CN107059136A - 多晶硅片的制绒工艺 - Google Patents

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CN107059136A CN201710496812.3A CN201710496812A CN107059136A CN 107059136 A CN107059136 A CN 107059136A CN 201710496812 A CN201710496812 A CN 201710496812A CN 107059136 A CN107059136 A CN 107059136A
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    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Abstract

本发明涉及多晶硅片生产工艺技术领域，特别是一种多晶硅片的制绒工艺，包括以下步骤，(1)切片，将原料硅片切成片状；(2)酸制绒，在含有硝酸、氢氟酸、醋酸和去离子水的混合液中进行酸制绒；(3)在氢氧化钾溶液中进行碱制绒；(4)在含有盐酸和氢氟酸的混合液中进行酸洗；(5)清洗并烘干；(6)分光光度计测量。采用上述工艺后，本发明在多晶硅片的制绒过程中加入了醋酸，可以在更广泛的范围内稀释溶液而保持硝酸的氧化能力，可使腐蚀液的氧化能力在反应过程中保持相对稳定；同时，减小了氢离子浓度使得阴极反应变慢，可使整个腐蚀反应速率随之变慢，更有利于形成腐蚀坑。

Description

多晶硅片的制绒工艺
技术领域
本发明涉及多晶硅片生产工艺技术领域，特别是一种多晶硅片的制绒工艺。
背景技术
近年来，多晶硅太阳能电池以其转换效率较高、性能稳定和成本适中的特点而得到越来越广泛的应用，其产量已超越单晶硅，占据了市场的主导地位。
为了提高太阳能电池的电池转换效率，在制作时，需要先对硅片进行化学处理，使得硅表面做成一个具有一定形状的绒面，但是，依照现有技术，在对多晶硅太阳能电池片进行制绒后，所得硅片反射率偏高，且绒面的均匀性较差，多晶硅太阳能电池片的电池转换效率低。
中国发明专利CN 104009125A公开了一种多晶硅片的制绒工艺，包括以下步骤：(1)在硅片表面喷涂一层碳化硅颗粒；(2)在含有硝酸和氢氟酸的混合液中进行酸制绒；(3)在氢氧化钾溶液中进行碱制绒；(4)在含有盐酸和氢氟酸的混合液中进行酸洗；(5)清洗并烘干。
发明内容
本发明需要解决的技术问题是提供一种反射率低、电池转换效率高的多晶硅片的制绒工艺。
为了解决上述技术问题，本发明的多晶硅片的制绒工艺，包括以下步骤，
(1)切片，将原料硅片切成片状；
(2)酸制绒，在含有硝酸、氢氟酸、醋酸和去离子水的混合液中进行酸制绒；
(3)在氢氧化钾溶液中进行碱制绒；
(4)在含有盐酸和氢氟酸的混合液中进行酸洗；
(5)清洗并烘干；
(6)分光光度计测量。
进一步的，所述步骤(2)混合液中硝酸的质量分数为18-26％，氢氟酸的质量分数为12-16％，醋酸质量分数为8-13％，余量为去离子水，硅片在18-23℃下制绒3-8min。
进一步的，所述步骤(3)中氢氧化钾的质量分数为10-14％，硅片在30-39℃下制绒3-5min。
进一步的，所述步骤(4)混合液中盐酸的质量分数为13％，氢氟酸的质量分数为7％，硅片在25℃下酸洗2min。
采用上述工艺后，本发明在多晶硅片的制绒过程中加入了醋酸，可以在更广泛的范围内稀释溶液而保持硝酸的氧化能力，可使腐蚀液的氧化能力在反应过程中保持相对稳定；同时，减小了氢离子浓度使得阴极反应变慢，可使整个腐蚀反应速率随之变慢，更有利于形成腐蚀坑。
具体实施方式
本发明多晶硅片的制绒工艺，包括以下步骤：
(1)切片，将原料硅片切成片状；
(2)酸制绒，在含有硝酸、氢氟酸、醋酸和去离子水的混合液中进行酸制绒；
(3)在氢氧化钾溶液中进行碱制绒；
(4)在含有盐酸和氢氟酸的混合液中进行酸洗；
(5)清洗并烘干；
(6)分光光度计测量。
进一步的，所述步骤(2)混合液中硝酸的质量分数为18-26％，氢氟酸的质量分数为12-16％，醋酸质量分数为8-13％，余量为去离子水，硅片在18-23℃下制绒3-8min。
进一步的，所述步骤(3)中氢氧化钾的质量分数为10％-14％，硅片在30-39℃下制绒3-5min。
进一步的，所述步骤(4)混合液中盐酸的质量分数为13％，氢氟酸的质量分数为7％，硅片在25℃下酸洗2min。
实施方式一：
(1)切片，将原料硅片切成片状；
(2)酸制绒，在含有硝酸、氢氟酸、醋酸和去离子水的混合液中进行酸制绒。其中，混合液中硝酸的质量分数为18％，氢氟酸的质量分数为12％，醋酸质量分数为8％，余量为去离子水，硅片在18℃下制绒5min。
(3)在氢氧化钾溶液中进行碱制绒，其中，氢氧化钾的质量分数为10％，硅片在35℃下制绒3min。
(4)在含有盐酸和氢氟酸的混合液中进行酸洗；其中，混合液中盐酸的质量分数为13％，氢氟酸的质量分数为7％，硅片在25℃下酸洗2min。
(5)清洗并烘干；在30℃下烘干3min。
(6)分光光度计测量。
实施方式二：
(1)切片，将原料硅片切成片状；
(2)酸制绒，在含有硝酸、氢氟酸、醋酸和去离子水的混合液中进行酸制绒。其中，混合液中硝酸的质量分数为26％，氢氟酸的质量分数为16％，醋酸质量分数为13％，余量为去离子水，硅片在23℃下制绒5min。
(3)在氢氧化钾溶液中进行碱制绒，其中，氢氧化钾的质量分数为14％，硅片在30℃下制绒5min。
(4)在含有盐酸和氢氟酸的混合液中进行酸洗；其中，混合液中盐酸的质量分数为13％，氢氟酸的质量分数为7％，硅片在25℃下酸洗2min。
(5)清洗并烘干；在30℃下烘干3min。
(6)分光光度计测量。
实施方式三：
(1)切片，将原料硅片切成片状；
(2)酸制绒，在含有硝酸、氢氟酸、醋酸和去离子水的混合液中进行酸制绒。其中，混合液中硝酸的质量分数为21％，氢氟酸的质量分数为14％，醋酸质量分数为10％，余量为去离子水，硅片在20℃下制绒8min。
(3)在氢氧化钾溶液中进行碱制绒，其中，氢氧化钾的质量分数为13％，硅片在39℃下制绒4min。
(4)在含有盐酸和氢氟酸的混合液中进行酸洗；其中，混合液中盐酸的质量分数为13％，氢氟酸的质量分数为7％，硅片在25℃下酸洗2min。
(5)清洗并烘干；在30℃下烘干3min。
(6)分光光度计测量。
虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是本领域熟练技术人员应当理解，这些仅是举例说明，可以对本实施方式作出多种变更或修改，而不背离发明的原理和实质，本发明的保护范围仅由所附权利要求书限定。

Claims (4)

1.一种多晶硅片的制绒工艺，其特征在于，包括以下步骤，
(1)切片，将原料硅片切成片状；
(2)酸制绒，在含有硝酸、氢氟酸、醋酸和去离子水的混合液中进行酸制绒；
(3)在氢氧化钾溶液中进行碱制绒；
(4)在含有盐酸和氢氟酸的混合液中进行酸洗；
(5)清洗并烘干；
(6)分光光度计测量。
2.按照权利要求1所述的多晶硅片的制绒工艺，其特征在于：所述步骤(2)混合液中硝酸的质量分数为18-26％，氢氟酸的质量分数为12-16％，醋酸质量分数为8-13％，余量为去离子水，硅片在18-23℃下制绒3-8min。
3.按照权利要求1所述的多晶硅片的制绒工艺，其特征在于：所述步骤(3)中氢氧化钾的质量分数为10-14％，硅片在30-39℃下制绒3-5min。
4.按照权利要求1所述的多晶硅片的制绒工艺，其特征在于：所述步骤(4)混合液中盐酸的质量分数为13％，氢氟酸的质量分数为7％，硅片在25℃下酸洗2min。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210024858A1 (en) * 2018-03-27 2021-01-28 Tokuyama Corporation Washing method, manufacturing method, and washing device for polycrystalline silicon

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101717946A (zh) * 2009-12-30 2010-06-02 江阴市润玛电子材料有限公司 一种硅片表面制绒液及硅片表面制绒的方法
CN102097526A (zh) * 2010-10-08 2011-06-15 常州天合光能有限公司 一种晶体硅rie制绒的表面损伤层清洗工艺
CN102364697A (zh) * 2011-06-30 2012-02-29 常州天合光能有限公司 一种去除rie制绒后晶体硅表面的微损伤层的方法
CN103035780A (zh) * 2012-12-26 2013-04-10 太阳能光伏北京市工程研究中心有限公司 一种多晶硅线痕片的制绒方法
CN103151423A (zh) * 2013-02-28 2013-06-12 常州捷佳创精密机械有限公司 一种多晶硅片制绒清洗工艺方法
CN103541017A (zh) * 2013-10-28 2014-01-29 山东力诺太阳能电力股份有限公司 一种多晶硅太阳电池湿法制绒方法
CN104505437A (zh) * 2014-12-30 2015-04-08 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理液、制绒预处理方法和制绒预处理硅片及其应用
CN104752566A (zh) * 2015-04-24 2015-07-01 中建材浚鑫科技股份有限公司 多晶硅电池制绒工艺
CN105140336A (zh) * 2015-07-21 2015-12-09 东莞南玻光伏科技有限公司 多晶硅片制绒及清洗方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101717946A (zh) * 2009-12-30 2010-06-02 江阴市润玛电子材料有限公司 一种硅片表面制绒液及硅片表面制绒的方法
CN102097526A (zh) * 2010-10-08 2011-06-15 常州天合光能有限公司 一种晶体硅rie制绒的表面损伤层清洗工艺
CN102364697A (zh) * 2011-06-30 2012-02-29 常州天合光能有限公司 一种去除rie制绒后晶体硅表面的微损伤层的方法
CN103035780A (zh) * 2012-12-26 2013-04-10 太阳能光伏北京市工程研究中心有限公司 一种多晶硅线痕片的制绒方法
CN103151423A (zh) * 2013-02-28 2013-06-12 常州捷佳创精密机械有限公司 一种多晶硅片制绒清洗工艺方法
CN103541017A (zh) * 2013-10-28 2014-01-29 山东力诺太阳能电力股份有限公司 一种多晶硅太阳电池湿法制绒方法
CN104505437A (zh) * 2014-12-30 2015-04-08 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理液、制绒预处理方法和制绒预处理硅片及其应用
CN104752566A (zh) * 2015-04-24 2015-07-01 中建材浚鑫科技股份有限公司 多晶硅电池制绒工艺
CN105140336A (zh) * 2015-07-21 2015-12-09 东莞南玻光伏科技有限公司 多晶硅片制绒及清洗方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210024858A1 (en) * 2018-03-27 2021-01-28 Tokuyama Corporation Washing method, manufacturing method, and washing device for polycrystalline silicon

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