CN104752566A - 多晶硅电池制绒工艺 - Google Patents

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郭建东
樊选东
钱明星
关统州
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Jetion Solar China Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种多晶硅电池制绒工艺，其具体步骤如下：(1).对多晶硅电池进行NaOH碱预处理；(2).将经过碱预处理的多晶硅电池进行水洗；(3).将经过步骤(2)水洗的多晶硅电池放入硝酸和氢氟酸的混合酸腐蚀液中进行制绒工艺；(4).将经过步骤(3)酸腐蚀工艺的多晶硅再次进行水洗；(5).对多晶硅电池进行低浓度碱洗，再进行水洗；(6).对经过步骤(5)的多晶硅电池进行盐酸、氢氟酸进行二次酸腐蚀工艺，并进行水洗；(7).将多晶硅进行吹干，完成整个工艺；以达到提高硅的表面制绒质量、延长酸腐蚀槽的使用寿命和利于生产的目的。

Description

多晶硅电池制绒工艺
技术领域
本发明涉及多晶硅电池生产领域，具体涉及一种多晶硅电池制绒工艺。
背景技术
在电池生产工艺中往往涉及到多晶制绒工艺，即将多晶硅电池在一定比例的硝酸、氢氟酸、水的混合液腐蚀硅表面形成的绒面。在现有技术中，企业一般都是只采用酸性溶液中进行制绒工艺，但是酸腐蚀无法完成去除硅片表面的损伤层和油污，影响了硅表面的均匀性；同时滞留的油污不仅对酸腐蚀槽造成影响，同时会影响后续工艺中化学反应的平衡，不利于生产的连续性和稳定性。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提出了多晶硅电池制绒工艺，以达到提高硅的表面制绒质量、延长酸腐蚀槽的使用寿命和利于生产的目的。
为达到上述目的，本发明的技术方案如下：
一种多晶硅电池制绒工艺，其具体步骤如下：
(1).对多晶硅电池进行NaOH碱预处理；
(2).将经过碱预处理的多晶硅电池进行水洗；
(3).将经过步骤(2)水洗的多晶硅电池放入硝酸和氢氟酸的混合酸腐蚀液中进行制绒工艺；
(4).将经过步骤(3)酸腐蚀工艺的多晶硅再次进行水洗；
(5).对多晶硅电池进行低浓度碱洗，再进行水洗；
(6).对经过步骤(5)的多晶硅电池进行盐酸、氢氟酸进行二次酸腐蚀工艺，并进行水洗；
(7).将多晶硅进行吹干，完成整个工艺。
作为优选的，所述步骤(1)中所采用的NaOH浓度为5％。
作为优选的，所述步骤(1)中所采用的工艺温度为70-80°，工艺时间为30S-60S。
作为优选的，所述步骤(3)中所使用的体积配比为硝酸：氢氟酸：水＝5：1：4。
作为优选的，所述步骤(3)中所采用的工艺温度为6-8°，工艺时间为40-60S。
作为优选的，所述步骤(6)中所采用的盐酸、氢氟酸的配比浓度分别为8％和10％。
作为优选的，所述步骤(6)中二次酸腐蚀工艺的反应时间为10-30S，反应温度为室温：25±3℃。
通过上述技术方案，本发明通过在制绒工艺的预处理中，先经过碱预处理，再经过酸制绒，使硅表面的油污、杂质去除，也减少了产品在酸制绒时的工艺时间，达到提高硅的表面制绒质量、延长酸腐蚀槽的使用寿命和利于生产的目的。
具体实施方式
下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
本发明提供了多晶硅电池制绒工艺，其工作原理是通过在制绒工艺的预处理中，先经过碱预处理，再经过酸制绒，使硅表面的油污、杂质去除，也减少了产品在酸制绒时的工艺时间，达到提高硅的表面制绒质量、延长酸腐蚀槽的使用寿命和利于生产的目的。
下面结合实施例和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
一种多晶硅电池制绒工艺，其具体步骤如下：
(1).对多晶硅电池进行NaOH碱预处理，其中所采用的NaOH浓度为5％，预处理的工艺温度为70-80°，工艺时间为30S-60S，通过碱预处理，可以取出硅表面的油污等杂质，去除表面损伤层时提高绒面的均匀性，有利于扩散表面浓度的均匀性；并且增加了表面反射率，有利于电性能的提高；
(2).将经过碱预处理的多晶硅电池进行水洗；
(3).将经过步骤(2)水洗的多晶硅电池放入硝酸和氢氟酸的混合酸腐蚀液中进行制绒工艺；且所用酸腐蚀液的体积比为硝酸：氢氟酸：水＝5：1：4，所采用的工艺温度为6-8°，工艺时间为40-60S；
(4).将经过步骤(3)酸腐蚀工艺的多晶硅再次进行水洗；
(5).对多晶硅电池进行低浓度碱洗，再进行水洗；
(6).对经过步骤(5)的多晶硅电池进行盐酸、氢氟酸进行二次酸腐蚀工艺，并进行水洗，所采用的盐酸、氢氟酸的配比浓度分别为8％和10％，所采用的工艺温度为室温：25±3℃，反应时间为10-30S；
(7).将多晶硅进行吹干，完成整个工艺。
下表格为传统工艺和本发明工艺所得产品的上下表面的反射率的测试数据对比：
通过数据对比发现，通过本发明获得的产品反射率可以做到23％，比正常工艺低1％，增加了对有效光的吸收率。
通过以上的方式，本发明所提供的多晶硅电池制绒工艺，通过在制绒工艺的预处理中，先经过碱预处理，再经过酸制绒，使硅表面的油污、杂质去除，也减少了产品在酸制绒时的工艺时间，达到提高硅的表面制绒质量、延长酸腐蚀槽的使用寿命和利于生产的目的。
以上所述的仅是本发明所公开的多晶硅电池制绒工艺的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种多晶硅电池制绒工艺，其特征在于，其具体步骤如下：
(1).对多晶硅电池进行NaOH碱预处理；
(2).将经过碱预处理的多晶硅电池进行水洗；
(3).将经过步骤(2)水洗的多晶硅电池放入硝酸和氢氟酸的混合酸腐蚀液中进行制绒工艺；
(4).将经过步骤(3)酸腐蚀工艺的多晶硅再次进行水洗；
(5).对多晶硅电池进行低浓度碱洗，再进行水洗；
(6).对经过步骤(5)的多晶硅电池进行盐酸、氢氟酸进行二次酸腐蚀工艺，并进行水洗；
(7).将多晶硅进行吹干，完成整个工艺。
2.根据权利要求1所述的多晶硅电池制绒工艺，其特征在于，所述步骤(1)中所采用的NaOH浓度为5％。
3.根据权利要求1所述的多晶硅电池制绒工艺，其特征在于，所述步骤(1)中所采用的工艺温度为70-80°，工艺时间为30S-60S。
4.根据权利要求1所述的多晶硅电池制绒工艺，其特征在于，所述步骤(3)中所使用的体积配比为硝酸：氢氟酸：水＝5：1：4。
5.根据权利要求1所述的多晶硅电池制绒工艺，其特征在于，所述步骤(3)中所采用的工艺温度为6-8°，工艺时间为40-60S。
6.根据权利要求1所述的多晶硅电池制绒工艺，其特征在于，所述步骤(6)中所采用的盐酸、氢氟酸的配比浓度分别为8％和10％。
7.根据权利要求1所述的多晶硅电池制绒工艺，其特征在于，所述步骤(6)中二次酸腐蚀工艺的反应时间为10-30S，反应温度为室温：25±3℃。
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