CN114361300A - 一种微发光二极管制备方法及微发光二极管 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种微发光二极管制备方法及微发光二极管，涉及半导体技术领域。微发光二极管制备方法包括：提供或制备外延层；在外延层的一侧表面制备透明导电层；刻蚀透明导电层和外延层，并获得台面结构和发光凸台，发光凸台上保留透明导电层；进行第一次退火处理，使透明导电层与发光凸台欧姆接触；清洗外延层，以清除外延层表面的晶粒凸起；在台面结构上制作第一电极层，并进行第二次退火处理，使第一电极层与台面结构欧姆接触；在透明导电层一侧表面制作第二电极层。本申请提供的微发光二极管制备方法可使电极层与外延层具有良好的欧姆接触，延长微发光二极管使用寿命。
Description
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种微发光二极管制备方法及微发光二极管。
背景技术
由于微发光二极管(Micro-Light Emitting Diode，Micro-LED)具有高亮度、高分辨率等诸多优点，使得Micro-LED越来越多地被应用于显示领域。
然而，现有的Micro-LED制备方法很难实现电极与外延层的欧姆接触，使得现有的Micro-LED存在发热严重等问题，进而影响Micro-LED的使用寿命。
发明内容
本申请提供了一种微发光二极管制备方法及微发光二极管，可改善电极层与外延层的欧姆接触，延长微发光二极管的使用寿命。
第一方面，本申请提供了：
一种微发光二极管制备方法，包括：
提供或制备外延层；
在所述外延层的一侧表面制备透明导电层；
刻蚀所述透明导电层和所述外延层，并获得台面结构和发光凸台，所述发光凸台上保留所述透明导电层；
进行第一次退火处理，使所述透明导电层与所述发光凸台欧姆接触；
清洗所述外延层，以清除所述外延层表面的晶粒凸起；
在所述台面结构上制作第一电极层，并进行第二次退火处理，使所述第一电极层与所述台面结构欧姆接触；
在所述透明导电层一侧表面制作第二电极层。
在一些可能的实施方式中，通过溅射蒸镀方法在所述外延层的一侧表面制备所述透明导电层。
在一些可能的实施方式中，所述刻蚀所述透明导电层和所述外延层，并获得台面结构和发光凸台，所述发光凸台上保留所述透明导电层包括：
通过电感耦合等离子体刻蚀方法刻蚀所述透明导电层，并通过台阶仪测试所述透明导电层的刻蚀深度，其中，氯气与三氯化硼的摩尔比为1:1至10:1；
通过电感耦合等离子体刻蚀方法刻蚀所述外延层，以获得所述台面结构和所述发光凸台，其中，氯气与三氯化硼的摩尔比为1:1至10:1。
在一些可能的实施方式中，所述刻蚀所述透明导电层和所述外延层，并获得台面结构和发光凸台，所述发光凸台上保留所述透明导电层包括：
通过电感耦合等离子体刻蚀方法刻蚀所述透明导电层，并通过台阶仪测试所述透明导电层的刻蚀深度，其中，氯气与三氯化硼的摩尔比为5:1；
通过电感耦合等离子体刻蚀方法刻蚀所述外延层，以获得所述台面结构和所述发光凸台，其中，氯气与三氯化硼的摩尔比为1:1。
在一些可能的实施方式中，所述外延层包括依次层叠设置的P型半导体层、发光层和N型半导体层；
所述台面结构形成于所述N型半导体层，所述发光凸台由所述P型半导体层、所述发光层和部分所述N型半导体层形成。
在一些可能的实施方式中，所述进行第一次退火处理，使所述透明导电层与所述发光凸台欧姆接触包括：
在540℃至660℃的氧气氛围下，保温270s至330s；
在675℃至825℃的氮气氛围下，保温21s至39s。
在一些可能的实施方式中，所述进行第一次退火处理，使所述透明导电层与所述发光凸台欧姆接触包括：
在600℃的氧气氛围下，保温300s；
在750℃的氮气氛围下，保温30s。
在一些可能的实施方式中，在所述第二次退火处理中，在氮气氛围下，将温度设定为720℃至880℃，保温21s至39s。
在一些可能的实施方式中，在所述第二次退火处理中，在氮气氛围下，将温度设定为800℃，保温30s。
在一些可能的实施方式中，通过氢氧化钾溶液清洗所述外延层，所述氢氧化钾溶液的浓度为6.4％至9.6％。
在一些可能的实施方式中，通过氢氧化钾溶液清洗所述外延层，所述氢氧化钾溶液的浓度为8.0％。
在一些可能的实施方式中，通过氢氧化钾溶液清洗所述外延层，所述氢氧化钾溶液的温度为0℃至80℃。
在一些可能的实施方式中，所述微发光二极管制备方法还包括：
在所述外延层一侧表面制备钝化层，所述钝化层覆盖所述第一电极层和所述第二电极层；
在所述钝化层上开孔，使所述第一电极层的部分和所述第二电极层的部分外露。
第二方面，本申请还提供了一种微发光二极管，通过本申请提供的所述微发光二极管制备方法加工而成。
本申请的有益效果是：本申请提出一种微发光二极管制备方法及微发光二极管，微发光二极管制备方法可用于制备该微发光二极管。制备微发光二极管的过程中，在刻蚀透明导电层及外延层后，对其进行第一次退火处理。从而，可改善透明导电层与外延层间的欧姆接触，降低接触电阻，即可降低外延层与第二电极层间的电阻，进而在工作时可减少热量的产生。
另外，在制作第一电极层前对外延层表面的晶粒凸起进行清除，可实现对台面结构的平整，从而，可降低第一电极层与台面结构(即外延层)间的电阻。同时，在第一电极层制成后，并进行第二次退火处理，可进一步改善第一电极层与台面结构间的欧姆接触，降低接触电阻，进而在工作时可减少热量的产生。同时，通过两次退火处理和在第一次退火后进行清洗，有效改善了台面结构的表面问题，防止电极层易脱落、接触电阻增大问题的出现。
综上，通过本申请提供的微发光二极管制备方法制成的微发光二极管，可有效改善电极层与外延层间的欧姆接触，降低接触电阻，从而有效降低微发光二极管工作时的产热，延长微发光二极管的使用寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1示出了一些实施例中微发光二极管制备方法的流程示意图；
图2示出了一些实施例中衬底和外延层初始状态下的剖面结构示意图；
图3示出了一些实施例中制备透明导电层后Micro-LED的剖面结构示意图；
图4示出了一些实施例中刻蚀透明导电层和外延层时Micro-LED的结构变化示意图；
图5示出了一些实施例中清洗晶粒凸起时Micro-LED的结构变化示意图；
图6示出了一些实施例中制备第一电极层时Micro-LED的剖面结构示意图；
图7示出了一些实施例中制备第二电极层时Micro-LED的剖面结构示意图；
图8示出了一些实施例中制备钝化层时Micro-LED的结构变化示意图；
图9示出了一些实施例中制备焊盘时Micro-LED的剖面结构示意图。
主要元件符号说明：
10-外延层；101-发光凸台；102-台面结构；11-P型半导体层；12-发光层；13-N型半导体层；131-晶粒凸起；14-本征半导体层；15-缓冲层；20-衬底；30-透明导电层；41-第一电极层；42-第二电极层；50-钝化层；51-第一通孔；52-第二通孔；61-第一焊盘；62-第二焊盘。
具体实施方式
下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
实施例中提供了一种微发光二极管制备方法，可用于微发光二极管(即Micro-LED)的制备。可以理解的，实施例中所述的Micro-LED制备方法，即本申请提供的微发光二极管制备方法。
如图1所示，在一些实施例中，Micro-LED制备方法可以包括以下步骤：
S10，提供或制备外延层10。
再一并结合图2，在一些实施例中，可以先提供一衬底20，可以理解的，衬底20可作为Micro-LED的承载板，为Micro-LED中的结构提供生长、制作平台。实施例中，衬底20可由蓝宝石(Al2O3)、硅(Si)或碳化硅(SiC)等材料制成。
在一些实施例中，可在衬底20的一表面通过外延生长方法生长外延层10。实施例中，外延层10可包括依次层叠设置的缓冲层15、本征半导体层14、N型半导体层13、发光层12和P型半导体层11，其中，缓冲层15贴合衬底20表面设置。
可以理解的，对于外延层10中的不同材料层，可分别通过不同的外延生长方法进行生长。示例性的，如可分别通过分子束外延生长方法、液相外延生长方法、气相外延生长方法等进行外延层10中不同材料层的生长。
在一些实施例中，本征半导体层14为本征氮化镓(GaN)层。N型半导体层13为N型氮化镓(n-GaN)层，P型半导体层11为P型氮化镓(p-GaN)层，发光层12可以选用多量子阱(Multiple Quantum Well，MQWs)发光层。
当然，在另一些实施例中，也可以提供已有的外延层10，直接进行使用。
S20，在外延层10远离衬底20的一侧表面制备透明导电层30。
如图3所示，具体的，可以在真空环境下，通过溅射蒸镀方法在P型半导体层11远离发光层12的一侧表面沉积氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)，以形成透明导电层30。其中，通过溅射蒸镀方法可使制得的透明导电层30具有更好的致密性，进而使得透明导电层30具有较佳的透光性能及导电性，以实现光和电的顺利传输。
S30，刻蚀透明导电层30和外延层10，并获得台面结构102及发光凸台101。
如图4所示，在一些实施例中，可以通过电感耦合等离子体(Inductive CoupledPlasma，ICP)刻蚀方法对透明导电层30进行刻蚀。具体的，可以根据外延层10的图案化设计，在透明导电层30远离外延层10的一侧表面设置掩膜层，以确定出刻蚀区域，并形成第一Micro-LED半成品。在一些实施例中，掩膜层可由光刻胶或二氧化硅(SiO2)等材料制成。
随后，可将第一Micro-LED半成品放置于ICP刻蚀机中进行刻蚀。其中，氯气(Cl2)与三氯化硼(BCl3)的摩尔比可以设置为1:1至10:1，示例性的，氯气(Cl2)与三氯化硼(BCl3)的摩尔比可以设置1:1、3:1、5:1、6:1、8:1或10:1等。在刻蚀过程中，因不会引入液体，从而使得刻蚀操作更加容易控制，危险性更小。
另外，在透明导电层30的刻蚀过程中，可通过台阶仪对透明导电层30的刻蚀深度进行检测。实施例中，可以将透明导电层30刻蚀穿透，即由透明导电层30远离外延层10一侧表面刻蚀至靠近外延层10的一侧表面，使得部分外延层10远离衬底20的一侧表面外露，并获得第二Micro-LED半成品。
随后，可以再通过ICP刻蚀方法刻蚀外延层10，以将外延层10由P型半导体层11刻蚀至N型半导体层13，并在外延层10远离衬底20的一侧形成若干个发光凸台101和若干个台面结构102。
具体的，调整ICP刻蚀机中的气体氛围，将氯气(Cl2)与三氯化硼(BCl3)的摩尔比设置为1:1至10:1，示例性的，氯气(Cl2)与三氯化硼(BCl3)的摩尔比设置为1:1、3:1、5:1、8:1或10:1等。将具有掩膜层的第二Micro-LED半成品放置于ICP刻蚀机中，将外延层10由P型半导体层11刻蚀至N型半导体层13。
可以理解的，经过刻蚀，可使N型半导体层13的部分外露，实施例中，若干个台面结构102可以形成于N型半导体层13的外露部分。相应的，发光凸台101可依次包括P型半导体层11、发光层12及部分N型半导体层13。刻蚀保留的透明导电层30可位于发光凸台101远离衬底20的一侧表面。
待刻蚀完成后，可将透明导电层30上的掩膜层清洗掉。示例性的，可以采用等离子干法去胶工艺去除掩膜层(光刻胶)。然后，再分别用丙酮和异丙醇各清洗5min，以清除残余的掩膜层，之后可用去离子水进行清洗。待清洗完成后，可用氮气吹干。
实施例中，发光凸台101的数量和台面结构102的数量可根据需要进行设置，示例性的，发光凸台101的数量和台面结构102的数量可分别设置成一个、四个、二十个、五百个、一千个、一百万个、三百万个等。
当发光凸台101和台面结构102均设置有多个时，发光凸台101和台面结构102可呈阵列排布。
实施例中，将透明导电层30和外延层10在同一工序中进行刻蚀，可减少一次排版设计。相应的，也可减少一道工序，提高加工效率。
S40，进行第一次退火处理。
首先，可以将刻蚀后的Micro-LED半成品放置于540℃～660℃的氧气(O2)氛围下，保温270s～330s。具体的，在一些实施例中，可将刻蚀后的Micro-LED半成品放置于600℃的氧气(O2)氛围下，保温300s。在此过程中，透明导电层30与外延层10的界面原子会相互扩散，以形成氮氧化铟镓(InGaON)化合物，降低界面势垒高度。同时，在此过程中，透明导电层30的晶粒会逐渐长大，使得透明导电层30内部缺陷减少，因此可降低透明导电层30对光的吸收，提升透明导电层30的透光性。
随后，可将Micro-LED半成品再放置于675℃～825℃的氮气(N2)氛围下，保温21s～39s。具体的，在一些实施例中，可将Micro-LED半成品放置于750℃的氮气(N2)氛围下，保温30s。在此过程中，可使透明导电层30中的氧空位增加，以提升透明导电层30的导电性。
可以理解的，以上退火处理均可以在退火炉中进行。
经过第一次退火处理后，可改善透明导电层30与P型半导体层11间的欧姆接触，降低接触电阻，同时，也可使透明导电层30具有更佳的透光性及导电性，另外，也可减少透明导电层30从P型半导体层11脱落的风险。
S50，清洗外延层10。
如图4和图5所示，可以理解的，经过刻蚀后的外延层10表面会因刻蚀不均匀而形成较多凸出的晶粒凸起131，使得外延层10表面呈现为凹凸不平的结构。即，经过刻蚀形成的台面结构102上会形成较多的晶粒凸起131。
实施例中，可以将经过第一退火处理后的Micro-LED半成品放置于氢氧化钾溶液中进行清洗，清除台面结构102表面凸出的晶粒凸起131，以平整台面结构102表面。其中，氢氧化钾溶液的浓度可设置为6.4％至9.6％，示例性的，氢氧化钾溶液的浓度可设置为6.4％、8.0％、9.0％、9.6％等。实施例中，氢氧化钾溶液的温度可设置为0℃至80℃，示例性的，氢氧化钾溶液的温度可设置为0℃、25℃、32℃、50℃、75℃、80℃等。可以理解的，将氢氧化钾溶液加热后，可提高清洗速率，提高Micro-LED制备效率。
当然，在通过氢氧化钾溶液清洗后，还可通过去离子水对Micro-LED半成品进行清洗，并可通过氮气(N2)进行吹干，以减少氢氧化钾溶液在Micro-LED半成品表面的残留，以确保Micro-LED表面的洁净度。
S60，在台面结构102上制作第一电极层41，并进行第二次退火处理。
结合图6，在一些实施例中，可以通过离子束蒸镀方法在台面结构102上蒸镀第一电极层41，即在N型半导体层13远离衬底20的一侧表面蒸镀第一电极层41。其中，第一电极层41可以是N型电极。第一电极层41可以包括依次层叠设置的钛/铝/钛/金(Ti/Al/Ti/Au)金属层。
当然，在另一些实施例中，还可通过磁控溅射等方法制备第一电极层41。第一电极层41也可包括依次层叠设置的镍/铁/铂/钯(Ni/Fe/Pt/Pd)金属层等。
待第一电极层41制作完成后，可获得相应的第三Micro-LED半成品。随后，可将第三Micro-LED半成品进行第二次退火处理。
实施例中，可将第三Micro-LED半成品放置于720℃至880℃的氮气(N2)氛围下，保温21s至39s。在一些具体的实施例中，可将第三Micro-LED半成品放置于800℃的氮气范围下，保温30s，以实现高温退火处理。在此过程中，可以有效改善第一电极层41与N型半导体层13间的欧姆接触，减低接触电阻，提升第一电极层41和N型半导体层13间的导电性能，减少工作过程中的热量产生。另外，也可有效防止第一电极层41从N型半导体层13上脱落的问题发生。
可以理解的，第二次退火处理也可在退火炉中进行。
S70，在透明导电层30一侧表面制作第二电极层42。
如图7所示，在一些实施例中，可通过离子束蒸镀方法在透明导电层30远离衬底20的一侧表面蒸镀第二电极层42。其中，第二电极层42可以是P型电极。第二电极层42可以包括依次层叠设置的钛/铝/钛/金(Ti/Al/Ti/Au)金属层。
当然，在另一些实施例中，还可通过磁控溅射等方法制备第二电极层42。第二电极层42也可包括依次层叠设置的镍/铁/铂/钯(Ni/Fe/Pt/Pd)金属层等。
实施例中，通过对透明导电层30进行退火处理，以改善透明导电层30与外延层10的欧姆接触，同时，也可使得第二电极层42与外延层10间的电阻降低，另外，也可降低第二电极层42从外延层10脱落的概率，延长Micro-LED使用寿命。同时，通过两次退火处理和在第一次退火后进行氢氧化钾溶液清洗，有效改善了n-GaN表面问题，防止电极层易脱落、接触电阻增大问题的出现。
在一些实施例中，Micro-LED制备方法还包括有：
S80，在外延层10远离衬底20的一侧表面制备钝化层50，使钝化层50覆盖第一电极层41和第二电极层42。
如图8所示，具体的，在一些实施例中，可通过等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)方法或原子层沉积(Atomic LayerDeposition，ALD)方法等在外延层10远离衬底20的一侧沉积钝化层50。其中，钝化层50可以由SiO2、Si3N4或Al2O3等材料制成。可以理解的，实施例中，钝化层50可同时覆盖于第一电极层41和第二电极层42。
实施例中，钝化层50可以为Micro-LED提供保护功能，避免杂质原子等吸附于Micro-LED表面而造成污染。同时，也可避免Micro-LED表面出现磨损、刮花等问题而影响Micro-LED的出光效果。从而，以确保Micro-LED具有良好的发光效果，提升Micro-LED品质。另外，也可实现Micro-LED芯片的防短路保护。
实施例中，待钝化层50沉积完成后，可在钝化层50上进行开孔，以使得第一电极层41远离衬底20一侧的部分表面及第二电极层42远离衬底20一侧的部分表面外露，以便于为后续电连接第一电极层41和第二电极层42做准备。
在一些实施例中，可通过光刻配合湿法腐蚀对钝化层50进行开孔处理，以在钝化层50形成第一通孔51和第二通孔52。其中，第一通孔51可以与第一电极层41相连通，第二通孔52可以与第二电极层42相连通。
在另一些实施例中，也可通过光刻配合干法腐蚀，以对钝化层50进行开孔处理。亦或，通过光刻配合干湿混合腐蚀，以对钝化层50进行开孔处理。
当然，在一些实施例中，Micro-LED制备方法还可包括有：
S90，制作焊盘。
结合图8和图9，在一些实施例中，可以在第一电极层41远离衬底20的一侧和第二电极层42远离衬底20的一侧均制作相应的焊盘，以便于后续实现Micro-LED与驱动板(图未示)之间的焊接。
具体的，可在第一通孔51位置，通过离子束蒸镀等方法在第一电极层41远离衬底20的一侧表面蒸镀第一焊盘61。实施例中，在远离衬底20一侧，第一焊盘61可相对于钝化层50凸出设置，以便于第一焊盘61与驱动板上的键合凸点配合，并实现键合连接。
同样的，可在第二通孔52位置，通过离子束蒸镀等方法在第二电极层42远离衬底20的一侧表面蒸镀第二焊盘62。相应的，在远离衬底20一侧，第二焊盘62可相对于钝化层50凸出设置，以便第二焊盘62与驱动板上的键合凸点配合，并实现键合连接。
可以理解的，第一焊盘61和第二焊盘62也可理解为Micro-LED上的键合凸点。
实施例中，在Micro-LED的具体应用中，可通过倒装焊将Micro-LED与驱动板焊接连接，即使得第一焊盘61和第二焊盘62分别与驱动板上的键合凸点键合连接，以实现Micro-LED与驱动板的电连接。工作时，可由驱动板驱动Micro-LED点亮或熄灭。
可以理解的，在一些实施例中，可在同一外延层10上同时制作多个Micro-LED。相应的，在Micro-LED制作完成后，也可将多个Micro-LED进行分切，以形成单个的Micro-LED。
实施例中还提供了一种微发光二极管，可由实施例中提供的微发光二极管制备方法制得。在微发光二极管中，电极层与外延层10间具有良好的欧姆接触，较低的接触电阻。从而，可降低微发光二极管工作时的产热，延长微发光二极管的使用寿命。同时，也可有效降低电极层从外延层10脱落的风险，提升微发光二极管品质。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (14)
1.一种微发光二极管制备方法，其特征在于，包括：
提供或制备外延层；
在所述外延层的一侧表面制备透明导电层；
刻蚀所述透明导电层和所述外延层，并获得台面结构和发光凸台，所述发光凸台上保留所述透明导电层；
进行第一次退火处理，使所述透明导电层与所述发光凸台欧姆接触；
清洗所述外延层，以清除所述外延层表面的晶粒凸起；
在所述台面结构上制作第一电极层，并进行第二次退火处理，使所述第一电极层与所述台面结构欧姆接触；
在所述透明导电层一侧表面制作第二电极层。
2.根据权利要求1所述的微发光二极管制备方法，其特征在于，通过溅射蒸镀方法在所述外延层的一侧表面制备所述透明导电层。
3.根据权利要求1所述的微发光二极管制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述透明导电层和所述外延层，并获得台面结构和发光凸台，所述发光凸台上保留所述透明导电层包括：
通过电感耦合等离子体刻蚀方法刻蚀所述透明导电层，并通过台阶仪测试所述透明导电层的刻蚀深度，其中，氯气与三氯化硼的摩尔比为1:1至10:1；
通过电感耦合等离子体刻蚀方法刻蚀所述外延层，以获得所述台面结构和所述发光凸台，其中，氯气与三氯化硼的摩尔比为1:1至10:1。
4.根据权利要求3所述的微发光二极管制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述透明导电层和所述外延层，并获得台面结构和发光凸台，所述发光凸台上保留所述透明导电层包括：
通过电感耦合等离子体刻蚀方法刻蚀所述透明导电层，并通过台阶仪测试所述透明导电层的刻蚀深度，其中，氯气与三氯化硼的摩尔比为5:1；
通过电感耦合等离子体刻蚀方法刻蚀所述外延层，以获得所述台面结构和所述发光凸台，其中，氯气与三氯化硼的摩尔比为1:1。
5.根据权利要求1、3和4中任一项所述的微发光二极管制备方法，其特征在于，所述外延层包括依次层叠设置的P型半导体层、发光层和N型半导体层；
所述台面结构形成于所述N型半导体层，所述发光凸台由所述P型半导体层、所述发光层和部分所述N型半导体层形成。
6.根据权利要求1所述的微发光二极管制备方法，其特征在于，所述进行第一次退火处理，使所述透明导电层与所述发光凸台欧姆接触包括：
在540℃至660℃的氧气氛围下，保温270s至330s；
在675℃至825℃的氮气氛围下，保温21s至39s。
7.根据权利要求6所述的微发光二极管制备方法，其特征在于，所述进行第一次退火处理，使所述透明导电层与所述发光凸台欧姆接触包括：
在600℃的氧气氛围下，保温300s；
在750℃的氮气氛围下，保温30s。
8.根据权利要求1、6和7中任一项所述的微发光二极管制备方法，其特征在于，在所述第二次退火处理中，在氮气氛围下，将温度设定为720℃至880℃，保温21s至39s。
9.根据权利要求8所述的微发光二极管制备方法，其特征在于，在所述第二次退火处理中，在氮气氛围下，将温度设定为800℃，保温30s。
10.根据权利要求1所述的微发光二极管制备方法，其特征在于，通过氢氧化钾溶液清洗所述外延层，所述氢氧化钾溶液的浓度为6.4％至9.6％。
11.根据权利要求10所述的微发光二极管制备方法，其特征在于，通过氢氧化钾溶液清洗所述外延层，所述氢氧化钾溶液的浓度为8.0％。
12.根据权利要求1、10和11中任一项所述的微发光二极管制备方法，其特征在于，通过氢氧化钾溶液清洗所述外延层，所述氢氧化钾溶液的温度为0℃至80℃。
13.根据权利要求1所述的微发光二极管制备方法，其特征在于，所述微发光二极管制备方法还包括：
在所述外延层一侧表面制备钝化层，所述钝化层覆盖所述第一电极层和所述第二电极层；
在所述钝化层上开孔，使所述第一电极层的部分和所述第二电极层的部分外露。
14.一种微发光二极管，其特征在于，通过如权利要求1至13任一项所述的微发光二极管制备方法加工而成。
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