CN110416064B - 一种去除硅片油污的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种去除硅片油污的方法，首先对硅片进行烘烤处理，能够通过高温烘烤将主要油污炭化，油污的主要成分就是有机物，有机物在高温通氧的情况下会发会发生氧化反应，产生二氧化碳、水。碱性清洗剂溶液能够与残留在硅片表面的金属粉末反应并将其溶解，然后用水清洗太阳能电池硅片，进而能够去除残留在太阳能电池硅片表面的金属粉末。双氧水溶液能够将残留在太阳能电池硅片表面的有机溶剂氧化并将其溶解；然后用水清洗太阳能电池硅片，进而能够去除残留在太阳能电池硅片表面的有机溶剂。然后在用水清洗、烘干得较干净的太阳能电池硅片，硅片油污被有效去除、硅片无需降级处理，有效提高了硅片生产效率。
Description
技术领域
本发明属于太阳能光伏电池制造技术领域，具体涉及一种去除硅片油污的方法。
背景技术
在硅基电池生产过程中，很多电池片在生产过程中受到了油污的的污染(如手指印，脱胶不干净等)。需要进行返工处理，电池车间的传统清洗去油污能力有限，比较严重的油污片(如手指印等)就清洗不干净，返工后还是需要降级处理，这样影响这电池片的返工良品率。
发明内容
本发明提供了一种去除硅片油污的方法，解决了硅片油污无法有效去除、需要降级处理影响硅片生产效率的技术问题。
为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：一种去除硅片油污的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、对太阳能电池硅片进行高温烘烤处理；
S2、将烘烧处理后的所述硅片置于碱性清洗剂溶液槽中进行清洗，得到碱性清洗的所述硅片；
S3、将步骤S2所得的碱性清洗的所述硅片放入水洗槽中进行清洗；
S4、将步骤S3清洗后的所述硅片置于双氧水溶液槽中进行清洗；
S5、将步骤S4中经过双氧水溶液清洗的所述硅片放入水洗槽中进行清洗，
S6、将硅片从水洗槽中取出，进行烘干。
进一步地，所述高温烘烤处理包括以下步骤：
a、将待烘烤的硅片置于石墨舟上，进入炉管；
b、将炉管升温至850℃，恒温并持续通入氧气和氮气；
c、降温取出硅片并将其置于清洗花篮中。
进一步地，所述碱性清洗剂为氢氧化钾溶液。
进一步地，所述硅片在所述碱性清洗剂溶液槽中的清洗时间为110s～150s。
进一步地，所述硅片在所述双氧水溶液槽中的清洗时间为120s～150s。
进一步地，所述硅片在所述水洗槽中的清洗时间为110s～130s。
进一步地，所述步骤b中，持续通入时间为8min～12min。
进一步地，所述步骤S6中，烘干时间为500s～600s。
本发明所达到的有益效果：首先对硅片进行烘烤处理，能够通过高温烘烤将主要油污炭化，油污的主要成分就是有机物，有机物在高温通氧的情况下会发会发生氧化反应，产生二氧化碳、水。碱性清洗剂溶液能够与残留在硅片表面的金属粉末反应并将其溶解，然后用水清洗太阳能电池硅片，进而能够去除残留在太阳能电池硅片表面的金属粉末。双氧水溶液能够将残留在太阳能电池硅片表面的有机溶剂氧化并将其溶解；然后用水清洗太阳能电池硅片，进而能够去除残留在太阳能电池硅片表面的有机溶剂。然后在用水清洗、烘干得较干净的太阳能电池硅片，硅片油污被有效去除、硅片无需降级处理，有效提高了硅片生产效率。
具体实施方式
下面对本发明作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
实施例一、
S1、将待烘烤的硅片置于石墨舟上，进入炉管，将炉管升温至850℃，恒温并持续通入氧气和氮气，持续时间为10min，充分氧化后进行炉管降温，取出硅片并将其置于清洗花篮中。
S2、将烘烤处理后置于清洗花篮中的硅片浸入碱性清洗剂溶液槽中进行清洗，碱性清洗剂溶液槽中装有氢氧化钾溶液，清洗120s后得到碱性清洗的硅片。
S3、将步骤S2所得的碱性清洗的硅片放入水洗槽中进行清洗，清洗时间为120s。
S4、将步骤S3清洗后的硅片浸入双氧水溶液槽中进行清洗，清洗时间为120s。
S5、将步骤S4中经过双氧水溶液清洗的硅片放入水洗槽中进行清洗，清洗时间为120s。
S6、将硅片从水洗槽中取出，进行烘干，烘干时间为500s。
实施例二、
S1、将待烘烤的硅片置于石墨舟上，进入炉管，将炉管升温至850℃，恒温并持续通入氧气和氮气，持续时间为12min，充分氧化后进行炉管降温，取出硅片并将其置于清洗花篮中。
S2、将烘烤处理后置于清洗花篮中的硅片浸入碱性清洗剂溶液槽中进行清洗，碱性清洗剂溶液槽中装有氢氧化钾溶液，清洗110s后得到碱性清洗的硅片。
S3、将步骤S2所得的碱性清洗的硅片放入水洗槽中进行清洗，清洗时间为125s。
S4、将步骤S3清洗后的硅片浸入双氧水溶液槽中进行清洗，清洗时间为130s。
S5、将步骤S4中经过双氧水溶液清洗的硅片放入水洗槽中进行清洗，清洗时间为110s。
S6、将硅片从水洗槽中取出，进行烘干，烘干时间为550s。
实施例三、
S1、将待烘烤的硅片置于石墨舟上，进入炉管，将炉管升温至850℃，恒温并持续通入氧气和氮气，持续时间为9min，充分氧化后进行炉管降温，取出硅片并将其置于清洗花篮中。
S2、将烘烤处理后置于清洗花篮中的硅片浸入碱性清洗剂溶液槽中进行清洗，碱性清洗剂溶液槽中装有氢氧化钾溶液，清洗140s后得到碱性清洗的硅片。
S3、将步骤S2所得的碱性清洗的硅片放入水洗槽中进行清洗，清洗时间为130s。
S4、将步骤S3清洗后的硅片浸入双氧水溶液槽中进行清洗，清洗时间为140s。
S5、将步骤S4中经过双氧水溶液清洗的硅片放入水洗槽中进行清洗，清洗时间为110s。
S6、将硅片从水洗槽中取出，进行烘干，烘干时间为550s。
实施例四、
S1、将待烘烤的硅片置于石墨舟上，进入炉管，将炉管升温至850℃，恒温并持续通入氧气和氮气，持续时间为11min，充分氧化后进行炉管降温，取出硅片并将其置于清洗花篮中。
S2、将烘烤处理后置于清洗花篮中的硅片浸入碱性清洗剂溶液槽中进行清洗，碱性清洗剂溶液槽中装有氢氧化钾溶液，清洗150s后得到碱性清洗的硅片。
S3、将步骤S2所得的碱性清洗的硅片放入水洗槽中进行清洗，清洗时间为120s。
S4、将步骤S3清洗后的硅片浸入双氧水溶液槽中进行清洗，清洗时间为130s。
S5、将步骤S4中经过双氧水溶液清洗的硅片放入水洗槽中进行清洗，清洗时间为110s。
S6、将硅片从水洗槽中取出，进行烘干，烘干时间为600s。
表1：
| 批次 | 1 | 2 | 3 | 4 |
| 传统法 | 87 | 89 | 88 | 88 |
| 本申请法 | 91 | 92 | 91 | 94 |
表1为抽检两种方法去污的4批次返工片的良品率表，每批次100个返工片，有上表可见，采用本申请的去油污方法，返工片良品率从传统的88％提高至92％。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种去除硅片油污的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、对太阳能电池硅片进行高温烘烤处理；
S2、将烘烤处理后的所述硅片置于碱性清洗剂溶液槽中进行清洗，得到碱性清洗的所述硅片；
S3、将步骤S2所得的碱性清洗的所述硅片放入水洗槽中进行清洗；
S4、将步骤S3清洗后的所述硅片置于双氧水溶液槽中进行清洗；
S5、将步骤S4中经过双氧水溶液清洗的所述硅片放入水洗槽中进行清洗，
S6、将硅片从水洗槽中取出，进行烘干；
所述高温烘烤处理包括以下步骤：
a、将待烘烤的硅片置于石墨舟上，进入炉管；
b、将炉管升温至850℃，恒温并持续通入氧气和氮气；
c、降温取出硅片并将其置于清洗花篮中。
2.根据权利要求1所述的一种去除硅片油污的方法，其特征在于，所述碱性清洗剂为氢氧化钾溶液。
3.根据权利要求1所述的一种去除硅片油污的方法，其特征在于，所述硅片在所述碱性清洗剂溶液槽中的清洗时间为110s~150s。
4.根据权利要求1所述的一种去除硅片油污的方法，其特征在于，所述硅片在所述双氧水溶液槽中的清洗时间为120s~150s。
5.根据权利要求1所述的一种去除硅片油污的方法，其特征在于，所述硅片在所述水洗槽中的清洗时间为110s~130s。
6.根据权利要求2所述的一种去除硅片油污的方法，其特征在于，所述步骤b中，持续通入时间为8min~12min。
7.根据权利要求1所述的一种去除硅片油污的方法，其特征在于，所述步骤S6中，烘干时间为500s~600s。
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| GR01 | Patent grant | ||
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