CN103715304A - 一种基于湿法刻蚀机实现色差片处理的方法 - Google Patents
一种基于湿法刻蚀机实现色差片处理的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103715304A CN103715304A CN201310742708.XA CN201310742708A CN103715304A CN 103715304 A CN103715304 A CN 103715304A CN 201310742708 A CN201310742708 A CN 201310742708A CN 103715304 A CN103715304 A CN 103715304A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wet etching
- rinse bath
- acid
- etching machine
- time
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 230000004075 alteration Effects 0.000 title claims abstract description 45
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 12
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 50
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 37
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 24
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 24
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 24
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid group Chemical group S(O)(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical group O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims description 10
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 238000006396 nitration reaction Methods 0.000 claims description 8
- 239000003814 drug Substances 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000007888 film coating Substances 0.000 abstract 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 abstract 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 description 5
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 5
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 3
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 230000005226 mechanical processes and functions Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02032—Preparing bulk and homogeneous wafers by reclaiming or re-processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
本发明创造提供一种基于湿法刻蚀机实现色差片处理的方法，包括湿法刻蚀机去膜处理、PECVD镀膜和印刷烧结步骤。本发明提供的色差片处理流程只需将色差片再次通过湿法刻蚀工艺即可，相对于现有的处理方法较为简单，节省了不必要的再利用处理成本，且此方法无需采购专门的处理设备，通过用于生产的设备即可实现，节省了设备成本。
Description
技术领域
本发明创造提供了一种基于湿法刻蚀机实现色差片处理的方法，可以简化现有色差电池片的处理流程，减少相应的设备成本及再利用硅片处理成本。
背景技术
太阳能电池生产工艺包括制绒、扩散、湿法刻蚀、PECVD和印刷烧结等重要工艺流程，其中PECVD的主要工艺目的是在硅片表面沉积一层起减反射和表面钝化作用的氮化硅膜，所述氮化硅膜的颜色与其厚度相关，当沉积的氮化硅膜薄厚不均时就会导致硅片表面颜色不均一，形成色差片。
色差片为不合格品，需要进行去膜处理后进行再利用处理。目前在进行色差片处理的过程中，通常采用特殊的去膜专用设备，利用HF清洗硅片表面的氮化硅，烘干处理后再次通过制绒、扩散、湿法刻蚀、PECVD和印刷烧结等工艺，最终制成成合格的电池片，这种工艺的设备成本和再利用成本较高，不利于大批量生产和节省成本。
发明内容
本发明创造要解决的问题是提供一种基于湿法刻蚀机实现色差片处理的方法，可以简化现有色差电池片的处理流程，减少相应的设备成本及再利用硅片处理成本。
为解决上述技术问题，本发明创造采用的技术方案是：一种基于湿法刻蚀机实现色差片处理的方法，包括去膜处理、PECVD镀膜和印刷烧结步骤，所述去膜处理步骤是采用湿法刻蚀机进行膜处理，具体步骤如下：
（1）挑选出经过PECVD镀膜后的色差片；
（2）将色差片蓝膜向上投入到更改好工艺参数的湿法刻蚀机中进行去膜处理；
（3）之后将去膜处理过的色差片依次通过PECVD镀膜和印刷烧结工艺，最终可制成成品电池。
所述湿法刻蚀机的结构包括装载区、工艺槽、清洗槽一、碱槽、清洗槽二、酸槽、清洗槽三、烘干区和卸载区。
所述湿法刻蚀机的工艺参数如下：湿法刻蚀机的滚轴的带速为1.0-1.2m/min，工艺槽中的药液是硝酸、氢氟酸和硫酸组成的混酸，其中硝酸浓度为315-325g/L，氢氟酸的浓度为25-35g/L，硫酸的浓度为335-345g/L，工艺槽内药液的循环流量为18-38L/min，腐蚀时间为3-5分钟，清洗槽一内的纯水浸泡时间为40-45秒，碱槽中的药液是质量分数为5%的氢氧化钾溶液，碱槽中药液的循环流量为10-30L/min，腐蚀时间为40-45秒，清洗槽二内的纯水浸泡时间为40-45秒，酸槽中的氢氟酸的质量分数为25%-35%，酸槽中药液的循环流量为90-120L/min，腐蚀时间为3-5分钟，清洗槽三内的纯水浸泡时间为40-45秒，烘干区的时间设定为40-45秒。
优选地，所述湿法刻蚀机的工艺参数如下：湿法刻蚀机的滚轴的带速为1.0-1.2m/min，工艺槽中的药液是硝酸、氢氟酸和硫酸组成的混酸，其中硝酸浓度为320g/L，氢氟酸的浓度为30g/L，硫酸的浓度为340g/L，工艺槽内药液的循环流量为28L/min，腐蚀时间为3分钟，清洗槽一内的纯水浸泡时间为40秒，碱槽中的药液是质量分数为5%的氢氧化钾溶液，碱槽中药液的循环流量为20L/min，腐蚀时间为40秒，清洗槽二内的纯水浸泡时间为40秒，酸槽中的氢氟酸的质量分数为25-35%，酸槽中药液的循环流量为90-120L/min，腐蚀时间为3分钟，清洗槽三内的纯水浸泡时间为40秒，烘干区的时间设定为40秒。
本发明创造具有的优点和积极效果是：本发明提供的色差片处理流程只需将色差片再次通过湿法刻蚀工艺即可，相对于现有的处理方法较为简单，节省了不必要的再利用处理成本，且此方法无需采购专门的处理设备，通过用于生产的设备即可实现，节省了设备成本。
附图说明
图1是本发明创造的工艺流程图。
具体实施方式
原有的太阳能电池生产工艺包括制绒、扩散、湿法刻蚀、PECVD和印刷烧结等重要工艺流程，在实际操作过程中，经过制绒、扩散后需要进行湿法刻蚀的硅片先进入湿法刻蚀机的装载区，然后由装载区先进入工艺槽腐蚀，腐蚀完之后进入清洗槽（本发明中为清洗槽一）清洗，清洗后进入碱槽进行碱腐蚀，碱腐蚀完后再进入清洗槽（本发明中为清洗槽二）清洗，清洗后进入酸槽进行酸腐蚀，酸腐蚀完后再进行清洗槽（本发明中为清洗槽三）进行清洗，然后将清洗过的硅片进入烘干区烘干，最后卸载进入下一流程。
湿法刻蚀机的工艺参数是：工艺槽中的药液是硝酸、氢氟酸和硫酸组成的混酸，其中硝酸浓度为320g/L，氢氟酸的浓度为30g/L，硫酸的浓度为340g/L，工艺槽内药液的循环流量为28L/min，碱槽中的药液是质量分数为5%的氢氧化钾溶液，碱槽中药液的循环流量为20L/min，酸槽中的药液是质量分数为6%的氢氟酸溶液，酸槽中药液的循环流量为80L/min，清洗槽中的药液是纯水。
在本发明创造中为了利用湿法刻蚀机对色差片进行处理，在原有的操作参数基础上对湿法刻蚀机的部分操作参数进行了改进，主要为将酸槽中的氢氟酸的质量分数改为25%-35%，酸槽中药液的循环流量改为90-120L/min，湿法刻蚀机的滚轴的带速更改为1.0-1.2m/min。
除此以外，还可以在上述更改的工艺参数的基础上对工艺槽或/和碱槽中的药液的循环流量做出±10L/min的调整，或/和对工艺槽或/和碱槽中的各种药液的浓度或质量分数做出相应的调整，来提高色差片的电学性能。
为了引用和清楚起见，现在将申请文件中出现的技术名词解释如下：
PECVD是Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition的缩写，指的是等离子体增强化学气相沉积法，主要是使化学反应在较低的温度下进行，利用等离子体的活性来促进反应的进行。
下面通过实施例对本发明技术方案作进一步说明，但是本发明并不局限于此。
实施例1
如图1所示，一种基于湿法刻蚀机实现色差片处理的方法，其步骤包括：（1）挑选出经过PECVD镀膜后的色差片；（2）将色差片蓝膜向上投入到湿法刻蚀机中进行去膜处理；（3）之后将去膜处理过的色差片依次通过PECVD镀膜和印刷烧结工艺，最终可制成成品电池。
具体实施过程如下：
将经过PECVD镀膜后的色差片挑选出，并置于包括装载区、工艺槽、清洗槽一、碱槽、清洗槽二、酸槽、清洗槽三、烘干区和卸载区的湿法刻蚀机的装载区，设定湿法刻蚀机的刻蚀参数如下：即工艺槽中的药液是硝酸、氢氟酸和硫酸组成的混酸，其中硝酸浓度为320g/L，氢氟酸的浓度为30g/L，硫酸的浓度为340g/L，腐蚀时间为3分钟，循环流量28L/min，清洗槽一内的纯水浸泡时间为40秒，碱槽内为质量分数为5%的氢氧化钾溶液，碱槽中的药液的循环流量为20L/min，腐蚀时间为40秒，清洗槽二内的纯水浸泡时间为40秒，酸槽内为质量分数为30%的氢氟酸，腐蚀时间为3分钟，循环流量为120L/min，清洗槽三内的纯水浸泡时间为40秒，烘干区的时间设定为40秒，滚轴的带速调整为1.0m/min（即每分钟滚动1米）。
然后，利用湿法刻蚀机对色差片进行去膜处理。
最后，将去膜处理过的色差片依次通过PECVD镀膜和印刷烧结工艺，最终可制成成品电池。
实施例2
一种基于湿法刻蚀机实现色差片处理的方法，其步骤同实施例1。具体实施过程如下：
将经过PECVD镀膜后的色差片挑选出，并置于包括装载区、工艺槽、清洗槽一、碱槽、清洗槽二、酸槽、清洗槽三、烘干区和卸载区的湿法刻蚀机的装载区，设定湿法刻蚀机的刻蚀参数如下：即工艺槽中的药液是硝酸、氢氟酸和硫酸组成的混酸，其中硝酸浓度为315g/L，氢氟酸的浓度为35g/L，硫酸的浓度为335g/L，腐蚀时间为5分钟，循环流量20L/min，清洗槽一内的纯水浸泡时间为45秒，碱槽内为质量分数为5%的氢氧化钾溶液，碱槽中的药液的循环流量为29L/min，腐蚀时间为45秒，清洗槽二内的纯水浸泡时间为45秒，酸槽内为质量分数为25%的氢氟酸，腐蚀时间为5分钟，循环流量为110L/min，清洗槽三内的纯水浸泡时间为45秒，烘干区的时间设定为45秒，滚轴的带速调整为1.1m/min（即每分钟滚动1米）。
然后，利用湿法刻蚀机对色差片进行去膜处理；
最后，将去膜处理过的色差片依次通过PECVD镀膜和印刷烧结工艺，最终可制成成品电池。
实施例3
一种基于湿法刻蚀机实现色差片处理的方法，其步骤同实施例1。具体实施过程如下：
将经过PECVD镀膜后的色差片挑选出，并置于包括装载区、工艺槽、清洗槽一、碱槽、清洗槽二、酸槽、清洗槽三、烘干区和卸载区的湿法刻蚀机的装载区，设定湿法刻蚀机的刻蚀参数如下：即工艺槽中的药液是硝酸、氢氟酸和硫酸组成的混酸，其中硝酸浓度为325g/L，氢氟酸的浓度为25g/L，硫酸的浓度为345g/L，腐蚀时间为4分钟，循环流量35L/min，清洗槽一内的纯水浸泡时间为42秒，碱槽内为质量分数为5%的氢氧化钾溶液，碱槽中的药液的循环流量为15L/min，腐蚀时间为42秒，清洗槽二内的纯水浸泡时间为42秒，酸槽内为质量分数为35%的氢氟酸，腐蚀时间为4分钟，酸槽中的药液的循环流量为90L/min，清洗槽三内的纯水浸泡时间为42秒，烘干区的时间设定为42秒，滚轴的带速调整为1.2m/min（即每分钟滚动1米）。
然后，利用湿法刻蚀机对色差片进行去膜处理；
最后，将去膜处理过的色差片依次通过PECVD镀膜和印刷烧结工艺，最终可制成成品电池。
采用本发明实施例中提供的硅片色差片的处理方法对不合格的色差片进行处理后，对其电学性能进行了测试，并与现有技术的方法处理后的色差片的性能参数及产品合格率仅行了对比，结果见表1：
表1不同方法处理过的色差片的性能参数与合格率对照表
从上表中可以看出经过使用本发明创造所公开的方法处理后的色差片，与现有技术中的返工方法中的各项指标相比，硅片的转换效率有所提高，同时由于本发明在传统返工方法的基础上，减少了制绒、扩散以等步骤，工序少，耗时短，降低了生产成本，产品的合格率也得到了提升，不仅如此，进过本发明处理过的色差片的颜色发亮，表面干净，完全不影响硅片的销售情况。
以上对本发明创造的实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本发明创造的较佳实施例，不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明创造范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本专利涵盖范围之内。
Claims (4)
1.一种基于湿法刻蚀机实现色差片处理的方法，包括去膜处理、PECVD镀膜和印刷烧结步骤，其特征在于，所述去膜处理步骤是采用湿法刻蚀机进行膜处理，具体步骤如下：
（1）挑选出经过PECVD镀膜后的色差片；
（2）将色差片蓝膜向上投入到湿法刻蚀机中进行去膜处理；
（3）之后将去膜处理过的色差片依次通过PECVD镀膜和印刷烧结工艺，最终可制成成品电池。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀机的结构包括装载区、工艺槽、清洗槽一、碱槽、清洗槽二、酸槽、清洗槽三、烘干区和卸载区。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀机的工艺参数如下：湿法刻蚀机的滚轴的带速为1.0-1.2m/min，工艺槽中的药液是硝酸、氢氟酸和硫酸组成的混酸，其中硝酸浓度为315-325g/L，氢氟酸的浓度为25-35g/L，硫酸的浓度为335-345g/L，工艺槽内药液的循环流量为18-38L/min，腐蚀时间为3-5分钟，清洗槽一内的纯水浸泡时间为40-45秒，碱槽中的药液是质量分数为5%的氢氧化钾溶液，碱槽中药液的循环流量为10-30L/min，腐蚀时间为40-45秒，清洗槽二内的纯水浸泡时间为40-45秒，酸槽中的氢氟酸的质量分数为25%-35%，酸槽中药液的循环流量为90-120L/min，腐蚀时间为3-5分钟，清洗槽三内的纯水浸泡时间为40-45秒，烘干区的时间设定为40-45秒。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀机的工艺参数如下：湿法刻蚀机的滚轴的带速为1.0-1.2m/min，工艺槽中的药液是硝酸、氢氟酸和硫酸组成的混酸，其中硝酸浓度为320g/L，氢氟酸的浓度为30g/L，硫酸的浓度为340g/L，工艺槽内药液的循环流量为28L/min，腐蚀时间为3分钟，清洗槽一内的纯水浸泡时间为40秒，碱槽中的药液是质量分数为5%的氢氧化钾溶液，碱槽中药液的循环流量为20L/min，腐蚀时间为40秒，清洗槽二内的纯水浸泡时间为40秒，酸槽中的氢氟酸的质量分数为25-35%，酸槽中药液的循环流量为90-120L/min，腐蚀时间为3分钟，清洗槽三内的纯水浸泡时间为40秒，烘干区的时间设定为40秒。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310742708.XA CN103715304B (zh) | 2013-12-24 | 2013-12-24 | 一种基于湿法刻蚀机实现色差片处理的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310742708.XA CN103715304B (zh) | 2013-12-24 | 2013-12-24 | 一种基于湿法刻蚀机实现色差片处理的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103715304A true CN103715304A (zh) | 2014-04-09 |
| CN103715304B CN103715304B (zh) | 2016-09-07 |
Family
ID=50408109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310742708.XA Active CN103715304B (zh) | 2013-12-24 | 2013-12-24 | 一种基于湿法刻蚀机实现色差片处理的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103715304B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104485388A (zh) * | 2014-12-11 | 2015-04-01 | 东方日升新能源股份有限公司 | 一种晶硅太阳能电池pecvd镀膜后不良片的返工方法 |
| CN105514222A (zh) * | 2016-03-01 | 2016-04-20 | 尚德太阳能电力有限公司 | 太阳能电池酸腐返工方法及使用的链式设备 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5079178A (en) * | 1988-12-19 | 1992-01-07 | L'etat Francais Represente Par Le Ministre Des Postes, Des Telecommunications Et De L'espace (Centre National D'etudes Des Telecommunications) | Process for etching a metal oxide coating and simultaneous deposition of a polymer film, application of this process to the production of a thin film transistor |
| CN102306687A (zh) * | 2011-09-28 | 2012-01-04 | 湖南红太阳新能源科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池pecvd彩虹片返工方法 |
| CN102921665A (zh) * | 2012-09-27 | 2013-02-13 | 英利能源（中国）有限公司 | 硅片表面的氮化硅膜的清洗液及清除方法 |
| CN102931282A (zh) * | 2012-11-14 | 2013-02-13 | 东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司 | 一种背面抛光硅片的制备方法 |
| CN103400890A (zh) * | 2013-07-08 | 2013-11-20 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种晶硅太阳电池pecvd色差片去膜重镀的返工工艺 |
-
2013
- 2013-12-24 CN CN201310742708.XA patent/CN103715304B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5079178A (en) * | 1988-12-19 | 1992-01-07 | L'etat Francais Represente Par Le Ministre Des Postes, Des Telecommunications Et De L'espace (Centre National D'etudes Des Telecommunications) | Process for etching a metal oxide coating and simultaneous deposition of a polymer film, application of this process to the production of a thin film transistor |
| CN102306687A (zh) * | 2011-09-28 | 2012-01-04 | 湖南红太阳新能源科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池pecvd彩虹片返工方法 |
| CN102921665A (zh) * | 2012-09-27 | 2013-02-13 | 英利能源（中国）有限公司 | 硅片表面的氮化硅膜的清洗液及清除方法 |
| CN102931282A (zh) * | 2012-11-14 | 2013-02-13 | 东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司 | 一种背面抛光硅片的制备方法 |
| CN103400890A (zh) * | 2013-07-08 | 2013-11-20 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种晶硅太阳电池pecvd色差片去膜重镀的返工工艺 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104485388A (zh) * | 2014-12-11 | 2015-04-01 | 东方日升新能源股份有限公司 | 一种晶硅太阳能电池pecvd镀膜后不良片的返工方法 |
| CN105514222A (zh) * | 2016-03-01 | 2016-04-20 | 尚德太阳能电力有限公司 | 太阳能电池酸腐返工方法及使用的链式设备 |
| CN105514222B (zh) * | 2016-03-01 | 2017-05-10 | 尚德太阳能电力有限公司 | 太阳能电池酸腐返工方法及使用的链式设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103715304B (zh) | 2016-09-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI511196B (zh) | Method of Polishing Silica Flocking Cleaning Process | |
| CN106952805B (zh) | 一种石墨舟清洗工艺 | |
| CN102751377B (zh) | 一种用于高效晶硅太阳电池制作的表面湿法处理工艺 | |
| CN105576080B (zh) | 一种单面制绒的金刚线切割多晶硅片及其制绒方法 | |
| CN102306687B (zh) | 一种晶体硅太阳能电池pecvd彩虹片返工方法 | |
| WO2015032154A1 (zh) | 多晶硅片制绒添加剂及其使用方法 | |
| CN102185035A (zh) | 一种二次制绒法制备晶体硅太阳能电池的工艺 | |
| CN103400890A (zh) | 一种晶硅太阳电池pecvd色差片去膜重镀的返工工艺 | |
| CN103887369B (zh) | 一种硅片镀膜色差片的返工方法 | |
| CN107177890A (zh) | 一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法以及电池片制备工艺 | |
| CN113421946B (zh) | 太阳能电池返工工艺 | |
| CN216749927U (zh) | 异质结电池不良品的返工处理系统 | |
| CN109037112B (zh) | 一种晶硅太阳能se电池刻蚀使用无机碱的方法 | |
| CN107611220B (zh) | 一种太阳能电池片制备方法 | |
| MX2011002799A (es) | Procedimiento de tratamiento de sustratos, sustrato y dispositivo de tratamiento para realizar el procedimiento. | |
| CN110993724A (zh) | 一种异质结太阳能电池的制绒清洗方法 | |
| CN104009125A (zh) | 多晶硅片的制绒工艺 | |
| CN104073883A (zh) | 多晶硅太阳能电池片的制绒工艺 | |
| CN103606595A (zh) | 烧结后不合格单晶硅电池片的再利用及其栅线回收方法 | |
| CN103715304A (zh) | 一种基于湿法刻蚀机实现色差片处理的方法 | |
| CN104716206B (zh) | 一种提高镀减反射膜后电池片返工品转换效率的方法 | |
| CN101609862A (zh) | 一种降低绒面单晶硅片表面反射率的方法 | |
| CN104752566A (zh) | 多晶硅电池制绒工艺 | |
| CN103066150A (zh) | 一次扩散法制备选择性发射极电池的方法 | |
| CN104157739A (zh) | 对不合格硅片的处理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |