CN102097526A - 一种晶体硅rie制绒的表面损伤层清洗工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种晶体硅RIE制绒的表面损伤层清洗工艺，首先对硅片表面损伤层进行去离子水表面预清洗；然后利用HF、HNO3与水或醋酸按体积比HF∶HNO3∶水或醋酸＝1∶50∶100的混合溶液进行第一次去损伤清洗；之后再次进行去离子水清洗；然后采用HN4OH、H2O2与H2O按体积比HN4OH∶H2O2∶H2O＝1∶1∶5的混合溶液在60℃～75℃进行二次清洗刻蚀，二次清洗时间控制在5～15分钟的范围；完成后用0.5％浓度的HF溶液进行沾洗；最后用去离子水进行清洗。本发明适用于晶体硅RIE制绒的精细化表面结构的去损伤过程，更好地保证刻蚀过程不对硅片表面精细的绒面结构产生影响。

Description

一种晶体硅RIE制绒的表面损伤层清洗工艺
技术领域
本发明涉及晶体硅太阳能电池生产工艺，尤其是涉及一种晶体硅RIE制绒的表面损伤层清洗工艺。
背景技术
现在晶体硅太阳能电池产业化生产中一般会采用强碱性化学品(NaOH、KOH等)，或者强酸性化学品(HF+HNO3)的水溶液对硅片表面的损伤层进行清洗。一般应用在电池表面绒面制备中的表面处理过程，目的为消除硅片表面的切割损伤层，硅片减薄一般在5～15μm。
在采用RIE(反应离子刻蚀)的晶体硅表面绒面制备过程中，会引入一定的表面损伤层，但此种表面的损伤层厚度在0.1-0.4μm，使用常规去损伤工艺会出现过度刻蚀，影响到表面的陷光效果。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种晶体硅RIE制绒的表面损伤层清洗工艺，使得在RIE精细化的绒面上去除损伤层的同时能够降低对表面绒面结构的影响。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种晶体硅RIE制绒的表面损伤层清洗工艺，首先对反应离子刻蚀后的硅片表面损伤层进行去离子水表面预清洗；然后利用HF、HNO3与缓冲腐蚀剂按体积比HF∶HNO3∶缓冲腐蚀剂＝1∶50∶100的混合溶液进行第一次去损伤清洗；之后再次进行去离子水清洗；然后采用HN4OH、H2O2与H2O按体积比HN4OH∶H2O2∶H2O＝1∶1∶5的混合溶液在60℃～75℃进行二次清洗刻蚀，二次清洗时间控制在5～15分钟的范围；完成后用0.5％浓度的HF溶液进行沾洗；最后用去离子水进行清洗。
进一步地，所述的缓冲腐蚀剂为水或醋酸。
本发明的有益效果是：本发明为了尽可能在去除损伤的情况下不对正常绒面产生影响，采用两次清洗去损伤刻蚀工艺，以降低刻蚀过程中对硅片本身的RIE绒面产生的影响，同时，在第一次去损伤清洗中加入缓冲腐蚀剂，因此，清洗工艺对损伤层的刻蚀速率较慢，在未完全去除损伤层的情况下即停止第一次去损伤清洗，区别于正常去损伤工艺。本发明的刻蚀过程采用二次刻蚀，更好地保证刻蚀过程不对硅片表面精细的绒面结构产生影响。本发明对损伤层的刻蚀速率较慢，适用于晶体硅RIE制绒的精细化表面结构的去损伤过程。
具体实施方式
一种晶体硅RIE制绒的表面损伤层清洗工艺，具体工艺步骤如下：
(1)对反应离子刻蚀后的硅片表面损伤层进行去离子水表面预清洗；
(2)利用HF、HNO3与水或醋酸按体积比HF∶HNO3∶水或醋酸＝1∶50∶100的混合溶液进行第一次去损伤清洗；
(3)再次进行去离子水清洗；
(4)采用HN4OH、H2O2与H2O按体积比HN4OH∶H2O2∶H2O＝1∶1∶5的混合溶液在60℃～75℃进行二次清洗刻蚀，二次清洗时间控制在5～15分钟的范围；
(5)用0.5％浓度的HF溶液进行沾洗；
(6)最后用去离子水进行清洗。
本发明的清洗工艺对损伤层的刻蚀速率较慢，适用于晶体硅RIE制绒的精细化表面结构的去损伤过程，本发明区别于正常去损伤工艺，本发明的刻蚀过程采用二次刻蚀，更好地保证刻蚀过程不对硅片表面精细的绒面结构产生影响。

Claims (2)

1.一种晶体硅RIE制绒的表面损伤层清洗工艺，其特征在于：首先对反应离子刻蚀后的硅片表面损伤层进行去离子水表面预清洗；然后利用HF、HNO3与缓冲腐蚀剂按体积比HF∶HNO3∶缓冲腐蚀剂＝1∶50∶100的混合溶液进行第一次去损伤清洗；之后再次进行去离子水清洗；然后采用HN4OH、H2O2与H2O按体积比HN4OH∶H2O2∶H2O＝1∶1∶5的混合溶液在60℃～75℃进行二次清洗刻蚀，二次清洗时间控制在5～15分钟的范围；完成后用0.5％浓度的HF溶液进行沾洗；最后用去离子水进行清洗。
2.根据权利要求1所述的晶体硅RIE制绒的表面损伤层清洗工艺，其特征在于：所述的缓冲腐蚀剂为水或醋酸。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102364697A (zh) * 2011-06-30 2012-02-29 常州天合光能有限公司 一种去除rie制绒后晶体硅表面的微损伤层的方法
CN102703903A (zh) * 2012-05-08 2012-10-03 常州天合光能有限公司 一种碱制绒工艺
CN102716867A (zh) * 2012-06-21 2012-10-10 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种用于太阳能电池的晶体硅片的清洗方法
CN102728573A (zh) * 2012-06-19 2012-10-17 天威新能源控股有限公司 一种晶体硅rie制绒表面损伤层的清洗工艺
CN103806108A (zh) * 2012-11-08 2014-05-21 上海神舟新能源发展有限公司 一种改进型晶硅电池片的清洗工艺
CN104362221A (zh) * 2014-11-27 2015-02-18 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种rie制绒的多晶硅太阳电池的制备方法
CN104393094A (zh) * 2014-09-26 2015-03-04 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种用于hit电池的n型硅片清洗制绒方法
CN105655445A (zh) * 2016-03-25 2016-06-08 中节能太阳能科技（镇江）有限公司 一种rie制绒硅片表面修饰清洗方法
CN106711248A (zh) * 2016-12-03 2017-05-24 河北工业大学 一种降低铸锭多晶硅片表面反射率的方法
CN107059136A (zh) * 2017-06-26 2017-08-18 张兆民 多晶硅片的制绒工艺
CN107623056A (zh) * 2017-09-29 2018-01-23 常州大学 一种反应离子刻蚀方法形成的纳米绒面表面缺陷修复方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11312665A (ja) * 1998-04-27 1999-11-09 Kyocera Corp 半導体基板の粗面化法
CN101087007A (zh) * 2007-05-11 2007-12-12 上海明兴开城超音波科技有限公司 单晶硅太阳能电池化学蚀刻、清洗、干燥的方法和它的一体化处理机

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02100320A (ja) * 1988-10-06 1990-04-12 Fujitsu Ltd シリコンウエハーの製造方法
US7507670B2 (en) * 2004-12-23 2009-03-24 Lam Research Corporation Silicon electrode assembly surface decontamination by acidic solution
CN100428406C (zh) * 2007-02-27 2008-10-22 江苏佳讯电子有限公司 半导体管芯总成晶粒表面的处理方法
US7578889B2 (en) * 2007-03-30 2009-08-25 Lam Research Corporation Methodology for cleaning of surface metal contamination from electrode assemblies
CN101789371B (zh) * 2009-01-23 2011-10-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体元器件的清洗方法
CN101707187B (zh) * 2009-11-27 2012-02-01 上海新傲科技股份有限公司 一种带有绝缘埋层的晶圆的表面处理方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11312665A (ja) * 1998-04-27 1999-11-09 Kyocera Corp 半導体基板の粗面化法
CN101087007A (zh) * 2007-05-11 2007-12-12 上海明兴开城超音波科技有限公司 单晶硅太阳能电池化学蚀刻、清洗、干燥的方法和它的一体化处理机

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102364697B (zh) * 2011-06-30 2013-07-24 常州天合光能有限公司 一种去除rie制绒后晶体硅表面的微损伤层的方法
CN102364697A (zh) * 2011-06-30 2012-02-29 常州天合光能有限公司 一种去除rie制绒后晶体硅表面的微损伤层的方法
CN102703903A (zh) * 2012-05-08 2012-10-03 常州天合光能有限公司 一种碱制绒工艺
CN102728573A (zh) * 2012-06-19 2012-10-17 天威新能源控股有限公司 一种晶体硅rie制绒表面损伤层的清洗工艺
CN102716867A (zh) * 2012-06-21 2012-10-10 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种用于太阳能电池的晶体硅片的清洗方法
CN103806108A (zh) * 2012-11-08 2014-05-21 上海神舟新能源发展有限公司 一种改进型晶硅电池片的清洗工艺
CN104393094A (zh) * 2014-09-26 2015-03-04 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种用于hit电池的n型硅片清洗制绒方法
CN104362221A (zh) * 2014-11-27 2015-02-18 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种rie制绒的多晶硅太阳电池的制备方法
CN104362221B (zh) * 2014-11-27 2016-09-14 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种rie制绒的多晶硅太阳电池的制备方法
CN105655445A (zh) * 2016-03-25 2016-06-08 中节能太阳能科技（镇江）有限公司 一种rie制绒硅片表面修饰清洗方法
CN106711248A (zh) * 2016-12-03 2017-05-24 河北工业大学 一种降低铸锭多晶硅片表面反射率的方法
CN106711248B (zh) * 2016-12-03 2018-07-24 河北工业大学 一种降低铸锭多晶硅片表面反射率的方法
CN107059136A (zh) * 2017-06-26 2017-08-18 张兆民 多晶硅片的制绒工艺
CN107623056A (zh) * 2017-09-29 2018-01-23 常州大学 一种反应离子刻蚀方法形成的纳米绒面表面缺陷修复方法

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