CN102412340A - 太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法 - Google Patents

太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102412340A
CN102412340A CN2011103362782A CN201110336278A CN102412340A CN 102412340 A CN102412340 A CN 102412340A CN 2011103362782 A CN2011103362782 A CN 2011103362782A CN 201110336278 A CN201110336278 A CN 201110336278A CN 102412340 A CN102412340 A CN 102412340A
Authority
CN
China
Prior art keywords
rainbow
sheet
long film
processing method
solar cell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2011103362782A
Other languages
English (en)
Inventor
王伟兵
陈敏智
赵东
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang Perlight Solar Co Ltd
Original Assignee
Zhejiang Perlight Solar Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhejiang Perlight Solar Co Ltd filed Critical Zhejiang Perlight Solar Co Ltd
Priority to CN2011103362782A priority Critical patent/CN102412340A/zh
Publication of CN102412340A publication Critical patent/CN102412340A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明提供了一种太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法，属于电学技术领域。它解决了现有的太阳能电池长膜异常导致无法得到有效的处理而导致电池片损耗严重的问题。本处理方法，先通过配制及加热清洗液，然后将彩虹片浸泡在清洗液中进行处理，再通过冲洗、甩干、重新进行PECVD工艺长膜，从而完成整个工艺步骤。它采用加热后的清洗液对彩虹片进行清洗，使得反应过程缩短、操作简便，同时节约了工时及人工成本，提高了企业效益。

Description

太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法
技术领域
本发明属于电学技术领域，涉及一种太阳能电池，特别是一种太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法。 
背景技术
随着人们环保意识的日益提高，国际、国内对于可再生能源，特别是对太阳能的开发利用越来越受到人们的广泛关注。光伏发电的成本在过去的30年里下降了2个数量级，特别是在1990年代后半期起进入了快速发展的阶段，而在过去的5年时间里光伏产业更保持了每年40％～50％的增长，成为一个快速发展的高技术新兴行业。虽然发展速度如此之快，但是目前太阳能发电在整个社会能源结构中的比例还是比较小，不到1％。因此，太阳能电池的发展潜力极其巨大，市场前景广阔。 
目前在工业生产和市场上处于主导地位的太阳能电池是基于晶体硅(单晶硅和多晶硅)的第一代太阳能电池，其光电转换效率高(可分别达到24.7％和20.3％)，技术也比较成熟，产量占了整个太阳能电池90％左右。但是由于该类产品需要消耗大量昂贵的高纯晶体硅原料，原料成本占了总成本60％～80％，导致价格居高不下，已成为光伏产业发展及太阳能电池推广应用的主要障碍。 
为了节省原材料，有效降低太阳能电池的成本，基于薄膜技术的第二代太阳能电池逐渐展示出巨大优势和发展潜力，成为近些年来太阳能电池领域的研究热点。目前的第二代太阳能电池都是制作在P型衬底的硅片上，而为了增加对入射太阳光的吸收，提高太阳能电池的光电转换频率，都必须在电池的N层表面生长一层合适厚度的减反射膜，以增加对入射阳光的吸收，对利用该 种技术制作的太阳能电池，其光电转换效率都在16％以上。而目前行业内的产业化生产工艺都是采用PECVD等离子体化学气相淀积的方式，将硅片置放于等离子体场中，从而在硅片表面直接淀积一层薄膜，这是一种常规的成熟的减反膜生长工艺。 
但是在太阳能电池生长减反膜工艺过程中，由于种种原因经常会出现长膜异常的彩虹片，处理起来非常麻烦。常规的处理方法是常温下用HF浸泡，处理时间短则4～6小时，长则2～3天，甚至好几天都清洗不干净，严重的反而还会使盛放彩虹片的花篮遭受腐蚀，最终处理不好的片子只能报废，从而使得生产成本增加。 
发明内容
本发明的目的是针对现有的技术存在上述问题，提出了一种操作工作简单、成本低廉、环境优好、性能稳定、清洗时间短、清洗效果好、而且成品率高的太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法。 
本发明的目的可通过下列技术方案来实现：一种太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法，其工艺步骤为：a、调配浸泡用的清洗液；b、对清洗液进行加热；c、将需要返工的彩虹片浸泡在清洗液中；d、冲洗：将浸泡后的彩虹片取出放在去离子水中冲洗；e、甩干；f、对甩干后的成品电池片重新进行PECVD工艺长膜。 
在上述的太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法中，所述的清洗液包含HF。 
在上述的太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法中，所述的清洗液由H2O∶HF按照9∶1～11∶1的体积比调配而成。 
在上述的太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法中，所述的清洗液的温度加热至60～80℃。 
在上述的太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法中， 所述的彩虹片浸泡在清洗液中的时间为10～20分钟。 
在上述的太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法中，所述的浸泡后的彩虹片在去离子水中冲洗20～35分钟。 
在上述的太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法中，所述的去离子水为电阻率在15MΩ以上的高纯水。 
在上述的太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法中，所述的甩干工艺为通过太阳能电池片甩干机进行的机械式甩干。 
在上述的太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法中，所述的机械式甩干的转速在450～50R/min，时间在200～300秒。 
与现有技术相比，本发明具有以下的优点：1、用时短，由于将以往常温状态的HF溶液进行加热处理，使得反应速度加快，整个清洗过程在30分钟之内即可完成；2、操作过程简单方便，整个工艺流程仅需要注意HF溶液的反应温度，以及彩虹片在溶液中浸泡的去膜情况，其他工艺时间根据长膜情况做略微的适当调整即可；3、清洗效果好，加热后的HF溶液能够有效地减小反应势垒，即更容易地打开异常膜内化合物的化学键，使清洗反应更加的快速和完全；4、成本低廉，反应时间短，节约工时及人工成本，同时能有效地对长膜异常的电池片进行重新利用，避免浪费。 
具体实施方式
以下是本发明的具体实施例，对本发明的技术方案作进一步的描述，但本发明并不限于这些实施例。 
实施例一：一种太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法，其工艺步骤如下： 
1、调配浸泡用的清洗液，清洗液由H2O∶HF按照11∶1的体积比调配而成。 
2、对清洗液加热到70℃。 
3、将需要返工的彩虹片浸泡在加热后的HF溶液中。操作员 工在旁边观察，待异常膜被腐蚀干净以后，即可取出，处理时间在15分钟左右。 
4、冲洗：将浸泡后的彩虹片取出放在电阻率在15MΩ以上的去离子水中冲洗20分钟。 
5、通过太阳能电池片甩干机进行机械式甩干处理，将太阳能电池片上附着的水分取出。本工艺中采用的甩干机为无锡奥曼特SG11A型甩干机，甩干时候的转速550R/min，时间250秒。 
6、对甩干后的成品电池片重新进行PECVD工艺长膜。 
实施例二：一种太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法，其工艺步骤如下： 
1、调配浸泡用的清洗液，清洗液由H2O∶HF按照10∶1的体积比调配而成。 
2、对清洗液加热到80℃。 
3、将需要返工的彩虹片浸泡在加热后的HF溶液中。操作员工在旁边观察，待异常膜被腐蚀干净以后，即可取出，处理时间在10分钟左右。 
4、冲洗：将浸泡后的彩虹片取出放在电阻率在15MΩ以上的去离子水中冲洗30分钟。 
5、通过太阳能电池片甩干机进行机械式甩干处理，将太阳能电池片上附着的水分取出。本工艺中采用的甩干机为无锡奥曼特SG11A型甩干机，甩干时候的转速450R/min，时间350秒。 
6、对甩干后的成品电池片重新进行PECVD工艺长膜。 
实施例三：一种太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法，其工艺步骤如下： 
1、调配浸泡用的清洗液，清洗液由H2O∶HF按照9∶1的体积比调配而成。 
2、对清洗液加热到60℃。 
3、将需要返工的彩虹片浸泡在加热后的HF溶液中。操作员 工在旁边观察，待异常膜被腐蚀干净以后，即可取出，处理时间在20分钟左右。 
4、冲洗：将浸泡后的彩虹片取出放在电阻率在15MΩ以上的去离子水中冲洗35分钟。 
5、通过太阳能电池片甩干机进行机械式甩干处理，将太阳能电池片上附着的水分取出。本工艺中采用的甩干机为无锡奥曼特SG11A型甩干机，甩干时候的转速500R/min，时间300秒。 
6、对甩干后的成品电池片重新进行PECVD工艺长膜。 
经过上述实施例的一系列处理之后的彩虹片，其性能能够基本恢复到未长膜前的状态，就可以实新重新利用，降低生产成本，从而提高企业效益。 
本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神作举例说明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。 

Claims (9)

1.一种太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法，其工艺步骤为：a、调配浸泡用的清洗液；b、对清洗液进行加热；c、将需要返工的彩虹片浸泡在清洗液中；d、冲洗：将浸泡后的彩虹片取出放在去离子水中冲洗；e、甩干；f、对甩干后的成品电池片重新进行PECVD工艺长膜。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法，其特征在于，所述的清洗液包含HF。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法，其特征在于，所述的清洗液由H2O∶HF按照9∶1～11∶1的体积比调配而成。
4.根据权利要求1或2或3所述的太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法，其特征在于，所述的清洗液的温度加热至60～80℃。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法，其特征在于，所述的彩虹片浸泡在清洗液中的时间为10～20分钟。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法，其特征在于，所述的浸泡后的彩虹片在去离子水中冲洗20～35分钟。
7.根据权利要求1或6所述的太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法，其特征在于，所述的去离子水为电阻率在15MΩ以上的高纯水。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法，其特征在于，所述的甩干工艺为通过太阳能电池片甩干机进行的机械式甩干。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法，其特征在于，所述的机械式甩干的转速在450～550R/min，时间在200～300秒。
CN2011103362782A 2011-10-31 2011-10-31 太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法 Pending CN102412340A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011103362782A CN102412340A (zh) 2011-10-31 2011-10-31 太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011103362782A CN102412340A (zh) 2011-10-31 2011-10-31 太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102412340A true CN102412340A (zh) 2012-04-11

Family

ID=45914306

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011103362782A Pending CN102412340A (zh) 2011-10-31 2011-10-31 太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102412340A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104485388A (zh) * 2014-12-11 2015-04-01 东方日升新能源股份有限公司 一种晶硅太阳能电池pecvd镀膜后不良片的返工方法
CN105140344A (zh) * 2015-09-06 2015-12-09 陕西天宏硅材料有限责任公司 等离子体增强化学气相沉积法产生的不合格单晶硅片处理方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102151669A (zh) * 2010-11-26 2011-08-17 安阳市凤凰光伏科技有限公司 太阳能硅电池镀膜片碎料的处理方法
CN102163549A (zh) * 2011-01-27 2011-08-24 巨力新能源股份有限公司 一种晶体硅镀膜后不良片的处理液及其处理方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102151669A (zh) * 2010-11-26 2011-08-17 安阳市凤凰光伏科技有限公司 太阳能硅电池镀膜片碎料的处理方法
CN102163549A (zh) * 2011-01-27 2011-08-24 巨力新能源股份有限公司 一种晶体硅镀膜后不良片的处理液及其处理方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104485388A (zh) * 2014-12-11 2015-04-01 东方日升新能源股份有限公司 一种晶硅太阳能电池pecvd镀膜后不良片的返工方法
CN105140344A (zh) * 2015-09-06 2015-12-09 陕西天宏硅材料有限责任公司 等离子体增强化学气相沉积法产生的不合格单晶硅片处理方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102938431B (zh) 一种太阳电池的硅片清洗制绒方法
CN102299206B (zh) 一种异质结太阳电池及其制备方法
WO2015017956A1 (zh) 太阳电池用单晶硅片单面抛光方法
CN102270702A (zh) 一种制绒白斑单晶硅片的返工工艺
CN105185847A (zh) 一种制备铜锌锡硫薄膜的方法
CN107523881A (zh) 一种制备单晶硅绒面的预处理方法
CN107675263A (zh) 单晶硅金字塔结构绒面的优化方法
CN109853044B (zh) 基于全波段减反的单晶硅表面复合微结构及其制备方法
CN102800758A (zh) 一种晶硅太阳能电池表面钝化层仿生制备方法
CN102412340A (zh) 太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法
CN101431122A (zh) 太阳电池减反射膜生产工艺
CN112626489A (zh) 一种三元气体混合浴的钙钛矿薄膜的制备方法
CN103496736A (zh) ZnS纳米晶薄膜、其制备方法及应用
CN102643032A (zh) 一种化学水浴沉积制备In2S3薄膜的方法
CN105304340A (zh) 染料敏化太阳能电池用多孔二氧化钛薄膜的制备方法
CN102593245B (zh) 一种高效低价晶体硅太阳电池的制备方法
CN102155078B (zh) 纳米太阳能织物光伏表皮
CN104051573B (zh) 一种硅片掩膜制绒工艺
CN114583064A (zh) 一种基于磁控溅射钙钛矿光吸收层的光伏器件的制备方法
CN103337524B (zh) 自洁高效太阳能电池
CN209472000U (zh) 一种平面硅基有机/无机杂化太阳电池结构
CN107342336B (zh) 一种均一型多晶硅绒面的制备方法
CN113421933A (zh) 一种半导体光敏感复合材料及其制备方法以及应用
CN104409529A (zh) 一种微结构绒面多晶硅太阳能电池制作工艺
CN105655447A (zh) 一种适于各种衬底形状的钙钛矿薄膜大面积制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20120411