量的硅，影响了复合材料抗蠕变性能；此外，硅的熔点约为1410℃，当使用温度超过1400℃时，由于硅的熔化而使复合材料丧失机械性能，硅进一步气化逸出后还会导致复合材料基体出现孔隙等缺陷，成为氧、水等环境因素进入复合材料内部的通道，从而加速材料的失效，限制了该类材料在高温领域的应用。
为了降低复合材料基体中残余硅的含量，研究人员通常采用其他金属单质或化合物与Si反应生成相应的硅化物。如专利CN 107540411A中利用Ti粉对残余硅进行处理，通过生成TiSi2来降低残余硅的含量；还有采用Si-Mo、Si-Zr等合金代替纯Si作为浸渗剂，使游离硅转化成为相应的硅化物；殷晓伟等采用料浆渗透法将TiC粉末引入C/C多孔体中，通过熔渗反应将残余Si转化为Ti3SiC2相(Xiaowei Yin et al.Fabrication andcharacterization of a carbon fibre reinforced carbon-silicon carbide-titaniumsilicon carbide hybrid matrix composite[J].Materials Science and Engineering:A,2010,527(3):835-841)。虽然通过生成新的物相解决了残余硅的问题，但是新生成的硅化物与SiC基体的热膨胀系数存在一定差异，在升温-降温的反复循环中，因热不匹配容易导致复合材料出现裂纹等缺陷。此外，专利CN 106995314A以短碳纤维作为一种缓释碳源，并通过添加碳化硼粉末促进素坯充分渗硅，制得了一种低残余硅尺寸和含量的反应烧结碳化硅陶瓷，但经测试分析，残硅体积分数仍约有8％。
虽然有上述关于碳化硅陶瓷及其复合材料降低残余硅的方法的专利及论文，但到目前为止，还没有通过酸蚀处理-浸渍/裂解聚碳硅烷-表面沉积碳化硅的工艺来降低SiCf/SiC复合材料残余硅的报道。
发明内容
技术问题：本发明即是针对现有技术的不足，提供一种降低SiCf/SiC复合材料残余硅的方法，残余硅经酸蚀除去后，填充物相为SiC，在降低残余硅含量的同时，不会带来新的热膨胀系数失配等问题。
本发明的技术解决方案是：本方法适用于去除SiCf/SiC复合材料中的残余硅，特别是通过反应熔渗工艺制备得到的SiCf/SiC复合材料。
提供一种去除SiCf/SiC复合材料残余硅的方法，包括以下步骤：
步骤1)将含有残余硅的SiCf/SiC复合材料浸没于酸溶液，使得残余硅溶于酸溶液，该酸溶液中至少包含氢氟酸和氧化性强酸；
步骤2)对经酸混合溶液浸渍后的SiCf/SiC复合材料进行清洗除酸；；
步骤3)对清洗除酸后的复合材料进行真空干燥处理；
步骤4)将复合材料浸渍于液态聚碳硅烷中，通过抽真空工艺，使得液态聚碳硅烷填充到去除残余硅后形成的空隙中，其中，真空度达到1000Pa以下；然后，将填充液态聚碳硅烷的复合材料在1000～1500℃下热处理，使得液态聚碳硅烷转化为碳化硅；
步骤5)，通过化学气相沉工艺，在所述复合材料表面形成碳化硅封闭层。
进一步的，步骤1)中所述氧化性强酸为硝酸。优选地浸渍时间至少为12小时。
进一步的，步骤2)中清洗除酸时采用去离子水和超声处理，超声时间至少为1小时，超声频率为10～60kHz。
进一步的，步骤3)的干燥条件为真空度小于5000Pa，干燥温度为100℃～500℃，处理时间为至少1小时，冷却至室温后称重。优选地，在完成步骤3)后获取所述复合材料的失重率，由所述失重率确定步骤4)的重复次数，失重率越低，重复次数越少。
进一步的，步骤4)能够多次重复进行，且在步骤5)之前，至少完成一次步骤4)。
进一步的，步骤5)中，所述碳化硅封闭层厚度为10～200μm。
进一步的，所述步骤1)中氢氟酸与氧化性强酸的体积比为10：1～100，所述氢氟酸溶液的质量分数为10％～40％，所述氧化性强酸的质量分数为30％～98％；
进一步的，所述步骤4)中液态聚碳硅烷的粘度为30～2000mPa·s。
有益效果：与现有技术相比，本发明采用的降低SiCf/SiC复合材料残余硅的方法具有以下优点：①复合材料预先经酸蚀和超声处理后，基体中绝大部分的残余硅被除去，且将残余硅除去后留下的孔道充分暴露出来，有利于后续聚碳硅烷的进入；②液态聚碳硅烷浸渍-裂解后的产物和化学气相沉积的生成物均为SiC，与原始基体化学组份和物理性质相同，相互之间具有良好的化学相容性，相比于其他硅化物，无热膨胀系数不匹配等问题，因而在高温-低温反复循环的工况下复合材料基体不会出现开裂；③本方法将SiCf/SiC复合材料中残余硅的质量分数降低至0.05％以内，在保留熔渗工艺制备陶瓷基复合材料优势的同时，解决了大量残余硅带来的不足，提高了复合材料的使用温度、抗氧化性和其在高温环境中的蠕变性能，拓展了该类型复合材料的使用范围。且本方法得到的SiCf/SiC复合材料中残余硅的质量分数小于0.05％。
具体实施方式
下面通过具体实施例，对本发明做进一步说明，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明公开的范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围内。
实施例1
本实施例提供的降低SiCf/SiC复合材料残余硅含量的方法，该方法包括以下步骤：
(1)酸蚀处理：将质量分数为15％的氢氟酸和质量分数为85％的硝酸按体积比1：2混合在一起；然后将含有残余硅的SiCf/SiC复合材料浸没于所配制的酸混合溶液中，室温下浸渍60h；
(2)超声处理：对经酸混合溶液浸渍后的复合材料进行超声处理，设置超声时间为6h，超声频率为40kHz；
(3)真空干燥：对超声处理后的复合材料进行真空干燥处理，处理条件为真空度2000Pa，温度为150℃，处理时间为40h，冷却至室温后称重，计算得失重率为16.7％；
(4)浸渍液态聚碳硅烷：在真空度为500Pa的条件下，将真空干燥处理后的复合材料浸渍于粘度为1000mPa·s的液态聚碳硅烷中，浸渍12h后取出；
(5)高温热处理：将浸渍过液态聚碳硅烷的复合材料在1050℃下高温热处理12h，然后冷却至室温；
(6)继续重复步骤(4)和(5)，累计重复2次；
(7)将高温热处理结束后的复合材料置于化学气相沉积炉中，以三氯甲基硅烷为前驱物、以氢气为稀释气体，通过化学气相沉积工艺在复合材料表面制备一层厚度为52μm的碳化硅封闭层；
经测算，最终得到的SiCf/SiC复合材料中残余硅的质量分数为0.02％。
实施例2
本实施例提供的降低SiCf/SiC复合材料残余硅含量的方法，该方法包括以下步骤：
(1)酸蚀处理：将质量分数为35％的氢氟酸和质量分数为45％的硝酸按体积比3：1混合在一起；然后将含有残余硅的SiCf/SiC复合材料浸没于所配制的酸混合溶液中，室温下浸渍15h；
(2)超声处理：对经酸混合溶液浸渍后的复合材料进行超声处理，设置超声时间为2h，超声频率为40kHz；
(3)真空干燥：对超声处理后的复合材料进行真空干燥处理，处理条件为真空度2000Pa，温度为250℃，处理时间为2h，冷却至室温后称重，计算得失重率为3.2％；
(4)浸渍液态聚碳硅烷：在真空度为25Pa的条件下，将真空干燥处理后的复合材料浸渍于粘度为300mPa·s的液态聚碳硅烷中，浸渍2h后取出；
(5)高温热处理：将浸渍过液态聚碳硅烷的复合材料在1300℃下高温热处理3h，然后冷却至室温；
(6)将高温热处理结束后的复合材料置于化学气相沉积炉中，以三氯甲基硅烷为前驱物、以氢气为稀释气体，通过化学气相沉积工艺在复合材料表面制备一层厚度为30μm的碳化硅封闭层；
经测算，最终得到的SiCf/SiC复合材料中残余硅的质量分数为0.01％。
实施例3
本实施例提供的降低SiCf/SiC复合材料残余硅含量的方法，该方法包括以下步骤：
(1)酸蚀处理：将质量分数为10％的氢氟酸和质量分数为90％的硝酸按体积比10：1混合在一起；然后将含有残余硅的SiCf/SiC复合材料浸没于所配制的酸混合溶液中，室温下浸渍96h；
(2)超声处理：对经酸混合溶液浸渍后的复合材料进行超声处理，设置超声时间为12h，超声频率为20kHz；
(3)真空干燥：对超声处理后的复合材料进行真空干燥处理，处理条件为真空度4000Pa，温度为450℃，处理时间为12h，冷却至室温后称重，计算得失重率为23.5％；
(4)浸渍液态聚碳硅烷：在真空度为850Pa的条件下，将真空干燥处理后的复合材料浸渍于粘度为1630mPa·s的液态聚碳硅烷中，浸渍24h后取出；
(5)高温热处理：将浸渍过液态聚碳硅烷的复合材料在1410℃下高温热处理9h，然后冷却至室温；
(6)继续重复步骤(4)和(5)，累计重复3次；
(7)将高温热处理结束后的复合材料置于化学气相沉积炉中，以三氯甲基硅烷为前驱物、以氢气为稀释气体，通过化学气相沉积工艺在复合材料表面制备一层厚度为180μm的碳化硅封闭层；
经测算，最终得到的SiCf/SiC复合材料中残余硅的质量分数为0.04％。
实施例4
本实施例提供的降低SiCf/SiC复合材料残余硅含量的方法，该方法包括以下步骤：
(1)酸蚀处理：将质量分数为36％的氢氟酸和质量分数为32％的硝酸按体积比1：8混合在一起；然后将含有残余硅的SiCf/SiC复合材料浸没于所配制的酸混合溶液中，室温下浸渍48h；
(2)超声处理：对经酸混合溶液浸渍后的复合材料进行超声处理，设置超声时间为5h，超声频率为60kHz；
(3)真空干燥：对超声处理后的复合材料进行真空干燥处理，处理条件为真空度300Pa，温度为320℃，处理时间为8h，冷却至室温后称重，计算得失重率为8.3％；
(4)浸渍液态聚碳硅烷：在真空度为125Pa的条件下，将真空干燥处理后的复合材料浸渍于粘度为95mPa·s的液态聚碳硅烷中，浸渍10h后取出；
(5)高温热处理：将浸渍过液态聚碳硅烷的复合材料在1100℃下高温热处理6h，然后冷却至室温；
(6)将高温热处理结束后的复合材料置于化学气相沉积炉中，以三氯甲基硅烷为前驱物、以氢气为稀释气体，通过化学气相沉积工艺在复合材料表面制备一层厚度为96μm的碳化硅封闭层；
经测算，最终得到的SiCf/SiC复合材料中残余硅的质量分数为0.02％。

Claims (10)

1.一种去除SiCf/SiC复合材料残余硅的方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1)将含有残余硅的SiCf/SiC复合材料浸没于酸溶液，使得残余硅溶于酸溶液，该酸溶液中至少包含氢氟酸和氧化性强酸；
步骤2)对经酸混合溶液浸渍后的SiCf/SiC复合材料进行清洗除酸；
步骤3)对清洗除酸后的复合材料进行真空干燥处理；
步骤4)将复合材料浸渍于液态聚碳硅烷中，通过抽真空工艺，使得液态聚碳硅烷填充到去除残余硅后形成的空隙中，其中，真空度达到1000Pa以下；然后，将填充液态聚碳硅烷的复合材料在1000～1500℃下热处理，使得液态聚碳硅烷转化为碳化硅；
步骤5)，通过化学气相沉工艺，在所述复合材料表面形成碳化硅封闭层。
2.如权利要求1所述的一种去除SiCf/SiC复合材料残余硅的方法，其特征在于：步骤1)中所述氧化性强酸为硝酸。
3.如权利要求1或2所述的一种去除SiCf/SiC复合材料残余硅的方法，其特征在于：步骤2)中清洗除酸时采用去离子水和超声处理，超声时间至少为1小时，超声频率为10～60kHz。
4.如权利要求1-3之一所述的一种去除SiCf/SiC复合材料残余硅的方法，其特征在于：步骤3)的干燥条件为真空度小于5000Pa，干燥温度为100℃～500℃，处理时间为至少1小时，冷却至室温后称重。
5.如权利要求1-4之一所述的一种去除SiCf/SiC复合材料残余硅的方法，其特征在于：在完成步骤3)后获取所述复合材料的失重率，由所述失重率确定步骤4)的重复次数，失重率越低，重复次数越少。
6.如权利要求1-4之一所述的一种去除SiCf/SiC复合材料残余硅的方法，其特征在于：步骤4)能够多次重复进行，且在步骤5)之前，至少完成一次步骤4)。
7.如权利要求1-4之一所述的一种去除SiCf/SiC复合材料残余硅的方法，其特征在于：步骤5)中，所述碳化硅封闭层厚度为10～200μm。
8.如权利要求1-4之一所述的一种去除SiCf/SiC复合材料残余硅的方法，其特征在于：所述步骤1)中氢氟酸与氧化性强酸的体积比为10：1～100，所述氢氟酸溶液的质量分数为10％～40％，所述氧化性强酸的质量分数为30％～98％。
9.如权利要求1-4之一所述的一种去除SiCf/SiC复合材料残余硅的方法，其特征在于：所述步骤4)中液态聚碳硅烷的粘度为30～2000mPa·s。
10.如权利要求2所述的一种去除SiCf/SiC复合材料残余硅的方法，其特征在于：浸渍时间至少为12小时。
CN201910180150.8A 2019-03-11 2019-03-11 一种去除SiCf/SiC复合材料残余硅的方法 Pending CN110128157A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910180150.8A CN110128157A (zh) 2019-03-11 2019-03-11 一种去除SiCf/SiC复合材料残余硅的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910180150.8A CN110128157A (zh) 2019-03-11 2019-03-11 一种去除SiCf/SiC复合材料残余硅的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110128157A true CN110128157A (zh) 2019-08-16

Family

ID=67568777

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910180150.8A Pending CN110128157A (zh) 2019-03-11 2019-03-11 一种去除SiCf/SiC复合材料残余硅的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110128157A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113105272A (zh) * 2021-04-15 2021-07-13 浙江东新新材料科技有限公司 熔盐去除反应烧结碳化硅陶瓷表面硅瘤的方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102544241A (zh) * 2012-03-19 2012-07-04 泰州德通电气有限公司 一种硅太阳能电池片还原成硅片的方法
CN106064951A (zh) * 2016-06-08 2016-11-02 中国人民解放军国防科学技术大学 C/C‑SiC复合材料及其制备方法和应用
CN107540411A (zh) * 2017-08-22 2018-01-05 巩义市泛锐熠辉复合材料有限公司 一种降低碳纤维增强陶瓷基复合材料中残留硅含量的方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102544241A (zh) * 2012-03-19 2012-07-04 泰州德通电气有限公司 一种硅太阳能电池片还原成硅片的方法
CN106064951A (zh) * 2016-06-08 2016-11-02 中国人民解放军国防科学技术大学 C/C‑SiC复合材料及其制备方法和应用
CN107540411A (zh) * 2017-08-22 2018-01-05 巩义市泛锐熠辉复合材料有限公司 一种降低碳纤维增强陶瓷基复合材料中残留硅含量的方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
戚桓瑜: "《光伏材料制备与加工》", 28 February 2015, 西北工业大学出版社 *
陈照峰: "《无机非金属材料学 第2版》", 28 February 2016, 西北工业大学出版社 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113105272A (zh) * 2021-04-15 2021-07-13 浙江东新新材料科技有限公司 熔盐去除反应烧结碳化硅陶瓷表面硅瘤的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109293383B (zh) 一种纤维增强碳-碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法
CN109055874B (zh) 一种界面层增强铝合金-碳化硅双基纤维复合材料及其制备方法
KR101025710B1 (ko) 열구조적 복합 재료의 규소화 방법 및 그 방법으로 얻어진 부재
CN106588060B (zh) 一种高致密的碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法
CN103910533B (zh) 一种双组元陶瓷改性炭/炭复合材料的制备方法
CN109053207A (zh) 一种硅酸钇改性碳化硅纤维增强碳化硅复合材料及其制备方法
CN103980006B (zh) 构件表面具有自愈合能力的环境屏障涂层及制备方法
JPWO2017082147A1 (ja) 黒鉛基材上に形成された被膜及びその製造方法
CN110105075A (zh) 高纯碳纤维增强碳化硅复合材料及其制备方法
CN104628407A (zh) 一种Al2O3纤维增韧MAX相陶瓷基复合材料的制备方法
CN109942317A (zh) 碳/碳复合材料表面莫来石晶须-莫来石/钇铝硅酸盐复合抗氧化涂层及制备方法
CN109400169A (zh) 具有SiC涂层的SiCf/SiC复合材料的制备方法
CN105481477B (zh) 一种石墨/SiC复合材料的制备方法
CN108101566A (zh) Rtm工艺辅助制备碳化硅陶瓷基复合材料构件的方法
CN109400168A (zh) 一种包含交替形成的SiBCN涂层和SiC涂层的SiC纤维及其制备方法和应用
CN103724033B (zh) 一种立体织物增强氮化硅-碳化硅陶瓷复合材料及其制备方法
CN103265331A (zh) 一种适用于石墨材料的C/SiC/Na2Si03抗氧化复合涂层及其制备方法
CN106631161B (zh) 一种在碳基材料表面制备抗高温氧化复合涂层的方法
CN110128157A (zh) 一种去除SiCf/SiC复合材料残余硅的方法
CN114368981A (zh) 石墨类材料及工件抗氧化处理技术和应用
CN106083206B (zh) 一种碳/碳复合材料SiC内涂层的制备方法
CN107814590A (zh) 一种熔盐反应堆用石墨表面SiC涂层的制备方法
CN109095938A (zh) 一种碳化二钼界面层改性的碳化硅纤维增强碳化硅复合材料及其制备方法
CN105669231B (zh) 一种碳纤维增强MoSi2-SiC陶瓷基复合材料的制备方法
CN102898171B (zh) 一种SiCf/SiC 复合材料及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190816