CN113823709A - 一种太阳能电池的制绒清洗方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种太阳能电池的制绒清洗方法，包括依次对硅片进行如下处理的步骤：采用氨水双氧水混合液对硅片进行预清洗处理；采用高浓度氢氧化钾水溶液对硅片进行粗抛处理；采用氢氧化钾制绒添加剂混合液对硅片进行制绒处理；采用氨水双氧水混合液对硅片进行第一清洗处理；采用氢氟酸硝酸混合液对硅片进行化学抛光处理；采用盐酸双氧水混合液对硅片进行第二清洗处理；采用氢氟酸稀释液对硅片进行所述去氧化处理；以及慢提拉处理和烘干处理。本申请提供的太阳能电池的制绒清洗方法能有效去除制程引入的杂质颗粒和有机物、金属污染，提高清洗效果和稳定性，利于后续CVD的钝化，对产线的稳定性和效率提升有重大意义。
Description
技术领域
本申请属于太阳能电池制造技术领域，具体涉及一种太阳能电池的制绒清洗方法。
背景技术
异质结电池的制造主要包括四大环节，依次是清洗制绒、非晶硅沉积、透明导电层(TCO)沉积、丝印固化。其中，清洗制绒的主要目的是清除N型衬底表面的油污和金属杂质，去除机械损伤层，形成金字塔绒面，陷光并减少表面反射。由于异质结技术对硅片表面的洁净度要求特别高，去除污染尤为重要。高效硅异质结电池的制造流程中，在非晶硅沉积镀膜前，对硅片表面做充分的清洗，去除掉金属及有机物等的污染，才能保证后续钝化的效果，保证成品质量。
常规制绒清洗方法依次包括预清洗处理、粗抛处理、制绒处理、圆滑、清洗、烘干等工序，基本能满足硅片正常清洗需求。为进一步提高硅片的表面清洁度，提高异质结电池转换效率，仍然需要本领域技术人员探索更优秀的制绒清洗方法。
发明内容
本申请的目的是提供一种太阳能电池的制绒清洗方法，能有效提升硅表面清洁度，进而改善钝化膜和衬底硅片的接触，提高电池转换效率。
为实现上述目的，本申请采用以下技术方案：
一种太阳能电池的制绒清洗方法，包括依次对硅片进行如下处理的步骤：
采用氨水双氧水混合液对硅片进行预清洗处理；
采用高浓度氢氧化钾水溶液对硅片进行粗抛处理；
采用氢氧化钾制绒添加剂混合液对硅片进行制绒处理；
采用氨水双氧水混合液对硅片进行第一清洗处理；
采用氢氟酸硝酸混合液对硅片进行化学抛光处理；
采用盐酸双氧水混合液对硅片进行第二清洗处理；
采用氢氟酸稀释液对硅片进行所述去氧化处理；
以及慢提拉处理和烘干处理。
上述太阳能电池的制绒清洗方法，作为一种实施方式，在所述化学抛光处理之后、所述第二清洗处理之前，还包括第三清洗步骤，采用通臭氧的氢氟酸水溶液对硅片进行第三清洗处理；通臭氧的氢氟酸水溶液HF以浓度49wt％计更体积比HF:H2O＝1:20～1:50，O3浓度更为10～40ppm；处理温度更为20～25℃，处理时间更为1～4min。
上述太阳能电池的制绒清洗方法，作为一种实施方式，所述第三清洗处理之后、所述第二清洗处理之前，还包括第四清洗步骤，采用氨水双氧水混合液对硅片进行第四清洗处理；以NH4OH浓度28wt％、H2O2浓度30wt％计，所述氨水双氧水混合液配比为体积比NH4OH:H2O2:H2O＝1:1:5～1:2:7；处理温度更为60～80℃，处理时间更为2～15min。
上述太阳能电池的制绒清洗方法，作为一种实施方式，预清洗处理步骤中，采用氨水双氧水混合液对硅片进行所述预清洗处理；以NH4OH浓度28wt％、H2O2浓度30wt％计，所述氨水双氧水混合液配比为体积比NH4OH:H2O2:H2O＝1:1:5～1:2:7；处理温度为60～80℃，处理时间为2～15min。
上述太阳能电池的制绒清洗方法，作为一种实施方式，粗抛处理中，采用高浓度氢氧化钾水溶液对硅片进行所述粗抛处理；所述高浓度氢氧化钾水溶液的配比以KOH浓度45wt％计为体积比KOH:H2O＝1:2～1:10；处理温度为65～85℃，处理时间为2～10min。
上述太阳能电池的制绒清洗方法，作为一种实施方式，制绒处理步骤中，采用氢氧化钾制绒添加剂混合液对硅片进行所述制绒处理；所述氢氧化钾制绒添加剂混合液的配比以KOH浓度45wt％计为体积比KOH:制绒添加剂:H2O＝1:1:10～5:1:100；处理温度为65～85℃，处理时间为4～20min。
上述太阳能电池的制绒清洗方法，作为一种实施方式，第一清洗处理中，采用氨水双氧水混合液对硅片进行所述第一清洗处理；以NH4OH浓度28wt％、H2O2浓度30wt％计，所述氨水双氧水混合液配比为体积比NH4OH:H2O2:H2O＝1:1:5～1:2:7，处理温度为60～80℃，处理时间为2～15min。
上述太阳能电池的制绒清洗方法，作为一种实施方式，化学抛光处理步骤中，采用氢氟酸硝酸混合液对硅片进行所述化学抛光处理；以HF浓度49wt％、HNO3浓度68wt％计，所述氢氟酸硝酸混合液的配比为体积比HF:HNO3:H2O＝1:10:20～1:20:60，处理温度为10～25℃，处理时间为1～3min。
上述太阳能电池的制绒清洗方法，作为一种实施方式，第二清洗处理步骤中，采用盐酸双氧水混合液对硅片进行所述第二清洗处理；以HCl浓度37wt％、H2O2浓度30wt％计，所述盐酸双氧水混合液的配比为体积比HCl:H2O2:H2O＝1:1:5～1:2:7，处理温度为60～80℃，处理时间为2～15min。
上述太阳能电池的制绒清洗方法，作为一种实施方式，去氧化步骤中，采用氢氟酸稀释液对硅片进行所述去氧化处理；所述氢氟酸稀释液的配比以HF浓度49wt％计为体积比HF:H2O＝1:10～1:50，处理温度为20～25℃，处理时间为0.5～10min。
相比现有技术，本申请的有益效果包括但不限于：
1)本申请提供的太阳能电池的制绒清洗方法能有效去除制程引入的杂质颗粒和有机物、金属污染，提高清洗效果和稳定性，利于后续CVD的钝化，对产线的稳定性和效率提升有重大意义；
2)本申请提供的太阳能电池的制绒清洗方法优选在化学抛光后设置清洗3步骤，采用臭氧+氢氟酸体系清洗硅片，因臭氧的还原电势非常高，因此该清洗步骤可以有效去除硅表面的有机沾污、金属沾污等，尤其针对制绒添加剂的有机物残留特别有效；
3)本申请提供的太阳能电池的制绒清洗方法优选在清洗3步骤后再设置清洗4步骤，通过氨水+双氧水体系对硅片进行清洗，能有效去除添加剂和化学抛光步骤引入的颗粒物。
附图说明
图1为本申请实施例1提供的太阳能电池制绒清洗方法流程示意图；
图2为本申请实施例2提供的太阳能电池制绒清洗方法流程示意图；
图3为分别采用实施例1和实施例2的制绒清洗方法制备的电池片的效率和少子寿命比较示意图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例，来说明本申请的具体实施方式，目的在于更好地理解本申请，但并不限定本申请。
本申请提供的太阳能电池的制绒清洗方法的一种优选实施方式，参见图1，依次包括：
步骤1：采用氨水双氧水混合液对硅片进行预清洗处理。本步骤主要目的在于去除硅片表面的粒子、部分有机物及部分金属。由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2)，呈亲水性，硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。在NH4OH腐蚀硅片表面的同时，H2O2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。本步骤中，氨水双氧水混合液配比为体积比NH4OH(以浓度28wt％计):H2O2(以浓度30wt％计):H2O＝1:1:5～1:2:7(比如优选为1:1:6、1:1:7、1:2:5、1:2:6等)，处理温度为60～80℃(比如优选为62℃、65℃、68℃、70℃、75℃、78℃等)，处理时间为2～15min(比如优选为3min、4min、5min、6min、7min、8min、9min、10min、11min、12min、13min、14min等)。本步骤中还可以使用HF+HCl+O3体系即通臭氧的氢氟酸盐酸混合液来代替氨水双氧水混合液，通过O3的氧化性来去除表面的氧化层与污染物。
步骤2：采用高浓度氢氧化钾水溶液对硅片进行粗抛处理。本步骤主要目的在于浓的KOH溶液会纵向腐蚀硅和氧化硅，从而刻蚀掉硅片表面的损伤层(硅片切片时必然会导致的损伤层)，以减少硅表面的缺陷。本步骤中，高浓度氢氧化钾水溶液的配比为体积比KOH(以浓度45wt％计):H2O＝1:2～1:10(比如优选为1:3、1:4、1:5、1:6、1:7、1:8、1:9等)，处理温度为65～85℃(比如优选为68℃、70℃、75℃、80℃、82℃等)，处理时间为2～10min(比如优选为3min、4min、5min、6min、7min、8min、9min等)。
步骤3：采用氢氧化钾制绒添加剂混合液对硅片进行制绒处理。本步骤主要目的在于在硅表面刻蚀出金字塔结构，制绒添加剂(本文中简写为ADD)加强了KOH对硅的各向异性腐蚀，从而在硅表面刻蚀出金字塔结构，利于降低硅片的反射率、提高电池片对光的吸收效果。本步骤中，氢氧化钾制绒添加剂混合液的配比为体积比KOH(以浓度45wt％计):ADD(制绒添加剂):H2O＝1:1:10～5:1:100(比如优选为1:1:10、1:1:20、1:1:30、1:1:40、1:1:50、1:1:60、1:1:70、1:1:80、1:1:90、2:1:10、2:1:20、2:1:30、2:1:40、2:1:50、2:1:60、2:1:70、2:1:80、2:1:90、2:1:100、3:1:10、3:1:20、3:1:30、3:1:40、3:1:50、3:1:60、3:1:70、3:1:80、3:1:90、3:1:100、4:1:10、4:1:20、4:1:30、4:1:40、4:1:50、4:1:60、4:1:70、4:1:80、4:1:90、4:1:100、5:1:20、5:1:30、5:1:40、5:1:50、5:1:60、5:1:70、5:1:80、5:1:90、5:1:100等)，换言之，KOH和ADD(制绒添加剂)的体积比为1:1～5:1(比如优选为2:1、3:1、4:1等)，ADD(制绒添加剂)和H2O的体积比为1:10～1:100(比如优选为1:20、1:30、1:40、1:50、1:60、1:70、1:80、1:90等)；处理温度为65～85℃(比如优选为68℃、70℃、75℃、80℃、82℃等)，处理时间为4～20min(比如优选为5min、8min、10min、12min、15min、18min等)。制绒添加剂(ADD)采用普通市售产品即可。
步骤4：采用氨水双氧水混合液对硅片进行第一清洗处理(即清洗1，参见图1)。本步骤的主要目的在于去除制绒添加剂引入的有机物成分和小颗粒，以提高硅片洁净度。氨水双氧水混合液的工艺配方可与步骤1相同；即，氨水双氧水混合液配比为体积比NH4OH(以浓度28wt％计):H2O2(以浓度30wt％计):H2O＝1:1:5～1:2:7(比如优选为1:1:6、1:1:7、1:2:5、1:2:6等)，处理温度为60～80℃(比如优选为62℃、65℃、68℃、70℃、75℃、78℃等)，处理时间为2～15min(比如优选为3min、4min、5min、6min、7min、8min、9min、10min、11min、12min、13min、14min等)。
步骤5：采用氢氟酸硝酸混合液对硅片进行化学抛光处理(CP处理，chemicalpolish，参见图1)。本步骤的主要目的在于通过氢氟酸和硝酸氧化和去氧化的反复过程来减弱或消除硅片表面金字塔的棱角，以利于后续CVD膜层的钝化。硅片表面有棱角处镀膜覆盖性不好，易导致成膜质量差或膜厚偏薄而影响钝化效果，而化学抛光是HJT技术中比较常用的圆顶化/圆滑化工艺步骤，通常是通过硝酸(HNO3)氧化硅片表面形成氧化层和氢氟酸(HF)刻蚀掉所形成的氧化层的反复过程来减弱或消除硅片表面金字塔的棱角，以利于后续CVD膜层的钝化。本步骤中，氢氟酸硝酸混合液的配比为体积比HF(以浓度49wt％计):HNO3(以浓度68wt％计):H2O＝1:10:20～1:20:60(比如优选为1:11:30、1:12:25、1:13:35、1:14:30、1:15:40、1:16:35、1:17:45、1:18:50、1:19:60等)，处理温度为10～25℃(比如优选为12℃、15℃、18℃、20℃、22℃、24℃等)，处理时间为1～3min(比如优选为1.5min、2min、2.5min等)。
步骤6：采用盐酸双氧水混合液对硅片进行第二清洗处理(清洗2，参见图1)。本步骤的主要目的在于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。一般地，首先，去除硅片表面的有机沾污，因有机物会遮盖部分硅片表面，从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除；然后溶解氧化膜，氧化膜层是“沾污陷阱”，不容易去除，也会引入外延缺陷；最后再去除颗粒、金属等沾污，利于硅片表面钝化。本步骤中，盐酸双氧水混合液的配比为体积比HCl(以浓度37wt％计):H2O2(以浓度30wt％计):H2O＝1:1:5～1:2:7(比如优选为1:1:6、1:1:7、1:2:5、1:2:6等)，处理温度为60～80℃(比如优选为62℃、65℃、68℃、70℃、75℃、78℃等)，处理时间为2～15min(比如优选为3min、4min、5min、6min、7min、8min、9min、10min、11min、12min、13min、14min等)。
步骤7：采用氢氟酸稀释液(Diluted Hydrofluoric Acid,DHF)对硅片进行去氧化处理。DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金属，DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物，利于硅片表面钝化。本步骤中，氢氟酸稀释液的配比为体积比HF(以浓度49wt％计):H2O＝1:10～1:50(比如优选为1:15、1:20、1:30、1:40、1:45等)，处理温度为20～25℃(比如优选为21℃、22℃、23℃、24℃等)，处理时间为0.5～10min(比如优选为1min、2min、3min、4min、5min、6min、7min、8min、9min等)。
步骤8：慢提拉处理。本步骤中，硅片浸泡于去离子水中，所述去离子水的温度为20～50℃(比如优选为22℃、25℃、30℃、35℃、40℃、45℃等)，洗涤0.5～4min(比如优选为1min、2min、3min、3.5min等)，然后，机械臂匀速缓慢提升花篮，利用表面张力使硅片提出槽后表面不挂水，利于去残留液和后续的硅片干燥。
步骤9：对硅片进行干燥处理。本步骤能使硅片表面干燥，利于减弱硅片对环境中杂质的吸附。地，干燥处理的温度为25～60℃(比如优选为28℃、30℃、35℃、40℃、45℃、50℃、55℃、58℃等)，采用N2鼓风。
由于异质结电池制备对硅片表面的洁净度要求特别高，所以尽可能的去除有机物和金属污染尤为重要。为进一步提升硅片在镀非晶硅膜前的清洁度，还可以针对上述实施方式中的工艺流程进行改进。比如，上述实施方式中的工艺流程中尚有如下的问题：一方面，第一清洗处理(即清洗1，参见图1)能有效去除制绒添加剂带来的有机物和小颗粒，但是由于添加剂里的杂质过多，容易有残留物被带入下一个CP槽(进行化学抛光处理的场所)，而这些残留物在CP及后续的制程中不能被完全消除，最终会在硅片表面形成复合中心，并影响后续CVD镀膜的钝化效果；另一方面，CP本身用到的硝酸和氢氟酸成分中含有少量的颗粒和微量的金属离子，然而第二清洗处理(即清洗2，参见图1)所用溶液主要能去除有机物和金属离子，但是去颗粒的能力不足。因此，还存在一定的改进空间。
为此，本申请提供的太阳能电池的制绒清洗方法的另一种优选实施方式，参见图2，除上述步骤1-步骤9之外，在步骤5和步骤6之间还包括一个清洗步骤，换言之，在化学抛光处理步骤之后，第二清洗处理之前，还依次包括第三清洗步骤(清洗3，参见图2)其中，第三清洗处理步骤中，采用通臭氧的氢氟酸水溶液对硅片进行第三清洗处理；本步骤中，通臭氧的氢氟酸水溶液优选体积比HF(以浓度49wt％计):H2O＝1:20～1:50(比如优选为1:25、1:30、1:35、1:40、1:45等)，O3浓度为10～40ppm(比如优选为15ppm、20ppm、25ppm、30ppm、35ppm等)；处理温度为20～25℃(比如优选为21℃、22℃、23℃、24℃等)，处理时间为1～4min(比如优选为1min、2min、3min、4min、5min、6min、7min、8min、9min等)；臭氧的还原电势非常高，因此用清洗3溶液可以有效去除硅表面的有机沾污、金属沾污等，尤其针对制绒添加剂的有机物残留特别有效。
进一步地，该实施方式中，第三清洗处理步骤之后、第二清洗处理之前，还包括第四清洗步骤(清洗4，参见图2)；第四清洗处理步骤中，采用与第一清洗处理所用溶液比如氨水双氧水混合液对硅片进行第四清洗处理，能更有效地去除制绒添加剂残留和CP槽带来的颗粒物。本步骤中，氨水双氧水混合液配比为体积比NH4OH(以浓度28wt％计):H2O2(以浓度30wt％计):H2O＝1:1:5～1:2:7(比如优选为1:1:6、1:1:7、1:2:5、1:2:6等)，处理温度为60～80℃(比如优选为62℃、65℃、68℃、70℃、75℃、78℃等)，处理时间为2～15min(比如优选为3min、4min、5min、6min、7min、8min、9min、10min、11min、12min、13min、14min等)。本步骤中，氨水双氧水混合液可以采用HF+HCl+O3混合液即通臭氧的氢氟酸盐酸混合液替代。本步骤中所用洗液与预清洗处理所用洗液相同。
实施例1
本实施例提供的异质结太阳能电池的制绒清洗方法，参见图1，依次包括如下步骤：
1)采用氨水双氧水混合液对硅片进行预清洗处理去除硅片表面的粒子、部分有机物及部分金属；所用的氨水双氧水混合液配比为体积比NH4OH(以浓度28wt％计)/H2O2(以浓度30wt％计)/H2O＝1:1:6，处理温度为70℃，处理时间为10min。
2)采用高浓度氢氧化钾水溶液对硅片进行粗抛处理，去掉硅片表面的损伤层，高浓度氢氧化钾水溶液的配比为体积比KOH(以浓度45wt％计):H2O＝1:6，处理温度为75℃，处理时间为6min。
3)采用氢氧化钾制绒添加剂混合液对硅片进行制绒处理；氢氧化钾制绒添加剂混合液的配比为体积比KOH(以浓度45wt％计):ADD(制绒添加剂，可以为市售产品，厂家为常州时创能源股份有限公司；产品型号为TS-51):H2O＝2:1:80，处理温度为75℃，处理时间为10min。
4)采用氨水双氧水混合液对硅片进行第一清洗处理(即清洗1，参见图1)，以去除制绒添加剂引入的有机物成分和小颗粒，以提高硅片洁净度。氨水双氧水混合液的工艺配方与步骤1)相同，处理温度为70℃，处理时间为10min。
5)采用氢氟酸硝酸混合液对硅片进行化学抛光处理(CP处理，参见图1)，以减弱或消除硅片表面金字塔的棱角，使其平滑，以利于后续CVD膜层的钝化；所用氢氟酸硝酸混合液的配比为体积比HF(以浓度49wt％计):HNO3(以浓度68wt％计):H2O＝1:15:45，处理温度为20℃，处理时间为2min。
6)采用盐酸双氧水混合液对硅片进行第二清洗处理(清洗2，参见图1)，去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污；盐酸双氧水混合液的配比为体积比HCl(以浓度37wt％计):H2O2(以浓度30wt％计):H2O＝1:1:6，处理温度为70℃，处理时间为10min。
7)采用氢氟酸稀释液(DHF)对硅片进行去氧化处理；氢氟酸稀释液(DHF)的配比为体积比HF(以浓度49wt％计)/H2O＝1:30，处理温度为23℃，处理时间为5min。
8)慢提拉处理：去离子水，38℃，2min，机械臂匀速缓慢提升花篮，利用表面张力使硅片提出槽后表面不挂水，利于去残留液和后续的硅片干燥。
9)干燥处理：温度为45℃，采用N2鼓风，使硅片表面干燥，利于减弱硅片对环境中杂质的吸附。
采用本实施例的制绒清洗方法制备的电池片的效率和少子寿命参见图3。
实施例2
本实施例提供的异质结太阳能电池的制绒清洗方法，参见图2，在实施例1的基础上，在步骤5)和步骤6)之间，还依次包括如下步骤：
a)采用通臭氧的氢氟酸水溶液对硅片进行清洗处理，通臭氧的氢氟酸水溶液体积比HF(以浓度49wt％计):H2O＝1:30，O3浓度为30ppm；处理温度为23℃，处理时间为2.5min；
b)采用与清洗1所用溶液，即氨水双氧水混合液(体积比NH4OH(以浓度28wt％计)/H2O2(以浓度30wt％计)/H2O＝1:1:6)对硅片进行清洗处理，处理温度为70℃，处理时间为10min。
本实施例提供的制绒清洗方法值得的电池片的效率和少子寿命参见图3。
本实施例提供的制绒清洗方法能有效去除制程引入的杂质颗粒和有机物、金属污染，提高清洗效果和稳定性，利于后续CVD的钝化，对产线的稳定性和效率提升有重大意义。从图3可以看出，实施例2中制得的太阳能电池片性能优于实施例1中的太阳能电池片性能，CP后增加强清洗3，可有效去除制程引入有机物，提高清洗效果和制程稳定性；CP后增加清洗4，可有效去除制程引入的杂质颗粒和金属污染，提高清洗效果，利于后续CVD镀膜的钝化效果，提高效率。
最后，还需要说明的是，在本申请中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
尽管上面已经通过本申请的具体实施例的描述对本申请进行了披露，但是，应该理解，本领域技术人员可在所附方案的精神和范围内设计对本申请的各种修改、改进或者等同物。这些修改、改进或者等同物也应当被认为包括在本申请所要求保护的范围内。
Claims (10)
1.一种太阳能电池的制绒清洗方法，其特征在于，包括依次对硅片进行如下处理的步骤：
采用氨水双氧水混合液对硅片进行预清洗处理；
采用高浓度氢氧化钾水溶液对硅片进行粗抛处理；
采用氢氧化钾制绒添加剂混合液对硅片进行制绒处理；
采用氨水双氧水混合液对硅片进行第一清洗处理；
采用氢氟酸硝酸混合液对硅片进行化学抛光处理；
采用盐酸双氧水混合液对硅片进行第二清洗处理；
采用氢氟酸稀释液对硅片进行所述去氧化处理；
以及慢提拉处理和烘干处理。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制绒清洗方法，其特征在于，在所述化学抛光处理之后、所述第二清洗处理之前，还包括第三清洗步骤，采用通臭氧的氢氟酸水溶液对硅片进行第三清洗处理；通臭氧的氢氟酸水溶液HF以浓度49wt％计体积比HF:H2O＝1:20～1:50，O3浓度为10～40ppm；处理温度为20～25℃，处理时间为1～4min。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制绒清洗方法，其特征在于，所述第三清洗处理之后、所述第二清洗处理之前，还包括第四清洗步骤，采用氨水双氧水混合液对硅片进行第四清洗处理；以NH4OH浓度28wt％、H2O2浓度30wt％计，所述氨水双氧水混合液配比为体积比NH4OH:H2O2:H2O＝1:1:5～1:2:7；处理温度为60～80℃，处理时间为2～15min。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的太阳能电池的制绒清洗方法，其特征在于，预清洗处理步骤中，以NH4OH浓度28wt％、H2O2浓度30wt％计，所述氨水双氧水混合液配比为体积比NH4OH:H2O2:H2O＝1:1:5～1:2:7；处理温度为60～80℃，处理时间为2～15min。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的太阳能电池的制绒清洗方法，其特征在于，粗抛处理中，所述高浓度氢氧化钾水溶液的配比以KOH浓度45wt％计为体积比KOH:H2O＝1:2～1:10；处理温度为65～85℃，处理时间为2～10min。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的太阳能电池的制绒清洗方法，其特征在于，制绒处理步骤中，所述氢氧化钾制绒添加剂混合液的配比以KOH浓度45wt％计为体积比KOH:制绒添加剂:H2O＝1:1:10～5:1:100；处理温度为65～85℃，处理时间为4～20min。
7.根据权利要求1-3中任一项所述的太阳能电池的制绒清洗方法，其特征在于，第一清洗处理中，以NH4OH浓度28wt％、H2O2浓度30wt％计，所述氨水双氧水混合液配比为体积比NH4OH:H2O2:H2O＝1:1:5～1:2:7，处理温度为60～80℃，处理时间为2～15min。
8.根据权利要求1-3中任一项所述的太阳能电池的制绒清洗方法，其特征在于，化学抛光处理步骤中，以HF浓度49wt％、HNO3浓度68wt％计，所述氢氟酸硝酸混合液的配比为体积比HF:HNO3:H2O＝1:10:20～1:20:60，处理温度为10～25℃，处理时间为1～3min。
9.根据权利要求1-3中任一项所述的太阳能电池的制绒清洗方法，其特征在于，第二清洗处理步骤中，以HCl浓度37wt％、H2O2浓度30wt％计，所述盐酸双氧水混合液的配比为体积比HCl:H2O2:H2O＝1:1:5～1:2:7，处理温度为60～80℃，处理时间为2～15min。
10.根据权利要求1-3中任一项所述的太阳能电池的制绒清洗方法，其特征在于，去氧化步骤中，所述氢氟酸稀释液的配比以HF浓度49wt％计为体积比HF:H2O＝1:10～1:50，处理温度为20～25℃，处理时间为0.5～10min。
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